CN102097370B - 精密图案的制程方法 - Google Patents

Abstract

一种精密图案的制程方法，至少包括下列步骤。首先，于一基材上形成一第一可结晶化材料层。接着，图案化第一可结晶化材料层，以于基材上形成多个的第一图案，其中任二相邻的这些第一图案的间距大于每一这些第一图案的宽度。然后，对这些第一图案进行一第一处理制程，以使这些第一图案结晶化。接着，形成一第二可结晶化材料层于基材上，且第二可结晶化材料层覆盖这些第一图案。之后，图案化第二可结晶化材料层，以于基材上形成多个的第二图案，其中每一这些第二图案分别位于这些第一图案之间。

Description

精密图案的制程方法

技术领域

本发明是有关于一种制程方法，且特别是有关于一种精密图案的制程方法。

背景技术

图1为一种液晶显示面板的局部剖示图。请参考图1，液晶显示面板100例如是一种边际场切换式(Fringe Field Switching，FFS)液晶显示面板，其至少包含一基板110、一下透明导电层120、一绝缘层130及一上透明导电层140。下透明导电层120配置于基板上，绝缘层130覆盖下透明导电层120，且上透明导电层140配置于绝缘层130上。

在图1中，上透明导电层140的线宽为W，而线距为S，一般来说，较精细的线宽W与线距S可得较高的穿透率，而使得液晶显示面板100可呈现较佳的显示画面。然而，目前面板业界所使用的曝光机台的精度通常为3μm，以正光阻为例，上透明导电层140的线距S便只能达到3μm而为目前极限。换言之，若欲制作线宽W与线距S皆小于3μm的上透明导电层140是无法达成的。

发明内容

本发明提供一种制程方法，其可制作出线宽与线距更为精细的图案。

本发明提出一种精密图案的制程方法，包括，其至少包括下列步骤。首先，于一基材上形成一第一可结晶化材料层。接着，图案化第一可结晶化材料层，以于基材上形成多个的第一图案，其中任二相邻的这些第一图案的间距大于每一这些第一图案的宽度。然后，对这些第一图案进行一第一处理制程，以使这些第一图案结晶化。接着，形成一第二可结晶化材料层于基材上，且第二可结晶化材料层覆盖这些第一图案。而后，图案化第二可结晶化材料层，以于基材上形成多个的第二图案，其中每一这些第二图案分别位于这些第一图案之间。

在本发明的一实施例中，上述每一这些第二图案与相邻的这些第一图案的间距相同。在本发明的一实施例中，上述每一这些第二图案与相邻的这些第一图案的间距相同于第二图案的宽度。

在本发明的一实施例中，上述的基材包括一基板或一绝缘层。

在本发明的一实施例中，上述的第一可结晶化材料层与第二可结晶化材料层各为一非结晶透明导电材料。

在本发明的一实施例中，进行第一处理制程后的这些第一图案为一多晶透明导电材料。

在本发明的一实施例中，上述的制程方法更包括对这些第二图案进行一第二处理制程，以使这些第二图案结晶化。在本发明的一实施例中，进行第二处理制程后的这些第二图案为一多晶透明导电材料。

在本发明的一实施例中，图案化第一可结晶化材料层以形成这些第一图案的方法包括下列步骤。首先形成一图案化光阻层于第一可结晶化材料层上，其中图案化光阻层具有多个开口，且这些开口暴露出部分第一可结晶化材料层。接着，以图案化光阻层为罩幕，移除未被图案化光阻层覆盖的第一可结晶化材料层，以形成这些第一图案。

在本发明的一实施例中，移除未被图案化光阻层覆盖的第一可结晶化材料层的方法包括进行一湿式蚀刻。

在本发明的一实施例中，图案化第二可结晶化材料层以形成这些第二图案的方法包括下列步骤。首先，形成一图案化光阻层于第二可结晶化材料层上，其中图案化光阻层具有多个开口，且这些开口暴露出部分第二可结晶化材料层。而后，以图案化光阻层为罩幕，移除未被图案化光阻层覆盖的第二可结晶化材料层，以分别于这些第一图案之间形成每一这些第二图案。

在本发明的一实施例中，移除未被图案化光阻层覆盖的第二可结晶化材料层的方法包括进行一湿式蚀刻。

在本发明的一实施例中，上述第一可结晶化材料层与第二可结晶化材料层的材料各包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、氧化锌、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉锡氧化物或镉锌氧化物至少其一。

在本发明的一实施例中，任二相邻的这些第一图案的间距实质上为3μm，且每一这些第二图案与相邻的这些第一图案的间距实质上为1μm。

本发明的实施例具有以下至少其中一个优点。首先，依序形成第一图案与第二图案于基板上，其中第二图案形成于相邻的第一图案之间，且任二相邻的第一图案的间距大于第一图案及第二图案的宽度，如此将可在有限的曝光条件下仍可形成间距及线宽更精细的图案。另外，由于第一图案经过热处理制程后会多晶化，因此在图案化第二可结晶化材料层时，便可避免第一图案受到影响而被蚀刻，从而简化制作的困难度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1为一种液晶显示面板的局部剖示图。

图2A～图7A为本发明一实施例的一种制程方法的流程上视图。

图2B～图7B则分别为图2A～7A所绘示的制程方法的流程剖示图。

具体实施方式

一般来说，透过曝光机台进行微影蚀刻制程时，可能受限于机台本身的设计或是曝光条件的光学限制，因此其所形成的图样的线宽及间距便会有所限制，如此一来，若欲设计精细度较高的图样时，便有其困难度，如先前技术所述的结构及内容。基于此，本发明一实施例提出一种制程方法，其可在原有的曝光机台的曝光条件下，仍可制作出线宽及间距更为精细的图样，其说明如下，其中本实施例是以形成多个透明导电图案作为举例说明。

图2A～7A为本发明一实施例的一种制程方法的流程上视图，其适于制作出一种精密的图案，而图2B～图7B则分别为图2A～7A所绘示的制程方法的流程剖示图。请先参考图2A与图2B，首先，于一基材210上形成一第一可结晶化材料层220，其中本实施例的基材210可以一般的玻璃基板或是绝缘层。以边际场切换式液晶显示面板或横向电场切换（In-Plane Switching，IPS）液晶显示面板为例，通常若位于绝缘层上的多个条状可结晶化材料层的线宽及线距若能更为精细，相对地，精密图案在呈现影像画面时便可具有较佳的表现。因此，本实施例的基材210除了可泛指一般的基板外，亦可指绝缘层或是其它保护层。

另外，本实施例的第一可结晶化材料层220例如是采用非结晶透明导电材料，且第一可结晶化材料层220的材质可以是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、氧化锌、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉锡氧化物或镉锌氧化物。

接着，图案化上述的第一可结晶化材料层220，以于基材210上形成多个的第一图案222，其中任二相邻的这些第一图案222的间距S1大于每一这些第一图案222的宽度W1，如图3A与图3B所示。在本实施例中，图案化第一可结晶化材料层220以形成这些第一图案222的方法例如是采用传统的微影蚀刻制程。举例而言，首先可先形成一图案化光阻层(未绘示)于第一可结晶化材料层220上，其中图案化光阻层会具有多个暴露出部分第一可结晶化材料层的开口。接着，以图案化光阻层为罩幕，并可透过湿式蚀刻来移除未被图案化光阻层覆盖的第一可结晶化材料层，以于基板210上形成如图3A与图3B所绘示这些第一图案222。

在本实施例中，上述湿式蚀刻制程例如是采用弱酸（如草酸等）蚀刻液来对第一可结晶化材料层220进行蚀刻。另外，本实施例的图案化光阻层是以正光阻作为举例说明，其中正光阻的特性为受光后可被显影剂所移除。换言之，这些第一图案222之间的间距S1便是使用传统曝光机在曝光显影后所能达到最小线距。在本实施例中，任二相邻的这些第一图案222的间距S1实质上可为每一这些第一图案222的宽度W1的整数倍，其中本实施例是以间距S1为宽度W1的三倍作为举例说明，但本发明并不限于此。

然后，对上述这些第一图案222进行一第一处理制程，以使这些第一图案222结晶化而形成多晶的第一图案222a，如图4A与图4B所示。在本实施例中，第一处理制程例如是传统的热退火处理制程(annealing process)。详细而言，由于第一可结晶化材料层220为非结晶透明导电材料，因此图案化后的第一图案222的材质同样亦为非结晶透明导电材料。而后为了提高第一图案222本身的导电率及透光度，便可透过热退火制程使第一图案222结晶化，而形成如图4A与图4B所绘示的多晶的第一图案222a。

接着，形成一第二可结晶化材料层230于基材210上，且第二可结晶化材料层230覆盖这些第一图案222a，如图5A与图5B所绘示。在本实施例中，第二可结晶化材料层230的材质可与第一可结晶化材料层220的材质相同或不同，且第二可结晶化材料层230可选用前述第一可结晶化材料层220所提及的材料，在此便不再赘述。

而后，图案化第二可结晶化材料层230，以于基材210上形成多个的第二图案232，其中每一这些第二图案232分别位于这些第一图案222a之间，如图6A与图6B所示。在本实施例中，图案化第二可结晶化材料层230的方法例如采用前述的图案化第一可结晶化材料层的方法，可参考前述说明，在此便不再赘述，惟须注意的是，由于第一图案222a已为多晶的透明导电材质，因此在进行移除未被图案化光阻层覆盖的第二可结晶化材料层时，第一图案222a便不会受到蚀刻液的影响而被移除。

在本实施例中，每一第二图案232与相邻的第一图案222a的间距S2可皆为相同，且每一第二图案232与相邻的第一图案222的间距S2可相同于第二图案232的宽度W2，如图6A与图6B所示。详细而言，若第一图案222a与相邻的第一图案222a的间距S1为第一图案222a的宽度W1的三倍，且第二图案232a与相邻的第一图案222a的间距S2又相同于第二图案232的宽度W2时，则第二图案232便是位于二相邻的第一图案222a的中间，且第一图案222a与第二图案232便会等间距排列。

举例来说，若曝光机台本身的曝光极限是仅能形成间距S1为3μm的第一图案222时，如图3A与图3B所示，则透过本实施例所描述的制程方法，便可形成多个间距S2为1μm的图案222a、232，其中上述皆是以正光阻的曝光显影制程作为举例，但本发明并不限于此。换言之，透过本实施例所提供的制程方法，将可在现有曝光机台所受限的曝光条件下而仍可制作出更为精细的图案。

同样地，为了提高第二图案232本身的导电率及透光度，上述的制程方法更包括对这些第二图案232进行一第二处理制程，以使这些第二图案232结晶化，以形成如图7A与图7B所绘示的多晶的第二图案232a。在本实施例中，第二处理制程例如是采用前述的第一处理制程，可参考前述说明，在此便不再赘述。至此便大致完成一种可用于精密图案的制程方法，其可有效地形成更为精细的图案，以提升精密图案所提供的画面的表现。

综上所述，本发明的实施例可达到下列功效的至少其一。首先，依序形成第一图案与第二图案于基板上，其中第二图案会形成于相邻的第一图案之间，且任二相邻的第一图案的间距大于第一图案及第二图案的宽度，如此将可在有限的曝光条件下仍可形成间距及线宽更精细的图案。另外，由于第一图案经过热处理制程后会多晶化，因此在图案化第二可结晶化材料层时，便可避免第一图案受到影响而被蚀刻，从而简化制作的困难度。

惟以上所述者，仅为本发明的较佳实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围，即大凡依本发明申请专利范围及发明说明内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明专利涵盖的范围内。另外本发明的任一实施例或申请专利范围不须达成本发明所公开的全部目的或优点或特点。此外，摘要部分和标题仅是用来辅助专利文件搜寻之用，并非用来限制本发明的权利范围。

Claims (9)

1.一种精密图案的制程方法，其特征在于，包括：

于一基材上形成一第一可结晶化材料层；

图案化该第一可结晶化材料层，以于该基材上形成多个的第一图案，其中任二相邻的该些第一图案的间距大于每一该些第一图案的宽度；

对该些第一图案进行一第一处理制程，以使该些第一图案结晶化；

形成一第二可结晶化材料层于该基材上，且该第二可结晶化材料层覆盖该些第一图案；以及

图案化该第二可结晶化材料层，以于该基材上形成多个的第二图案，其中每一该些第二图案分别位于该些第一图案之间；

其中，该第一可结晶化材料层与该第二可结晶化材料层各为一非结晶透明导电材料。

2.如权利要求1所述的精密图案的制程方法，其特征在于，进行该第一处理制程后的该些第一图案为一多晶透明导电材料。

3.如权利要求1所述的精密图案的制程方法，其特征在于，还包括对该些第二图案进行一第二处理制程，以使该些第二图案结晶化。

4.如权利要求3所述的精密图案的制程方法，其特征在于，进行该第二处理制程后的该些第二图案为一多晶透明导电材料。

5.如权利要求1所述的精密图案的制程方法，其特征在于，图案化该第一可结晶化材料层以形成该些第一图案的方法包括：

形成一图案化光阻层于第一可结晶化材料层上，其特征在于，该图案化光阻层具有多个开口，且该些开口暴露出部分该第一可结晶化材料层；以及

以该图案化光阻层为罩幕，移除未被该图案化光阻层覆盖的该第一可结晶化材料层，以形成该些第一图案。

6.如权利要求5所述的精密图案的制程方法，其特征在于，移除未被该图案化光阻层覆盖的该第一可结晶化材料层的方法包括进行一湿式蚀刻。

7.如权利要求1所述的精密图案的制程方法，其特征在于，图案化该第二可结晶化材料层以形成该些第二图案的方法包括：

形成一图案化光阻层于第二可结晶化材料层上，其特征在于，该图案化光阻层具有多个开口，且该些开口暴露出部分该第二可结晶化材料层；以及

以该图案化光阻层为罩幕，移除未被该图案化光阻层覆盖的该第二可结晶化材料层，以分别于该些第一图案之间形成每一该些第二图案。

8.如权利要求7所述的精密图案的制程方法，其特征在于，移除未被该图案化光阻层覆盖的该第二可结晶化材料层的方法包括进行一湿式蚀刻。

9.如权利要求1所述的精密图案的制程方法，其特征在于，任二相邻的该些第一图案的间距实质上为3μm，且每一该些第二图案与相邻的该些第一图案的间距实质上为1μm。

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