CN103399667B - Ogs触摸屏的制作方法 - Google Patents

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一种OGS触摸屏的制作方法，包括如下步骤：在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案，第一黑矩阵图案位于预设的OGS触摸屏的非可视区域上，第一黑矩阵图案的外周缘与预设的OGS触摸屏的边缘的距离为0.2～0.8mm，第一黑矩阵图案的内周缘与预设的OGS触摸屏的可视区域的外周缘相接；在形成有第一黑矩阵图案的玻璃基板表面形成ITO导电图案层，并对表面形成有ITO导电图案层的玻璃基板依次进行切割及磨边处理，得到预设的OGS触摸屏中间产品；对中间产品进行二次强化处理；在经二次强化处理后的中间产品的第一黑矩阵图案的外周缘与预设的OGS触摸屏的边缘之间形成第二黑矩阵图案，第一黑矩阵图案与第二黑矩阵图案的颜色相同。上述OGS触摸屏的制作方法具有较高的良率。

Description

OGS触摸屏的制作方法
技术领域
本发明涉及触摸屏技术领域，特别是涉及一种OGS触摸屏的制作方法。
背景技术
OGS（One Glass Solution，单层玻璃结构）触摸屏因具有结构简单、质量轻、厚度薄、透过性好、生产成本等优点而受到广泛的关注。
在制作电容式OGS触摸屏时，通常在大版强化玻璃上同时制备多个OGS触摸屏，然后通过切割以及磨边处理，得到单个OGS触摸屏中间产品。由于切割以及磨边处理会降低玻璃强度，因此，需要对单个OGS触摸屏中间产品的边缘进行二次强化处理。
在二次强化处理过程中，通常在单个OGS触摸屏中间产品的上下表面贴合抗酸膜，并将其浸泡于HF水溶液中一段时间。而形成于OGS触摸屏非可视区域（OGS触摸屏的边框区域）上的黑矩阵图案与OGS触摸屏外形完全是1:1的设计（黑矩阵图案的外周缘与OGS触摸屏的边缘重合），导致黑矩阵图案很容被HF腐蚀，进而导致非可视区域露光严重，同时还影响OGS触摸屏的平整度。而且即使在二次强化处理后，再对黑矩阵图案受到腐蚀的OGS触摸屏进行二次油墨印刷，也会出现色差明显，平整度达不到要求的问题，严重影响产品的良率。
发明内容
基于此，有必要提供一种具有较高良率的OGS触摸屏的制作方法。
一种OGS触摸屏的制作方法，包括如下步骤：
在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案，所述第一黑矩阵图案位于预设的OGS触摸屏的非可视区域上，所述第一黑矩阵图案的外周缘与所述预设的OGS触摸屏的边缘的距离为0.2～0.8mm，所述第一黑矩阵图案的内周缘与所述预设的OGS触摸屏的可视区域的外周缘相接；
在形成有第一黑矩阵图案的玻璃基板表面形成ITO导电图案层，并对表面形成有ITO导电图案层的玻璃基板依次进行切割及磨边处理，得到预设的OGS触摸屏中间产品；
对所述中间产品进行二次强化处理；
在经二次强化处理后的中间产品的所述第一黑矩阵图案的外周缘与所述预设的OGS触摸屏的边缘之间形成第二黑矩阵图案，即得到所述OGS触摸屏，其中，所述第一黑矩阵图案与所述第二黑矩阵图案的颜色相同。
在其中一个实施例中，在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案之前，还包括对所述玻璃基板进行清洗及质检的步骤。
在其中一个实施例中，在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案的过程中，包括如下步骤：在玻璃基板表面上涂布负型光阻，得到覆盖所述玻璃基板表面的负型光阻层，并对所述负型光阻层依次进行曝光处理、显影处理及固烤处理，得到所述第一黑矩阵图案；
其中，所述负型光阻的粘度为2.6～5.8cP，所述负型光阻层的厚度为0.7～2.0μm，曝光能量为150～250mJ/cm2，曝光波长为360～480nm，曝光间隙为150～200μm，曝光时间为6～8.5s。
在其中一个实施例中，在所述显影处理中，采用质量分数为0.05%的KOH溶液进行显影处理；在所述固烤处理过程中，固烤温度为250℃，固烤时间为30min。
在其中一个实施例中，在经二次强化处理后的中间产品的所述第一黑矩阵图案的外周缘与所述预设的OGS触摸屏的边缘之间形成第二黑矩阵图案的过程中，包括如下步骤：采用丝网印刷的方式将所述负型光阻印刷于所述第一黑矩阵图案的外周缘与所述预设的OGS触摸屏的边缘之间形成所述第二黑矩阵图案，其中，网版为280～400目的聚酯网，刮刀硬度为75°、角度为45°，印刷速度为1.5～2.5M/S，网矩为2.0～3.0mm。
在其中一个实施例中，所述负型光阻的颜色为黑色、蓝色、粉色或咖啡色。
在其中一个实施例中，在形成有第一黑矩阵图案的玻璃基板表面形成ITO导电图案层的过程中，包括如下步骤：采用真空磁控溅射6靶相连的溅射方法在形成有第一黑矩阵图案的玻璃基板表面形成ITO层，对所述ITO层依次进行黄光制程、显影处理、固烤处理、蚀刻处理以及光阻剥离，得到所述ITO导电图案层。
在其中一个实施例中，在所述真空磁控溅射过程中，真空腔内的温度为320℃、溅射速度为1.0～1.2m/s；
在所述黄光制程中，在所述ITO层上涂布正型光阻，得到覆盖所述ITO层的正型光阻层，所述正型光阻的粘度为3.6～5.8cP，所述正型光阻层的厚度为0.7～2.0μm；
在所述显影处理过程中，曝光能量为40～80mJ/cm2，曝光波长为360～480nm，曝光间隙为200μm，曝光时间为6～8.5s；
在所述固烤处理过程中，预烤温度为100℃，预烤时间为200s，固烤温度为240℃，固烤时间为30min；
在所述蚀刻处理过程中，采用王水进行蚀刻处理；
在所述光阻剥离过程中，采用质量分数为0.05%的KOH溶液进行光阻剥离。
在其中一个实施例中，在对所述中间产品进行二次强化处理的过程中，包括如下步骤：在32℃条件下，将所述中间产品浸泡于浓度为5～6.9mol/L的HF水溶液中8～10min。
在其中一个实施例中，在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案之前，还包括在所述玻璃基板表面形成通孔部的步骤，所述通孔部位于所述预设的OGS触摸屏的非可视区域上；形成于玻璃基板表面的第一黑矩阵图案间隔环绕所述通孔部，且所述第一黑矩阵图案与所述通孔部之间的间隔距离为0.2～0.8mm。
上述OGS触摸屏的制作方法，先在玻璃基板表面形成位于预设的OGS触摸屏的非可视区域的第一黑矩阵图案，且第一黑矩阵图案的外周缘与预设的OGS触摸屏的边缘的距离为0.2～0.8mm，从而在对中间产品的边缘进行二次强化处理时，第一黑矩阵图案很难被HF腐蚀。二次强化处理后，在中间产品的第一黑矩阵图案的外周缘与预设的OGS触摸屏的边缘之间形成第二黑矩阵图案，即得到OGS触摸屏。由于第二黑矩阵图案与第一黑矩阵图案的颜色相同，而且第一黑矩阵图案的外周缘不会出现因为腐蚀而呈现凹凸结构的现象，从而得到色差小且表面平整度高的OGS触摸屏。因此，上述OGS触摸屏的制作方法具有较高的良率。
附图说明
图1为一实施方式的OGS触摸屏的制作方法的流程图；
图2为第一黑矩阵图案位于预设的OGS触摸屏的非可视区域上的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对OGS触摸屏的制作方法进行进一步的说明。
如图1所示，一实施方式的OGS触摸屏的制作方法，包括如下步骤：
步骤S110，在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案，第一黑矩阵图案位于预设的OGS触摸屏的非可视区域上，第一黑矩阵图案的外周缘与预设的OGS触摸屏的边缘的距离为0.2～0.8mm，第一黑矩阵图案的内周缘与预设的OGS触摸屏的可视区域的外周缘相接。
在本实施方式中，在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案之前，还包括对玻璃基板进行清洗及质检的步骤。清洗及质检过程具体为：先用清洗机对玻璃基板依次进行纯水洗涤、碱液洗涤、BJ喷淋、DI喷淋以及高压喷淋，并依次经冷风及热风干燥后，得到洁净的玻璃基板。对洁净的玻璃基板表面进行质检，从源头上把控OGS触摸屏的质量。
在本实施方式中，在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案的过程中，包括如下步骤：在玻璃基板表面上涂布负型光阻，得到覆盖玻璃基板表面的负型光阻层，并对负型光阻层依次进行曝光处理、显影处理及固烤处理，得到第一黑矩阵图案。其中，负型光阻的粘度为2.6～5.8CP，负型光阻层的厚度为0.7～2.0μm。曝光能量为150～250mj/cm2，曝光波长为360～480nm，曝光间隙为150～200μm，曝光时间为6～8.5s。在显影处理中，采用质量分数为0.05%的KOH溶液进行显影处理。在固烤处理过程中，固烤温度为250℃，固烤时间为30min。
进一步，第一黑矩阵图案的外周缘与预设的OGS触摸屏的边缘的距离优选为0.4mm或0.5mm。
在本实施方式中，在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案之前，还包括在玻璃基板表面形成通孔部的步骤，通孔部位于预设的OGS触摸屏的非可视区域上。形成于玻璃基板表面的第一黑矩阵图案间隔环绕通孔部，且第一黑矩阵图案与通孔部之间的间隔距离为0.2～0.8mm。通孔部包括传声孔以及机械按键孔。
为了便于理解，图2为第一黑矩阵图案位于预设的OGS触摸屏的非可视区域上的结构示意图，其中，210为玻璃基板，220为预设的OGS触摸屏的可视区域，230为第一黑矩阵图案，240为机械按键孔，250为传声孔。图2所示的玻璃基板210与预设的OGS触摸屏形状相同，第一黑矩阵图案230的外周缘与玻璃基板210的边缘之间的距离与第一黑矩阵图案230的外周缘与预设的OGS触摸屏的边缘之间的距离相同，距离为0.2～0.8mm。
在本实施方式中，第一黑矩阵图案230间隔环绕机械按键孔240，且第一黑矩阵图案230与机械按键孔240之间的间隔距离为0.2～0.8mm，优选为0.4mm或0.5mm；第一黑矩阵图案230间隔环绕机传声孔250，且第一黑矩阵图案230与传声孔250之间的间隔距离为0.2～0.8mm，优选为0.4mm或0.5mm。从而在对机械按键孔240及传声孔250的边缘进行二次强化处理时，可以有效避免HF腐蚀位于机械按键孔240及传声孔250的边缘处的第一黑矩阵图案230。可以理解吗，在其他实施方式中，预设的OGS触摸屏上也可以不设置通孔部。
步骤S120，在形成有第一黑矩阵图案的玻璃基板表面形成ITO导电图案层，并对表面形成有ITO导电图案层的玻璃基板依次进行切割及磨边处理，得到预设的OGS触摸屏中间产品。
在本实施方式中，在形成有第一黑矩阵图案的玻璃基板表面形成ITO导电图案层的过程中，包括如下步骤：采用真空磁控溅射6靶相连的溅射方法在形成有第一黑矩阵图案的玻璃基板表面形成ITO层，对ITO层依次进行黄光制程、显影处理、固烤处理、蚀刻处理以及光阻剥离，得到ITO导电图案层。
其中，在真空磁控溅射过程中，真空腔内的温度为320℃、溅射速度为1.0～1.2m/s，得到厚度为电阻为80～120Ω的ITO层。在黄光制程中，在ITO层上涂布正型光阻，得到覆盖ITO层的正型光阻层，正型光阻的粘度为3.6～5.8CP，正型光阻层的厚度为0.7～2.0μm。在显影处理过程中，曝光能量为40～80mj/cm2，曝光波长为360～480nm，曝光间隙为200μm，曝光时间为6～8.5s。在固烤处理过程中，预烤温度为100℃，预烤时间为200s，固烤温度为240℃，固烤时间为30min。在蚀刻处理过程中，采用王水进行蚀刻处理。在光阻剥离过程中，采用质量分数为0.05%的KOH溶液进行光阻剥离。
在对表面形成有ITO导电图案层的玻璃基板依次进行切割及磨边处理，得到预设的OGS触摸屏中间产品的过程中：玻璃基板为大版玻璃基板，表面形成有ITO导电图案层的玻璃基板包括多个OGS触摸屏中间产品，采用CNC(Computer numerical control，数控机床)进行切割及磨边处理得到单个OGS触摸屏中间产品。
步骤130，对中间产品进行二次强化处理。
在本实施方式中，在对中间产品进行二次强化处理的过程中：将中间产品浸泡于浓度为5～6.9mol/L的HF水溶液中8～10min，其中，HF水溶液的温度为32℃。
步骤140，在经二次强化处理后的中间产品的第一黑矩阵图案的外周缘与预设的OGS触摸屏的边缘之间形成第二黑矩阵图案，即得到OGS触摸屏，其中，第一黑矩阵图案与第二黑矩阵图案的颜色相同。
在本实施方式中，在经二次强化处理后的中间产品的第一黑矩阵图案的外周缘与OGS触摸屏的边缘之间形成第二黑矩阵图案的过程中：采用丝网印刷的方式将负型光阻印刷于第一黑矩阵图案的外周缘与OGS触摸屏的边缘之间形成第二黑矩阵图案，其中，网版为280～400目的聚酯网，刮刀硬度为75度、角度为45度，印刷速度为1.5～2.5M/S，网矩为2.0～3.0mm。
形成第一黑矩阵图案及第二黑矩阵图案的负型光阻相同。形成第一黑矩阵图案及第二黑矩阵图案的负型光阻的颜色可以为黑色、蓝色、粉色或咖啡色。
上述OGS触摸屏的制作方法，先在玻璃基板表面形成位于预设的OGS触摸屏的非可视区域的第一黑矩阵图案，且第一黑矩阵图案的外周缘与预设的OGS触摸屏的边缘的距离为0.2～0.8mm，从而在对中间产品的边缘进行二次强化处理时，第一黑矩阵图案很难被HF腐蚀。二次强化处理后，在中间产品的第一黑矩阵图案的外周缘与预设的OGS触摸屏的边缘之间形成第二黑矩阵图案，即得到OGS触摸屏。由于第二黑矩阵图案与第一黑矩阵图案的颜色相同，而且第一黑矩阵图案的外周缘不会出现因为腐蚀而呈现凹凸结构的现象，从而得到色差小且表面平整度高的OGS触摸屏。因此，上述OGS触摸屏的制作方法具有较高的良率。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案，所述第一黑矩阵图案位于预设的OGS触摸屏的非可视区域上，所述第一黑矩阵图案的外周缘与所述预设的OGS触摸屏的边缘的距离为0.2～0.8mm，所述第一黑矩阵图案的内周缘与所述预设的OGS触摸屏的可视区域的外周缘相接；
在形成有第一黑矩阵图案的玻璃基板表面形成ITO导电图案层，并对表面形成有ITO导电图案层的玻璃基板依次进行切割及磨边处理，得到预设的OGS触摸屏中间产品；
对所述中间产品进行二次强化处理；
在经二次强化处理后的中间产品的所述第一黑矩阵图案的外周缘与所述预设的OGS触摸屏的边缘之间形成第二黑矩阵图案，即得到所述OGS触摸屏，其中，所述第一黑矩阵图案与所述第二黑矩阵图案的颜色相同。
2.根据权利要求1所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案之前，还包括对所述玻璃基板进行清洗及质检的步骤。
3.根据权利要求1所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案的过程中，包括如下步骤：在玻璃基板表面上涂布负型光阻，得到覆盖所述玻璃基板表面的负型光阻层，并对所述负型光阻层依次进行曝光处理、显影处理及固烤处理，得到所述第一黑矩阵图案；
其中，所述负型光阻的粘度为2.6～5.8cP，所述负型光阻层的厚度为0.7～2.0μm，曝光能量为150～250mJ/cm2，曝光波长为360～480nm，曝光间隙为150～200μm，曝光时间为6～8.5s。
4.根据权利要求3所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，在所述显影处理中，采用质量分数为0.05％的KOH溶液进行显影处理；在所述固烤处理过程中，固烤温度为250℃，固烤时间为30min。
5.根据权利要求3所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，在经二次强化处理后的中间产品的所述第一黑矩阵图案的外周缘与所述预设的OGS触摸屏的边缘之间形成第二黑矩阵图案的过程中，包括如下步骤：采用丝网印刷的方式将所述负型光阻印刷于所述第一黑矩阵图案的外周缘与所述预设的OGS触摸屏的边缘之间形成所述第二黑矩阵图案，其中，网版为280～400目的聚酯网，刮刀硬度为75°、角度为45°，印刷速度为1.5～2.5M/S，网矩为2.0～3.0mm。
6.根据权利要求3-5中任一项所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，所述负型光阻的颜色为黑色、蓝色、粉色或咖啡色。
7.根据权利要求1所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，在形成有第一黑矩阵图案的玻璃基板表面形成ITO导电图案层的过程中，包括如下步骤：采用真空磁控溅射6靶相连的溅射方法在形成有第一黑矩阵图案的玻璃基板表面形成ITO层，对所述ITO层依次进行黄光制程、显影处理、固烤处理、蚀刻处理以及光阻剥离，得到所述ITO导电图案层。
8.根据权利要求7所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，在所述真空磁控溅射过程中，真空腔内的温度为320℃、溅射速度为1.0～1.2m/s；
在所述黄光制程中，在所述ITO层上涂布正型光阻，得到覆盖所述ITO层的正型光阻层，所述正型光阻的粘度为3.6～5.8cP，所述正型光阻层的厚度为0.7～2.0μm；
在所述显影处理过程中，曝光能量为40～80mJ/cm2，曝光波长为360～480nm，曝光间隙为200μm，曝光时间为6～8.5s；
在所述固烤处理过程中，预烤温度为100℃，预烤时间为200s，固烤温度为240℃，固烤时间为30min；
在所述蚀刻处理过程中，采用王水进行蚀刻处理；
在所述光阻剥离过程中，采用质量分数为0.05％的KOH溶液进行光阻剥离。
9.根据权利要求1所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，在对所述中间产品进行二次强化处理的过程中，包括如下步骤：在32℃条件下，将所述中间产品浸泡于浓度为5～6.9mol/L的HF水溶液中8～10min。
10.根据权利要求1所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案之前，还包括在所述玻璃基板表面形成通孔部的步骤，所述通孔部位于所述预设的OGS触摸屏的非可视区域上；形成于玻璃基板表面的第一黑矩阵图案环绕所述通孔部且与所述通孔部相互间隔，且所述第一黑矩阵图案与所述通孔部之间的间隔距离为0.2～0.8mm。
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Address before: 338004 Xinyu City, Jiangxi Province High - tech Industrial Development Zone Xicheng Avenue Vogg Industrial Park

Applicant before: Jiangxi Woge Photoelectric Technology Co.,Ltd.

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Patentee after: DONGGUAN SINGWAY ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD.

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Patentee before: WGTECH (JIANGXI) Co.,Ltd.