CN103677409A - 一种gf2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及触摸屏导电膜技术领域，具体涉及一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，它依次包括以下步骤：步骤A、干膜覆合：在导电薄膜的双面贴合干膜;步骤B、曝光、显影;步骤C、第一次蚀刻、剥膜；步骤D、耐酸印刷；步骤E、第二次蚀刻、剥膜；步骤F、绝缘印刷；步骤G、覆膜分切。本发明在干膜覆合的基础上，通过第一次蚀刻和第二次蚀刻的方式得到了GF2双面导电薄膜结构的触控模组，该种GF2双面导电薄膜结构的触控模组不仅轻薄,且可以做成窄边框的触摸屏，通过上述制作工艺使制得的产品良率高而且性能好较同类产品也有较大提高。
Description
技术领域
本发明涉及触摸屏技术领域，具体涉及一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺。
背景技术
触摸屏是一种显著改善人机操作界面的输入设备，具有直观、简单、快捷的优点。触摸屏在许多电子产品中已经获得了广泛的应用，比如手机、PDA、多媒体、公共信息查询系统等。
传统触控技术采用双层玻璃触控模组，它不仅厚重，而且不能做成窄边框的触摸屏。GF2架构触控技术，表示ITO pattern [RX]和[TX]都同时放在ITO Film上，GF2比传统双层玻璃触控模组更轻薄, 且可以做成窄边框的触摸屏，同时在主要原材料，制程工艺等部分具有较高的技术门槛。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，该种GF2双面导电薄膜结构的触控模组轻薄, 且可以做成窄边框的触摸屏。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，它依次包括以下步骤：
步骤A、干膜覆合：在导电薄膜的双面贴合干膜，所述导电薄膜包括基材层，所述基材层的正面依次设有ITO层和金属层，所述基材层的背面也依次设有ITO层和金属层，所述干膜贴合于所述金属层;
步骤B、曝光、显影：将导电薄膜双面的干膜进行曝光，然后将曝光后的产品用显影剂进行显影，发生反应的干膜对导电薄膜进行保护;
步骤C、第一次蚀刻、剥膜：用蚀刻液进行第一次蚀刻以除去不受干膜保护的ITO层和金属层，最后用碱液将已发生反应的干膜剥离；
步骤D、耐酸印刷：将经过步骤C处理后的导电薄膜的正反两面的边框区分别印刷10-15um厚的耐酸胶进行保护，触摸屏分为边框区和可视区；
步骤E、第二次蚀刻、剥膜：将经过步骤C处理后的导电薄膜用蚀刻液进行第二次蚀刻以除去可视区的金属层，然后用碱液去除耐酸胶；
步骤F、绝缘印刷：将经过步骤E处理后的导电薄膜的背面的边框区印刷8-12um厚的绝缘胶；
步骤G、覆膜分切： 将经过步骤F处理后的产品进行双面覆膜，然后切成片材。
优选的，步骤A所述干膜采用杜邦公司型号为MX7000的干膜，所述导电薄膜采用台湾郡宏光电的DITO 双面导电薄膜。
优选的，步骤B所述显影剂由以下重量百分比的原料组成:
Na2CO3 0.7-1.2 wt%
Na2CO3.H2O 0.8-1.3 wt%
K2CO3 0.8-1.2 wt%
余量为水。
优选的，步骤C和步骤E中蚀刻液由质量比为4：1的HCL溶液和氯化铁溶液组成，HCL溶液的质量浓度为15-25%，氯化铁溶液的质量浓度为2-8%。
优选的，步骤C和步骤E中碱液采用质量百分比浓度为3%-5%的氢氧化钠溶液。
优选的，步骤D所述耐酸油墨为日本互应的型号为TPER-194B-2的耐酸油墨。
优选的，步骤E所述绝缘胶为日本朝日Asahi型号为UVF-10T-DS5的绝缘油墨。
优选的，步骤D耐酸印刷时先将背面覆盖一层聚乙烯薄膜，印刷正面；然后再将正面覆盖一层聚乙烯薄膜，印刷背面。
优选的，步骤F绝缘印刷时先将正面覆盖一层聚乙烯薄膜，然后印刷背面。
优选的，步骤G覆膜分切时覆的膜是PE保护膜。
本发明与现有技术相比较，有益效果在于：本发明在干膜覆合的基础上，通过第一次蚀刻和第二次蚀刻的方式得到了GF2双面导电薄膜结构的触控模组，该种GF2双面导电薄膜结构的触控模组不仅轻薄, 且可以做成窄边框的触摸屏，通过上述制作工艺使制得的产品良率高而且性能好较同类产品也有较大提高。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的说明。
实施例1。
一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，它依次包括以下步骤：
步骤A、干膜覆合：在导电薄膜的双面贴合干膜，所述导电薄膜包括基材层，所述基材层的正面依次设有ITO层和金属层，所述基材层的背面也依次设有ITO层和金属层，所述干膜贴合于所述金属层;
步骤B、曝光、显影：将导电薄膜双面的干膜进行曝光，然后将曝光后的产品用显影剂进行显影，发生反应的干膜对导电薄膜进行保护;
步骤C、第一次蚀刻、剥膜：用蚀刻液进行第一次蚀刻以除去不受干膜保护的ITO层和金属层，最后用碱液将已发生反应的干膜剥离；
步骤D、耐酸印刷：将经过步骤C处理后的导电薄膜的正反两面的边框区分别印刷10um厚的耐酸胶进行保护；
步骤E、第二次蚀刻、剥膜：将经过步骤C处理后的导电薄膜用蚀刻液进行第二次蚀刻以除去可视区的金属层，然后用碱液去除耐酸胶；
步骤F、绝缘印刷：将经过步骤E处理后的导电薄膜的背面的边框区印刷8um厚的绝缘胶；
步骤G、覆膜分切： 将经过步骤F处理后的产品进行双面覆膜，然后切成片材。
其中，步骤A所述干膜采用杜邦公司型号为MX7000的干膜，所述导电薄膜采用台湾郡宏光电的DITO 双面导电薄膜。
其中，步骤B所述显影剂由以下重量百分比的原料组成:
Na2CO3 0.7wt%
Na2CO3.H2O 1.3 wt%
K2CO3 0.8wt%
余量为水。
其中，步骤C和步骤E中蚀刻液由质量比为4：1的HCL溶液和氯化铁溶液组成，HCL溶液的质量浓度为15%，氯化铁溶液的质量浓度为2%。
其中，步骤C和步骤E中碱液采用质量百分比浓度为3%的氢氧化钠溶液。
其中，步骤D所述耐酸油墨为日本互应的型号为TPER-194B-2的耐酸油墨。
其中，步骤E所述绝缘胶为日本朝日Asahi型号为UVF-10T-DS5的绝缘油墨。
其中，步骤D耐酸印刷时先将背面覆盖一层聚乙烯薄膜，印刷正面；然后再将正面覆盖一层聚乙烯薄膜，印刷背面。
其中，步骤F绝缘印刷时先将正面覆盖一层聚乙烯薄膜，然后印刷背面。
其中，步骤G覆膜分切时覆的膜是PE保护膜。
实施例2。
一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，它依次包括以下步骤：
步骤A、干膜覆合：在导电薄膜的双面贴合干膜，所述导电薄膜包括基材层，所述基材层的正面依次设有ITO层和金属层，所述基材层的背面也依次设有ITO层和金属层，所述干膜贴合于所述金属层;
步骤B、曝光、显影：将导电薄膜双面的干膜进行曝光，然后将曝光后的产品用显影剂进行显影，发生反应的干膜对导电薄膜进行保护;
步骤C、第一次蚀刻、剥膜：用蚀刻液进行第一次蚀刻以除去不受干膜保护的ITO层和金属层，最后用碱液将已发生反应的干膜剥离；
步骤D、耐酸印刷：将经过步骤C处理后的导电薄膜的正反两面的边框区分别印刷12um厚的耐酸胶进行保护；
步骤E、第二次蚀刻、剥膜：将经过步骤C处理后的导电薄膜用蚀刻液进行第二次蚀刻以除去可视区的金属层，然后用碱液去除耐酸胶；
步骤F、绝缘印刷：将经过步骤E处理后的导电薄膜的背面的边框区印刷10um厚的绝缘胶；
步骤G、覆膜分切： 将经过步骤F处理后的产品进行双面覆膜，然后切成片材。
其中，步骤A所述干膜采用杜邦公司型号为MX7000的干膜，所述导电薄膜采用台湾郡宏光电的DITO 双面导电薄膜。
其中，步骤B所述显影剂由以下重量百分比的原料组成:
Na2CO3 1.0 wt%
Na2CO3.H2O 1.1 wt%
K2CO3 1.0 wt%
余量为水。
其中，步骤C和步骤E中蚀刻液由质量比为4：1的HCL溶液和氯化铁溶液组成，HCL溶液的质量浓度为20%，氯化铁溶液的质量浓度为6%。
其中，步骤C和步骤E中碱液采用质量百分比浓度为4%的氢氧化钠溶液。
其中，步骤D所述耐酸油墨为日本互应的型号为TPER-194B-2的耐酸油墨。
其中，步骤E所述绝缘胶为日本朝日Asahi型号为UVF-10T-DS5的绝缘油墨。
其中，步骤D耐酸印刷时先将背面覆盖一层聚乙烯薄膜，印刷正面；然后再将正面覆盖一层聚乙烯薄膜，印刷背面。
其中，步骤F绝缘印刷时先将正面覆盖一层聚乙烯薄膜，然后印刷背面。
其中，步骤G覆膜分切时覆的膜是PE保护膜。
实施例3。
一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，它依次包括以下步骤：
步骤A、干膜覆合：在导电薄膜的双面贴合干膜，所述导电薄膜包括基材层，所述基材层的正面依次设有ITO层和金属层，所述基材层的背面也依次设有ITO层和金属层，所述干膜贴合于所述金属层;
步骤B、曝光、显影：将导电薄膜双面的干膜进行曝光，然后将曝光后的产品用显影剂进行显影，发生反应的干膜对导电薄膜进行保护;
步骤C、第一次蚀刻、剥膜：用蚀刻液进行第一次蚀刻以除去不受干膜保护的ITO层和金属层，最后用碱液将已发生反应的干膜剥离；
步骤D、耐酸印刷：将经过步骤C处理后的导电薄膜的正反两面的边框区分别印刷15um厚的耐酸胶进行保护；
步骤E、第二次蚀刻、剥膜：将经过步骤C处理后的导电薄膜用蚀刻液进行第二次蚀刻以除去可视区的金属层，然后用碱液去除耐酸胶；
步骤F、绝缘印刷：将经过步骤E处理后的导电薄膜的背面的边框区印刷11um厚的绝缘胶；
步骤G、覆膜分切： 将经过步骤F处理后的产品进行双面覆膜，然后切成片材。
其中，步骤A所述干膜采用杜邦公司型号为MX7000的干膜，所述导电薄膜采用台湾郡宏光电的DITO 双面导电薄膜。
其中，步骤B所述显影剂由以下重量百分比的原料组成:
Na2CO3 1.1 wt%
Na2CO3.H2O 1.2 wt%
K2CO3 1.1 wt%
余量为水。
其中，步骤C和步骤E中蚀刻液由质量比为4：1的HCL溶液和氯化铁溶液组成，HCL溶液的质量浓度为20%，氯化铁溶液的质量浓度为4%。
其中，步骤C和步骤E中碱液采用质量百分比浓度为5%的氢氧化钠溶液。
其中，步骤D所述耐酸油墨为日本互应的型号为TPER-194B-2的耐酸油墨。
其中，步骤E所述绝缘胶为日本朝日Asahi型号为UVF-10T-DS5的绝缘油墨。
其中，步骤D耐酸印刷时先将背面覆盖一层聚乙烯薄膜，印刷正面；然后再将正面覆盖一层聚乙烯薄膜，印刷背面。
其中，步骤F绝缘印刷时先将正面覆盖一层聚乙烯薄膜，然后印刷背面。
其中，步骤G覆膜分切时覆的膜是PE保护膜。
实施例4。
一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，它依次包括以下步骤：
步骤A、干膜覆合：在导电薄膜的双面贴合干膜，所述导电薄膜包括基材层，所述基材层的正面依次设有ITO层和金属层，所述基材层的背面也依次设有ITO层和金属层，所述干膜贴合于所述金属层;
步骤B、曝光、显影：将导电薄膜双面的干膜进行曝光，然后将曝光后的产品用显影剂进行显影，发生反应的干膜对导电薄膜进行保护;
步骤C、第一次蚀刻、剥膜：用蚀刻液进行第一次蚀刻以除去不受干膜保护的ITO层和金属层，最后用碱液将已发生反应的干膜剥离；
步骤D、耐酸印刷：将经过步骤C处理后的导电薄膜的正反两面的边框区分别印刷15um厚的耐酸胶进行保护；
步骤E、第二次蚀刻、剥膜：将经过步骤C处理后的导电薄膜用蚀刻液进行第二次蚀刻以除去可视区的金属层，然后用碱液去除耐酸胶；
步骤F、绝缘印刷：将经过步骤E处理后的导电薄膜的背面的边框区印刷12um厚的绝缘胶；
步骤G、覆膜分切： 将经过步骤F处理后的产品进行双面覆膜，然后切成片材。
其中，步骤A所述干膜采用杜邦公司型号为MX7000的干膜，所述导电薄膜采用台湾郡宏光电的DITO 双面导电薄膜。
其中，步骤B所述显影剂由以下重量百分比的原料组成:
Na2CO3 1.2 wt%
Na2CO3.H2O 1.3 wt%
K2CO3 0.8wt%
余量为水。
其中，步骤C和步骤E中蚀刻液由质量比为4：1的HCL溶液和氯化铁溶液组成，HCL溶液的质量浓度为25%，氯化铁溶液的质量浓度为8%。
其中，步骤C和步骤E中碱液采用质量百分比浓度为5%的氢氧化钠溶液。
其中，步骤D所述耐酸油墨为日本互应的型号为TPER-194B-2的耐酸油墨。
其中，步骤E所述绝缘胶为日本朝日Asahi型号为UVF-10T-DS5的绝缘油墨。
其中，步骤D耐酸印刷时先将背面覆盖一层聚乙烯薄膜，印刷正面；然后再将正面覆盖一层聚乙烯薄膜，印刷背面。
其中，步骤F绝缘印刷时先将正面覆盖一层聚乙烯薄膜，然后印刷背面。
其中，步骤G覆膜分切时覆的膜是PE保护膜。
实施例1-4制得的GF2结构的触控模组的性能测试见下表：
通过上表可以看出本发明制得的G1F结构的触摸屏产品良率高、
透光率冷热冲击、高温高湿、高温存储性能良好，b值、雾度值低。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (10)
1.一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：它依次包括以下步骤：
步骤A、干膜覆合：在导电薄膜的双面贴合干膜，所述导电薄膜包括基材层，所述基材层的正面依次设有ITO层和金属层，所述基材层的背面也依次设有ITO层和金属层，所述干膜贴合于所述金属层;
步骤B、曝光、显影：将导电薄膜双面的干膜进行曝光，然后将曝光后的产品用显影剂进行显影，发生反应的干膜对导电薄膜进行保护;
步骤C、第一次蚀刻、剥膜：用蚀刻液进行第一次蚀刻以除去不受干膜保护的ITO层和金属层，最后用碱液将已发生反应的干膜剥离；
步骤D、耐酸印刷：将经过步骤C处理后的导电薄膜的正反两面的边框区分别印刷10-15um厚的耐酸胶进行保护；
步骤E、第二次蚀刻、剥膜：将经过步骤C处理后的导电薄膜用蚀刻液进行第二次蚀刻以除去可视区的金属层，然后用碱液去除耐酸胶；
步骤F、绝缘印刷：将经过步骤E处理后的导电薄膜的背面的边框区印刷8-12um厚的绝缘胶；
步骤G、覆膜分切： 将经过步骤F处理后的产品进行双面覆膜，然后切成片材。
2.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：步骤A所述干膜采用杜邦公司型号为MX7000的干膜，所述导电薄膜采用台湾郡宏光电的DITO 双面导电薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：步骤B所述显影剂由以下重量百分比的原料组成:
Na2CO3 0.7-1.2 wt%
Na2CO3.H2O 0.8-1.3 wt%
K2CO3 0.8-1.2 wt%
余量为水。
4.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：步骤C和步骤E中蚀刻液由质量比为4：1的HCL溶液和氯化铁溶液组成，HCL溶液的质量浓度为15-25%，氯化铁溶液的质量浓度为2-8%。
5.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：步骤C和步骤E中碱液采用质量百分比浓度为3%-5%的氢氧化钠溶液。
6. 根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：步骤D所述耐酸油墨为日本互应的型号为TPER-194B-2的耐酸油墨。
7.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：步骤E所述绝缘胶为日本朝日Asahi型号为UVF-10T-DS5的绝缘油墨。
8.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：步骤D耐酸印刷时先将背面覆盖一层聚乙烯薄膜，印刷正面；然后再将正面覆盖一层聚乙烯薄膜，印刷背面。
9.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：步骤F绝缘印刷时先将正面覆盖一层聚乙烯薄膜，然后印刷背面。
10.根据权利要求1所述的一种GF2双面导电薄膜结构的触控模组的制作工艺，其特征在于：步骤G覆膜分切时覆的膜是PE保护膜。
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