CN108037849A - 一种ito触摸屏加工处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种应用于触摸屏生产加工技术领域的ITO触摸屏加工处理方法，所述的ITO触摸屏加工处理方法的加工步骤为：对触摸屏原材的原材A面和原材B面分别进行镀膜处理后，对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理；对原材B面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理；3)对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理，完成后进行光阻脱膜处理，完成ITO触摸屏加工处理，本发明所述的ITO触摸屏加工处理方法，步骤简单，能够方便快捷完成ITO触摸屏加工处理，将ITO触摸屏加工流程减少近一半，实现时间、物料、人力成本节约，降低ITO触摸屏不良机率，减少产品生产周期，全面提升市场竞争力。

Description

一种ITO触摸屏加工处理方法
技术领域
本发明属于触摸屏生产加工技术领域，更具体地说，是涉及一种ITO触摸屏加工处理方法。
背景技术
现有技术中的ITO触摸屏加工时，采用的流程是AITO显影→AITO蚀刻→ BITO显影→AITO保护→BITO蚀刻，这样的处理方法，流程复杂，且过程中还需进行黄光镀膜的产品周转，费时费力，且处理程序多，造成产品不良机率增加。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种步骤简单，能够方便快捷完成ITO触摸屏加工处理，从而将ITO触摸屏加工流程减少近一半，大幅度实现时间、物料、人力成本节约，降低ITO触摸屏产品的不良机率，减少ITO触摸屏产品生产周期，提升市场竞争力的ITO触摸屏加工处理方法。
要解决以上所述的技术问题，本发明采取的技术方案为：
本发明为一种ITO触摸屏加工处理方法，所述的ITO触摸屏加工处理方法的加工步骤为：1)加工ITO触摸屏的ITO触摸屏原材包括原材A面和原材B面，对原材A面和原材B面分别进行镀膜处理后，对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理；2)对原材B面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理；3)对原材A 面和原材B面同时进行蚀刻处理，完成后进行光阻脱膜处理，完成ITO触摸屏加工处理；4)重复上述步骤，可以批量完成ITO触摸屏加工处理。
加工ITO触摸屏原材时，将混合导电物质氧化铟锡真空溅射镀到触摸屏基板上，形成透明导电膜层，形成透明导电膜层与触摸屏基板结合后形成ITO触摸屏原材。
对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理时，前烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间，曝光处理时间控制在0.38min-0.42min之间，后烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间，前烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间，后烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间。
对原材B面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理时，前烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间，曝光处理时间控制在0.38min-0.42min之间，后烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间，前烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间，后烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间。
对原材A面进行显影处理时，对A面线宽线距控制，对光阻膜厚监控；线宽线距控制时控制显影液的电导率在49-51mS/cm，光阻的膜厚控制在 2.8-3.2um；对原材B面进行显影时，处理显影不净、过显和药液残留问题，处理显影不净和过显时，调整电导率范围在46-48mS/cm，同时关闭显影药液段的下喷；处理药液残留问题时，通过增加显影机纯水段下喷水洗段压力到0.1MPa 以上来实现。
对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理时，通过将ITO触摸屏原材浸入蚀刻液中进行蚀刻处理，在蚀刻液中浸入的时间在2.4min-2.7min之间。
蚀刻液中的三氯化铁的重量百分比为5％-15％，盐酸的重量百分比为 20％-40％，溶剂为水，ITO触摸屏原材浸入蚀刻液中进行蚀刻处理时蚀刻液的温度为39℃-41℃。
采用本发明的技术方案，能得到以下的有益效果：
本发明所述的ITO触摸屏加工处理方法，能够对现有技术中生产ITO触摸屏的工艺流程进行改进，从而能够改变现有技术中对在对原材A面(AITO)显影后会紧跟和原材B面(BITO)显影的工艺，而是先对对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理，再对原材B面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理，这样，对原材B面进行显影处理时，因为原材A面已经完成多道处理工序，因此，在对BITO光阻进行曝光时，不会对AITO面已曝光光阻产生干扰，从而有效避免造成AITO显影后图形异常问题，提高ITO触摸屏整体质量。而上述步骤，对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理，从而使得进行蚀刻处理时原材A面和原材B面不会被导轮刮伤，避免损坏，提高成品质量。而同时蚀刻，原材A面和原材B面同时接触蚀刻液，也能够避免蚀刻液残留问题，避免造成在对BITO 蚀刻时，蚀刻液会落在已经经过蚀刻处理的AITO，造成AITO图形不良问题。本发明所述的ITO触摸屏加工处理方法，步骤简单，能够方便快捷完成ITO触摸屏加工处理，将ITO触摸屏加工流程减少近一半，实现时间、物料、人力成本节约，降低ITO触摸屏不良机率，减少产品生产周期，全面提升市场竞争力。
具体实施方式
下面通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理等作进一步的详细说明：
本发明为一种ITO触摸屏加工处理方法，所述的ITO触摸屏加工处理方法的加工步骤为：1)加工ITO触摸屏(DITO)的ITO触摸屏原材包括原材A面和原材B面，对原材A面和原材B面分别进行镀膜处理后，对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理；2)对原材B 面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理；3) 对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理，完成后进行光阻脱膜处理，完成ITO 触摸屏加工处理；4)重复上述步骤，可以批量完成ITO触摸屏加工处理。上述步骤，能够对现有技术中生产ITO触摸屏的工艺流程进行改进，从而能够改变现有技术中对在对原材A面(AITO)显影后会紧跟和原材B面(BITO)显影的工艺，而是先对对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理，再对原材B面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理，这样，对原材B面进行显影处理时，因为原材A面已经完成多道处理工序，因此，在对BITO光阻进行曝光时，不会对AITO 面已曝光光阻产生干扰，从而有效避免造成AITO显影后图形异常问题，提高ITO 触摸屏整体质量。而上述步骤，对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理，从而使得进行蚀刻处理时原材A面和原材B面不会被导轮刮伤，避免损坏，提高成品质量。而同时蚀刻，原材A面和原材B面同时接触蚀刻液，也能够避免蚀刻液残留问题，避免造成在对BITO蚀刻时，蚀刻液会落在已经经过蚀刻处理的 AITO，造成AITO图形不良问题。本发明所述的ITO触摸屏加工处理方法，步骤简单，能够方便快捷完成ITO触摸屏加工处理，将ITO触摸屏加工流程减少近一半，大幅度实现时间、物料、人力成本节约，降低ITO触摸屏产品的不良机率，减少ITO触摸屏产品生产周期，全面提升市场竞争力。
加工ITO触摸屏原材时，将混合导电物质氧化铟锡真空溅射镀到触摸屏基板上，形成透明导电膜层，形成透明导电膜层与触摸屏基板结合后形成ITO触摸屏原材。上述步骤，能方便高效形成ITO触摸屏原材，便于生产ITO触摸屏。
对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理时，前烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间，曝光处理时间控制在0.38min-0.42min之间，后烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间，前烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间，后烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间。上述时间控制和温度控制，能够确保原材A面高效率、高质量完成光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理，而对原材A面的上述处理不会影响原材B面的处理，两者不会相互干扰，降低ITO触摸屏产品的不良机率，减少ITO触摸屏产品生产周期，全面提升ITO触摸屏市场竞争力。
对原材B面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理时，前烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间，曝光处理时间控制在0.38min-0.42min之间，后烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间，前烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间，后烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间。上述时间控制和温度控制，能够确保原材B面高效率、高质量完成光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理，而对原材B面的上述处理不会影响原材A面的处理，两者不会相互干扰，降低ITO触摸屏产品的不良机率，减少ITO触摸屏产品生产周期，全面提升ITO触摸屏市场竞争力。
对原材A面进行显影处理时，对A面线宽线距控制，对光阻膜厚监控；线宽线距控制时控制显影液的电导率在49-51mS/cm，光阻的膜厚控制在 2.8-3.2um；对原材B面进行显影时，处理显影不净、过显和药液残留问题，处理显影不净和过显时，调整电导率范围在46-48mS/cm，同时关闭显影药液段的下喷；处理药液残留问题时，通过增加显影机纯水段下喷水洗段压力到0.1MPa 以上来实现。
对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理时，通过将ITO触摸屏原材浸入蚀刻液中进行蚀刻处理，在蚀刻液中浸入的时间在2.4min-2.7min之间。蚀刻液中的三氯化铁的重量百分比为5％-15％，盐酸的重量百分比为20％-40％，溶剂为水，ITO触摸屏原材浸入蚀刻液中进行蚀刻处理时蚀刻液的温度为39℃-41℃。上述步骤，能够对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理，这样，原材A面和原材B面同时接触蚀刻液，原材A面和原材B面同时脱离蚀刻液，这样，不会出现一面接触蚀刻液而影响另一面，导致另一面造成蚀刻液残留，出现图形不良问题出现，方便快捷完成ITO触摸屏加工处理，将工流程减少近一半。
本发明所述的ITO触摸屏加工处理方法，能够对现有技术中生产ITO触摸屏的工艺流程进行改进，从而能够改变现有技术中对在对原材A面(AITO)显影后会紧跟和原材B面(BITO)显影的工艺，而是先对对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理，再对原材B面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理，这样，对原材B面进行显影处理时，因为原材A面已经完成多道处理工序，因此，在对BITO光阻进行曝光时，不会对AITO面已曝光光阻产生干扰，从而有效避免造成AITO显影后图形异常问题，提高ITO触摸屏整体质量。而上述步骤，对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理，从而使得进行蚀刻处理时原材A面和原材B面不会被导轮刮伤，避免损坏，提高成品质量。而同时蚀刻，原材A面和原材B面同时接触蚀刻液，也能够避免蚀刻液残留问题，避免造成在对BITO 蚀刻时，蚀刻液会落在已经经过蚀刻处理的AITO，造成AITO图形不良问题。本发明所述的ITO触摸屏加工处理方法，步骤简单，能够方便快捷完成ITO触摸屏加工处理，将ITO触摸屏加工流程减少近一半，实现时间、物料、人力成本节约，降低ITO触摸屏不良机率，减少产品生产周期，全面提升市场竞争力。
上面对本发明进行了示例性的描述，显然本发明具体的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其他场合的，均在本发明的保护范围内。

Claims (7)

1.一种ITO触摸屏加工处理方法，其特征在于：所述的ITO触摸屏加工处理方法的加工步骤为：1)加工ITO触摸屏的ITO触摸屏原材包括原材A面和原材B面，对原材A面和原材B面分别进行镀膜处理后，对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理；2)对原材B面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理；3)对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理，完成后进行光阻脱膜处理，完成ITO触摸屏加工处理；4)重复上述步骤，可以批量完成ITO触摸屏加工处理。
2.根据权利要求1所述的ITO触摸屏加工处理方法，其特征在于：加工ITO触摸屏原材时，将混合导电物质氧化铟锡真空溅射镀到触摸屏基板上，形成透明导电膜层，形成透明导电膜层与触摸屏基板结合后形成ITO触摸屏原材。
3.根据权利要求1或2所述的ITO触摸屏加工处理方法，其特征在于：对原材A面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理时，前烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间，曝光处理时间控制在0.38min-0.42min之间，后烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间，前烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间，后烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间。
4.根据权利要求1或2所述的ITO触摸屏加工处理方法，其特征在于：对原材B面依次进行光阻涂布处理、前烘烤处理、曝光处理、显影处理、后烘烤处理时，前烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间，曝光处理时间控制在0.38min-0.42min之间，后烘烤处理时间控制在3.8min-4.2min之间，前烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间，后烘烤处理时的烘烤温度控制在135℃-155℃之间。
5.根据权利要求1或2所述的ITO触摸屏加工处理方法，其特征在于：对原材A面进行显影处理时，对A面线宽线距控制，对光阻膜厚监控；线宽线距控制时控制显影液的电导率在49-51mS/cm，光阻的膜厚控制在2.8-3.2um；对原材B面进行显影时，处理显影不净、过显和药液残留问题，处理显影不净和过显时，调整电导率范围在46-48mS/cm，同时关闭显影药液段的下喷；处理药液残留问题时，通过增加显影机纯水段下喷水洗段压力到0.1MPa以上来实现。
6.根据权利要求1或2所述的ITO触摸屏加工处理方法，其特征在于：对原材A面和原材B面同时进行蚀刻处理时，通过将ITO触摸屏原材浸入蚀刻液中进行蚀刻处理，在蚀刻液中浸入的时间在2.4min-2.7min之间。
7.根据权利要求6所述的ITO触摸屏加工处理方法，其特征在于：蚀刻液中的三氯化铁的重量百分比为5％-15％，盐酸的重量百分比为20％-40％，溶剂为水，ITO触摸屏原材浸入蚀刻液中进行蚀刻处理时蚀刻液的温度为39℃-41℃。
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