KR101812606B1 - 투명인쇄회로 제조방법 및 투명터치패널 제조방법 - Google Patents
투명인쇄회로 제조방법 및 투명터치패널 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
에칭 레지스트로 코팅된 투명도전층에 손상을 주지 않고도 에칭 레지스트를 쉽고 신뢰할 수 있게 벗겨내기 위해, 본원의 실시예에서의 투명인쇄회 제조방법은 투명기재(1)와 상기 투명기재(1)에 형성된 투명도전층(2)을 갖는 투명도전시트(3)를 제공하는 단계와, 상기 투명도전층(2)에 특정 패턴을 갖는 에칭 레지스트(4)를 형성하는 단계와, 상기 투명도전층(2)을 마스크로서 에칭 레지스트(4)와 함께 에칭하는 단계와, 상기 에칭 레지스트(4)가 형성되는 영역을 커버하기 위해 상기 에칭 레지스트(4) 및 상기 투명도전층(2)의 에칭에 의해 노출된 투명기재(1)에 박리용 피막(5)을 형성하는 단계와, 상기 박리용 피막(5)을 상기 에칭 레지스트(4)와 함께 박리하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 투명인쇄회로 제조방법 및 투명터치패널 제조방법에 관한 것이다.
투명인쇄회로는 투명도전패턴을 형성하기 위해 에칭 또는 그렇지 않으면 투명도전층을 소정의 패턴으로의 처리와 같은 소정의 공정을 통해 투명도전시트로부터 제조되며, 상기 시트들은 투명기재과 상기 투명기재상에 형성된 투명도전층을 갖는다.
기존의 일반적 투명터치패널들은 주로 ITO 박막층이 투명기재의 표면에 형성된 ITO(인듐 주석 산화물) 투명도전시트로 제조된다(특허참조문헌 1 참조).
보다 상세하게, ITO 투명도전시트는 시트형 또는 박막형 투명기재에 형성된 ITO 박막층을 가지며, 투명기재는 스퍼터링에 의해 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)와 같은 유리 또는 플라스틱으로 제조된다. ITO 박막층은 에칭되거나 그렇지 않으면 투명도전패턴이 얻어지도록 특정 패턴으로 처리된다.
그러나, 내장식 투명터치패널을 갖는 스마트폰의 최근 확산으로 인해, ITO로 제조된 투명터치패널에 대한 수요가 늘고 있다. 이는 ITO 투명도전시트를 제조하기 어렵게 한다.
더욱이, ITO 투명도전시트는 재료 또는 ITO 그 자체뿐만 아니라 생산효율 면에서 고가인데, 이는 ITO 박막층이 스퍼터링 기술에 의해 형성되기 때문이다. 또한, 또 다른 문제는 ITO 박막층은 가요성이 없지 때문에 롤-대-롤 공정으로 ITO 투명도전시트를 처리하기가 어렵다. 게다가, 또 다른 문제는 ITO 투명도전시트로부터 생산된 투명인쇄회로는 인쇄회로가 스마트폰과 같은 전자장비 안에 포함되거나 실장되는 단계에서 조우되는 작은 굴곡을 포함한 벤딩(bending) 공정을 견딜 수 없다는 것이다.
가능하게는 상기 문제를 해결할 수 있는 투명기재의 표면에 형성된 유기 투명 도전성 폴리머(폴리에틸렌 디옥시티오펜(polyethylene dioxythiophene, PEDOT) 등)를 포함한 투명도전층을 가진 투명도전시트(이하 "도전성 폴리머 기반의 투명도전시트"라 함)가 공지되어 있다(특허참조문헌 2 참조).
도전층에 형성된 금속 나노와이어를 포함한 투명도전층을 갖는 나노 기반의 투명도전시트가 또한 공지되어 있다(특허참조문헌 3 참조). 나노와이어 기반의 투명도전시트의 투명도전층은 예컨대 유기 수지 매트릭스 성분에 금속(Ag 등) 나노와이어(또는 탄소 나노튜브)를 확산 및 혼합시킴으로써 마련된 나노와이어를 함유한 투명도전재료로 제조된다. 나노와이어 함유 투명 도전성 금속은 투명기재에 부착되고 투명도전층을 형성하기 위해 그 위에 건조된다. 이 경우, 투명기재는 폴리에스테르, 폴리카보네이트 등으로 제조된 플라스틱 시트/필름이다.
도전성 폴리머 기반의 투명도전시트 및 나노와이어 기반의 투명도전시트의 조합을 갖는 투명도전시트, 즉 도전성 나노와이어를 유기 투명 도전성 폴리머에 확산 또는 혼합시킴으로써 마련된 투명도전재료로 형성된 투명도전층을 갖는 하이브리드 투명도전시트가 또한 공지되어 있다(특허참조문헌 4 참조).
상술한 도전성 폴리머 기반의 투명도전시트는, 나노와이어 기반의 투명도전시트, 및 하이브리드 투명도전시트들에 일반적으로 "비정질 투명도전시트"라는 명칭이 주어진다.
비정질 투명도전시트는 유기 투명 도전성 폴리머 및/또는 도전성 나노와이어를 포함한 투명도전재료로 제조된 투명도전층을 갖는다. 투명도전재료는 바 코팅(bar coating) 등에 의해 투명기재(PET 박막 등)에 도포되고 투명도전층을 형성하기 위해 건조된다.
비정질 투명도전시트는 확산 공정, 도포 공정, 및 건조 공정을 통해 제조될 수 있기 때문에, 제조 단가가 ITO 박막층이 스퍼터링 기술에 의해 형성되는 ITO 투명도전시트의 단가보다 더 낮다. 비정질 투명도전시트의 투명도전층은 또한 유연한 이점이 있다. 따라서, 비정질 투명도전시트는 광학 디바이스 및 투명 가요성 인쇄회로(투명 FPCs)의 기판에 응용을 찾을 것으로 예상된다.
인용 목록
특허참조문헌
특허참조문헌 1
일본 특허 공개공보 No. 2009-258935
특허참조문헌 2
일본 특허 공개공보 No. 2009-283410
특허참조문헌 3
국제특허출원 국내공개번호 No. 2010-507199
특허참조문헌 4
일본 특허 공개공보 No. 2009-205924
그러나, 투명배선패턴을 갖는 투명인쇄회로를 제조하기 위해 비정질 투명도전시트의 투명도전층을 특정 패턴으로 처리하기가 통상적으로 어려웠다. 이에 대한 이유가 하기에 기술되어 있다.
비징절 투명도전시트의 투명도전층에 대한 에칭 방안이 이미 개발되었기 때문에, 투명도전층을 마스크로서 에칭 레지스트와 함께 에칭할 수 있다. 일반적으로, 유기 투명 도전성 폴리머(PEDOT 등)를 포함한 투명도전층에 대한 에칭 레지스트는 에칭 레지스트 형성, 에칭 레지스트 페이스트 등을 위한 건식 필름으로 형성된다. 이런 식으로 형성된 에칭 레지스트는 에칭을 마친 후 (약 알칼리가 되게 조절된 가성소다(수산화나트륨) 용액과 같은) 알칼리 박리용액으로 박리된다.
그러나, 유기 투명 도전성 폴리머는 알칼리 내성이 낮다. 그 결과, 약알칼리 박리용액이 사용될 경우, 유기 투명 도전성 폴리머의 전도도가 저화되는 것과 같은 특성 열화가 발생한다. 그러므로, 기존의 에칭-레지스트 재료들은 도전성 폴리머 기반의 투명도전시트에 이용될 수 없다.
나노와이어 기반의 투명도전시트에 대해, 또한 기존 에칭-레지스트 재료로 마스크를 형성하고 전용 에칭용액으로 투명도전층에 패턴을 형성할 수 있다. 그러나, 에칭 레지스트가 알칼리 박리용액으로 박리되면, 금속 나노와이어에서 금속은 아마도 박리용액 및 변색으로 반응할 수 있다. 예컨대 주성분으로서 은을 함유한 금속 나노와이어의 경우, 변색이 현저해질 수 있다. 금속 나노와이어의 변색으로 투명인쇄회로의 배선패턴이 눈에 띄는 결함이 발생된다. 더욱이, 금속 나노와이어를 투명기재에 고정하기 위한 많은 고착재들(가령, 수지성분들)은 알칼리에 대한 내성이 충분치 않다. 따라서, 발생할 수 있는 문제는 고착재들이 알칼리 박리용액에 의해 아마도 공격받을 수 있으며, 그 결과 금속 나노와이어가 투명기재로부터 분리될 수 있어 투명도전층의 전도도에 상당한 열화를 야기할 수 있다는 것이다. 그러므로, 기존의 에칭 레지스트 재료들은 어느 하나도 나노와이어 기반의 투명도전시트에 사용될 수 없다.
따라서, 본원의 발명자는 에칭 레지스트가 자외선(UV) 조사(照射) 또는 가열에 의해 경화될 수 있는 잉크 등으로 형성되고, 에칭이 수행된 후, 에칭 레지스트가 알칼리 박리용액을 전혀 이용하지 않고도 핀셋과 같은 박리용 지그(peeling jigs)를 이용해 기계적으로 박리되는 방법을 주의 깊게 조사하였다.
이 방법에서, 에칭 레지스트의 단부는 지그 등으로 뒤집어 진 후, 에칭 레지스트는 그 단부가 파지된 동안 박리된다. 그러나, 몇몇 경우, 에칭 레지스트의 단부가 벗겨질 때, 에칭 레지스트로 코팅된 투명도전층이 손상될 수 있어, 불연속과 같이 문제가 있게 된다. 이들 문제들은 높은 투명도를 확보하기 위해 투명도전층은 매우 얇게(약 수백 ㎚) 형성되고 또한 투명도전층은 기계적 강도(표면 강도)가 낮다는 사실에 기여할 수 있다.
본 발명은 상술한 기술적 이해를 바탕으로 하였고 본 발명의 목적은 에칭 레지스트로 코팅된 투명도전층에 손상을 주지 않으면서 쉽고 신뢰할 수 있게 에칭 레지스트를 박리시킬 수 있는 투명인쇄회로를 제조하는 방법과 투명터치패널을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일태양으로 투명인쇄회로 제조방법은
투명기재와 상기 투명기재에 형성된 투명도전층을 갖는 투명도전시트를 제공하는 단계와,
상기 투명도전층에 특정 패턴을 갖는 에칭 레지스트를 형성하는 단계와,
상기 투명도전층을 마스크로서 에칭 레지스트와 함께 에칭하는 단계와,
상기 에칭 레지스트가 형성되는 영역을 커버하기 위해 상기 에칭 레지스트 및 상기 투명도전층의 에칭에 의해 노출된 투명기재에 박리용 피막을 형성하는 단계와,
상기 박리용 피막을 상기 에칭 레지스트와 함께 박리하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일태양으로 투명터치패널 제조방법은
투명기재, 상기 투명기재의 전면과 후면에 각각 형성된 제 1 투명도전층 및 제 2 투명도전층을 갖는 투명도전시트를 제공하는 단계와,
상기 제 1 투명도전층에 특정 패턴을 갖는 제 1 에칭 레지스트를 형성하는 단계와,
상기 제 2 투명도전층에 특정 패턴을 갖는 제 2 에칭 레지스트를 형성하는 단계와,
상기 제 2 투명도전층을 마스크로서 제 2 에칭 레지스트와 함께 에칭하는 동안 상기 제 1 투명도전층을 마스크로서 제 1 에칭 레지스트와 함께 에칭하는 단계와,
상기 제 1 에칭 레지스트가 형성되는 영역을 커버하기 위해 제 1 에칭 레지스트 및 제 1 투명도전층의 에칭에 의해 노출된 투명기재에 제 1 박리용 피막을 형성하는 단계와,
상기 제 2 에칭 레지스트가 형성되는 영역을 커버하기 위해 제 2 에칭 레지스트 및 제 2 투명도전층의 에칭에 의해 노출된 투명기재에 제 2 박리용 피막을 형성하는 단계와,
제 1 투명도전패턴을 형성하기 위해 상기 제 1 박리용 피막을 상기 제 1 에칭 레지스트와 함께 박리하는 단계와,
제 2 투명도전패턴을 형성하기 위해 상기 제 2 박리용 피막을 상기 제 2 에칭 레지스트와 함께 박리하는 단계를 포함한다.
본 발명의 투명인쇄회로를 제조하는 방법에 따르면, 에칭 레지스트가 형성된 영역을 커버하도록 형성된 박리용 피막을 박리하는 단계는 전체 에칭 레지스트의 박리를 신뢰할 수 있게 그리고 쉽게 달성한다. 이는 에칭 레지스트를 박리시키는 과정에서 작업 효율과 수율을 상당히 향상시킬 수 있게 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 투명인쇄회로를 제조하는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 투명인쇄회로를 제조하는 방법을 설명하기 위한 횡단면 공정도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 투명터치패널을 제조하는 방법을 설명하기 위한 횡단면 공정도이다.
도 4a는 에칭 레지스트가 형성된 베이스의 전면에 대한 평면도이고, 도 4b는 에칭 레지스트가 형성된 기판의 후면에 대한 평면도이다.
도 5a는 박리용 피막이 형성된 기판의 정면에 대한 평면도이고, 도 5b는 박리용 피막이 형성된 기판의 후면에 대한 평면도이다.
도 6a는 투명터치패널의 정면에 대한 평면도이고, 도 6b는 투명터치패널의 후면에 대한 평면도이다.
도 7은 탭부를 갖는 박리용 피막이 형성된 기판의 평면도이다.
도 8은 프레임부를 갖는 박리용 피막이 형성된 기판의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 투명인쇄회로를 제조하는 방법을 설명하기 위한 횡단면 공정도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 투명터치패널을 제조하는 방법을 설명하기 위한 횡단면 공정도이다.
도 4a는 에칭 레지스트가 형성된 베이스의 전면에 대한 평면도이고, 도 4b는 에칭 레지스트가 형성된 기판의 후면에 대한 평면도이다.
도 5a는 박리용 피막이 형성된 기판의 정면에 대한 평면도이고, 도 5b는 박리용 피막이 형성된 기판의 후면에 대한 평면도이다.
도 6a는 투명터치패널의 정면에 대한 평면도이고, 도 6b는 투명터치패널의 후면에 대한 평면도이다.
도 7은 탭부를 갖는 박리용 피막이 형성된 기판의 평면도이다.
도 8은 프레임부를 갖는 박리용 피막이 형성된 기판의 평면도이다.
하기의 첨부도면을 참조로 본 발명의 실시예를 설명한다. 유사한 기능을 갖는 유사한 구성요소들은 동일한 참조부호로 표시되는 것에 유의하라. 동일한 참조부호를 갖는 구성요소들의 상세한 설명은 반복하지 않을 것이다. 각 구성요소의 스케일 비율은 각 구성요소들이 도면에서 인식가능한 크기를 갖도록 적절히 변경된다.
(투명인쇄회로 제조 방법)
우선, 도 1 및 도 2를 참조로 본 발명의 실시예에 따른 투명인쇄회로 제조 방법에 대한 설명이 주어진다. 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 투명인쇄회로를 제조하는 방법을 도시한 흐름도이다. 도 2는 제조방법의 횡단면 공정도이다.
(1) 먼저, 도 2(a)에 도시된 바와 같이, 투명기재(1) 및 상기 투명기재(1)에 투명 도전재료를 도포함으로써 형성된 투명도전층(2)을 갖는 투명도전성시트(3)가 준비된다(단계 S1).
투명기재(1)의 재료로서, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트, 또는 투명 폴리이미드가 일예로 사용될 수 있다. 투명기재(1)의 재료로서, 가요성을 갖는 글래스 피막이 또한 사용될 수 있다. 투명기재(1)는 가요성을 가질 수 있거나 투명유리판과 같이 가요성이 전혀 없을 수 있다. 투명기재(1)의 재료는 응용에 따라 적절히 선택된다.
투명기재(1)에 부착된 투명도전성 재료는 유기 투명 도전성 폴리머 및/또는 금속 나노와이어와 같은 도전성 나노와이어를 포함한 재료이다. 보다 상세하게, 투명도전재료는 유기 투명 도전성 폴리머(폴리에틸렌 디옥실로펜(PEDOT), 폴리피롤, 폴리아닐린 등)가 용해된 용액이거나 용매에 수지 성분과 금속 나노와이어가 확산된 용액이다.
금속 나노와이어는 철, 코발트, 니켈, 구리, 아연, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 카드뮴, 오스뮴, 이리듐, 백금 및 금 중에서 적어도 하나 이상의 금속들로 제조된다. 금속 나노와이어는 또한 주성분으로서 상기 금속들과 소정의 특징을 얻기 위해 첨가된 임의의 첨가요소를 갖는 합금으로 제조될 수 있다. 금속 나노와이어는 바람직하게는 은, 백금 또는 금으로 제조되고 더 바람직하게는 전도도 면에서 은으로 제조되는 것에 유의해야 한다. 더욱이, 2 이상의 금속 나노와이어들이 투명도전재료에 포함될 수 있다.
투명 도전성 금속으로서, 탄소 나노와이어, 탄소 나노튜브, 또는 그래핀이 수지 성분과 함께 용매에 확산된 용액이 사용될 수 있다.
단축방향으로 금속 나노와이어의 길이는 바람직하게는 1㎚ 이상 및 1㎛ 이하이며 더 바람직하게는 1㎚ 이상 및 100㎚ 이하인 것에 유의해야 한다. 이는 왜냐하면 단축방향으로의 길이가 너무 크면 투명도전층의 투과율이 낮아지고, 길이가 너무 작으면 재료의 합성이 어려워지기 때문이다. 주축방향으로 금속 나노와이어의 길이는 바람직하게는 1㎛ 이상 및 1mm 이하이며 더 바람직하게는 1㎛ 이상 및 100㎛ 이하인 것에 유의해야 한다. 이는 왜냐하면 주축방향으로의 길이가 너무 작으면 투명 도전 시트에서 투명도전층의 투과율이 낮아지고, 길이가 너무 크면 재료의 취급이 어려워지기 때문이다.
이는 또한 투명기재상에 운반 시트를 적층함으로써 형성된 투명도전시트를 이용할 수 있으며, 상기 운송 시트는 상술한 금속 나노와이어를 수지 성분과 혼합함으로써 시트 형태로 형성된다. 운송시트는 확산공정, 도포공정, 및 건조공정과 같은 제조공정을 통해 제조될 수 있다. 운송시트를 투명기재에 적층하는 것은 일반적인 적층 디바이스로 수행될 수 있기 때문에, 제조단가가 ITO 투명도전시트의 단가보다 이점적으로 낮아진다.
(2) 다음, 특정 패턴을 갖는 에칭 레지스터(4)가 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이 투명도전층(2)에 형성된다(단계 S2).
보다 상세하게, 자외선 경화잉크(UV 잉크)가 스크린 프린팅에 의해 투명도전층(2)에 프린트된다. 그런 후, 프린트된 UV 잉크는 자외선 광선에 의해 조사되어 경화되고, 이로써 에칭 레지스트(4)가 형성된다. UV 잉크는 열경화성 잉크에 필요한 긴 건조 노(爐)를 이용할 필요가 없기 때문에 UV 잉크를 이용하는 것은 제조 이점을 제공함에 유의해야 한다.
UV 잉크로서, 투명도전층(2)용 에칭용액에 대한 저항을 갖는 것이 사용된다. 에칭 레지스트(4)의 프린팅 방법으로서, 그라비어 프린팅, 플렉소 프린팅, 또는 잉크젯 프린팅이 사용될 수 있다.
에칭 레지스트(4)는 바람직하게는 포토패브리케이션(photofabrication) 방법 또는 포토리소그래피 방법 대신 프린팅 방법으로 형성되는 것에 유의하라. 이는 왜냐하면 포토패브리케이션 방법 또는 포토리소그래피 방법이 사용될 경우, 습식공정이 현상을 위해 수행될 필요가 있고 습식공정은 투명도전층에 특징 열화를 야기하기 때문이다. 한편, 인쇄방법은 현상을 위해 습식 공정을 수행하지 않고도 에칭 레지스트 패턴이 직접 형성될 수 있는 이점을 제공한다.
자외선 경화 UV 잉크가 에칭 레지스트의 재료로서 일반적으로 사용된다. 제한 없이, 본원은 열경화성 잉크 또는 열건조형 잉크를 사용할 수 있다. 열경화성 잉크를 사용할 경우, 열경화성 잉크는 투명도전층(2)에 인쇄된다. 그런 후, 투명 잉크는 가열에 의해 경화되므로, 에칭 레지스트(4)가 형성된다. 열건조형 잉크를 사용할 경우, 열건조형 잉크는 투명도전층(2)에 프린트된다. 그런 후, 인쇄 잉크가 건조되어 에칭 레지스트(4)가 형성된다. 어느 경우도 자외선광의 조사를 포함하지 않기 때문에, 투명기재 및 고착재에서 자외선 열화가 방지될 수 있다는 점에서 이점적이다.
(3) 다음, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, 투명도전층(2)은 마스크로서 에칭 레지스트(4)로 에칭된다(단계 S3).
보다 상세하게, 에칭 레지스트(4)가 프린트된 투명 도전시트(3)는 투명도전층용 에칭용액으로 채워진 용기에 두어진다. 그런 후, 에칭용액은 물로 세척되고 투명도전시트가 건조된다.
이 단계에서 에칭은 투명도전층(2)을 제거하고 에칭 레지스트(4)로 코팅되지 않은 부분에 투명기재(1)를 노출시킨다.
(4) 다음, 도 2의 (d)에 도시된 바와 같이, 박리용 피막(5)이 투명도전층(2)의 에칭에 의해 노출된 에칭 레지스트(4) 및 투명기재(1)에 형성되어, 에칭 레지스트(4)가 형성되는 영역(에칭 레지스트 형성 영역)을 커버한다(단계 S4).
보다 상세하게, UV 잉크가 에칭 레지스트(4)가 형성되는 영역의 전체 표면에 걸쳐 스크린 프린팅, 그라비어 프린팅, 플렉소 프린팅, 또는 바코트 프린팅(bar-coat printing)에 의해 프린트된다. 그리고 나서, UV 잉크는 박리용 피막(5)이 형성되도록 자외선 조사에 의해 경화된다. 박리용 피막(5)은 또한 에칭 레지스트(4)가 형성되는 전체 표면에 걸쳐 열경화성 잉크 또는 열건조 잉크를 프린팅한 후 프린트된 잉크를 가열 또는 건조시킴으로써 형성될 수 있다.
박리용 피막(5)은 바람직하게는 에칭 레지스트(4)와 동일한 재료로 형성된다. 동일한 재료를 이용함으로써 에칭 레지스트(4)와 박리용 피막(5)이 통합되며, 이는 그 사이에 접착성을 강화시키고 더 손쉬운 박리를 달성한다.
더욱이, 자외선 경화 재료들은 경화 전후로 부피가 거의 변하지 않기 때문에, 두꺼운 박리용 피막이 효율적으로 형성될 수 있다. 후술된 바와 같이, 두꺼운 박리용 피막(5)은 박리의 용이성 면에서 유익하다. 그러므로, UV 잉크와 같은 자외선 경화성 재료로 박리용 피막(5)을 형성하는 것이 바람직하다.
(5) 다음, 도 2의 (e)에 도시된 바와 같이, 박리용 피막(5)은 에칭 레지스트(4)로 함께 박리된다(단계 S5). 보다 상세하게, 박리용 피막(5)의 단부가 들어올려지고 박리용 피막(5)이 박리된다. 따라서, 박리용 피막(5)은 에칭 레지스트(4)와 함께 박리된다. 이 단계의 결과, 특정 패턴에 따라 처리된 투명도전층에 형성된 투명도전패턴(6)이 얻어진다.
투명도전패턴(6)이 형성된 후, 도전배선이 필요한 경우 투명기재(1)에 형성될 수 있다. 도전배선은 예컨대 스크린 프린팅에 의해 도전성 페이스트를 프린팅하고 프린트된 페이스트를 건조 또는 가열해 형성될 수 있다. 에칭 레지스트(4)가 형성되기 전에, 도전배선이 투명도전층(2)에 형성될 수 있고, 박리용 피막(5)이 도전배선을 코팅하도록 형성될 수 있다. 이 구성으로, 박리용 피막(5)이 벗겨질 때까지 박리용 피막(5)으로 도전배선 및 투명도전패턴(6)을 보호할 수 있다.
상기 설명에서 투명인쇄회로를 제조하기 위한 방법에 있어서, 에칭 레지스트(4)가 형성되는 영역을 커버하도록 형성된 박리용 피막(5)을 벗김으로써 전체 에칭 레지스트(4)가 신뢰할 수 있으면서 쉽게 박리된다. 따라서, 에칭 레지스트(4)의 박리 과정에서 작업 효율 및 수율을 상당히 향상시킬 수 있다. 이는 또한 에칭 레지스트(4)를 박리할 때 투명도전층(2)에 가해지는 물리적 손상을 최소화할 수 있다. 더욱이, 알칼리 레지스트 박리용액이 사용되지 않기 때문에, 투명도전층이 열화되지 않는다. 그러므로, 물리적 손상뿐만 아니라 화학적 손상을 가하지 않으면서도 특정 패턴으로 투명도전층을 처리할 수 있다.
게다가, 본 발명의 투명인쇄회로의 제조방법에 있어서, 가요성을 갖는 투명도전층이 처리 대상이다. 결과적으로, 롤 대 롤 처리가 가해질 수 있다. 또한, 상기 제조 방법에 의한 투명도전시트는 ITO 투명도전시트와 달리 작은 굴곡을 포함한 벤딩 처리와 몰딩 처리를 거칠 수 있으며, 상기 ITO 투명도전시트는 이들 처리를 견디기 어렵다. 또한, 투명도전층이 1㎛ 이하의 박막으로 형성되기 때문에, 에칭 후 투명 도전 패턴(6)과 투명기재(1) 간의 레벨 차가 작다. 결과적으로, 에칭 레지스트(4) 및 박리용 피막(5)이 집단적으로 박리될 경우, 투명도전패턴(6)의 가장자리에 박막 잔여물이 남아 있을 기회가 낮아진다.
더욱이, 에칭 레지스트보다 더 큰 면적과 더 큰 박막 강도를 갖는 박리용 피막에 대해 박리가 수행될 수 있기 때문에, 분리기와 같은 자동 장치로 박리동작을 수행할 수 있다. 따라서, 반드시 하나씩 에칭 레지스트를 수동으로 벗겨낼 필요가 없으므로, 제조 효율이 상당히 향상된다.
(투명터치패널 제조방법) 도 3 내지 도 6을 참조로 상술한 투명인쇄회로 제조방법에 기초한 정적용량 동작식 투명터치패널 제조방법의 예에 대한 설명이 주어진다.
(1) 먼저, 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 투명기재(11), 상기 투명기재(11)의 전면에 투명도전재료를 도포함으로써 형성된 투명도전층(12), 및 투명도전재료를 투명기재(11)의 후면에 도포함으로써 형성된 투명도전층(13)을 갖는 투명도전시트(14)가 준비된다. 여기서, 투명기재(11)의 전면 및 후면에 도포된 투명도전재료는 가령 유기 투명 도전성 폴리머가 용해된 용액 또는 금속 나노와이어 및 수지 성분을 용매에 확산시킴으로써 이산되는 용액이다.
PEDOT 잉크가 바코트(bar coat) 등에 의해 PET 박막의 양면에 도포된 투명도전시트가 투명도전시트(14)로서 본 명세서에 사용된다. 투명도전시트(14)로서, 도전성 나노와이어를 포함한 투명도전재료를 투명기재(11)의 양면에 도포함으로써 형성된 투명도전시트가 또한 사용될 수 있다.
(2) 다음, 도 3의 (b), 도 4a, 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 특정 패턴을 각각 갖는 에칭 레지스트(15)와 에칭 레지스트(16)가 투명도전층(12) 및 투명도전층(13)에 각각 형성된다.
여기서, UV 잉크가 먼저 스크린 프린팅에 의해 투명도전층(12)에 프린트되고, 그런 후 프린트된 UV 잉크는 자외선광을 이용한 조사에 의해 경화되어 에칭 레지스트(15)가 형성된다. 다음, UV 잉크는 스크린 프린팅에 의해 투명도전층(13)에 프린트된 후, 프린트된 UV 잉크는 자외선 광을 이용한 조사에 의해 경화되어 에칭 레지스트(16)가 형성된다. Jujo Chemical Co., Ltd가 만든 UV 마스킹 잉크(JELCON RIP 시리즈)가 UV 잉크로 사용되며, 상기 잉크는 PEDOT 박막용 에칭용액에 대한 내성이 있다.
도 4a는 에칭 레지스트(15)가 프린트된 투명도전시트(14)의 전면을 도시한 평면도이다. 도 3의 (b)는 도 4a에서 선 A-A을 따른 횡단면의 일부를 도시한 것이다. 도 4b는 에칭 레지스트(16)가 프린트된 투명도전시트(14)의 후면을 도시한 평면도이다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 기판의 전면 측에 있는 에칭 레지스트(15)에서, 터치패널의 센서 전극을 형성하기 위한 다이아몬드형 전극형성용 레지스트부(15a)가 매트릭스 형태로 배치되어 있으며, 인접한 전극형성부(15a)는 세선형용 레지스트부(15b)를 통해 길이방향(Y 방향)으로 서로 연결되어 있다.
대조적으로, 도 4b에 도시된 바와 같이, 기판의 전면 측에 있는 에칭 레지스트(16)에서, 터치패널의 센서 전극을 형성하기 위한 다이아몬드형 전극형성용 레지스트부(16a)가 매트릭스 형태로 배치되어 있으며, 인접한 전극형성부(16a)는 세선형성용 레지스트부(16b)를 통해 횡방향(X 방향)으로 서로 연결되어 있다.
도 4a 및 도 4b로부터 알 수 있는 바와 같이, 투명도전시트(14)의 두께 방향으로 볼 때, 에칭 레지스트(15)의 전극형성용 레지스트부(15a)와 에칭 레지스트(16)의 전극형성용 레지스트부(16a)는 서로의 갭을 채우도록 배치된다.
에칭 레지스트(15 및 16)의 형태는 상술된 형태에 국한되지 않는 것에 유의하라. 이는 다양한 형태를 취할 수 있는 것으로 가정될 수 있다.
(3) 다음, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 에칭 레지스트(15 및 16)가 형성된 투명도전시트(14)는 투명도전층용 에칭용액으로 채워진 용기에 수 분간 두어진다. 이는 에칭 레지스트(15 및 16)로 코팅되지 않은 투명도전층(12, 13)을 제거한다. 그리고 나서, 에칭 후, 투명도전시트(14)는 물로 세척되고 건조된다.
(4) 다음, 도 3의 (d) 및 도 5a에 도시된 바와 같이, 박리용 피막(17)은 투명도전층(12)의 에칭에 의해 노출된 에칭 레지스트(15) 및 투명기재(11)에 형성되므로, 에칭 레지스트(15)가 형성된 영역을 커버한다. 그런 후, 박리용 피막(18)은 유사하게 후면 측에 형성된다. 보다 상세하게, 도 3d 및 도 5a에 도시된 바와 같이, 박리용 피막(18)은 투명도전층(13)의 에칭에 의해 노출된 에칭 레지스트(16) 및 투명기재(11)에 형성되므로, 에칭 레지스트(16)가 형성된 영역을 커버한다.
박리용 피막(17 및 18)의 형성을 위해, 에칭 레지스트(15 및 16)를 형성하는데 사용된 잉크와 같은 Jujo Chemical Co., Ltd가 만든 UV 잉크가 스크린 프린팅에 의해 프린트된 후 상기 프린트된 잉크는 자외선광을 이용한 조사에 의해 경화된다.
도 5a 및 도 5b는 박리용 피막(17 및 18)이 형성된 투명도전시트(14)의 전면 및 후면의 평면도를 각각 도시한 것이다. 도 3d는 도 5a의 선 A-A을 따른 횡단면의 일부를 도시한 것임에 유의하라. 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 박리용 피막(17 및 18)은 박리의 용이성을 강화하기 위해 에칭 레지스트(15 및 16)가 형성된 전체 영역을 코팅하도록 형성된다.
(5) 다음, 도 3의 (e)에 도시된 바와 같이, 박리용 피막(17)은 에칭 레지스트(15)와 함께 박리된다. 그런 후, 박리용 피막(18)은 에칭 레지스트(16)와 함께 박리된다. 그 결과, 투명도전패턴(19 및 20)이 에칭 레지스트(15 및 16)의 형태에 따라 처리된 투명도전층(12 및 13)에 형성된다.
도 6a는 투명터치패널의 전면의 평면도인 한편, 도 6b는 투명터치패널의 후면의 평면도이다. 도 6a 및 도 6b로부터 알 수 있는 바와 같이, 투명도전패턴(19)은 인접한 투명전극부(19a)가 투명세선부(19b)를 통해 길이방향으로 서로 연결되어 있는 한편 투명도전패턴(20)은 인접한 투명전극부(20a)가 투명세선부(20b)를 통해 횡방향으로 서로 연결되어 있는 구성을 갖는다.
에칭 레지스트의 박리성에 대한 조사 결과에 대한 설명이 주어진다. 에칭 레지스트의 박리성을 조사하기 위해, 박리용 피막의 두께가 다른 3개의 샘플들(번호 1 내지 3)을 제조하였다. 프린팅 회수를 늘리거나 줄임으로써 박리용 피막의 두께를 조절하였다. 박리용 피막의 두께는 또한 스크린 프린팅용 프린팅 플레이트의 두께를 변경함으로써 조절될 수 있음에 유의하라.
에칭 레지스트 및 박리용 피막을 경화시키기 위한 자외선 광 조사 조건은 모든 샘플들에서 동일하였다. 비교를 위해 박리용 피막이 형성되지 않은 샘플(No.4)을 준비하였다.
박리용 피막의 두께와 각 샘플에 대한 조사 결과들이 표 1에 나타나 있다. 표 1에서 박리용 피막의 두께는 에칭 레지스트로 코팅된 부분의 두께이다(도 3의 (d)에서 "t").
샘플 No. | 에칭 레지스트의 두께 | 박리용 피막의 두께 | 박리성 확인결과 |
1 | 12㎛ | 11㎛ | OK |
2 | 12㎛ | 22㎛ | OK |
3 | 12㎛ | 31㎛ | OK |
4 | 12㎛ | 없음 | NG |
표 1에 나타낸 바와 같이, 모든 샘플 No. 1 내지 3에서, 에칭 레지스트는 박리용 피막과 함께 박리될 수 있다. 박리 후 표면에 레지스트 잔여물이 전혀 발견되지 않았다. 스크래치들과 같은 손상들이 심지어 상대적으로 표면 강도가 낮은 투명도전패턴에 발견되지 않았다.
두꺼운 박리용 피막은 더 큰 피막 강도 및 탄성도를 가짐으로써 박리의 용이성을 강화하는 경향이 있는 것을 또한 알았다.
대조적으로, 박리용 필름이 형성되지 않은 샘플 No.4에 대해, 핀셋으로 (도 4a의 경우) 길이방향 또는 (도 4b의 경우) 횡향을 따라 에칭 레지스트의 박리를 시도하였다. 그러나, 레지스트 잔여물 및 스크래치를 야기하지 않게 에칭 레지스트의 전체 부분을 벗겨내는 것은 불가능하였다. 특히 세선형성용 레지스트부(15b)(16b)에서, 에칭 레지스트는 쉽게 조각들로 찢어졌다. 세선형성용 레지스트부(15b)(16b)에서 잔여 에칭 레지스트의 제거 동안, 투명도전패턴이 손상되었고, 이로써 몇몇 경우에서는 불연속이 되었다.
(6) 에칭 레지스트가 제거된 후, 도 6a에 도시된 바와 같이, 투명도전패턴(19)(투명 전극부(19a))을 외부 기판(미도시)에 전기 연결하기 위해 리드-아웃 와이어(21)가 투명기재(11)의 전면에 형성된다. 보다 상세하게, 리드-아웃 와이어(21)는 스크린 프린팅에 의해 도전성 페이스트를 프린팅한 후 프린트된 페이스트를 건조 또는 가열경화시킴으로써 형성된다. 도전성 페이스트는 도전성 분말 및 결합제의 혼합물이다. 여기서, Ag 분말을 함유한 도전성 페이스트는 와이어링 저항을 줄이기 위해 사용된다.
마찬가지로, 도 6b에 도시된 바와 같이, 투명도전패턴(20)(투명 전극부(20a))을 외부 기판에 전기 연결하기 위해 리드-아웃 와이어(22)가 투명기재(11)의 후면에 형성된다.
리드-아웃 와이어(21 및 22)를 통해 투명터치패널에 연결된 외부 기판은 그 표면에 장착된 IC 칩을 포함하는 것에 유의해야 하다. IC 칩은 투명 전극부(19a) 및 투명 전극부(20a) 사이에 정전용량의 변화를 감지하고 특정 임계를 갖는 검출된 변화를 핑거 등이 터치패널 부근에 또는 터치패널과 접촉할 때 위치 또는 핑거 등과 비교한다.
도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이 상술한 단계들을 통해, 투명도전패턴(19,20) 및 리드-아웃 와이어(21)를 갖는 정전용량방식의 투명터치패널이 제조된다.
상술한 본 실시예의 투명터치패널 제조방법에 따르면, 박리용 피막(17 및 18)을 박리함으로써 전체 에칭 레지스트(15 및 16)가 신뢰할 수 있으면서 쉽게 박리된다. 이는 박리용 지그에 의해 야기된 투명도전패턴(19 및 20)에 불연속 등과 같은 가능한 손상들을 없애, 투명터치패널의 수율이 향상된다.
레지스트 잔여물이 발생하지 않기 때문에, 레지스트 잔여물에 의해 야기된 광의 불규칙 반사로 인해 불리하게 두드러지는 투명터치패널의 투명전극부(19a 및 20a)에서 가장자리 문제가 방지될 수 있다.
또한, 본 실시예에서 투명터치패널 제조방법에 따르면, 박리용 피막(17 및 18)은 리드-아웃 와이어(21 및 22)가 형성될 때까지 투명도전패턴(19 및 20)의 보호막으로서 기능할 수 있다. 이는 투명터치패널의 수율을 향상시키게 한다.
더욱이, 투명도전층뿐만 아니라 레지스트 잔여물에 대한 화학적 물리적 손상들이 가능한 한 많이 억제되기 때문에, 투과율 및 헤이즈(haze)와 같은 광학적 속성이 탁월한 투명터치패널을 제조할 수 있게 된다.
투명도전층(12 및 13)이 투명기재재료(11)의 양면에 있는 투명도전시트(14)가 또한 투명도전층이 일면에 형성된 2개의 단면 기재를 접합시킴으로써 형성될 수 있다. 보다 상세하게, 투명도전시트(14)는 제 1 투명기재와 상기 제 1 투명기재의 일면에 투명도전층(12)이 형성되는 제 1 투명도전층을 갖는 제 1 투명도전시트, 및 제 2 투명기재와 상기 제 2 투명기재의 일면에 투명도전층(13)이 형성되는 제 2 투명도전층을 갖는 제 2 투명도전시트로 형성될 수 있다. 제 1 투명도전시트와 제 2 투명도전시트는 OCA(Optical Clear Adhesive) 등에 의해 함께 접합될 수 있어 제 1 및 제 2 투명기재의 다른 면들이 서로 마주 보도록 형성되고 이로써 제 1 및 제 2 투명기재가 투명기재(11)를 구성한다.
제 1 및 제 2 투명도전시트가 접합되기 전에, 투명도전층이 패턴화될 수 있다. 보다 상세하게, 투명도전패턴(19 및 20)은 상술한 제 1 및 제 2 투명도전시트 각각에 투명도전층을 패턴화함으로써 형성된다. 그런 후, 제 1 투명도전시트와 투명도전층들이 특정 패턴으로 처리되는 제 2 투명도전시트가 OCA 등에 의해 함께 접합될 수 있다. 접합 방법은 제 1 및 제 2 투명기재면의 다른 표면들(투명도전패턴이 형성되지 않는 면들)을 서로 만드는 방법에 국한되지 않는다. 제 1 및 제 2 투명기재의 한 표면들(투명도전패턴이 형성되는 면들)은 서로 마주볼 수 있고, 제 1 투명기재의 다른 표면은 제 2 투명기재의 한 표면과 마주볼 수 있다. 2개의 투명도전시트들은 제 1 투명도전시트 상에 투명도전패턴이 제 2 투명도전시트 상의 투명도전패턴과 접촉하지 않는 그러한 식으로 접합될 필요가 있다.
또한 투명도전층이 투명기재의 일면에만 형성된 투명도전시트를 갖는 투명터치패널을 제조할 수 있다. 다르게 말하면, 투명도전패턴(19)과 투명도전패턴(20) 모두가 투명기재(11)의 일면에 형성될 수 있다. 상기의 경우, 투명도전패턴(19)과 투명도전패턴(20) 중 어느 하나는 상술한 투명전극부 및 투명세선부 모두를 갖도록 형성되는 반면, 투명전극부에만 다른 패턴이 형성된다. 다른 패턴의 투명세선부는 다른 패턴의 투명전극부를 서로 연결(점퍼-연결)시키기 위해 한 패턴의 투명세선부를 가로질러 제공된 작은 절연체(절연부재) 조각들에 형성된다. 따라서, 소위 단면 3중층 구조(또는 단면 점퍼 구조)를 이용함으로써 투명기재(11)의 일측에 X 및 Y 방향으로 투명도전패턴이 형성될 수 있다. 이 경우 투명터치패널의 약술한 제조단계들이 나타낸 바와 같이 하기에 있음에 주목하라.
(1) 투명기재와 상기 투명기재의 일면에 형성된 투명도전층을 갖는 투명도전시트가 준비된다.
(2) 다음, 제 1 에칭 레지스트 및 제 2 에칭 레지스트가 투명도전층상에 형성되는 한편 상기 에칭 레지스트들은 서로 이격되어 있다. 제 1 에칭 레지스트는 전극형성용 레지스트부(15a) 및 세선형성용 레지스트부(15b)에 해당한다. 보다 상세하게, 제 1 에칭 레지스트는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 제 1 전극형성용 레지스트부와 Y 방향(또는 X 방향)으로 인접한 제 1 전극형성용 레지스트부를 서로 연결시키는 세선형성용 레지스트부를 갖는다. 다른 한편으로, 제 2 에칭 레지스트는 전극형성용 레지스트부(16a)에 해당한다. 보다 상세하게, 제 2 에칭 레지스트는 제 1 전극형성용 레지스트부들과 함께 체크패턴을 이루도록 매트릭스 형태로 배치된 복수의 제 2 전극형성용 레지스트부를 갖는다.
(3) 다음, 투명도전층은 마스크로서 제 1 에칭 레지스트 및 제 2 에칭 레지스트과 함께 에칭된다.
(4) 그런 후, 박리용 피막이 제 1 및 제 2 에칭 레지스트가 형성되는 영역을 커버하도록 제 1 및 제 2 에칭 레지스트와 제 1 및 제 2 투명도전층의 에칭에 의해 노출된 투명기재에 형성된다.
(5) 다음, 박리용 피막은 제 1 및 제 2 투명도전패턴을 형성하도록 제 1 및 제 2 에칭 레지스트와 함께 박리된다. 제 1 투명도전패턴은 투명전극부(19a) 및 투명세선부(19b)에 해당한다. 보다 상세하게, 제 1 투명도전패턴은 매트릭스 형태로 배치된 복수의 제 1 투명전극부와 Y 방향(X 방향)에 인접한 제 1 투명전극부를 서로 전기 연결시키는 제 1 투명세선부를 갖는다. 다른 한편으로, 제 2 투명도전패턴은 투명전극부(20a)에 해당한다. 보다 구체적으로, 제 2 투명도전패턴은 제 1 투명전극부들과 함께 체크패턴을 이루도록 매트릭스 형태로 배치된 복수의 제 2 투명전극부를 갖는다.
(6) 다음, 절연부재가 제 1 투명도전패턴의 제 1 투명세선부를 가로질러 형성된다. 절연부재 상에, X 방향(또는 Y 방향)에 인접한 제 2 투명도전패턴의 제 2 투명전극부를 서로 전기 연결시키는 제 2 투명세선부(점퍼)가 형성된다.
상기 단계들을 통해, X 방향 및 Y 방향으로 투명도전패턴이 투명기재의 일면에 형성될 수 있다.
몇가지 변형들에 대한 설명이 주어진다.
박리용 피막(17(18))이 형성되기 전에, 약한 이형(離刑) 처리가 투명기재(11) 상의 박리개시부위에 가해질 수 있다. 박리개시부위는 박리용 피막(17(18))이 벗겨지기 시작하는 부위이다. 예컨대, 도 4에 도시된 정사각형의 일측 "P"(Q)이 박리개시부위이다. 약이형 처리시, 적당량의 실리콘 기반의 이형제(離刑劑)가 일예로 박리개시부위에 도포된다. 이형제를 도포하는 것은 박리개시부위에 약하게 부착된 씰 피스(seal piece)로 대체될 수 있다. 이런 약이형 처리되는 영역에서 박리용 피막(17(18))을 벗기는 것이 쉽기 때문에, 박리개시부위로부터 박리용 피막(5)을 벗김으로써 박리의 용이성이 더 향상될 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 박리용 피막(17)은 또한 박리가 개시될 때 박리용 피막(17)을 들어올리도록 파지되는 탭부(17a)를 갖도록 형성될 수 있다. 따라서, 탭부(17a)를 잡아 박리용 피막(17)을 들어올리고, 탭부(17a)가 파지되어 있는 동안 박리용 피막(17)을 벗길 수 있다. 그 결과, 박리가 박리용 피막(17)의 박리개시부 "P" 및 "Q"로부터 수행되는 경우에 비해 박리의 용이성이 향상될 수 있다. 이는 탭부(17a)로부터 벗겨내는 것을 더 용이하게 하기 위해 탭부(17a)가 형성된 부위에 상술한 약이형 처리가 가해질 수 있음에 유의해야 한다.
에칭 레지스트를 형성하는 단계에서, 박리용 피막을 강화하기 위한 프레임부가 또한 형성될 수 있다. 더욱이, 에칭 레지스트를 형성하는 단계에서, UV 잉크 등이 투명도전층에 프린트되고 경화되어, 에칭 레지스트(15)를 둘러싼 프레임부(23)가 도 8a에 도시된 바와 같이 에칭 레지스트(15)와 함께 형성된다. 프레임부(23)는 열경화성 또는 열건조 잉크를 프린팅함으로써 형성될 수 있음에 유의해야 한다. 바람직하기로, 프레임부(23)는 스크린 프린팅 등에 의해 프린팅 단계에서 에칭 레지스트(15)와 함께 형성된다. 투명도전층이 에칭된 후, UV 잉크가 프레임부(23) 및 도 8b에 도시된 바와 같이 프레임부(23)로 둘러싸인 영역에 프린트되고 경화되어, 박리용 피막(17a)이 형성된다. 박리용 피막(17a)은 열경화성 또는 열건조 잉크를 프린팅함으로써 형성될 수 있다. 이에 따라 형성된 박리용 피막(17a)은 프레임부(23)가 형성되고 강화된 외주부를 갖는 부분에서 박막 두께가 크다. 이는 박리시 박리용 피막(17a)의 파열과 같은 장애의 발생을 억제할 수 있게 한다.
상기 투명터치패널 제조방법의 설명에서, 박리용 피막(17 및 18)이 벗겨지고 투명도전패턴(19 및 20)이 형성된 후에 리드-아웃 와이어(21 및 22)가 형성된다. 그러나, 리드-아웃 와이어(21 및 22)는 에칭 레지스트(15 및 16)가 형성되기 전에 투명도전층(12 및 13)에 형성될 수 있다. 이 경우, 리드-아웃 와이어(21 및 22)가 형성된 후, 에칭 레지스트(15 및 16)가 형성되고 에칭된다. 그런 후 박리용 피막(17 및 18)이 에칭 레지스트(15 및 16)뿐만 아니라 리드-아웃 와이어(21 및 22)를 커버하도록 형성된다.
따라서, 박리용 피막(17 및 18)은 투명도전패턴(19 및 20) 보호막뿐만 아니라 리드-아웃 와이어(21 및 22)의 보호막으로서 기능할 수 있다. 또한, 박리용 피막이 형성될 때 모든 와이어링 패턴들이 형성되기 때문에, 투명터치패널이 선적될 때 또는 고객이 투명터치패널을 사용할 때 박리용 피막의 박리가 수행될 수 있다. 이런 식으로, 박리용 피막이 장시간 동안 보호막으로서 기능할 수 있다.
본 발명에 따른 투명인쇄회로 제조방법은 투명터치패널의 제조뿐만 아니라 투명 FPCs와 같은 임의의 투명인쇄회로의 제조에도 적용될 수 있음에 유의해야 한다.
상술한 설명을 기초로, 당업자들은 본 발명의 첨가 효과 및 다양한 배열들을 착상할 수 있다. 그러나, 본 발명의 태양은 상술한 실시예들에 국한되지 않는다. 특허청구범위 및 그 균등물로부터 도출된 본 발명의 기술사상 및 의미로부터 벗어남이 없이 본 발명의 다양한 첨가, 변형 및 부분적 삭제가 가능한 것을 알아야 한다.
1, 11: 투명기재
2.12,13: 투명도전층
3,14: 투명도전시트
4,15,16: 에칭 레지스트
5,17,17a,18: 박리용 피막
6,19,20: 투명도전패턴
15a,16a: 전극형성용 레지스트부
15b,16b: 세선형성용 레지스트부
17a: 탭부
19a,20a: 투명전극부
19b,20b: 투명세선부
21,22: 리드-아웃 와이어
23: 프레임부
P,Q: 박리개시부위
2.12,13: 투명도전층
3,14: 투명도전시트
4,15,16: 에칭 레지스트
5,17,17a,18: 박리용 피막
6,19,20: 투명도전패턴
15a,16a: 전극형성용 레지스트부
15b,16b: 세선형성용 레지스트부
17a: 탭부
19a,20a: 투명전극부
19b,20b: 투명세선부
21,22: 리드-아웃 와이어
23: 프레임부
P,Q: 박리개시부위
Claims (19)
- 투명기재와 상기 투명기재에 형성된 투명도전층을 갖는 투명도전시트를 제공하는 단계와,
스크린 인쇄에 의하여, 상기 투명도전층에 특정 패턴을 갖는 에칭 레지스트를 형성하는 단계와,
상기 에칭 레지스트를 마스크로서 상기 투명도전층을 에칭하는 단계와,
스크린 인쇄에 의하여, 상기 에칭 레지스트가 형성되는 영역을 커버하기 위해 상기 에칭 레지스트 및 상기 투명도전층의 에칭에 의해 노출된 투명기재에 박리용 피막을 형성하는 단계와,
상기 박리용 피막을 상기 에칭 레지스트와 함께 박리하는 단계를 포함하고,
상기 박리용 피막은 상기 에칭 레지스트의 재료와 동일한 재료를 사용하여 형성되는 투명인쇄회로 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
투명도전층은 유기 투명 도전성 폴리머를 포함하는 투명인쇄회로 제조방법. - 제 2 항에 있어서,
유기 투명 도전성 폴리머는 폴리에틸렌 디옥시티오펜(polyethylene dioxythiophene), 폴리피롤(polypyrrole), 또는 폴리아닐린(polyaniline)인 투명인쇄회로 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
투명도전층은 금속 나노와이어를 포함하는 투명인쇄회로 제조방법. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
에칭 레지스트 및 박리용 피막은
자외선 조사(照射)에 의해 경화될 수 있는 UV 잉크를 프린팅하는 단계와,
잉크가 경화되도록 자외선광으로 프린트된 UV 잉크를 조사하는 단계에 의해 형성되는 투명인쇄회로 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
에칭 레지스트와 박리용 피막은
열경화성 잉크를 프린팅하는 단계와,
잉크가 경화되도록 프린트된 잉크를 가열하는 단계에 의해 형성되는 투명인쇄회로 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
에칭 레지스트와 박리용 피막은
열건조형 잉크를 프린팅하는 단계와,
프린트된 잉크를 건조하는 단계를 포함하는 투명인쇄회로 제조방법. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
박리용 피막이 형성되기 전에,
투명기재와 박리용 피막 간에 이형성(離刑性)을 향상시키는 약이형처리(弱離刑處理)가 박리용 피막이 벗겨지기 시작하는 박리개시부위에 가해지는 투명인쇄회로 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
박리가 개시될 때 박리용 피막을 들어올리도록 파지되는 탭부를 갖도록 박리용 피막이 형성되는 투명인쇄회로 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
박리용 피막은
에칭 레지스트의 형성시 에칭 레지스트를 둘러싼 프레임부가 에칭 레지스트와 함께 형성되도록 투명도전층에 잉크를 프린팅하는 단계와,
투명도전층이 에칭된 후 프레임부 및 상기 프레임부로 둘러싸인 영역에 잉크를 프린팅하고 경화시키는 단계에 의해 형성되는 투명인쇄회로 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
에칭 레지스트가 형성되기 전에, 도전배선이 투명도전층에 형성되고, 도전배선을 코팅하도록 박리용 피막이 형성되는 투명인쇄회로 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
투명기재는 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리카보네이트, 투명 폴리이미드, 또는 가요성을 갖는 글래스 피막으로 제조되는 투명인쇄회로 제조방법. - 삭제
- 삭제
- 투명기재, 상기 투명기재의 전면과 후면에 각각 형성된 제 1 투명도전층 및 제 2 투명도전층을 갖는 투명도전시트를 제공하는 단계와,
스크린 인쇄에 의하여, 상기 제 1 투명도전층에 특정 패턴을 갖는 제 1 에칭 레지스트를 형성하는 단계와,
스크린 인쇄에 의하여, 상기 제 2 투명도전층에 특정 패턴을 갖는 제 2 에칭 레지스트를 형성하는 단계와,
상기 제 1 에칭 레지스트를 마스크로서 상기 제 1 투명도전층을 에칭하는 동시에 상기 제 2 에칭 레지스트를 마스크로서 상기 제 2 투명도전층을 에칭하는 단계와,
스크린 인쇄에 의하여, 상기 제 1 에칭 레지스트가 형성되는 영역을 커버하기 위해 제 1 에칭 레지스트 및 제 1 투명도전층의 에칭에 의해 노출된 투명기재에 제 1 박리용 피막을 형성하는 단계와,
스크린 인쇄에 의하여, 상기 제 2 에칭 레지스트가 형성되는 영역을 커버하기 위해 제 2 에칭 레지스트 및 제 2 투명도전층의 에칭에 의해 노출된 투명기재에 제 2 박리용 피막을 형성하는 단계와,
제 1 투명도전패턴을 형성하기 위해 상기 제 1 박리용 피막을 상기 제 1 에칭 레지스트와 함께 박리하는 단계와,
제 2 투명도전패턴을 형성하기 위해 상기 제 2 박리용 피막을 상기 제 2 에칭 레지스트와 함께 박리하는 단계를 포함하고,
상기 제 1 박리용 피막은 상기 제 1 에칭 레지스트와 동일한 재료를 사용하여 형성되고, 상기 제 2 박리용 피막은 상기 제 2 에칭 레지스트와 동일한 재료를 사용하여 형성되는 투명터치패널 제조방법. - 투명기재와 상기 투명기재의 일면에 형성된 투명도전층을 갖는 투명도전시트를 제공하는 단계와,
상기 투명도전층에 복수의 제 1 전극형성용 레지스트부와 제 1 방향으로 인접한 제 1 전극형성용 레지스트부를 서로 연결시키는 세선형성용 레지스트부를 갖는 제 1 에칭 레지스트 및 복수의 제 2 전극형성용 레지스트부를 갖는 제 2 에칭 레지스트를 스크린 인쇄에 의하여 형성하는 단계와,
상기 제 1 에칭 레지스트 및 제 2 에칭 레지스트를 마스크로서 상기 투명 도전층을 에칭하는 단계와,
스크린 인쇄에 의하여, 상기 제 1 및 제 2 에칭 레지스트가 형성되는 영역을 커버하기 위해 제 1 및 제 2 에칭 레지스트와, 제 1 및 제 2 투명도전층의 에칭에 의해 노출된 투명기재에 박리용 피막을 형성하는 단계와,
복수의 제 1 투명전극부와 제 1 방향으로 인접한 제 1 투명전극부를 서로 전기 연결시키는 제 1 투명세선부를 갖는 제 1 투명도전패턴과, 복수의 제 2 투명전극부를 갖는 제 2 투명도전패턴을 형성하기 위해 제 1 및 제 2 에칭 레지스트와 함께 박리용 피막을 박리하는 단계와,
제 1 투명도전패턴의 제 1 투명세선부를 가로질러 절연부재를 형성하고 제 2 방향으로 인접한 제 2 투명도전패턴의 제 2 투명전극부를 서로 전기 연결시키는 제 2 투명세선부를 상기 절연부재에 형성하는 단계를 포함하고,
상기 박리용 피막은 상기 제 1 및 제 2 에칭 레지스트와 동일한 재료를 사용하여 형성되는 투명터치패널 제조방법. - 제 1 투명기재와 상기 제 1 투명기재의 일면에 형성된 제 1 투명도전층을 갖는 제 1 투명도전시트, 및 제 2 투명기재와 상기 제 2 투명기재의 일면에 형성된 제 2 투명도전층을 갖는 제 2 투명도전시트를 제공하는 단계와,
스크린 인쇄에 의하여, 상기 제 1 투명도전층에 특정 패턴을 갖는 제 1 에칭 레지스트를 형성하는 단계와,
스크린 인쇄에 의하여, 상기 제 2 투명도전층에 특정 패턴을 갖는 제 2 에칭 레지스트를 형성하는 단계와,
상기 제 1 에칭 레지스트를 마스크로서 상기 제 1 투명도전층을 에칭하는 단계와,
상기 제 2 에칭 레지스트를 마스크로서 상기 제 2 투명도전층을 에칭하는 단계와,
스크린 인쇄에 의하여, 상기 제 1 에칭 레지스트가 형성되는 영역을 커버하기 위해 제 1 에칭 레지스트 및 제 1 투명도전층의 에칭에 의해 노출된 투명기재에 제 1 박리용 피막을 형성하는 단계와,
스크린 인쇄에 의하여, 상기 제 2 에칭 레지스트가 형성되는 영역을 커버하기 위해 제 2 에칭 레지스트 및 제 2 투명도전층의 에칭에 의해 노출된 투명기재에 제 2 박리용 피막을 형성하는 단계와,
제 1 투명도전패턴을 형성하기 위해 상기 제 1 박리용 피막을 상기 제 1 에칭 레지스트와 함께 박리하는 단계와,
제 2 투명도전패턴을 형성하기 위해 상기 제 2 박리용 피막을 상기 제 2 에칭 레지스트와 함께 박리하는 단계와,
제 1 투명도전패턴이 형성된 제 1 투명도전시트와 제 2 투명도전패턴이 형성된 제 2 투명도전시트를 접합시키는 단계를 포함하고,
상기 제 1 박리용 피막은 상기 제 1 에칭 레지스트와 동일한 재료를 사용하여 형성되고, 상기 제 2 박리용 피막은 상기 제 2 에칭 레지스트와 동일한 재료를 사용하여 형성되는 투명터치패널 제조방법.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102192143B1 (ko) | 2019-06-28 | 2020-12-16 | 황준석 | 니켈실버 시트를 이용한 터치감응형 표시장치의 투명 연성회로기판 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 연성회로기판 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013094561A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | 日本写真印刷株式会社 | 装飾付きタッチセンサとその製造方法、及びそれに用いるタッチセンサ |
CN103838408B (zh) * | 2012-11-22 | 2017-07-11 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 单片玻璃触控板及其制作方法 |
JP6079166B2 (ja) * | 2012-11-26 | 2017-02-15 | ソニー株式会社 | 積層構造体の製造方法 |
JP6700787B2 (ja) * | 2012-12-07 | 2020-05-27 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 基板上に透明導電体を製作する方法 |
JP6122672B2 (ja) * | 2013-03-19 | 2017-04-26 | グンゼ株式会社 | 投影型静電容量方式タッチパネル用フィルムの製造方法 |
CN103412668B (zh) * | 2013-04-12 | 2015-05-13 | 深圳欧菲光科技股份有限公司 | 触摸屏感应模组及其制作方法和显示器 |
KR102008795B1 (ko) * | 2013-07-29 | 2019-10-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 터치 윈도우 |
CN104349585B (zh) * | 2013-08-01 | 2018-05-15 | 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 | 电路板及其制作方法 |
US9807871B2 (en) | 2013-08-28 | 2017-10-31 | 3M Innovative Properties Company | Electronic assembly with fiducial marks for precision registration during subsequent processing steps |
WO2015047944A1 (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 3M Innovative Properties Company | Protective coating for printed conductive pattern on patterned nanowire transparent conductors |
KR101436025B1 (ko) * | 2013-11-12 | 2014-09-02 | 에스맥 (주) | 터치스크린 패널의 제조 방법 |
WO2015083336A1 (ja) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | タッチパネル |
CN105335026A (zh) * | 2014-05-30 | 2016-02-17 | 深圳市比亚迪电子部品件有限公司 | 一种小片制程的ogs触摸屏及其制作方法 |
WO2015188196A1 (en) * | 2014-06-06 | 2015-12-10 | Innova Dynamics, Inc. | Patterned transparent conductors and related compositions and manufacturing methods |
CN109353136B (zh) * | 2014-06-20 | 2020-08-04 | 3M创新有限公司 | 在后续处理期间实现精确配准的多种油墨的印刷 |
KR102287289B1 (ko) * | 2014-07-08 | 2021-08-06 | 주식회사 동진쎄미켐 | 투명 전극 복합체 |
TWI531079B (zh) * | 2014-08-12 | 2016-04-21 | 友達光電股份有限公司 | 太陽能電池及其製作方法 |
KR102211497B1 (ko) * | 2014-11-28 | 2021-02-05 | 한국전자통신연구원 | 촉각 디스플레이 장치 |
CN104918413A (zh) * | 2015-03-09 | 2015-09-16 | 广州市祺虹电子科技有限公司 | 一种tgcb的制成工艺 |
CN104750346A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-07-01 | 牧东光电(苏州)有限公司 | 金属网格型触控面板结构及其制作工艺 |
KR101980728B1 (ko) * | 2015-07-14 | 2019-05-21 | 주식회사 엘지화학 | 전도성 구조체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 터치패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
CN105511706B (zh) * | 2016-01-26 | 2018-11-02 | 苏州诺菲纳米科技有限公司 | 触控传感器的制备方法及其触控传感器 |
WO2018122745A1 (en) * | 2016-12-29 | 2018-07-05 | 3M Innovative Properties Company | Methods for preparing electrically conductive patterns and articles containing electrically conductive patterns |
CN109219236B (zh) * | 2017-06-30 | 2021-11-02 | 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 | 透明柔性电路板及其制备方法 |
KR102556198B1 (ko) | 2017-07-27 | 2023-07-18 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 박리층 형성용 조성물 및 박리층 |
CN111133073B (zh) | 2017-09-27 | 2022-06-03 | 日产化学株式会社 | 临时粘接层形成用组合物和临时粘接层 |
CN111048399A (zh) * | 2018-10-15 | 2020-04-21 | 中国科学院化学研究所 | 图案化二维材料及其制备方法和产品 |
WO2020158521A1 (ja) | 2019-01-28 | 2020-08-06 | 日産化学株式会社 | スリットダイコート用剥離層形成用組成物及び剥離層 |
JPWO2021132383A1 (ko) | 2019-12-25 | 2021-07-01 | ||
CN115003505A (zh) | 2020-01-21 | 2022-09-02 | 日产化学株式会社 | 用于形成碱玻璃用剥离层的组合物及剥离层 |
JPWO2022186144A1 (ko) | 2021-03-03 | 2022-09-09 | ||
JPWO2022210640A1 (ko) | 2021-03-30 | 2022-10-06 | ||
CN114115593A (zh) * | 2021-11-22 | 2022-03-01 | 无锡变格新材料科技有限公司 | 一种精细线路的制作方法和触控显示设备 |
KR102584917B1 (ko) * | 2022-12-13 | 2023-10-05 | 주식회사 에스피에스 | 투명성을 갖는 유연성 터치 센서 모듈 및 그 제조 방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3443486B2 (ja) * | 1995-07-19 | 2003-09-02 | 日東電工株式会社 | レジストの除去方法 |
JP2010267223A (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Seiko Epson Corp | タッチパネルの製造方法及び表示装置製造方法並びに電子機器製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06302509A (ja) * | 1993-04-12 | 1994-10-28 | Toshiba Corp | レジスト剥離方法およびその装置 |
KR100883215B1 (ko) * | 2001-06-22 | 2009-02-13 | 아그파-게바에르트 | 도전성 패턴을 갖는 물질, 및 도전성 패턴 형성용 물질과형성방법 |
EP1434281A3 (en) | 2002-12-26 | 2007-10-24 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Manufacturing method of thin-film transistor, thin-film transistor sheet, and electric circuit |
CN101589473B (zh) | 2006-10-12 | 2011-10-05 | 凯博瑞奥斯技术公司 | 基于纳米线的透明导体及其应用 |
US7968885B2 (en) * | 2007-08-07 | 2011-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
JP2009205924A (ja) | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Kuraray Co Ltd | 透明導電膜、透明導電部材、銀ナノワイヤ分散液および透明導電膜の製造方法 |
JP5103254B2 (ja) | 2008-04-16 | 2012-12-19 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 静電容量方式タッチパネルおよびそれを備える画面入力型表示装置 |
JP2009283410A (ja) | 2008-05-26 | 2009-12-03 | Alps Electric Co Ltd | 有機透明導電膜付き基材及びその製造方法 |
JP5253288B2 (ja) * | 2009-05-08 | 2013-07-31 | グンゼ株式会社 | 面状体及びタッチスイッチ |
JP4826970B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2011-11-30 | 大日本印刷株式会社 | タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサを作製するための積層体、および、タッチパネルセンサの製造方法 |
JP2011018885A (ja) * | 2009-06-12 | 2011-01-27 | Seiko Epson Corp | パターン膜形成部材の製造方法、パターン膜形成部材、電気光学装置、電子機器 |
-
2011
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3443486B2 (ja) * | 1995-07-19 | 2003-09-02 | 日東電工株式会社 | レジストの除去方法 |
JP2010267223A (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Seiko Epson Corp | タッチパネルの製造方法及び表示装置製造方法並びに電子機器製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102192143B1 (ko) | 2019-06-28 | 2020-12-16 | 황준석 | 니켈실버 시트를 이용한 터치감응형 표시장치의 투명 연성회로기판 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 연성회로기판 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9198298B2 (en) | 2015-11-24 |
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