CN104820535A - 一种纯ito膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺，属于触摸屏制作技术领域，依次包括以下步骤：裁切预定尺寸的ITO膜、老化、涂布、曝光、显影、蚀刻、剥膜、绝缘印刷、银浆印刷、烘烤。本发明采用纯ITO膜作为原材，与传统的黄光工艺采用镀铜ITO膜相比，减少了铜的蚀刻工序，将原来银浆跳线的部分印刷改变成整个金属层的银浆印刷，以银线代替铜线，避免了铜蚀刻的侧蚀问题，同时节省了蚀刻和侧蚀抑制的药剂使用；在工艺方面，节省制作工序，即可节省人力、能源、辅材等多方面的资源，同时减少不良率。
Description
技术领域
本发明涉及触摸屏制作技术领域，具体涉及一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺。
背景技术
电容式触摸屏是一种计算机输入输出设备，具有可靠性高、耐用性好等优点，广泛应用于通讯、消费类电子、仪器仪表等多个方面，是智能移动终端人机交互的重要部件。电容触摸屏是将手指或者导电介质在触摸时与基板上的电极间所产生的电容变化，通过驱动芯片的数字转换，输出手指或者导电介质触控的坐标位置。目前电容式触摸屏已经广泛应用于手机，平板等领域。按基材划分，有膜结构和玻璃结构两种，按贴合结构划分有G+F、G+F2、OGS、on-cell、in-cell等。按工艺划分，一般有黄光、镭射、印刷等几个方向。
电容式触摸屏感应器的制作方法主要有印刷制程、镭雕制程和黄光制程等。印刷制程工艺简单，设备成本较低，但其线路精度只能做到0.1mm，而且线性度较差，触控感应不灵敏，不适合大尺寸的感应器制作；镭雕制程线路精度可达到0.05mm，但存在工艺效率和爆点问题，不适合复杂图形的批量生产；黄光制程线路精度可达到0.04mm，线性度良好，触控感应灵敏，支持复杂图形的设计，是目前比较主流的生产方式。传统的黄光制程工艺是对感应器的ITO 层采用多次曝光显影的制作方法，对金属层采用银浆印刷的方法，这样的工艺需要多次图像成型，工序较为复杂，对上下层图形的对位精准度要求较高，金属层线宽较大，优良率低。
现有公开的一种菲林结构电容式触摸屏感应器线路图的一体成型制作方法及其制成的产品，包括：裁切预定尺寸的镀铜ITO；在镀铜ITO 表面上涂敷液态光刻胶，并烘烤固化为光阻层；采用光罩对涂上光阻层的镀铜ITO 进行曝光；将曝光后的镀铜ITO 进行显影；将显影后的镀铜ITO进行金属图案蚀刻；将蚀刻出金属图案后的镀铜ITO 进行ITO 图案蚀刻；将蚀刻后的镀铜ITO 的光阻层进行剥离。该方法中采用镀铜ITO膜为材料，在制作工艺中增加了对金属的蚀刻工序，且浪费材料；同时，该工艺得到的产品精准度偏低，产品厚度较厚，不良率较高，存在金属蚀刻时的侧蚀问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种基于一次曝光成型的纯ITO膜的触摸屏感应器生产工艺的单层多点方案，纯ITO膜的单层结构比传统黄光工艺的镀铜ITO结构节省制作工序，省去原材镀铜膜的消耗，为生产节约成本。同时将原来银浆跳线的部分印刷改变成整个金属层的银浆印刷，以银线代替铜线，避免了铜蚀刻的侧蚀问题，同时节省了蚀刻和侧蚀抑制的药剂使用。
为了实现上述目的，本发明提供的一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺，依次包括以下步骤：
S1、老化：对纯ITO膜进行高温老化，利用高温老化可以改善ITO膜基材的稳定性，提高ITO膜的透过率，同时消除部分光学上的偏振现象，减少光膜层之间的光学干涉；其次，可以改变ITO膜表面的电阻；第三，可将ITO从非结晶状态转变为结晶状态，提高稳定性；
S2、涂布：在经步骤S1老化后的ITO膜表面涂敷液态光阻剂，并烘烤使得所述液态光阻剂固化为光阻层；
S3、曝光：对涂敷在ITO膜表面上的光阻层进行曝光；
S4、显影：将经步骤S3曝光后的ITO膜用碱性溶液进行显影，在光阻层上产生图案；
S5、蚀刻：将经步骤S4显影后的ITO膜用酸性溶液进行蚀刻，在ITO膜上形成图形；与传统的黄光工艺采用镀铜ITO膜相比，减少了铜的蚀刻工序；
S6、剥膜：将经步骤S5蚀刻后的ITO膜用碱性溶液去除ITO膜表面的光阻层；
S7、绝缘印刷：在经过步骤S6剥膜后的ITO膜上印刷透明的绝缘油墨，并在紫外灯照射下固化绝缘油墨；绝缘油墨起到隔绝导电银浆和ITO膜的接触作用，使本制作工艺中的搭桥技术更加方便、精确；
S8、银浆印刷：在经过步骤S7后的ITO膜上印刷导电银浆，本步骤将原来银浆跳线的部分印刷改变成整个金属层的银浆印刷，这部分只需要将原来网板的跳线图案改变成整个金属层图案即可，以银线代替铜线，避免了铜蚀刻的侧蚀问题；与传统的黄光工艺采用镀铜ITO膜相比，没有了原先镀好的铜，即金属层由银浆印刷来完成，由于银浆印刷只需要在周边线路上涂上少量的线条，不需要像镀铜一样，全面覆盖再蚀刻；
S9、烘烤：将经过步骤S8后的ITO膜置于烤箱中，固化导电银浆形成线路，得到所述纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏成品。
优选的，所述步骤S1中的老化温度为140℃。
进一步的，所述的步骤S2中涂敷液态光阻剂为正性光刻胶，厚度为4~7 um，所述烘烤固化温度为100~130℃。
更进一步的，所述的步骤S3的曝光是在黄光环境中，用波长为200~400 nm的紫外线垂直照射光阻层，曝光能量为200~300 J/cm2。
更进一步的，所述步骤S4中显影温度为20-30℃，显影时间为30-70 s；所述碱性溶液为氢氧化钠或碳酸钠溶液，质量浓度为0.1~1.0 %wt。
更进一步的，所述步骤S5中蚀刻温度为30-50℃，蚀刻时间为20-80 s；所述酸性溶液为硝酸或盐酸溶液，质量浓度为18~22%wt。
更进一步的，所述步骤S6中剥膜温度为35-45℃，剥膜时间为30-50 s；所述碱性溶液为氢氧化钠或碳酸钠溶液，质量浓度为1.5~2.5%wt。
更进一步的，所述步骤S9中烘烤温度为138~142℃，烘烤时间为20 min。
优选的，所述步骤S7中的绝缘油墨为日本东洋纺绩株式会社的型号为FR-200C-4的绝缘油墨，所述绝缘油墨印刷厚度为8~11 um。
优选的，所述步骤S8中的导电银浆为日本东洋纺绩株式会社的型号为DW-440L-29C的导电银浆，所述导电银浆印刷厚度为9~12 um。
本发明的有益效果：（1）本发明采用纯ITO膜作为原材，与传统的黄光工艺采用镀铜ITO膜相比，减少了铜的蚀刻工序，将原来银浆跳线的部分印刷改变成整个金属层的银浆印刷，以银线代替铜线，避免了铜蚀刻的侧蚀问题，同时节省了蚀刻和侧蚀抑制的药剂使用；（2）本发明采用纯ITO膜作为原材，在原材方面，纯ITO的价格也低于镀铜ITO膜的价格，与传统的黄光工艺采用镀铜ITO膜相比，没有了原先镀好的铜，即金属层由银浆印刷来完成，由于银浆印刷只需要在周边线路上涂上少量的线条，不需要像镀铜一样，全面覆盖再蚀刻，节省了金属层的材料消耗和蚀刻消耗的药剂，获得一定的利润空间；（3）在工艺方面，节省制作工序，即可节省人力、能源、辅材等多方面的的资源，同时减少不良率。
附图说明
图1为本发明一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
实施例1
本发明提供的一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺，请参阅图1所示，依次包括以下步骤：裁切预定尺寸的ITO膜后，依次进行如下步骤；
S1、老化：对纯ITO膜进行高温老化，老化温度为140℃，利用高温老化可以改善ITO膜基材的稳定性，提高ITO膜的透过率，同时消除部分光学上的偏振现象，减少光膜层之间的光学干涉；其次，可以改变ITO膜表面的电阻；第三，可将ITO从非结晶状态转变为结晶状态，提高稳定性；
S2、涂布：在经步骤S1老化后的ITO膜表面涂敷液态光阻剂，所述液态光阻剂为苏州瑞红电子化学品有限公司生产的型号为RZJ-2500正性光刻胶，涂敷液态光阻剂的厚度为4 um，并在100℃下烘烤，使液态光阻剂固化，凝固在ITO表面形成光阻层；利用高温固化光阻剂使其溶剂挥发，不影响光阻剂的效果；
S3、曝光：对涂敷在ITO膜表面上的光阻层进行曝光，采用光罩对涂敷有光阻层进行曝光，在黄光环境下，用波长为200 nm的紫外线从光罩面向光阻层的方向垂直照射，对光阻层的曝光能量为200~300 J/cm2；
S4、显影：将经步骤S3曝光后的ITO膜用碱性溶液进行显影，在黄光环境下，将曝光后的ITO膜浸泡在温度为20℃，质量浓度为0.1%wt的氢氧化钠溶液中进行显影，显影时间为30 s，在光阻层上产生图案；
S5、蚀刻：将经步骤S4显影后的ITO膜用酸性溶液进行蚀刻，是将显影后ITO膜浸泡在温度为30℃，质量浓度为18%wt的硝酸溶液中进行蚀刻，蚀刻时间为20 s，在ITO膜上形成图形；
S6、剥膜：将经步骤S5蚀刻后的ITO膜用碱性溶液去除ITO膜表面的光阻层，是将经过蚀刻后的ITO膜浸泡在温度为35℃，质量浓度为1.5%wt的氢氧化钠溶液中进行剥膜，剥膜时间为30 s；
S7、绝缘印刷：将经过步骤S6剥膜后的ITO膜置于涂敷透明绝缘油墨且有线路图形的网板下，用刮胶刮动，将透明的绝缘油墨按照网板上的线路图形均匀的挤压印刷在ITO膜上，并在紫外灯照射下烘烤固化，紫外光固化能量为1000 mj/cm2，所述的绝缘油墨为日本东洋纺绩株式会社的型号为FR-200C-4的绝缘油墨；
S8、银浆印刷：将经过步骤S7绝缘油墨印刷后的ITO膜置于涂敷导电银浆且有线路图形的网板下，用刮胶刮动，将导电银浆按照网板上的线路图形均匀的挤压印刷在镀铜ITO膜上，所述导电银浆为日本东洋纺绩株式会社的型号为DW-440L-29C的导电银浆；
S9、烘烤：将经过步骤S8后的ITO膜置于烘烤温度为138℃的烤箱中，烘烤20 min，固化导电银浆形成线路，得到所述纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏成品。
实施例2
本发明提供的一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺，请参阅图1所示，依次包括以下步骤：裁切预定尺寸的ITO膜后，依次进行如下步骤；
S1、老化：对纯ITO膜进行高温老化，老化温度为140℃，利用高温老化可以改善ITO膜基材的稳定性，提高ITO膜的透过率，同时消除部分光学上的偏振现象，减少光膜层之间的光学干涉；其次，可以改变ITO膜表面的电阻；第三，可将ITO从非结晶状态转变为结晶状态，提高稳定性；
S2、涂布：在经步骤S1老化后的ITO膜表面涂敷液态光阻剂，所述液态光阻剂为苏州瑞红电子化学品有限公司生产的型号为RZJ-2500正性光刻胶，涂敷液态光阻剂的厚度为5 um，并在120℃下烘烤，使液态光阻剂固化，凝固在ITO表面形成光阻层；利用高温固化光阻剂使其溶剂挥发，不影响光阻剂的效果；
S3、曝光：对涂敷在ITO膜表面上的光阻层进行曝光，采用光罩对涂敷有光阻层进行曝光，在黄光环境下，用波长为300 nm的紫外线从光罩面向光阻层的方向垂直照射，对光阻层的曝光能量为200~300 J/cm2；
S4、显影：将经步骤S3曝光后的ITO膜用碱性溶液进行显影，在黄光环境下，将曝光后的ITO膜浸泡在温度为23℃，质量浓度为0.5%wt的碳酸钠溶液中进行显影，显影时间为50 s，在光阻层上产生图案；
S5、蚀刻：将经步骤S4显影后的ITO膜用酸性溶液进行蚀刻，是将显影后ITO膜浸泡在温度为46℃，质量浓度为20%wt的盐酸溶液中进行蚀刻，蚀刻时间为50 s，在ITO膜上形成图形；
S6、剥膜：将经步骤S5蚀刻后的ITO膜用碱性溶液去除ITO膜表面的光阻层，是将经过蚀刻后的ITO膜浸泡在温度为40℃，质量浓度为2.0%wt的碳酸钠溶液中进行剥膜，剥膜时间为40 s；
S7、绝缘印刷：将经过步骤S6剥膜后的ITO膜置于涂敷透明绝缘油墨且有线路图形的网板下，用刮胶刮动，将透明的绝缘油墨按照网板上的线路图形均匀的挤压印刷在ITO膜上，并在紫外灯照射下烘烤固化，紫外光固化能量为1000 mj/cm2，所述的绝缘油墨为日本东洋纺绩株式会社的型号为FR-200C-4的绝缘油墨；
S8、银浆印刷：将经过步骤S7绝缘油墨印刷后的ITO膜置于涂敷导电银浆且有线路图形的网板下，用刮胶刮动，将导电银浆按照网板上的线路图形均匀的挤压印刷在镀铜ITO膜上，所述导电银浆为日本东洋纺绩株式会社的型号为DW-440L-29C的导电银浆；
S9、烘烤：将经过步骤S8后的ITO膜置于烘烤温度为140℃的烤箱中，烘烤20 min，固化导电银浆形成线路，得到所述纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏成品。
实施例3
本发明提供的一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺，请参阅图1所示，依次包括以下步骤：裁切预定尺寸的ITO膜后，依次进行如下步骤；
S1、老化：对纯ITO膜进行高温老化，老化温度为140℃，利用高温老化可以改善ITO膜基材的稳定性，提高ITO膜的透过率，同时消除部分光学上的偏振现象，减少光膜层之间的光学干涉；其次，可以改变ITO膜表面的电阻；第三，可将ITO从非结晶状态转变为结晶状态，提高稳定性；
S2、涂布：在经步骤S1老化后的ITO膜表面涂敷液态光阻剂，所述液态光阻剂为苏州瑞红电子化学品有限公司生产的型号为RZJ-2500正性光刻胶，涂敷液态光阻剂的厚度为6 um，并在130℃下烘烤，使液态光阻剂固化，凝固在ITO表面形成光阻层；利用高温固化光阻剂使其溶剂挥发，不影响光阻剂的效果；
S3、曝光：对涂敷在ITO膜表面上的光阻层进行曝光，采用光罩对涂敷有光阻层进行曝光，在黄光环境下，用波长为400 nm的紫外线从光罩面向光阻层的方向垂直照射，对光阻层的曝光能量为200~300 J/cm2；
S4、显影：将经步骤S3曝光后的ITO膜用碱性溶液进行显影，在黄光环境下，将曝光后的ITO膜浸泡在温度为26℃，质量浓度为1.0 %wt的氢氧化钠溶液中进行显影，显影时间为70 s，在光阻层上产生图案；
S5、蚀刻：将经步骤S4显影后的ITO膜用酸性溶液进行蚀刻，是将显影后ITO膜浸泡在温度为45℃，质量浓度为22%wt的硝酸溶液中进行蚀刻，蚀刻时间为80 s，在ITO膜上形成图形；
S6、剥膜：将经步骤S5蚀刻后的ITO膜用碱性溶液去除ITO膜表面的光阻层，是将经过蚀刻后的ITO膜浸泡在温度为45℃，质量浓度为2.5%wt的氢氧化钠溶液中进行剥膜，剥膜时间为50 s；
S7、绝缘印刷：将经过步骤S6剥膜后的ITO膜置于涂敷透明绝缘油墨且有线路图形的网板下，用刮胶刮动，将透明的绝缘油墨按照网板上的线路图形均匀的挤压印刷在ITO膜上，并在紫外灯照射下烘烤固化，紫外光固化能量为1000 mj/cm2，所述的绝缘油墨为日本东洋纺绩株式会社的型号为FR-200C-4的绝缘油墨；
S8、银浆印刷：将经过步骤S7绝缘油墨印刷后的ITO膜置于涂敷导电银浆且有线路图形的网板下，用刮胶刮动，将导电银浆按照网板上的线路图形均匀的挤压印刷在镀铜ITO膜上，所述导电银浆为日本东洋纺绩株式会社的型号为DW-440L-29C的导电银浆；
S9、烘烤：将经过步骤S8后的ITO膜置于烘烤温度为142℃的烤箱中，烘烤20 min，固化导电银浆形成线路，得到所述纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏成品。
实施例4
本发明提供的一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺，请参阅图1所示，依次包括以下步骤：裁切预定尺寸的ITO膜后，依次进行如下步骤；
S1、老化：对纯ITO膜进行高温老化，老化温度为140℃，利用高温老化可以改善ITO膜基材的稳定性，提高ITO膜的透过率，同时消除部分光学上的偏振现象，减少光膜层之间的光学干涉；其次，可以改变ITO膜表面的电阻；第三，可将ITO从非结晶状态转变为结晶状态，提高稳定性；
S2、涂布：在经步骤S1老化后的ITO膜表面涂敷液态光阻剂，所述液态光阻剂为苏州瑞红电子化学品有限公司生产的型号为RZJ-2500正性光刻胶，涂敷液态光阻剂的厚度为7 um，并在130℃下烘烤，使液态光阻剂固化，凝固在ITO表面形成光阻层；利用高温固化光阻剂使其溶剂挥发，不影响光阻剂的效果；
S3、曝光：对涂敷在ITO膜表面上的光阻层进行曝光，采用光罩对涂敷有光阻层进行曝光，在黄光环境下，用波长为400 nm的紫外线从光罩面向光阻层的方向垂直照射，对光阻层的曝光能量为200~300 J/cm2；
S4、显影：将经步骤S3曝光后的ITO膜用碱性溶液进行显影，在黄光环境下，将曝光后的ITO膜浸泡在温度为30℃，质量浓度为1.0%wt的碳酸钠溶液中进行显影，显影时间为70 s，在光阻层上产生图案；
S5、蚀刻：将经步骤S4显影后的ITO膜用酸性溶液进行蚀刻，是将显影后ITO膜浸泡在温度为50℃，质量浓度为22%wt的盐酸溶液中进行蚀刻，蚀刻时间为80 s，在ITO膜上形成图形；
S6、剥膜：将经步骤S5蚀刻后的ITO膜用碱性溶液去除ITO膜表面的光阻层，是将经过蚀刻后的ITO膜浸泡在温度为45℃，质量浓度为2.5%wt的碳酸钠溶液中进行剥膜，剥膜时间为50 s；
S7、绝缘印刷：将经过步骤S6剥膜后的ITO膜置于涂敷透明绝缘油墨且有线路图形的网板下，用刮胶刮动，将透明的绝缘油墨按照网板上的线路图形均匀的挤压印刷在ITO膜上，并在紫外灯照射下烘烤固化，紫外光固化能量为1000 mj/cm2，所述的绝缘油墨为日本东洋纺绩株式会社的型号为FR-200C-4的绝缘油墨；
S8、银浆印刷：将经过步骤S7绝缘油墨印刷后的ITO膜置于涂敷导电银浆且有线路图形的网板下，用刮胶刮动，将导电银浆按照网板上的线路图形均匀的挤压印刷在镀铜ITO膜上，所述导电银浆为日本东洋纺绩株式会社的型号为DW-440L-29C的导电银浆；
S9、烘烤：将经过步骤S8后的ITO膜置于烘烤温度为142℃的烤箱中，烘烤20 min，固化导电银浆形成线路，得到所述纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏成品。
实施例1-4制得的一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏的性能测试见下表1.
表1 性能测试
通过上表1可以看出本发明制得的一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏产品的优良率、透光率很高，产品对高温高湿、高温存储、冷热冲击、盐雾测试性能良好。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (9)
1.一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺，其特征在于，依次包括以下步骤：
S1、老化：对纯ITO膜进行高温老化；
S2、涂布：在经步骤S1老化后的ITO膜表面涂敷液态光阻剂，并烘烤使得所述液态光阻剂固化为光阻层；
S3、曝光：对涂敷在ITO膜表面上的光阻层进行曝光；
S4、显影：将经步骤S3曝光后的ITO膜用碱性溶液进行显影，在光阻层上产生图案；
S5、蚀刻：将经步骤S4显影后的ITO膜用酸性溶液进行蚀刻，在ITO膜上形成图形；
S6、剥膜：将经步骤S5蚀刻后的ITO膜用碱性溶液去除ITO膜表面的光阻层；
S7、绝缘印刷：在经过步骤S6剥膜后的ITO膜上印刷透明的绝缘油墨，并在紫外灯照射下固化绝缘油墨；
S8、银浆印刷：在经过步骤S7后的ITO膜上印刷导电银浆；
S9、烘烤：将经过步骤S8后的ITO膜置于烤箱中，固化导电银浆形成线路，得到成品。
2.根据权利要求1所述的一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺，其特征在于，所述步骤S1中的老化温度为140℃。
3.根据权利要求1所述的一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺，其特征在于，所述的步骤S2中涂敷液态光阻剂为正性光刻胶，厚度为4~7 um，所述烘烤固化温度为100~130℃。
4.根据权利要求1所述的一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺，其特征在于，所述的步骤S3的曝光是在黄光环境中，用波长为200~400 nm的紫外线垂直照射光阻层，曝光能量为200~300 J/cm2。
5.根据权利要求1所述的一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺，其特征在于，所述步骤S4中显影温度为20-30℃，显影时间为30-70 s；所述碱性溶液为氢氧化钠或碳酸钠溶液，质量浓度为0.1~1.0 %wt。
6.根据权利要求1所述的一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺，其特征在于，所述步骤S5中蚀刻温度为30-50℃，蚀刻时间为20-80 s；所述酸性溶液为硝酸或盐酸溶液，质量浓度为18~22%wt。
7.根据权利要求1所述的一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺，其特征在于，所述步骤S6中剥膜温度为35-45℃，剥膜时间为30-50 s；所述碱性溶液为氢氧化钠或碳酸钠溶液，质量浓度为1.5~2.5%wt。
8.根据权利要求1所述的一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺，其特征在于，所述步骤S9中烘烤温度为138-142℃，烘烤时间为20 min。
9.根据权利要求1所述的一种纯ITO膜结构单层多点的电容式触摸屏制作工艺，其特征在于，所述绝缘油墨印刷厚度为8~11 um；所述导电银浆印刷厚度为9~12 um。
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