KR101557170B1 - 터치 스크린 및 이의 제조방법 - Google Patents

터치 스크린 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기재; 상기 기재의 일면에 구비된 제1 전도성 패턴; 상기 기재의 타면에 구비된 제2 전도성 패턴; 및 상기 제1 전도성 패턴과 같은 면상에 구비된 얼라인 키(align key)를 포함하는 1매형 터치 스크린 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

Description

터치 스크린 및 이의 제조방법 {TOUCH SCREEN AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 터치 스크린 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 발명은 1매형 터치 스크린 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 터치 스크린은 상하부 기판상에 각각 전도성 패턴을 형성하고, 이들을 절연층을 개재하여 합지함으로써 구성된다. 이와 같은 터치 스크린은 2장의 기판을 합지하기 위하여 얼라인 기술이 필요하다.
상기 전도성 패턴으로는 ITO 기반의 도전성 막이 많이 사용되고 있으나, 이러한 ITO는 대면적 터치패널에 적용시 자체적인 RC 지연에 의하여 인식속도가 낮은 문제점이 있다.
이러한 문제점을 극복하기 위하여, 추가적인 보상 칩(chip)을 도입하는 시도가 이루어지고 있으나, 이는 가격이 상승되는 문제점이 있다.
따라서, ITO 패턴을 전도성 패턴으로 대체하려는 시도가 많이 이루어지고 있으나, 전도성 패턴을 이용하는 경우 시인성 측면에 있어서 눈에 띄지 않는 정밀도가 높은 미세 패턴을 만들기 어렵고, 포토리소그래피방법을 이용하는 경우 그 공정이 매우 복잡하고 공정 비용이 매우 높아진다는 문제가 있다.
본 발명자들은 1장의 기재를 이용하여 터치 스크린을 형성할 수 있는 방법을 밝혀내어 본 발명에 이르렀다. 이에, 본 발명은 1매형 터치 스크린 및 이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은
기재;
상기 기재의 일면에 구비된 제1 전도성 패턴;
상기 기재의 타면에 구비된 제2 전도성 패턴; 및
상기 제1 전도성 패턴과 같은 면상에 구비된 얼라인 키(align key)를 포함하는 1매형 터치 스크린을 제공한다.
또한, 본 발명은
기재 상에 제1 전도성 패턴을 형성하는 단계;
상기 기재의, 상기 제1 전도성 패턴이 형성되는 면 상에 얼라인 키를 형성하는 단계; 및
상기 기재의 제1 전도성 패턴이 형성된 면의 반대면에, 상기 얼라인 키를 기준으로 얼라인하여 제2 전도성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 1매형 터치 스크린의 제조방법을 제공한다. 상기 각 단계는 동시에 또는 별도로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따르면, 1매형의 터치 스크린을 제공할 수 있으므로, 터치 스크린의 두께를 최소화할 수 있으며, 기재의 일면에 구비된 얼라인 키를 이용함으로써 얼라인 과정이 용이하다. 기재를 절연층으로 사용하는 1매형이기 때문에 노이즈 측면에서 유리하다. 또한, 터치 스크린의 표면에 기능성 표면 필름을 라미네이션 하는 경우, 단차가 크지 않기 때문에 기포가 차지 않는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시상태에 따른 터치 스크린의 구조를 예시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시상태에 따른 터치 스크린에 FPCB를 결합한 구조를 예시한 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시상태에 따라 얼라인 키가 형성된 구조를 예시한 것이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 실시상태에 따른 터치 스크린의 제조공정을 예시한 것이다.
도 6은 본 발명에 따른 터치 스크린의 전도성 패턴이 흡광층을 포함하는 경우 그 단면 구조의 일 예를 나타낸 것이다.
이하에서, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 터치 스크린은 1매형으로서, 기재; 상기 기재의 일면에 구비된 제1 전도성 패턴; 상기 기재의 타면에 구비된 제2 전도성 패턴; 및 상기 제1 전도성 패턴과 같은 면상에 구비된 얼라인 키를 포함하는 것을 특징으로 한다.
종래에는 2장의 기재 상에 각각 전도성 패턴을 형성하고, 절연층을 형성한 후 이들을 합지하거나, 1장의 기재 상에 전도성 패턴 및 절연층을 형성한 후, 그 위에 다시 전도성 패턴을 형성하는 방식으로 터치 스크린을 제조하는 방식이 이용되어 왔다. 그런데, 이와 같은 방식에 따르면, 전도성 패턴을 형성하는 단계를 별도로 2회이상 진행하여야 하기 때문에 공정이 복잡하고 재료 비용과 공정 비용이 많이 소요되는 문제가 있었다. 또한, 기재와 별도의 절연층을 사용하기 때문에 재료 비용 및 공정 비용이 높아지는 문제가 있었다.
그러나, 본 발명에서는 기재를 절연층으로 사용하여 양면에 전도성 패턴을 형성하되, 양면에 구비되는 전도성 패턴의 얼라인을 위하여 기재의 일면에 얼라인 키를 형성하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 재료 비용 및 공정 비용을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라, 수율 및 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 터치 스크린은 1매형이므로 터치 스크린의 두께를 줄일 수 있고, FPCB의 설치 및 부착도 용이하다.
본 발명에 따른 터치 스크린의 일 예를 도 1에 도시하였다. 도 1에 따르면, 기재를 개재하여 양면에 전도성 패턴이 형성되어 있다. 도 1에 따르면 전도성 패턴의 형태가 메쉬 형태이나, 이에 한정되지 않고 후술하는 바와 같이 상기 전도성 패턴은 규칙 또는 불규칙 패턴일 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 터치 스크린에 FPCB를 결합한 형태의 단면도 및 배면도를 예시한 것이다.
본 발명에 있어서, 상기 얼라인 키는 상기 제1 전도성 패턴이 형성된 기재 면 상에 구비된다. 상기 얼라인 키는 상기 제1 전도성 패턴을 형성하기 전 또는 후에 형성될 수도 있고, 상기 제1 전도성 패턴과 함께 형성될 수 있다. 또한, 상기 얼라인 키는 전도성 패턴을 형성하기 위한 에칭 레지스트 패턴의 형성시 함께 형성될 수 있다.
본 발명에서는 공정 효율 및 비용을 고려하여, 상기 얼라인 키는 상기 제1 전도성 패턴과 동일한 재료 또는 에칭 레지스트 패턴과 동일한 재료로 형성할 수 있다. 상기 얼라인 키는 제1 전도성 패턴 형성을 위한 도전층 형성시, 상기 에칭 레지스트 패턴 형성시, 또는 제1 전도성 패턴의 형성 과정 도중 도전층의 선택적 식각에 의하여 제1 전도성 패턴의 형성시에 형성될 수 있다. 상기 얼라인 키는 이것을 형성하고자 하는 영역에 전도성 패턴 재료 또는 에칭 레지스트 패턴 재료를 이용하여 당기술분야에 알려져 있는 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
본 발명에서는 상기 얼라인 키가 효율적으로 역할을 하기 위하여, 상기 얼라인 키가 구비된 부분의 기재의 반대측, 즉 제2 전도성 패턴이 형성되는 면에서의 상기 얼라인 키가 구비된 영역의 대응 영역에는 도전층 또는 에칭 레지스트층이 구비되지 않는 것이 바람직하다. 이에 의하여 상기 얼라인 키가 투명한 기재를 통하여 비추어져 그 역할을 할 수가 있다.
상기 제1 전도성 패턴이 형성되는 면에 상기 얼라인 키를 형성하기 위하여, 또는 상기 제2 전도성 패턴이 형성되는 면 중 상기 얼라인 키가 형성되는 부분에 도전층 또는 에칭 레지스트층이 구비되지 않도록 하기 위하여 기재의 전면에 도전층 또는 에칭 레지스트층이 형성되지 않고, 기재의 적어도 일부가 노출되어 있는 것이 바람직하다. 예컨대, 마스킹(masking)을 통하여 기재의 적어도 일부에 도전층 또는 에칭 레지스트층이 형성되지 않도록 보호하고, 그 부분에 상기 얼라인 키를 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 터치 스크린의 제조방법은 제1 전도성 패턴 또는 제2 전도성 패턴 형성 전에, 얼라인 키를 형성하고자 하는, 기재의 적어도 일부를 보호하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 얼라인 키는 터치 스크린의 구동과 관계없이 제조과정 중 양면에 형성되는 전도성 패턴의 얼라인을 효율적으로 하기 위하여 구비되는 것이므로, 터치 스크린의 유효화면부에 영향을 주지 않는 기재의 가장자리부에 구비되는 것이 바람직하다. 특히, 상기 얼라인 키는 에칭 레지스트 패턴의 인쇄 방향의 양측 가장자리부에 형성되는 것이 바람직하다. 상기 얼라인 키는 얼라인을 위하여 필요한 영역에 필요한 개수로 형성될 수 있으며, 상기 기재의 양측 가장자리부에 각각 한 개 이상씩, 바람직하게는 2개 이상씩 구비되는 것이 바람직하다. 예컨대, 상기 얼라인 키는 도 3과 같이 형성될 수 있다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 얼라인 키는 기재의 일면 상에 구비되며, 상기 얼라인 키는 투명한 기재의 타면에서도 비추어져 관찰될 수 있다.
본 발명에서는 1장의 기재의 양면에 전도성 패턴을 형성하기 때문에, 전도성 패턴 형성 공정 전체를 2회 반복할 필요가 없으며, 일부 공정을 공통적으로 수행할 수 있다. 예컨대, 건조, 소성, 식각 또는 에칭 레지스트층의 박리를 동시에 수행할 수 있다. 다시 말하면, 본 발명에서는 제1 전도성 패턴의 형성 단계와 제2 전도성 패턴의 형성 단계를 적어도 일부 동시에 수행할 수도 있다. 이에 의하여 공정 비용 및 효율을 향상시킬 수 있다.
구체적으로, 본 발명에서는 제1 전도성 패턴 및 제2 전도성 패턴의 형성이 하기와 같이 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 터치 스크린의 제조방법은 기재의 양면에 도전층을 형성하는 단계; 상기 기재의 일면에 형성된 도전층 상에 에칭 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 기재의 타면에 형성된 도전층 상에 에칭 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 상기 기재의 양면에 구비된 도전층을 식각하여 제1 및 제2 전도성 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 기재의 양면에 구비된 에칭 레지스트 패턴을 박리하는 단계를 포함할 수 있다. 이와 같은 제조 공정을 도 4에 예시하였다.
상기 방법에 있어서, 상기 제1 전도성 패턴의 형성을 위한 도전층의 형성시, 에칭 레지스트 패턴의 형성시 또는 도전층을 선택적으로 식각하여 제1 도전성 패턴 형성시에 기재의 일면에 얼라인 키를 형성하는 단계가 포함된다.
상기 도전층의 형성 전에 기재를 세정하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
상기 기재의 양면에 도전층을 형성하는 단계는 동시에 이루어질 수도 있으며, 일면에 먼저 도전층을 형성하고 이어서 타면에 도전층을 형성하는 방식으로 수행될 수도 있다.
상기 기재의 일면에 구비된 도전층 상에 에칭 레지스트 패턴을 형성하는 경우, 타면에 구비된 도전층 상에 에칭 레지스트 패턴을 형성하기 전에, 먼저 형성된 에칭 레지스트 패턴을 보호하기 위한 층을 형성할 수 있다.
본 발명의 또 하나의 실시상태에 따른 터치 스크린의 제조방법은 기재의 양면에 도전층을 형성하는 단계; 상기 기재의 일면에 형성된 도전층 상에 에칭 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 상기 도전층을 식각하여 제1 전도성 패턴을 형성하는 단계; 상기 기재의 타면에 형성된 도전층 상에 에칭 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 상기 기재의 타면에 구비된 도전층을 선택적으로 식각하여 제2 전도성 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 에칭 레지스트 패턴을 박리하는 단계를 포함할 수 있다. 이와 같은 제조 공정을 도 5에 예시하였다.
상기 방법에 있어서, 상기 제1 전도성 패턴의 형성을 위한 도전층의 형성시, 에칭 레지스트 패턴의 형성시 또는 도전층을 선택적으로 식각하여 제1 도전성 패턴 형성시에 기재의 일면에 얼라인 키를 형성하는 단계가 포함된다.
상기 도전층의 형성 전에 기재를 세정하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
상기 기재의 양면에 도전층을 형성하는 단계는 동시에 이루어질 수도 있으며, 일면에 먼저 도전층을 형성하고 이어서 타면에 도전층을 형성하는 방식으로 수행될 수도 있다.
상기 제1 전도성 패턴을 형성하기 위한 에칭 레지스트 패턴은 상기 제2 전도성 패턴을 형성하기 위한 에칭 레지스트 패턴 형성 전에 박리될 수도 있고, 상기 제2 전도성 패턴의 형성이 완료된 후, 기재의 양면에 구비된 에칭 레지스트 패턴이 동시에 박리될 수도 있다.
상기 기재의 일면에 제1 전도성 패턴을 형성한 후에, 이후 기재의 타면에 에칭 레지스트 패턴 형성 및 제2 전도성 패턴 형성 동안 먼저 형성된 제1 전도성 패턴을 보호하기 위한 층을 형성할 수 있다.
상기 공정 중에 필요한 경우 레지스트 패턴을 건조 또는 경화하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 전도성 패턴 및 상기 제2 전도성 패턴의 형태를 디자인하고, 디자인된 패턴에 따라 기재 상에 전도성 패턴을 형성할 수 있다. 상기 전도성 패턴을 형성하기 위하여 에칭 레지스트를 이용한 에칭법, 인쇄법, 포토리소그래피법, 포토그래피법, 마스크를 이용한 방법, 스퍼터링법, 또는 잉크젯 법 등을 이용할 수 있다. 상기 방법들 중 상기 에칭 레지스트를 이용한 에칭법이 미세한 패턴 형성을 위하여 바람직하다. 상기 에칭 레지스트를 이용한 에칭법에 있어서, 상기 에칭 레지스트는 포토리소그래피법을 이용하여 형성할 수 있다. 그러나, 상기 포토리소그래피법은 공정 비용이 높다는 점에서, 상기 에칭 레지스트는 인쇄법에 의하여 형성하는 것이 바람직하다.
예컨대, 본 발명에서는 a) 기재 상에 도전층을 형성하는 단계; b) 상기 도전층 상에 에칭 레지스트 패턴을 형성(forming)하는 단계; 및 c) 상기 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 상기 도전층을 에칭하여 전도성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 방법에 의하여 상기 전도성 패턴을 형성할 수 있다.
상기 c) 단계에서 상기 도전층을 오버 에칭(over-etching)함으로써 상기 에칭 레지스트 패턴의 폭보다 작은 선폭을 갖는 전도성 패턴을 형성할 수 있다.
상기 c) 단계 이후에 d) 상기 에칭 레지스트 패턴을 제거하는 단계; 또는 e) 상기 전도성 패턴을 덮도록(covering) 상기 에칭 레지스트 패턴을 재형성(reforming)하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
상기 기재의 재료는 본 발명에 따른 전도성 패턴의 제조 방법을 적용하고자 하는 분야에 따라 적절하게 선택될 수 있으며, 바람직한 예로는 유리 혹은 무기 재료 기재, 플라스틱 기재나 필름 또는 기타 플렉시블 기재 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 플라스틱 기재 또는 필름으로는 당기술분야에 알려져 있는 재료를 사용할 수 있으며, 예컨대 PET(Polyethylene terephthalate), PVB(polyvinylbutyral), PEN(polyethylene naphthalate), PES(polyethersulfon), PC(polycarbonate), 아세틸 셀룰로이드와 같은 가시광투과율 80 % 이상의 필름이 바람직하다. 상기 플라스틱 필름의 두께는 12.5 내지 500 마이크로미터인 것이 바람직하고, 50 내지 250 마이크로미터인 것이 더욱 바람직하다. 본 발명에 있어서, 상기 도전층은 강화유리에 직접 형성될 수도 있고, 유리나 필름에 형성된 후 강화유리에 부착될 수도 있다.
또한 상기 도전층의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 금속 막인 것이 바람직하다. 상기 도전층의 재료의 구체적인 예로는 은, 알루미늄, 구리, 네오디윰, 몰리브덴 또는 이들의 합금을 포함하는 단일막 또는 다층막이 바람직하다. 여기서, 상기 도전층의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 0.01~10 마이크로미터, 바람직하게는 500nm 이하인 것이 도전층의 전도도 및 형성 공정의 경제성 측면에서 바람직하다.
상기 도전층의 형성 방법으로는 특별히 한정되지 않으며, 증착, 스퍼터링, 습식 코팅, 증발, 전해 도금 또는 무전해 도금, 금속박의 라미네이션 등의 방법을 이용할 수 있다. 특히, 상기 도전층의 형성 방법으로서 유기금속, 나노금속 또는 이들의 복합체 용액을 기재상에 코팅한 후, 소성 및/또는 건조에 의하여 전도도를 부여하는 방법을 이용할 수 있다. 상기 유기금속으로는 유기은을 사용할 수 있으며, 상기 나노금속으로는 나노 은 입자 등을 사용할 수 있다.
상기 도전층 형성 전에, 기재 상에 부착력 향상을 위한 버퍼층을 추가로 형성할 수도 있다.
상기 a) 단계 이후에 세정 단계를 추가로 포함할 수 있다.
상기 b) 단계에서 상기 에칭 레지스트 패턴을 형성하는 방법은 인쇄법, 포토리소그래피법, 포토그래피법, 마스크를 이용한 방법 또는 레이져 전사, 예컨대, 열 전사 이미징(thermal transfer imaging)을 사용할 수 있으나, 미세 패턴을 정밀하게 구현하기 위하여 인쇄법 또는 포토리소그래피법이 바람직하며, 공정 비용 면에서 인쇄법이 더욱 바람직하다.
상기 인쇄법은 에칭 레지스트 재료를 포함하는 페이스트 혹은 잉크를 목적하는 패턴 형태로 도전층이 형성된 기재 상에 전사한 후 건조 또는 경화하는 방식으로 수행될 수 있다. 상기 전사 방법으로는 특별히 한정되지 않으나, 요판 또는 스크린 등 패턴 전사 매체에 패턴을 형성하고, 이를 이용하여 원하는 패턴을 도전층 상에 전사할 수 있다. 상기 패턴 전사 매체에 패턴 형태를 형성하는 방법은 당 기술 분야에 알려져 있는 방법을 이용할 수 있다.
상기 인쇄법으로는 특별히 한정되지 않고, 그라비아 오프셋 인쇄, 리버스 오프셋 인쇄, 스크린 인쇄, 그라비아 인쇄 등의 인쇄법이 사용될 수 있으나, 특히 미세한 선폭의 패턴 형성을 위하여 리버스 오프셋 인쇄법 또는 그라비아 오프셋 인쇄법이 바람직하고, 리버스 오프셋 인쇄법이 더욱 바람직하다. 리버스 오프셋 인쇄 방법을 이용하는 경우에는 도 4 및 도 5에 예시된 바와 같이, 레지스트 재료를 블랭킷에 도포하고, 클리쉐를 이용하여 상기 블랭킷으로부터 특정 패턴의 레지스트 재료를 제거하고, 상기 블랭킷에 남아 있는 레지스트 재료를 상기 도전층 상에 전사함으로써 형성할 수 있다.
리버스 오프셋 인쇄법을 사용할 경우, 상기 에칭 레지스트 패턴의 재료가 포함된 인쇄용 잉크의 점도는 0 cps 초과 1000 cps 이하인 것이 바람직하고, 5 cps 내지 10 cps인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 그라비아 인쇄법을 사용할 경우, 상기 잉크의 점도가 6000 cps 내지 12000 cps인 것이 바람직하고, 7000 cps 내지 8000 cps 범위인 것이 더욱 바람직하다. 잉크의 점도가 상기 범위일 때 각 인쇄법에서 잉크의 코팅이 적절하게 이루어지면서도 공정 중에 잉크의 안정성(잉크의 공정유지능력)이 유지될 수 있다.
상기 에칭 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 도전층을 에칭한 이후에, 상기 에칭 레지스트 패턴을 전도성 패턴을 덮도록 재형성하는 경우 상기 에칭 레지스트 패턴 재료는 절연성을 갖는 것이 바람직하다. 또한 e) 단계에서 에칭 레지스트 패턴의 재형성시 사용하는 조건, 예컨대 열, 용매, 증기(용매의 증기) 또는 플라스마 등의 처리에 의해 유동성(mobility)을 나타내면서도 내산성을 가지고 있는 고분자 재료를 사용하는 것이 바람직하며, 가교성을 가지고 있는 고분자 재료를 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
상기 에칭 레지스트 재료는 누설전류 10-1 암페어 이하인 절연성을 갖는 것이 바람직하다. 상기 에칭 레지스트 재료의 누설전류는 10-16 암페어 이상일 수 있다. 상기 에칭 레지스트 재료는 해당 방법에서 이용되는 도전층의 에칭액에 대하여 내산성을 가지는 것이 바람직하며, 예컨대 해당 도전층의 에칭액에 대하여 침지 또는 스프레이의 방법으로 접촉시 10분이상 형태 변화가 없는 것이 바람직하다.
또한, 상기 에칭 레지스트 재료는 후술하는 e) 단계를 위한 가공 조건에서 유동성을 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로, 상기 에칭 레지스트 재료로는 가소성 또는 경화성을 갖는 고분자 재료를 사용할 수 있다. 본 발명에서는 상기 에칭 레지스트 재료로서 열경화성 수지 뿐만 아니라 UV 경화성 수지를 사용할 수 있다. UV 경화성 수지는 열경화성 수지와는 달리 용매를 사용하지 않을 수 있기 때문에, 용매 증발에 따른 문제점이 없어, 안정적인 형태의 미세한 패턴 형성에 유리하다. 도 9는 UV 경화성 수지를 이용하여 에칭 레지스트 패턴을 제조하는 경우를 예시한 것이다.
구체적으로, 상기 에칭 레지스트 재료의 예로는 이미드계 고분자, 비스페놀계 고분자, 에폭시계 고분자, 아크릴계 고분자, 에스테르계 고분자, 노볼락(Novolac)계 고분자 또는 이들의 조합물을 이용할 수 있다. 이 중에서도 아크릴계, 이미드계 또는 노볼락(Novolac)계 수지가 바람직하다. 또한, 상기 에칭 레지스트 재료의 예로는 이미드계 단량체, 비스페놀계 단량체, 에폭시계 단량체, 아크릴계 단량체 및 에스테르계 단량체 중 2 이상의 조합물 또는 공중합체, 예컨대 에폭시화 아크릴 수지 또는 에폭시와 아크릴계 단량체의 공중합체를 이용할 수 있다.
상기 에칭 레지스트 패턴 조성물에 첨가할 수 있는 용매로는 당 기술분야에 사용될 수 있는 용매를 사용할 수 있으며, 1종 단독 또는 2종 이상의 혼합 용매를 사용할 수 있다. 예컨대, 인쇄법에 사용되는 블랑킷 재료, 에컨대 PDMS에 손상(damage)을 주지 않는 용매라면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 PGMEA(propylene glycol methyl ether acetate), 에탄올, 프로필렌카보네이트, 부틸셀로솔브, DMAc(dimethyl acetamide), MEK(methyl ethyl ketone), MIBK(methyl isobutyl ketone) 등을 사용할 수 있다.
상기 에칭 레지스트 패턴 형성용 조성물은 접착 증진제(adhesion promoter), 계면활성제 등을 추가로 포함할 수 있다.
상기 c) 단계에서, 상기 전도성 패턴의 형성은 상기 에칭 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 도전층을 에칭함으로써 수행된다. 상기 도전층을 오버 에칭함으로써 상기 에칭 레지스트 패턴의 선폭보다 작은 선폭을 갖는 전도성 패턴을 형성할 수 있다.
상기 에칭 방식은 에칭액을 사용하는 습식 에칭 또는 플라즈마나 레이져를 이용하는 건식 에칭일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
습식 에칭을 사용할 경우, 에칭액으로는 질산(HNO3) 용액, 인산/질산/초산의 혼합 산 용액, 과산화수소, 과염소산, 염산, 불산 및 옥살산 중 하나 또는 둘 이상 또는 이의 수용액을 사용할 수 있으며, 필요한 경우 원하는 도전층을 에칭하기 위한 첨가제 및 기타 원소를 첨가할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며 일반적으로 해당 도전층의 에칭 용액으로 알려진 것을 이용하여도 무방하다.
상기 c) 단계에서, 도전층을 에칭할 때, 오버 에칭을 수행하는 경우, 상기 에칭 레지스트 패턴의 테두리 하부에 언더컷(undercut)이 형성된다.
본 발명에서는 에칭 레지스트 패턴의 하부에 언더컷이 형성되도록 도전층을 에칭함으로써 에칭 레지스트 패턴의 선폭 보다 더욱 얇은 선폭의 전도성 패턴을 얻을 수 있다.
상기 c) 단계에 있어서, 전도성 패턴의 형성을 위한 에칭 시간에 따라 전도성 패턴의 선폭을 조절할 수 있다. 에칭 시간이 길어질수록 전도성 패턴의 선폭을 얇게 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 전도성 패턴의 형성을 위한 에칭 시간은 전도성 패턴의 형성시 사용되는 에칭액의 종류나 농도, 도전층의 종류, 에칭 온도 등의 조건에 따라 달라질 수 있다. 예컨대 상기 에칭 시간은 저스트 에칭 타임(just-etching time) 내지 저스트 에칭 타임 보다 2000% 연장된 시간, 바람직하게는 저스트 에칭 타임 보다 1% 내지 1000% 연장된 시간, 더욱 바람직하게는 저스트 에칭 타임 보다 1% 내지 500% 연장된 시간, 더더욱 바람직하게는 저스트 에칭 타임 보다 5% 내지 100% 연장된 시간인 것이 바람직하다. 여기서 저스트 에칭 타임이란 마스크의 형태와 동일한 형태로 패턴을 에칭하는데 소요되는 시간을 의미한다.
상기 도전층의 에칭 온도도 역시 도전층의 패터닝에 사용되는 에칭액의 종류나 농도, 도전층의 종류, 에칭 온도 등의 조건에 따라 달라질 수 있으며, 예컨대 상온 내지 80도, 바람직하게는 30도 내지 70도에서 수행할 수 있다.
에칭 방식은 딥에칭 방식 또는 스프레이 방식 등이 가능하나, 균일한 에칭을 위해서는 스프레이 방식이 더욱 바람직하다.
상기 도전층이 다층막인 경우, 다층막이 동시에 거의 동일한 속도로 에칭되기 위한 에칭액을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 에칭 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 도전층을 에칭한 이후에, 상기 d) 단계와 같이 상기 에칭 레지스트 패턴은 제거할 수도 있으나, 상기 에칭 레지스트 패턴을 제거하지 않고 그대로 터치스크린에 사용할 수 있다. 또한, 상기 e) 단계와 같이 상기 에칭 레지스트 패턴을 재형성하여 상기 전도성 패턴을 덮도록 할 수 있다.
상기 d) 단계에서 상기 에칭 레지스트 패턴의 제거는 에칭 레지스트 패턴 재료의 종류에 따라 당기술분야에 알려진 방법을 이용할 수 있다.
상기 e) 단계에 있어서 "덮는다(covering)"이라는 용어는 에칭 레지스트 패턴이 형태가 변화되면서 흘려내려(reflow) 전도성 패턴의 측면과 기판에 밀착되면서 도전층을 외부와 절연시키는 것을 의미한다. 또한, 본 발명에서 "재형성(reforming)"이라는 용어는 본 명세서에서 정의되는 용어로서, 에칭 레지스트 패턴이 유동성을 나타내면서 형태가 변화되어 하부에 있는 전도성 패턴을 뒤덮는 현상을 의미한다.
상기 e) 단계에 있어서, 상기 에칭 레지스트 패턴의 재형성은 예를 들면 열, 용매 혹은 그 증기(용매의 증기), 플라스마 처리 등에 의해 에칭 레지스트 패턴에 유동성을 부여하여 변형을 일으킨 후, 열 또는 플라스마의 추가 처리 또는 용매의 제거에 의해 상기 에칭 레지스트 패턴이 경화되는 화학적인 현상을 이용할 수 있다. 또는 상기 에칭 레지스트 패턴에 압력을 가하여 물리적으로 변형을 일으킬 수도 있다.
상기 에칭 레지스트 패턴의 재형성은 열 또는 용매(또는 용매의 증기)를 이용하는 것이 더 바람직하며, 이때 상기 기술한 바와 같이 에칭 레지스트 패턴 재료로서 가소성 또는 경화성 고분자 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
열을 이용하여 에칭 레지스트 패턴을 재형성할 경우, 열을 가함에 따라 에칭 레지스트 패턴 재료가 유동성을 나타내어 기판과 에칭 레지스트 패턴 사이의 공간으로 내려앉은 후, 열을 더욱 가하면 상기 재료가 경화되어 유동성이 사라지게 되는 방법이 바람직하다. 이때, 가열 온도는 에칭 레지스트 패턴 재료에 따라 당업자가 적절히 선택할 수 있다.
또한 용매 또는 용매의 증기를 이용하여 에칭 레지스트 패턴을 재형성할 경우, 에칭 레지스트 패턴에 용매의 증기(fume) 분위기에 노출시킬 수 있다(solvent annealing). 이에 의하여 용매와 에칭 레지스트 패턴 재료가 반응하면 에칭 레지스트 패턴 재료가 유동성을 나타내고, 이로 인해 에칭 레지스트 패턴이 변형되어 기판과 접촉된다. 이어서, 용매가 건조될 정도의 일정 온도로 가열하여 용매를 제거하면 상기 에칭 레지스트 패턴 재료가 경화되어 유동성이 사라지게 되는 재형성 방법이 바람직하다. 이때, 용매는 에칭 레지스트 패턴 재료에 따라 당업자가 적절히 선택할 수 있으며, 에칭 레지스트 패턴 재료가 용해될 수 있는 용매군에서 선택되는 것이 바람직하다. 예컨대, 에칭 레지스트 패턴 재료로서 노볼락 수지를 사용할 경우 용매로서 IPA를 사용할 수 있다. 또한, 건조 온도는 선택된 용매의 끓는점 근처가 적절하며, 상온부터 내지 300? 사이가 바람직하나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 상기 에칭 레지스트 패턴을 형성하는 b) 단계 도중 또는 이후에는 베이크 공정을 수행하는 것이 바람직하다. 구체적으로, 상기 베이크 공정은 b) 단계 도중 기판 상에 에칭 레지스트층을 형성한 후, 에칭 레지스트 패턴을 형성한 후, 또는 c) 단계에서의 전도성 패턴의 형성 전에 수행하는 것이 바람직하다. 베이크란 상기 에칭 레지스트 패턴과 이에 인접하는 층 사이의 접착력을 부여하는 동시에, 에칭 레지스트 패턴을 적어도 일부 경화시킴으로써 베이크 단계 또는 그 이후 단계에서 에칭 레지스트 패턴의 변형을 방지하고, 필요한 경우 이후 수행되는 에칭 레지스트 패턴의 재형성 단계에서 에칭 레지스트 패턴이 흘러내리는 형상을 안정적으로 형성할 수 있도록 수행하는 것이 바람직하다. 베이크 공정에 의하여 달성하고자 하는 에칭 레지스트 패턴의 경화도는 에칭 레지스트 패턴의 재료나 필요한 경우 이후 수행되는 재형성 조건에 따라 당업자가 결정할 수 있으며, 예컨대 경화도는 0% 내지 100%의 범위 내일 수 있다.
상기 베이크 공정의 조건은 에칭 레지스트 패턴의 재료, 에칭 레지스트 패턴의 선고, 도전선의 형성에 사용되는 에칭 조건, 예컨대, 에칭액 종류, 에칭 시간, 에칭 온도 등에 따라 당업자가 선택할 수 있다. 베이크 온도가 너무 높으면 에칭 레지스트 패턴의 가교도가 너무 높아 변형, 예컨대 패턴영역의 뒤틀림 등이 일어날 수 있다.
본 발명에 따른 방법은 상기 c) 단계, d) 단계 또는 e) 단계 이후에 세정 단계를 더 포함할 수 있다. 이 세정 단계에서는 상기 c) 단계에서 사용한 에칭액을 사용할 수 있다. 이 세정 단계를 수행함으로써 이물을 제거할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 전도성 패턴 재료로는 일정 이상의 전도도를 나타낼 수 있는 것이 바람직하다. 상기 전도성 패턴의 재료로는 물질 자체의 투과율은 없으나, 선폭 및 빛 투과율에 의하여 광투과를 할 수 있는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 전도성 패턴은 금속 패턴인 것이 바람직하다.
예컨대, 상기 전도성 패턴은, 은, 구리, 알루미늄, 네오디윰, 몰리브덴, 니켈 또는 이들의 합금을 포함하는 단일막 또는 다층막으로 형성할 수 있다. 또한, 상기 전도성 패턴 재료로서 은으로 코팅된 구리 입자도 사용될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 전도성 패턴은 강화유리에 직접 형성될 수도 있고, 유리나 필름에 형성된 후 강화유리에 부착될 수도 있다.
본 발명에 있어서, 상기 전도성 패턴의 선폭은 10 마이크로미터 이하, 바람직하게는 0.1 내지 10 마이크로미터, 더욱 바람직하게는 0.2 내지 8 마이크로미터, 더더욱 바람직하게는 5 마이크로미터 이하인 것이 좋다. 상기 전도성 패턴의 선고는 10 마이크로미터 이하, 바람직하게는 2 마이크로미터 이하, 더욱 바람직하게는 10-500nm, 10 내지 300nm 인 것이 좋다.
또한, 상기 전도성 패턴의 피치는 600 마이크로미터 이하인 것이 바람직하고, 250 마이크로미터 이하가 더욱 바람직하나, 이는 당업자가 원하는 투과도 및 전도도에 따라 조정할 수 있다.
상기 제1 전도성 패턴 및 제2 전도성 패턴이 형성된 기재의 빛 투과율은 85% 내지 99%인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 전도성 패턴 및 제2 전도성 패턴은 각각 면저항이 1 내지 250 오옴/스퀘어인 것이 바람직하다. 이와 같은 범위 내인 것이 터치 스크린의 작동에 유리하다.
상기 전도성 패턴은 규칙적 패턴일 수도 있고, 불규칙적인 패턴일 수도 있다.
규칙적인 패턴으로는 메쉬 패턴, 물결 무늬 등 당기술분야의 패턴형태가 사용될 수 있다.
상기 전도성 패턴이 불규칙 패턴인 경우 모아레를 방지할 수 있다.
상기 전도성 패턴이 불규칙 패턴인 경우, 보로노이 다이어그램(Voronoi diagram)을 이루는 도형들의 경계선 형태일 수 있다.
상기와 같은 불규칙 패턴은 전체 패턴 면적 중 30% 이상, 바람직하게는 70% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 패턴을 구성하는 선들은 직선일 수도 있으나, 곡선, 물결선, 지그재그선 등 다양한 변형이 가능하다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 전도성 패턴 및 상기 제2 전도성 패턴은 도전층 및 상기 도전층의 적어도 일면에 구비된 흡광층을 포함하는 적층 구조를 가질 수 있다. 상기 흡광층은 상기 도전층에 비하여 터치 스크린의 사용자가 바라보는 측에 더 가깝게 구비되는 것이 바람직하며, 상기 도전층의 일면 또는 양면에 구비될 수 있다. 상기 흡광층은 도전층으로 입사되는 빛과 도전층으로부터 반사되는 빛의 양을 감소시킴으로써 도전층에 의한 반사도를 낮출 수 있다. 상기 흡광층은 상기 도전층에 비하여 낮은 반사도를 가지는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 사용자가 직접 도전층을 바라보는 경우에 비하여 빛의 반사도를 낮출 수 있으므로, 전도성 패턴의 시인성을 크게 낮출 수 있다.
상기 흡광층은 전면(全面) 층의 반사도가 70% 이하, 바람직하게는 50% 이하, 더욱 바람직하게는 40% 이하, 더더욱 바람직하게는 30% 이하인 재료로 형성되는 것이 바람직하다. Ag, Au 혹은 Al과 같이 높은 반사도를 지니는 물질은 본 발명에서의 흡광층에 적합하지 않은 물질이라 할 수 있다. 상기 반사도는 작을수록 바람직하지만, 물질 선택의 관점에서 전면 층에서의 반사도가 0.1% 이상인 재료를 사용할 수 있다. 여기서, 상기 반사도는 흡광층 자체의 반사도가 아니라, 상기 흡광층 재료로 이루어진 전면 층의 반사도를 의미한다. 동일한 재료로 이루어져 있다고 하더라도 패턴을 갖지 않는 전면 층과 패턴에서는 빛 투과율이 달라 그 반사도가 상이하기 때문이다.
상기 반사도는 입사 광을 100%로 하였을 때 광이 입사한 대상 층 또는 도전층과 흡광층을 포함하는 전도성 패턴에 의하여 반사된 반사광 중 파장 550nm의 값을 기준으로 측정한 값이 바람직하며, 이는 550nm의 파장의 반사도가 통상적으로 전체적인 반사도와 크게 다르지 않기 때문이다. 예컨대, 기재 상에 증착법, 예컨대 스퍼터링 방법, CVD(chemical vapor deposition)법, 열증착(thermal evaporation)법, 전자빔(e-beam) 증착법 등의 방법을 이용하여 전면 흡광층을 형성한 후, 공기측으로부터 입사된 가시광선의 반사도(550nm)를 측정할 수 있다. 이 때, 상기 기재의 후면, 즉 상기 흡광층이 형성되지 않은 면에 전면 흑화처리를 실시함으로써, 기재 후면에서의 반사를 제거할 수 있다. 상기 기재로는 투명 기판을 사용할 수 있으나, 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유리, 플라스틱 기판, 플라스틱 필름 등을 사용할 수 있다.
상기 흡광층을 구성하는 재료로 이루어진 전면 층의 흡광도는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 5% 이상, 더욱 바람직하게는 15% 이상, 더더욱 바람직하게는 20% 이상인 것이 좋다.
또한, 상기 흡광층을 구성하는 재료로 이루어진 전면 층의 광 투과율은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 50%이하인 것이 바람직하다. 상기 광투과율은, 백분율로 계산할 때, 100%에서 반사도와 흡광도의 백분율 합을 뺀 값을 의미한다.
상기 흡광층의 선폭은 상기 도전층 선폭과 완전히 동일한 필요는 없으며, 흡광층의 선폭이 도전층의 선폭에 비하여 좁거나 넓은 경우도 본 발명의 범위에 포함된다. 예컨대, 상기 흡광층은 상기 도전층이 구비된 면적의 80% 내지 120%의 면적을 가지는 것이 바람직하다.
상기 흡광층은 상기 도전층의 선폭과 동일하거나 큰 선폭을 갖는 패턴 형태를 가지는 것이 바람직하다.
상기 흡광층이 상기 도전층의 선폭 보다 더 큰 선폭을 갖는 패턴 형상을 갖는 경우, 사용자가 바라볼 때 흡광층이 전도성 패턴을 가려주는 효과를 더 크게 부여할 수 있으므로, 도전층 자체의 광택이나 반사에 의한 효과를 효율적으로 차단할 수 있다는 장점이 있다. 그러나, 상기 흡광층의 선폭이 상기 도전층의 선폭과 동일하여도 본 발명에 목적하는 효과를 달성할 수 있다.
본 발명에 따른 터치 스크린은 도전층과 흡광층을 포함하는 전도성 패턴 및 기재 전체의 반사도가 70% 이하, 바람직하게는 50% 이하, 더 바람직하게는 40% 이하, 더 바람직하게는 30% 이하인 것이 바람직하다. 여기서 반사도는 흡광층이 구비된 측으로부터 입사한 광의 반사도를 의미하며, 기재와 공기층의 계면에서의 반사도는 제외한 값이다. 흡광층을 구성하는 재료의 선택에 의한 반사도 조절 뿐만 아니라, 도전층과 흡광층의 계면에서의 반사도, 도전층의 두께, 패턴의 형태 등의 조절을 통하여 전체의 반사도가 추가로 조절될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 도전층 및 상기 흡광층의 두께의 합은 10 내지 500 nm인 것이 바람직하다.
도 6에 전도성 패턴에 흡광층이 포함되는 경우의 구조의 예를 도시하였다. 그러나, 본 발명의 범위가 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 터치 스크린은 사용자가 바라보는 측에 OCA(optically clear adhesive)층, 유리, 하드코팅층, 반시방지층, 기타 기능성이 부여된 표면층을 더 구비할 수 있다. 상기 기능성층은 코팅층으로 구비될 수도 있고, 점착층에 의하여 부착될 수도 있다.
본 발명은 또한, 기재 상에 제1 전도성 패턴을 형성하는 단계; 상기 기재의, 상기 제1 전도성 패턴이 형성되는 면 상에 얼라인 키를 형성하는 단계; 및 상기 기재의 제1 전도성 패턴이 형성된 면의 반대면에, 상기 얼라인 키를 기준으로 얼라인하여 제2 전도성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 1매형 터치 스크린의 제조방법을 제공한다.
상기 각 단계는 동시에 또는 별도로 이루어질 수 있다. 상기 방법의 각 단계는 전술한 방법 및 재료를 이용하여 수행될 수 있다. 전술한 바와 같이, 상기 얼라인 키를 형성하는 단계는 제1 전도성 패턴의 형성의 전, 후 또는 동시에 이루어질 수 있으며, 제1 전도성 패턴을 형성하기 위한 도전층 형성시, 제1 전도성 패턴 형성을 위한 에칭 레지스트 패턴 형성시 또는 제1 도전성 패턴 형성 도중 도전층 에칭시 형성될 수 있다.

Claims (17)

  1. 기재;
    상기 기재의 일면에 구비된 제1 전도성 패턴;
    상기 기재의 타면에 구비된 제2 전도성 패턴; 및
    상기 제1 전도성 패턴과 같은 면상에 구비되고, 상기 제1 전도성 패턴과 제2 전도성 패턴의 얼라인을 수행하는 얼라인 키(align key)를 포함하고,
    상기 제1 전도성 패턴 및 제2 전도성 패턴은 각각 독립적으로 은, 알루미늄, 구리, 네오디윰, 몰리브덴 또는 이들의 합금을 포함하며,
    상기 제1 전도성 패턴 및 제2 전도성 패턴의 선폭은 각각 독립적으로 0.1 내지 10 마이크로미터이고,
    상기 제1 전도성 패턴 및 제2 전도성 패턴의 선고는 각각 독립적으로 10 내지 500nm인 것인 1매형 터치 스크린.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 기재는 일면에 제1 전도성 패턴이 구비되지 않은 영역을 포함하는 것인 1매형 터치 스크린.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 얼라인 키는 기재의 제1 전도성 패턴이 구비된 면의 인쇄 방향의 양측 가장자리의 적어도 한 부분에 구비된 것인 1매형 터치 스크린.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 얼라인 키는 제1 전도성 패턴 또는 제1 전도성 패턴 형성을 위한 에칭 레지스트 패턴과 동일한 재료로 이루어진 것인 1매형 터치 스크린.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전도성 패턴 및 상기 제2 전도성 패턴은 도전층 및 흡광층을 포함하는 것인 1매형 터치 스크린.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 흡광층은 상기 도전층에 비하여 터치 스크린의 사용자가 바라보는 측에 더 가깝게 구비된 것인 1매형 터치 스크린.
  7. 기재 상에 제1 전도성 패턴을 형성하는 단계;
    상기 기재의, 상기 제1 전도성 패턴이 형성되는 면 상에 얼라인 키를 형성하는 단계; 및
    상기 기재의 제1 전도성 패턴이 형성된 면의 반대면에, 상기 얼라인 키를 기준으로 얼라인하여 제2 전도성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 1매형 터치 스크린의 제조방법이고,
    상기 제1 전도성 패턴 및 제2 전도성 패턴은 각각 독립적으로 은, 알루미늄, 구리, 네오디윰, 몰리브덴 또는 이들의 합금을 포함하며,
    상기 제1 전도성 패턴 및 제2 전도성 패턴의 선폭은 각각 독립적으로 0.1 내지 10 마이크로미터이고,
    상기 제1 전도성 패턴 및 제2 전도성 패턴의 선고는 각각 독립적으로 10 내지 500nm인 것인 1매형 터치 스크린의 제조방법.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 제1 전도성 패턴의 형성 전에 얼라인 키를 형성하고자 하는 부분의 기재를 보호하는 단계를 더 포함하는 상기 1매형 터치 스크린의 제조방법.
  9. 청구항 7에 있어서, 상기 얼라인 키를 형성하는 단계는 제1 전도성 패턴의 형성 전 또는 후에 수행되거나, 제1 전도성 패턴의 형성과 동시에 수행되는 것인 1매형 터치 스크린의 제조방법.
  10. 청구항 7에 있어서, 상기 얼라인 키를 형성하는 단계는 제1 전도성 패턴의 형성을 위한 도전층 형성시, 제1 전도성 패턴의 형성을 위한 에칭 레지스트 패턴 형성시 또는 상기 도전층을 식각하여 제1 전도성 패턴 형성시에 이루어지는 것인 1매형 터치 스크린의 제조방법.
  11. 청구항 7에 있어서, 상기 제1 전도성 패턴의 형성 단계와 상기 제2 전도성 패턴의 형성 단계는 전도성 패턴 형성 공정 중 적어도 일부를 동시에 수행하는 것인 1매형 터치 스크린의 제조방법.
  12. 청구항 7에 있어서, 상기 제1 전도성 패턴의 형성 단계 및 상기 제2 전도성 패턴의 형성 단계는 기재의 양면에 도전층을 형성하는 단계; 상기 기재의 일면에 형성된 도전층 상에 에칭 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 기재의 타면에 형성된 도전층 상에 에칭 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 상기 기재의 양면에 구비된 도전층을 식각하여 제1 및 제2 전도성 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 기재의 양면에 구비된 에칭 레지스트 패턴을 박리하는 단계를 포함하는 방법에 의하여 수행되는 것인 1매형 터치 스크린의 제조방법.
  13. 청구항 7에 있어서, 상기 제1 전도성 패턴의 형성 단계 및 상기 제2 전도성 패턴의 형성 단계는 기재의 양면에 도전층을 형성하는 단계; 상기 기재의 일면에 형성된 도전층 상에 에칭 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 상기 도전층을 식각하여 제1 전도성 패턴을 형성하는 단계; 상기 기재의 타면에 형성된 도전층 상에 에칭 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 상기 기재의 타면에 구비된 도전층을 선택적으로 식각하여 제2 전도성 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 기재의 양면에 구비된 에칭 레지스트 패턴을 박리하는 단계를 포함하는 방법에 의하여 수행되는 것인 1매형 터치 스크린의 제조방법.
  14. 청구항 12 또는 13에 있어서, 상기 제1 전도성 패턴의 형성을 위한 도전층의 형성시, 에칭 레지스트 패턴의 형성시 또는 도전층을 선택적으로 식각하여 제1 도전성 패턴 형성시에 기재의 일면에 얼라인 키를 형성하는 단계를 포함하는 것인 1매형 터치 스크린의 제조방법.
  15. 청구항 12 또는 13에 있어서, 상기 도전층의 형성 전에 기재를 세정하는 단계를 추가로 포함하는 것인 1매형 터치 스크린의 제조방법.
  16. 청구항 12에 있어서, 상기 기재의 일면에 형성된 도전층 상에 에칭 레지스트 패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 에칭 레지스트 패턴을 보호하는 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 1매형 터치 스크린의 제조방법.
  17. 청구항 13에 있어서, 상기 제1 전도성 패턴 형성 후에, 상기 제1 전도성 패턴을 보호하는 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 1매형 터치 스크린의 제조방법.
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