CN102096535A - 一种制作电容触摸屏的方法 - Google Patents

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本发明涉及一种制作电容触摸屏的方法，其特征在于包括如下步骤：1、基板的a、b面分别镀导电层；2、a面导电层上涂布光刻胶；3、对a面光刻胶曝光、显影；4、a面光刻胶钝化：即在红外隧道炉加热分解光刻胶的光敏剂，加热温度在115℃～150℃之间，加热时间是120秒～3600秒；5、b面导电层上涂布光刻胶；6、对b面涂布光刻胶曝光、显影；7、b面涂布光刻胶的加热硬化，加热温度是：100℃～150℃，时间是：120秒～3600秒；8、两面的透明导电材料同时蚀刻；9、去除两面的光刻胶。本发明的优势在于：由于a面光刻胶进行的钝化处理：分解了a面光刻胶的光敏剂，可以让双面透明导电图案同时蚀刻；这样可以减少生产工序，可以节约流程时间，减少材料成本和设备投资。

Description

一种制作电容触摸屏的方法
技术领域
本发明涉及电子元器件中的触摸屏的制作方法，特别涉及一种双面电容触摸屏电极制作方法。
背景技术
电容触摸屏可实现多点和准确的触摸感应，而且结构简单、透光率高，是当前显示触控技术发展的主流方向。其中双面电容触摸屏的行电极和列电极分别设置在基板的正b面上。在制作工艺方面存在的问题是：在基板的a面涂布光刻胶，经光刻、硬化后，必须在基板b面涂布光刻胶保护层，才能进行a面刻蚀导电层；然后将正b面的光刻胶去除后，再在b面涂布光刻胶、经过光刻、硬化后，仍然需要在a面涂布光刻胶保护层，才能进行b面刻蚀导电层。因此该方法步骤繁杂、效率低下，制作成本较高。针对上述问题进行检索，尚未发现有效的解决方案。
发明内容
本发明的目的就是针对现有的双面电容触摸屏电极制作方法存在的制作步骤繁杂、效率低下、成本较高的缺点，提供的一种制作电容触摸屏的方法。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种制作电容触摸屏的方法，其特征在于包括如下步骤：
1、基板的a、b面分别镀导电层；
2、a面导电层上涂布光刻胶；
3、对a面光刻胶曝光、显影；
4、a面光刻胶钝化：即在红外隧道炉加热分解光刻胶的光敏剂，加热温度在115℃～150℃之间，加热时间是120秒～3600秒；
5、b面导电层上涂布光刻胶；
6、对b面涂布光刻胶曝光、显影；
7、b面涂布光刻胶的加热硬化，加热温度是：100℃～150℃，时间是：120秒～3600秒；
8、两面的导电材料同时蚀刻；
9、去除两面的光刻胶。
本发明技术方案中采用的各种原材料都是现有技术中的常规材料，采用的光刻工艺也是本行业内的成熟工艺。
本发明的优势在于：由于a面光刻胶进行的钝化处理：分解了a面光刻胶的光敏剂，可以让双面透明导电图案同时蚀刻；这样可以减少生产工序，可以节约流程时间，减少材料成本和设备投资。
附图说明：
图1是在基板的a面导电层上涂布光刻胶的示意图；
图2是对a面光刻胶曝光的示意图；
图3是对a面光刻胶显影的示意图；
图4是对a面光刻胶钝化的示意图；
图5是对b面导电层上涂布光刻胶的示意图；
图6是对b面涂布光刻胶曝光的示意图；
图7是对b面涂布光刻胶显影的示意图；
图8是对b面涂布光刻胶加热硬化的示意图；
图9是对a、b两面的透明导电层同时蚀刻的示意图；
图10是去除两面的光刻胶后形成双面电极的示意图。
具体实施方式：
本发明提供的一种制作电容触摸屏的方法，其特征在于包括如下步骤：
1、在溅射透明导电层1、3的基板2的a面上涂布光刻胶4，如图1所示，涂布方式可以用辊轮涂布，也可以用旋转涂布，使光刻胶的厚度可以均匀到10％左右，然后预固化。预固化可以用隧道炉也可以用热风式烤箱，预固化的目的是为了使光刻胶部分交联，但必须保证可靠的光敏性。温度条件：60℃～100℃，时间：120秒～3600秒。
2、如图2所示，a面采用光罩5a，紫外光光照曝光，照射紫外光的强度：50mj～150mj。光源可以是平行光。光罩5a和基板的距离控制在20微米～200微米，目的是使透光部分的光刻胶在紫外光的照射下分解足够显影材料溶解。
3、a面显影，材料：NAOH水溶液，浓度：0.1％～1％，显影时间：20秒～150秒，温度：20℃～40℃，然后用纯水漂洗。
4、a面光刻胶4钝化，本发明钝化的目的除了使光刻胶能很好的附着在基板表面以外，还必须使光刻胶的光敏性下降，下降到第二次曝光时不会分解。本发明使用方法是使用红外隧道炉加热分解光刻胶的光敏剂，加热的条件是必须大于115℃，在115℃～150℃之间，时间是：120秒～3600秒。
本步骤在现有技术中采用的是硬化工艺，其硬化方式一般有热风烘箱、红外隧道炉、热板等。加热温度控制在100±10℃，时间：热风烘箱30分钟、红外隧道炉2分钟、热板2分钟。硬化目的仅是为了使光刻胶能够很好的附着在基板的表面，该面光刻胶的任然具有一定的光敏性，在第二面曝光时较容易感光分解，因此无法进行另一面曝光，也无法进行双面同时刻蚀。
5、如图5所示，在基板2的b面涂布光刻胶4，涂布方式可以采用辊轮涂布，也可以用旋转涂布。使光刻胶的厚度可以均匀到10％左右，然后预固化。预固化可以用隧道炉也可以用热风式烤箱，预固化的目的是为了使光刻胶部分交联，但必须保证可靠的光敏性，温度条件：60℃～100℃.时间：120秒～3600秒。需要注意的是此时a面不可以涂布光刻胶。
6、如图6所示，采用光罩5b，用紫外光光照b面的光刻胶4(1)，照射紫外光的强度：50mj～150mj。光源可以是平行光，光罩和基板的距离控制在20微米～200微米，目的是使透光部分的b面光刻胶在紫外光的照射下分解足够显影材料溶解，而钝化了的a面光刻胶4(3)不会在显影过程中被显影液分解。
7、如图7所示，对b面的光刻胶4(1)显影，显影材料：NAOH水溶液，浓度：0.1％～0.5％，显影时间：20秒～120秒，温度：20℃～40℃，然后用纯水漂洗。
8、如图8所示，对b面光刻胶进行硬化，硬化的目的是使b面光刻胶的光敏性下降，同时可以增加两面的光刻胶的耐酸时间。加热的条件是：100℃～150℃.时间是：120秒～3600秒。
9、如图9所示，两面的透明导电层1、3同时蚀刻，蚀刻的方式：槽式蚀刻或片式刻蚀，蚀刻材料：18％HCL+5％HNO3，时间：80秒～600秒。
10、如图10所示，去除两面的光刻胶，形成双面透明导电极1、3。使用材料：5％～10％NAOH，时间：60秒～600秒，温度：40℃～60℃，然后用纯水漂洗。
本实施列中：
a、b面透明导电薄膜，膜厚5nm～25nm，电阻范围：80欧姆/□～400欧姆/□；透明导电薄膜可以是氧化铟锡、氧化锡、氧化锌或其他透明导电薄膜材料。
透明基板2材料可以是透明的玻璃、有机玻璃、PET薄膜等。厚度为0.12mm～2mm，透过率75％～95％；
光刻胶采用感UV光耐酸树脂，厚度500～2500nm；
a面光罩5a，厚度0.1mm～5mm，透明部分透光率75％～95％；
b面光罩5b，厚度0.1mm～5mm，透明部分透光率75％～95％；

Claims (1)

1.一种制作电容触摸屏的方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)、基板(2)的a面镀导电层(3)、b面镀导电层(1)；
(2)、a面导电层(3)上涂布光刻胶(4)；
(3)、对光刻胶(4)曝光、显影；
(4)、a面光刻胶(4)钝化：即在红外隧道炉加热分解光刻胶的光敏剂，加热温度在115℃～150℃之间，加热时间是120秒～3600秒；
(5)、b面导电层(1)上涂布光刻胶(4)；
(6)、对b面涂布光刻胶(4)进行曝光、显影；
(7)、对b面光刻胶(4)的加热硬化，加热温度是：100℃～150℃，时间是：120秒～3600秒；
(8)、两面的导电层同时蚀刻；
(9)、去除两面的光刻胶。
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