JP4683164B1 - 透明導電性積層体およびその製造方法ならびに静電容量式タッチパネル - Google Patents

透明導電性積層体およびその製造方法ならびに静電容量式タッチパネル Download PDF

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Abstract

本発明は、短い製造工程で基板の両面に異なる形状の微細パターンを同時に形成することができ、微細パターンであっても位置合わせが容易な透明導電性積層体及びその製造方法並びに静電容量式タッチパネルを提供する。
本発明の透明導電性積層体１１は、透明基板層１と、透明基板層１の両面に形成された第一の導電性パターン領域４ａ及び第一の非導電性パターン領域４ｂを有する第一の透明導電層１ａと、第二の導電性パターン領域４ａ及び第二の非導電性パターン領域４ｂを有する第二の透明導電層１ｂとからなり、第一の透明導電層１ａと第二の透明導電層１ｂとの間に形成された少なくとも１の層が光を吸収する機能を有する。
【選択図】図１４

Description

本発明は、透明導電性積層体および透明導電性積層体の製造方法に関する。
近年、様々な電子機器のディスプレイ上に入力デバイスとして、透明なタッチパネルが取り付けられている。タッチパネルの方式としては、抵抗膜式、静電容量式などが挙げられる。特に、静電容量式はマルチタッチが可能であり、モバイル機器などの用途に多く採用されている。
静電容量式のタッチパネルは、パターンを形成した透明導電層を用いる。この透明導電層にパターンを形成する方法として、例えば、特許文献１から３のようにレジストを用いてパターンを形成するようなフォトリソグラフィによる方法がある。他の方法としては、特許文献４のように、導電膜形成用組成物として、光に反応する官能基或いは部位を有するインジウム化合物及び同様な官能基或いは部位を有する錫化合物を用い、パターン露光を行う方法や、特許文献５のように、レーザー光によるパターン形成を行う方法などがある。
また、静電容量式のタッチパネルは、ディスプレイ上に用いることから、透明導電層のパターン形状が目立つと視認性が低下する問題がある。そのため、ディスプレイの画質を低下させないように、特許文献６のように透明導電層以外に光学調整層を形成することにより、透過率を高めたタッチパネル用透明導電性積層体が提案されている。
特開平１−１９７９１１号公報 特開平２−１０９２０５号公報 特開平２−３０９５１０号公報 特開平９−１４２８８４号公報 特開２００８−１４０１３０号公報 特開平１１−２８６０６６号公報
しかしながら、特許文献１から３のようなフォトリソグラフィによる方法は、多くの製造工程を要することが多い。特に、基板の両面に透明導電層を設けてパターンを形成する場合、片面ずつレジスト塗布、露光、現像などの工程を経るため、製造工程が煩雑になる。また、視認性の低下の問題を解決するために、特許文献６のように透明導電層以外に光学調整層を形成する場合にも、さらに製造工程を増やす必要があるため、さらに製造工程が煩雑になる。
また、特許文献４又は５のような方法は、レジストを用いることがなく、製造工程を短縮することが可能であるが、特許文献４の方法では、基板の両面に透明導電層を設けてパターンを形成する場合、基板の両面に形成するパターンの位置を合わせることが困難である。特に、基板の両面に微細なパターンを形成しようとする場合、パターンの位置を合わせることが大きな課題となる。一方、特許文献５の方法では、レーザー光により基板の両面に同じパターンを形成することはできるが、基板の両面に異なるパターンを形成する場合は適用できないという点で問題がある。
本発明は、かかる従来技術の課題に鑑みてなされたもので、その目的は、レジストを用いて透明導電層にパターンを形成する方法を用いても、短い製造工程で基板の両面に異なる形状のパターンを同時に形成することができ、基板の両面に形成されたパターンが微細なものであっても位置合わせが容易であり、さらに、パターン形状を目立たなくする上で有利な透明導電性積層体及びその製造方法並びに静電容量式タッチパネルを提供することにある。
上記の課題を解決するための手段として、請求項１に記載の発明は、少なくとも、透明基板層と、前記透明基板層の両面に形成された第一の透明導電層及び第二の透明導電層と、前記第一の透明導電層に形成された第一の導電性パターン領域及び第一の非導電性パターン領域と、前記第二の透明導電層に形成された第二の導電性パターン領域及び第二の非導電性パターン領域とを備え、前記第一の透明導電層と前記第二の透明導電層との間に形成された少なくとも１の層が紫外線吸収剤又は非反応性紫外線吸収剤にビニル基、アクリロイル基、メタアクリロイル基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、イソシアネート基から選択される少なくとも１の官能基を導入したものを、共重合させた樹脂を含む層であることを特徴とする透明導電性積層体である。
また、請求項２に記載の発明は、前記透明基板層が紫外線吸収剤又は非反応性紫外線吸収剤にビニル基、アクリロイル基、メタアクリロイル基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、イソシアネート基から選択される少なくとも１の官能基を導入したものを、共重合させた樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載の透明導電性積層体である。
また、請求項３に記載の発明は、前記透明基板層と前記第一の透明導電層との間及び／又は前記透明基板層と前記第二の透明導電層との間に形成された樹脂層を備え、前記樹脂層が紫外線吸収剤又は非反応性紫外線吸収剤にビニル基、アクリロイル基、メタアクリロイル基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、イソシアネート基から選択される少なくとも１の官能基を導入したものを、共重合させた樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載の透明導電性積層体である。
また、請求項４に記載の発明は、前記透明基板層が、一方の面に前記第一の透明導電層が形成された第一の透明基板層と、一方の面に前記第二の透明導電層が形成された第二の透明基板層と、前記第一の透明基板層の他方の面と第二の透明基板層の他方の面との間に形成された粘着層とからなり、前記粘着層が紫外線吸収剤又は非反応性紫外線吸収剤にビニル基、アクリロイル基、メタアクリロイル基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、イソシアネート基から選択される少なくとも１の官能基を導入したものを、共重合させた樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載の透明導電性積層体である。
また、請求項５に記載の発明は、前記透明基板層と前記第一の透明導電層との間及び／又は前記透明基板層と前記第二の透明導電層との間に光学調整層を有することを特徴とする請求項１に記載の透明導電性積層体である。
また、請求項６に記載の発明は、波長４００ｎｍにおける光線透過率が６０％以上であり、かつ波長３６５ｎｍにおける光線透過率が２０％以下であることを特徴とする請求項５に記載の透明導電性積層体である。
また、請求項７に記載の発明は、前記導電性パターン領域と前記非導電性パターン領域との全光線透過率の差が１．５％以下であり、かつ透過色相ｂ＊差が２．０以下であることを特徴とする請求項６に記載の透明導電性積層体である。
また、請求項８に記載の発明は、１５０℃３０分間における熱収縮率が０．５％以下であることを特徴とする請求項７に記載の透明導電性積層体である。
また、請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の透明導電性積層体を電極材として用いた静電容量式タッチパネルである。
また、請求項１０に記載の発明は、透明基板層の両面に少なくとも第一の透明導電層及び第二の透明導電層を形成する工程と、前記第一の透明導電層及び前記第二の透明導電層の表面にレジストを塗布する工程と、前記第一の透明導電層にパターンを形成するための光源と光をカットする光学フィルターとマスクと、前記第二の透明導電層にパターンを形成するための光源と光をカットする光学フィルターとマスクとを、それぞれ光源側から順に配置し、前記第一の透明導電層の表面に塗布した前記レジストと前記第二の透明導電層の表面に塗布した前記レジストとを同時に露光する工程と、感光した前記レジストを現像する工程と、前記レジストに覆われていない前記第一の透明導電層及び前記第二の透明導電層をエッチングする工程と、前記レジストを剥離する工程とを備え、前記第一の透明導電層と前記第二の透明導電層との間に形成された少なくとも１の層が光を吸収する層であることを特徴とする透明導電性積層体の製造方法である。
また、請求項１１に記載の発明は、前記透明基板層が光を吸収する層であり、前記透明基板層が紫外線吸収剤又は紫外線吸収機能を有する樹脂を含むことを特徴とする請求項１０に記載の透明導電性積層体の製造方法である。
また、請求項１２に記載の発明は、前記光学フィルターの波長３６５ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であることを特徴とする請求項１１に記載の透明導電性積層体の製造方法である。
また、請求項１３に記載の発明は、前記透明基板層に前記透明導電層を形成する工程から前記レジストを剥離する工程までをロールトゥロール方式により行うことを特徴とする請求項１２に記載の透明導電性積層体の製造方法である。
また、請求項１４に記載の発明は、前記透明基板層の両面に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の表面に第一の透明導電層と前記第二の透明導電層とを形成する工程を備え、前記樹脂層が光を吸収する層であり、前記樹脂層が紫外線吸収剤又は紫外線吸収機能を有する樹脂を含むことを特徴とする請求項１０に記載の透明導電性積層体の製造方法である。
また、請求項１５に記載の発明は、前記光学フィルターの波長３６５ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であることを特徴とする請求項１４に記載の透明導電性積層体の製造方法である。
また、請求項１６に記載の発明は、前記透明基板層に前記透明導電層を形成する工程から前記レジストを剥離する工程までをロールトゥロール方式により行うことを特徴とする請求項１５に記載の透明導電性積層体の製造方法である。
また、請求項１７に記載の発明は、第一の透明基板層の片面に少なくとも第一の透明導電層を形成する工程と、第二の透明基板層の片面に少なくとも第二の透明導電層を形成する工程と、前記第一の透明導電層及び前記第二の透明導電層を外側にして、前記第一の透明基板層と前記第二の透明基板層とを粘着層で貼り合わせる工程と、前記第一の透明導電層及び前記第二の透明導電層の表面にレジストを塗布する工程と、前記第一の透明導電層にパターンを形成するための光源と光をカットする光学フィルターとマスクと、前記第二の透明導電層にパターンを形成するための光源と光をカットする光学フィルターとマスクとを、それぞれ光源側から順に配置し、前記第一の透明導電層の表面に塗布した前記レジストと前記第二の透明導電層の表面に塗布した前記レジストとを同時に露光する工程と、感光した前記レジストを現像する工程と、前記レジストに覆われていない前記第一の透明導電層及び前記第二の透明導電層をエッチングする工程と、前記レジストを剥離する工程とを備え、前記第一の透明導電層と前記第二の透明導電層との間に形成された少なくとも１の層が光を吸収する層であることを特徴とする透明導電性積層体の製造方法である。
また、請求項１８に記載の発明は、前記粘着層が光を吸収する層であり、前記粘着層が紫外線吸収剤又は紫外線吸収機能を有する樹脂を含むことを特徴とする請求項１７に記載の透明導電性積層体の製造方法である。
また、請求項１９に記載の発明は、前記光学フィルターの波長３６５ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であることを特徴とする請求項１８に記載の透明導電性積層体の製造方法である。
本発明によれば、透明基板層、樹脂層又は粘着層のいずれかが光を吸収する層であることにより、透明基板層の両面に形成した透明導電層について両面同時に異なるパターンを形成しても、互いのパターンの写りこみを防止することができる。また、透明基板層の両面に異なる形状のパターンを同時に形成することができるため、パターンが微細なものであっても位置合わせを容易に行うことができる。さらに、透明基板層の両面に精度よく微細なパターンを形成することができるため、微細パターンによってパターン形状の目立たなくすることができ、結果として視認性の高い透明導電性積層体を得ることができる。
本発明の透明導電性積層体の断面例１の説明図である。 本発明の透明導電性積層体の断面例２の説明図である。 本発明の透明導電性積層体の断面例３の説明図である。 本発明の透明導電性積層体の断面例４の説明図である。 本発明の透明導電性積層体の断面例５の説明図である。 本発明の透明導電性積層体の断面例６の説明図である。 本発明の透明導電性積層体の断面例７の説明図である。 本発明の透明導電性積層体の断面例８の説明図である。 透明導電層のパターン例（Ｘ座標）の説明図である。 透明導電層のパターン例（Ｙ座標）の説明図である。 透明導電層のパターン例のＸ座標とＹ座標との位置関係の説明図である。 本発明の透明導電性積層体の露光工程例の説明図である。 本発明の透明導電性積層体のパターン形成工程例の説明図である。
以下、本発明を実施するための形態を、図面を用いながら説明する。なお、本発明は、以下に記載する実施の形態に限定されうるものではなく、当業者の知識に基づいて設計の変更などの変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれるものである。
図１は、本発明の透明導電性積層体の断面例１の説明図である。透明導電性積層体１１は、透明基板１の両面に設けられた導電性パターン領域４ａ及び非導電性パターン領域４ｂを形成した第一の透明導電層３ａと、導電性パターン領域４ａ及び非導電性パターン領域４ｂを形成した第二の透明導電層３ｂとから構成される。ここで、導電性パターン領域とは、透明導電層のうち、導電性を有する部分のことをいい、非導電性パターン領域とは、透明導電層のうち、導電性を有する部分を除いた導電性を有しない部分のことをいう。
図２は、本発明の透明導電性積層体の断面例２の説明図である。図２のように、図１に示した透明導電性積層体１１の透明基板１と第一の透明導電層３ａとの間及び透明基板１と第二の透明導電層３ｂとの間に、それぞれ光学調整層２ａ、２ｂを設けてもよい。その他の実施形態としては、透明基板１と第一の透明導電層３ａとの間又は透明基板１と第二の透明導電層３ｂとの間のどちらか一方のみに、光学調整層を設けてもよい。
図３は、本発明の透明導電性積層体の断面例３の説明図である。透明導電性積層体１１は、透明基板１の両面に設けられた導電性パターン領域４ａ及び非導電性パターン領域４ｂを形成した第一の透明導電層３ａと、導電性パターン領域４ａ及び非導電性パターン領域４ｂを形成した第二の透明導電層３ｂと、透明基板１と第一の透明導電層３ａとの間及び透明基板１と第二の透明導電層３ｂとの間にそれぞれ設けた樹脂層５ａ、５ｂとから構成される。その他の実施形態としては、透明基板１と第一の透明導電層３ａとの間又は透明基板１と第二の透明導電層３ｂとの間のどちらか一方のみに、樹脂層を設けてもよい。
図４は、本発明の透明導電性積層体の断面例４の説明図である。図４のように、図３に示した透明導電性積層体１１の樹脂層５ａと第一の透明導電層３ａとの間及び樹脂層５ｂと第二の透明導電層３ｂとの間に、それぞれ光学調整層２ａ、２ｂを設けてもよい。その他の実施形態としては、樹脂層５ａと第一の透明導電層３ａとの間又は樹脂層５ｂと第二の透明導電層３ｂとの間のどちらか一方のみに、光学調整層を設けてもよい。また、透明基板１と樹脂層５ａとの間又は透明基板１と樹脂層５ｂの間に光学調整層を設けてもよい。
図５は、本発明の透明導電性積層体の断面例５の説明図である。透明導電性積層体１１は、第一の透明基板１ａの片面に設けられた導電性パターン領域４ａ及び非導電性パターン領域４ｂを形成した第一の透明導電層３ａと、第二の透明基板１ｂの片面に設けられた導電性パターン領域４ａ及び非導電性パターン領域４ｂを形成した第二の透明導電層３ｂと、第一の透明導電層３ａと第二の透明導電層３ｂを外側にして、第一の透明基板１ａと第二の透明基板１ｂとの間に設けた粘着層６とから構成される。
図６は、本発明の透明導電性積層体の断面例６の説明図である。図６のように、図５に示した透明導電性積層体１１の第一の透明基板１ａと第一の透明導電層３ａとの間及び第二の透明基板１ｂと第二の透明導電層３ｂとの間に、それぞれ光学調整層２ａ、２ｂを設けてもよい。その他の実施形態としては、第一の透明基板１ａと第一の透明導電層３ａとの間又は第二の透明基板１ｂと第二の透明導電層３ｂとの間のどちらか一方のみに、光学調整層を設けてもよい。
図７は、本発明の透明導電性積層体の断面例７の説明図である。透明導電性積層体１１は、第一の透明基板１ａと第一の透明導電層３ａとの間及び第二の透明基板１ｂと第二の透明導電層３ｂとの間に、それぞれ樹脂層５ａ、５ｂを設けてもよい。その他の実施形態としては、第一の透明基板１ａと第一の透明導電層３ａとの間又は第二の透明基板１ｂと第二の透明導電層３ｂとの間のどちらか一方のみに、樹脂層を設けてもよい。
図８は、本発明の透明導電性積層体の断面例８の説明図である。図８のように、図７に示した透明導電性積層体１１の樹脂層５ａと第一の透明導電層３ａとの間及び樹脂層５ｂと第二の透明導電層３ｂとの間に、それぞれ光学調整層２ａ、２ｂを設けてもよい。その他の実施形態としては、樹脂層５ａと第一の透明導電層３ａとの間又は樹脂層５ｂと第二の透明導電層３ｂとの間のどちらか一方のみに、光学調整層を設けてもよい。また、第一の透明基板１ａと樹脂層５ａとの間又は第二の透明基板１ｂと樹脂層５ｂの間に光学調整層を設けてもよい。
本発明で用いる透明基板層１、１ａ及び１ｂは、ガラスの他に、樹脂からなるプラスチックフィルムが用いられる。プラスチックフィルムとしては、成膜工程および後工程において十分な強度があり、表面の平滑性が良好であれば、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリスルホンフィルム、ポリアリレートフィルム、環状ポリオレフィンフィルム、ポリイミドフィルムなどが挙げられる。その厚さは部材の薄型化と基材の可撓性とを考慮し、１０μｍ以上２００μｍ以下程度のものが用いられる。
本発明で用いる透明基板層１、１ａ及び１ｂは、光を吸収することが好ましい。光を吸収することにより、透明基板層１の両面の透明導電層にパターンを形成する場合、透明基板層１の一方の面側から照射された光のうち、レジストに吸収されなかった光を透明基板層１で吸収し、透明基板層１の他方の面側のレジストに光が到達することを防ぐことができるからである。特に、透明基板層１の両面で異なるパターンを同時に形成する場合、一方の面側のレジストのみを露光することができるため、一方の面のパターンが他方の面のパターンと重なることを防止することができる。同様の理由で、透明基板層１ａ及び１ｂも光を吸収することが好ましい。
上記のように、透明基板層１、１ａ及び１ｂは、レジストを露光するための光を吸収することが好ましい。レジストを露光するための光は、レジストの種類又は光源の種類によっても異なるが、紫外領域の波長（約２００ｎｍ〜３６０ｎｍ）と可視領域の波長（約３６０ｎｍ〜７８０ｎｍ）の光を用いることが多いことから、透明基板層１はこれらの領域の光を吸収することが好ましい。特に、実用性を考慮し、透明基板層１は紫外領域の光を吸収することが好ましい。
紫外光を吸収するために用いられる光吸収材料としては、紫外線吸収剤や紫外線吸収機能を有する樹脂などが挙げられ、透明基板層に紫外線吸収剤を添加させたり、透明基板層を構成する樹脂と紫外線吸収機能を有する樹脂とを共重合させたりすることができる。
透明基板層１、１ａ及び１ｂに含有される紫外線吸収剤は、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、ベンゾエート系、サリシレート系、トリアジン系、シアノアクリルレート系などが挙げられる。具体的には、例えばベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−ｐ−クレゾール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−６−ビス（１−メチル−１−フェニルエチル）フェノール、２−［５−クロロ（２Ｈ）−ベンゾトリアゾール−２−イル］−４−メチル−６−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェノール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−イル）−４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチルフェノール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノールなどやこれらの混合物、変性物、重合物、誘導体などが挙げられる。また、例えばトリアジン系紫外線吸収剤としては、２−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−５−［（ヘキシル）オキシ］−フェノール、２−［４−［（２−ヒドロキシ−３−ドデシルオキシプロピル）オキシ］−２−ヒドロキシフェニル］−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、２−［４−［（２−ヒドロキシ−３−トリデシルオキシプロピル）オキシ］−２−ヒドロキシフェニル］−４，６−ビス（２，４ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−６−（２−ヒドロキシ−４−イソ−オクチルオキシフェニル）−ｓ−トリアジンなどやこれらの混合物、変性物、重合物、誘導体などが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、また、複数を混合して使用してもよい。
また、紫外線吸収機能を有する樹脂は、上記で挙げたベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、ベンゾエート系、サリシレート系、トリアジン系、シアノアクリルレート系などの非反応性紫外線吸収剤に、ビニル基やアクリロイル基、メタアクリロイル基などの重合性二重結合を有する官能基や、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、イソシアネート基などを導入したものである。これらの樹脂と、透明基板層１、１ａ及び１ｂに含有される樹脂を共重合させて紫外線吸収機能を有する透明基板層として用いることができる。
上記で挙げた光吸収材料は、単独で用いるだけでなく複数組み合わせて用いてもよい。例えば、吸収できる光の波長が異なる複数の光吸収材料を用いることで、広い波長領域で不要な光を吸収することができる。
光吸収材料の含有量は、透明基板層１、１ａ及び１ｂの一方の面のレジストに吸収されなかった光が他方の面のレジストに到達することを防止できれば特に限定されないが、透明基板層１、１ａ及び１ｂを構成する樹脂に対して、０．０１重量％以上２０重量％以下含有することが好ましい。下限値より小さい場合、不要な光を十分吸収することができず好ましくない。また、上限値を超える場合、透明基板層１、１ａ及び１ｂの透明性が低下し、外観上好ましくない。
透明基板層１、１ａ及び１ｂに含有される材料としては、上記材料の他に、周知の種々の添加剤や安定剤、例えば帯電防止剤、可塑剤、滑剤、易接着剤などが使用されてもよい。各層との密着性を改善するため、前処理としてコロナ処理、低温プラズマ処理、イオンボンバード処理、薬品処理などを施してもよい。
本発明で用いる樹脂層５ａ、５ｂは、透明導電性積層体１１に機械的強度を持たせるために設けられる。用いられる樹脂としては、特に限定はしないが、透明性と適度な硬度と機械的強度を持つ樹脂が好ましい。具体的には３次元架橋の期待できる３官能以上のアクリレートを主成分とするモノマー又は架橋性オリゴマーのような光硬化性樹脂が好ましい。
３官能以上のアクリレートモノマーとしては、トリメチロールプロパントリアクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ポリエステルアクリレートなどが好ましい。特に好ましいのは、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレートおよびポリエステルアクリレートである。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用しても構わない。また、これら３官能以上のアクリレートの他にエポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリオールアクリレートなどのいわゆるアクリル系樹脂を併用することが可能である。
架橋性オリゴマーとしては、ポリエステル（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、ポリウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、シリコーン（メタ）アクリレートなどのアクリルオリゴマーが好ましい。具体的にはポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート、ポリウレタンのジアクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレートなどがある。
樹脂層５ａ、５ｂは、その他に粒子、光重合開始剤などの添加剤を含有してもよい。
添加する粒子としては、有機又は無機の粒子が挙げられるが、透明性を考慮すれば、有機粒子を用いることが好ましい。有機粒子としては、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂及びフッ素樹脂などからなる粒子が挙げられる。
粒子の平均粒径は、樹脂層５ａ、５ｂの厚みによって異なるが、ヘイズ等の外観上の理由により、下限として２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、上限としては３０μｍ以下、好ましくは１５μｍ以下のものを使用する。また、粒子の含有量も同様の理由で、樹脂に対し、０．５重量％以上５重量％以下であることが好ましい。
光重合開始剤を添加する場合、ラジカル発生型の光重合開始剤として、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルメチルケタールなどのベンゾインとそのアルキルエーテル類、アセトフェノン、２、２、−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、などのアセトフェノン類、メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−アミルアントラキノンなどのアントラキノン類、チオキサントン、２、４−ジエチルチオキサントン、２、４−ジイソプロピルチオキサントンなどのチオキサントン類、アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタールなどのケタール類、ベンゾフェノン、４、４−ビスメチルアミノベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類及びアゾ化合物などがある。これらは単独または２種以上の混合物として使用でき、さらにはトリエタノールアミン、メチルジエタノールアミンなどの第３級アミン、２−ジメチルアミノエチル安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸エチルなどの安息香酸誘導体などの光開始助剤などと組み合わせて使用することができる。
上記光重合開始剤の添加量は、主成分の樹脂に対して０．１重量％以上５重量％以下であり好ましくは０．５重量％以上３重量％以下である。下限値未満ではハードコート層の硬化が不十分となり好ましくない。また、上限値を超える場合は、ハードコート層の黄変を生じたり、耐候性が低下したりするため好ましくない。光硬化型樹脂を硬化させるのに用いる光は紫外線、電子線、あるいはガンマ線などであり、電子線あるいはガンマ線の場合、必ずしも光重合開始剤や光開始助剤を含有する必要はない。これらの線源としては高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプや加速電子などが使用できる。
また、樹脂層５ａ、５ｂの厚みは、特に限定されないが、０．５μｍ以上１５μｍ以下の範囲が好ましい。また、透明基板層１１と屈折率が同じかもしくは近似していることがより好ましく、１．４５以上１．７５以下程度が好ましい。
樹脂層５ａ、５ｂの形成方法は、主成分である樹脂等を溶剤に溶解させ、ダイコーター、カーテンフローコーター、ロールコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター、ナイフコーター、バーコーター、スピンコーター、マイクログラビアコーターなどの公知の塗布方法で形成する。
溶剤については、上記の主成分の樹脂等を溶解するものであれば特に限定しない。具体的には、溶剤として、エタノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、などが挙げられる。これらの溶剤は１種を単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
本発明の樹脂層５ａ、５ｂは、透明基板層１、１ａ及び１ｂと同様の理由により、レジストを露光するための光、特に、紫外光を吸収することが好ましい。紫外光を吸収する樹脂層としては、紫外線吸収剤を含有させた樹脂層や、紫外線吸収機能を有する樹脂を含有させた樹脂層などが挙げられ、具体的な光吸収材料としては、透明基板層１、１ａ及び１ｂに含有させる材料と同じ材料が挙げられる。また、光吸収材料の含有量も、透明基板層１、１ａ及び１ｂへの含有量と同程度含有することが好ましい。
樹脂層５ａ、５ｂは、樹脂層単独で光を吸収する機能を有してもよく、また、透明基板層１、１ａ及び１ｂと共に光を吸収する機能を有してもよい。樹脂層５ａ、５ｂ及び透明基板層１、１ａ及び１ｂの両方が光を吸収する機能を有することにより、透明基板層の一方の面のレジストに吸収されなかった光を十分吸収することができ、一方の面のパターンが他方の面のパターンと重なることを、より防止することができる。
また、樹脂層５ａ、５ｂ及び透明基板層１、１ａ及び１ｂの両方が光を吸収する機能を有し、かつ、樹脂層５ａ、５ｂと透明基板層１、１ａ及び１ｂとで吸収できる光の波長を変えてもよい。これにより、波長領域の広い光源を用いた場合、広い波長領域で不要な光を吸収することができる。
本発明の粘着層６は、第一の透明基板１ａと第二の透明基板１ｂとを接着するための層である。粘着層６に用いられる樹脂としては、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ゴム系樹脂などが挙げられ、クッション性や透明性に優れた樹脂を用いることが好ましい。
本発明の粘着層６は、透明基板層１、１ａ及び１ｂと同様の理由により、レジストを露光するための光、特に、紫外光を吸収することが好ましい。紫外光を吸収する樹脂層としては、紫外線吸収剤を含有させた樹脂層や、紫外線吸収機能を有する樹脂を含有させた樹脂層などが挙げられ、具体的な光吸収材料としては、透明基板層１、１ａ及び１ｂに含有させる材料と同じ材料が挙げられる。また、光吸収材料の含有量も、透明基板層１、１ａ及び１ｂへの含有量と同程度含有することが好ましい。
粘着層６は、粘着層単独で光を吸収する機能を有してもよく、また、透明基板層１、１ａ及び１ｂ又は樹脂層５ａ、５ｂと共に光を吸収する機能を有してもよい。透明基板層１、１ａ及び１ｂ又は樹脂層５ａ、５ｂと共に光を吸収する機能を有することにより、透明基板層の一方の面のレジストに吸収されなかった光を十分吸収することができ、一方の面のパターンが他方の面のパターンと重なることを、より防止することができる。
また、粘着層６、透明基板層１、１ａ及び１ｂ及び樹脂層５ａ、５ｂ全てが光を吸収する機能を有し、かつ、粘着層６、透明基板層１、１ａ及び１ｂ及び樹脂層５ａ、５ｂが互いに吸収できる光の波長を変えてもよい。これにより、波長領域の広い光源を用いた場合、広い波長領域で不要な光を吸収することができる。
光学調整層２ａ、２ｂは、第一の透明導電層３ａ及び第二の透明導電層３ｂに形成されたパターンを目立たなくする機能を有し、視認性を向上させるための層である。光学調整層２ａ、２ｂとして無機化合物を用いる場合、酸化物、硫化物、フッ化物、窒化物などの材料が使用可能である。上記無機化合物からなる薄膜は、その材料により屈折率が異なり、その屈折率の異なる薄膜を特定の膜厚で形成することにより、光学特性を調整することが可能となる。なお、光学機能層の層数としては、目的とする光学特性に応じて、複数層あってもよい。
屈折率の低い材料としては、酸化マグネシウム（１．６）、二酸化珪素（１．５）、フッ化マグネシウム（１．４）、フッ化カルシウム（１．３〜１．４）、フッ化セリウム（１．６）、フッ化アルミニウム（１．３）などが挙げられる。また、屈折率の高い材料としては、酸化チタン（２．４）、酸化ジルコニウム（２．４）、硫化亜鉛（２．３）、酸化タンタル（２．１）、酸化亜鉛（２．１）、酸化インジウム（２．０）、酸化ニオブ（２．３）、酸化タンタル（２．２）が挙げられる。但し、上記括弧内の数値は屈折率を表す。
第一の透明導電層３ａ及び第二の透明導電層３ｂは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズのいずれか、または、それらの２種類もしくは３種類の混合酸化物、さらには、その他添加物が加えられた物などが挙げられるが、目的・用途により種々の材料が使用でき、特に限定されるものではない。現在のところ、最も信頼性が高く、多くの実績のある材料は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）である。
最も一般的な透明導電膜である酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を第一の透明導電層３ａ及び第二の透明導電層３ｂとして用いる場合、酸化インジウムにドープされる酸化スズの含有比はデバイスに求められる仕様に応じて、任意の割合を選択する。例えば、透明基板がプラスチックフィルムの場合、機械強度を高める目的で薄膜を結晶化させるために用いるスパッタリングターゲット材料は、酸化スズの含有比が１０重量％未満であることが好ましく、薄膜をアモルファス化しフレキシブル性を持たせるためには、酸化スズの含有比は１０重量％以上が好ましい。また、薄膜に低抵抗が求められる場合は、酸化スズの含有比は３重量％から２０重量％の範囲が好ましい。
光学調整層２ａ、２ｂおよび第一の透明導電層３ａ及び第二の透明導電層３ｂの製造方法としては、膜厚の制御が可能であればいかなる成膜方法でも良く、なかでも薄膜の形成乾式法が優れている。これには真空蒸着法、スパッタリングなどの物理的気相析出法やＣＶＤ法のような化学的気相析出法を用いることができる。特に大面積に均一な膜質の薄膜を形成するために、プロセスが安定し、薄膜が緻密化するスパッタリング法が好ましい。
第一の透明導電層３ａ及び第二の透明導電層３ｂには、図９又は図１０のように、Ｘ座標及びＹ座標のパターンを施す。図９又は図１０のように、形成されるパターンは、黒色で表した導電性パターン領域４ａと、白色で表した非導電性パターン領域４ｂとからなる。さらに、図示しないが、導電性パターン領域４ａは電流変化を検知できる回路に接続されている。人の指などが検出電極である導電性パターン領域４ａに接近すると、全体の静電容量が変化することから回路に電流が流れ、接触位置の判定ができる。図９と図１０のパターンをそれぞれ透明基板層の両面に設け、Ｘ座標及びＹ座標のパターンを図１１のように組み合わせ、電流変化検知回路と接続することにより、２次元の位置情報が得られる。なお、図１１の黒色で表したパターンが透明基板層の表側に形成された導電性パターン領域４ａであり、灰色で表したパターンが透明基板層の裏側に形成された導電性パターン領域４ａである。
第一の透明導電層３ａ及び第二の透明導電層３ｂのパターン形状は、図９及び図１０のようなダイヤモンド型パターンのほかに、メッシュ型パターンなどがあり、２次元の位置情報を正確に読み取るためには、可能な限り微細なパターンを形成し、かつ、透明基板層の両面に設けたパターンについて正確に位置合わせを行うことが必要である。
第一の透明導電層３ａ及び第二の透明導電層３ｂのパターン形成方法としては、第一の透明導電層３ａ及び第二の透明導電層３ｂ上にレジストを塗布し、パターンを露光・現像により形成した後に透明導電層を化学的に溶解させるフォトリソグラフィによる方法、真空中で化学反応により気化させる方法、レーザーにより透明導電層を昇華させる方法、などが挙げられる。パターン形成方法は、パターンの形状、精度などにより適宜選択できるが、第一の透明導電層３ａ及び第二の透明導電層３ｂについて互いに異なるパターンを同時に形成するために、フォトリソグラフィによる方法を用いることが好ましい。
本発明の透明導電性積層体のフォトリソグラフィによる露光工程を、図１に示す透明導電性積層体１１を例に、図１２に示す。透明導電性積層体１１の第一の透明導電層３ａ及び第二の透明導電層３ｂに形成された導電性パターン領域４ａ及び非導電性パターン領域４ｂの形成方法は、まず、第一の透明導電層３ａの表面にレジスト７ａを、第二の透明導電層３ｂの表面にレジスト７ｂを、それぞれ塗布する。次いで、第一の透明導電層３ａにパターンを形成するための光源８ａと、特定の波長の光をカットする光学フィルター９ａと、マスク１０ａとを、それぞれ光源８ａ側から順に配置し、第二の透明導電層３ｂにパターンを形成するための光源８ｂと、特定の波長の光をカットする光学フィルター９ｂと、マスク１０ｂとを、それぞれ光源８ｂ側から順に配置する。その後、光学フィルター９ａ及び９ｂにより特定の波長の光をカットした光によりレジスト７ａ及び７ｂを同時に露光する。
このとき、透明基板１は光を吸収する機能を有するため、レジスト７ａに吸収されなかった光を透明基板層１により吸収し、第二の透明導電層３ｂの表面に塗布されたレジスト７ｂが露光されることを防ぐことができる。反対に、レジスト７ｂに吸収されなかった光を透明基板層１により吸収し、第一の透明導電層３ａの表面に塗布されたレジスト７ａが露光されることを防ぐことができる。
また、本発明の透明導電性積層体のフォトリソグラフィによる露光工程は、透明基板１の両面に同時にパターンを形成することができるため、両面に形成されたパターンの位置合わせを容易に行うことができる。透明基板１の両面のパターンを片面ずつ行う場合、一方の面にパターンを形成した後、そのパターンの位置に合わせて他方の面にパターンを形成しなければならず、位置の調整が難しい。特に、２次元の位置情報を正確に読み取るため、又はパターンの視認性を向上させるために微細なパターンを形成する場合、片面ずつのパターン形成では精度よく位置合わせを行うことができない。
ここで、光学フィルター９ａ及び９ｂとは、光源８ａ及び８ｂから照射されるある特定の波長の光をカットするためのフィルターである。レジストを露光するための光を吸収する透明基板層１、１ａ及び１ｂ、樹脂層５ａ、５ｂ又は粘着層６と組み合わせることにより、透明基板層の一方の面のレジストを露光するための光を選択的に遮断し、他方の面のレジストが感光することを防止することができる。
例えば、透明基板層１、１ａ及び１ｂ、樹脂層５ａ、５ｂ又は粘着層６が紫外線吸収剤を含有する場合、光学フィルター９ａ及び９ｂは可視領域の波長の光を遮断し、透明基板層の一方の面のレジストを紫外領域の波長の光で露光する。透明基板層の一方の面のレジストによって吸収されなかった光は、透明基板層１、１ａ及び１ｂ、樹脂層５ａ、５ｂ又は粘着層６に含有される紫外線吸収剤によって吸収され、他方の面のレジストが感光することを防止する。
この場合、光学フィルター９ａ及び９ｂの波長３６５ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であることが好ましい。この範囲に限定することにより、透明基板層の一方の面のレジストのみを紫外領域の波長の光で露光することができ、他方の面のレジストを露光しパターンの写りこみを防止することができる。また、レジストの種類によっては、光学フィルター９ａ及び９ｂを透過した光で充分に感光しない場合があるため、光学フィルター９ａ及び９ｂの波長４００ｎｍにおける光線透過率を０．１％から３０％まで調整することにより、一方の面のレジストを充分感光させ、かつ他方の面のレジストを露光しパターンの写りこみを防止することができる。
また、マスク１０ａ及び１０ｂとは、レジスト７ａ及び７ｂにパターンを形成するためのマスクであり、具体的には、図９又は１０に示したパターンなどを形成するために用いる。
図２から８に示した本発明の透明導電性積層体も同様に、上記露光工程により、第一の透明導電層３ａ及び第二の透明導電層３ｂに形成された導電性パターン領域４ａ及び非導電性パターン領域４ｂを形成することができる。
本発明の透明導電性積層体のフォトリソグラフィによるパターン形成方法の各工程を図１３に示す。図１３は、例として図１の透明導電性積層体１１を製造する各工程を表している。まず、透明基板１を用意し（工程（ａ））、その両面に第一の透明導電層３ａ及び第二の透明導電層３ｂを形成する（工程（ｂ））。さらに、第一の透明導電層３ａ及び第二の透明導電層３ｂの表面に、それぞれレジスト７ａ、７ｂを塗布する（工程（ｃ））。その後、図１２で示した光源８ａ、８ｂ、特定の波長の光をカットする光学フィルター９ａ、９ｂ、マスク１０ａ、１０ｂを用いてレジスト７ａ、７ｂを露光する（工程（ｄ））。なお、７ｃは、光により感光したレジストである。次いで、感光していないレジストを現像液により除去し（工程（ｅ））、第一の透明導電層３ａ及び第二の透明導電層３ｂの露出部分をエッチングする（工程（ｆ））。最後に感光したレジスト７ｃを剥離して透明導電性積層体１１を得る。
図１３は、ネガ型のレジストを用いてパターンを形成する方法の各工程を示した図であるが、ポジ型のレジストを用いてパターンを形成してもよい。
図２から８に示した本発明の透明導電性積層体も同様に、上記各工程により、第一の透明導電層３ａ及び第二の透明導電層３ｂに形成された導電性パターン領域４ａ及び非導電性パターン領域４ｂを形成することができる。
また、本発明の透明導電性積層体１１は、透明基板層に透明導電層を形成する工程から前記レジストを剥離する工程までをロールトゥロール方式により行うことが好ましい。これにより、製造時間を大幅に短縮することができる。
本発明の透明導電性積層体１１は、波長４００ｎｍにおける光線透過率が６０％以上であり、かつ波長３６５ｎｍにおける光線透過率が２０％以下であることが好ましい。この範囲である場合、透明導電性積層体の両面に異なるパターンを同時に露光することができる。また、両面同時に露光することで両面のパターンの位置合わせが容易で微細なパターンを形成することができるため、本発明の透明導電性積層体１１を静電容量式タッチパネルの電極材として用いた場合、２次元の位置情報を感度よく正確に読み取ることができる。また、微細なパターンを形成することができることにより、パターン形状が見えにくくなり、パターンの視認性が向上する。
特に、透明導電性積層体１１を構成する透明基板層１、１ａ及び１ｂ、樹脂層５ａ、５ｂ又は粘着層６の波長４００ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であり、かつ波長３６５ｎｍにおける光線透過率が２０％以下であることが好ましい。
また、本発明の透明導電性積層体１１は、導電性パターン領域と非導電性パターン領域との全光線透過率の差が１．５％以下であり、かつ透過色相ｂ＊差が２．０以下であることが好ましい。この範囲である場合、透明導電性積層体の両面に異なるパターンを形成しても、パターン形状が目立たなくなり、視認性が向上する。
また、本発明の透明導電性積層体１１は、１５０℃３０分間における熱収縮率が０．５％以下であることが好ましい。この範囲である場合、第一の透明導電層３ａ及び第二の透明導電層３ｂを形成する工程やレジスト７ａ、７ｂを乾燥させる工程において加わる熱による収縮を抑えることができ、第一の透明導電層３ａ及び第二の透明導電層３ｂに形成したパターンの位置のずれを防止することができる。
次に実施例及び比較例について説明する。
＜実施例１＞
透明基板として紫外線吸収機能を有するポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製、厚み：１００μｍ）を用い、透明基板の両面に、下記組成の樹脂層形成用塗液をマイクログラビアコーターで塗布し、６０℃で１分間乾燥させ、紫外線により硬化させることで、樹脂層を形成した。
［樹脂層形成用塗液の組成］
樹脂 ： 紫光 ＵＶ−７６０５Ｂ（日本合成化学社製） １００重量部
開始剤 ： イルガキュア１８４（チバ・ジャパン社製） ４重量部
溶剤 ： 酢酸メチル １００重量部
次に、透明基板の両面に形成した樹脂層の両表面に、スパッタリング法により透明導電層としてＩＴＯを３０ｎｍ成膜した。その後、図１２及び１３に示したフォトリソグラフィによる方法を用いて、以下の露光条件にて両面同時に図９及び１０に示したパターンを形成し、透明導電層に導電性パターン領域と非導電性パターン領域を形成した。
［露光条件］
光源：超高圧水銀ランプ（ウシオ電機社製）
光学フィルター：３８０−６００ｎｍの範囲の波長をカット
マスク：図９及び１０に示したダイヤモンド型パターン
＜実施例２＞
透明基板として紫外線吸収機能を有さないポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製、厚み：１００μｍ）を用い、樹脂層形成用塗液に、トリアジン系紫外線吸収剤（２−〔４−［（２−ヒドロキシ−３−トリデシルオキシプロピル）オキシ］−２−ヒドロキシフェニル〕−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン）を０．５重量部含有させた以外は、実施例１と同じ条件及び方法で透明導電層に導電性パターン領域と非導電性パターン領域を形成した。
＜比較例＞
透明基板として紫外線吸収機能を有さないポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製、厚み：１００μｍ）を用いた以外は、実施例１と同じ条件及び方法で透明導電層に導電性パターン領域と非導電性パターン領域を形成した。
得られた透明導電性積層体を下記評価方法にて評価した。
［評価方法］
光線透過率：得られた透明導電性積層体の透過率を、分光光度計（日立ハイテク社製）を用いて波長４００ｎｍ及び３６５ｎｍにおける光線透過率について測定した。
外観：得られた透明導電性積層体を目視にて色味評価した。
パターンニング：得られた透明導電性積層体の両面のパターン形状を目視にて確認し、一方のパターン形状が他方のパターン形状に写りこんでいるか否かを評価した。
実施例１及び２により得られた透明導電性積層体は、４００ｎｍ及び３６５ｎｍにおける光線透過率が、実施例１の透明導電性積層体でそれぞれ６１％及び０％、実施例２の透明導電性積層体でそれぞれ６５％及び１０％であり、透明導電性積層体の両面の異なるパターンを同時に露光することができることがわかった。また、外観も黄色味などの欠陥はなく、両面のパターンも互いのパターンの写りこみがなかった。
一方、比較例により得られた透明導電性積層体は、４００ｎｍ及び３６５ｎｍにおける光線透過率が、６７％及び４０％であり、透明導電性積層体の両面の異なるパターンを同時に露光することができないことがわかった。また、外観については、黄色味などの欠陥はなかったが、両面のパターンについては互いのパターンの写りこみが顕著に存在した。
本発明は、電子機器のディスプレイ上に入力デバイスとして取り付けられる透明なタッチパネルに用いられる。特に、マルチタッチが可能なモバイル機器などに用いられる。
１…透明基板層
１ａ…第一の透明基板層
１ｂ…第二の透明基板層
２ａ、２ｂ…光学調整層
３ａ…第一の透明導電層
３ｂ…第二の透明導電層
４ａ…導電性パターン領域
４ｂ…非導電性パターン領域
５ａ、５ｂ…樹脂層
６…粘着層
７ａ、７ｂ…レジスト
７ｃ…感光したレジスト
８ａ、８ｂ…光源
９ａ、９ｂ…光学フィルター
１０ａ、１０ｂ…マスク
１１…透明導電性積層体

Claims (19)

  1. 少なくとも、透明基板層と、
    前記透明基板層の両面に形成された第一の透明導電層及び第二の透明導電層と、
    前記第一の透明導電層に形成された第一の導電性パターン領域及び第一の非導電性パターン領域と、
    前記第二の透明導電層に形成された第二の導電性パターン領域及び第二の非導電性パターン領域と
    を備え、
    前記第一の透明導電層と前記第二の透明導電層との間に形成された少なくとも１の層が紫外線吸収剤又は非反応性紫外線吸収剤にビニル基、アクリロイル基、メタアクリロイル基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、イソシアネート基から選択される少なくとも１の官能基を導入したものを、共重合させた樹脂を含む層であることを特徴とする透明導電性積層体。
  2. 前記透明基板層が紫外線吸収剤又は非反応性紫外線吸収剤にビニル基、アクリロイル基、メタアクリロイル基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、イソシアネート基から選択される少なくとも１の官能基を導入したものを、共重合させた樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載の透明導電性積層体。
  3. 前記透明基板層と前記第一の透明導電層との間及び／又は前記透明基板層と前記第二の透明導電層との間に形成された樹脂層を備え、前記樹脂層が紫外線吸収剤又は非反応性紫外線吸収剤にビニル基、アクリロイル基、メタアクリロイル基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、イソシアネート基から選択される少なくとも１の官能基を導入したものを、共重合させた樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載の透明導電性積層体。
  4. 前記透明基板層が、一方の面に前記第一の透明導電層が形成された第一の透明基板層と、一方の面に前記第二の透明導電層が形成された第二の透明基板層と、前記第一の透明基板層の他方の面と第二の透明基板層の他方の面との間に形成された粘着層とからなり、前記粘着層が紫外線吸収剤又は非反応性紫外線吸収剤にビニル基、アクリロイル基、メタアクリロイル基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、イソシアネート基から選択される少なくとも１の官能基を導入したものを、共重合させた樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載の透明導電性積層体。
  5. 前記透明基板層と前記第一の透明導電層との間及び／又は前記透明基板層と前記第二の透明導電層との間に光学調整層を有することを特徴とする請求項１に記載の透明導電性積層体。
  6. 波長４００ｎｍにおける光線透過率が６０％以上であり、かつ波長３６５ｎｍにおける光線透過率が２０％以下であることを特徴とする請求項５に記載の透明導電性積層体。
  7. 前記導電性パターン領域と前記非導電性パターン領域との全光線透過率の差が１．５％以下であり、かつ透過色相ｂ＊差が２．０以下であることを特徴とする請求項６に記載の透明導電性積層体。
  8. １５０℃３０分間における熱収縮率が０．５％以下であることを特徴とする請求項７に記載の透明導電性積層体。
  9. 請求項８に記載の透明導電性積層体を電極材として用いた静電容量式タッチパネル。
  10. 透明基板層の両面に少なくとも第一の透明導電層及び第二の透明導電層を形成する工程と、
    前記第一の透明導電層及び前記第二の透明導電層の表面にレジストを塗布する工程と、
    前記第一の透明導電層にパターンを形成するための光源と光をカットする光学フィルターとマスクと、前記第二の透明導電層にパターンを形成するための光源と光をカットする光学フィルターとマスクとを、それぞれ光源側から順に配置し、前記第一の透明導電層の表面に塗布した前記レジストと前記第二の透明導電層の表面に塗布した前記レジストとを同時に露光する工程と、
    感光した前記レジストを現像する工程と、
    前記レジストに覆われていない前記第一の透明導電層及び前記第二の透明導電層をエッチングする工程と、
    前記レジストを剥離する工程と
    を備え、
    前記第一の透明導電層と前記第二の透明導電層との間に形成された少なくとも１の層が光を吸収する層であることを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。
  11. 前記透明基板層が光を吸収する層であり、前記透明基板層が紫外線吸収剤又は紫外線吸収機能を有する樹脂を含むことを特徴とする請求項１０に記載の透明導電性積層体の製造方法。
  12. 前記光学フィルターの波長３６５ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であることを特徴とする請求項１１に記載の透明導電性積層体の製造方法。
  13. 前記透明基板層に前記透明導電層を形成する工程から前記レジストを剥離する工程までをロールトゥロール方式により行うことを特徴とする請求項１２に記載の透明導電性積層体の製造方法。
  14. 前記透明基板層の両面に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の表面に第一の透明導電層と前記第二の透明導電層とを形成する工程を備え、前記樹脂層が光を吸収する層であり、前記樹脂層が紫外線吸収剤又は紫外線吸収機能を有する樹脂を含むことを特徴とする請求項１０に記載の透明導電性積層体の製造方法。
  15. 前記光学フィルターの波長３６５ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であることを特徴とする請求項１４に記載の透明導電性積層体の製造方法。
  16. 前記透明基板層に前記透明導電層を形成する工程から前記レジストを剥離する工程までをロールトゥロール方式により行うことを特徴とする請求項１５に記載の透明導電性積層体の製造方法。
  17. 第一の透明基板層の片面に少なくとも第一の透明導電層を形成する工程と、
    第二の透明基板層の片面に少なくとも第二の透明導電層を形成する工程と、
    前記第一の透明導電層及び前記第二の透明導電層を外側にして、前記第一の透明基板層と前記第二の透明基板層とを粘着層で貼り合わせる工程と、
    前記第一の透明導電層及び前記第二の透明導電層の表面にレジストを塗布する工程と、
    前記第一の透明導電層にパターンを形成するための光源と光をカットする光学フィルターとマスクと、前記第二の透明導電層にパターンを形成するための光源と光をカットする光学フィルターとマスクとを、それぞれ光源側から順に配置し、前記第一の透明導電層の表面に塗布した前記レジストと前記第二の透明導電層の表面に塗布した前記レジストとを同時に露光する工程と、
    感光した前記レジストを現像する工程と、
    前記レジストに覆われていない前記第一の透明導電層及び前記第二の透明導電層をエッチングする工程と、
    前記レジストを剥離する工程と
    を備え、
    前記第一の透明導電層と前記第二の透明導電層との間に形成された少なくとも１の層が光を吸収する層であることを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。
  18. 前記粘着層が光を吸収する層であり、前記粘着層が紫外線吸収剤又は紫外線吸収機能を有する樹脂を含むことを特徴とする請求項１７に記載の透明導電性積層体の製造方法。
  19. 前記光学フィルターの波長３６５ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であることを特徴とする請求項１８に記載の透明導電性積層体の製造方法。
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