CN108037849A - 一种ito触摸屏加工处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种应用于触摸屏生产加工技术领域的ITO触摸屏加工处理方法,所述的ITO触摸屏加工处理方法的加工步骤为:对触摸屏原材的原材A面和原材B面分别进行镀膜处理后,对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理;对原材B面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理;3)对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理,完成后进行光阻脱膜处理,完成ITO触摸屏加工处理,本发明所述的ITO触摸屏加工处理方法,步骤简单,能够方便快捷完成ITO触摸屏加工处理,将ITO触摸屏加工流程减少近一半,实现时间、物料、人力成本节约,降低ITO触摸屏不良机率,减少产品生产周期,全面提升市场竞争力。
Description
技术领域
本发明属于触摸屏生产加工技术领域,更具体地说,是涉及一种ITO触摸屏加工处理方法。
背景技术
现有技术中的ITO触摸屏加工时,采用的流程是AITO显影→AITO蚀刻→ BITO显影→AITO保护→BITO蚀刻,这样的处理方法,流程复杂,且过程中还需进行黄光镀膜的产品周转,费时费力,且处理程序多,造成产品不良机率增加。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:针对现有技术的不足,提供一种步骤简单,能够方便快捷完成ITO触摸屏加工处理,从而将ITO触摸屏加工流程减少近一半,大幅度实现时间、物料、人力成本节约,降低ITO触摸屏产品的不良机率,减少ITO触摸屏产品生产周期,提升市场竞争力的ITO触摸屏加工处理方法。
要解决以上所述的技术问题,本发明采取的技术方案为:
本发明为一种ITO触摸屏加工处理方法,所述的ITO触摸屏加工处理方法的加工步骤为:1)加工ITO触摸屏的ITO触摸屏原材包括原材A面和原材B面,对原材A面和原材B面分别进行镀膜处理后,对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理;2)对原材B面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理;3)对原材A 面和原材B面同时进行蚀刻处理,完成后进行光阻脱膜处理,完成ITO触摸屏加工处理;4)重复上述步骤,可以批量完成ITO触摸屏加工处理。
加工ITO触摸屏原材时,将混合导电物质氧化铟锡真空溅射镀到触摸屏基板上,形成透明导电膜层,形成透明导电膜层与触摸屏基板结合后形成ITO触摸屏原材。
对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理时,前烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间,曝光处理时间控制在0.38min-0.42min之间,后烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间,前烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间,后烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间。
对原材B面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理时,前烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间,曝光处理时间控制在0.38min-0.42min之间,后烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间,前烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间,后烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间。
对原材A面进行显影处理时,对A面线宽线距控制,对光阻膜厚监控;线宽线距控制时控制显影液的电导率在49-51mS/cm,光阻的膜厚控制在 2.8-3.2um;对原材B面进行显影时,处理显影不净、过显和药液残留问题,处理显影不净和过显时,调整电导率范围在46-48mS/cm,同时关闭显影药液段的下喷;处理药液残留问题时,通过增加显影机纯水段下喷水洗段压力到0.1MPa 以上来实现。
对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理时,通过将ITO触摸屏原材浸入蚀刻液中进行蚀刻处理,在蚀刻液中浸入的时间在2.4min-2.7min之间。
蚀刻液中的三氯化铁的重量百分比为5%-15%,盐酸的重量百分比为 20%-40%,溶剂为水,ITO触摸屏原材浸入蚀刻液中进行蚀刻处理时蚀刻液的温度为39℃-41℃。
采用本发明的技术方案,能得到以下的有益效果:
本发明所述的ITO触摸屏加工处理方法,能够对现有技术中生产ITO触摸屏的工艺流程进行改进,从而能够改变现有技术中对在对原材A面(AITO)显影后会紧跟和原材B面(BITO)显影的工艺,而是先对对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理,再对原材B面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理,这样,对原材B面进行显影处理时,因为原材A面已经完成多道处理工序,因此,在对BITO光阻进行曝光时,不会对AITO面已曝光光阻产生干扰,从而有效避免造成AITO显影后图形异常问题,提高ITO触摸屏整体质量。而上述步骤,对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理,从而使得进行蚀刻处理时原材A面和原材B面不会被导轮刮伤,避免损坏,提高成品质量。而同时蚀刻,原材A面和原材B面同时接触蚀刻液,也能够避免蚀刻液残留问题,避免造成在对BITO 蚀刻时,蚀刻液会落在已经经过蚀刻处理的AITO,造成AITO图形不良问题。本发明所述的ITO触摸屏加工处理方法,步骤简单,能够方便快捷完成ITO触摸屏加工处理,将ITO触摸屏加工流程减少近一半,实现时间、物料、人力成本节约,降低ITO触摸屏不良机率,减少产品生产周期,全面提升市场竞争力。
具体实施方式
下面通过对实施例的描述,对本发明的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理等作进一步的详细说明:
本发明为一种ITO触摸屏加工处理方法,所述的ITO触摸屏加工处理方法的加工步骤为:1)加工ITO触摸屏(DITO)的ITO触摸屏原材包括原材A面和原材B面,对原材A面和原材B面分别进行镀膜处理后,对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理;2)对原材B 面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理;3) 对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理,完成后进行光阻脱膜处理,完成ITO 触摸屏加工处理;4)重复上述步骤,可以批量完成ITO触摸屏加工处理。上述步骤,能够对现有技术中生产ITO触摸屏的工艺流程进行改进,从而能够改变现有技术中对在对原材A面(AITO)显影后会紧跟和原材B面(BITO)显影的工艺,而是先对对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理,再对原材B面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理,这样,对原材B面进行显影处理时,因为原材A面已经完成多道处理工序,因此,在对BITO光阻进行曝光时,不会对AITO 面已曝光光阻产生干扰,从而有效避免造成AITO显影后图形异常问题,提高ITO 触摸屏整体质量。而上述步骤,对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理,从而使得进行蚀刻处理时原材A面和原材B面不会被导轮刮伤,避免损坏,提高成品质量。而同时蚀刻,原材A面和原材B面同时接触蚀刻液,也能够避免蚀刻液残留问题,避免造成在对BITO蚀刻时,蚀刻液会落在已经经过蚀刻处理的 AITO,造成AITO图形不良问题。本发明所述的ITO触摸屏加工处理方法,步骤简单,能够方便快捷完成ITO触摸屏加工处理,将ITO触摸屏加工流程减少近一半,大幅度实现时间、物料、人力成本节约,降低ITO触摸屏产品的不良机率,减少ITO触摸屏产品生产周期,全面提升市场竞争力。
加工ITO触摸屏原材时,将混合导电物质氧化铟锡真空溅射镀到触摸屏基板上,形成透明导电膜层,形成透明导电膜层与触摸屏基板结合后形成ITO触摸屏原材。上述步骤,能方便高效形成ITO触摸屏原材,便于生产ITO触摸屏。
对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理时,前烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间,曝光处理时间控制在0.38min-0.42min之间,后烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间,前烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间,后烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间。上述时间控制和温度控制,能够确保原材A面高效率、高质量完成光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理,而对原材A面的上述处理不会影响原材B面的处理,两者不会相互干扰,降低ITO触摸屏产品的不良机率,减少ITO触摸屏产品生产周期,全面提升ITO触摸屏市场竞争力。
对原材B面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理时,前烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间,曝光处理时间控制在0.38min-0.42min之间,后烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间,前烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间,后烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间。上述时间控制和温度控制,能够确保原材B面高效率、高质量完成光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理,而对原材B面的上述处理不会影响原材A面的处理,两者不会相互干扰,降低ITO触摸屏产品的不良机率,减少ITO触摸屏产品生产周期,全面提升ITO触摸屏市场竞争力。
对原材A面进行显影处理时,对A面线宽线距控制,对光阻膜厚监控;线宽线距控制时控制显影液的电导率在49-51mS/cm,光阻的膜厚控制在 2.8-3.2um;对原材B面进行显影时,处理显影不净、过显和药液残留问题,处理显影不净和过显时,调整电导率范围在46-48mS/cm,同时关闭显影药液段的下喷;处理药液残留问题时,通过增加显影机纯水段下喷水洗段压力到0.1MPa 以上来实现。
对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理时,通过将ITO触摸屏原材浸入蚀刻液中进行蚀刻处理,在蚀刻液中浸入的时间在2.4min-2.7min之间。蚀刻液中的三氯化铁的重量百分比为5%-15%,盐酸的重量百分比为20%-40%,溶剂为水,ITO触摸屏原材浸入蚀刻液中进行蚀刻处理时蚀刻液的温度为39℃-41℃。上述步骤,能够对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理,这样,原材A面和原材B面同时接触蚀刻液,原材A面和原材B面同时脱离蚀刻液,这样,不会出现一面接触蚀刻液而影响另一面,导致另一面造成蚀刻液残留,出现图形不良问题出现,方便快捷完成ITO触摸屏加工处理,将工流程减少近一半。
本发明所述的ITO触摸屏加工处理方法,能够对现有技术中生产ITO触摸屏的工艺流程进行改进,从而能够改变现有技术中对在对原材A面(AITO)显影后会紧跟和原材B面(BITO)显影的工艺,而是先对对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理,再对原材B面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理,这样,对原材B面进行显影处理时,因为原材A面已经完成多道处理工序,因此,在对BITO光阻进行曝光时,不会对AITO面已曝光光阻产生干扰,从而有效避免造成AITO显影后图形异常问题,提高ITO触摸屏整体质量。而上述步骤,对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理,从而使得进行蚀刻处理时原材A面和原材B面不会被导轮刮伤,避免损坏,提高成品质量。而同时蚀刻,原材A面和原材B面同时接触蚀刻液,也能够避免蚀刻液残留问题,避免造成在对BITO 蚀刻时,蚀刻液会落在已经经过蚀刻处理的AITO,造成AITO图形不良问题。本发明所述的ITO触摸屏加工处理方法,步骤简单,能够方便快捷完成ITO触摸屏加工处理,将ITO触摸屏加工流程减少近一半,实现时间、物料、人力成本节约,降低ITO触摸屏不良机率,减少产品生产周期,全面提升市场竞争力。
上面对本发明进行了示例性的描述,显然本发明具体的实现并不受上述方式的限制,只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种改进,或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其他场合的,均在本发明的保护范围内。
Claims (7)
1.一种ITO触摸屏加工处理方法,其特征在于:所述的ITO触摸屏加工处理方法的加工步骤为:1)加工ITO触摸屏的ITO触摸屏原材包括原材A面和原材B面,对原材A面和原材B面分别进行镀膜处理后,对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理;2)对原材B面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理;3)对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理,完成后进行光阻脱膜处理,完成ITO触摸屏加工处理;4)重复上述步骤,可以批量完成ITO触摸屏加工处理。
2.根据权利要求1所述的ITO触摸屏加工处理方法,其特征在于:加工ITO触摸屏原材时,将混合导电物质氧化铟锡真空溅射镀到触摸屏基板上,形成透明导电膜层,形成透明导电膜层与触摸屏基板结合后形成ITO触摸屏原材。
3.根据权利要求1或2所述的ITO触摸屏加工处理方法,其特征在于:对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理时,前烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间,曝光处理时间控制在0.38min-0.42min之间,后烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间,前烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间,后烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间。
4.根据权利要求1或2所述的ITO触摸屏加工处理方法,其特征在于:对原材B面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理时,前烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间,曝光处理时间控制在0.38min-0.42min之间,后烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间,前烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间,后烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间。
5.根据权利要求1或2所述的ITO触摸屏加工处理方法,其特征在于:对原材A面进行显影处理时,对A面线宽线距控制,对光阻膜厚监控;线宽线距控制时控制显影液的电导率在49-51mS/cm,光阻的膜厚控制在2.8-3.2um;对原材B面进行显影时,处理显影不净、过显和药液残留问题,处理显影不净和过显时,调整电导率范围在46-48mS/cm,同时关闭显影药液段的下喷;处理药液残留问题时,通过增加显影机纯水段下喷水洗段压力到0.1MPa以上来实现。
6.根据权利要求1或2所述的ITO触摸屏加工处理方法,其特征在于:对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理时,通过将ITO触摸屏原材浸入蚀刻液中进行蚀刻处理,在蚀刻液中浸入的时间在2.4min-2.7min之间。
7.根据权利要求6所述的ITO触摸屏加工处理方法,其特征在于:蚀刻液中的三氯化铁的重量百分比为5%-15%,盐酸的重量百分比为20%-40%,溶剂为水,ITO触摸屏原材浸入蚀刻液中进行蚀刻处理时蚀刻液的温度为39℃-41℃。
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