CN104658906B - 一种半导体平坦化层的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种半导体平坦化层的制作方法，其中，包括：涂布、烘烤和干燥步骤，是将用于形成平坦化层的光刻胶涂布于下层膜上，然后进行烘烤处理和干燥处理；曝光和显影步骤，是对通过所述涂布、烘烤和干燥步骤处理后的平坦化层实施曝光处理和显影处理；其特征在于，根据要制作的平坦化层所需的涂胶厚度，至少分两次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤；并且，至少实施一次的所述曝光步骤和显影步骤。基于本发明能够改善平坦化层锥度角、降低平坦化层的凹割现象、防止导致平坦化层的上层膜断线，从而提升产品的可靠性。
Description
技术领域
本发明属于平板显示技术领域中的半导体集成电路的制造工艺，尤其是涉及一种半导体平坦化层的制作方法。
背景技术
近年来，在平板显示技术领域中，例如在薄膜晶体管（TFT）的制造过程中，平坦化层（PLN：Planarization layer）已得到广泛应用。采用平坦化层能够平整显示器件的基板上因各种不同层图案所造成的面内段差。使用平坦化层的优点在于能够减少黑矩阵（blackmatrix）的面积、增加面板的开口率、增加光的透过率、降低产品功耗。
但是，在以往的平坦化层的制作过程中会出现如下问题。由于需要平整各种层图案所造成的段差，所形成的平坦化层需要有足够的厚度，大约在2μm～3.5μm（）的范围内。在制备平坦化层的过程中，需要去除平坦化层中的溶剂。通常是采用例如热板进行软烘的方法或者采用真空干燥装置进行低压冷凝干燥等方法来去除上述溶剂。但由于平坦化层的厚度较大，往往难以有效去除平坦化层中的溶剂，特别是难以有效去除平坦化层在底层部分中的溶剂。
以往，为了有效去除平坦化层中的溶剂，通过延长热板的软烘时间或调整真空干燥的时间和压力等方式来解决上述问题。但采用上述方式进行处理时，经常会使平坦化层的表层发生硬化而导致其底层的溶剂无法析出，从而影响了整体的干燥效果而达不到规定的要求。
如此一来，在后面的显影过程中，因平坦化层中所含溶剂量的分布差异会导致平坦化层的表层与底层的显影速率存在差异。这种差异会造成平坦化层出现锥度角（taperangle）不良的问题，从而影响平坦化层的上层、例如透明电极层的覆盖性。
同时，若平坦化层中的溶剂的去除效果不佳，则溶剂析出后会污染液晶或作为液晶取向膜的聚酰亚胺膜。进而，还会造成后续的可靠性分析（RA：reliability analysis）不及格的问题。
如图4所示，在基板（未图示）上配置的下层膜2上形成的平坦化层1的锥度角3在正常情况下一般要求在40°～60°的范围内。如图5所示，在下层膜2上形成的平坦化层1的锥度角超过上述范围时，产生平坦化层的锥度角不良的异常情况。
另外，平坦化层的锥度角（PLN taper）不良会引起平坦化层的凹割（undercut）现象。所谓凹割现象是指平坦化层锥度角超过90度时的现象，会导致平坦化层的上层膜发生断线。例如在液晶显示器件中，平坦化层的上层一般是由氧化铟锡材料形成的透明电极层，上述透明电极层的厚度约为0.04μm～0.08μm（），主要用来存储电荷、控制液晶的动作。若透明电极层出现断线，则数据线的信号就无法传输到透明电极上，从而也无法驱动液晶分子，导致显示器件发生故障。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体平坦化层的制作方法，其能够改善平坦化层的锥度角、降低平坦化层的凹割现象、防止导致平坦化层的上层膜断线，从而提升产品的可靠性。
为了克服上述以往存在的问题，本发明人经过反复研究，发现平坦化层中溶剂析出不充分的根本原因在于平坦化层的厚度过大，进而在烘烤过程中容易造成平坦化层的表面硬化、阻止后续的溶剂析出。基于上述发现，发明人提出了如下技术方案。
具体而言，本发明的实施方式提供了一种半导体平坦化层的制作方法，包括：涂布、烘烤和干燥步骤，是将用于形成平坦化层的光刻胶涂布于下层膜上，然后进行烘烤处理和干燥处理；曝光和显影步骤，是对通过所述涂布、烘烤和干燥步骤处理后的平坦化层实施曝光处理和显影处理；其特征在于，根据要制作的平坦化层所需的涂胶厚度，至少分两次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤；并且，至少实施一次的所述曝光步骤和显影步骤。
并且，本发明的实施方式还提供了一种半导体平坦化层的制作方法，其特征在于，在上述半导体平坦化层的制作方法中，还包括：除渣灰化步骤，是继所述曝光和显影步骤后，使用干刻设备，对所述曝光和显影步骤处理后的平坦化层进行除渣和灰化处理。
基于本发明，根据要形成的平坦化层所需的涂胶厚度分多次实施涂布、烘烤和干燥步骤、实施曝光和显影步骤，能够防止因烘烤和真空干燥时间过长而造成的平坦化层表面硬化。由此能够使平坦化层中的溶剂、尤其是使平坦化层底层中的有机溶剂充分去除。如此一来，保证了显影过程中平坦化层的显影速度在平坦化层的表层和底层的一致性，能够使平坦化层锥度角得到优化。同时，通过使平坦化层中的溶剂充分去除，在后续的高温或者低压工序中不再从平坦化层中析出有机溶剂。由此能够确保平坦化层之上的液晶层或者聚酰亚胺膜不受污染，即消除了可靠性分析不及格的风险。
另外，通过在曝光和显影步骤后采用干刻蚀法进行除渣（descum）灰化处理，能够在平坦化层的表面形成硬化层而抑制平坦化层的吸水性，以防止空气中的水分等渗透到干燥的平坦化层中，甚至能够防止平坦化层中残留的少部分溶剂在后续的使用中析出的问题，能够进一步提高产品的可靠性。
附图说明
图1是表示本发明实施例1中两次涂胶完成平坦化层的工艺流程图。
图2是表示本发明实施例2中三次涂胶完成平坦化层的工艺流程图。
图3是表示比较例1中一次性涂胶完成平坦化层的工艺流程图。
图4是表示平坦化层的锥度角正常的情况下的示意图。
图5是表示平坦化层的锥度角异常的情况下的示意图。
附图标记的说明
1：平坦化层
2：下层膜
3：平坦化层锥度角
S11、S211、S311：第一涂布、烘烤和干燥步骤
S21、S221、S321：第一曝光和显影步骤
S231、S331：第一除渣灰化步骤
S212、S312：第二涂布、烘烤和干燥步骤
S222、S322：第二曝光和显影步骤
S232、S332：第二除渣灰化步骤
S313：第三涂布、烘烤和干燥步骤
S323：第三曝光和显影步骤
S333：第三除渣灰化步骤
具体实施方式
下面，结合附图通过实施例和比较例对本发明的实施方式进行详细说明。
在下列实施例和比较例中，采用了狭缝式涂布设备。上述狭缝式涂布设备可以采用市售的涂布设备（例如型号为SR110（日本迪恩士公司制造）等）。所采用的光刻胶材料为有机光刻胶，作为上述有机光刻胶，可以使用JSR553（日本JSR公司制造），还可以使用JSR551（日本JSR公司制造）等，但不仅仅局限于此。以下实施例及比较例中使用了JSR553。所要形成的平坦化层所需的涂胶的总厚度设定为2μm～3.5μm。
将各实施例和比较例中部分实施条件以及最终形成的平坦化层的有关测定数据均示于表1中。
实施例1
图1是表示本发明实施例1中两次涂胶完成平坦化层的工艺流程图。在本实施例所述半导体平坦化层的制作方法中，分两次实施平坦化层的涂胶操作，每次涂胶厚度设定为1.5μm，所述制作方法包括依次实施的如下步骤：
第一涂布、烘烤和干燥步骤S211：将用于形成第一平坦化层的光刻胶涂布于下层膜上，其厚度为1.5μm，对涂胶后的第一平坦化层实施软烘处理，并进一步采用真空干燥装置实施低温干燥处理，以去除第一平坦化层中的溶剂；
第一曝光和显影步骤S221：对上述第一涂布、烘烤和干燥步骤S211处理后的第一平坦化层实施曝光处理和显影处理；
第一除渣灰化步骤S231：通过干刻设备对上述第一曝光和显影步骤S221处理后的第一平坦化层实施灰化处理，去除第一平坦化层显影后的残渣并使第一平坦化层的表面灰化；
第二涂布、烘烤和干燥步骤S212：将用于形成第二平坦化层的光刻胶涂布于上述第一平坦化层上，其厚度为1.5μm，对涂胶后的第二平坦化层实施软烘处理，并进一步采用真空干燥装置实施低温干燥处理，以去除第二平坦化层中的溶剂；
第二曝光和显影步骤S222：对上述第二涂布、烘烤和干燥步骤S212处理后的第二平坦化层实施曝光处理和显影处理；
第二除渣灰化步骤S232：通过干刻设备对上述第二曝光和显影步骤S222处理后的第二平坦化层实施灰化处理，去除第二平坦化层显影后的残渣并使第二平坦化层的表面灰化。
通过上述方法制得的半导体平坦化层中，光刻胶的溶剂析出率能够达到95%左右，最终所形成的平坦化层的总膜厚均匀性能够达到8～12%左右、平坦化层的锥度角能够达到40～50°左右。
另外，由于实施了两次除渣灰化步骤，能够保证平坦化层的表层的PLN不吸收空气中的水分。
实施例2
图2是表示本发明实施例2所述三次涂胶完成平坦化层的工艺流程图。在本实施例的半导体平坦化层的制作方法中，分三次实施平坦化层的涂胶操作，每次涂胶厚度设定为1μm，所述制作方法包括依次实施的如下步骤：
第一涂布、烘烤和干燥步骤S311：将用于形成第一平坦化层的光刻胶涂布于下层膜上，其厚度为1μm，对涂胶后的第一平坦化层实施软烘处理，并进一步采用真空干燥装置实施低温干燥处理，以去除第一平坦化层中的溶剂；
第一曝光和显影步骤S321：对上述第一涂布、烘烤和干燥步骤S311处理后的第一平坦化层实施曝光处理和显影处理；
第一除渣灰化步骤S331：通过干刻设备对上述第一曝光和显影步骤S221处理后的第一平坦化层实施灰化处理，去除第一平坦化层显影后的残渣并使第一平坦化层的表面灰化；
第二涂布、烘烤和干燥步骤S312：将用于形成第二平坦层的光刻胶涂布于上述第一平坦层上，其厚度为1μm，对涂胶后的第二平坦化层实施软烘处理，并进一步采用真空干燥装置实施低温干燥处理，以去除第二平坦化层中的溶剂；
第二曝光和显影步骤S322：对上述第二涂布、烘烤和干燥步骤S312处理后的第二平坦化层实施曝光处理和显影处理；
第二除渣灰化步骤S332：通过干刻设备对上述第二曝光和显影步骤S322处理后的第二平坦化层实施灰化处理，去除第二平坦化层显影后的残渣并使第二平坦化层的表面灰化；
第三涂布、烘烤和干燥步骤S313：进一步将用于形成第三平坦层的光刻胶涂布于上述第二平坦层上，其厚度为1μm，对涂胶后的第三平坦化层实施软烘处理，并进一步采用真空干燥装置实施低温干燥处理，以去除第三平坦化层中的溶剂；
第三曝光和显影步骤S323：对上述第三涂布、烘烤和干燥步骤S313处理后的第三平坦化层实施曝光处理和显影处理。
第三除渣灰化步骤S333：通过干刻设备对上述第三曝光和显影步骤S323处理后的上述第三平坦化层实施灰化处理，去除上述第三平坦化层显影后的残渣并使上述第三平坦化层的表面灰化。
通过上述方法制得的半导体平坦化层中，光刻胶的溶剂析出率能够达到98%左右，最终所形成的平坦化层的总膜厚均匀性能够达到8～12%左右、平坦化层的锥度角能够达到40～50°左右。
实施例3
除了不实施所有的除渣灰化步骤以外，与实施例1同样地进行操作，获得最终的平坦化层。由此，最终所形成的平坦化层中光刻胶的溶剂析出率能够达到93%左右，最终所形成的平坦化层的总膜厚均匀性能够达到8～15%左右、平坦化层的锥度角能够达到40～60°左右。
实施例4
除了不实施所有的除渣灰化步骤以外，与实施例2同样地进行操作，获得最终的平坦化层。其结果，最终所形成的平坦化层中光刻胶的溶剂析出率能够达到95%左右，最终所形成的平坦化层的膜厚均匀性能够达到8～15%、平坦化层的锥度角能够达到40～60°左右。
实施例5
除了不实施第一曝光和显影步骤S221并且不实施所有的除渣灰化步骤以外，与实施1同样地进行操作，获得最终的平坦化层。由此，最终所形成的平坦化层中光刻胶的溶剂析出率能够达到93%左右，最终所形成的平坦化层的膜厚均匀性能够达到8～15%、平坦化层的锥度角能够达到40～60°左右。
实施例6
除了不实施第一曝光和显影步骤S321、第二曝光和显影步骤S322并且不实施所有的除渣灰化步骤以外，与实施2同样地进行操作，获得最终的平坦化层。由此，最终所形成的平坦化层中光刻胶的溶剂析出率能够达到95%左右，最终所形成的平坦化层的膜厚均匀性能够达到8～15%、平坦化层的锥度角能够达到40～60°左右。
比较例1
图3是表示本发明比较例1中一次性涂胶完成平坦化层的工艺流程图。在本比较例的半导体平坦化层的制作方法中，一次性实施平坦化层的涂胶操作，涂胶厚度设定为3μm，所述制作方法包括依次实施的如下步骤：
第一涂布、烘烤和干燥步骤S11：将用于形成平坦层的光刻胶涂布于下层膜上，其厚度为3μm，对涂胶后的平坦化层实施软烘处理，并进一步采用真空干燥装置实施低温干燥处理，以去除平坦化层中的溶剂；
第一曝光和显影步骤S21：对上述涂布、烘烤和干燥步骤S11处理后的平坦化层实施曝光处理和显影处理。
由此，平坦化层的表层部分的溶剂析出率为98%左右，但平坦化层的底层的溶剂析出率只有60%左右，最终所形成的平坦化层的膜厚均匀性在15～25%的范围内、平坦化层的锥度角在100～120°的范围内。
表1
[相关条件说明]
对上述实施例1～实施例6中的烘烤和干燥条件而言，也可以根据本领域通常使用的条件进行适当设定，只要达到本发明烘烤和干燥的目的即可。例如，可设定软烘处理的温度在100℃～120℃、处理时间在60s～100s，真空干燥（低压冷凝干燥）装置的压力在26Pa～75Pa、处理温度在23℃～27℃、处理时间在40s～60s。但并不仅局限于此，上述软烘处理的温度可以在105℃～115℃、处理时间可以在60s～90s，也可以在60s～80s。上述真空干燥（低压冷凝干燥）装置的压力可以设在40Pa～75Pa的范围内，也可以设在40Pa～60Pa的范围内。上述真空干燥处理温度可以在25℃～27℃，真空干燥处理时间可以在40s～60s，也可以在45s～55s的范围内。
对上述实施例1～实施例2中的除渣灰化处理条件而言，也可以根据本领域通常使用的条件进行适当设定，只要达到本发明烘烤和干燥的目的即可。例如，可设定O2流量为2000sccm±30%、真空度为100MT±30%、功率为3000W～4000W、处理时间为20～50s。
除渣灰化步骤是针对光刻胶在显影后有未溶解于显影液中而经干燥后残留在表面的一些残渣进行除去（Descum）的操作。通过干刻设备采用例如氧气等离子体对平坦化层实施灰化作用。由此，还会在平坦化层表面形成一层硬化层，能够抑制平坦化层的吸水性，以防止空气中的水分等渗透到干燥的平坦化层中。另外，即便在平坦化层中残留有少部分的溶剂，通过平坦化层表面上形成的硬化层，能够防止平坦化层中的溶剂向外析出，从而避免液晶材料受污染。因此，除渣灰化步骤也同样对优化锥度角发挥作用的同时，还对进一步在平坦化层上形成其它层提供更高的粘合性能。
对上述比较例1中采用的传统涂布、烘烤和干燥处理而言，可以根据本领域通常使用的条件进行适当设定。例如，可设定软烘温度为100℃～120℃、烘烤时间为80s～160s，真空干燥（低压冷凝干燥）装置的压力为40Pa～75Pa（最低可达到26Pa）、处理的温度为23℃～27℃、干燥时间为60s～100s。
[结果分析]
通过分次实施涂布、烘烤和干燥步骤而减少每次涂布平坦化层的涂胶厚度，能够有效去除平坦化层中残留的溶剂，还能够防止因加热或者抽真空的时间过长而造成平坦化层表层的硬化，从而进一步增加溶剂的去除效果。
对于实施例1和实施例2而言，通过分次连续实施涂布、烘烤和干燥步骤、曝光和显影步骤、除渣灰化步骤，最终形成的平坦化层的溶剂析出率以及所述平坦化层的膜厚均匀性均很高。在实际生产过程中可以根据制作平坦化层的要求和设备本身的性能，来确定具体的实施方式。
其中，除渣灰化步骤是针对光刻胶在显影后有未溶解于显影液中而经干燥后残留在表面的一些残渣进行除去的操作。通过干刻设备采用例如氧气等离子体对平坦化层实施灰化作用。由此，还会在平坦化层表面形成一层硬化层而能够抑制平坦化层的吸水性，以防止空气中的水分等渗透到干燥的平坦化层中。甚至，即便在平坦化层中残留有少部分的容积，通过平坦化层表面上形成的硬化层，能够避免平坦化层中的溶剂在后续的使用中析出的问题。因此，除渣灰化步骤也同样对优化锥度角发挥作用，并且同时还对进一步在平坦化层上形成其它层提供更高的粘合性能，从而进一步提高产品的可靠性。
对于实施例3和实施例4而言，是与实施例1和实施例2相比省略了所有的除渣灰化步骤的情况下的结果。这些对比结果说明除渣灰化步骤能够强化溶剂的去除、优化锥度角的效果，并同时改善了膜厚均匀性。
对于实施例5和实施例6而言，是与实施例1和实施例2相比省略了所有的除渣灰化步骤以及中间的曝光和显影步骤的情况下的结果。对比结果说明：除渣灰化步骤能够强化溶剂的去除、优化锥度角的效果，并同时改善了膜厚均匀性；中间的曝光和显影步骤影响较小，只要设备配置条件允许、例如在配置有独立的线性涂布机和软烘设备的情况下可以省略。
通过将比较例1与所有的实施例进行对比分析可见，由上述比较例形成的平坦化层的底层的溶剂析出率较低，由此导致平坦化层锥度角不良，膜厚均匀性不佳。与此同时，作业时间较长，导致作业效率较低。并可能会进一步引起平坦化层的凹割，甚至导致平坦化层的上层例如透明电极的断线，从而导致液晶器件发生故障。同时，平坦化层中的溶剂析出后，还会污染液晶材料或液晶取向膜、例如聚酰亚胺膜，进而造成后续的可靠性分析不及格的问题。
总之，基于本发明的上述实施例和比较例可以明确，通过多次涂布、烘烤和干燥来分步形成平坦化层，能够防止因烘烤和干燥时间过长而造成的平坦化层表面硬化。如此可使其底层的有机溶剂充分析出，保证了显影过程中平坦化层的显影速度在平坦化层的表层和底层的一致性，即由此能够优化平坦化层锥度角。同时，通过使平坦化层中的溶剂充分析出，在后续的高温或者低压工序中也不再从平坦化层析出有机溶剂。由此能够确保平坦化层的上层的液晶层或者液晶取向膜、例如聚酰亚胺膜不受污染，即消除了可靠性分析不及格的风险。
并且，通过分步形成平坦化层，外加除渣操作的方式，不仅能够降低平坦化层中的溶剂残余量，而且还能够提高平坦化层的膜厚均匀性、抑制平坦化层的吸水性、减少平坦化层在后续使用中可能存在的溶剂析出现象，从而降低对液晶或聚酰亚胺膜的影响。因此能够进一步提高产品的可靠性。
[变形实施方式]
目前现行的涂布设备在涂布厚度为1μm～1.5μm的光刻胶时，其涂布均匀性控制得比较好，能够达到5%～10%，若光刻胶涂布得过厚或者过薄，均可能造成涂布均匀性不佳（10%～20%）的现象。在各种半导体阵列基板的制作中，平坦化层的厚度通常在2μm以上。在上述各实施例和比较例中，平坦化层的涂胶厚度设为3.0μm，并通过分成两次和三次实施涂胶操作，并采用以次数平均分配的涂胶量来完成制作。但本发明的实施方式并不局限于此，也可以根据产品要求、所要形成的平坦化层的厚度以及涂布设备的涂布性能，来适当调整涂胶次数和每次的涂胶量。基于此，本领域技术人员应该理解本说明书中提及的“至少分两次”的涂胶次数，能够根据本说明书简单地进行设定。例如，上述“至少分两次”即可以是两次，也可以是三次，也可以是四次，也可以是多次，在此不一一例举。
从现阶段通常使用的设备的局限性、例如涂布设备存在平整度不佳的观点出发考虑，优选将平坦化层通过两次或三次所述涂布、烘烤和干燥步骤、所述曝光和显影步骤来完成制作。更优选每次连续实施所述涂布、烘烤和干燥步骤、以及所述曝光和显影步骤，进一步优选继每次曝光和显影步骤后还接着实施除渣灰化步骤。
并且，从设定存在额外的独立的线性涂布机、软烘和干燥设备的角度出发，优选将平坦化层至少分两次实施涂布、烘烤和干燥步骤后再经过一次曝光和显影步骤来完成平坦化层的制作、即省略了中间的曝光和显影步骤，更优选继曝光和显影步骤后还包括除渣灰化步骤。同样地，本发明的实施方式并不局限于此，可以根据产品要求、相关设备的配置条件进行适当调整。
在上述实施例中采用了真空干燥装置进行了低压冷凝干燥，但本发明的实施方式并不局限于此。只要能够有效地去除平坦化层中的溶剂、实现本发明的目的即可，优选使用适当的真空干燥设备。
另外，在本说明书的实施例中的平坦层的“上层”或“上层膜”是指透明电极层膜，主要用来存储电荷，控制液晶动作。但本发明的实施方式并不局限于此，可以根据产品要求设成具有各种功能的层膜。
在本说明书的实施例中的平坦层的“下层”或“下层膜”是指例如由氮化硅层、氧化硅层构成的“绝缘层膜”，主要用于减少透明电极与信号线间的寄生电容。但本发明的实施方式并不局限于此，可以根据产品要求设成各种衬底的层膜；有些低端产品为了节省成本，直接用平坦层代替绝缘层，那么此时的“下层”就会是信号线层。
在本说明书的实施例中的“除渣灰化步骤”采用了干刻设备等进行氧气等离子体灰化处理。但本发明的实施方式并不局限于此，可根据需要采用其它蚀刻设备进行实施，只要能够实现本发明的目的即可。
如上所述，应理解的是，本发明的实施方式并不仅局限于所述实施例的内容。本发明能够在所述实施例的基础上进行各种各样的变更及替换，其皆不脱离本发明的范围。并且，应当说明的是，本说明书的陈述以及附图在本质上是当作说明之用，而不是用以限制本发明的范围。
Claims (9)
1.一种半导体平坦化层的制作方法，其中，包括：
涂布、烘烤和干燥步骤，是将用于形成平坦化层的光刻胶涂布于下层膜上，然后进行烘烤处理和干燥处理，
曝光和显影步骤，是对通过所述涂布、烘烤和干燥步骤处理后的平坦化层实施曝光处理和显影处理，
除渣灰化步骤，是继所述曝光和显影步骤后，使用干刻设备，对所述曝光和显影步骤处理后的平坦化层进行除渣和灰化处理，由此，在所述曝光和显影步骤处理后的平坦化层表面形成硬化层；
根据要制作的平坦化层所需的涂胶厚度，至少分两次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤；
其中至少实施一次的所述曝光步骤和显影步骤。
2.如权利要求1所述的半导体平坦化层的制作方法，其特征在于，
首先至少分两次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤，
然后只实施一次所述曝光和显影步骤。
3.如权利要求2所述的半导体平坦化层的制作方法，其特征在于，
所述烘烤处理是软烘处理，所述干燥处理是采用真空干燥装置进行的低压冷凝干燥处理。
4.如权利要求1所述的半导体平坦化层的制作方法，其特征在于，
在每次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤后，均接着实施一次所述曝光和显影步骤。
5.如权利要求4所述的半导体平坦化层的制作方法，其特征在于，
所述烘烤处理是软烘处理，所述干燥处理是采用真空干燥装置进行的低压冷凝干燥处理。
6.如权利要求1～5任一项所述的半导体平坦化层的制作方法，其特征在于，
分两次或三次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤。
7.如权利要求1所述的半导体平坦化层的制作方法，其特征在于，
分两次或三次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤。
8.如权利要求1～5任一项所述的半导体平坦化层的制作方法，其特征在于，每次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤中的涂胶厚度为1μm～1.5μm。
9.如权利要求1所述的半导体平坦化层的制作方法，其特征在于，每次实施所述涂布、烘烤和干燥步骤中的涂胶厚度为1μm～1.5μm。
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