CN103811105B - 透明导电体及其制备方法 - Google Patents

透明导电体及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103811105B
CN103811105B CN201210447836.7A CN201210447836A CN103811105B CN 103811105 B CN103811105 B CN 103811105B CN 201210447836 A CN201210447836 A CN 201210447836A CN 103811105 B CN103811105 B CN 103811105B
Authority
CN
China
Prior art keywords
transparent
conductive body
transparent conductive
protective layer
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210447836.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103811105A (zh
Inventor
刘伟
唐根初
龚薇
唐彬
程志政
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
OFilm Group Co Ltd
Anhui Jingzhuo Optical Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen OFilm Tech Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen OFilm Tech Co Ltd filed Critical Shenzhen OFilm Tech Co Ltd
Priority to CN201210447836.7A priority Critical patent/CN103811105B/zh
Priority to JP2014545089A priority patent/JP2015507317A/ja
Priority to PCT/CN2012/087075 priority patent/WO2014071669A1/zh
Priority to KR1020147008183A priority patent/KR101636859B1/ko
Priority to US14/000,142 priority patent/US9510456B2/en
Priority to TW102130719A priority patent/TWI521552B/zh
Publication of CN103811105A publication Critical patent/CN103811105A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103811105B publication Critical patent/CN103811105B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material

Abstract

一种透明导电体,包括依次层叠的透明基材、导电网及绝缘保护层,所述导电网铺设于所述透明基材上,所述绝缘保护层远离所述透明基材的一侧表面为平面。上述透明导电体避免使用氧化铟锡,从而透明导电体的成本较低。本发明还提供一种透明导电体的制备方法。

Description

透明导电体及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种透明导电体及其制备方法。
背景技术
电容触摸屏以其透明度高,多点触摸,寿命长等诸多优点,近年来,越来越受到市场的青睐。目前,通常采用真空蒸镀或者磁控溅射方式将透明导电材料氧化铟锡(ITO)镀制在PET或者玻璃基板上形成透明导电体以应用于电容触摸屏。
然而,铟是一种稀有金属,在大自然中储量比较小,价格比较昂贵,从而使得透明导电体的成本较高。
发明内容
基于此,有必要提供一种成本较低的透明导电体及其制备方法。
一种透明导电体,包括依次层叠的透明基材、导电网及绝缘保护层,所述导电网铺设于所述透明基材上,所述绝缘保护层远离所述透明基材的一侧表面为平面。
在其中一个实施例中,所述导电网的材料选自金属、金属合金、碳纳米管、石墨烯及导电高分子材料中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述透明基材为玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
在其中一个实施例中,所述导电网由多根导电线构成。
在其中一个实施例中,所述绝缘保护层的材料为热塑性聚合物、热固性聚合物或UV固化聚合物。
一种透明导电体的制备方法,包括以下步骤:
在透明基材表面涂布光刻胶形成光刻胶层;
利用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光,显影后在所述光刻胶层形成网状的图案;
将导电材料填入所述图案中,经过固化得到导电网;
利用除胶剂除去光刻胶层;及
利用湿法涂布工艺在所述导电网表面涂布绝缘保护材料,固化后形成绝缘保护层,所述绝缘保护层远离所述透明基材表面的一侧表面为平面。
在其中一个实施例中,采用刮涂或喷涂的方法将所述液体的导电材料填入所述图案中。
在其中一个实施例中,所述导电材料选自金属、金属合金、碳纳米管、石墨烯及导电高分子材料中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述透明基材的材料为玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
在其中一个实施例中,所述绝缘保护层的材料为热塑性聚合物、热固性聚合物或UV固化聚合物
上述透明导电体及其制备方法,通过在透明基材表面铺设导电网,避免使用氧化铟锡,从而透明导电体的成本较低;导电网表面形成有绝缘保护层,可以对导电网起到保护作用,防止导电网被刮花。
附图说明
图1为一实施方式的透明导电体的结构示意图;
图2为图1中透明导电体的导电网的结构示意图;
图3为另一实施方式中透明导电体的导电网的结构示意图;
图4为另一实施方式中透明导电体的制备流程的示意图;
图5为另一实施方式的透明导电体的制备方法的流程图。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是,当元件被称为“固设于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参阅图1,一实施方式的透明导电体10包括依次层叠的透明基材1、导电网2及绝缘保护层3。
透明基材1大体为片状。透明基材1的材料为玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等光学透明材料。优选的,透明基材1的厚度为50μm~700μm,优选为50μm~300μm。
导电网2铺设于透明基材1的表面。导电网2的材料选自金属、金属合金、碳纳米管、石墨烯及导电高分子材料中的至少一种。导电网2的厚度为1μm~10μm,优选为2μm~5μm。
请同时参阅图2及图3,导电网2由多条导电线22排布形成。导电线22为直线(如图2所示),在其他实施例中导电线22也可以为曲线(如图3所示)。需要说明的是,导电线22不限于为图2及图3所示的状态,也可为其他不规则的柔线状态。
优选的,导电线22的宽度为0.2μm~5μm,优选为0.5μm~2μm。相邻的两条导电线22之间的距离为50μm~800μm。需要说明的是,导电线条的密度及厚度可依材料需求之透过率和方块电阻值来进行设计。
多根导电线22交错排布形成多个阵列排布的孔洞24。多个孔洞24的形状及大小可以相同也可以不同。孔洞24可以为正方形、长方形、三角形、菱形或多边形。需要说明的是,根据需要可以对导电线22进行断线处理即某一个或多根导电线22被断开形成一个缺口26,从而使一根导电线22被切分为至少两根,缺口26使两个相邻的孔洞24相通。通过断线处理可以使得整个网络分裂为一条条单独的通道,以至于不互相干扰,还可以满足实现单层多点等相关技术要求。
请再次参阅图1,绝缘保护层3形成于导电网2表面且绝缘保护层3远离透明基材1的一侧表面32为平面。绝缘保护层的材料为热塑性聚合物、热固性聚合物或UV固化聚合物。表面32的平面度为0.1~1μm/mm2,优选为0.2~0.5μm/mm2
为了不影响导电网2的导电性能,绝缘保护层130的表面32与导电网2远离透明基材1的一侧表面之间的距离小于10μm,优选的,小于5μm。
上述透明导电体10中,通过在透明基材1表面铺设导电网2,避免使用氧化铟锡,从而透明导电体10的成本较低;导电网2表面形成有绝缘保护层3,可以对导电网2起到保护作用,防止导电网2被刮花。
请同时参阅图1至图5,上述透明导电体10的制备方法,包括以下步骤:
步骤S210、在透明基材1表面涂布光刻胶形成光刻胶层4。
透明基材1大体为片状。透明基材1为玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等光学透明材料。透明基材1的厚度为50μm~700μm,优选为50μm~300μm。
光刻胶层4的厚度为1μm~10μm,优选为2μm~5μm。
步骤S220、利用掩膜板5对光刻胶层4进行曝光,显影后在所述光刻胶层形成网状的图案6。
图案6由开设于光刻胶层4的多条通道形成,多条通道呈网状分布。需要说明的是,图案6的形状取决于需要制备的导电网2的形状。
步骤S230、将导电材料填入图案6中,经过固化得到导电网2。
导电材料选自金属、金属合金、碳纳米管、石墨烯及导电高分子材料中的至少一种。
本实施方式中,采用刮涂或喷涂的方法将液体的导电材料填入图案6中。
导电网2由多条导电线22排布形成。导电线22可以为直线(如图2所示),也可以为曲线(如图3所示)。需要说明的是,导电线22不限于为图2及图3所示的状态,也可为其他不规则的柔线状态。
优选的,导电线22的宽度为0.2μm~5μm,优选为0.5μm~2μm。相邻的两条导电线22之间的距离为50μm~800μm。需要说明的是,导电线条的密度及厚度可依材料需求之透过率和方块电阻值来进行设计。
多根导电线22交错排布形成多个阵列排布的孔洞24。多个孔洞24的形状及大小可以相同也可以不同。孔洞24可以为正方形、长方形、三角形、菱形或多边形。需要说明的是,根据需要可以对导电线22进行断线处理即某一个或多根导电线22被断开形成一个缺口26,从而使一根导电线22被切分为至少两个,缺口26使两个相邻的孔洞24相通。通过断线处理可以使得整个网络分裂为一条条单独的通道,以至于不互相干扰;还有满足实现单层多点等相关技术要求。
步骤S240、利用除胶剂除去光刻胶层4。
需要说明的是,在采用刮涂或喷涂的方法将液体的导电材料填入图案6中时,会有部分导电材料涂布至光刻胶层4表面,但是利用除胶剂除去光刻胶层4时会连同光刻胶层4表面的导电材料一并除去。
步骤S250、利用湿法涂布工艺在导电网2表面涂布绝缘保护材料,固化后形成绝缘保护层3,绝缘保护层3远离透明基材1表面的一侧表面32为平面。
保护层的材料为热塑性聚合物、热固性聚合物或UV固化聚合物。表面32的平面度为0.1~1μm/mm2,优选为0.2~0.5μm/mm2
为了不影响导电网2的导电性能,绝缘保护层3的表面32与导电网2远离透明基材1的一侧表面之间的距离小于10μm,优选的,小于5μm。
上述透明导电体10的制备方法较为简单;通过光刻胶曝光显影制备图案6,再将导电材料填入图案6制备导电网2,可以节约导电材料、提高效率和降低成本,并且触控灵敏度得到提升。
以下为具体实施例:
实施例1
请参阅图4,一种制备透明导电体的方法,具体包括以下步骤:
1)、在PET表面涂布厚度为5um的光刻胶(4),形成光刻胶层;
2)、再利用掩膜板(5)对光刻胶层进行曝光;
3)、通过显影液进行显影,在光刻胶层得到所需图案;
4)、采用刮涂技术将导电液体填入显影后得到的图案线条中,具体步骤如下:①在光刻胶表面涂布导电银墨水,使银墨水渗透到图案线条中;②使用IR干燥系统将墨水烘干,得到导电网络(2);
5)、利用除胶剂将表面残留的光刻胶(4)除去;
6)、采用湿法涂布工艺在导电网络表面涂上一层PMMA UV固化树脂(3)并进行固化,控制PMMA表面与导电Ag线表面的高度差为2um。其中PMMAUV固化树脂的固化波长为365nm,粘度为600cps,累计照射能量达到600mj/cm2后即可固化。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种透明导电体,其特征在于,包括依次层叠的透明基材、导电网及绝缘保护层,所述导电网铺设于所述透明基材上,所述绝缘保护层远离所述透明基材的一侧表面为平面,所述导电网由多根导电线构成,导电线为直线,多根导电线交错排布形成多个阵列排布的孔洞,一个或多根导电线被断开形成一个缺口,缺口使两个相邻的孔洞相通。
2.根据权利要求1所述的透明导电体,其特征在于,所述导电网的材料选自金属、金属合金、碳纳米管、石墨烯及导电高分子材料中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的透明导电体,其特征在于,所述透明基材的材料为玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
4.根据权利要求1所述的透明导电体,其特征在于,所述绝缘保护层的材料为热塑性聚合物、热固性聚合物或UV固化聚合物。
5.一种透明导电体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在透明基材表面涂布光刻胶形成光刻胶层;
利用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光,显影后在所述光刻胶层形成网状的图案;
将导电材料填入所述图案中,经过固化得到导电网,所述导电网由多根导电线构成,导电线为直线,多根导电线交错排布形成多个阵列排布的孔洞,一个或多根导电线被断开形成一个缺口,缺口使两个相邻的孔洞相通;
利用除胶剂除去光刻胶层;及
利用湿法涂布工艺在所述导电网表面涂布绝缘保护材料,固化后形成绝缘保护层,所述绝缘保护层远离所述透明基材表面的一侧表面为平面。
6.根据权利要求5所述的透明导电体的制备方法,其特征在于,采用刮涂或喷涂的方法将液体的所述导电材料填入所述图案中。
7.根据权利要求5所述的透明导电体的制备方法,其特征在于,所述导电材料选自金属、金属合金、碳纳米管、石墨烯及导电高分子材料中的至少一种。
8.根据权利要求5所述的透明导电体的制备方法,其特征在于,所述透明基材的材料为玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
9.根据权利要求5所述的透明导电体的制备方法,其特征在于,所述绝缘保护层的材料为热塑性聚合物、热固性聚合物或UV固化聚合物。
CN201210447836.7A 2012-11-09 2012-11-09 透明导电体及其制备方法 Active CN103811105B (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210447836.7A CN103811105B (zh) 2012-11-09 2012-11-09 透明导电体及其制备方法
JP2014545089A JP2015507317A (ja) 2012-11-09 2012-12-20 透明導体及びその製造方法
PCT/CN2012/087075 WO2014071669A1 (zh) 2012-11-09 2012-12-20 透明导电体及其制备方法
KR1020147008183A KR101636859B1 (ko) 2012-11-09 2012-12-20 투명 전도체 및 이의 준비 방법
US14/000,142 US9510456B2 (en) 2012-11-09 2012-12-20 Transparent conductor and preparation method thereof
TW102130719A TWI521552B (zh) 2012-11-09 2013-08-28 透明導電體之製備方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210447836.7A CN103811105B (zh) 2012-11-09 2012-11-09 透明导电体及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103811105A CN103811105A (zh) 2014-05-21
CN103811105B true CN103811105B (zh) 2016-11-16

Family

ID=50683980

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210447836.7A Active CN103811105B (zh) 2012-11-09 2012-11-09 透明导电体及其制备方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2015507317A (zh)
KR (1) KR101636859B1 (zh)
CN (1) CN103811105B (zh)
TW (1) TWI521552B (zh)
WO (1) WO2014071669A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106782774A (zh) * 2017-01-10 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 透明导电薄膜、其制备方法及装置
CN110838390B (zh) * 2019-11-21 2021-08-24 武汉大学 一种激光制备图案化透明导电薄膜的方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102005408A (zh) * 2009-08-31 2011-04-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 金属线形成方法
CN102096535A (zh) * 2010-12-31 2011-06-15 晟光科技股份有限公司 一种制作电容触摸屏的方法
TW201122943A (en) * 2009-12-22 2011-07-01 Au Optronics Corp Touch display panel
CN102279686A (zh) * 2011-09-19 2011-12-14 深圳莱宝高科技股份有限公司 电容式触控面板及其制作方法
CN102722279A (zh) * 2012-05-09 2012-10-10 崔铮 金属网格导电层及其具备该导电层的触摸面板
CN202976874U (zh) * 2012-11-09 2013-06-05 深圳欧菲光科技股份有限公司 透明导电体

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11339574A (ja) * 1998-05-28 1999-12-10 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The Ito膜の形成方法
JP2004031876A (ja) * 2002-06-28 2004-01-29 Shin Etsu Polymer Co Ltd 透光性電磁波シールド部材及びその製造方法
JP2006100458A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Dainippon Printing Co Ltd 複合電磁波シールドフィルタ
JP4171500B2 (ja) * 2006-04-18 2008-10-22 三菱電線工業株式会社 電波遮蔽体及びその製造方法
JP4757169B2 (ja) * 2006-10-17 2011-08-24 三菱電線工業株式会社 周波数選択膜
JP4969268B2 (ja) * 2007-02-19 2012-07-04 三菱重工業株式会社 航空機用窓材およびその製造方法
CN100590801C (zh) * 2007-06-08 2010-02-17 中华映管股份有限公司 导电膜层的制造方法
JP5165451B2 (ja) * 2008-04-23 2013-03-21 藤森工業株式会社 電磁波遮蔽材ロール体の製造方法、電磁波遮蔽材ロール体、及び電磁波遮蔽シート
WO2010013679A1 (ja) * 2008-07-31 2010-02-04 グンゼ株式会社 面状体及びタッチスイッチ
JP5174575B2 (ja) * 2008-07-31 2013-04-03 グンゼ株式会社 タッチパネル
CN101492151A (zh) * 2009-02-17 2009-07-29 华中科技大学 高电导率透明金属型单壁纳米碳管薄膜及其制造方法
JP2010243742A (ja) * 2009-04-06 2010-10-28 Bridgestone Corp ディスプレイ用光学フィルタ
KR101362863B1 (ko) * 2009-06-30 2014-02-14 디아이씨 가부시끼가이샤 투명 도전층 패턴의 형성 방법
JP2011059771A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Hitachi Chem Co Ltd 網目状導電性パターン、導体層パターン付き基材及びタッチパネル部材
US9904393B2 (en) * 2010-06-11 2018-02-27 3M Innovative Properties Company Positional touch sensor with force measurement
JP5667938B2 (ja) * 2010-09-30 2015-02-12 富士フイルム株式会社 静電容量方式タッチパネル
TWI567802B (zh) * 2010-11-19 2017-01-21 富士軟片股份有限公司 觸控面板、觸控面板的製造方法以及導電膜
JP5581183B2 (ja) * 2010-11-19 2014-08-27 富士フイルム株式会社 タッチパネルの製造方法及びタッチパネル用導電性フイルム
JP2012138310A (ja) * 2010-12-28 2012-07-19 Konica Minolta Holdings Inc 有機電子デバイス用給電電極およびその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102005408A (zh) * 2009-08-31 2011-04-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 金属线形成方法
TW201122943A (en) * 2009-12-22 2011-07-01 Au Optronics Corp Touch display panel
CN102096535A (zh) * 2010-12-31 2011-06-15 晟光科技股份有限公司 一种制作电容触摸屏的方法
CN102279686A (zh) * 2011-09-19 2011-12-14 深圳莱宝高科技股份有限公司 电容式触控面板及其制作方法
CN102722279A (zh) * 2012-05-09 2012-10-10 崔铮 金属网格导电层及其具备该导电层的触摸面板
CN202976874U (zh) * 2012-11-09 2013-06-05 深圳欧菲光科技股份有限公司 透明导电体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015507317A (ja) 2015-03-05
KR20140084004A (ko) 2014-07-04
WO2014071669A1 (zh) 2014-05-15
TWI521552B (zh) 2016-02-11
CN103811105A (zh) 2014-05-21
KR101636859B1 (ko) 2016-07-06
TW201419316A (zh) 2014-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2685463A1 (en) Patterned flexible transparent conductive sheet and manufacturing method thereof
CN109828700B (zh) 电容式触控装置及其制作方法
CN103279222B (zh) 触控面板及其制备方法
CN106133660B (zh) 触摸面板及其制造方法
CN108885515A (zh) 对金属互连结构具有增强粘附性的纳米线接触垫
CN103247366B (zh) 电容式透明导电膜及其制造方法
CN202815758U (zh) 触控面板
CN207397244U (zh) 电连接结构及应用其的触控屏、显示装置
CN105204674A (zh) 一种触控显示模组
CN104345929B (zh) 触摸屏
CN203178979U (zh) 触摸屏感应模组及含有该触摸屏感应模组的显示器
CN103412669A (zh) 触摸屏及其制作方法
CN202976874U (zh) 透明导电体
CN103811105B (zh) 透明导电体及其制备方法
US9510456B2 (en) Transparent conductor and preparation method thereof
CN104020889A (zh) 触控基板及其制备方法
CN105204694A (zh) 纳米银线触控面板
CN104020890B (zh) 触控基板与其制作方法以及采用该触控基板的触摸屏
CN203930768U (zh) 触控面板
CN105204673B (zh) 触控面板
CN202623390U (zh) 导电玻璃
CN104793821A (zh) 触控面板及其制作方法
CN203930737U (zh) 触控面板
CN202534373U (zh) 导电玻璃
CN104516587B (zh) 导电膜和触摸屏

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 518106 oufeiguang Science Park, HUAFA section of Songbai highway, Gongming street, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee after: Ophiguang Group Co.,Ltd.

Address before: 518106 oufeiguang Science Park, HUAFA section of Songbai highway, Gongming street, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee before: OFilm Tech Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 518106 oufeiguang Science Park, HUAFA section of Songbai highway, Gongming street, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee after: OFilm Tech Co.,Ltd.

Address before: Baoan District Gongming town of Shenzhen City, Guangdong province 518106 White Pine Road HUAFA Road Light Technology Park

Patentee before: Shenzhen OFilm Tech Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210301

Address after: 231323 Building 1, precision electronics industrial park, Hangbu Town, Shucheng County, Lu'an City, Anhui Province

Patentee after: Anhui jingzhuo optical display technology Co.,Ltd.

Address before: 518106 oufeiguang Science Park, HUAFA section of Songbai highway, Gongming street, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee before: Ophiguang Group Co.,Ltd.