CN103593090A - 一种gf2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及触摸屏导电膜技术领域，具体涉及一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺，它依次包括以下步骤：步骤A.导电薄膜烘烤；步骤B.第一次耐酸油墨印刷、第一次蚀刻和剥膜；步骤C.第二次耐酸油墨印刷、第一次蚀刻和剥膜；步骤D.导电银浆的印刷；步骤E.绝缘印刷；步骤F.覆膜分切。本发明通过在第一次蚀刻和第二次蚀刻后进行导电银浆的印刷的方式得到了GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组，该种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组不仅轻薄，且可以做成窄边框的触摸屏，通过上述制作工艺使制得的产品良率高而且性能好较同类产品也有较大提高。
Description
技术领域
本发明涉及触摸屏技术领域，具体涉及一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺。
背景技术
触摸屏是一种显著改善人机操作界面的输入设备，具有直观、简单、快捷的优点。触摸屏在许多电子产品中已经获得了广泛的应用，比如手机、PDA、多媒体、公共信息查询系统等。
传统触控技术采用双层玻璃触控模组，它不仅厚重，而且不能做成窄边框的触摸屏。GF2架构触控技术，表示ITO pattern [RX]和[TX]都同时放在ITO Film上，GF2比传统双层玻璃触控模组更轻薄, 且可以做成窄边框的触摸屏，同时在主要原材料，制程工艺等部分具有较高的技术门槛。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺，该种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组轻薄, 且可以做成窄边框的触摸屏。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺，它依次包括以下步骤：
步骤A、导电薄膜烘烤：将导电薄膜进行烘烤，所述导电薄膜包括基材层，所述基材层的正面和背面分别设有ITO层；
步骤B、第一次耐酸油墨印刷、第一次蚀刻和剥膜：触摸屏分为边框区和视窗区，将导电薄膜正面和背面边框区的ITO层均印刷耐酸油墨，然后对导电薄膜正面和背面视窗区的ITO层用蚀刻液进行蚀刻，在导电薄膜上形成视窗ITO走线层，再用碱液去除边框区ITO层的耐酸油墨；
步骤C、第二次耐酸油墨印刷、第一次蚀刻和剥膜：将导电薄膜的正面和反面的视窗区分别印刷耐酸油墨，然后对导电薄膜正面和背面边框区的ITO层用蚀刻液进行蚀刻，在导电薄膜上形成边框ITO走线层，再用碱液去除视窗区ITO层的耐酸油墨；
步骤D、导电银浆的印刷：对导电薄膜正面和背面的边框ITO走线层丝印导电银浆形成银胶布线结构；
步骤E、绝缘印刷：将经过步骤D处理后的导电薄膜正面和背面的边框区8-12um厚的绝缘胶；
步骤F、覆膜分切： 将经过步骤E处理后的产品进行双面覆膜，然后切成片材, 得到一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组。
其中，步骤A导电薄膜的烘烤温度为135-145℃，烘烤时间为55-65min，所述导电薄膜采用台湾郡宏光电的DITO 双面导电薄膜。
步骤B和步骤C中，所述耐酸油墨为日本互应的型号为TPER-194B-2的耐酸油墨。
其中，步骤B和步骤C中，蚀刻液由质量比为4：1的HCL溶液和氯化铁溶液组成，HCL溶液的质量浓度为15-25%，氯化铁溶液的质量浓度为2-8%。
其中，步骤B和步骤C中，碱液采用质量百分比浓度为3%-5%的氢氧化钠溶液。
其中，步骤D中导电银浆为韩国NANOMSE的型号为MSE2006L的导电银浆。
或者是，步骤D中导电银浆导电银浆由以下重量百分比的原料组成：
银粉末 55-70 %
环氧树脂 5-15%
聚酯树脂 5-15%
石墨粉末 0.1-1%
二氧化硅粉末 1-2%
二乙二醇乙醚醋酸酯 5-15%
二乙二醇丁醚醋酸酯 5-15%，
上述原料的重量百分比之和为100%，
其中，所述环氧树脂为PU改性环氧乙烯基酯树脂，
其中，所述聚酯树脂为丙烯酸型聚酯树脂。
其中，所述银粉末由质量比为1:20-1:30的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为10-20μm，所述纳米银粉末的粒径为60-90nm。
其中，步骤E所述绝缘胶为日本朝日Asahi型号为UVF-10T-DS5的绝缘油墨。
其中，步骤F覆膜分切时覆的膜是PE保护膜。
本发明与现有技术相比较，有益效果在于：一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺，它依次包括以下步骤：步骤A、导电薄膜烘烤;步骤B、第一次耐酸油墨印刷、第一次蚀刻和剥膜; 步骤C、第二次耐酸油墨印刷、第一次蚀刻和剥膜；步骤D、导电银浆的印刷；步骤E、绝缘印刷；步骤F、覆膜分切。本发明通过在第一次蚀刻和第二次蚀刻后进行导电银浆的印刷的方式得到了GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组，该种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组不仅轻薄, 且可以做成窄边框的触摸屏，通过上述制作工艺使制得的产品良率高而且性能好较同类产品也有较大提高。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的说明。
实施例1。
一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺，它依次包括以下步骤：
步骤A、导电薄膜烘烤：将导电薄膜进行烘烤，所述导电薄膜包括基材层，所述基材层的正面和背面分别设有ITO层；
步骤B、第一次耐酸油墨印刷、第一次蚀刻和剥膜：将导电薄膜正面和背面边框区的ITO层均印刷耐酸油墨，然后对导电薄膜正面和背面视窗区的ITO层用蚀刻液进行蚀刻，在导电薄膜上形成视窗ITO走线层，再用碱液去除边框区ITO层的耐酸油墨；
步骤C、第二次耐酸油墨印刷、第一次蚀刻和剥膜：将导电薄膜的正面和反面的视窗区分别印刷耐酸油墨，然后对导电薄膜正面和背面边框区的ITO层用蚀刻液进行蚀刻，在导电薄膜上形成边框ITO走线层，再用碱液去除视窗区ITO层的耐酸油墨；
步骤D、导电银浆的印刷：对导电薄膜正面和背面的边框ITO走线层丝印导电银浆形成银胶布线结构；
步骤E、绝缘印刷：将经过步骤D处理后的导电薄膜正面和背面的边框区8um厚的绝缘胶；
步骤F、覆膜分切： 将经过步骤E处理后的产品进行双面覆膜，然后切成片材, 得到一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组。
步骤A导电薄膜的烘烤温度为135℃，烘烤时间为65min，所述导电薄膜采用台湾郡宏光电的DITO 双面导电薄膜。
步骤B和步骤C中，所述耐酸油墨为日本互应的型号为TPER-194B-2的耐酸油墨。
步骤B和步骤C中，蚀刻液由质量比为4：1的HCL溶液和氯化铁溶液组成，HCL溶液的质量浓度为15%，氯化铁溶液的质量浓度为2%。
步骤B和步骤C中，碱液采用质量百分比浓度为3%的氢氧化钠溶液。
步骤D中导电银浆为韩国NANOMSE的型号为MSE2006L的导电银浆。
步骤E所述绝缘胶为日本朝日Asahi型号为UVF-10T-DS5的绝缘油墨。
步骤F覆膜分切时覆的膜是PE保护膜。
实施例2。
一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺，它依次包括以下步骤：
步骤A、导电薄膜烘烤：将导电薄膜进行烘烤，所述导电薄膜包括基材层，所述基材层的正面和背面分别设有ITO层；
步骤B、第一次耐酸油墨印刷、第一次蚀刻和剥膜：将导电薄膜正面和背面边框区的ITO层均印刷耐酸油墨，然后对导电薄膜正面和背面视窗区的ITO层用蚀刻液进行蚀刻，在导电薄膜上形成视窗ITO走线层，再用碱液去除边框区ITO层的耐酸油墨；
步骤C、第二次耐酸油墨印刷、第一次蚀刻和剥膜：将导电薄膜的正面和反面的视窗区分别印刷耐酸油墨，然后对导电薄膜正面和背面边框区的ITO层用蚀刻液进行蚀刻，在导电薄膜上形成边框ITO走线层，再用碱液去除视窗区ITO层的耐酸油墨；
步骤D、导电银浆的印刷：对导电薄膜正面和背面的边框ITO走线层丝印导电银浆形成银胶布线结构；
步骤E、绝缘印刷：将经过步骤D处理后的导电薄膜正面和背面的边框区10um厚的绝缘胶；
步骤F、覆膜分切： 将经过步骤E处理后的产品进行双面覆膜，然后切成片材, 得到一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组。
步骤A导电薄膜的烘烤温度为140℃，烘烤时间为60min，所述导电薄膜采用台湾郡宏光电的DITO 双面导电薄膜。
步骤B和步骤C中，所述耐酸油墨为日本互应的型号为TPER-194B-2的耐酸油墨。
步骤B和步骤C中，蚀刻液由质量比为4：1的HCL溶液和氯化铁溶液组成，HCL溶液的质量浓度为19%，氯化铁溶液的质量浓度为6%。
步骤B和步骤C中，碱液采用质量百分比浓度为4%的氢氧化钠溶液。
步骤D中导电银浆导电银浆由以下重量百分比的原料组成：
银粉末 55%
环氧树脂 10%
聚酯树脂 5%
石墨粉末 1%
二氧化硅粉末 2%
二乙二醇乙醚醋酸酯 15%
二乙二醇丁醚醋酸酯 12%，
其中，所述环氧树脂为PU改性环氧乙烯基酯树脂，
其中，所述聚酯树脂为丙烯酸型聚酯树脂。
所述银粉末由质量比为1:20的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为10μm，所述纳米银粉末的粒径为60nm。
步骤E所述绝缘胶为日本朝日Asahi型号为UVF-10T-DS5的绝缘油墨。
步骤F覆膜分切时覆的膜是PE保护膜。
实施例3。
一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺，它依次包括以下步骤：
步骤A、导电薄膜烘烤：将导电薄膜进行烘烤，所述导电薄膜包括基材层，所述基材层的正面和背面分别设有ITO层；
步骤B、第一次耐酸油墨印刷、第一次蚀刻和剥膜：将导电薄膜正面和背面边框区的ITO层均印刷耐酸油墨，然后对导电薄膜正面和背面视窗区的ITO层用蚀刻液进行蚀刻，在导电薄膜上形成视窗ITO走线层，再用碱液去除边框区ITO层的耐酸油墨；
步骤C、第二次耐酸油墨印刷、第一次蚀刻和剥膜：将导电薄膜的正面和反面的视窗区分别印刷耐酸油墨，然后对导电薄膜正面和背面边框区的ITO层用蚀刻液进行蚀刻，在导电薄膜上形成边框ITO走线层，再用碱液去除视窗区ITO层的耐酸油墨；
步骤D、导电银浆的印刷：对导电薄膜正面和背面的边框ITO走线层丝印导电银浆形成银胶布线结构；
步骤E、绝缘印刷：将经过步骤D处理后的导电薄膜正面和背面的边框区11um厚的绝缘胶；
步骤F、覆膜分切： 将经过步骤E处理后的产品进行双面覆膜，然后切成片材, 得到一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组。
步骤A导电薄膜的烘烤温度为142℃，烘烤时间为61min，所述导电薄膜采用台湾郡宏光电的DITO 双面导电薄膜。
步骤B和步骤C中，所述耐酸油墨为日本互应的型号为TPER-194B-2的耐酸油墨。
步骤B和步骤C中，蚀刻液由质量比为4：1的HCL溶液和氯化铁溶液组成，HCL溶液的质量浓度为22%，氯化铁溶液的质量浓度为7%。
步骤B和步骤C中，碱液采用质量百分比浓度为4%的氢氧化钠溶液。
步骤D中导电银浆导电银浆由以下重量百分比的原料组成：
银粉末 60%
环氧树脂 8%
聚酯树脂 8%
石墨粉末 0.1%
二氧化硅粉末 1.9%
二乙二醇乙醚醋酸酯 11%
二乙二醇丁醚醋酸酯 11%，
其中，所述环氧树脂为PU改性环氧乙烯基酯树脂，
其中，所述聚酯树脂为丙烯酸型聚酯树脂，
所述银粉末由质量比为1:25的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为15μm，所述纳米银粉末的粒径为80nm。
步骤E所述绝缘胶为日本朝日Asahi型号为UVF-10T-DS5的绝缘油墨。
步骤F覆膜分切时覆的膜是PE保护膜。
实施例4。
一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺，它依次包括以下步骤：
步骤A、导电薄膜烘烤：将导电薄膜进行烘烤，所述导电薄膜包括基材层，所述基材层的正面和背面分别设有ITO层；
步骤B、第一次耐酸油墨印刷、第一次蚀刻和剥膜：将导电薄膜正面和背面边框区的ITO层均印刷耐酸油墨，然后对导电薄膜正面和背面视窗区的ITO层用蚀刻液进行蚀刻，在导电薄膜上形成视窗ITO走线层，再用碱液去除边框区ITO层的耐酸油墨；
步骤C、第二次耐酸油墨印刷、第一次蚀刻和剥膜：将导电薄膜的正面和反面的视窗区分别印刷耐酸油墨，然后对导电薄膜正面和背面边框区的ITO层用蚀刻液进行蚀刻，在导电薄膜上形成边框ITO走线层，再用碱液去除视窗区ITO层的耐酸油墨；
步骤D、导电银浆的印刷：对导电薄膜正面和背面的边框ITO走线层丝印导电银浆形成银胶布线结构；
步骤E、绝缘印刷：将经过步骤D处理后的导电薄膜正面和背面的边框区12um厚的绝缘胶；
步骤F、覆膜分切： 将经过步骤E处理后的产品进行双面覆膜，然后切成片材, 得到一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组。
步骤A导电薄膜的烘烤温度为145℃，烘烤时间为55min，所述导电薄膜采用台湾郡宏光电的DITO 双面导电薄膜。
步骤B和步骤C中，所述耐酸油墨为日本互应的型号为TPER-194B-2的耐酸油墨。
步骤B和步骤C中，蚀刻液由质量比为4：1的HCL溶液和氯化铁溶液组成，HCL溶液的质量浓度为25%，氯化铁溶液的质量浓度为8%。
步骤B和步骤C中，碱液采用质量百分比浓度为5%的氢氧化钠溶液。
步骤D中导电银浆导电银浆由以下重量百分比的原料组成：
银粉末 70%
环氧树脂 5%
聚酯树脂 5%
石墨粉末 1%
二氧化硅粉末 2%
二乙二醇乙醚醋酸酯 7%
二乙二醇丁醚醋酸酯 10%，
其中，所述环氧树脂为PU改性环氧乙烯基酯树脂，
其中，所述聚酯树脂为丙烯酸型聚酯树脂，
所述银粉末由质量比为1:20-1:30的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为10-20μm，所述纳米银粉末的粒径为60-90nm。
步骤E所述绝缘胶为日本朝日Asahi型号为UVF-10T-DS5的绝缘油墨。
步骤F覆膜分切时覆的膜是PE保护膜。
实施例1-4制得的GF2结构的触控模组的性能测试见下表：
通过上表可以看出本发明制得的G1F结构的触摸屏产品良率高、
透光率冷热冲击、高温高湿、高温存储性能良好，b值、雾度值低。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (10)
1.一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺，其特征在于：它依次包括以下步骤：
步骤A、导电薄膜烘烤：将导电薄膜进行烘烤，所述导电薄膜包括基材层，所述基材层的正面和背面分别设有ITO层；
步骤B、第一次耐酸油墨印刷、第一次蚀刻和剥膜：将导电薄膜正面和背面边框区的ITO层均印刷耐酸油墨，然后对导电薄膜正面和背面视窗区的ITO层用蚀刻液进行蚀刻，在导电薄膜上形成视窗ITO走线层，再用碱液去除边框区ITO层的耐酸油墨；
步骤C、第二次耐酸油墨印刷、第一次蚀刻和剥膜：将导电薄膜的正面和反面的视窗区分别印刷耐酸油墨，然后对导电薄膜正面和背面边框区的ITO层用蚀刻液进行蚀刻，在导电薄膜上形成边框ITO走线层，再用碱液去除视窗区ITO层的耐酸油墨；
步骤D、导电银浆的印刷：对导电薄膜正面和背面的边框ITO走线层丝印导电银浆形成银胶布线结构；
步骤E、绝缘印刷：将经过步骤D处理后的导电薄膜正面和背面的边框区8-12um厚的绝缘胶；
步骤F、覆膜分切： 将经过步骤E处理后的产品进行双面覆膜，然后切成片材, 得到一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组。
2.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺，其特征在于：步骤A导电薄膜的烘烤温度为135-145℃，烘烤时间为55-65min，所述导电薄膜采用台湾郡宏光电的DITO 双面导电薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺，其特征在于：步骤B和步骤C中，所述耐酸油墨为日本互应的型号为TPER-194B-2的耐酸油墨。
4.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺，其特征在于：步骤B和步骤C中，蚀刻液由质量比为4：1的HCL溶液和氯化铁溶液组成，HCL溶液的质量浓度为15-25%，氯化铁溶液的质量浓度为2-8%。
5.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺，其特征在于：步骤B和步骤C中，碱液采用质量百分比浓度为3%-5%的氢氧化钠溶液。
6.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺，其特征在于：步骤D中导电银浆为韩国NANOMSE的型号为MSE2006L的导电银浆。
7.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺，其特征在于：步骤D中导电银浆导电银浆由以下重量百分比的原料组成：
银粉末 55-70%
环氧树脂 5-15%
聚酯树脂 5-15%
石墨粉末 0.1-1%
二氧化硅粉末 1-2%
二乙二醇乙醚醋酸酯 5-15%
二乙二醇丁醚醋酸酯 5-15%，
其中，所述环氧树脂为PU改性环氧乙烯基酯树脂，
其中，所述聚酯树脂为丙烯酸型聚酯树脂。
8.根据权利要求7所述的一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺，其特征在于：所述银粉末由质量比为1:20-1:30的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为10-20μm，所述纳米银粉末的粒径为60-90nm。
9.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺，其特征在于：步骤E所述绝缘胶为日本朝日Asahi型号为UVF-10T-DS5的绝缘油墨。
10.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜、银胶布线结构的触控模组制作工艺，其特征在于：步骤F覆膜分切时覆的膜是PE保护膜。
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