CN101739160A - 一种用于触摸屏的ito薄膜制造方法 - Google Patents
一种用于触摸屏的ito薄膜制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101739160A CN101739160A CN200810072132A CN200810072132A CN101739160A CN 101739160 A CN101739160 A CN 101739160A CN 200810072132 A CN200810072132 A CN 200810072132A CN 200810072132 A CN200810072132 A CN 200810072132A CN 101739160 A CN101739160 A CN 101739160A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- thin film
- ito thin
- protection layer
- touch
- thermosetting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Position Input By Displaying (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本发明公开一种用于触摸屏的ITO薄膜制造方法,该方法包括:设置蚀刻保护层,在ITO薄膜的正面设置蚀刻保护层;蚀刻处理,对ITO薄膜正面进行蚀刻;清洁处理,对蚀刻后的ITO薄膜进行清洗;剥离蚀刻保护层,将经过清洁处理的ITO薄膜的蚀刻保护层去除;设置正面保护层,在ITO薄膜的正面可视区域设置保护层;印制银线,在ITO薄膜的正面四周印制银线。由于经过蚀刻处理步骤后,ITO薄膜正面蚀刻保护层对ITO薄膜进行保护,可以在对ITO薄膜进行清洁处理时,提供较高的洁净度,同时可以避免ITO薄膜刮伤、氧化,从而可以提高触摸屏成品率。
Description
技术领域
本发明涉及一种在各种电子设备中的操作中使用的触摸屏制造方法。
背景技术
ITO(Indium Tin Oxides,铟锡金属氧化物)是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡,ITO薄膜即铟锡氧化物半导体设在薄膜的一面形成的透明导电膜。
现有电阻式触摸屏主要采用湿制程蚀刻方法制造,先将需要的部份用耐酸性油墨保护起来后,再通过酸性化学药水将不需要的ITO薄膜蚀刻掉,然后再通过碱性化学药水将表面的耐酸性油墨去除掉,最后用水将表面清洁干净,干燥后进行后序生产流程。在触摸屏的制造过程中,ITO薄膜的清洁度是一重要参数,清洁度不高的ITO薄膜都需要按不合格品处理。由于该方法在制造用于触摸屏的ITO薄膜的过程中,ITO薄膜接触到碱性药水及蚀刻设备相关清洁工具,容易造成ITO薄膜刮伤、刺伤、污垢存在等现象,容易造成触摸蚀刻过度或外观不良等问题,从而造成生产的成品率较低。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种用于触摸屏的ITO薄膜制造方法,该方法可以提供较高的洁净度,从而提高ITO薄膜成品率。
为了解决上述问题,本发明提供一种用于触摸屏的ITO薄膜制造方法,该方法包括以下步骤:
设置蚀刻保护层,在ITO薄膜的正面设置蚀刻保护层;
蚀刻处理,对ITO薄膜正面进行蚀刻;
清洁处理,对蚀刻后的ITO薄膜进行清洗;
剥离蚀刻保护层,将经过清洁处理的ITO薄膜的蚀刻保护层从ITO薄膜上剥离;
设置正面保护层,在ITO薄膜的正面可视区域设置正面保护层;
印制银线,在ITO薄膜的正面四周印制银线。
优选地,所述蚀刻保护层的厚度为15um~35um,再对该蚀刻保护层进行烘烤热固,该热固温度为130℃~150℃,热固时间为10分钟~20分钟。
优选地,所述设置蚀刻保护层之前还包括:
设置反面保护层;
预缩处理。
优选地,在设置反面保护层时,反面保护层的厚度为15um~35um,再对该保护层进行烘烤热固,该热固温度为130℃~150℃,热固时间为10分钟~20分钟。
优选地,所述预缩处理在温度为130℃~160℃,预缩时间为60分钟~120分钟。
优选地,在所述印制银线之后,还包括印制银线保护层,该银线保护层经过紫外线固化处理或热固处理。
优选地,所述紫外线固化处理时,该紫外线强度为700mj/cm2~800mj/cm2。
优选地,所述热固处理时,该热固温度为80℃~150℃,热固时间为20分钟~40分钟。
优选地,在所述印制银线保护层之后还包括,在ITO薄膜的正面四周设置粘合剂。
本发明ITO薄膜的制造方法,首先,在ITO薄膜的正面设置蚀刻保护层,并对ITO薄膜的正面进行蚀刻处理,再对蚀刻处理的ITO薄膜进行清洁处理,再剥离设在正面的蚀刻保护层,并立刻在ITO薄膜的正面可视区域设置正面保护层,最后在设有正面保护层的ITO薄膜四周印制银线。与现有技术相比,经过蚀刻处理后,ITO薄膜上始终有蚀刻保护层对ITO薄膜进行保护,可以在对ITO薄膜进行清洁处理时,提供较高的洁净度,同时可以避免ITO薄膜刮伤、氧化,从而可以提高触摸屏成品率。由于现有技术在清洁处理时需要用碱洗,因此在进行清洁处理时,会将保护层溶解掉,使得ITO薄膜的洁净度更低。在设置蚀刻保护层之前还包括设置反面保护层和预缩处理步骤,在ITO薄膜的反面设置反面保护层,可以对ITO薄膜的反面进行保护;对ITO薄膜进行预缩处理,可以避免ITO薄膜在之后工序中加热时发生变形,同时可以避免ITO薄膜的阻值发生改变。
附图说明
图1是本发明用于触摸屏的ITO薄膜制造方法实施例的流程示意图;
图2是本发明实施例中设置保护层步骤流程示意图;
图3是本发明实施例蚀刻保护层示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
本发明实施例,用于触摸屏的ITO薄膜制造方法,经过蚀刻处理后,ITO薄膜上有蚀刻保护层对ITO薄膜进行保护,可以在对ITO薄膜进行清洁处理时,提供较高的洁净度,同时可以避免ITO薄膜刮伤、氧化,从而可以提高触摸屏成品率。
如图1所示,本发明用于触摸屏的ITO薄膜制造方法,该方法包括以下步骤。
步骤S11,设置蚀刻保护层,在ITO薄膜的正面设置蚀刻保护层,该蚀刻保护层对ITO薄膜上ITO层进行保护,将未受蚀刻保护层保护的ITO层去除。
在制造用于触摸屏的ITO薄膜时,基本上都在较大面积的ITO薄膜上按需要的面积进行蚀刻,在蚀刻后的ITO薄膜印银线等处理后,再将设有银线的ITO薄膜设置粘合剂,这样可以提高生产效率。由于现有技术在设置蚀刻保护层时,在较大面积的ITO薄膜上根据需要设置多个蚀刻区域,每个蚀刻区域设都设有一蚀刻保护层,因此每个蚀刻保护层之间有间隙。在蚀刻时,蚀刻的药水可能会从蚀刻保护层的边缘浸入渗透,可能将部分需要的TIO层蚀刻掉,使ITO层在ITO薄膜边缘部分形成锯齿状,从而可能导致ITO薄膜电阻会发生改变,使触摸屏不稳定性。
如图3所示,在设置蚀刻保护层1′时,在较大面积的ITO薄膜1上根据需要划成几个条状区域,每个条状区域设一个蚀刻保护层1′。每个蚀刻保护层1′的面积可以包括多个需要的ITO薄膜面积大小。例如,将ITO薄膜1设为四个条状区域,每个条状区域可以切割成五个需要的ITO薄膜;在设置蚀刻保护层1′时,将五个ITO薄膜设置一个蚀刻保护层1′。在蚀刻后,根据需要对ITO薄膜进行切割,因此切割后的ITO薄膜边缘不会出现锯齿状,从而在ITO薄膜印制银线后,ITO薄膜的电阻会不发生改变,使ITO薄膜制成的触摸屏性能更稳定。
步骤S12,蚀刻处理,对ITO薄膜的正面进行蚀刻,即对未设置蚀刻保护层的ITO层进行蚀刻。
步骤S13,清洁处理,对蚀刻后的ITO薄膜进行清洗;具体地说,将蚀刻后的ITO薄膜进行清洗,再对清洗后的ITO薄膜进行干燥处理。
步骤S14,剥离蚀刻保护层,将经过清洁处理的ITO薄膜的蚀刻保护层剥离;具体地说,ITO薄膜经过清法处理后,将设置在ITO薄膜正面的蚀刻保护层快速从ITO薄膜上剥离。
步骤S15,设置正面保护层,在ITO薄膜的正面可视区域设置正面保护层;具体地说,在步骤S14中剥离蚀刻保护层的ITO薄膜正面新设置正面保护层,该正面保护层可以对ITO层和ITO薄膜进行保护,该正面保护层的厚度为15um~35um。所述可视区域是指在ITO薄膜与另一ITO薄膜或ITO玻璃等结合形成触摸屏上可以显示的区域。
步骤S16,印制银线,在ITO薄膜的正面四周印制银线;具体地说,先印制银线,将ITO薄膜上电路引出;再对银线在130℃温度烘烤50分钟。
在本流程中,在所述印制银线保护层之后还包括在银线上设置银线保护层,该银线保护层通过紫外线固化处理或热固化处理,该热固化也称为热固,其中,紫外线在700mj/cm2~800mj/cm2(毫焦/平方厘米)条件下进行固化,热固温度为80℃~150℃,热固时间为20分钟~40分钟。在所述设置银线保护层之后还可以包括:在ITO薄膜的正面四周设置粘合剂。
如图2所示,所述设置蚀刻保护层步骤S11之前还可以包括以下步骤:
步骤S110,设置反面保护层,在ITO薄膜的反面设置反面保护层,该反面保护层用于保护ITO薄膜的防刮层(Hard-coating),防止ITO薄膜的防刮层被刮伤、污染,造成外观不良。所述反面保护层的厚度为15um~35um,并对该反面保护层进行热固处理,该热固温度为130℃~150℃,热固时间为10分钟~20分钟。
步骤S111,预缩处理,将反面设有反面保护层的ITO薄膜进行预缩处理。由于ITO薄膜在后序工序中,需要对其进行干燥和烘烤等热处理,可以防止ITO薄膜发生变形和ITO层阻值发生变化,该预缩处理在温度为130℃~160℃,加热60分钟~120分钟。
在本实施例中,所述反面为ITO薄膜没有设有ITO层的面,也即为ITO薄膜的防刮面,正面为设有ITO层的面。可以根据需要在步骤S11之后再进行预缩处理,其他步骤不变。所述蚀刻保护层和反面保护层优选地为耐酸油墨。
由于在ITO薄膜正面设置蚀刻保护层,并对ITO薄膜的正面进行蚀刻处理,再对蚀刻处理的ITO薄膜进行清洁处理,并剥离设在正面的蚀刻保护层,再立刻在ITO薄膜的正面可视区域设置正面保护层,并在设置有正面保护层的ITO薄膜四周印制银线。经过蚀刻处理后,ITO薄膜正面有蚀刻保护层对ITO薄膜进行保护,可以在对ITO薄膜进行清洁处理时,提供较高的洁净度,同时可以避免ITO薄膜刮伤、氧化,从而可以提高触摸屏成品率。在设置蚀刻保护层之前还包括设置反面保护层和预缩处理步骤,在ITO薄膜的反面设置反面保护层,可以对ITO薄膜的反面进行保护;对ITO薄膜进行预缩处理,可以避免ITO薄膜在之后工序中加热时发生变形,同时可以避免ITO薄膜的阻值发生改变。
以上所述仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (9)
1.一种用于触摸屏的ITO薄膜制造方法,其特征在于,该方法包括:
设置蚀刻保护层,在ITO薄膜的正面设置蚀刻保护层;
蚀刻处理,对ITO薄膜正面进行蚀刻;
清洁处理,对蚀刻后的ITO薄膜进行清洗;
剥离蚀刻保护层,将经过清洁处理的ITO薄膜的蚀刻保护层从ITO薄膜上剥离;
设置正面保护层,在ITO薄膜的正面可视区域设置正面保护层;
印制银线,在ITO薄膜的正面四周印制银线。
2.根据权利要求1所述的用于触摸屏的ITO薄膜制造方法,其特征在于:所述蚀刻保护层的厚度为15um~35um,再对该蚀刻保护层进行烘烤热固,该热固温度为130℃~150℃,热固时间为10分钟~20分钟。
3.根据权利要求1或2所述的用于触摸屏的ITO薄膜制造方法,其特征在于,所述设置蚀刻保护层之前还包括:
设置反面保护层;
预缩处理。
4.根据权利要求3所述的用于触摸屏的ITO薄膜制造方法,其特征在于:在设置反面保护层时,反面保护层的厚度为15um~35um,再对该保护层进行烘烤热固,该热固温度为130℃~150℃,热固时间为10分钟~20分钟。
5.根据权利要求3所述的用于触摸屏的ITO薄膜制造方法,其特征在于:所述预缩处理在温度为130℃~160℃,预缩时间为60分钟~120分钟。
6.根据权利要求1所述的用于触摸屏的ITO薄膜制造方法,其特征在于:在所述印制银线之后,还包括印制银线保护层,该银线保护层经过紫外线固化处理或热固处理。
7.根据权利要求6所述的用于触摸屏的ITO薄膜制造方法,其特征在于:所述紫外线固化处理时,该紫外线强度为700mj/cm2~800mj/cm2。
8.根据权利要求6所述的用于触摸屏的ITO薄膜制造方法,其特征在于:所述热固处理时,该热固温度为80℃~150℃,热固时间为20分钟~40分钟。
9.根据权利要求6所述的用于触摸屏的ITO薄膜制造方法,其特征在于:在所述印制银线保护层之后还包括,在ITO薄膜的正面四周设置粘合剂。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200810072132XA CN101739160B (zh) | 2008-11-17 | 2008-11-17 | 一种用于触摸屏的ito薄膜制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200810072132XA CN101739160B (zh) | 2008-11-17 | 2008-11-17 | 一种用于触摸屏的ito薄膜制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101739160A true CN101739160A (zh) | 2010-06-16 |
CN101739160B CN101739160B (zh) | 2012-05-23 |
Family
ID=42462709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200810072132XA Expired - Fee Related CN101739160B (zh) | 2008-11-17 | 2008-11-17 | 一种用于触摸屏的ito薄膜制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101739160B (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101968704A (zh) * | 2010-10-18 | 2011-02-09 | 汕头超声显示器有限公司 | 电容触摸屏制造方法 |
CN102331878A (zh) * | 2011-09-15 | 2012-01-25 | 天津市中环高科技有限公司 | 一种触摸屏银线防氧化方法 |
CN102902389A (zh) * | 2011-07-27 | 2013-01-30 | 比亚迪股份有限公司 | 一种触摸传感器的制作方法 |
CN103309487A (zh) * | 2012-03-14 | 2013-09-18 | 深圳欧菲光科技股份有限公司 | Ito电极的制备方法 |
CN103310903A (zh) * | 2012-03-08 | 2013-09-18 | 深圳欧菲光科技股份有限公司 | Ito薄膜蚀刻方法 |
CN103593090A (zh) * | 2013-11-30 | 2014-02-19 | 东莞市平波电子有限公司 | 一种gf2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺 |
CN104020918A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-09-03 | 深圳市航泰光电有限公司 | 一种石墨烯电容式触摸屏及其制作方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6787253B2 (en) * | 2001-06-27 | 2004-09-07 | Bridgestone Corporation | Transparent electroconductive film and touch panel |
CN1416967A (zh) * | 2001-11-05 | 2003-05-14 | 闳晖实业股份有限公司 | 一种除去导电玻璃或薄膜上导电层的方法 |
CN101114126A (zh) * | 2006-07-28 | 2008-01-30 | 比亚迪股份有限公司 | 一种ito图案的形成方法 |
-
2008
- 2008-11-17 CN CN200810072132XA patent/CN101739160B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101968704A (zh) * | 2010-10-18 | 2011-02-09 | 汕头超声显示器有限公司 | 电容触摸屏制造方法 |
CN102902389A (zh) * | 2011-07-27 | 2013-01-30 | 比亚迪股份有限公司 | 一种触摸传感器的制作方法 |
CN102902389B (zh) * | 2011-07-27 | 2016-04-20 | 深圳市比亚迪电子部品件有限公司 | 一种触摸传感器的制作方法 |
CN102331878A (zh) * | 2011-09-15 | 2012-01-25 | 天津市中环高科技有限公司 | 一种触摸屏银线防氧化方法 |
CN102331878B (zh) * | 2011-09-15 | 2013-08-14 | 天津市中环高科技有限公司 | 一种触摸屏银线防氧化方法 |
CN103310903A (zh) * | 2012-03-08 | 2013-09-18 | 深圳欧菲光科技股份有限公司 | Ito薄膜蚀刻方法 |
CN103309487A (zh) * | 2012-03-14 | 2013-09-18 | 深圳欧菲光科技股份有限公司 | Ito电极的制备方法 |
CN103309487B (zh) * | 2012-03-14 | 2016-08-17 | 深圳欧菲光科技股份有限公司 | Ito电极的制备方法 |
CN103593090A (zh) * | 2013-11-30 | 2014-02-19 | 东莞市平波电子有限公司 | 一种gf2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺 |
CN104020918A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-09-03 | 深圳市航泰光电有限公司 | 一种石墨烯电容式触摸屏及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101739160B (zh) | 2012-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101739160B (zh) | 一种用于触摸屏的ito薄膜制造方法 | |
KR101812606B1 (ko) | 투명인쇄회로 제조방법 및 투명터치패널 제조방법 | |
CN103309510B (zh) | 触摸屏电极制造方法 | |
TWI474377B (zh) | A method of patterning a substrate and a method of manufacturing a capacitive touch panel | |
WO2018034290A1 (ja) | 積層体、電子デバイスの製造方法、積層体の製造方法 | |
JP2018081242A (ja) | 液晶パネルの製造方法 | |
US10042447B2 (en) | Touch sensor having single ITO layer, manufacturing method thereof and touch screen | |
CN102026490A (zh) | Ito镀膜电路板的制备方法 | |
CN113126829A (zh) | 触控面板及其制作方法 | |
KR20160038236A (ko) | 은 나노 와이어의 식각액 조성물 | |
TWI554481B (zh) | Projection and structure of single glass touch panel with corner | |
KR101383649B1 (ko) | 터치 패널용 패드의 제조 방법 | |
CN113788630A (zh) | 一种触摸屏的加工工艺 | |
WO2015016113A1 (ja) | 電子デバイスの製造方法 | |
JP2011134176A (ja) | タッチパネルおよびその製造方法 | |
US10440779B2 (en) | Process for the production of flexible resistances | |
KR100677941B1 (ko) | 샌드블래스팅을 이용한 터치스크린 제조방법 | |
CN106647190B (zh) | 双面ito薄膜的光刻方法 | |
JP2013205420A (ja) | 表示装置部材の製造方法並びに搬送基板及び表示装置部材積層体 | |
US20170027060A1 (en) | Method for forming electrode pattern on substrate by light annealing | |
TW201505824A (zh) | 夾層玻璃結構及防眩光玻璃之製造方法 | |
KR101557170B1 (ko) | 터치 스크린 및 이의 제조방법 | |
CN102097370B (zh) | 精密图案的制程方法 | |
JP2018040930A (ja) | 液晶表示パネルの製造方法 | |
KR20130037763A (ko) | 지지기판과 그 제조방법 및 디스플레이 장치용 기판의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120523 Termination date: 20171117 |