CN103827791B - 具有精细间距互连器的柔性触摸传感器 - Google Patents

具有精细间距互连器的柔性触摸传感器 Download PDF

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Abstract

包括多层结构的制品，诸如，如触摸传感器，所述制品具有两个相对侧并且包括中央聚合物的UV透明基板，在所述聚合物的基板的两个主要相对表面的每个上的透明导电层，在每个透明导电层上的金属导电层，和在每个金属导电层上的图案化的光成像掩膜。

Description

具有精细间距互连器的柔性触摸传感器
背景技术
触敏设备已成为用户与电子系统交互的越来越通用的方式，特别是包括平板、触屏手机和其它商业触摸交互系统的电子系统。触敏设备通过减少或消除对机械按钮、键区、键盘和点击设备的需求，而允许用户便利地与电子系统和显示器进行交互。例如，用户只需要在由图标标识的位置触摸即显触摸屏，即可执行一系列复杂的指令。
有若干类型的技术用于实施触敏设备，包括例如电阻、红外、电容、表面声波、电磁、近场成像等。人们已经发现电容式触敏设备在多个应用中极为奏效。在许多触敏设备中，当传感器内的导电物体电容耦合至导电触摸工具，如用户的手指时，会感测到输入。一般来讲，只要两个导电构件彼此靠近但未实际接触，这两者之间便会形成电容。就电容式触敏设备而言，手指之类的物体接近触敏表面时，该物体与贴近该物体的感测点之间会形成微小的电容。通过检测每个感测点处电容的变化并且记录该感测点的位置，感测电路就能识别多个物体并且确定当物体在触摸表面上移动时物体的特性。
电容触敏设备通常包括作为感测元件的图案化的透明导体层。图案化的透明导体通常包括以排和列形式的窄长透明导电电极的阵列。通过提供导电金属图案在控制器和透明电极间建立电触点。在一个已知方法中，柔性印刷电路（FPC）使用各向异性导电膜（ACF）连接直接结合到透明导体尾部。在另一个已知方法中，通过印刷方法提供导电金属图案和连接垫到每个透明电极。例如，导电油墨施用在透明导体上并且焙烧以在透明电极尾部产生导电迹线。
FPC和ACF连接工艺昂贵并且涉及高循环时间。因为通过导电油墨打印工艺提供精细间距的限制，所以导电油墨印刷方法需要的传感器非感测区域大。此外，更高的焙烧温度导致可靠性问题诸如，如氧化铟锡（ITO）的碎裂和从基底膜形成雾度。
为了得到矩阵型传感器，行电极和列电极在正交方向上使用光学透明的粘合剂层合。行和列电极间精确对齐是重要的，否则将导致低产率。此外，气泡和气隙的形成在层合工艺中是无法避免的。行和列电极层和光学透明的粘合剂和基底聚酯膜一起可导致厚传感器。
发明内容
在一个方面，本发明提供包括提供多层结构的方法，诸如，如触摸传感器，其具有两个相对侧并且包括具有两个主要相对表面的中央聚合物的UV透明基板，在聚合物的基板的两个主要相对表面中的每个上的透明导电层，和在每个透明导电层上的金属导电层；在两个金属导电层上施加和图案化第一光成像层以形成具有用于透明导电层的所需图案的光成像掩膜；蚀刻被光成像掩膜暴露的金属导电层和透明导电层的部分；清除光成像掩膜；在每个金属导电层剩余部分上施加和图案化第二光成像层以形成具有用于金属导电层的所需图案的光成像掩膜；以及蚀刻金属导电层的暴露部分。
另一方面，本发明提供的方法包括提供多层结构，诸如，如触摸传感器，其具有两个相对侧，并且包括具有两个主要相对表面的中央聚合物的UV透明基板，在聚合物的基板的两个主要相对表面中的每个上的透明导电层，和在每个透明导电层上的金属导电层；在两个金属导电层上施加和图案化第一光成像层，以形成具有用于透明导电层和金属导电层的所需图案的光成像掩膜；蚀刻被光成像掩膜暴露的金属导电层和透明导电层的部分；清除光成像掩膜；在每个金属导电层的剩余部分上施加和图案化第二光成像层，以形成保护金属导电层所需图案的光成像掩膜；以及蚀刻金属导电层的暴露部分。
另一方面，本发明提供包括多层结构的制品，诸如，如触摸传感器，其具有两个相对侧并且包括中央聚合物的UV透明基板，在聚合物的基板的两个主要相对表面中的每个上的透明导电层，和在每个透明导电层上的图案化的光成像掩膜。
另一方面，本发明提供包括多层结构的制品，诸如，如触摸传感器，其具有两个相对侧，并且包括具有相对主表面的中央聚合物的UV透明基板，在基板的相对主表面上的图案化的透明导电层，在两个透明导电层上的图案化的金属导电层，其中聚合物的UV透明基板具有大于约1.60的折射率。
本发明的上述发明内容并且不意在描述本发明的每个公开的实施例或每种实施方式。以下附图和详细说明更具体地举例说明了这些实施例。
附图说明
图1是根据本发明的一个方面的触敏设备和电子器件的示例性实施例的示意性俯视图。
图2是根据本发明的一个方面的多层结构的示例性实施例的剖视图。
图3a-图3b分别是根据本发明的一个方面的多层结构的示例性实施例的俯视图和剖视图。
图4是根据本发明的一个方面的多层结构的示例性实施例的剖视图。
图5是根据本发明的一个方面的多层结构的示例性实施例的剖视图。
图6是根据本发明的一个方面的多层结构的示例性实施例的剖视图。
图7a-图7b分别是根据本发明的一个方面的多层结构的示例性实施例的俯视图和剖视图。
图8a-图8e是根据本发明的多方面的多层结构的示例性实施例的示意性俯视图。
图9是根据本发明的一个方面的多层结构的示例性实施例的剖视图。
图10a-图10i是制造根据本发明的一个方面的多层结构的示例性方法步骤的剖视图。
图11是根据本发明的一个方面的多层结构的示例性实施例的剖视图。
图12a-12f是根据本发明的一个方面的多层结构的示例性实施例的俯视图、剖视图和反射率曲线图。
在这些附图中，类似的参考数字标记指代类似元件。
具体实施方式
在以下优选实施例的详细说明中，参考了形成本发明一部分的附图。附图以举例说明的方式示出了其中可以实践本发明的具体实施例。应当理解，在不脱离本发明范围的前提下，可以利用其他实施例，并且可以进行结构性或逻辑性的修改。因此，以下详细说明不应从限制的意义上去理解，并且本发明的范围仅由所附权利要求书限定。
至少本发明的一些实施例包括矩阵型电极，其包括在基板相对侧上的行和列电极。这可消除对具有透明电极的两种基板层、光学透明的粘合剂、和层合工艺的需要。此外，在本发明的至少一些实施例中，例如，提供具有精细间距密度的导电母线和连接垫以连接透明电极和控制器单元。精细间距导电母线沿着透明电极的边缘减少非触摸感测区域并且消除对较大尺寸离散连接器、昂贵的离散FPC、连接到透明电极的ACF、导电油墨印刷、和焙烧工艺的需要。与导电油墨印刷相比，可实现具有基本竖直的壁和最优化的顶部表面区域的导电母线。本发明的实施例可提供高透射比，如大于约87%，和低雾度，如小于1%。由提供相对厚的导电母线的能力得出，本发明的实施例可提供低电阻和高信号响应。
电极图案可呈现条形、三角形、蜂窝状或任何其它合适的图案。透明电极可耦合到电子元件，该电子元件检测电极间或电极对地的电容的变化，从而确定触摸或近似触摸的坐标。
图1示出了根据本发明的一个方面的触敏设备和电子器件的示例性实施例。触敏设备110包括连接至电子电路的触摸面板112，为了简单起见，将该电子电路一起集合标记为114并且统称为控制器的单个示意框。
所示的触摸面板112具有列电极116a-e和行电极118a-e的5×5矩阵，但也可使用其他数量的电极和其他矩阵尺寸。面板112通常是大致透明的，以使得用户能够透过面板112来观察物体，如计算机、手持设备、移动电话、或其他外围设备的像素化显示器。边界120表示面板112的观察区域并且还优选地表示，如果使用，此显示器的观察区域。从平面图的视角看，电极116a-e、118a-e在观察区域120上方作空间分布。为了易于说明，电极被示出为宽的和显眼的，但实际上他们可是相对窄并且对用户不显眼。此外，这些电极可设计为在矩阵的节点附近处具有可变的宽度，如以菱形垫或其他形状垫的形式增加的宽度，以便增大电极之间的边缘场，从而增强触摸对于电极对电极电容耦合的效果。在示例性实施例中，电极可由氧化铟锡（ITO）或其它合适的导电材料构成。从深度的角度，列电极可位于与行电极不同的平面内（从图1的角度，列电极116a-e位于行电极118a-e的下面），使得列电极与行电极之间没有显著的导电接触，并且使得给定列电极与给定行电极之间的唯一显著的电耦合为电容耦合。电极矩阵通常位于防护玻璃、塑料膜等的下面，使得电极受到保护而不与用户的手指或其他触摸相关工具发生直接物理接触。此类防护玻璃、膜等的暴露表面可被称为触摸表面。
给定的行电极与列电极间的电容耦合主要取决于电极彼此最靠近的区域中的电极的几何形状。此类区域对应于电极矩阵的“节点”，图1中标出了其中的一些节点。例如，列电极116a与行电极118d间的电容耦合主要发生在节点122处，并且列电极116b与行电极118e间的电容耦合主要发生在节点124处。图1的5×5矩阵具有25个此类节点，这些节点中的任一个均可由控制器114通过适当选择将各个列电极116a-e逐个耦合到该控制器的控制线126中的一者以及适当选择将各个行电极118a-e逐个耦合到该控制器的控制线128中的一个来寻址。
当用户的手指130或其它触摸工具与设备110的触摸表面接触或近似接触时，如在接触位置131处示出的，手指电容性地耦合到电极矩阵并且将电荷从矩阵移开，特别是从那些最近触摸位置的电极移开，并且这样做的话，其改变了与最近的节点相对应的电极间的耦合电容。例如，触摸位置131处的触摸最靠近对应于电极116c/118b的节点。如以下进一步所述的，耦合电容的这种变化可被控制器114检测并且被解释为116c/118b节点处或附近的触摸。优选地，控制器被配置为快速检测矩阵所有节点处的电容变化，如果有的话，并且能够分析相邻节点的电容变化的大小，从而通过内插法准确确定节点间的触摸位置。此外，有利地，控制器114被设计为检测同时或在重叠的时间施加至触摸设备的不同部分的多个不同触摸。因此，例如，如果在手指130触摸的同时，另一个手指132在触摸位置133处触摸设备110的触摸表面，或者如果相应触摸至少暂时地重叠，则控制器优选地能够检测这两个触摸的位置131,133，并且在触摸输出114a上提供此类位置。控制器114能够检测的明显同时发生的或时间上重叠的不同触摸的次数优选地不限于2，例如，取决于电极矩阵的大小，它可为3、4或更多。
控制器114可采用使其能够快速确定电极矩阵中一些或全部节点处的耦合电容的多种电路模块和元件。例如，控制器可以包括至少一个信号发生器或驱动单元。驱动单元将驱动信号传送至一组电极，该组电极被称为驱动电极。在图1的实施例中，列电极116a-e可用作驱动电极，或者可如此使用行电极118a-e。驱动信号可用多种方法传送至电极，例如，从第一到最后一个驱动电极在扫描序列中每次一个驱动电极。当每个此类电极被驱动时，控制器监测被称为接收电极的另一组电极。控制器114可以包括耦合到所有接收电极的一个或多个感测单元。适用于感测对触摸面板112所做的多点接触的电路在美国专利申请公开No.2010/0300773，“High Speed Multi-Touch Device and Controller Therefor”中有进一步的描述。
控制器也可包括从一系列响应信号输入中累积电荷的电路。为此，示例性电路设备可包括一个或多个电荷累积器，例如，一个或多个电容器，所述电荷累积器的选择可取决于驱动信号和对应的响应信号的性质。每个脉冲产生一定量的电荷累积并且每个另外的脉冲逐次添加更多。电荷还可在一个循环中耦合，并且任何额外的脉冲可仅允许对电荷取平均以减少噪声。控制器也可包括一个或多个模数转换器（ADC），以将累积信号的模拟振幅转换成数字格式。一个或多个多路复用器还可用于避免电路元件的不必要重复。当然，控制器中还优选地包括储存所测量振幅和相关参数的一个或多个存储设备，以及进行必要的计算和控制功能的微处理器。
通过对与给定测量循环关联的一个或多个脉冲，测量与电极矩阵中每个节点的响应信号关联的累积电荷的电压，控制器可生成与电极矩阵的每个节点的耦合电容关联的测量值的矩阵。这些测量值可与此前获得的参考值的类似矩阵比较，以便确定由于存在触摸而已发生耦合电容变化的节点，如果有的话。
图2示出了根据本发明的一个方面的多层结构的示例性实施例。在一个方面，多层结构200可以是在触敏设备中使用的触摸传感器，诸如，如图1中的触敏设备110。多层结构200具有两个相对侧并且包括具有两个主要相对表面202a和202b的中央聚合物的UV透明基板202，在中央聚合物的UV透明基板202的第一主表面202a上的第一透明导电层204，和在中央聚合物的UV透明基板202的第二主表面202b上的第二透明导电层206。文中将UV透明定义为具有起始于约336nm波长延伸进入近红外波长至少约70%的透射比。例如，在一些实施例中，中央聚合物的UV透明基板202具有低于约309nm的吸收最大值、低于约314nm的截止波长，和在约336nm波长处至少约70%的透射比，以及在800nm波长处约89%的透射比。在一些实施例中，在约800nm波长处透射比可为约97%。在至少一个实施例中，中央聚合物的UV透明基板202具有约125μm的厚度。在一些实施例中，中央聚合物的UV透明基板具有在约25至约175μm范围内的厚度。在一些实施例中，中央聚合物的UV透明基板202选自聚酯、聚碳酸酯液晶聚合物、聚酰亚胺、和聚萘二甲酸乙二醇酯。在至少一个实施例中，中央聚合物的UV透明基板202包括聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）。在其它实施例中，中央聚合物的UV透明基板202包括聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN），其具有高折射率，如，约1.70，三醋酸酯（TAC）膜，其具有高透射比，如，约95%，或经表面处理的PET，其具有高透射比，如，约96%。中央聚合物的UV透明基板202将第一透明导电层204从第二透明导电层206分离。在至少一个实施例中，第一透明导电层204和第二透明导电层206具有约85nm的厚度。在一些实施例中，透明导电层具有在约20nm至约100nm范围内的厚度。第一透明导电层204和第二透明导电层206可具有不同的厚度，或具有基本相同的厚度。在一些实施例中，第一透明导电层204和第二透明导电层206包括氧化铟锡（ITO）。在一些实施例中，ITO是无定形的。在一些实施例中，第一透明导电层204和第二透明导电层206包括ITO和氧化硅层，并且在一些实施例中，氧化硅层掺杂有铝，如在新加坡专利申请No.201105168-7，“Etching Method and Devices Produced Using theEtching Method”中进一步描述的。例如，在至少一个实施例中，透明导电层包括SiAlO-ITO-SiAlO-ITO层结构，该结构包括具有约5nm厚度的掺杂有铝的氧化硅的第一层，具有约20nm的厚度的ITO的第一层，具有约40nm的厚度的掺杂有铝的氧化硅（SiAlO）的第二层，和具有约20nm的厚度的ITO的第二层。在此实施例中，掺杂有铝的氧化硅的第一层用作将ITO的第一层粘附到中央聚合物的UV透明基板的粘结层。与单层ITO相比，在ITO的第二层上掺杂有铝的氧化硅的第二层上的ITO的第一层的多层叠堆在高温和高湿度条件下提供具有改善的光学透射比、降低的脆性、较高的导电性、和具有改善的可靠性。第一透明导电层204被图案化以形成第一组电极，并且第二透明导电层206被图案化以形成第二组电极。在至少一个实施例中，电极具有约1mm的宽度。在一些实施例中，电极以约3.5mm至约6.5mm范围内的间隔或间距设置。电极可具有不同的宽度，或可具有基本相同的宽度。在一些实施例中，第一组电极与第二组电极正交。在其它实施例中，第一组电极和第二组电极不是彼此正交的。虽然在一些实施例中没有透明导电层或透明导电层两者都被图案化，但是在其它实施例中，第一透明导电层204和第二透明导电层206中只有一个被图案化。多层结构200还包括在第一透明导电层204上的第一金属导电层208和在第二透明导电层206上的第二金属导电层210。在至少一个实施例中，第一金属导电层208和第二金属导电层210具有约8μm的厚度。在一些实施例中，例如，取决于连接和导电要求，金属导电层具有在约3μm至约50μm范围内的厚度。在一个方面，金属导电层可提供在约5μm至约20μm范围内的厚度以有利地提高多层结构的信号速度。第一金属导电层208和第二金属导电层210可具有不同的厚度，或可具有基本相同的厚度。在一些实施例中，第一金属导电层208和第二金属导电层210选自铜、铝、金、银、镍、和锡。在一些实施例中，第一金属导电层208和第二金属导电层210包括多层铜。例如，在至少一个实施例中，金属导电层包括具有约100nm至约200nm范围内的厚度的铜的第一层，设置在铜的第一层上的具有约6μm至约35μm厚度的铜的第二层。在此实施例中，铜的第一层用作将铜的第二层粘附到透明导电层的粘结层。在一些实施例中，第一金属导电层208被图案化以形成第一组导电电路并且第二金属导电层210被图案化以形成第二组导电电路。
图3a和图3b示出了根据本发明的一个方面的多层结构的另一示例性实施例。多层结构300可为在触敏设备中使用的触摸传感器，诸如，如图1的触敏设备110。在一些实施例中，多层结构300具有在约25μm至约1mm范围内的厚度。多层结构300的尺寸可基于预期应用选择。在一些实施例中，多层结构300具有在约24英寸至约50英寸范围内的对角宽度和3:4的纵横比。与图2中示出的多层结构200类似，多层结构300具有两个相对侧并且包括中央聚合物的UV透明基板，在中央聚合物的UV透明基板的两个主要相对表面的每个上的透明导电层，和在每个透明导电层上的金属导电层。在多层结构300中，第一透明导电层304被图案化以形成第一组电极304a-304e，并且第二透明导电层306被图案化以形成第二组电极306a-306f。电极304a-304e和电极306a-306e提供在第一边界312的内部，表示多层结构300的触摸感测区域。在一些实施例中，如果使用，第一边界312还表示显示器的观察区域。在图3a和图3b示出的实施例中，五个电极304a-304e和六个电极306a-306f正交地对齐以在中央聚合物的uv透明基板的相对侧上限定列和行电极的矩阵。如可在图3a和图3b中可见，每个电极包括多个串联布置并且在矩阵节点附近的菱形导电垫，以便增加电极内边缘场，从而增加触摸对于电极对电极电容耦合的效果。在一些实施例中，菱形导电垫具有在约3mm至约6mm范围内的对角宽度。菱形导电垫被布置使得电极304a-304e（列电极）的导电垫和电极306a-306f（行电极）的导电垫不会在与基板主表面的平面正交的方向重叠。菱形导电垫被进一步大致布置使得位于中央聚合物的UV透明基板一侧上电极的导电垫被定位在四个与位于中央聚合物的UV透明基板相对侧上电极的导电垫相邻的中央。多层结构300还包括在第一透明导电层304上的第一金属导电层308和在第二透明导电层306上的第二金属导电层310。第一金属导电层308被图案化以形成第一组导电电路308a-308e并且第二金属导电层310被图案化以形成第二组导电电路310a-310f。导电电路308a-308e和导电电路310a-310f延伸进入第二边界314，代表多层结构300的非触摸感测区域。导电电路308a-308e大致在电极304a-304e（列方向）的纵向上延伸并且导电电路310a-310f大致在电极306a-306f（行方向）的纵向上延伸。根据本发明多方面的多层结构的优点是导电电路（文中也称为母线）构成精细间距互联器用于将透明电极连接到触敏设备的电子电路，例如，结合到多层结构中沿着触摸感测区域的边缘占据最小的非触摸感测区域，其最小化多层结构的整体尺寸并且消除对较大尺寸离散连接器、高昂的离散FPC。连接到透明电极的ACF、导电油墨印刷、和焙烧工艺的需要。如在图3a和图3b中可见，导电电路308a-308e和导电电路310a-310f每个包括连接到较宽的导电垫的窄导电迹线。在至少一个实施例中，导电迹线具有约250μm的宽度。在一些实施例中，导电迹线具有在30μm至约100μm范围内的宽度。导电迹线可具有不同的宽度，或可具有基本相同的宽度。在至少一个实施例中，导电迹线以约500μm的间隔或间距设置。在一些实施例中，导电迹线以约60μm至约200μm范围内的间隔或间距设置。在一个方面，较宽的导电垫用于促进将多层结构300，通过连接离散柔性印刷电路，诸如，如T形柔性印刷电路到多层结构300的导电垫和到电子电路，连接到触敏设备的电子电路（包括，如控制器）。这些导电垫可被提供在多层结构的一侧或两侧上以有利于此连接。在至少一个实施例中，导电垫具有约250μm的宽度。在一些实施例中，导电垫具有在约75μm至约250μm范围内的厚度。在一些实施例中，包括图案化的金属导电层的非触摸感测区域的面积与在多层结构中使用的电极数目成比例。行或列电极的数目可根据多层结构的应用和尺寸变化。在一些实施例中，在多层结构300的一侧上的图案化的第一金属导电层308的导电迹线从在多层结构300另一侧上的图案化的第二金属导电层310的导电迹线错开，以使得迹线不在与基板主表面的平面正交的方向上重叠。有利地，在此类排列中，迹线不是电容耦合的，从而避免了电气干扰。
图4示出了根据本发明的一个方面的多层结构的另一示例性实施例。多层结构400可为在触敏设备中使用的触摸传感器，诸如，如图1的触敏设备110。与图2中示出的多层结构200类似，多层结构400具有两个相对侧并且包括具有两个主要相对表面402a和402b的中央聚合物的UV透明基板402，在中央聚合物的uv透明基板402的第一主表面402a上的第一透明导电层404，在中央聚合物的UV透明基板402的第二主表面402b上的第二透明导电层406，在第一透明导电层404上的第一金属导电层408，和在第二透明导电层406上的第二金属导电层410。第一透明导电层404被图案化以形成第一组电极，并且第二透明导电层406被图案化以形成第二组电极。在一些实施例中，第一金属导电层408被图案化以形成第一组导电电路并且第二金属导电层410被图案化以形成第二组导电电路。多层结构400还包括设置在第一透明导电层404上的第一粘合剂层416和设置在第二透明导电层406上的第二粘合剂层418。在一些实施例中，其中第一透明导电层404被图案化以形成第一组电极，并且第二透明导电层406被图案化以形成第二组电极，第一粘合剂层416被设置使得其基本覆盖第一组电极和中央聚合物的UV透明基板402未被第一组电极覆盖的部分，并且第二粘合剂层418被设置使得其基本覆盖第二组电极和中央聚合物的UV透明基板402未被第二组电极覆盖的部分。在一些实施例中，其中第一金属导电层408被图案化以形成第一组导电电路并且第二金属导电层410被图案化以形成第二组导电电路，至少一部分该导电电路未被粘合剂层覆盖。在一个方面，这有利于将多层结构400，通过连接离散柔性印刷电路到多层结构400的导电垫和到电子电路，连接到触敏设备的电子电路（包括，如控制器）。在至少一个实施例中，第一粘合剂层416和第二粘合剂层418具有约50μm的厚度。在一些实施例中，粘合剂层具有在约50μm至约100μm范围内的厚度。第一粘合剂层416和第二粘合剂层418可具有不同的厚度，或可具有基本相同的厚度。在一些实施例中，第一粘合剂层416和第二粘合剂层418包括压敏粘合剂。在一些实施例中，第一粘合剂层416和第二粘合剂层418包括光学透明的粘合剂。光学透明的粘合剂可具有抗静电特性。多层结构400还包括附接到第一粘合剂层416的第一硬涂层420和附接到第二粘合剂层418的第二硬涂层422。在至少一个实施例中，第一硬涂层420和第二硬涂层422具有约6μm的厚度。在一些实施例中，该硬涂层具有在约3μm至约6μm范围内的厚度。第一硬涂层420和第二硬涂层422可具有不同的厚度，或可具有基本相同的厚度。在至少一个实施例中，第一硬涂层420和第二硬涂层422包括PET。在一些实施例中，该硬涂层可包括施用到包括，如PET、PEN或三醋酸酯（TAC）膜的透明基板的硬涂层。硬涂层可包括纳米粒子，诸如，如二氧化硅和氧化铝以保护基板，例如防止划痕。硬涂层还可具有抗反射和抗指纹的特性。
图5示出了根据本发明的一个方面的多层结构的另一示例性实施例。多层结构500可为在触敏设备中使用的触摸传感器，诸如，如图1的触敏设备110。与图4中示出的多层结构400类似，多层结构500具有两个相对侧并且包括具有两个主要相对表面502a和502b的中央聚合物的UV透明基板502，在中央聚合物的UV透明基板502的第一主表面502a上的第一透明导电层504，在中央聚合物的UV透明基板502的第二主表面502b上的第二透明导电层506，在第一透明导电层504上的第一金属导电层508，和在第二透明导电层506上的第二金属导电层510，设置在第一透明导电层504上的第一粘合剂层516，和设置在第二透明导电层506上的第二粘合剂层518。第一透明导电层504被图案化以形成第一组电极，并且第二透明导电层506被图案化以形成第二组电极。在一些实施例中，第一金属导电层508被图案化以形成第一组导电电路并且第二金属导电层510被图案化以形成第二组导电电路。在一些实施例中，其中第一透明导电层504被图案化以形成第一组电极，并且第二透明导电层506被图案化以形成第二组电极，第一粘合剂层516被设置使得其基本覆盖第一组电极和中央聚合物的UV透明基板502未被第一组电极覆盖的部分，并且第二粘合剂层518被设置使得其基本覆盖第二组电极和中央聚合物的UV透明基板502未被第二组电极覆盖的部分。在一些实施例中，其中第一金属导电层508被图案化以形成第一组导电电路并且第二金属导电层510被图案化以形成第二组导电电路，至少一部分该导电电路未被粘合剂层覆盖。在一个方面，这有利于将多层结构500，通过连接离散柔性印刷电路到多层结构500的导电垫和到电子电路，连接到触敏设备的电子电路（包括，如控制器）。多层结构500还包括附接到第一粘合剂层516的玻璃面板524和附接到第二粘合剂层518的显示单元526。在至少一个实施例中，玻璃面板524具有约0.7mm的厚度。在一些实施例中，玻璃面板524具有在约0.5mm至约1mm范围内的厚度。在一个方面，玻璃面板524用于保护多层结构防止磨损和撕裂。在至少一个实施例中，显示单元526是液晶显示（LCD）面板。
图6示出了根据本发明的一个方面的多层结构的另一示例性实施例。多层结构600可为在触敏设备中使用的触摸传感器，诸如，如图1的触敏设备110。多层结构600具有两个相对侧并且包括具有两个主要相对表面602a和602b的中央聚合物的UV透明基板602，在中央聚合物的uv透明基板602的第一主表面602a上的第一涂层628，在中央聚合物的UV透明基板602的第二主表面602b上的第二涂层630，在第一涂层628上的第一透明导电层604，和在第二涂层630上的第二透明导电层606。在至少一个实施例中，中央聚合物的UV透明基板602具有约125μm的厚度。在一些实施例中，中央聚合物的UV透明基板具有在约25μm至约200μm范围内的厚度。在一些实施例中，中央聚合物的UV透明基板602选自聚酯、聚碳酸酯、液晶聚合物、聚酰亚胺、和聚萘二甲酸乙二醇酯。在至少一些实施例中，中央聚合物的UV透明基板602包括PET。在一些实施例中，第一涂层628和第二涂层630用于通过防止低聚物从中央聚合物的UV透明基板602迁移减小雾度形成程度。在至少一个实施例中，第一涂层628和第二涂层630具有约1μm的厚度。在一些实施例中，涂层具有在1μm至约6μm范围内的厚度。第一涂层628和第二涂层630可具有不同的厚度，或可具有基本相同的厚度。有利地，透明导电层间的电容可通过增加（或减少）涂层厚度增加（或减少）。在至少一个实施例中，第一涂层628和第二涂层630具有约1.50的折射率。在一些实施例中，该涂层具有在约1.47至约2.00范围内的折射率。在一些实施例中，多层结构一侧上的折射率与多层结构另一侧上的折射率不同。一些实施例包括具有不同折射率的多个涂层。在至少一些实施例中，该涂层包括合适的UV固化性粘合剂诸如，如丙烯酸酯或环氧树脂。合适的UV固化性粘合剂可添加或不添加纳米颗粒。具有在约1nm至约75nm范围内尺寸的纳米粒子诸如，如二氧化硅或氧化锆可分散在涂层制剂中。在至少一个实施例中，纳米粒子的尺寸不超过涂层的厚度。中央聚合物的UV透明基板602、第一涂层628和第二涂层630将第一透明导电层604从第二透明导电层606分离。在至少一个实施例中，第一透明导电层604和第二透明导电层606具有约20nm的厚度。在一些实施例中，透明导电层具有在约15nm至约30nm范围内的厚度。第一透明导电层604和第二透明导电层606可具有不同的厚度，或可具有基本相同的厚度。在一些实施例中，第一透明导电层604和第二透明导电层606包括氧化铟锡（ITO）。在一些实施例中，ITO是无定形的。在一些实施例中，第一透明导电层604和第二透明导电层606包括ITO和氧化硅层。在一些实施例中，氧化硅掺杂有铝。第一透明导电层604被图案化以形成第一组电极，并且第二透明导电层606被图案化以形成第二组电极。在至少一个实施例中，该电极具有约1mm的宽度。在一些实施例中，电极以约3.5mm至约6.5mm范围内的间隔或间距提供。该电极可具有不同的宽度，或可具有基本相同的宽度。在一些实施例中，第一组电极与第二组电极正交。在其它实施例中，第一组电极和第二组电极不是彼此正交的。
图7a-图7b示出了根据本发明的一个方面的多层结构的另一示例性实施例。多层结构700可为在触敏设备中使用的触摸传感器，诸如，如图1的触敏设备110。与图2中示出的多层结构200类似，多层结构700具有两个相对侧并且包括中央聚合物的UV透明基板，在中央聚合物的UV透明基板的两个主要相对主表面的每个上的透明导电层，和在每个透明导电层上的金属导电层。多层结构700与图3a-图3b中示出的多层结构300类似。多层结构700与图3a-图3b中示出的多层结构300不同，因为它包括在电极304a-304e（列方向）的纵向上从非触摸感测区域延伸的第一纵向连接器引线732和在电极306a-306f（行方向）的纵向上从非触摸感测区域延伸的第二纵向连接器引线734。导电电路308a-308e和导电电路310a-310f延伸进入多层结构700的非触摸感测区域并且分别沿着连接器引线732和连接器引线734的长度延伸。在一个方面，连接引线用于有利于多层结构700的较宽导电垫和触敏设备的电子电路（包括，如控制器）间，通过直接连接导电垫到电子电路而不需要一个或多个离散柔性印刷电路的直接连接。因此，可提供单件结构代替包括一个或多个离散柔性印刷电路的多件结构。消除了对一个或多个离散柔性印刷电路的需要，还消除了与连接一个或多个柔性印刷电路到多层结构的相联系的困难，例如，特别是一旦多层结构层合到玻璃面板时。连接器引线可通过将中央聚合物的UV透明基板模切为所需的形状形成。在一个方面，连接器引线的长度可基于电子电路的位置和电子电路与非触摸感测区域间的距离选择。
因为适用于预期应用，一个或多个连接器引线可从在任何合适位置的多层结构的非触摸感测区域延伸。图8a-图8e示出了根据本发明多方面的多层结构的示例性实施例，其中示出了多种示例性连接器引线构型。参见图8a，多层结构800a包括在电极804a-804g（列方向）的纵向上从非触摸感测区域延伸的纵向连接器引线832a。与电极804a-804g关联的导电电路808a和与电极806a-806l关联的导电电路810a延伸进入多层结构800a的非触摸感测区域并且沿着连接器引线832a的长度延伸。参见图8b，多层结构800b包括在电极806a-806l（行方向）的纵向上从非触摸感测区域延伸的纵向连接器引线832b。与电极804a-804g关联的导电电路808b和与电极806a-806l关联的导电电路810b延伸进入多层结构800b的非触摸感测区域并且沿着连接器引线832b的长度延伸。参见图8c，多层结构800c包括在电极806a-806l（行方向）的纵向上从非触摸感测区域延伸的第一纵向连接器引线832c。与电极804a-804c关联的导电电路808c和与电极806a-806e关联的导电电路810c延伸进入多层结构800c的非触摸感测区域并且沿着连接器引线832c的长度延伸。多层结构800c还包括在与第一连接器引线832c相对的电极806a-806l（行方向）的纵向上从非触摸感测区域延伸的第二纵向连接器引线832c’。与电极804d-804g关联的导电电路808c'和与电极806f-806l关联的导电电路810c'延伸进入多层结构800c的非触摸感测区域并且沿着连接器引线832c'的长度延伸。参见图8d，多层结构800d包括在电极806a-806l（行方向）的纵向上从非触摸感测区域延伸的纵向连接器引线832d。与电极804a-804g关联的导电电路808d和与电极806a-806l关联的导电电路810d延伸进入多层结构800d的非触摸感测区域并且沿着连接器引线832d的长度延伸。参见图8e，多层结构800e包括在电极804a-804g（列方向）的纵向上从非触摸感测区域延伸的纵向连接器引线832e。与电极804a-804g关联的导电电路808e和与电极806a-806l关联的导电电路810e延伸进入多层结构800e的非触摸感测区域并且沿着连接器引线832e的长度延伸。
在一些实施例中，在非触摸感测区域中的导电电路和/或多层结构的连接器引线区域被保护层保护。例如，提供保护层可防止导电电路被腐蚀和对导电电路的物理损坏。图9示出了根据本发明的一个方面的多层结构的示例性实施例，其包括此类保护层。多层结构900可为在触敏设备中使用的触摸传感器，诸如，如图1的触敏设备110。与图4中示出的多层结构400类似，多层结构900具有两个相对侧并且包括具有两个主要相对表面902a和902b的中央聚合物的UV透明基板902，在中央聚合物的uv透明基板902的第一主表面902a上的第一透明导电层904，在中央聚合物的UV透明基板902的第二主表面902b上的第二透明导电层906，在第一透明导电层904上的第一金属导电层908，在第二透明导电层906上的第二金属导电层910，设置在第一透明导电层904上的第一粘合剂层916，设置在第二透明导电层906上的第二粘合剂层918，附接到第一粘合剂层916的第一硬涂层920，和附接到第二粘合剂层918的第二硬涂层922。多层结构900还包括在第一金属导电层908上的第一保护层936和在第二金属导电层910上的第二保护层938。例如，在图9示出的实施例中，保护层设置在金属导电层上在非触摸感测区域（在图9中标示为“A”）和连接器引线区域（图9中标示为“B”）两者中以在这些区域中提供对导电电路的保护。在一些实施例中，保护层设置在只在非触摸感测区域和连接器引线区域的一个中金属导电层上。在一些实施例中，只有一部分金属导电层被保护层覆盖。例如，其中第一金属导电层908被图案化以形成第一组导电电路并且第二金属导电层910被图案化以形成第二组导电电路，第一保护层936和第二保护层938可相应地被图案化以覆盖导电电路。在一个方面，保护层可为光成像掩膜，使得多层层结构包括在每个金属导电层上的图案化的光成像掩膜。在至少一个实施例中，第一保护层936和第二保护层938具有约25μm的厚度。在一些实施例中，保护层具有在约12μm至约25μm范围内的厚度。第一保护层936和第二保护层938可具有不同的厚度，或可具有基本相同的厚度。由于适用于预期应用，保护层在多层结构的连接器引线区域和在多层结构的非触摸感测区域中可具有不同的厚度。保护层可包括金属，诸如，如银、镍、金、和锡。金属保护层可具有在约0.03μm至1μm范围内的厚度。
制造根据本发明多方面的多层结构可以多种方式实现。其包括施加和图案化光成像层以及蚀刻基础层的步骤。根据本发明多方面的制造多层结构的方法的优点包括在层间导致高制造产率的良好的对准，减少的层数，如从常规的示例性结构中的5层到根据本发明的一个方面的示例性结构中的3层，减少的工序数，和减少的制造成本。另外，根据本发明多方面的制造多层结构的方法还避免了透明导电层间的气泡和外来材料，避免了透明导电层间的滑动，如，通过使用PET作为电介质，提供更薄的多层结构，以及提供一种结构其中图案化的透明导电层难以被肉眼辨认。图10a-图10i示出了根据本发明的一个方面制造多层结构的示例性方法的步骤。
参见图10a，提供多层结构1000。多层结构1000具有两个相对侧并且包括具有两个主要相对表面1002a和1002b的中央聚合物的UV透明基板，在中央聚合物的UV透明基板1002的第一主表面1002a上的第一透明导电层1004，在中央聚合物的UV透明基板1002的第二主表面1002b上的第二透明导电层1006，在第一透明导电层1004上的第一金属导电层1008，和在第二透明导电层1006上的第二金属导电层1010。多层结构1000可以若干方式加工。例如，透明导电层可溅射在一卷中央聚合物的UV透明基板上，并且金属导电层可溅射在透明导电层上。透明导电层可同时或依次设置在中央聚合物的UV透明基板上。在一些实施例中，同时施加第一透明导电层1004和第二透明导电层1006可更有效并且提供更好对齐的层。金属导电层可同时或依次设置在透明导电层上。在一些实施例中，同时施加第一金属导电层1008和第二金属导电层1010可更有效并且提供更好对齐的层。在一个方面，金属导电层（如，铜）的硬度可大于透明导电层（如，ITO）的硬度。在同时进行的方法中，这有助于在制造过程中保护透明导电层防止划痕，否则由于透明导电层的易碎的性质，其将导致产率损失。此外，金属导电层帮助UV同时在两侧上暴露，否则由于中央聚合物的UV透明基板（如，PET）和透明导电层的UV透射率导致其将不可能。
参见图10b-10c，在两个金属导电层上施加（图10b）和图案化（图10c）第一光成像层1040、1042以形成具有用于透明导电层的所需图案的光成像掩膜。在替代方法中，光成像掩膜具有用于透明导电层和金属导电层的所需图案。可通过使用标准层合技术施加第一光成像层1040、1042。施加第一光成像层1040、1042可同时或依次完成。在一些实施例中，同时施加第一光成像层1040、1042可更有效并且提供更好对齐的层。在至少一个实施例中，第一光成像层具有在约35μm至约50μm范围内的厚度。第一光成像层1040、1042可这样图案化，通过将其暴露于UV光，穿过掩膜，从而交联光成像层暴露的部分，然后用稀释水溶液，如，0.5-1.5重量%碳酸盐溶液显像光成像层，直到非交联部分溶解，形成所需的图案。图案化第一光成像层1040、1042可同时或依次完成。在一些实施例中，同时图案化第一光成像层1040、1042可更有效并且提供更好对齐的层。作为同时图案化的一部分，在多层结构1000的相对侧上的光成像层可同时暴露于UV光。可用在本发明多方面的第一光成像层1040、1042的实例包括负性水性的可加工可聚合可光致硬化的组合物，还称为光刻胶，如在美国专利No.3,469,982、3,448,098、3,867,153和3,526,504中公开的那些组合物。此类光刻胶包括至少一种聚合物、额外的可交联单体单元和光引发剂。光刻胶中使用的聚合物的实例包括甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯和丙烯酸的共聚物，苯乙烯和马来酸酐异丁基酯的共聚物等。可交联的单体单元可为多丙烯酸酯如三羟甲基丙烷三丙烯酸酯。可在本发明多方面中使用的一些水性的可加工负性光刻胶的实例来自聚甲基丙烯酸甲酯。
参见图10d，蚀刻第一金属导电层1008、第二金属导电层1010、第一透明导电层1004、和第二透明导电层1006被光成像掩膜暴露的部分，从而第一透明导电层1004被图案化以形成第一组电极，并且第二透明导电层1006被图案化以形成第二组电极。可用的蚀刻剂为包括氯化铜和氯化铁的水溶性氧化还原金属氯化物和无机酸如盐酸、磷酸和硝酸，如在新加坡专利申请No.201105168-7，“Etching Method and Devices Produced Using theEtching Method”中进一步描述的。可用的蚀刻剂浓度随着以下具体的选择变化，待蚀刻的透明导电层和金属导电层的厚度，以及选择的光刻胶类型和尺寸。可用的氯化铜浓度范围为从约100g/L至约180g/L并且盐酸的浓度范围为从约0.04至约2N。蚀刻步骤通过将透明导电层和金属导电层的非掩膜区域与氧化还原金属氯化物蚀刻剂接触实现。蚀刻的时间取决于待蚀刻的透明导电层和金属导电层的类型和厚度并且通常为从约10秒至约20分钟。例如，当使用氯化铜蚀刻剂时，用于具有约95nm厚度（约20nm ITO+约45nm SiAlO+约20nmITO）的透明导电层ITO-SiAlO-ITO和具有约8μm的厚度的铜金属导电层的蚀刻时间是约2分钟。蚀刻溶液大致在约50℃至约80℃的温度。在多层结构1000的相对侧上蚀刻透明导电层可同时或依次完成。在一些实施例中，同时在多层结构1000的相对侧上蚀刻透明导电层可更有效。在多层结构1000的相对侧上蚀刻金属导电层可同时或依次完成。在一些实施例中，同时在多层结构1000的相对侧上蚀刻金属导电层可更有效。在一个方面，氯化铜蚀刻剂能同时蚀刻透明导电层（如，ITO）和金属导电层（如，铜），从而消除了对两种不同蚀刻剂依次蚀刻透明导电层和金属导电层的需要。
参见图10e，清除光成像掩膜。这可通过将多层结构1000放置在约40℃至约50℃温度的30-50%单乙醇胺溶液中实现。
参见图10f-10g，在每个金属导电层的保留部分上施加（图10f）和图案化（图10g）第二光成像层1044、1046以形成具有用于金属导电层所需图案的光成像掩膜。在可替换的方法中，如，当光成像掩膜具有用于透明导电层和金属导电层的所需图案时，光成像掩膜保护金属导电层的所需的图案。在一些实施例中，第一金属导电层1008被图案化以形成第一组导电电路并且第二金属导电层1010被图案化以形成第二组导电电路。在至少一个实施例中，用于金属导电层中的一者或二者的所需图案包括用于将透明导电层连接到设备的电路，诸如，如触敏设备。施加和图案化第二光成像层1044、1046可如上述关于图10b-10c所描述的那样进行。
参见图10h，蚀刻第一金属导电层1008和第二金属导电层1010暴露的部分。蚀刻金属导电层暴露的部分可如上述关于图10d所描述的那样完成。在至少一个实施例中，金属导电层暴露部分用不蚀刻ITO的蚀刻剂蚀刻。例如，蚀刻剂可为基于氨水的。基于氨水的蚀刻剂可选择性蚀刻金属导电层（如，铜）而不影响透明导电层（如ITO-SiAlO-ITO）。
参见图10i，清除光成像掩膜。这可通过将多层结构1000放置在约40℃至约50℃温度的30-50%单乙醇胺溶液中实现。
图11示出了一种示例性实施例，其中图案化的透明导电层至少与中央聚合物的UV透明基板指数匹配。因此，图案化的透明导电层的图案难以被肉眼辨认。在一个方面，多层结构1100可以是用于触敏设备的触摸传感器，诸如，如图1的触敏设备110。多层结构1100具有两个相对侧并且包括具有两个主要相对表面1102a和1102b的中央聚合物的UV透明基板1102，在中央聚合物的UV透明基板1102的第一主表面1102a上的第一透明导电层1104，在中央聚合物的UV透明基板1102的第二主表面1102b上的第二透明导电层1106。第一透明导电层1104被图案化以形成第一组电极，并且第二透明导电层1106被图案化以形成第二组电极。中央聚合物的UV透明基板1102包括从杜邦帝人薄膜（DuPont Teijin Films）购得的商品名称为Melinex ST505的PET，并且具有约125μm的厚度和约1.63的折射率。在一些实施例中，中央聚合物的UV透明基板具有大于约1.60或大于约1.63的折射率，其导致电极图案肉眼不可辨认。中央聚合物的UV透明基板1102将第一透明导电层1104从第二透明导电层1106分离。第一透明导电层1104包括具有约23nm厚度的ITO的第一层1104a，该第一层1104a在具有约49nm厚度的掺杂有铝的氧化硅的第一层1104b上，该第一层1104b在约23nm厚度的ITO的第二层1104c上。第二透明导电层1106包括具有约23nm厚度的ITO的第一层1106a，该第一层1106a在具有约49nm厚度的掺杂有铝的氧化硅的第一层1106b上，该第一层1106b在具有约23nm厚度的ITO的第二层1106c上。多层结构1100还包括设置在第一透明导电层1104上的第一粘合剂层1116和设置在第二透明导电层1106上的第二粘合剂层1118。第一粘合剂层1116被设置使得其基本覆盖第一组电极和中央聚合物的UV透明基板1102未被第一组电极覆盖的部分，并且第二粘合剂层1118被设置使得其基本覆盖第二组电极和中央聚合物的UV透明基板1102未被第二组电极覆盖的部分。第一粘合剂层1116包括从美国明尼苏达州的3M公司（3M Company,Minnesota,U.S.A.）购得的商品名称为8142KCL的光学透明的粘合剂，并且具有约50μm的厚度和约1.47的折射率。第二粘合剂层1118包括从美国明尼苏达州的3M公司（3M Company,Minnesota,U.S.A.）购得的商品名称为8271的光学透明的粘合剂，并且具有约25μm的厚度和约1.49的折射率。多层结构1100还包括附接到第一粘合剂层1116的玻璃面板1124。玻璃面板1124具有约0.7mm的厚度。多层结构1100还包括附接到第二粘合剂层1118的硬涂层1122。硬涂层1122包括从杜邦帝人薄膜（DuPont Teijin Films）购得的商品名称为Melinex ST505的PET，并且具有约125μm的厚度。
现参见图12a-图12f，在根据本发明的一个方面的多层结构的示例性实施例的不同区域测量的反射率提供了多层结构图案化的透明导电层肉眼难以辨认水平的指示。多层结构1200可为在触敏设备中使用的触摸传感器，诸如，如图1的触敏设备110。参见图12a-12e，多层结构1200具有两个相对侧并且包括具有两个主要相对表面1202a和1202b的中央聚合物的UV透明基板1202，在中央聚合物的UV透明基板1202的第一主表面1202a上的第一透明导电层1204，在中央聚合物的UV透明基板1202的第二主表面1202b上的第二透明导电层1206。第一透明导电层1204被图案化以形成第一组电极，并且第二透明导电层1206被图案化以形成第二组电极。多层结构1200还包括设置在第一透明导电层1204上的第一粘合剂层1216和设置在第二透明导电层1206上的第二粘合剂层1218。第一粘合剂层1216被设置使得其基本覆盖第一组电极和中央聚合物的UV透明基板1202未被第一组电极覆盖的部分，并且第二粘合剂层1218被设置使得其基本覆盖第二组电极和中央聚合物的UV透明基板1202未被第二组电极覆盖的部分。多层结构1200还包括附接到第一粘合剂层1216的第一硬涂层1220和附接到第二粘合剂层1218的第二硬涂层1222。图12a是多层结构1200的一部分的俯视图，其示出了有第一透明导电层1204形成的第一组电极的一部分和由第二透明导电层1206形成的第二组电极的一部分。图12b-12e是分别在区域A1-A4（图12a）中得到的多层结构1200的剖视图。中央聚合物的UV透明基板1202包括从杜邦帝人薄膜（DuPont TeijinFilms）购得的商品名称为Melinex ST505的PET，并且具有约125μm的厚度和约1.63的折射率。第一透明导电层1204包括具有约49nm厚度的掺杂有铝的氧化硅的第一层上的具有约23nm厚度的ITO的第一层，该掺杂有铝的氧化硅的第一层在具有约23nm厚度的ITO的第二层上。第二透明导电层1206包括具有约49nm厚度的掺杂有铝的氧化硅的第一层上的具有约23nm厚度的ITO的第一层，该掺杂有铝的氧化硅的第一层在具有约23nm厚度的ITO的第二层上。第一粘合剂层1216包括从美国明尼苏达州的3M公司（3M Company,Minnesota,U.S.A.）购得的商品名称为8142KCL光学透明的粘合剂，并且具有约50μm的厚度和约1.47的折射率。第二粘合剂层1218包括从美国明尼苏达州的3M公司（3MCompany,Minnesota,U.S.A.）购得的商品名称为8271的光学透明的粘合剂，并且具有约25μm的厚度和约1.49的折射率。第一硬涂层1220和第二硬涂层1222各包括从杜邦帝人薄膜（DuPont Teijin Films）购得的商品名称为Melinex ST505的PET，并且具有约125μm的厚度。或者，可使用从杜邦帝人薄膜（DuPont Teijin Films）购得的商品名称为Melinex ST504或任何合适的光学透明的热稳定的PET。在一些实施例中，每个硬涂层都包括具有硬涂层的PET。在一些实施例中，第一硬涂层1220包括玻璃并且第二硬涂层1222包括隔离衬片，其在一个方面提供经济性和薄组件。例如，在清除隔离衬片后，多层结构可层合到LCD面板。如图12f所示，在多层结构1200的不同区域和在至少约400nm至约800nm范围内的波长处的反射率在约1%范围内。由于可见光的范围从紫色，大致400nm，到深红色，大致700nm，这些测量表明肉眼难以辨认的多层结构的图案化的透明导电层的良好程度。
以下是根据本发明的多个方面的方法或制品的示例性实施例。
实施例1是一种方法，其包括：提供多层结构，其具有两个相对侧，并且包括具有两个主要相对表面的中央聚合物的UV透明基板，在聚合物的基板的两个主要相对表面的中每个上的透明导电层，和在每个透明导电层上的金属导电层；在两个金属导电层上施加和图案化第一光成像层，以形成具有用于透明导电层的所需图案的光成像掩膜；蚀刻金属导电层和透明导电层被光成像掩膜暴露的部分；清除光成像掩膜；在每个金属导电层的剩余部分上施加和图案化第二光成像层，以形成用于金属导电层所需图案的光成像掩膜；以及蚀刻金属导电层的暴露部分。
实施例2为一种方法，其包括：提供一种多层结构，其具有两个相对侧，并且包括具有两个主要相对表面的中央聚合物的UV透明基板，在聚合物的基板的两个主要相对表面的每个上的透明导电层，和在每个透明导电层上的金属导电层；在两个金属导电层上施加和图案化第一光成像层，以形成具有用于透明导电层和金属导电层的所需图案的光成像掩膜；蚀刻金属导电层和透明导电层被光成像掩膜暴露的部分；清除光成像掩膜；在每个金属导电层的剩余部分上施加和图案化第二光成像层，以形成保护金属导电层的所需图案的光成像掩膜；以及蚀刻金属导电层的暴露部分。
实施例3是实施例1或实施例2的方法，其中中央聚合物的基板选自聚酯、聚碳酸酯、液晶聚合物、聚酰亚胺、和聚萘二甲酸乙二醇酯。
实施例4是实施例1或实施例2的方法，其中中央柔性基板包括聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）。
实施例5是实施例1或实施例2的方法，其中透明导电层包括氧化铟锡（ITO）。
实施例6是实施例5的方法，其中ITO是无定形的。
实施例7是实施例1或实施例2的方法，其中透明导电层包括ITO和氧化硅层。
实施例8是实施例7的方法，其中在氧化硅中掺杂有铝。
实施例9是实施例1或实施例2的方法，其中在多层结构相对侧上的光成像层同时暴露于UV光。
实施例10是实施例1或实施例2的方法，其中在多层结构的相对侧上的金属导电层是同时蚀刻的。
实施例11是实施例1或实施例2的方法，其中在多层结构的相对侧上的透明导电层是同时蚀刻的。
实施例12是实施例1或实施例2的方法，其中金属导电层选自铜、铝、金、银、镍、和锡。
实施例13是实施例1或实施例2的方法，其中用于金属导电层中一者或二者的所需图案包括用于将透明导电层连接到设备的电路。
实施例14是实施例1或实施例2的方法，其中金属导电层的暴露部分用不蚀刻ITO的蚀刻剂蚀刻。
实施例15是实施例14的方法，其中蚀刻剂是基于氨水的。
实施例16为一种制品，其包括：多层结构，其具有两个相对侧，并且包括具有两个主要相对表面的中央聚合物的UV透明基板，在聚合物的基板的两个主要相对表面中每个上的透明导电层，和在每个透明导电层上的金属导电层；
实施例17是实施例16的制品，其中多层结构还包括在每个金属导电层上的光成像掩膜。
实施例18是实施例16的制品，其中两个透明导电层均被图案化。
实施例19是实施例18的制品，其中两个金属导电层均被图案化。
实施例20是实施例19的制品，其中图案化的金属导电层包括具有约30至约100微米宽，约3至约35微米高、和约60至约200微米间距的迹线。
实施例21是实施例19的制品，其中图案化的金属导电层包括迹线在内的电路，其中在多层结构一侧上的图案化金属导电层的迹线从在多层结构另一侧上的图案化的金属导电层的迹线错开，使得迹线不会在与基板主表面的平面正交的方向上重叠。
实施例22是实施例16的制品，其中中央聚合物的基板选自聚酯、聚碳酸酯、液晶聚合物、聚酰亚胺、和聚萘二甲酸乙二醇酯。
实施例23是实施例16的制品，其中中央聚合物的基板包括聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）。
实施例24是实施例16的制品，其中透明导电层包括氧化铟锡（ITO）。
实施例25是实施例24的制品，其中ITO是无定形的。
实施例26是实施例16的制品，其中透明导电层包括ITO和氧化硅的层。
实施例27是实施例26的制品，其中氧化硅掺杂有铝。
实施例28是实施例16的制品，其中金属导电层选自铜、铝、和金。
实施例29是实施例16的制品，其中多层结构包括非触摸感测区域和从非触摸感测区域延伸的至少一个纵向连接器引线。
实施例30为一种制品，其包括：多层结构，其具有两个相对侧，并且包括具有相对主表面的中央聚合物的UV透明基板，和在基板相对主表面上的图案化的透明导电层，其中聚合物的UV透明基板具有大于约1.60的折射率。
实施例31是实施例30的制品，其中聚合物的UV透明基板具有大于约1.63的折射率。
实施例32是实施例30的制品，其还包括在两个透明导电层上的图案化的金属导电层。
实施例33是实施例32的制品，其中图案化的金属导电层包括迹线在内的电路，该迹线宽约30至约100微米，高约3至约35微米，并且间距约60至约200微米。
实施例34是实施例32的制品，其中图案化的金属导电层包括迹线在内的电路，其中在多层结构一侧上的图案化的金属导电层的迹线从在多层结构另一侧上的图案化的金属导电层的迹线错开，使得迹线不会在与基板主表面的平面正交的方向上重叠。
除非另外指明，否则本说明书和权利要求书中用来表示数量、特性量度等的所有数值都应当理解为由术语“约”修饰。因此，除非有相反的指示，否则本说明书和权利要求书中列出的数值参数均为近似值，这些近似值可根据本领域内的技术人员利用本专利申请的教导内容想要获得的所需特性而改变。并且不旨在将等同原则的应用限制在权利要求书范围内，至少应该根据所记录的有效数位的数目和通过应用惯常的四舍五入法来解释每个数值参数。虽然给出本发明宽范围的数值范围和参数是近似值，但就任何数值均在本文所述具体实例中列出来说，其记录尽可能地精确并且合理。然而，任何数值可以包括与测试或测量限制关联的误差。
虽然本文出于说明优选实施例的目的对特定实施例进行了图示和描述，但本领域的普通技术人员应当理解，在不脱离本发明的范围的前提下，各种旨在达到相同目的替代的和/或等同形式的具体实施可以取代图示和描述的具体实施例。机械、光学和电学领域的技术人员将易于理解到，本发明可实施于众多实施例中。本专利申请旨在涵盖本文所讨论的优选实施例的任何修改形式或变型形式。因此，显而易见，本发明仅受本发明权利要求书及其等同物的限制。

Claims (16)

1.一种制造多层结构的方法，所述方法包括：
提供一种多层结构，所述多层结构具有两个相对侧，并且包括具有两个主要相对表面的中央聚合物的UV透明基板，在所述聚合物的基板的所述两个主要相对表面的每个上的透明导电层，和在每个透明导电层上的金属导电层；
在两个金属导电层上施加和图案化第一光成像层，以形成具有用于所述透明导电层的所需图案的光成像掩膜；
蚀刻所述金属导电层和透明导电层被所述光成像掩膜暴露的部分；
清除所述光成像掩膜；
在每个金属导电层的剩余部分上施加和图案化第二光成像层，以形成具有用于所述金属导电层的所需图案的光成像掩膜；和
用不蚀刻氧化铟锡的蚀刻剂蚀刻所述金属导电层的暴露部分，由此在所述金属导电层中形成以60微米至200微米范围内的间距设置的导电迹线，
其中，每个透明导电层包括第一氧化铟锡层和第二氧化铟锡层以及布置在所述第一氧化铟锡层和所述第二氧化铟锡层之间的氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述多层结构的相对侧上的所述光成像层同时暴露于UV光。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述多层结构的相对侧上的所述金属导电层同时被蚀刻。
4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述多层结构的相对侧上的所述透明导电层同时被蚀刻。
5.根据权利要求1所述的方法，其中用于所述金属导电层中一者或二者的所述所需图案包括用于将所述透明导电层连接到设备的电路。
6.一种制造多层结构的方法，所述方法包括：
提供一种多层结构，所述多层结构具有两个相对侧，并且包括具有两个主要相对表面的中央聚合物的UV透明基板，在所述聚合物的基板的所述两个主要相对表面的每个上的透明导电层，和在每个透明导电层上的金属导电层；
在两个金属导电层上施加和图案化第一光成像层，以形成具有用于所述透明导电层和所述金属导电层的所需图案的光成像掩膜；
蚀刻所述金属导电层和透明导电层被光成像掩膜暴露的部分，由此在所述金属导电层中形成以60微米至200微米范围内的间距设置的导电迹线；
清除所述光成像掩膜；
在每个金属导电层的剩余部分上施加和图案化第二光成像层，以形成保护所述金属导电层的所需图案的光成像掩膜；和
蚀刻所述金属导电层的暴露部分，
其中，每个透明导电层包括第一氧化铟锡层和第二氧化铟锡层以及布置在所述第一氧化铟锡层和所述第二氧化铟锡层之间的氧化硅层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述多层结构的相对侧上的所述光成像层同时暴露于UV光。
8.根据权利要求6所述的方法，其中在所述多层结构的相对侧上的所述金属导电层同时被蚀刻。
9.根据权利要求6所述的方法，其中在所述多层结构的相对侧上的所述透明导电层同时被蚀刻。
10.根据权利要求6所述的方法，其中用于所述金属导电层中一者或二者的所述所需图案包括用于将所述透明导电层连接到设备的电路。
11.根据权利要求6所述的方法，其中所述金属导电层的所述暴露部分用不蚀刻氧化铟锡的蚀刻剂蚀刻。
12.一种包括多层结构的制品，其中：
所述多层结构具有两个相对侧，并且包括中央聚合物的UV透明基板，在所述聚合物的基板的两个主要相对表面的每个上的透明导电层，和在每个透明导电层上的金属导电层，
其中，每个金属导电层被图案化并且包括以60微米至200微米范围内的间距设置的迹线，并且其中每个透明导电层包括第一氧化铟锡层和第二氧化铟锡层以及布置在所述第一氧化铟锡层和所述第二氧化铟锡层之间的氧化硅层。
13.根据权利要求12所述的制品，其中所述多层结构还包括在每个金属导电层上的图案化的光成像掩膜。
14.根据权利要求12所述的制品，其中两个透明导电层都被图案化。
15.根据权利要求12所述的制品，其中所述多层结构包括非触摸感测区域和从所述非触摸感测区域延伸的至少一个纵向连接器引线。
16.一种包括多层结构的制品，其中：
所述多层结构具有两个相对侧，并且包括具有相对主表面的中央聚合物的UV透明基板，和在所述基板的相对主表面上的图案化的透明导电层，其中所述聚合物的UV透明基板具有大于1.60的折射率，所述制品还包括在两个透明导电层上的图案化金属导电层，每个图案化金属导电层包括以60微米至200微米范围内的间距设置的迹线，并且其中每个图案化的透明导电层包括第一氧化铟锡层和第二氧化铟锡层以及布置在所述第一氧化铟锡层和所述第二氧化铟锡层之间的氧化硅层。
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