KR101436025B1 - 터치스크린 패널의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 터치스크린 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 전극배선과 투명전극 패턴을 1개의 마스크를 통해 포토리소그래피 공정으로 투명 윈도우 기판에 형성하여 전극배선과 투명전극 패턴을 생성하기 위해 전극배선과 투명전극 패턴에 해당하는 각각의 마스크를 사용하지 않으며 에칭 과정없이 전극배선과 투명전극 패턴을 생성하여 간단한 공정으로 저렴하게 제조할 수 있으며 환경 오염을 줄일 수 있는 터치스크린 패널의 제조 방법에 관한 것이다.

Description

터치스크린 패널의 제조 방법{Method for manufacturing touch screen panel}

본 발명은 터치스크린 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 전극배선과 투명전극 패턴을 1개의 마스크를 통해 동시에 포토리소그래피 공정으로 투명 윈도우 기판에 형성함으로써 전극배선과 투명전극 패턴을 생성하기 위해 전극배선과 투명전극 패턴에 해당하는 각각의 마스크를 사용하지 않으며, 에칭 과정없이 전극배선과 투명전극 패턴을 생성함으로써 간단한 공정으로 저렴하게 제조할 수 있고 환경 오염을 줄일 수 있는 터치스크린 패널의 제조 방법에 관한 것이다.

개인용 컴퓨터, 휴대용 전송 장치 그 밖의 개인 전용 정보처리장치 등은 키보드, 마우스, 디지타이저(Digitizer) 등의 다양한 입력장치(Input Device)를 이용하여 텍스트 및 그래픽 처리 등을 수행한다. 이러한 입력장치들은 PC의 용도 확대에 따라 인터페이스로서의 입력장치로서 키보드 및 마우스만으로는 제품 대응이 어렵고 보다 간단하고 오조작이 적으면서 누구라도 입력할 수 있고 또 휴대하면서 손으로 문자입력도 가능한 필요성에 의해 발전했다. 현재는 이러한 입력장치의 일반적 기능과 관련된 필요성을 충족시키는 수준을 넘어 고 신뢰성, 새로운 기능의 제공, 내구성 등에 대한 많은 연구가 진행되고 있다.

특히 간단하고 오조작이 적으며, 휴대하면서 누구라도 입력이 가능하고, 다른 입력기기 없이 문자입력도 가능한 입력 장치로서 터치스크린 패널(Touch Screen Panel)이 알려져 있으며, 그에 따른 검출방식, 구조 및 성능 등에 있어서도 자세히 알려져 있다. 터치스크린 패널은 동작 방식에 따라 저항막(Resistive) 방식, 정전용량(Capacitive ) 방식, 초음파 방식, 광(적외선)센서 방식, 전자유도 방식 등이 있으며, 각각의 방식에 따라 신호 증폭의 문제나 해상도 차이, 설계 및 가공 기술의 난이도 차이 등이 다르게 나타나는 특징이 있어 장점을 잘 살릴수 있게 구분하여 그 방식을 선택한다. 선택 기준은 광학적특성, 전기적특성, 기계적특성, 내환경특성, 입력특성등 외에 내구성과 경제성 등도 고려된다.

최근에는 터치 위치를 정확하게 감지할 수 있는 정전용량 방식의 터치스크린 패널이 널리 사용되고 있는데, 도 1은 통상의 정전용량 방식의 터치스크린 패널을 도시하고 있다.

도 1을 참고로 살펴보면, 터치스크린 패널은 가운데 부분에 활성 영역(AR, Active Region)이 위치하고 있으며, 활성 영역(AR)의 외곽 둘레를 따라 비활성 영역(NAR, Non Active Region)이 위치하고 있다. 여기서 활성 영역(AR)에는 터치스크린 패널 중 사용자 신체 접촉 또는 스타일러스 펜 등을 이용하여 접촉 위치를 감지하기 위한 투명전극 패턴이 형성되어 있으며, 비활성 영역(NAR)에는 투명전극 패턴에서 감지한 접촉 위치에 대한 신호를 제어칩(미도시)으로 전달하기 위한 금속 배선이 형성되어 있다.

통상적으로 투명전극 패턴은 투명전극 소재를 이용하여 형성되는데, 투명전극 소재로는 얇은 막 형태로 제조된 투명 전도성 산화물(transparent conducting oxide: TCO)이 대표적이다. 투명 전도성 산화물은 가시광선 영역에서의 높은 광학적 투과도(85% 이상)와 낮은 비저항(1×10^-3Ω·cm)을 동시에 갖는 산화물계의 축퇴된(degenerate) 반도체 전극을 총칭하는 것으로, 면저항 크기에 따라 정전기 방지막, 전자파 차폐 등의 기능성 박막과 터치 스크린 패널, 평판 디스플레이, 태양전지, 투명 트랜지스터, 플렉시블 광전소자, 투명 광전소자 등의 핵심 전극 재료로 사용되고 있다. 현재, 투명 산화물 전극으로 인듐 산화물에 10wt%의 주석산화물이 도핑된 산화인듐주석(ITO, indium-tin oxide)가 대표적으로 사용되고 있으며, 인듐이 고갈되어 가면서 산화인듐주석을 대체하는 물질로 그래핀, 금속 나노와이어 등이 개발되어 사용되고 있다.

그러나 비활성 영역(NAR)의 면적이 클수록 활성 영역(AR), 즉 접촉 위치의 유효감지면적이 감소하게 되며, 따라서 터치스크린 패널(100)에서 활성 영역(AR)을 최대한 늘리고 비활성 영역(NAR)을 최소화 하는 것이 바람직하다.

따라서 배선의 폭을 줄이면서 정교하게 형성하기 위한 다양한 방식이 사용되고 있는데, 스크린 인쇄방식으로 배선을 형성하는 경우 배선의 제조 공정은 간단하지만 구현할 수 있는 미세 선폭에 한계가 있다.

통상적으로 포토리소그래피(Photo-lithography) 공정을 이용하여 정교한 미세 선폭을 구현하여 터치스크린 패널을 제조한다. 도 2를 참고로 메탈온아이티오(Metal On ITO) 기판을 이용하여 포토리소그래피 공정으로 터치스크린 패널을 제조하는 공정을 보다 구체적으로 살펴보면, 메탈온아이티오 기판은 투명 윈도우 기판(10) 상면에 산화인듐주석층(20)이 형성되어 있으며, 산화인듐주석층(20)의 상면에 금속층(30)이 형성되어 있는 기판을 의미한다.

먼저, 도 2(a)를 참고로 살펴보면 금속층(30)의 상면에 포토레지스트(PR)를 코팅한 후 비활성 영역(NAR)에 형성할 배선에 상응하는 배선 마스크(M1)를 이용하여 포토레지스트를 노광 및 현상한 후, 금속층(30)을 에칭용액(etchant)을 이용하여 에칭하여 배선(31)을 형성한다.

다음으로 도 2(b)를 참고로 살펴보면 산화인듐주석층(20)의 상면에 포토레지스트를 코팅한 후, 활성 영역(AR)에 형성할 투명전극 패턴에 상응하는 투명전극 마스크(M2)를 이용하여 포토레지스트를 노광 및 현상한다. 도 2(b)에서 생성된 터치스크린 패널을 에칭용액에 일정 시간 담가두어 산화인듐주석층(20)을 에칭함으로써, 배선(31)과 투명전극 패턴(21)이 형성된 도 2(c)에 도시된 터치스크린 패널을 제조한다.

종래 스크린 인쇄방식을 이용하여 터치스크린 패널을 제조하는 경우 구현할 수 있는 배선의 미세 폭에 한계가 있으며, 포토리소그래피 공정을 이용하여 터치스크린 패널을 제조하는 경우 투명전극 패턴과 배선을 형성할 때마다 각각 상이한 마스크를 사용하여 금속층 및 산화인듐주석층을 에칭하여야 하므로 공정이 복잡해지는 단점을 가진다. 더욱이 금속층 또는 산화인듐주석층을 에칭하기 위해 강한 산성 계열의 에칭용액을 이용하여야 하는데, 에칭용액은 인체 및 환경에 유해하므로, 이를 이용하기 위해서는 폐수처리 시설을 필수적으로 갖춰야 했으며, 이는 생산비용의 증가로 이어졌다.

본 발명은 위에서 언급한 종래 터치스크린 패널의 제조 방법이 가지는 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 목적은 에칭 공정없이 배선과 투명전극 패턴을 형성할 수 있는 터치스크린 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명이 이루고자 하는 다른 목적은 1개의 마스크만을 사용하여 배선과 투명전극 패턴을 동시에 형성할 수 있는 터치스크린 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조 방법은 투명 윈도우의 상면에 감광성 금속 나노와이어층을 도포하는 단계와, 투명 윈도우의 가장자리 둘레를 따라 감광성 금속 나노와이어층의 상면에 감광성 금속 페이스트층을 도포하는 단계와, 감광성 금속 페이스트층에 형성될 배선과 감광선 금속 나노와이어층에 형성될 투명전극 패턴이 모두 형성되어 있는 일체 포토마스크를 통해 감광성 금속 나노와이어층과 감광성 금속 페이스트층을 동시에 노광하고 현상하여 투명전극 패턴과 배선을 형성하는 단계와, 투명전극 패턴과 배선을 형성하는 감광성 금속 나노와이어층 또는 감광성 금속 페이스트층에 열을 가하거나 또는 자외선을 조사하여 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

여기서 감광성 금속 나노와이어층을 도포하는 단계는 투명 윈도우의 상면에 절연성의 감광재로 이루어진 감광층을 도포하는 단계와, 감광층의 상면에 금속 나노와이어와 감광재가 혼합되어 있는 혼합층을 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

한편, 투명전극 패턴과 배선을 형성하는 단계는 감광성 금속 페이스트층에 형성될 배선과 감광선 금속 나노와이어층에 형성될 투명전극 패턴이 모두 형성되어 있는 일체 포토마스크를 통해 감광성 금속 나노와이어층과 감광성 금속 페이스트층을 동시에 노광하는 단계와 현상용액에서 노광되지 않은 감광성 금속 나노와이어층과 감광성 금속 페이스트층을 제거하여 투명전극 패턴과 배선을 형성하는 단계를 포함하며, 현상용액의 온도, 시간 또는 농도를 제어하여 제거되는 금속 나노와이어층의 감광층 두께를 조절하는 것을 특징으로 한다.

바람직하게 금속 나노와이어층의 혼합층은 제거되고 금속 나노와이어층의 감광층은 전부 또는 일부가 남도록 상기 현상용액의 온도, 시간 또는 농도를 제어하는 것을 특징으로 한다.

바람직하게, 금속 나노와이어는 은 나노와이어이며, 금속 페이스트층은 구상형의 은 페이스트로 이루어진 것을 특징으로 한다.

본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 터치스크린 패널은 투명 윈도우와, 투명 윈도우의 상면에 배치되며 터치 영역에서의 터치 위치를 감지하는 투명전극 패턴을 형성하는 감광성 금속 나노와이어층과, 감광성 금속 나노와이어층의 상면 중 터치 영역의 둘레를 따라 투명전극 패턴의 터치 신호를 전달하는 배선을 형성하는 감광성 금속 페이스트층을 포함하는 것을 특징으로 한다.

금속 나노와이어층은 투명 윈도우의 상면에 배치되는, 절연성의 감광재로 이루어진 감광층과, 감광층의 상면에 배치되며 금속 나노와이어와 감광재가 혼합되어 있는 혼합층을 포함하며, 감광층은 투명 윈도우 상면에 균일하게 형성되어 있으며, 혼합층은 투명전극 패턴과 배선에 상응하도록 감광층의 상면에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조 방법은 종래 터치스크린 패널의 제조 방법과 비교하여 다음과 같은 다양한 효과를 가진다.

첫째, 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조 방법은 1개의 마스크만을 이용하여 배선과 투명전극 패턴을 동시에 형성함으로써, 간단한 제조 공정으로 터치스크린 패널을 제조할 수 있다.

둘째, 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조 방법은 투명전극 패턴과 배선을 1개의 마스크로 노광 및 현상하여 형성함으로써, 에칭 공정이 필요하지 않으며 따라서 공정이 간단하고 에칭 용액으로 인해 환경 피해와 제조 비용의 상승을 막을 수 있다.

셋째, 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조 방법은 투명전극 패턴이 형성되는 부분과 투명전극 패턴의 주변 부분을 투명전극 패턴과 동일한 재질로 형성함으로써, 투명전극 패턴과 주변 부분의 반사도 차이로 인해 투명전극 패턴이 시인되는 것을 방지할 수 있다.

도 1은 종래 정전용량 방식의 터치스크린 패널을 도시하고 있다.
도 2는 종래 포토리소그래피 공정으로 터치스크린 패널의 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 단면도를 도시하고 있다.
도 4는 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 터치스크린 패널에서 투명전극 패턴을 확대하여 도시한 단면도이다.

이하 첨부한 도면을 참고로 본 발명에 따른 터치스크린 패널 및 그 제조 방법에 대해 보다 구체적으로 설명한다.

도 3은 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 단면도를 도시하고 있다.

도 3을 참고로 보다 구체적으로 살펴보면, 투명 윈도우(10)의 상면에 감광성 금속 나노와이어층(100)이 형성되어 있으며, 감광성 금속 나노와이어층(100)의 상면에 감광성 금속 페이스트층(200)이 형성되어 있다.

투명 윈도우(10)는 투명성을 가지며 전도성이 없는 기판으로 유리, PET(polyethylene terephthalate), PE(Polyethylene), PC(Polycarbonate) 등이 사용될 수 있다.

감광성 금속 나노와이어층(100)은 투명 윈도우(10)의 상면에 형성되어 있는 감광층(110)과 감광층의 상면에 형성되어 있는 혼합층(120)으로 이루어진다. 여기서 감광층(110)은 포토 레지스트라고도 언급되는 감광재로서, 광에 노출되는 경우 내성이 변하는 고분자 재료이다. 감광층(110)은 본 발명이 속하는 기술분야에서 널리 사용되는 재료로 이하에서는 자세한 설명은 생략한다. 감광층(110)은 투명 윈도우(10)의 상면 전체에 균일한 두께로 형성되거나 터치 위치를 감지하는 활성 영역에 균일한 두께로 형성되어 있다.

감광층(110)의 상면에 형성되어 있는 혼합층(120)을 보다 구체적으로 살펴보면, 혼합층(120)은 금속 나노와이어(121)와 감광재(123)가 혼합되어 이루어진다. 여기서 혼합층(120)는 활성 영역에서 터치 위치를 감지하는 투명전극 패턴에 상응하도록 형성되는데, 혼합층(120)의 금속 나노와이어(121)는 서로 전기적으로 연결되어 터치 위치를 감지하는 투명전극 패턴으로 동작한다. 한편 감광재(123)는 감광층(110)과 동일한 재질로 이루어져 감광재(123)와 감광층(110)이 광에 의해 경화시 감광재(123)는 금속 나노와이어(121)를 지지하며 금속 나노와이어(121)와 감광층(110)의 접착을 유지한다.

감광성 금속 나노와이어층(100)의 상면에 형성되는 감광성 금속 페이스트층(200)을 보다 구체적으로 살펴보면, 감광성 금속 페이스트층(200)은 투명 윈도우(10)의 활성 영역의 둘레, 특히 비활성 영역에서 투명전극 패턴의 터치 신호를 전달하는 배선을 형성하는데, 감광성 금속 페이스트는 금속 파우더, 글라스 파우더, 바인더, 모노머, 광개시제, 첨가제를 혼합하여 제조되는 것으로, 감광성 금속페이스트는 본 발명이 속하는 기술분야에서 널리 사용되고 있는 재료로 이하에서는 상세한 설명을 생략한다. 배선은 하단에 배선 패턴을 따라 형성되는 혼합층(120)의 금속 나노와이어(121)와 혼합층(120)의 상면에 형성되는 감광성 금속 페이스트 이중으로 형성되어 활성 영역의 투명전극 패턴을 통해 생성된 터치 신호를 제어칩(미도시)으로 노이즈없이 전달할 수 있다.

도 4는 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.

도 4(a)를 참고로 살펴보면, 투명 윈도우(10)의 상면에 감광성 금속 나노와이어층(100)을 도포한다. 즉, 감광층(110)을 도포하고, 감광층(110)의 상면에 감광성 금속 나노와이어와 광감재가 혼합되어 있는 혼합층(120)을 도포한다. 바람직하게, 금속 나노와어어는 전도성이 우수한 은 나노와이어가 사용된다. 감광층(110)을 도포 후, 소정의 온도로 감광층(110)을 가열하여 소프트베이킹(soft-baking)하고 혼합층(120)을 도포 후 다시 소정의 온도로 혼합층(120)을 가열하여 소프트베이킹할 수 있다.

도 4(b)를 참고로 살펴보면, 투명 윈도우(10)의 가장자리 둘레를 따라, 즉 비활성영역 중 배선이 형성되는 부분에 감광성 금속 나노와이어층(100)의 상면에 감광성 금속 페이스트층(200)을 도포한다. 바람직하게, 감광성 금속 페이스트층(200)은 감광성 금속 페이스트 용액을 이용하여 인쇄 방식으로 형성할 수 있으며, 감광성 금속 페이스트는 감광성 실버페이스트로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

도 4(c)를 참고로 살펴보면, 감광성 금속 페이스트층(200)에 형성할 배선에 상응하는 배선 포토마스크(M3)와 감광성 금속 나노와이어층(100)에 형성할 투명전극 패턴에 상응하는 투명전극 포토마스크(M4)가 통합되어 있는 일체 포토마스크를 이용하여 감광성 금속 페이스트층(200)과 감광성 금속 나노와이어층(100)에 광, 예를 들어 자외선을 조사하여 노광시킨다.

도 4(d)를 참고로 살펴보면, 도 4(c)에서 설명한 노광한 터치스크린 패널을 현상하여 감광성 금속 페이스트층(200)과 감광성 금속 나노와이어층(100)에서 노광에 의해 경화된 부분을 제외한 경화되지 않은 부분을 제거하여 본 발명에 따른 투명전극 패턴과 배선을 동시에 형성한다. 여기서 경화되지 않은 감광성 금속 나노와이어층(100)의 혼합층(120)은 모두 제거되고 감광층(110)은 제거되지 않거나 일부만 제거되도록 현상하는데, 현상용액의 온도, 현상용액의 농도 또는 현상시간을 제어하여 감광층(110)의 두께를 제어한다.

다음으로 투명전극 패턴 또는 배선에 소정의 열을 가하거나 또는 자외선을 조사하여 투명전극 패턴 또는 배선을 구성하는 감광성 금속 페이스트(200) 또는 감광성 금속 나노와이어층(100)을 하드베이킹(hard-baking)한다.

따라서 본 발명에 따른 터치스크린 패널의 제조 방법은 1개의 포토마스크만을 이용하여 배선과 투명전극 패턴을 동시에 형성함으로써 배선 또는 투명전극 패턴을 형성하는 공정마다 개별적인 포토마스크를 사용하지 않아도 되어 간단한 제조 공정으로 터치스크린 패널을 제조할 수 있다. 또한, 투명전극 패턴과 배선을 1개의 포토마스크로 노광 및 현상하여 형성함으로써, 에칭 공정이 필요하지 않아 공정이 간단하고 에칭 용액으로 인해 환경 피해와 제조 비용의 상승을 막을 수 있다.

도 5는 본 발명에 따른 터치스크린 패널에서 투명전극 패턴을 확대하여 도시한 단면도이다.

도 5를 참고로 살펴보면, 투명 윈도우(10)의 상면에 전체적으로 감광층(110)이 형성되며, 투명전극 패턴에 상응하도록 감광층(110)과 동일한 재질의 감광재(121)와 금속 나노와이어(121)로 이루어진 혼합층(120)이 형성됨으로써, 감광층(110)에서의 가시광선 반사도(R1)과 투명전극 패턴에서 가시광선의 반사도(R2)가 서로 동일하여 사용자가 투명전극 패턴을 시인하지 못하도록 한다.

또한, 투명 윈도우(10)의 상면에 균일한 두께로 감광층(110)을 도포하고 감광층(110)과 감광재(123)을 동시에 경화시킴으로써, 감광층(110)과 감광재(123)는 금속 나노와이어(121)을 견고하게 지지할 수 있다.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

10: 투명 윈도우 100: 감광성 금속 나노와이어층
200: 감광성 금속 페이스트층 110: 감광층
120: 혼합층 121: 금속 나노와이어
123: 감광재

Claims (10)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 투명 윈도우의 상면에 감광성 금속 나노와이어층을 도포하는 단계;
   상기 투명 윈도우의 가장자리 둘레를 따라 상기 감광성 금속 나노와이어층의 상면에 감광성 금속 페이스트층을 도포하는 단계;
   상기 감광성 금속 페이스트층에 형성될 배선과 상기 감광선 금속 나노와이어층에 형성될 투명전극 패턴이 모두 형성되어 있는 일체 포토마스크를 통해 상기 감광성 금속 나노와이어층과 상기 감광성 금속 페이스트층을 동시에 노광하고 현상하여 투명전극 패턴과 배선을 형성하는 단계; 및
   상기 투명전극 패턴과 배선을 형성하는 감광성 금속 나노와이어층 또는 감광성 금속 페이스트층에 열을 가하거나 또는 자외선을 조사하여 경화시키는 단계를 포함하고,
   상기 감광성 금속 나노와이어층을 도포하는 단계는
   상기 투명 윈도우의 상면에 절연성의 감광재로 이루어진 감광층을 도포하는 단계; 및
   상기 감광층의 상면에 금속 나노와이어와 감광재가 혼합되어 있는 혼합층을 도포하는 단계를 포함하며,
   상기 감광층에 함유된 감광재와 상기 혼합층에 함유된 감광재는 동일한 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조 방법.
7. 제 6 항에 있어서, 상기 투명전극 패턴과 배선을 형성하는 단계는
   상기 감광성 금속 페이스트층에 형성될 배선과 상기 감광선 금속 나노와이어층에 형성될 투명전극 패턴이 모두 형성되어 있는 일체 포토마스크를 통해 상기 감광성 금속 나노와이어층과 상기 감광성 금속 페이스트층을 동시에 노광하는 단계; 및
   현상용액에서 노광되지 않은 상기 감광성 금속 나노와이어층과 상기 감광성 금속 페이스트층을 제거하여 투명전극 패턴과 배선을 형성하는 단계를 포함하며,
   상기 현상용액의 온도, 시간 또는 농도를 제어하여 제거되는 상기 금속 나노와이어층의 감광층 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조 방법.
8. 제 7 항에 있어서, 상기 금속 나노와이어층의 혼합층은 제거되고 상기 금속 나노와이어층의 감광층은 전부 또는 일부가 남도록 상기 현상용액의 온도, 시간 또는 농도를 제어하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조 방법.
9. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 금속 나노와이어는 은 나노와이어인 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조 방법.
10. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속 페이스트층은 구상형의 은 페이스트로 이루어진 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조 방법.

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