TWI459436B - The Method of Making Double - sided Graphic Structure of Touch Circuit - Google Patents

The Method of Making Double - sided Graphic Structure of Touch Circuit Download PDF

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TWI459436B TW097141167A TW97141167A TWI459436B TW I459436 B TWI459436 B TW I459436B TW 097141167 A TW097141167 A TW 097141167A TW 97141167 A TW97141167 A TW 97141167A TW I459436 B TWI459436 B TW I459436B
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Description

觸控電路雙面圖形結構的製法
本發明涉及一種觸控電路之製法，特別是一種以濺鍍、曝光、顯影、蝕刻等方式在透明基板雙面佈設形成觸控電路之圖形結構的製作方法。
觸控板(Touch Panel)，舉以坊間較為常見者，通常為電阻式及電容式的觸控板。其中電容式觸控板內具有一觸控電路之雙面圖形結構，係利用曝光、顯影、蝕刻等黃光製程，將透明導電材料(氧化銦錫＿Indium Tin Oxide,ITO)逐一堆疊在一玻璃基板(Glass Substrate)之雙面而成，包含一佈設於該玻璃基板頂面之上層導電膜，以及一佈設於該玻璃基板底面之下層導電膜，且該玻璃基板周邊頂面佈設一金屬線路層，而與該上層導電膜相銜接；如此，可利用該上層及下層導電膜與人體之間所產生之電容效應，經由該金屬線路層檢測因電容效應所產生之誘導電流，以計算其觸控位置之座標。
且知，上述觸控電路之雙面圖形結構的製作方式，傳統上是在一玻璃基板之頂面及底面分別真空濺鍍一上層導電基材及一下層導電基材，並在該上層導電基材表面接觸(Contact)一上光阻層，然後再於該下層導電基材表面接觸一保護層；使用一具裸空電路圖樣之光罩遮蔽於該上光阻層上方，並使用紫外線光通過該裸空電路圖樣對該上光阻層進行曝光；在該上光阻層表面接觸顯影劑以進行顯影，促使該上層導電基材裸露出一待接受蝕刻的區域；將 該上層導電基材裸露出之區域浸泡蝕刻劑以進行蝕刻，促使該上層導電基材形成一上層導電膜，並除去該上層導電膜表面殘餘之光阻，以及該下層導電基材表面之保護層；隨後，在該下層導電基材表面接觸一下光阻層，同時於該上層導電膜表面接觸一保護層；使用另一具裸空電路圖樣之光罩遮蔽於該下光阻層上方，並利用該上層導電膜作為該光罩遮蔽於該下光阻層上方的對位基準，係使用一影像視覺器(CCD)擷取該上層導電膜之影像供光罩進行對位，並使用紫外線光通過該裸空電路圖樣對該下光阻層進行曝光；在該下光阻層表面接觸顯影劑以進行顯影，促使該下層導電基材裸露出一待接受蝕刻的區域；將該下層導電基材裸露出之區域浸泡蝕刻劑以進行蝕刻，促使該下層導電基材形成一下層導電膜，並除去該下層導電膜表面殘餘之光阻，以及該上層導電基材表面之保護層。
惟，上述傳統觸控電路之雙面圖形結構的製作方式，必須先後重覆進行多次黃光製程，包括多次接觸及除去光阻層、保護層且必須重覆進行多次顯影及蝕刻等步驟，並在完成上、下層導電膜的至少兩次黃光製程後，尚需再進行一次金屬線路層之黃光製造程序，致有耗費製程工時與材料成本的問題。此外，先前技術中涉及上述黃光製程的光電類產品，可見於美國專利No.20070269936、No.20020048730、No.6037005與中國專利第CN1549004等案；然而，其中均未涉及有關雙面蝕刻的運用，因此顯然無法克服上述重覆進行多次黃光製程的問題，亟待加以改善。
為克服先前技術中所揭之問題，本發明旨在提供一種觸控電路雙面圖形結構的製法，尤其是可對基板雙面同時進行曝光、顯影及蝕刻等步驟，以簡化觸控電路之雙面圖形結構的佈設形成程序。
為此，本發明揭露一種觸控電路雙面圖形結構的製法，包含：提供一基板，該基板雙面分別佈設一第一導電基材層與一第二導電基材層；在該第一導電基材層頂面接觸一可隔絕紫外線的遮擋層；接觸一第一光阻層於該遮擋層頂面，並接觸一第二光阻層於該第二導電基材層底面；對該第一光阻層進行曝光，並對該第二光阻層進行曝光，期間藉由該遮擋層隔絕該基板雙面的紫外線；對該基板雙面同時進行顯影，促使該第一導電基材層及該第二導電基材層各自裸露出一待接受蝕刻的區域；及對該第一導電基材層及該第二導電基材層裸露之區域同時進行蝕刻，促使該第一導電基材層形成該觸控電路之一第一導電膜，且該第二導電基材層形成該觸控電路之一第二導電膜。
本發明另揭露一種觸控電路雙面圖形結構的製法，包含：提供一基板，該基板頂面接觸一可隔絕紫外線的遮擋 層；在該遮擋層頂面佈設一第一導電基材層，並在該基板底面佈設一第二導電基材層；接觸一第一光阻層於該第一導電基材層頂面，並接觸一第二光阻層於該第二導電基材層底面；對該第一光阻層進行曝光，並對該第二光阻層進行曝光，期間藉由該遮擋層隔絕該基板雙面的紫外線；對該基板雙面同時進行顯影，促使該第一導電基材層及該第二導電基材層各自裸露出一待接受蝕刻的區域；及對該第一導電基材層及該第二導電基材層裸露之區域同時進行蝕刻，促使該第一導電基材層形成該觸控電路之一第一導電膜，且該第二導電基材層形成該觸控電路之一第二導電膜。
本發明揭露另一種觸控電路雙面圖形結構的製法，包含：提供一基板，該基板底面接觸一可隔絕紫外線的遮擋層；在該基板頂面佈設一第一導電基材層，並在該遮擋層底面佈設一第二導電基材層；接觸一第一光阻層於該第一導電基材層頂面，並接觸一第二光阻層於該第二導電基材層底面；對該第一光阻層進行曝光，並對該第二光阻層進行曝光，期間藉由該遮擋層隔絕該基板雙面的紫外線；對該基板雙面同時進行顯影，促使該第一導電基材層 及該第二導電基材層各自裸露出一待接受蝕刻的區域；及對該第一導電基材層及該第二導電基材層裸露之區域同時進行蝕刻，促使該第一導電基材層形成該觸控電路之一第一導電膜，且該第二導電基材層形成該觸控電路之一第二導電膜。
本發明揭露再一種觸控電路雙面圖形結構的製法，包含：提供一基板，該基板雙面分別佈設一第一導電基材層與一第二導電基材層；在該第二導電基材層底面接觸一可隔絕紫外線的遮擋層；接觸一第一光阻層於該第一導電基材層頂面，並接觸一第二光阻層於該遮擋層底面；對該第一光阻層進行曝光，並對該第二光阻層進行曝光，期間藉由該遮擋層隔絕該基板雙面的紫外線；對該基板雙面同時進行顯影，促使該第一導電基材層及該第二導電基材層各自裸露出一待接受蝕刻的區域；及對該第一導電基材層及該第二導電基材層裸露之區域同時進行蝕刻，促使該第一導電基材層形成該觸控電路之一第一導電膜，且該第二導電基材層形成該觸控電路之一第二導電膜。
依據上述，該基板能在單一次之黃光製程中佈設形成雙面導電膜的圖形結構，以簡化觸控電路之佈設製程，進而具備縮減工時與降低成本之效。
其中，該遮擋層可由可隔絕紫外線之有機材料製成，該有機材料可為樹脂層或光阻層；或者，該遮擋層亦可由可隔絕紫外線之無機材料製成，該無機材料可為TiO2 搭配SiO2 或Ta2 O5 搭配SiO2 。而該第一及第二光阻層可為正光阻或負光阻，且該第一光阻層及該第二光阻層可先、後進行曝光或同時進行曝光。
本發明亦包含於該第一光阻層進行曝光前，使用鐳射(Laser)於該第一光阻層上打出至少一可供該第二光阻層曝光對位用之標記。
本發明也包含於該基板雙面進行蝕刻程序後，在該第一導電膜表面殘餘之第一光阻層與該第二導電膜表面殘餘之第二光阻層上接觸去除光阻用之除光阻劑，以除去該第一與第二導電膜表面殘餘之第一及第二光阻層。
本發明揭露又一種觸控電路雙面圖形結構的製法，包含：提供一基板，該基板雙面分別佈設一第一導電基材層與一第二導電基材層；在該第一導電基材層頂面佈設一可隔絕紫外線的金屬層；接觸一第一光阻層於該金屬層頂面，並接觸一第二光阻層於該第二導電基材層底面；對該第一光阻層進行曝光，並對該第二光阻層進行曝光，期間藉由該金屬層隔絕該基板雙面的紫外線；對該基板雙面同時進行顯影，促使該金屬層及該第二 導電基材層各自裸露出一待接受蝕刻的區域；對該金屬層及該第二導電基材層裸露之區域分別或同時進行蝕刻，促使該金屬層形成該觸控電路之一金屬線路層，且該第二導電基材層形成該觸控電路之一第二導電膜；於該金屬層形成該金屬線路層而裸露該第一導電基材層後，接觸一第三光阻層於該金屬線路層與該第一導電基材層頂面；對該第三光阻層進行曝光及顯影，促使該第一導電基材層裸露出一待接受蝕刻的區域；及對該第一導電基材層裸露之區域進行蝕刻，促使該第一導電基材層形成該觸控電路之一第一導電膜。
本發明續揭露一種觸控電路雙面圖形結構的製法，包含：提供一基板，該基板雙面分別佈設一第一導電基材層與一第二導電基材層；在該第二導電基材層底面佈設一可隔絕紫外線的金屬層；接觸一第一光阻層於該第一導電基材層頂面，並接觸一第二光阻層於該金屬層底面；對該第一光阻層進行曝光，並對該第二光阻層進行曝光，期間藉由該金屬層隔絕該基板雙面的紫外線；對該基板雙面同時進行顯影，促使該第一導電基材層及該金屬層各自裸露出一待接受蝕刻的區域；對該第一導電基材層及該金屬層裸露之區域分別或同 時進行蝕刻，促使該第一導電基材層形成該觸控電路之一第一導電膜，且該金屬層形成該觸控電路之一金屬線路層；於該金屬層形成該金屬線路層而裸露該第二導電基材層後，接觸一第三光阻層於該金屬線路層與該第二導電基材層底面；對該第三光阻層進行曝光及顯影，促使該第二導電基材層裸露出一待接受蝕刻的區域；及對該第二導電基材層裸露之區域進行蝕刻，促使該第二導電基材層形成該觸控電路之一第二導電膜。
依據上述，該金屬線路層可與第一導電膜或第二導電膜同時形成，而使得該基板雙面之圖形結構能以較少次之黃光製程中佈設完成，以簡化觸控電路之佈設製程，進而具備縮減工時與降低成本之效。
其中，該第一及第二光阻層可為正光阻或負光阻，該第一光阻層及該第二光阻層可先、後進行曝光或同時進行曝光。
本發明亦包含於該第一光阻層進行曝光前，使用鐳射於該金屬層上打出至少一可供該第二光阻層曝光對位用之標記。
本發明也包含於該基板雙面進行蝕刻程序後，接觸去除光阻用之除光阻劑，以除去該金屬線路層、該第一與第二導電膜表面殘餘之光阻。
然而，為能明確且充分揭露本發明，併予列舉出較佳實施例，請配合參照圖示而詳細說明如後述：
請參閱圖1，揭示出本發明一實施例之剖示圖，說明本發明之觸控電路雙面圖形結構的製法，包含下列步驟：(1)將一透明基板1擺放於一濺鍍設備內，以真空濺鍍的方式在該基板1頂面佈設形成一第一導電基材層21(如圖1所示)，同時於該基板1底面佈設形成一第二導電基材層22；該基板1可為玻璃、膠膜或膠殼，該第一導電基材層21與該第二導電基材層22可由透明之導電材料製成，該透明之導電材料可以是選用氧化銦錫(ITO)或其他導電材料。
(2)在該第一導電基材層21頂面接觸一可隔絕紫外線的遮擋層3(如圖1所示)，並經由烘烤而使該遮擋層3完全附著於該第一導電基材層21頂面；該遮擋層3可由可隔絕紫外線的有機材料製成，且該有機材料可為樹脂層或光阻層；或者，該遮擋層3亦可由可隔絕紫外線之無機材料製成，且該無機材料可為TiO2 搭配SiO2 或Ta2 O5 搭配SiO2 。
(3)接觸一第一光阻層41於該遮擋層3頂面(如圖2所示)，並經由烘烤而使該第一光阻層41完全附著於該遮擋層3頂面。
(4)使用鐳射於該第一光阻層41上打出至少一可供曝光對位用之標記411(如圖2所示)，且該標記411可為十字型。
(5)接觸一第二光阻層42於該第二導電基材層22底面(如圖3所示)，並經由烘烤而使該第二光阻層42完全 附著於該第二導電基材層22底面；該第一與第二光阻層41、42可為正光阻(Positive Photoresist)或負光阻(Negative Photoresist)，在本實施上係舉以正光阻為例。
(6)使用一具有裸空電路圖樣61的第一光罩6(如圖4所示)，遮蔽於該第一光阻層41上方，並使用一紫外線燈提供紫外線光，通過該裸空電路圖樣61對該第一光阻層41實施照射，以進行該第一光阻層41之曝光程序，期間藉由該遮擋層3隔絕照射該第一光阻層41之紫外線光，以避免該紫外線光影響該第二光阻層42。
(7)使用另一具有裸空電路圖樣71的第二光罩7(如圖5所示)，遮蔽該第二光阻層42，並利用該第一光阻層41上之標記411作為該第二光罩7與該第二光阻層42的對位基準；使用一影像對比器(例如：CCD)辨識並擷取該標記411，以控制該第二光罩7進行對位，進而校正該第二光罩7鄰近於該第二光阻層42的位置；使用該紫外線燈提供紫外線光，通過該裸空電路圖樣71對該第二光阻層42實施照射，以進行該第二光阻層42之曝光程序，期間藉由該遮擋層3隔絕照射該第二光阻層42之紫外線光。上述第一與第二光阻層41、42可先、後進行曝光或同時進行曝光。
(8)在該第一光阻層41與該第二光阻層42表面接觸顯影劑，以同時對該基板1雙面進行顯影程序，致使該第一光阻層41與該第二光阻層42接受曝光的區域受到該顯影劑溶解(如圖6所示)，而使該遮擋層3及該第二導電基材層22各自裸露出一待接受蝕刻的區域。
(9)將該基板1浸泡於蝕刻用之蝕刻劑中，以同時對 該基板1雙面進行蝕刻程序，致使該遮擋層3及該第二導電基材層22裸露之區域受到該蝕刻劑溶解(配合圖6及圖7所示)，且該遮擋層3裸露之區域內部的第一導電基材層21亦受到該蝕刻劑溶解，促使該第一導電基材層21形成該觸控電路20之一第一導電膜211，且該第二導電基材層22形成該觸控電路20之一第二導電膜221。
(10)在該第一導電膜211表面殘餘之第一光阻層410與該第二導電膜221表面殘餘之第二光阻層420上接觸去除光阻用之除光阻劑(如圖7所示)，以同時除去該第一與第二導電膜211、221表面殘餘之第一及第二光阻層410、420(如圖8所示)，隨後可除去殘餘之遮擋層30，以完全裸露該第一導電膜211與該第二導電膜221。
依據上述可知，使用可隔絕紫外線之材料製成的遮擋層3，隔絕該基板1雙面的紫外線，避免該基板1雙面之紫外線光相互干擾，以確保在經過二次曝光後，該基板1雙面之光阻層41、42的曝光品質，並利用鐳射於光阻層41表面形成的標記411，作為曝光時之對位基準；如此，該基板1雙面之導電膜圖形結構能在單一次之黃光製程中佈設形成，換言之，本發明之第二面曝光無需等待第一面導電膜形成即可進行，故可簡化觸控電路20之佈設製程，進而具備縮減工時與降低成本之效。
此外，上述步驟(4)中的雷射標記411，亦可在步驟(3)與步驟(5)的第一光阻層41與第二光阻層42同時接觸、附著後，再於該第一光阻層41上雷射形成即可，藉此，可使第一光阻層41與第二光阻層42同時形成以縮短製程時間。
請參閱圖9，揭示出本發明另一實施例之剖示圖，說明本發明之觸控電路雙面圖形結構的製法，係在該基板1頂面接觸該可隔絕紫外線的遮擋層3，並在該遮擋層3頂面佈設該第一導電基材層21，同時在該基板1底面佈設該第二導電基材層22；該第一光阻層41接觸於該第一導電基材層21頂面，該第二光阻層42接觸於該第二導電基材層22底面；如此，經由曝光及顯影而使該第一及第二導電基材層21、22各自裸露出一待接受蝕刻的區域，並經由蝕刻而使該第一導電基材層21形成該第一導電膜211(如圖10所示)，且該第二導電基材層22形成該第二導電膜221，其餘步驟係類似於上述圖1至圖8所揭露之實施例。
請參閱圖11，揭示出本發明另一實施例之剖示圖，說明本發明之觸控電路雙面圖形結構的製法，係在該基板1底面接觸該可隔絕紫外線的遮擋層3，並在該基板1頂面佈設該第一導電基材層21，同時在該遮擋層3底面佈設該第二導電基材層22；該第一光阻層41接觸於該第一導電基材層21頂面，該第二光阻層42接觸於該第二導電基材層22底面；如此，經由曝光及顯影而使該第一及第二導電基材層21、22各自裸露出一待接受蝕刻的區域，並經由蝕刻而使該第一導電基材層21形成該第一導電膜211(如圖12所示)，且該第二導電基材層22形成該第二導電膜221，其餘步驟係類似於上述圖1至圖8所揭露之實施例。
請參閱圖13，揭示出本發明再一實施例之剖示圖，說明本發明之觸控電路雙面圖形結構的製法，係在該基板1雙面分別佈設該第一與第二導電基材層21、22，並在該第 二導電基材層22底面接觸該可隔絕紫外線的遮擋層3；該第一光阻層41接觸於該第一導電基材層21頂面，該第二光阻層42接觸於該遮擋層3底面；如此，經由曝光及顯影而使該第一導電基材層21及該遮擋層3各自裸露出一待接受蝕刻的區域，並經由蝕刻而使該第一導電基材層21形成該第一導電膜211(如圖14所示)，且該第二導電基材層22形成該第二導電膜221，其餘步驟係類似於上述圖1至圖8所揭露之實施例。
請參閱圖15，揭示出本發明又一實施例之剖示圖，說明本發明之觸控電路雙面圖形結構的製法，包含下列步驟：(1)將一透明基板1a擺放於一濺鍍設備內，以真空濺鍍的方式在該基板1a頂面佈設形成一第一導電基材層21a(如圖15所示)，同時於該基板1a底面佈設形成一第二導電基材層22a；該基板1a可為玻璃、膠膜或膠殼，該第一與第二導電基材層21a、22a可由透明之導電材料製成，該透明之導電材料可以是選用氧化銦錫或其他導電材料。
(2)將該基板1a擺放於另一濺鍍設備內，以真空濺鍍的方式在該第一導電基材層21a頂面佈設一可隔絕紫外線的金屬層5(如圖15所示)。
(3)接觸一第一光阻層41a於該金屬層5頂面(如圖16所示)，並經由烘烤而使該第一光阻層41a完全附著於該金屬層5頂面。
(4)使用鐳射於該第一光阻層41a與該金屬層5上打出至少一可供曝光對位用之標記51(如圖16所示)，且該標記51可為十字型。
(5)接觸一第二光阻層42a於該第二導電基材層22a底面(如圖17所示)，並經由烘烤而使該第二光阻層42a完全附著於該第二導電基材層22a底面；該第一與第二光阻層41a、42a可為正光阻或負光阻，在本實施上同樣舉以正光阻為例。
(6)使用一具有裸空電路圖樣61a的第一光罩6a(如圖18所示)，遮蔽該第一光阻層41a，並使用一紫外線燈提供紫外線光，通過該裸空電路圖樣61a對該第一光阻層41a實施照射，以進行該第一光阻層41a之曝光程序，期間藉由該金屬層5隔絕照射該第一光阻層41a之紫外線光，以避免該紫外線光影響該第二光阻層42a。
(7)使用另一具有裸空電路圖樣71a的第二光罩7a(如圖19所示)，遮蔽該第二光阻層42a，並利用該金屬層5上之標記51作為該第二光罩7a與該第二光阻層42a的對位基準；使用一影像對比器辨識並擷取該標記51，以控制該第二光罩7a進行對位，進而校正該第二光罩7a鄰近於該第二光阻層42a的位置；使用該紫外線燈提供紫外線光，通過該裸空電路圖樣71a對該第二光阻層42a實施照射，以進行該第二光阻層42a之曝光程序，期間藉由該金屬層5隔絕照射該第二光阻層42a之紫外線光。上述第一與第二光阻層41a、42a可先、後進行曝光或同時進行曝光。
(8)在該第一光阻層41a與該第二光阻層42a表面接觸顯影劑，以同時對該基板1a雙面進行顯影程序，致使該第一與第二光阻層41a、42a接受曝光的區域受到該顯影劑溶解(如圖20所示)，而使該金屬層5及該第二導電基材 層22a各自裸露出一待接受蝕刻的區域。
(9)將該基板1a浸泡於蝕刻用之蝕刻劑中，以分別或同時對該基板1a雙面進行蝕刻程序，致使該金屬層5及該第二導電基材層22a裸露之區域受到該蝕刻劑溶解(如圖21所示)，促使該金屬層5形成一觸控電路20a(配合圖27所示)之一金屬線路層52，而裸露該第一導電基材層21a，且該第二導電基材層22a形成該觸控電路20a之一第二導電膜221a。
(10)在該金屬線路層52表面殘餘之第一光阻層410a與該第二導電膜221a表面殘餘之第二光阻層420a上接觸去除光阻用之除光阻劑(如圖21所示)，以同時除去該等殘餘之第一及第二光阻層410a、420a，以完全裸露該金屬線路層52、第一導電基材層21a與第二導電膜221a(如圖22所示)。
(11)接觸一第三光阻層43於該金屬線路層52與該第一導電基材層21a頂面(如圖23所示)，並經由烘烤而使該第三光阻層43完全附著於該金屬線路層52與該第一導電基材層21a頂面。
(12)使用又一具有裸空電路圖樣81的第三光罩8(如圖24所示)，遮蔽於該第三光阻層43上方，並使用一紫外線燈提供紫外線光，通過該裸空電路圖樣81對該第三光阻層43實施照射，以進行該第三光阻層43之曝光程序。
(13)在該第三光阻層43表面接觸顯影劑以進行顯影程序，致使該第三光阻層430接受曝光的區域受到該顯影劑溶解(如圖25所示)，而使該第一導電基材層21a裸露出 一待接受蝕刻的區域。
(14)接觸一第四光阻層44於該第二導電膜221a與基板1a底面(如圖25所示)，並經由烘烤而使該第四光阻層44完全附著於該第二導電膜221a與基板1a底面，以保護第二導電膜221a。
(15)將該基板1a浸泡於蝕刻用之蝕刻劑中以再次進行蝕刻程序，致使該第一導電基材層21a裸露之區域受到該蝕刻劑溶解(如圖26所示)，促使該第一導電基材層21a形成該觸控電路20a(配合圖27所示)之一第一導電膜211a。
(16)利用除光阻劑接觸該金屬線路層52與第一導電膜211a表面殘餘之第三光阻層430，並利用除光阻劑接觸該第二導電膜221a與基板1a底面之第四光阻層44，以完全裸露該金屬線路層52、第一導電膜211a與第二導電膜221a(如圖27所示)。
如此，該第一導電膜211a及該第二導電膜221a係分別形成於該基板1a雙面，且該金屬線路層52係形成於該第一導電膜211a之雙端邊的頂面；藉此，具有降低該第一導電膜211a與金屬線路層52間之阻抗的優點。
依據上述可知，該金屬線路層52可與第二導電膜221a同時形成，而使該基板1a雙面之圖形結構能以較少次之黃光製程中佈設形成雙面導電膜與金屬線路層，以簡化觸控電路20a之佈設製程，進而具備縮減工時與降低成本之效。
請參閱圖28，揭示出本發明續一實施例之剖示圖，說明本發明之觸控電路雙面圖形結構的製法，係在該第二導電基材層22a底面佈設該可隔絕紫外線的金屬層5，該第一 光阻層41a接觸於該第一導電基材層21a頂面，該第二光阻層42a接觸於該金屬層5底面，並使用鐳射於該第二光阻層42a與該金屬層5上打出至少一可供曝光對位用之標記51；如此，經由曝光及顯影而使該第一導電基材層21a及該金屬層5各自裸露出一待接受蝕刻的區域，並經由蝕刻而使該第一導電基材層21a形成該第一導電膜212a(如圖29所示)，且該金屬層5形成該金屬線路層52，而裸露該第二導電基材層22a，再對該第二導電基材層22a進行一次黃光製程，促使該第二導電基材層22a形成該第二導電膜222a，其餘步驟係類似於上述圖15至圖27的實施例。
如此，該第一及第二導電膜212a、222a係分別形成於該基板1a雙面，且該金屬線路層52係形成於該第二導電膜222a之雙端邊的底面；藉此，具有降低該第二導電膜222a與金屬線路層52間之阻抗的優點。
依據上述可知，該金屬線路層52可與第一導電膜212a同時形成，而使該基板1a雙面之圖形結構能以較少次之黃光製程中佈設形成雙面導電膜與金屬線路層，以簡化觸控電路20a之佈設製程，進而具備縮減工時與降低成本之效。
其中，上述步驟(4)中的雷射標記51，亦可在步驟(3)與步驟(5)的第一光阻層41a與第二光阻層42a同時接觸、附著後，再以雷射形成於金屬線路層52即可，藉此，可使第一光阻層41與第二光阻層42同時形成以縮短製程時間。
綜上所陳，僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明；凡其他未脫離本發明所揭示之精神下而完成的等效修飾或置換，均應包含於後述申請專利範圍內。
1‧‧‧基板
20‧‧‧觸控電路
21‧‧‧第一導電基材層
211‧‧‧第一導電膜
22‧‧‧第二導電基材層
221‧‧‧第二導電膜
3、30‧‧‧遮擋層
41、410‧‧‧第一光阻層
411、51‧‧‧標記
42、420‧‧‧第二光阻層
43、430‧‧‧第三光阻層
44‧‧‧第四光阻層
5‧‧‧金屬層
52‧‧‧金屬線路層
6‧‧‧第一光罩
61‧‧‧電路圖樣
7‧‧‧第二光罩
71‧‧‧電路圖樣
8‧‧‧第三光罩
81‧‧‧電路圖樣
1a‧‧‧基板
20a‧‧‧觸控電路
21a‧‧‧第一導電基材層
211a、212a‧‧‧第一導電膜
22a‧‧‧第二導電基材層
221a、222a‧‧‧第二導電膜
41a、410a‧‧‧第一光阻層
42a、420a‧‧‧第二光阻層
6a‧‧‧第一光罩
61a‧‧‧電路圖樣
7a‧‧‧第二光罩
71a‧‧‧電路圖樣
圖1：為本發明一實施例中在第一導電基材層頂面接觸遮擋層的剖示圖。
圖2：為本發明一實施例中使用鐳射於該第一光阻層上打出曝光對位用標記的示意圖。
圖3：為本發明一實施例中接觸第二光阻層於第二導電基材層底面的剖示圖。
圖4：為本發明一實施例中對第一光阻層進行曝光的剖示圖。
圖5：為本發明一實施例中對第二光阻層進行曝光的剖示圖。
圖6：為本發明一實施例中對基板雙面同時進行顯影後的剖示圖。
圖7：為本發明一實施例中對基板雙面同時進行蝕刻後的剖示圖。
圖8：為本發明一實施例之觸控電路的剖示圖。
圖9：為本發明次一實施例中接觸第一及第二光阻層於基板雙面的剖示圖。
圖10：為圖9之基板接受曝光、顯影及蝕刻後的剖示圖。
圖11：為本發明另一實施例中接觸第一及第二光阻層於基板雙面的剖示圖。
圖12：為圖11之基板接受曝光、顯影及蝕刻後的剖示圖。
圖13：為本發明再一實施例中接觸第一及第二光阻層於基板雙面的剖示圖。
圖14：為圖13之基板接受曝光、顯影及蝕刻後的剖示圖。
圖15：為本發明又一實施例中在第一導電基材層頂面接觸金屬層的剖示圖。
圖16：為本發明又一實施例中使用鐳射於該第一光阻層與金屬層上打出曝光對位用標記的示意圖。
圖17：為本發明又一實施例中接觸第二光阻層於第二導電基材層底面的剖示圖。
圖18：為本發明又一實施例中對第一光阻層進行曝光的剖示圖。
圖19：為本發明又一實施例中對第二光阻層進行曝光的剖示圖。
圖20：為本發明又一實施例中對基板雙面同時進行顯影後的剖示圖。
圖21：為本發明又一實施例中對基板雙面同時進行蝕刻後的剖示圖。
圖22：為本發明又一實施例中除去基板雙面之光阻後的剖示圖。
圖23：為本發明又一實施例中接觸第三光阻層於金屬線路層與第一導電基材層頂面的剖示圖。
圖24：為本發明又一實施例中對第三光阻層進行曝光的剖示圖。
圖25：為本發明又一實施例中接觸第四光阻層於第二導電膜與基板底面的剖示圖。
圖26：為本發明又一實施例中再次對基板進行蝕刻後的剖示圖。
圖27：為本發明又一實施例之觸控電路的剖示圖。
圖28：為本發明續一實施例中接觸第一及第二光阻層於基板雙面的剖示圖。
圖29：為圖28之基板接受曝光、顯影及蝕刻後的剖示圖。
1‧‧‧基板
21‧‧‧第一導電基材層
22‧‧‧第二導電基材層
3‧‧‧遮擋層
41‧‧‧第一光阻層
411‧‧‧標記
42‧‧‧第二光阻層
6‧‧‧第一光罩
61‧‧‧電路圖樣

Claims (24)

  1. 一種觸控電路雙面圖形結構的製法，包含：提供一基板，該基板雙面分別佈設一第一導電基材層與一第二導電基材層；在該第一導電基材層頂面接觸一可隔絕紫外線的遮擋層；接觸一第一光阻層於該遮擋層頂面，並接觸一第二光阻層於該第二導電基材層底面；對該第一光阻層進行曝光，並對該第二光阻層進行曝光，期間藉由該遮擋層隔絕該基板雙面的紫外線；對該基板雙面同時進行顯影，促使該第一導電基材層及該第二導電基材層各自裸露出一待接受蝕刻的區域；及對該第一導電基材層及該第二導電基材層裸露之區域同時進行蝕刻，促使該第一導電基材層形成該觸控電路之一第一導電膜，且該第二導電基材層形成該觸控電路之一第二導電膜。
  2. 如申請專利範圍第1項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，其中該遮擋層係由可隔絕紫外線之有機材料製成。
  3. 如申請專利範圍第2項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，其中該有機材料係為樹脂層或光阻層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，其中該遮擋層係由可隔絕紫外線之無機材料製成。
  5. 如申請專利範圍第4項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，其中該無機材料係為TiO2 搭配SiO2 或Ta2 O5 搭配 SiO2 。
  6. 如申請專利範圍第1項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，其中該第一光阻層及該第二光阻層係為正光阻或負光阻。
  7. 如申請專利範圍第1項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，更加包含於該第一光阻層進行曝光前，使用鐳射於該第一光阻層上打出至少一可供該第二光阻層曝光對位用之標記。
  8. 如申請專利範圍第1項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，其中該第一光阻層及該第二光阻層係先、後進行曝光或同時進行曝光。
  9. 如申請專利範圍第1項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，更加包含於該基板雙面進行蝕刻程序後，在該第一導電膜表面殘餘之第一光阻層與該第二導電膜表面殘餘之第二光阻層上接觸去除光阻用之除光阻劑，以除去該第一與第二導電膜表面殘餘之第一及第二光阻層。
  10. 一種觸控電路雙面圖形結構的製法，包含：提供一基板，該基板雙面分別佈設一第一導電基材層與一第二導電基材層；在該第一導電基材層頂面佈設一可隔絕紫外線的金屬層；接觸一第一光阻層於該金屬層頂面，並接觸一第二光阻層於該第二導電基材層底面；對該第一光阻層進行曝光，並對該第二光阻層進行曝 光，期間藉由該金屬層隔絕該基板雙面的紫外線；對該基板雙面同時進行顯影，促使該金屬層及該第二導電基材層各自裸露出一待接受蝕刻的區域；及對該金屬層及該第二導電基材層裸露之區域進行蝕刻，促使該金屬層形成該觸控電路之一金屬線路層，且該第二導電基材層形成該觸控電路之一第二導電膜。
  11. 如申請專利範圍第10項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，其中該第一光阻層及該第二光阻層係為正光阻或負光阻。
  12. 如申請專利範圍第10項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，更加包含於該第一光阻層進行曝光前，使用鐳射於該金屬層上打出至少一可供該第二光阻層曝光對位用之標記。
  13. 如申請專利範圍第10項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，其中該第一光阻層及該第二光阻層係先、後進行曝光或同時進行曝光。
  14. 如申請專利範圍第10項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，更加包含：於該金屬層形成該金屬線路層而裸露該第一導電基材層後，接觸一第三光阻層於該金屬線路層與該第一導電基材層頂面；對該第三光阻層進行曝光及顯影，促使該第一導電基材層裸露出一待接受蝕刻的區域；及對該第一導電基材層裸露之區域進行蝕刻，促使該第 一導電基材層形成該觸控電路之一第一導電膜。
  15. 如申請專利範圍第14項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，其中該第一導電膜形成後，利用除光阻劑除去該金屬線路層與第一導電膜表面殘餘之光阻。
  16. 如申請專利範圍第10項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，其中該金屬層及該第二導電基材層裸露之區域係分別或同時進行蝕刻。
  17. 如申請專利範圍第10項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，其中該第二導電膜形成後，接觸一保護用第四光阻層於該第二導電膜與基板底面。
  18. 如申請專利範圍第14項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，其中該第一導電膜及該第二導電膜係分別形成於該基板雙面，且該金屬線路層係形成於該第一導電膜之端邊頂面。
  19. 一種觸控電路雙面圖形結構的製法，包含：提供一基板，該基板雙面分別佈設一第一導電基材層與一第二導電基材層；在該第二導電基材層底面佈設一可隔絕紫外線的金屬層；接觸一第一光阻層於該第一導電基材層頂面，並接觸一第二光阻層於該金屬層底面；對該第一光阻層進行曝光，並對該第二光阻層進行曝光，期間藉由該金屬層隔絕該基板雙面的紫外線；對該基板雙面同時進行顯影，促使該第一導電基材層 及該金屬層各自裸露出一待接受蝕刻的區域；及對該第一導電基材層及該金屬層裸露之區域進行蝕刻，促使該第一導電基材層形成該觸控電路之一第一導電膜，且該金屬層形成該觸控電路之一金屬線路層。
  20. 如申請專利範圍第19項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，更加包含於該第一光阻層進行曝光前，使用鐳射於該金屬層上打出至少一可供該第二光阻層曝光對位用之標記。
  21. 如申請專利範圍第19項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，其中該第一光阻層及該第二光阻層係先、後進行曝光或同時進行曝光。
  22. 如申請專利範圍第19項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，更加包含：於該金屬層形成該金屬線路層而裸露該第二導電基材層後，接觸一第三光阻層於該金屬線路層與該第二導電基材層底面；對該第三光阻層進行曝光及顯影，促使該第二導電基材層裸露出一待接受蝕刻的區域；及對該第二導電基材層裸露之區域進行蝕刻，促使該第二導電基材層形成該觸控電路之一第二導電膜。
  23. 如申請專利範圍第19項所述觸控電路雙面圖形結構的製法，其中該第一導電基材層及該金屬層裸露之區域係分別或同時進行蝕刻。
  24. 如申請專利範圍第22項所述觸控電路雙面圖形結 構的製法，其中該第一導電膜及該第二導電膜係分別形成於該基板雙面，且該金屬線路層係形成於該第二導電膜之端邊底面。
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