KR20140143645A - 터치 센서 패널 및 그 제조 방법 - Google Patents

터치 센서 패널 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

터치 센서 패널의 제조 방법은, 기판 상에 제1 투명 전도층을 형성하고, 상기 제1 투명 전도층 상에 제1 전도층을 형성하는 단계, 제1 마스크를 이용하여 상기 제1 리드선, 상기 제1 패드 및 상기 복수의 연결 전극 영역에는 제1 레지스트막 패턴을 형성하고, 상기 복수의 제1 센서 전극 영역에는 상기 제1 레지스트막 패턴보다 두께가 얇은 제2 레지스터막 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 레지스트막 패턴 및 상기 제2 레지스트막 패턴을 이용하여 상기 제1 투명 전도층 및 상기 제1 전도층을 식각하는 단계, 상기 기판 상부 전체에 절연층을 형성하고, 상기 절연층 상에 제2 투명 전도층을 형성하고, 상기 제2 투명 전도층 상에 제2 전도층을 형성하는 단계, 제2 마스크를 이용하여 상기 복수의 연결 전극, 상기 제2 리드선 및 상기 제2 패드 영역에는 제3 레지스트막 패턴을 형성하고, 상기 복수의 제2 센서 전극 영역에는 상기 제3 레지스트막 패턴보다 두께가 얇은 제4 레지스터막 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제3 레지스트막 패턴 및 상기 제4 레지스터막 패턴을 이용하여 상기 절연층, 상기 제2 투명 전도층 및 상기 제2 전도층을 식각하는 단계를 포함한다.

Description

터치 센서 패널 및 그 제조 방법{TOUCH SENSOR PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 터치 센서 패널 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 정전용량 방식의 터치 센서 패널 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
터치 센서 패널은 사용자의 접촉 위치를 인지하여 사용자의 명령을 입력하는 입력 장치이다. 터치 센서 패널은 표시 장치의 전면에 구비되어, 손이나 물체가 접촉하는 위치를 파악하여 입력 신호를 판단한다. 터치 센서 패널의 구현 방식으로는 저항막 방식, 정전용량 방식, 적외선 방식, 초음파 방식 등이 있다. 일반적으로 저항막 방식과 정전용량 방식이 주로 사용되고 있다. 특히, 미세 전극 패턴을 형성하고 두께를 슬림화하는 구조에서 정전용량 방식이 선호되고 있다.
일반적으로 정전용량 방식의 터치 센서 패널의 제조 공정에서 4매의 마스크가 사용되고 있는데, 원가 절감의 차원에서 공정의 단축이 절실히 요구되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 정전용량 방식의 터치 센서 패널의 제조 공정에서 사용되는 마스크의 수를 줄이고 제조 공정을 단축할 수 있는 터치 센서 패널 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 제1 센서 전극을 제1 방향으로 연결하고 복수의 제2 센서 전극을 제2 방향으로 연결하는 복수의 연결 전극, 상기 복수의 제1 센서 전극을 제1 패드에 연결하는 제1 리드선 및 상기 복수의 제2 센서 전극을 제2 패드에 연결하는 제2 리드선을 포함하는 터치 센서 패널의 제조 방법은, 기판 상에 제1 투명 전도층을 형성하고, 상기 제1 투명 전도층 상에 제1 전도층을 형성하는 단계, 제1 마스크를 이용하여 상기 제1 리드선, 상기 제1 패드 및 상기 복수의 연결 전극 영역에는 제1 레지스트막 패턴을 형성하고, 상기 복수의 제1 센서 전극 영역에는 상기 제1 레지스트막 패턴보다 두께가 얇은 제2 레지스터막 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 레지스트막 패턴 및 상기 제2 레지스트막 패턴을 이용하여 상기 제1 투명 전도층 및 상기 제1 전도층을 식각하는 단계, 상기 기판 상부 전체에 절연층을 형성하고, 상기 절연층 상에 제2 투명 전도층을 형성하고, 상기 제2 투명 전도층 상에 제2 전도층을 형성하는 단계, 제2 마스크를 이용하여 상기 복수의 연결 전극, 상기 제2 리드선 및 상기 제2 패드 영역에는 제3 레지스트막 패턴을 형성하고, 상기 복수의 제2 센서 전극 영역에는 상기 제3 레지스트막 패턴보다 두께가 얇은 제4 레지스터막 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제3 레지스트막 패턴 및 상기 제4 레지스터막 패턴을 이용하여 상기 절연층, 상기 제2 투명 전도층 및 상기 제2 전도층을 식각하는 단계를 포함한다.
상기 제1 레지스트막 패턴 및 상기 제2 레지스트막 패턴을 이용하여 상기 제1 투명 전도층 및 상기 제1 전도층을 식각하는 단계는, 제1 식각 공정을 통하여 상기 제1 레지스트막 패턴 및 상기 제2 레지스트막 패턴이 형성된 영역 이외의 영역에서 상기 제1 투명 전도층 및 상기 제1 전도층을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 레지스트막 패턴 및 상기 제2 레지스트막 패턴을 이용하여 상기 제1 투명 전도층 및 상기 제1 전도층을 식각하는 단계는, 상기 제1 식각 공정 후, 제1 애싱 공정을 통하여 상기 제1 레지스트막 패턴은 남기고 상기 제2 레지스트막 패턴을 제거하는 단계, 제2 식각 공정을 통하여 상기 복수의 제1 센서 전극 영역의 제1 전도층을 식각하는 단계, 및 상기 제1 레지스트막 패턴을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제3 레지스트막 패턴 및 상기 제4 레지스터막 패턴을 이용하여 상기 절연층, 상기 제2 투명 전도층 및 상기 제2 전도층을 식각하는 단계는, 제3 식각 공정을 통하여 상기 제3 레지스트막 패턴 및 상기 제4 레지스터막 패턴이 형성된 영역 이외의 영역에서 상기 제2 투명 전도층 및 상기 제2 전도층을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제3 레지스트막 패턴 및 상기 제4 레지스터막 패턴을 이용하여 상기 절연층, 상기 제2 투명 전도층 및 상기 제2 전도층을 식각하는 단계는, 상기 제3 식각 공정 후, 제2 애싱 공정을 통하여 상기 제3 레지스트막 패턴은 남기고 상기 제4 레지스트막 패턴을 제거하는 단계, 및 제4 식각 공정을 통하여 상기 복수의 제2 센서 전극 영역의 제2 전도층을 식각하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제3 레지스트막 패턴 및 상기 제4 레지스터막 패턴을 이용하여 상기 절연층, 상기 제2 투명 전도층 및 상기 제2 전도층을 식각하는 단계는, 제5 식각 공정을 통하여 상기 복수의 제2 센서 전극, 상기 복수의 연결 전극, 상기 제2 리드선 및 상기 제2 패드 영역 이외의 영역에서 노출된 절연층을 식각하는 단계, 및 상기 제3 레지스트막 패턴을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 마스크는 상기 제1 리드선, 상기 제1 패드 및 상기 복수의 연결 전극 영역에 형성된 차광부, 및 상기 제1 센서 전극 영역에 형성된 반투과부를 포함할 수 있다.
상기 제2 마스크는 상기 복수의 연결 전극, 상기 제2 리드선 및 상기 제2 패드 영역에 형성된 차광부, 및 상기 복수의 제2 센서 전극 영역에 형성된 반투과부를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 센서 패널은 복수의 제1 센서 전극, 복수의 제2 센서 전극, 상기 복수의 제1 센서 전극을 제1 방향으로 연결하고, 상기 복수의 제2 센서 전극을 제2 방향으로 연결하는 복수의 연결 전극, 상기 복수의 제1 센서 전극을 제1 패드에 연결하는 제1 리드선, 및 상기 복수의 제2 센서 전극을 제2 패드에 연결하는 제2 리드선을 포함하고, 상기 복수의 제1 센서 전극 각각은 기판 상에 형성된 제1 투명 전도층을 포함하고, 상기 복수의 제2 센서 전극 각각은 상기 기판 상에 형성된 절연층 및 상기 절연층 상에 형성된 제2 투명 전도층을 포함한다.
상기 제1 리드선 및 상기 제1 패드는, 상기 기판 상에 형성된 상기 제1 투명 전도층, 및 상기 제1 투명 전도층 상에 형성된 제1 전도층을 포함할 수 있다.
상기 복수의 연결 전극은, 상기 기판 상에 형성된 상기 제1 투명 전도층, 상기 제1 투명 전도층 상에 형성된 상기 제1 전도층, 상기 제1 전도층 상에 형성된 절연층, 상기 절연층 상에 형성된 상기 제2 투명 전도층, 및 상기 제2 투명 전도층 상에 형성된 제2 전도층을 포함할 수 있다.
상기 제2 리드선 및 상기 제2 패드는, 상기 기판 상에 형성된 상기 절연층, 상기 절연층 상에 형성된 상기 제2 투명 전도층, 및 상기 제2 투명 전도층 상에 형성된 상기 제2 전도층을 포함할 수 있다.
상기 제1 투명 전도층 및 상기 제2 투명 전도층은 인듐-주석 산화물 및 인듐-아연 산화물 중 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 제1 전도층 및 상기 제2 전도층 중 적어도 어느 하나는 금속 물질로 이루어질 수 있다.
터치 센서 패널의 제조 공정에서 사용되는 마스크의 수를 줄이고 제조 공정을 단축할 수 있으며, 터치 센서 패널의 생산 원가를 절감할 수 있다.
특히, 터치 센서 패널의 절연층을 위한 별도의 마스크를 사용하지 않고 터치 센서 패널의 제조 공정을 수행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 패널을 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 패널을 나타내는 단면도이다.
도 3 내지 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 패널의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1 실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 패널을 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 터치 센서 패널은 터치 신호를 감지하기 위한 복수의 센서 전극(20x, 20y)을 포함한다.
복수의 센서 전극(20x, 20y)은 X축 방향 및 Y축 방향으로 형성된다. 이때, 복수의 센서 전극(20x, 20y)은 Y 좌표가 동일한 제1 센서 전극(20x) 및 X 좌표가 동일한 제2 센서 전극(20y)로 구성될 수 있다. 복수의 센서 전극(20x, 20y) 각각은 마름모 구조일 수 있고, 일변이 서로 평행하게 배열될 수 있다.
복수의 센서 전극(20x, 20y)은 복수의 연결 전극(21x, 21y)에 의하여 X축 방향 및 Y축 방향으로만 연결된다. 즉, 복수의 제1 센서 전극(20x)은 제1 연결 전극(21x)에 의하여 X축 방향으로 연결되고, 복수의 제2 센서 전극(20y)은 제2 연결 전극(21y)에 의하여 Y축 방향으로 연결될 수 있다. X축 방향과 Y축 방향은 서로 수직일 수 있다. 제1 연결 전극(21x)과 제2 연결 전극(21y)은 서로 교차하고 있으나, 서로 절연되어 있다.
복수의 제1 센서 전극(20x)은 적어도 하나의 제1 리드선(22x)을 통해 적어도 하나의 제1 패드(23x)에 연결되고, 복수의 제2 센서 전극(20y)은 적어도 하나의 제2 리드선(22y)을 통해 적어도 하나의 제2 패드(23y)에 연결된다.
복수의 제1 패드(23x) 및 복수의 제2 패드(23y)는 제어부(미도시)에 연결되고, 제어부는 복수의 센서 전극(20x, 20y)에 축적되는 전하의 미세한 변화를 감지하여 접촉 위치의 좌표를 검출한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 패널을 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 도 1에서 I-I'선을 따라 제1 리드선(22x) 및 제1 패드(23x)의 단면을 나타내고, II-II'선을 따라 제1 센서 전극(20x) 및 제2 센서 전극(20y)의 단면을 나타내고, III-III'선을 따라 제1 연결 전극(21x) 및 제2 연결 전극(21y)을 포함하는 연결 전극(21x, 21y)의 단면을 나타내고, IV-IV'선을 따라 제2 리드선(22y) 및 제2 패드(23y)의 단면을 나타낸다.
제1 리드선(22x) 및 제1 패드(23x)는 기판(100) 상에 형성된 제1 투명 전도층(101), 제1 투명 전도층(101) 상에 형성된 제1 전도층(102)으로 구성된다. 기판(100)은 유리, 플라스틱 등과 같은 재료로 투명하게 만들어질 수 있다. 제1 투명 전도층(101)은 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 전기 전도성의 투명한 물질로 이루어질 수 있다. 제1 전도층(102)은 전기 전도성이 우수한 금속 물질로 이루어질 수 있다. 전기 전도성이 우수한 금속 물질에는 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 등이 있다. 제1 리드선(22x) 및 제1 패드(23x)가 터치 센서 패널의 가장자리의 불투명한 영역에 형성되는 경우, 제1 전도층(102)은 반드시 투명한 물질로 이루어질 필요가 없으며, 불투명한 금속 물질로 이루어져도 상관이 없다.
제1 센서 전극(20x)은 기판(100) 상에 형성된 제1 투명 전도층(101)으로 구성된다. 제2 센서 전극(20y)은 기판(100) 상에 형성된 절연층(104), 절연층(104) 상에 형성된 제2 투명 전도층(105)으로 구성된다. 절연층(104)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 제2 투명 전도층(105)은 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 전기 전도성의 투명한 물질로 이루어질 수 있다.
연결 전극(21x, 21y)은 기판(100) 상에 형성된 제1 투명 전도층(101), 제1 투명 전도층(101) 상에 형성된 제1 전도층(102), 제1 전도층(102) 상에 형성된 절연층(104), 절연층(104) 상에 형성된 제2 투명 전도층(105), 제2 투명 전도층(105) 상에 형성된 제2 전도층(106)으로 구성된다. 제2 전도층(106)은 전기 전도성이 우수한 금속 물질로 이루어질 수 있다. 제2 전도층(106)은 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 전기 전도성의 투명한 물질로 이루어질 수도 있다.
제2 리드선(22y) 및 제2 패드(23y)는 기판(100) 상에 형성된 절연층(104), 절연층(104) 상에 형성된 제2 투명 전도층(105), 제2 투명 전도층(105) 상에 형성된 제2 전도층(106)으로 구성된다.
이하, 도 3 내지 15를 참조하여 제안하는 터치 센서 패널의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 3 내지 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 패널의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 유리, 플라스틱 등으로 이루어진 기판(100) 위에 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 전기 전도성의 투명한 물질로 이루어진 제1 투명 전도층(101)이 형성된다. 제1 투명 전도층(101)은 PVD(Physical Vapor Deposition), CVD(Chemical Vapor Deposition) 등의 증착 방식으로 기판(100) 상에 형성될 수 있다.
제1 투명 전도층(101) 위에 금속 물질로 이루어진 제1 전도층(102)이 형성된다. 제1 전도층(102)은 PVD, CVD 등의 증착 방식으로 제1 투명 전도층(101) 상에 형성될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제1 하프톤 포토마스크(halftone photomask) 또는 슬릿 마스크(slit mask)를 이용하여 제1 리드선(22x), 제1 패드(23x), 제1 센서 전극(20x), 연결 전극(21x, 21y) 영역에 레지스트막(103)을 형성한다. 이하, 레지스트막(103)은 양성형 레지스트막인 것으로 가정한다.
이때, 제1 하프톤 포토마스크 또는 슬릿 마스크는 제1 리드선(22x), 제1 패드(23x) 및 연결 전극(21x, 21y)의 영역에 형성된 차광부, 제1 센서 전극(20x) 영역에 형성된 반투과부, 및 이외의 영역에 형성된 투과부를 포함한다. 이러한 제1 하프톤 포토마스크 또는 슬릿 마스크를 사용하여 노광 및 현상을 수행하면, 투과부에 해당하는 영역의 레지스트막은 완전히 노광되어 현상 후 완전히 제거되고, 차광부에 해당하는 영역의 레지스트막은 노광되지 않기 때문에 거의 대부분이 그대로 남아 제1 레지스트막 패턴이 형성되고, 반투과부에 해당하는 영역의 레지스트막은 일부분만 노광되어 두께의 일부분이 잔류하는 제2 레지스트막 패턴이 형성된다.
즉, 제1 리드선(22x), 제1 패드(23x) 및 연결 전극(21x, 21y) 영역에는 온전한 제1 레지스트막 패턴이 형성되고, 제1 센서 전극(20x) 영역에는 제1 레지스트막 패턴보다 두께가 얇은 제2 레지스트막 패턴이 형성된다.
도 5에 도시한 바와 같이, 제1 식각 공정을 통하여 제1 레지스트막 패턴 및 제2 레지스트막 패턴이 형성된 영역 이외의 영역에서 제1 투명 전도층(101) 및 제1 전도층(102)이 식각(etching)된다. 즉, 제1 하프톤 포토마스크 또는 슬릿 마스크의 투과부에 해당하는 영역의 제1 투명 전도층(101) 및 제1 전도층(102)이 식각된다.
도 6에 도시한 바와 같이, 제1 식각 공정 후에 제1 애싱(ashing) 공정을 통하여 레지스트막 패턴의 두께 일부분을 적절히 제거하면, 제2 레지스트막 패턴은 두께가 얇기 때문에 제거되고, 제2 레지스트막 패턴이 형성되어 있던 영역의 하부층이 새롭게 노출된다. 즉, 제1 리드선(22x), 제1 패드(23x) 및 연결 전극(21x, 21y) 영역의 제1 레지스트막 패턴은 애싱 공정 후에도 남아 있는 반면, 제1 센서 전극(20x) 영역의 제2 레지스트막 패턴은 애싱 공정 후에 제거되고 제1 센서 전극(20x) 영역의 제1 전도층(102)이 노출된다.
도 7에 도시한 바와 같이, 금속을 식각하는 제2 식각 공정을 통하여 제1 센서 전극(20x) 영역의 제1 전도층(102)이 식각된다. 제1 리드선(22x), 제1 패드(23x) 및 연결 전극(21x, 21y) 영역에는 제1 레지스트막 패턴이 남아 있으므로, 제2 식각 공정에서 제1 리드선(22x), 제1 패드(23x) 및 연결 전극(21x, 21y) 영역은 그대로 남게 되고, 제1 센서 전극(20x) 영역의 제1 전도층(102)만이 식각될 수 있다.
도 8에 도시한 바와 같이, 제1 레지스트막 패턴이 제거된다. 이에 따라, 제1 리드선(22x) 및 제1 패드(23x) 영역에는 기판(100) 상에 형성된 제1 투명 전도층(101), 제1 투명 전도층(101) 상에 형성된 제1 전도층(102)이 남게 된다. 그리고 제1 센서 전극(20x) 영역에는 기판(100) 상에 형성된 제1 투명 전도층(101)이 남게 되고, 제2 센서 전극(20y) 영역에서는 기판(100) 상에 아무 물질도 남지 않게 된다. 그리고 연결 전극(21x, 21y) 영역에는 기판(100) 상에 형성된 제1 투명 전도층(101), 제1 투명 전도층(101) 상에 형성된 제1 전도층(102)이 남게 된다. 그리고 제2 리드선(22y) 및 제2 패드(23y) 영역에서는 기판(100) 상에 아무 물질도 남지 않게 된다.
도 9에 도시한 바와 같이, 제1 레지스트막 패턴이 제거된 기판(100) 상부 전체에 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어진 절연층(104)이 형성되고, 절연층(104) 상에 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등의 투명한 물질로 이루어진 제2 투명 전도층(105)이 형성되고, 제2 투명 전도층(105) 상에 제2 전도층(106)이 형성된다.
도 10에 도시한 바와 같이, 제2 하프톤 포토마스크 또는 슬릿 마스크를 이용하여 제2 센서 전극(20y), 연결 전극(21x, 21y), 제2 리드선(22y) 및 제2 패드(23y) 영역에 레지스트막(107)을 형성한다. 이하, 레지스트막(107)은 양성형 레지스트막인 것으로 가정한다.
이때, 제2 하프톤 포토마스크 또는 슬릿 마스크는 연결 전극(21x, 21y), 제2 리드선(22y) 및 제2 패드(23y) 영역에 형성된 차광부, 제2 센서 전극(20y) 영역에 형성된 반투과부, 및 이외의 영역에 형성된 투과부를 포함한다. 이러한 제2 하프톤 포토마스크 또는 슬릿 마스크를 사용하여 노광 및 현상을 수행하면, 투과부에 해당하는 영역의 레지스트막은 완전히 노광되어 현상 후 완전히 제거되고, 차광부에 해당하는 영역의 레지스트막은 노광되지 않기 때문에 거의 대부분이 그대로 남아 제3 레지스트막 패턴이 형성되고, 반투과부에 해당하는 영역의 레지스트막은 일부분만 노광되어 두께의 일부분이 잔류하는 제4 레지스트막 패턴이 형성된다.
즉, 연결 전극(21x, 21y), 제2 리드선(22y) 및 제2 패드(23y) 영역에는 온전한 제3 리지스트막 패턴이 형성되고, 제2 센서 전극(20y) 영역에는 두께가 얇은 제4 레지스트막 패턴이 형성된다.
도 11에 도시한 바와 같이, 제3 식각 공정을 통하여 제3 레지스트막 패턴 및 제4 레지스트막 패턴이 형성된 영역 이외의 영역에서 제2 투명 전도층(105) 및 제2 전도층(106)이 식각된다. 즉, 제2 하프톤 포토마스크 또는 슬릿 마스크의 투과부에 해당하는 영역의 제2 투명 전도층(105) 및 제2 전도층(106)이 식각된다.
도 12에 도시한 바와 같이, 제3 식각 공정 후에 제2 애싱 공정을 통하여 레지스트막 패턴의 두께 일부분을 적절히 제거하면, 제4 레지스트막 패턴은 두께가 얇기 때문에 제거되고, 제4 레지스트막 패턴이 형성되어 있던 영역의 하부층이 새롭게 노출된다. 즉, 연결 전극(21x, 21y), 제2 리드선(22y) 및 제2 패드(23y) 영역의 제3 레지스트막 패턴은 애싱 공정 후에도 남아 있는 반면, 제2 센서 전극(20y) 영역의 제4 레지스트막 패턴은 애싱 공정 후에 제거되고 제2 센서 전극(20y) 영역의 제2 전도층(106)이 노출된다.
도 13에 도시한 바와 같이, 금속을 식각하는 제4 식각 공정을 통하여 제2 센서 전극(20y) 영역의 제2 전도층(106)이 식각된다. 연결 전극(21x, 21y), 제2 리드선(22y) 및 제2 패드(23y) 영역에는 제3 레지스트막 패턴이 남아 있으므로, 제4 식각 공정에서 연결 전극(21x, 21y), 제2 리드선(22y) 및 제2 패드(23y) 영역은 그대로 남게 되고, 제2 센서 전극(20y) 영역의 제2 전도층(106)만이 식각될 수 있다.
제4 식각 공정 이후, 절연층(104)은 제2 센서 전극(20y), 연결 전극(21x, 21y), 제2 리드선(22y) 및 제2 패드(23y) 영역 이외의 영역에서 노출되어 있는 상태이다.
도 14에 도시한 바와 같이, 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질을 식각하는 제5 식각 공정을 통하여 제2 센서 전극(20y), 연결 전극(21x, 21y), 제2 리드선(22y) 및 제2 패드(23y) 영역 이외의 영역에서 노출되어 있는 절연층(104)이 식각된다.
이와 같이, 제2 하프톤 포토마스크 또는 슬릿 마스크를 이용하여 제2 센서 전극(20y), 연결 전극(21x, 21y), 제2 리드선(22y) 및 제2 패드(23y) 영역에 레지스트막(107)을 형성한 후 제3 식각 공정 및 제4 식각 공정을 통하여 절연층(104)을 제거할 수 있다. 따라서, 절연층(104)을 위한 별도의 마스크를 사용할 필요가 없게 된다.
도 15에 도시한 바와 같이, 제3 레지스트막 패턴이 제거된다. 이에 따라, 제1 리드선(22x) 및 제1 패드(23x) 영역에는 기판(100) 상에 형성된 제1 투명 전도층(101), 제1 투명 전도층(101) 상에 형성된 제1 전도층(102)이 남게 된다. 그리고 제1 센서 전극(20x) 영역에는 기판(100) 상에 형성된 제1 투명 전도층(101)이 남게 된다. 제2 센서 전극(20y) 영역에는 기판(100) 상에 형성된 절연층(104), 절연층(104) 상에 형성된 제2 투명 전도층(105)이 남게 된다. 그리고 연결 전극(21x, 21y) 영역에는 기판(100) 상에 형성된 제1 투명 전도층(101), 제1 투명 전도층(101) 상에 형성된 제1 전도층(102), 제1 전도층(102) 상에 형성된 절연층(104), 절연층(104) 상에 형성된 제2 투명 전도층(105) 및 제2 투명 전도층(105) 상에 형성된 제2 전도층(106)이 남게 된다. 그리고 제2 리드선(22y) 및 제2 패드(23y) 영역에는 기판(100) 상에 형성된 절연층(104), 절연층(104) 상에 형성된 제2 투명 전도층(105) 및 제2 투명 전도층(105) 상에 형성된 제2 전도층(106)이 남게 된다.
상술한 바와 같이, 2매의 하프톤 포트마스크 또는 슬릿 마스크를 사용하여 정전용량 방식의 터치 센서 패널을 제조할 수 있으며, 이에 따라 터치 센서 패널의 제조 공정을 단축할 수 있으며, 터치 센서 패널의 생산 원가를 절감할 수 있다.
지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
20x : 제1 센서 전극 100 : 기판
20y : 제2 센서 전극 101 : 제1 투명 전도층
21x : 제1 연결 전극 102 : 제1 전도층
21y : 제2 연결 전극 103, 107 : 레지스트막
22x : 제1 리드선 104 : 절연층
22y : 제2 리드선 105 : 제2 투명 전도층
23x : 제1 패드 106 : 제2 전도층
23y : 제2 패드

Claims (14)

  1. 복수의 제1 센서 전극을 제1 방향으로 연결하고 복수의 제2 센서 전극을 제2 방향으로 연결하는 복수의 연결 전극, 상기 복수의 제1 센서 전극을 제1 패드에 연결하는 제1 리드선 및 상기 복수의 제2 센서 전극을 제2 패드에 연결하는 제2 리드선을 포함하는 터치 센서 패널의 제조 방법에 있어서,
    기판 상에 제1 투명 전도층을 형성하고, 상기 제1 투명 전도층 상에 제1 전도층을 형성하는 단계;
    제1 마스크를 이용하여 상기 제1 리드선, 상기 제1 패드 및 상기 복수의 연결 전극 영역에는 제1 레지스트막 패턴을 형성하고, 상기 복수의 제1 센서 전극 영역에는 상기 제1 레지스트막 패턴보다 두께가 얇은 제2 레지스터막 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 레지스트막 패턴 및 상기 제2 레지스트막 패턴을 이용하여 상기 제1 투명 전도층 및 상기 제1 전도층을 식각하는 단계;
    상기 기판 상부 전체에 절연층을 형성하고, 상기 절연층 상에 제2 투명 전도층을 형성하고, 상기 제2 투명 전도층 상에 제2 전도층을 형성하는 단계;
    제2 마스크를 이용하여 상기 복수의 연결 전극, 상기 제2 리드선 및 상기 제2 패드 영역에는 제3 레지스트막 패턴을 형성하고, 상기 복수의 제2 센서 전극 영역에는 상기 제3 레지스트막 패턴보다 두께가 얇은 제4 레지스터막 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제3 레지스트막 패턴 및 상기 제4 레지스터막 패턴을 이용하여 상기 절연층, 상기 제2 투명 전도층 및 상기 제2 전도층을 식각하는 단계를 포함하는 터치 센서 패널의 제조 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 레지스트막 패턴 및 상기 제2 레지스트막 패턴을 이용하여 상기 제1 투명 전도층 및 상기 제1 전도층을 식각하는 단계는,
    제1 식각 공정을 통하여 상기 제1 레지스트막 패턴 및 상기 제2 레지스트막 패턴이 형성된 영역 이외의 영역에서 상기 제1 투명 전도층 및 상기 제1 전도층을 식각하는 단계를 포함하는 터치 센서 패널의 제조 방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 레지스트막 패턴 및 상기 제2 레지스트막 패턴을 이용하여 상기 제1 투명 전도층 및 상기 제1 전도층을 식각하는 단계는,
    상기 제1 식각 공정 후, 제1 애싱 공정을 통하여 상기 제1 레지스트막 패턴은 남기고 상기 제2 레지스트막 패턴을 제거하는 단계;
    제2 식각 공정을 통하여 상기 복수의 제1 센서 전극 영역의 제1 전도층을 식각하는 단계; 및
    상기 제1 레지스트막 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 터치 센서 패널의 제조 방법.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제3 레지스트막 패턴 및 상기 제4 레지스터막 패턴을 이용하여 상기 절연층, 상기 제2 투명 전도층 및 상기 제2 전도층을 식각하는 단계는,
    제3 식각 공정을 통하여 상기 제3 레지스트막 패턴 및 상기 제4 레지스터막 패턴이 형성된 영역 이외의 영역에서 상기 제2 투명 전도층 및 상기 제2 전도층을 식각하는 단계를 포함하는 터치 센서 패널의 제조 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제3 레지스트막 패턴 및 상기 제4 레지스터막 패턴을 이용하여 상기 절연층, 상기 제2 투명 전도층 및 상기 제2 전도층을 식각하는 단계는,
    상기 제3 식각 공정 후, 제2 애싱 공정을 통하여 상기 제3 레지스트막 패턴은 남기고 상기 제4 레지스트막 패턴을 제거하는 단계; 및
    제4 식각 공정을 통하여 상기 복수의 제2 센서 전극 영역의 제2 전도층을 식각하는 단계를 더 포함하는 터치 센서 패널의 제조 방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제3 레지스트막 패턴 및 상기 제4 레지스터막 패턴을 이용하여 상기 절연층, 상기 제2 투명 전도층 및 상기 제2 전도층을 식각하는 단계는,
    제5 식각 공정을 통하여 상기 복수의 제2 센서 전극, 상기 복수의 연결 전극, 상기 제2 리드선 및 상기 제2 패드 영역 이외의 영역에서 노출된 절연층을 식각하는 단계; 및
    상기 제3 레지스트막 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 터치 센서 패널의 제조 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 마스크는 상기 제1 리드선, 상기 제1 패드 및 상기 복수의 연결 전극 영역에 형성된 차광부, 및
    상기 제1 센서 전극 영역에 형성된 반투과부를 포함하는 터치 센서 패널의 제조 방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 마스크는 상기 복수의 연결 전극, 상기 제2 리드선 및 상기 제2 패드 영역에 형성된 차광부, 및
    상기 복수의 제2 센서 전극 영역에 형성된 반투과부를 포함하는 터치 센서 패널의 제조 방법.
  9. 복수의 제1 센서 전극;
    복수의 제2 센서 전극;
    상기 복수의 제1 센서 전극을 제1 방향으로 연결하고, 상기 복수의 제2 센서 전극을 제2 방향으로 연결하는 복수의 연결 전극;
    상기 복수의 제1 센서 전극을 제1 패드에 연결하는 제1 리드선; 및
    상기 복수의 제2 센서 전극을 제2 패드에 연결하는 제2 리드선을 포함하고,
    상기 복수의 제1 센서 전극 각각은 기판 상에 형성된 제1 투명 전도층을 포함하고, 상기 복수의 제2 센서 전극 각각은 상기 기판 상에 형성된 절연층 및 상기 절연층 상에 형성된 제2 투명 전도층을 포함하는 터치 센서 패널.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 리드선 및 상기 제1 패드는,
    상기 기판 상에 형성된 상기 제1 투명 전도층; 및
    상기 제1 투명 전도층 상에 형성된 제1 전도층을 포함하는 터치 센서 패널.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 복수의 연결 전극은,
    상기 기판 상에 형성된 상기 제1 투명 전도층;
    상기 제1 투명 전도층 상에 형성된 상기 제1 전도층;
    상기 제1 전도층 상에 형성된 절연층;
    상기 절연층 상에 형성된 상기 제2 투명 전도층; 및
    상기 제2 투명 전도층 상에 형성된 제2 전도층을 포함하는 터치 센서 패널.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제2 리드선 및 상기 제2 패드는,
    상기 기판 상에 형성된 상기 절연층;
    상기 절연층 상에 형성된 상기 제2 투명 전도층; 및
    상기 제2 투명 전도층 상에 형성된 상기 제2 전도층을 포함하는 터치 센서 패널.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 투명 전도층 및 상기 제2 투명 전도층은 인듐-주석 산화물 및 인듐-아연 산화물 중 적어도 어느 하나로 이루어지는 터치 센서 패널.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 전도층 및 상기 제2 전도층 중 적어도 어느 하나는 금속 물질로 이루어지는 터치 센서 패널.
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