JP3185747U - 一部レーザーアブレーションによるセンサ加工装置、及びタッチ感受性デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】コンパクトなタッチセンサを製作するためのセンサ加工装置及びタッチ感受性デバイスを提供する。
【解決手段】タッチセンサは、基板と、基板上に配置されている第１層と、第１層上に配置されている第２層と、を有する。第２層は、第１層より低いアブレーションフルエンス値を有する。加工装置は、第２層のアブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ第１層のアブレーションフルエンス値より小さい値を有するレーザービームを用いて第２層をパターニングする手段、第２層のパターニング中に露出した第１層の少なくとも一部分をエッチングする手段、および第２層の少なくとも一部分が、エッチング又はレーザーアブレーションによって除去される手段を含む。
【選択図】図１１

Description

本考案は、概括的には、タッチ感受性デバイスに、より厳密にはタッチ感受性デバイスのためのタッチセンサを製作するための加工法に、関する。

タッチ感受性デバイスは、その動作の容易性及び多能性に低価格化も手伝って、コンピューティングシステムへの入力デバイスとして人気を博している。タッチ感受性デバイスは、タッチ感受性の面を有する透き通ったパネルであるタッチセンサパネルと、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の様なディスプレイデバイスとを、タッチ感受性の面がディスプレイデバイスの視認区域の少なくとも一部分を覆うようにディスプレイデバイスを部分的又は全体的にパネルの裏に又はパネルと一体に配置させて含んでいるものである。タッチ感受性デバイスは、ユーザーが、指、スタイラス、又は他の物体を使って、タッチセンサパネルの或る場所を、大抵はディスプレイデバイスによって表示されているユーザーインターフェース（ＵＩ）により指示される場所を、触れることによって様々な機能を遂行できるようにしたものである。一般に、タッチ感受性デバイスは、タッチ事象及びタッチセンサパネル上のタッチ事象の位置を認識することができ、するとコンピューティングシステムがタッチ事象を当該タッチ事象の時点に映し出されている表示に従って翻訳し、その後、タッチ事象に基づく１つ又はそれ以上のアクションを遂行することになる。

使用されることのあるタッチセンサパネルの１つの型式は静電容量タッチセンサパネルである。典型的な静電容量タッチセンサパネルは、駆動ラインの行が感知ラインの列と交差して形成されている格子を含んでいる。駆動ラインは刺激信号によって駆動されるものであって、静電容量結合されている感知ラインにパネルの表面で検知されたタッチ事象を表す出力タッチ信号を生成させる。これらの駆動ラインと感知列は、タッチ感受性デバイスの辺に沿って駆動回路機構と感知回路機構それぞれへ経路付けされている。タッチ感受性デバイスの辺周りの縁の厚さは、駆動ラインの数、感知ラインの数、及びそれぞれのライン間距離に依存するものである。タッチ感受性デバイスの小型化が続いていることから、駆動ライン及び感知ラインのライン間距離を縮めることが望ましい。

従来、駆動ライン及び感知ラインは、リソグラフィー、プリンティング、又はレーザーアブレーションの様な、様々な加工法を使用して、タッチセンサパネル上に製作されてきた。しかしながら、リソグラフィーとプリンティングは典型的に線間距離を大きくしてしまい、その結果、状況によっては、細い縁を持つデバイスをもたらす上で好ましくないこともある。他方、レーザーアブレーションは、ライン材料の微細パターニングを可能にする。しかしながら、レーザーアブレーション加工法は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）の様な高いアブレーションフルエンス値を有するライン材料をパターンニングする場合は、下に在る基板を傷つけかねない。

タッチ感受性デバイスのためのコンパクトなタッチセンサを製作するための加工法が開示されている。加工法は、基板と、基板上に配置されている第１層と、第１層上に配置されている第２層と、を有するタッチセンサ構造を提供する工程を含むことができる。第２層は、第１層のアブレーションフルエンス値より低いアブレーションフルエンス値を有するものとすることができる。加工法は、第２層を、第２層のアブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ第１層のアブレーションフルエンス値より小さいフルエンス値を有するビームを放射するレーザーを用いてパターニングする工程を含むことができる。加工法は、更に、第２層のパターニング中に露出した第１層の少なくとも一部分をエッチングする工程を含むことができる。次いで、第２層の少なくとも一部分が、エッチング又はレーザーアブレーションによって除去されることになる。加工法は、剛性又は可撓性の基板のためのシート・ツー・シート加工法又は可撓性の基板のためのロール・ツー・ロール加工法で使用することができる。

様々な実施形態による、タッチ感受性デバイスと共に使用することのできる例としてのタッチセンサを示している。 様々な実施形態による例としてのタッチ感受性デバイスを示している。 様々な実施形態によるタッチセンサを製造するための例としての加工法を示している。 様々な実施形態による例としてのタッチセンサ構造の断面図を示している。 様々な実施形態による例としてのタッチセンサ構造の上面図と下面図を示している。 様々な実施形態による例としてのタッチセンサ構造の断面図を示している。 様々な実施形態による例としてのタッチセンサ構造の上面図と下面図を示している。 様々な実施形態による例としてのタッチセンサ構造の断面図を示している。 様々な実施形態による例としてのタッチセンサ構造の上面図と下面図を示している。 様々な実施形態による例としてのタッチセンサ構造の断面図を示している。 様々な実施形態による例としてのタッチセンサ構造の上面図と下面図を示している。 様々な実施形態によるタッチセンサを製作するための例としての加工法を示している。 様々な実施形態によるタッチセンサを製造するための例としてのシステムを示している。 様々な実施形態によるタッチセンサを含んでいる例としての個人用デバイスを示している。 様々な実施形態によるタッチセンサを含んでいる別の例としての個人用デバイスを示している。

次に続く例としての実施形態の説明では、実践され得る特定の実施形態が実例として示されている添付図面を参照している。様々な実施形態の範囲から逸脱することなく、他の実施形態が使用されることもあれば構造的な変更が成されることもあるものと理解されたい。

本考案は、タッチ感受性デバイスのためのコンパクトなタッチセンサを製作するための加工法に関する。加工法は、基板と、基板上に配置されている第１層と、第１層上に配置されている第２層と、を有するタッチセンサ構造を提供する工程を含むことができる。第２層は、第１層のアブレーションフルエンス値より低いアブレーションフルエンス値を有するものとすることができる。材料のアブレーションフルエンス値とは、レーザーによって放射されるビームの、材料のアブレーションが起こり得るフルエンス値（単位面積当たりエネルギー）をいう。加工法は、第２層を、第２層のアブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ第１層のアブレーションフルエンス値より小さいフルエンス値を有するビームを放射するレーザーを用いてパターニングする工程を含むことができる。加工法は、更に、第２層のパターニング中に露出した第１層の少なくとも一部分をエッチングする工程を含むことができる。第２層の少なくとも一部分は、こうして、エッチング又はレーザーアブレーションによって除去されることになる。加工法は、剛性又は可撓性の基板のためのシート・ツー・シート加工法又は可撓性の基板のためのロール・ツー・ロール加工法で使用することができる。

図１は、携帯電話、タブレット、タッチパッド、携帯型コンピュータ、携帯型メディアプレーヤー、など、の様なタッチ感受性デバイス上のタッチ事象を検知するのに使用することのできるタッチセンサ１００を示している。タッチセンサ１００は、駆動ライン１０１の行（Ｄ０−Ｄ３）と感知ライン１０３の列（Ｓ０−Ｓ４）との交差点に形成されるタッチ領域１０５のアレイを含むことができる。それぞれのタッチ領域１０５は、駆動ラインが刺激されたとき、交差する駆動ライン１０１と感知ライン１０３の間に形成される、関連付けられる相互静電容量Ｃｓｉｇ１１１を有することになる。駆動ライン１０１は、駆動回路機構（図示せず）によって提供される刺激信号１０７によって刺激され、交流電流（ＡＣ）波形を含むものである。感知ライン１０３は、タッチセンサ１００でのタッチを指し示すタッチ信号１０９を感知回路機構（図示せず）へ伝送することができ、感知回路機構は、それぞれの感知ライン毎に感知増幅器を含んでいてもよいし、より少数の感知増幅器を含み、それらを多重化して、より多数の感知ラインへ接続させていてもよい。

タッチセンサ１００でのタッチを感知するのに、駆動ライン１０１は、刺激信号１０７によって刺激されて、交差する感知ライン１０３と静電容量結合し、それにより駆動ライン１０１から感知ライン１０３への電荷を結合するための静電容量経路を形成する。交差する感知ライン１０３は、結合された電荷又は電流を表すタッチ信号１０９を出力することができる。ユーザーの指（又は他の物体）がタッチセンサ１００に触れたとき、指はタッチ場所での静電容量Ｃｓｉｇ１１１を量ΔＣｓｉｇだけ減らす。この静電容量変化ΔＣｓｉｇは、刺激された駆動ライン１０１からの電荷又は電流が、タッチ場所の交差する感知ライン１０３へ結合されるのではなしに触れている指を通って大地へ逸れてしまうことによって生じる。静電容量変化ΔＣｓｉｇを表すタッチ信号１０９は、感知ライン１０３から処理のために感知回路機構へ伝送されることになる。タッチ信号１０９は、タッチが起こったタッチ領域と当該タッチ領域場所に起こったタッチの量とを指し示すことができる。

図１に示されている実施形態は、４本の駆動ライン１０１と５本の感知ライン１０３を含んでいるが、タッチセンサ１００は、所望の数及び所望のパターンのタッチ領域１０５を形成するために幾つの数の駆動ライン１０１及び幾つの数の感知ライン１０３を含むこともできるものと認識されたい。加えて、駆動ライン１０１と感知ライン１０３は図１には交差する構成で示されているが、所望のタッチ領域パターンを形成するのに他の構成も実施可能であるものと認識されたい。図１は、相互静電容量タッチ感知方式を例示しているが、自己静電容量タッチ感知方式、抵抗性タッチ感知方式、投射走査タッチ感知方式、など、の様な他のタッチ感知技術も本開示の実施形態と関連付けて使用することができる。また、様々な実施形態はタッチの感知を記述しているが、タッチセンサ１００はホバリング物体を感知し、そこからホバリング信号を生成することもできるものと認識されたい。

図２は、携帯電話、タッチパッド、携帯型コンピュータ、携帯型メディアプレーヤー、など、の様な例としてのデバイス２００の上面図を示している。デバイス２００は、デバイスのディスプレイ上のタッチ事象を検知するためのタッチセンサ１００を含むことができる。図２の例では、タッチセンサ１００は、８本の駆動ライン１０１と６本の感知ライン１０３を含んでいる。とはいえ、タッチセンサ１００では、幾つの数の駆動ライン１０１及び幾つの数の感知ライン１０３が使用されていてもよいものと認識されたい。

幾つかの例では、駆動ライン１０１の一端はデバイス２００の辺に沿って第１駆動ライン出力パッド又は接点部分２０１へ経路付けられており、一方、駆動ライン１０１の他端は、デバイス２００の反対側の辺に沿って第２駆動ライン出力パッド又は接点部分２０３へ経路付けられている。第１駆動ライン接点部分２０１及び第２駆動ライン接点部分２０３は、駆動ライン１０１それぞれの露出している区間を含んでおり、平ケーブル又は可撓性のプリント回路（「ＦＰＣ」）の様な外部デバイス又はコネクタに、駆動ライン１０１の各端へ結合するのに使用させるものである。

幾つかの例では、一部の感知ライン１０３の一端は、第１感知ライン出力パッド又は接点部分２０５へ経路付けられており、一方、残りの感知ライン１０３は、第２感知ライン出力パッド又は接点部分２０７へ経路付けられている。駆動ライン接点部分２０１及び２０３と同様に、感知ライン接点部分２０５及び２０７は、感知ライン１０３の露出している区間を含んでおり、平ケーブル又はＦＰＣの様な外部デバイス又はコネクタに、感知ライン１０３の端へ連結するのに使用させることができる。図２の例は、第１感知ライン接点部分２０５へ経路付けられている３本の感知ライン１０３及び第２感知ライン接点部分２０７へ経路付けられている３本の感知ライン１０３を含んでいるが、幾つの数の感知ライン１０３が幾つの数の感知ライン接点部分へ経路付けられていてもよいものと認識されたい。例えば、デバイス２００は１０本の感知ライン１０３を含んでいて、１０本全てが単一の感知ライン接点部分へ経路付けられていることもあれば、一方、他の実施形態では、デバイス２００は９本の感知ラインを含んでいて、それぞれ３本ずつが３つの感知ライン接点部分へ経路付けられている。また、図２は、デバイスの上辺に沿った接点部分２０１、２０３、２０５、及び２０７を示しているが、接点部分２０１、２０３、２０５、及び２０７は、デバイス２００の構成要素の配置次第でデバイス２００の異なった区域に置かれ、駆動ライン１０１及び感知ライン１０３がそれらの構成要素を周って各々対応する接点部分へ適切に経路付けされていてもよいものと認識されたい。

幾つかの例では、覆い材料（例えば、ガラス、プラスチック、など）が、図２に示されている構成要素の上から設置されている。この覆い材料は、デバイスの視認区域の外の駆動ライン１０１及び感知ライン１０３の部分をユーザーの視界から隠す黒色マスクを自身の辺に沿って含むことができる。例えば、黒色マスクは、デバイス２００の辺に沿って置かれている駆動ライン１０１及び感知ラインの部分を覆うことができる。図２から分かるように、デバイス２００の右側と左側に必要とされる黒色マスクの幅は、駆動ライン１０１の数とデバイス２００の辺に沿った駆動ライン１０１のライン間距離に依存する。黒色マスクの幅を削減し、デバイス２００の全体としての幅を削減するには、駆動ライン１０１のライン間距離を小さくするのが望ましいであろう。駆動ライン１０１及び感知ライン１０３が異なった構成で経路付けられている場合、デバイスの視認区域の外の駆動ライン１０１及び感知ライン１０３の部分を覆うのに必要とされる黒色マスクの幅は、追加的又は代替的に、感知ライン１０３の数と感知ライン１０３のライン間距離及び／又は感知ライン１０３と駆動ライン１０１のライン間距離に依存するものと認識されたい。

図３は、タッチセンサ１００と類似又は同一のタッチセンサを製造するための例としての加工法３００を示している。加工法３００について、以下、図４−図１１を参照して説明する。ブロック３０１で、タッチセンサ構造が提供される。図４は、加工法３００で使用することのできる例としてのタッチセンサ構造４００を示している。タッチセンサ構造４００は、プラスチック、ガラス、剛性又は可撓性のガラス、又は剛性又は可撓性の複合材の様な、何れかの基板材料で作られた基板４０１を含むことができる。タッチセンサ構造４００は、更に、基板４０１の上面上に配置されている第１上層４０３を含んでいる。第１上層４０３は、ＩＴＯ、銅、銀、他の金属、他の酸化物、など、の様な電気伝導性材料を含むことができる。タッチセンサ構造４００は、更に、第１上層４０３の基板４０１とは反対の面上に配置されている第２上層４０５を含むことができる。第２上層４０５は、銀、金、アルミニウム、他の金属、不動態層、など、を含むことができる。第２上層４０５は、単一層から形成されていてもよいし、又は多層金属又は金属−有機積層体の様な層の組合せを含んでいてもよい。幾つかの例では、第２上層４０５の材料は、第１上層４０３の材料のアブレーションフルエンス値より低いアブレーションフルエンス値を有するものとすることができる。換言すると、第２上層４０５の材料にアブレーションを施すのに必要とされるレーザービームのフルエンス値は、第１上層４０３の材料にアブレーションを施すのに必要とされるレーザービームのフルエンス値より低いとされている。以下により詳細に説明してゆくが、これらの相対アブレーションフルエンス値を有する材料の選択により、第２上層４０５を第１上層４０３のためのエッチング用マスクとして使用することが可能になる。

幾つかの例では、随意的に、タッチセンサ構造４００は、更に、基板４０１の下面上に配置されている第１下層４０７を含むことができる。第１下層４０７は、第１上層４０３と同じ材料又は異なった材料を含むことができる。例えば、第１下層４０７は、ＩＴＯ、銅、他の金属、他の酸化物、など、の様な電気伝導性材料を含むことができる。随意的に、タッチセンサ構造４００は、更に、第１下層４０７の基板４０１とは反対側の面上に配置されている第２下層４０９を含むことができる。第２下層４０９は、第２上層４０５と同じ材料又は異なった材料を含むことができる。例えば、第２下層４０９は、銀、金、アルミニウム、他の金属、不動態層、など、を含むことができる。第２下層４０９は、単一層から形成されていてもよいし、又は多層金属又は金属−有機積層体の様な層の組合せを含んでいてもよい。幾つかの例では、第２下層４０９の材料は、第１下層４０７の材料のアブレーションフルエンス値より低いアブレーションフルエンス値を有するものとすることができる。

図５は、タッチセンサ構造４００の上面図５０１及び下面図５０３を示している。見て分かるように、タッチセンサ構造４００の上面は第２上層４０５によって覆われ、タッチセンサ構造４００の下面は第２下層４０９によって覆われている。

図３に戻って、ブロック３０３では、タッチセンサ構造の第２層が、レーザーアブレーションを使用してパターニングされることになる。幾つかの例では、限定するわけではないがＸｅＣｌを含むエキシマレーザーの様なレーザーを、タッチセンサ構造の表面へ浴びせて、所望のパターンを生成させることができる。例えば、図６に示されている様に、第２上層４０５及び第２下層４０９の諸部分を、レーザーアブレーションを使用して除去し、図示のパターンを形成することができる。以上に述べられている様に、第１上層４０３のアブレーションフルエンス値は第２上層４０５のアブレーションフルエンス値より大きいとされる。よって、第２上層４０５のアブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ第１上層４０３のアブレーションフルエンス値より小さいフルエンス値を有するビームを放射するレーザーがタッチセンサ構造４００に浴びせられると、第１上層４０３は除去されることなく第２上層４０５の諸部分が除去されることになる。例えば、第１上層４０３は大凡２Ｊ／ｃｍ²より大きいアブレーションフルエンス値を有するＩＴＯから形成され、第２上層４０５は大凡６０−１００ｍＪ／ｃｍ²のアブレーションフルエンス値を有する銀又は金の様な金属から形成することができる。そうすると、第２上層４０５の諸部分を選択的に除去するには、６０−１００ｍＪ／ｃｍ²から２Ｊ／ｃｍ²の間のフルエンス値を有するビームを放射するレーザーをタッチセンサ構造４００に浴びせればよい。別の例では、第１上層４０３はＩＴＯから形成され、第２上層４０５はＴｉから形成されている。この例では、第２上層４０５を選択的に除去するには、２０ｍＪ／ｃｍ²から２Ｊ／ｃｍ²の間の（例えば２０ｍＪ／ｃｍ²から３００ｍＪ／ｃｍ²の間）のフルエンス値を有するビームを放射するレーザーをタッチセンサ構造４００に浴びせればよい。同様に、第２下層４０９は、第２下層４０９のアブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ第１下層４０７のアブレーションフルエンス値より小さいフルエンス値を有するレーザービームを使用して選択的に除去することができる。

図７は、ブロック３０３でのレーザーアブレーションを使用したタッチセンサ構造４００のパターニング後の、タッチセンサ構造４００の上面図５０１と下面図５０３を示している。具体的には、上面図５０１は、第２上層４０５の諸部分が除去され、それにより第１上層４０３を露出させたことを示している。第２上層４０５のそのままに残った部分は、デバイスの中央に列部を形成し、更にタッチセンサ構造４００の辺の周りに条片部を形成している。以下により詳細に論じてゆくが、第２上層４０５のそのままに残った部分はマスクとして使用されるものであり、感知列１０３（又は代わりに駆動行１０１）を形成するのに使用される導電トレース及び感知列１０３（又は代わりに駆動行１０１）をタッチセンサ構造４００の辺に沿って経路付けるのに使用されるトレースの場所に対応している。同様に、下面部５０３は、第２下層４０９の諸部分が除去され、それにより第１下層４０７を露出させたことを示している。第２下層４０９のそのままに残った部分は、デバイスの中央に行部を形成し、更にタッチセンサ構造４００の辺の周りに条片部を形成している。幾つかの例では、行部は第２上層４０５に形成されている列部に直交（又は製造公差により少なくとも実質的に直交）している。加えて、以下により詳細に論じてゆくが、第２下層４０９のそのままに残った部分はマスクとして使用されるものであり、駆動行１０１（又は代わりに感知列１０３）を形成するのに使用される導電トレース及び駆動行１０１（又は代わりに感知列１０３）をタッチセンサ構造４００の辺に沿って経路付けるのに使用されるトレースに対応している。第２上層４０５の列部及び第２下層４０９の行部は、タッチセンサ構造４００の周囲の第２上層４０５の条片部及び第２下層４０９の条片部からそれぞれ切り離されているものとして示されているが、各行部及び各列部は、タッチセンサ構造４００の辺に沿って経路付けられることになる条片部へ結合されている場合もあろう。

図３に戻って、ブロック３０５では、ブロック３０３で遂行されたパターニング後に露出したタッチセンサ構造の第１層の少なくとも一部分がエッチングされることになる。幾つかの例では、ブロック３０３後に露出した層を、ＨＣｌ：ＨＮＯ₃：Ｈ₂Ｏ又はＨＦ：Ｈ₂Ｏ₂：Ｈ₂Ｏの様なエッチング剤を使用し、パターニングされた層をマスクとして使用しながらエッチングすることができる。図８に示されている例では、第１上層４０３の諸部分は、第２上層４０５をマスクとして使用しながらエッチングされることになる。使用されるエッチング剤は、第１上層４０３の材料をエッチングすることはできるが但し第２上層４０５又は基板４０１の材料はエッチングしないエッチング剤とすることができる。当業者にあっては、第１上層４０３、第２上層４０５、及び基板４０１として使用されている材料に基づき、適切なエッチング剤を選択することができるであろう。同様に、第１下層４０７の諸部分は、第２下層４０９をマスクとして使用しながらエッチングされることになる。使用されるエッチング剤は、第１下層４０７の材料をエッチングすることはできるが但し第２下層４０９又は基板４０１の材料はエッチングしないエッチング剤とすることができる。当業者にあっては、第１下層４０７、第２下層４０９、及び基板４０１として使用されている材料に基づき、適切なエッチング剤を選択することができるであろう。

図９は、第１上層４０３及び第１下層４０７のエッチング後のタッチセンサ構造４００の上面図５０１と下面図５０３を示している。具体的には、上面図５０１は、第１上層４０３の露出した部分が除去された後の下に在る基板４０１の諸部分を示している。同様に、下面図５０３は、第１下層４０７の露出した部分が除去された後の下に在る基板４０１の諸部分を示している。

図３に戻って、ブロック３０７では、第２層の少なくとも一部分が除去されることになる。図１０に示されている様に、第２上層４０５の一部分が、ブロック３０３で使用されたのと類似又は同一のアブレーション技法を使用して除去されてもよい。代わりに、第２上層４０５全てが、ブロック３０３で使用されたのと類似又は同一のアブレーション技法を使用して除去されてもよい。第２上層４０５の一部又は全部を除去するのに使用されるレーザービームは、ブロック３０３で使用されたものと同じ特性を有していてもよい。代わりに、第２上層４０５の一部又は全部を除去するのに使用されるレーザービームは、第２上層４０５の材料のアブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ第１上層４０３の材料のアブレーションフルエンス値より小さい、異なったフルエンス値を有していてもよい。他の例では、第２上層４０５の一部又は全部は、ブロック３０５で使用されたのと類似又は同一のエッチング技法を使用して除去されることになる。例えば、第２上層４０５の諸部分は、第２上層４０５をエッチングするが但し第１上層４０３及び基板４０１はエッチングしないように構成されているエッチング剤を使用して除去することができる。使用される特定のエッチング剤は、第１上層４０３、第２上層４０５、及び基板４０１として使用されている材料に依存する。例えば、第１上層４０３がＩＴＯを含み、第２上層４０５がＴｉを含み、基板４０１がガラス又はプラスチックの膜を含んでいるなら、ＨＣｌ：ＨＮＯ₃：Ｈ₂Ｏのエッチング剤が使用できるであろう。

幾つかの例では、ブロック３０７で除去される第２上層４０５の部分は、タッチセンサ基板４００が使用されているデバイスの視認区域に対応している。これは、幾つかの例では、第１上層４０３が随意的にＩＴＯの様な透明な材料から作られ、一方、第２上層４０５が随意的に銀又はＴｉの様な不透明な材料から作られているために、行われるものである。こうして、タッチ感受性デバイスの視認区域に可視のラインが作り出されるのを避けるために、不透明な第２上層４０５はこれらの場所では除去されることになる。視認区域の外の第２上層４０５の諸部分は、除去されるか、又はこれらの部分がタッチ感受性デバイスの覆い材料側の黒色マスクを使用して覆われるのでそのままに残されるか、どちらかとなろう。第１下層４０７及び第２下層４０９へは類似又は同一の加工法が遂行されてもよい。

図１１は、第２上層４０５及び第２下層４０９の諸部分が除去された後のタッチセンサ構造４００の上面図５０１と下面図５０３を示している。具体的には、上面図５０１は、タッチセンサ構造４００の中央寄りに位置する第２上層４０５の諸部分（タッチセンサ構造４００が使用されるデバイスの視認領域に対応する）が除去され、それにより下に在る第１上層４０３を露出させたことを示している。また一方、デバイスの辺付近の第２上層４０５の諸部分（タッチセンサ構造４００が使用されるデバイスの視認区域の外の区域に対応する）はそのままに保たれている。同様に、下面図５０３は、タッチセンサ構造４００の中央寄りに位置する第２下層４０９の諸部分（タッチセンサ構造４００が使用されるデバイスの視認領域に対応する）が除去され、それにより下に在る第１下層４０７を露出させたことを示している。加えて、下面図５０３は、デバイスの辺付近の第２下層４０９の諸部分（タッチセンサ構造４００が使用されるデバイスの視認区域の外の区域に対応する）がそのままに保たれていることを示している。

加工法３００を使用してタッチセンサを製造することにより、コンパクトなタッチセンサを作ることができる。これは、材料を微細にパターニングするのに使用することのできるレーザーアブレーションと下に在る基板への損傷を生じさせないエッチングとの組合せのおかげで実現可能となる。具体的には、マスク層（例えば第２上層４０５及び／又は第２下層４０９）にアブレーションを施すことによって、微細にパターニングされたエッチング用マスクが生成され、当該マスクを使用して、下に在る導電材料（例えば第１上層４０３及び／又は第１下層４０７）をエッチングすることができる。このやり方では、デバイスの視認区域の外（例えば図２に示されているデバイス２００の右辺及び左辺付近）の駆動ライン及び／又は感知ラインを密に詰めて設置することができ、それによりデバイスの大きさを縮小することができる。

図１２は、タッチセンサ１００と類似又は同一のタッチセンサを製造するための例としての加工法１２００を示している。加工法１２００は、ブロック１２０１と１２０３がブロック３０１の代わりに使用されている以外は加工法３００と同様である。具体的には、ブロック１２０１では、第１層を基板の上へ堆積させる。例えば、第１上層４０３と類似又は同一の第１層を、基板４０１と類似又は同一の基板の上へ、何れかの既知の堆積技法を使用して堆積させることができる。第１層は、ＩＴＯ、銅、銀、他の金属、又は他の酸化物、の様な電気伝導性の材料を含むことができる。

幾つかの例では、随意的に、追加の第１層を、基板の反対の面上に堆積させることができる。第１下層４０７と類似又は同一の第１層を、基板４０１と類似又は同一の基板の下面の上へ堆積させてもよい。追加の第１層は、第１上層４０３と同じ材料又は異なった材料を含むことができる。例えば、追加の第１層は、ＩＴＯ、銅、他の金属、又は他の酸化物、の様な電気伝導性の材料を含むことができる。

ブロック１２０３では、第２層を第１層の上へ堆積させる。例えば、第２上層４０５と類似又は同一の第２層を第１層(例えば第１上層４０３)の上へ堆積させてもよい。第２層は、銀、金、アルミニウム、他の金属、不動態層、など、を含むことができる。第２上層は、単一層から形成されていてもよいし、又は多層金属又は金属−有機積層体の様な層の組合せを含んでいてもよい。幾つかの例では、第２層の材料は、第１層の材料のアブレーションフルエンス値より低いアブレーションフルエンス値を有するものとすることができる。第１層及び第２層にこれらの相対アブレーションフルエンス値を有する材料を選択することにより、第２層にアブレーションを施して第１層のためのエッチング用マスクとして使用することが可能となる。

幾つかの例では、随意的に、追加の第２層を、基板の反対側の面の上へ堆積させた追加の第１層の上に堆積させることができる。例えば、第２下層４０９と類似又は同一の第２層を、第１下層４０７と類似又は同一である追加の第１層の上へ堆積させてもよい。追加の第２層は、第２上層４０５と同じ材料又は異なった材料を含むことができる。例えば、追加の第２層は、銀、金、アルミニウム、他の金属、不動態層、など、を含むことができる。第２上層は、単一層から形成されていてもよいし、又は多層金属又は金属−有機積層体の様な層の組合せを含んでいてもよい。幾つかの例では、第２層（例えば第２下層４０９）の材料は、第１層（例えば第１下層４０７）の材料のアブレーションフルエンス値より低いアブレーションフルエンス値を有するものとすることができる。

上述のタッチセンサの製造に関係する機能の１つ又はそれ以上は、図１３に示されているシステム１３００と類似又は同一のシステムによって遂行させることができる。システム１３００は、メモリ１３０３又はストレージデバイス１３０１の様な非一時的コンピュータ可読記憶媒体に記憶されていてプロセッサ１３０５によって実行される命令を含むことができる。命令は、同様に、命令実行システム、装置、又はデバイスである例えばコンピュータベースのシステム、プロセッサを内蔵するシステム、又は命令実行システム、装置、又はデバイスから命令をフェッチし命令を実行することのできる他のシステムなど、によって又はそれと関連付けて使用されるように、任意の非一時的コンピュータ可読記憶媒体内に記憶及び／又は輸送されてもよい。本書の観点では、「非一時的コンピュータ可読記憶媒体」は、命令実行システム、装置、又はデバイスによって又はそれと関連付けて使用されるようにプログラムを保有又は記憶することのできる何れの媒体であってもよい。非一時的コンピュータ可読記憶媒体には、限定するわけではないが、電子式、磁気式、光学式、電磁式、赤外線式、又は半導体式のシステム、装置、又はデバイス、携帯型コンピュータディスケット（磁気式）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）（磁気式）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）（磁気式）、消去可能プログラム可能読み出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）（磁気式）、ＣＤ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ、又はＤＶＤ−ＲＷの様な携帯型光学式ディスク、又はコンパクトフラッシュカード、セキュアドデジタルカード、ＵＳＢメモリデバイス、メモリスティックの様なフラッシュメモリ、など、が含められる。

命令は、同様に、命令実行システム、装置、又はデバイスである例えばコンピュータベースのシステム、プロセッサを内蔵するシステム、又は命令実行システム、装置、又はデバイスから命令をフェッチし命令を実行することのできる他のシステムなど、によって又はそれと関連付けて使用されるように、任意の輸送媒体内に伝達されてもよい。本書の観点では、「輸送媒体」は、命令実行システム、装置、又はデバイスによって又はそれと関連付けて使用されるようにプログラムを通信、伝達、又は輸送することのできる何れの媒体であってもよい。輸送媒体には、限定するわけではないが、電子式、磁気式、光学式、電磁式、又は赤外線式の、有線又は無線の伝達媒体が含められる。

システム１３００は、更に、プロセッサ１３０５へ結合されている製造デバイス１３０７を含むことができる。製造デバイス１３０７は、タッチセンサ構造の各種層（例えば、第１上層４０３、第２上層４０５、第１下層４０７、及び第２下層４０９）を基板の上へ堆積させるように構成されている堆積デバイス１３１１と、層のうちの１層又はそれ以上（例えば第２上層４０５及び／又は第２下層４０９）にアブレーションを施すように構成されているアブレーションデバイス１３１３と、層のうちの１層又はそれ以上（例えば、第１上層４０３、第２上層４０５、第１下層４０７、及び第２下層４０９）に乾式又は湿式エッチングを行うように構成されているエッチングデバイス１３１５と、を含むことができる。プロセッサ１３０５は、製造デバイス１３０７及びそれの構成要素を制御して、加工法３００及び／又は１２００と関連付けて以上に説明されているやり方と類似又は同一のやり方で、各種層（例えば、第１上層４０３、第２上層４０５、第１下層４０７、及び第２下層４０９）の堆積、アブレーション、エッチング、又はそれらの組合せを行わせる。

システムは図１３の構成要素及び構成に限定されるものではなく、様々な実施形態により他の構成要素又は追加の構成要素を複合的な構成で含むことができるものと理解されたい。加えて、システム１３００の構成要素は、単一のデバイス内に含まれていてもよいし、又は複数のデバイス間に分散していてもよい。幾つかの実施形態では、プロセッサ１３０５は、製造デバイス１３０７内に置かれていてもよい。

図１４は、様々な実施形態によるタッチセンサを含むことのできる、タブレットの様な例としての個人用デバイス１４００を示している。

図１５は、様々な実施形態によるタッチセンサを含むことのできる、携帯電話の様な別の例としての個人用デバイス１５００を示している。

従って、上記に鑑み、本開示の幾つかの例は、基板と、基板の面上に配置されている第１層であって関連付けられる第１アブレーションフルエンス値を有する第１層と、第１層の基板とは反対側の面上に配置されている第２層であって第１アブレーションフルエンス値より小さい関連付けられる第２アブレーションフルエンス値を有する第２層と、を備えるタッチセンサ構造を提供するための手段と、第２層に、第２アブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ第１アブレーションフルエンス値より小さいフルエンス値を有するエネルギーを放射することによってアブレーションを施すための手段と、第２層にアブレーションを施した後に露出した第１層の少なくとも一部分を除去するための手段と、第１層の一部分を除去した後に第２層の少なくとも一部分を除去するための手段と、を備えるシステムに向けられている。以上に開示されている例の１つ又はそれ以上に追加して又はそれに代えて、幾つかの例では、第２層にアブレーションを施した後に露出した第１層の一部分を除去するための手段は、第１層の一部分をエッチングするための手段を含むことができる。以上に開示されている例の１つ又はそれ以上に追加して又はそれに代えて、幾つかの例では、第１層の一部分を除去した後に第２層の一部分を除去するための手段は、第２層の一部分にアブレーションを施すための手段を含むことができる。以上に開示されている例の１つ又はそれ以上に追加して又はそれに代えて、幾つかの例では、第１層の一部分を除去した後に第２層の一部分を除去するための手段は、第２層の一部分をエッチングするための手段を含むことができる。

本開示の幾つかの例は、関連付けられる第１アブレーションフルエンス値を有する第１層を基板の上へ堆積させるための手段と、第１アブレーションフルエンス値より小さい関連付けられる第２アブレーションフルエンス値を有する第２層を第１層の上に堆積させるための手段と、第２層を、第２アブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ第１アブレーションフルエンス値より小さいフルエンス値を有するエネルギーを放射することによってパターニングするための手段と、第２層をパターニングした後に露出した第１層の少なくとも一部分を除去するための手段と、第１層の一部分を除去した後に第２層の少なくとも一部分を除去するための手段と、を備えるシステムに向けられている。以上に開示されている例の１つ又はそれ以上に追加して又はそれに代えて、幾つかの例では、第２層の一部分を除去するための手段は、第１層及び基板をエッチングすることなく第２層をエッチングするように構成されているエッチング剤を使用して第２層の一部分をエッチングするための手段を含むことができる。以上に開示されている例の１つ又はそれ以上に追加して又はそれに代えて、幾つかの例では、第２層の一部分を除去するための手段は、第２アブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ第１アブレーションフルエンス値より小さいフルエンス値を有するエネルギーを放射することによって第２層の一部分にアブレーションを施すための手段を含むことができる。以上に開示されている例の１つ又はそれ以上に追加して又はそれに代えて、幾つかの例では、第１層はインジウムスズ酸化物を含むことができ、第２層はＴｉを含むことができ、その場合、第２層をパターニングするために放射されるエネルギーのフルエンス値は２０ｍＪ／ｃｍ²から３００ｍＪ／ｃｍ²の間とすることができる。

本開示の幾つかの例は、基板と、基板の面上に配置されている第１層であって関連付けられる第１アブレーションフルエンス値を有する第１層と、第１層の基板とは反対側の面上に配置されている第２層であって第１アブレーションフルエンス値より小さい関連付けられる第２アブレーションフルエンス値を有する第２層と、を備えるタッチセンサ構造を提供するための手段と、第２層に、第２アブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ第１アブレーションフルエンス値より小さいフルエンス値を有するエネルギーを放射することによってアブレーションを施すための手段と、第２層にアブレーションを施した後に露出した第１層の少なくとも一部分を除去するための手段と、を備えるシステムに向けられている。以上に開示されている例の１つ又はそれ以上に追加して又はそれに代えて、システムは、更に、第１層の一部分を除去した後に第２層の少なくとも一部分を除去するための手段を含むことができる。以上に開示されている例の１つ又はそれ以上に追加して又はそれに代えて、基板は、更に、基板の第１層とは反対側の面上に配置されている第３層であって関連付けられる第３アブレーションフルエンス値を有する第３層と、第３層の基板とは反対側の面上に配置されている第４層であって第３アブレーションフルエンス値より小さい関連付けられる第４アブレーションフルエンス値を有する第４層と、を含むことができる。以上に開示されている例の１つ又はそれ以上に追加して又はそれに代えて、システムは、更に、第４層に、第４アブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ第３アブレーションフルエンス値より小さいフルエンス値を有するエネルギーを放射することによってアブレーションを施すための手段と、第４層にアブレーションを施した後に露出した第３層の少なくとも一部分を除去するための手段と、を含むことができる。

本開示の幾つかの例は、関連付けられる第１アブレーションフルエンス値を有する第１層を基板の面の上へ堆積させるための手段と、第１アブレーションフルエンス値より小さい関連付けられる第２アブレーションフルエンス値を有する第２層を第１層の基板とは反対側の面上に堆積させるための手段と、第２層を、第２アブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ第１アブレーションフルエンス値より小さいフルエンス値を有するエネルギーを放射することによってパターニングするための手段と、第２層をパターニングした後に露出した第１層の少なくとも一部分を除去するための手段と、を備えるシステムに向けられている。以上に開示されている例の１つ又はそれ以上に追加して又はそれに代えて、システムは、更に、第１層の一部分を除去した後に第２層の少なくとも一部分を除去するための手段を含むことができる。以上に開示されている例の１つ又はそれ以上に追加して又はそれに代えて、システムは、更に、関連付けられる第３アブレーションフルエンス値を有する第３層を基板の第１層とは反対側の面の上へ堆積させるための手段と、第３アブレーションフルエンス値より小さい関連付けられる第４アブレーションフルエンス値を有する第４層を第３層の基板とは反対側の面上に堆積させるための手段と、第４層を、第４アブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ第３アブレーションフルエンス値より小さいフルエンス値を有するエネルギーを放射することによってパターニングするための手段と、第４層をパターニングした後に露出した第３層の少なくとも一部分を除去するための手段と、を含むことができる。以上に開示されている例の１つ又はそれ以上に追加して又はそれに代えて、システムは、更に、第３層の一部分を除去した後に第４層の少なくとも一部分を除去するための手段を含むことができる。以上に開示されている例の１つ又はそれ以上に追加して又はそれに代えて、第２層をパターニングするための手段は、第２層をパターニングして複数の列部を形成するための手段を含むことができ、その場合、第４層をパターニングするための手段は、第４層をパターニングして、複数の列部に少なくとも実質的に直交している複数の行部を形成するための手段を含むことができる。

本開示の幾つかの例は、第１層に、第１フルエンス値に従ってアブレーションを施して複数の導電トレースのためのパターンを形成し、第２層をパターンに整合するようエッチングして、エッチング後の第２層を導電トレースとする、ことによって形成された複数の導電トレースを備えるタッチ感受性デバイスに向けられている。以上に開示されている例の１つ又はそれ以上に追加して又はそれに代えて、第１フルエンス値は第２層のアブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ第１層のアブレーションフルエンス値より小さいものとすることができる。以上に開示されている例の１つ又はそれ以上に追加して又はそれに代えて、第２層はインジウムスズ酸化物を含むことができ、第１層はＴｉを含むことができ、その場合、第１フルエンス値は２０ｍＪ／ｃｍ²から３００ｍＪ／ｃｍ²の間である。

添付図面を参照しながら実施形態を詳しく説明してきたが、当業者には様々な変更及び修正が自明となるであろうことを指摘しておきたい。その様な変更及び修正は、付随の特許請求の範囲によって定義されている様々な実施形態の範囲内に包含されるものと理解されたい。

１００ タッチセンサ
１０１ 駆動ライン
Ｄ０−Ｄ３ 駆動ラインの行
１０３ 感知ライン
Ｓ０−Ｓ４ 感知ラインの列
１０５ タッチ領域
１０７ 刺激信号
１０９ タッチ信号
１１１ 相互静電容量Ｃｓｉｇ
２００ デバイス
２０１ 第１駆動ライン出力パッド又は接点部分
２０３ 第２駆動ライン出力パッド又は接点部分
２０５ 第１感知ライン出力パッド又は接点部分
２０７ 第２感知ライン出力パッド又は接点部分
４００ タッチセンサ構造
４０１ 基板
４０３ 第１上層
４０５ 第２上層
４０７ 第１下層
４０９ 第２下層
１３００ システム
１３０１ ストレージデバイス
１３０３ メモリ
１３０５ プロセッサ
１３０７ 製造デバイス
１３１１ 堆積デバイス
１３１３ アブレーションデバイス
１３１５ エッチングデバイス
１４００、１５００ 個人用デバイス

上述のタッチセンサの製造に関係する機能の１つ又はそれ以上は、図１３に示されているシステム１３００と類似又は同一のシステムによって遂行させることができる。システム１３００は、メモリ１３０３又はストレージデバイス１３０１の様な非一時的コンピュータ可読記憶媒体に記憶されていてプロセッサ１３０５によって実行される命令を含むことができる。命令は、同様に、命令実行システム、装置、又はデバイスである例えばコンピュータベースのシステム、プロセッサを内蔵するシステム、又は命令実行システム、装置、又はデバイスから命令をフェッチし命令を実行することのできる他のシステムなど、によって又はそれと関連付けて使用されるように、任意の非一時的コンピュータ可読記憶媒体内に記憶及び／又は輸送されてもよい。本書の観点では、「非一時的コンピュータ可読記憶媒体」は、命令実行システム、装置、又はデバイスによって又はそれと関連付けて使用されるようにプログラムを保有又は記憶することのできる何れの媒体であってもよい。非一時的コンピュータ可読記憶媒体には、限定するわけではないが、電子式、磁気式、光学式、電磁式、赤外線式、又は半導体式のシステム、装置、又はデバイス、携帯型コンピュータディスケット（磁気式）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）（磁気式）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）（磁気式）、消去可能プログラム可能読み出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）（磁気式）、ＣＤ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ、又はＤＶＤ−ＲＷの様な携帯型光学式ディスク、又はコンパクトフラッシュ（登録商標）カード、セキュアドデジタルカード、ＵＳＢメモリデバイス、メモリスティックの様なフラッシュメモリ、など、が含められる。

Claims (20)

1. タッチセンサ構造を提供するための手段であって、当該タッチセンサ構造は、
   基板と、
   前記基板の面上に配置されている第１層であって、関連付けられる第１アブレーションフルエンス値を有する第１層と、
   前記第１層の前記基板とは反対側の面上に配置されている第２層であって、前記第１アブレーションフルエンス値より小さい関連付けられる第２アブレーションフルエンス値を有する第２層と、を備えている、タッチセンサ構造を提供するための手段と、
   前記第２層に、前記第２アブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ前記第１アブレーションフルエンス値より小さいフルエンス値を有するエネルギーを放射することによってアブレーションを施すための手段と、
   前記第２層にアブレーションを施した後に露出した前記第１層の少なくとも一部分を除去するための手段と、
   前記第１層の一部分を除去した後に前記第２層の少なくとも一部分を除去するための手段と、を備えている物品。
2. 前記第２層にアブレーションを施した後に露出した前記第１層の一部分を除去するための前記手段は、前記第１層の一部分をエッチングするための手段を備えている、請求項１に記載の物品。
3. 前記第１層の一部分を除去した後に前記第２層の一部分を除去するための前記手段は、前記第２層の一部分にアブレーションを施すための手段を備えている、請求項１に記載の物品。
4. 前記第１層の一部分を除去した後に前記第２層の一部分を除去するための前記手段は、前記第２層の一部分をエッチングするための手段を備えている、請求項１に記載の物品。
5. 関連付けられる第１アブレーションフルエンス値を有する第１層を基板の上へ堆積させるための手段と、
   前記第１アブレーションフルエンス値より小さい関連付けられる第２アブレーションフルエンス値を有する第２層を前記第１層の上に堆積させるための手段と、
   前記第２層を、前記第２アブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ前記第１アブレーションフルエンス値より小さいフルエンス値を有するエネルギーを放射することによってパターニングするための手段と、
   前記第２層をパターニングした後に露出した前記第１層の少なくとも一部分を除去するための手段と、
   前記第１層の一部分を除去した後に前記第２層の少なくとも一部分を除去するための手段と、を備えている物品。
6. 前記第２層の一部分を除去するための前記手段は、前記第１層及び前記基板をエッチングすることなく前記第２層をエッチングするように構成されているエッチング剤を使用して当該第２層の一部分をエッチングするための手段を備えている、請求項５に記載の物品。
7. 前記第２層の一部分を除去するための前記手段は、前記第２アブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ前記第１アブレーションフルエンス値より小さいフルエンス値を有するエネルギーを放射することによって前記第２層の一部分にアブレーションを施すための手段を備えている、請求項５に記載の物品。
8. 前記第１層はインジウムスズ酸化物を備え、前記第２層はＴｉを備えており、当該第２層をパターニングするために放射されるエネルギーのフルエンス値は２０ｍＪ／ｃｍ²から３００ｍＪ／ｃｍ²の間である、請求項５に記載の物品。
9. タッチセンサ構造を提供するための手段であって、当該タッチセンサ構造は、
   基板と、
   前記基板の面上に配置されている第１層であって、関連付けられる第１アブレーションフルエンス値を有する第１層と、
   前記第１層の基板とは反対側の面上に配置されている第２層であって、前記第１アブレーションフルエンス値より小さい関連付けられる第２アブレーションフルエンス値を有する第２層と、を備えている、タッチセンサ構造を提供するための手段と、
   前記第２層に、前記第２アブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ前記第１アブレーションフルエンス値より小さいフルエンス値を有するエネルギーを放射することによってアブレーションを施すための手段と、
   前記第２層にアブレーションを施した後に露出した前記第１層の少なくとも一部分を除去するための手段と、を備えている物品。
10. 前記第１層の一部分を除去した後に前記第２層の少なくとも一部分を除去するための手段を更に備えている、請求項９に記載の物品。
11. 前記基板は、
    前記基板の前記第１層とは反対側の面上に配置されている第３層であって、関連付けられる第３アブレーションフルエンス値を有する第３層と、
    前記第３層の前記基板とは反対側の面上に配置されている第４層であって、前記第３アブレーションフルエンス値より小さい関連付けられる第４アブレーションフルエンス値を有する第４層と、を更に備えている、請求項９に記載の物品。
12. 前記第４層に、前記第４アブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ前記第３アブレーションフルエンス値より小さいフルエンス値を有するエネルギーを放射することによってアブレーションを施すための手段と、
    前記第４層にアブレーションを施した後に露出した前記第３層の少なくとも一部分を除去するための手段と、を更に備えている、請求項１１に記載の物品。
13. 関連付けられる第１アブレーションフルエンス値を有する第１層を基板の面の上へ堆積させるための手段と、
    前記第１アブレーションフルエンス値より小さい関連付けられる第２アブレーションフルエンス値を有する第２層を、前記第１層の基板とは反対側の面上に堆積させるための手段と、
    前記第２層を、前記第２アブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ前記第１アブレーションフルエンス値より小さいフルエンス値を有するエネルギーを放射することによってパターニングするための手段と、
    前記第２層をパターニングした後に露出した前記第１層の少なくとも一部分を除去するための手段と、を備えている物品。
14. 前記第１層の一部分を除去した後に前記第２層の少なくとも一部分を除去するための手段を更に備えている、請求項１３に記載の物品。
15. 関連付けられる第３アブレーションフルエンス値を有する第３層を、前記基板の前記第１層とは反対側の面の上へ堆積させるための手段と、
    前記第３アブレーションフルエンス値より小さい関連付けられる第４アブレーションフルエンス値を有する第４層を前記第３層の前記基板とは反対側の面上に堆積させるための手段と、
    前記第４層を、前記第４アブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ前記第３アブレーションフルエンス値より小さいフルエンス値を有するエネルギーを放射することによってパターニングするための手段と、
    前記第４層をパターニングした後に露出した前記第３層の少なくとも一部分を除去するための手段と、を更に備えている、請求項１３に記載の物品。
16. 前記第３層の一部分を除去した後に前記第４層の少なくとも一部分を除去するための手段を更に備えている、請求項１５に記載の物品。
17. 前記第２層をパターニングするための手段は、当該第２層をパターニングして複数の列部を形成するための手段を備え、前記第４層をパターニングするための手段は、当該第４層をパターニングして、前記複数の列部に少なくとも実質的に直交している複数の行部を形成するための手段を備えている、請求項１５に記載の物品。
18. 第１層に、第１フルエンス値に従ってアブレーションを施して複数の導電トレースのためのパターンを形成し、第２層をパターンに整合するようエッチングして、エッチング後の前記第２層を前記導電トレースとする、ことによって形成された前記複数の導電トレースを備えているタッチ感受性デバイス。
19. 前記第１フルエンス値は前記第２層のアブレーションフルエンス値より大きいか又はそれに等しく且つ前記第１層のアブレーションフルエンス値より小さい、請求項１８に記載のタッチ感受性デバイス。
20. 前記第２層はインジウムスズ酸化物を備え、前記第１層はＴｉを備えており、前記第１フルエンス値は２０ｍＪ／ｃｍ²から３００ｍＪ／ｃｍ²の間である、請求項１８に記載のタッチ感受性デバイス。

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