TWM473605U - 用於提供觸敏器件及相關聯通量值之系統 - Google Patents

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TWM473605U
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Siddharth Mohapatra
Sunggu Kang
John Z Zhong
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Description

用於提供觸敏器件及相關聯通量值之系統
本創作大體上係關於觸敏器件，且更特定言之，係關於用於製造觸敏器件之觸控感測器的製程。
觸敏器件作為計算系統之輸入器件已變得風行，此係歸因於其操作的簡單性及通用性以及其日益下降的價格。觸敏器件可包括觸控感測器面板(其可為具有觸敏表面之透明面板)及諸如液晶顯示器(LCD)之顯示器件(其可部分地或全部地定位於面板之後或與面板整合，使得觸敏表面可覆蓋顯示器件之可檢視區域的至少一部分)。觸敏器件可允許使用者藉由使用手指、手寫筆或其他物件而在通常係由顯示器件所顯示之使用者介面(UI)規定的位置處觸摸觸控感測器面板來執行各種功能。一般而言，觸敏器件可辨識一觸摸事件及該觸摸事件在觸控感測器面板上之位置，且計算系統可接著根據在觸摸事件時出現之顯示而解譯觸摸事件，且此後可基於觸摸事件而執行一或多個動作。
可使用之一類觸控感測器面板為電容性觸控感測器面板。典型電容性觸控感測器面板可包括藉由多列驅動線與多行感測線相交而形成之柵格。驅動線可藉由激勵信號驅動，該等激勵信號使以電容方式耦合之感測線產生表示在面板之表面上所偵測之觸摸事件的輸出觸控 信號。此等驅動線及感測行可沿著觸敏器件之邊緣佈線，以分別驅動及感測電路。圍繞觸敏器件之邊緣的邊界之厚度可取決於驅動線之數目、感測線之數目及每一線之間的距離。隨著觸敏器件繼續變小，需要減小驅動線與感測線之間的此等距離。
按照慣例，驅動線及感測線可使用各種製程(諸如微影、列印或雷射消融)在觸控感測器面板上製造。然而，微影及印刷通常導致諸多線之間的大距離，且因此，在一些情況下，不合乎產生具有薄邊界之器件的需要。另一方面，雷射消融允許對線材料之精細得多的圖案化。然而，雷射消融製程在圖案化具有高消融通量值之線材料(諸如氧化銦錫(ITO))時可損壞下方基板。
一種觸控感測器結構可包括一基板、安置於該基板上之一第一層及安置於該第一層上之一第二層。該第一層可具有一相關聯第一消融通量值。該第二層可具有小於該第一層之消融通量值的一第二消融通量值。可用一雷射來消融該第二層，該雷射發射具有大於或等於該第二層之消融通量值且小於該第一層之消融通量值之一通量值的一射束。在該第二層之圖案化期間可蝕刻該第一層之經曝露的至少一部分。該第二層之至少一部分可接著藉由蝕刻或雷射消融而移除。該觸控感測器結構可包括依據該第一消融通量值而藉由消融一第一層所形成的複數個導電跡線，以形成該複數個導電跡線的一圖案，且蝕刻一第二層以匹配該圖案，經蝕刻之該第二層係為該等導電跡線。
100‧‧‧觸控感測器
101‧‧‧驅動線
103‧‧‧感測線
105‧‧‧觸控區域
107‧‧‧激勵信號
109‧‧‧觸控信號
111‧‧‧互電容Csig
200‧‧‧器件
201‧‧‧第一驅動線輸出板或接觸部分
203‧‧‧第二驅動線輸出板或接觸部分
205‧‧‧第一感測線輸出板或接觸部分
207‧‧‧第二感測線輸出板或接觸部分
400‧‧‧觸控感測器結構
401‧‧‧基板
403‧‧‧第一頂層
405‧‧‧第二頂層
407‧‧‧第一底層
409‧‧‧第二底層
501‧‧‧俯視圖
503‧‧‧仰視圖
1300‧‧‧系統
1301‧‧‧儲存器件
1303‧‧‧記憶體
1305‧‧‧處理器
1307‧‧‧製造器件
1311‧‧‧沈積器件
1313‧‧‧消融器件
1315‧‧‧蝕刻器件
1400‧‧‧個人器件
1500‧‧‧個人器件
圖1說明根據各種實施例之可與觸敏器件一起使用的例示性觸控感測器。
圖2說明根據各種實施例之例示性觸敏器件。
圖3說明根據各種實施例之用於製造觸控感測器之例示性製程。
圖4說明根據各種實施例之例示性觸控感測器結構的橫截面圖。
圖5說明根據各種實施例之例示性觸控感測器結構的俯視圖及仰視圖。
圖6說明根據各種實施例之例示性觸控感測器結構的橫截面圖。
圖7說明根據各種實施例之例示性觸控感測器結構的俯視圖及仰視圖。
圖8說明根據各種實施例之例示性觸控感測器結構的橫截面圖。
圖9說明根據各種實施例之例示性觸控感測器結構的俯視圖及仰視圖。
圖10說明根據各種實施例之例示性觸控感測器結構的橫截面圖。
圖11說明根據各種實施例之例示性觸控感測器結構的俯視圖及仰視圖。
圖12說明根據各種實施例之用於製造觸控感測器之例示性製程。
圖13說明根據各種實施例之用於製造觸控感測器之例示性系統。
圖14說明根據各種實施例之包括觸控感測器的例示性個人器件。
圖15說明根據各種實施例之包括觸控感測器的另一例示性個人器件。
在實例實施例之以下描述中，參看隨附圖式，其中藉由說明來展示可實踐之特定實施例。應理解，可在不偏離各種實施例的範疇之情況下使用其他實施例及作出結構改變。
本創作係關於用於製造觸敏器件之精巧型觸控感測器的製程。製程可包括提供具有基板、安置於基板上之第一層及安置於第一層上 之第二層的觸控感測器結構。第二層可具有小於第一層之消融通量值的消融通量值。材料之消融通量值可指代藉由雷射發射之射束的通量值(每單元面積之能量)，材料之消融可在該通量值下發生。此製程可包括用雷射來圖案化第二層，該雷射發射具有大於或等於第二層之消融通量值且小於第一層之消融通量值之通量值的射束。此製程可進一步包括在第二層之圖案化期間蝕刻第一層之經曝露的至少一部分。第二層之至少一部分可接著藉由蝕刻或雷射消融而移除。此等製程可用於硬質或可撓性基板之單片連續式製程中或可撓性基板之捲輪式薄膜輸送製程中。
圖1說明可用以偵測觸敏器件上之觸摸事件的觸控感測器100，該觸敏器件諸如行動電話、平板電腦、觸控板、攜帶型電腦、攜帶型媒體播放器或其類似者。觸控感測器100可包括可在多列驅動線101(D0至D3)與多行感測線103(S0至S4)之間的交叉點處形成之觸控區域105的陣列。每一觸控區域105可具有在驅動線經激勵時在交叉的驅動線101與感測線103之間形成的相關聯互電容Csig 111。驅動線101可受由驅動電路(未圖示)提供之激勵信號107激勵，且可包括一交流(AC)波形。感測線103可將指示在觸控感測器100處之觸摸的觸控信號109傳輸至感測電路(未圖示)，該感測電路可包括針對每一感測線之感測放大器，或可經多工複用以連接至較大數目個感測線的較少數目個感測放大器。
為了感測觸控感測器100處之觸摸，驅動線101可藉由激勵信號107激勵以便以電容方式與交叉感測線103耦合，藉此形成用於將來自驅動線101之電荷耦合至感測線103的電容性路徑。交叉感測線103可輸出表示經耦合電荷或電流之觸控信號109。當使用者之手指(或其他物件)觸摸觸控感測器100時，手指可使電容Csig 111在觸摸位置處減少量△Csig。此電容改變△Csig可因來自受激勵驅動線101之電荷或電 流經由觸摸之手指分流至接地而非在觸摸位置處經耦合至交叉感測線103而引起。表示電容改變△Csig之觸控信號109可藉由感測線103傳輸至感測電路以供處理。觸控信號109可指示觸摸發生之觸控區域及在彼觸控區域位置處發生之觸摸量。
雖然圖1中所展示之實施例包括四條驅動線101及五條感測線103，但應瞭解，觸控感測器100可包括任何數目個驅動線101及任何數目個感測線103來形成所要數目個觸控區域105及所要圖案之觸控區域105。另外，雖然驅動線101及感測線103在圖1中以交叉組態展示，但應瞭解，形成所要觸控區域圖案之其他組態亦為可能的。雖然圖1說明互電容觸摸感測，但亦可結合本創作之實施例使用其他觸摸感測技術，諸如自電容觸摸感測、電阻性觸摸感測、投影掃描觸摸感測及其類似者。此外，雖然各種實施例描述所感測觸摸，但應瞭解，觸控感測器100亦可感測懸停物件且自其產生懸停信號。
圖2說明諸如行動電話、觸控板、攜帶型電腦、攜帶型媒體播放器或其類似者之例示性器件200之俯視圖。器件200可包括用於偵測在器件之顯示器上之觸摸事件的觸控感測器100。在圖2中所展示之實例中，觸控感測器100可包括八條驅動線101及六條感測線103。然而，應瞭解，可使用具有任何數目個驅動線101及感測線103之觸控感測器100。
在一些實例中，驅動線101之一端可沿著器件200之一邊緣佈線至第一驅動線輸出板或接觸部分201，而驅動線101之另一端可沿著器件200之相對邊緣佈線至第二驅動線輸出板或接觸部分203。第一驅動線接觸部分201及第二驅動線接觸部分203可包括驅動線101中之每一者的經曝露區段且可由外部器件或連接器(諸如扁平纜線或可撓性印刷電路(「FPC」))用以耦接至驅動線101之每一端。
在一些實例中，感測線103之一部分的一段可佈線至第一感測線 輸出板或接觸部分205，而剩餘感測線103可佈線至第二感測線輸出板或接觸部分207。類似於驅動線接觸部分201及203，感測線接觸部分205及207可包括感測線103之經曝露區段且可由外部器件或連接器(諸如扁平纜線或FPC)用以耦接至感測線103之一端。雖然圖2中所展示之實例包括佈線至第一感測線接觸部分205之三條感測線103及佈線至第二感測線接觸部分207之三條感測線103，但應瞭解，任何數目個感測線103可佈線至任何數目個感測線接觸部分。舉例而言，器件200可包括十條感測線，其中所有十條感測線103經佈線至單一感測線接觸部分，而在其他實例中，器件200可包括九條感測線，其中三條感測線經佈線至三個感測線接觸部分中之每一者。此外，雖然圖2展示沿著器件之頂部邊緣的接觸部分201、203、205及207，但應瞭解，接觸部分201、203、205及207可取決於器件200之多個組件的位置而定位在器件200之不同區域中，其中驅動線101及感測線103圍繞此等組件而適當地經佈線至其相應接觸部分。
在一些實例中，覆蓋材料(例如，玻璃、塑膠或其類似者)可置放於圖2中所展示之組件之上。此覆蓋材料可包括沿著其邊緣之黑色遮罩來隱藏驅動線101及感測線103之在器件之可檢視區域外部的部分，避免使用者之檢視。舉例而言，黑色遮罩可覆蓋驅動線101及感測線之沿著器件200之邊緣定位的部分。如可在圖2中所見，在器件200之右側及左側上所需要之黑色遮罩之寬度取決於驅動線101之數目及沿著器件200之邊緣的驅動線101之間的距離。為了減小黑色遮罩之寬度且減小器件之總寬度，需要減小驅動線101之間的距離。應瞭解，當驅動線101及感測線103以不同組態佈線時，在器件之可檢視區域外部覆蓋驅動線101及感測線103所需之黑色遮罩的寬度可額外或替代地取決於感測線103之數目及感測線103之間的距離及/或感測線103與驅動線101之間的距離。
圖3說明用於製造與觸控感測器100類似或相同之觸控感測器的例示性製程300。下文將參看圖4至圖11描述製程300。在區塊301，可提供觸控感測器結構。圖4說明可在製程300中使用之例示性觸控感測器結構400。觸控感測器結構400可包括由諸如塑膠、玻璃、硬質或可撓性玻璃或硬質或可撓性複合物之任何基板材料製成的基板401。觸控感測器結構400可進一步包括安置於基板401之頂部表面上的第一頂層403。第一頂層403可包括導電材料，諸如ITO、銅、銀、其他金屬、其他氧化物或其類似者。觸控感測器結構400可進一步包括安置於第一頂層403之與基板401相對之表面上的第二頂層405。第二頂層405可包括銀、金、鋁、其他金屬、鈍化層或其類似者。第二頂層405可由單一層形成或可包括多個層的組合，諸如多層金屬或金屬有機堆疊。在一些實例中，第二頂層405之材料可具有小於第一頂層403之材料之消融通量值的消融通量值。換言之，消融第二頂層405之材料所需之雷射射束的通量值可小於消融第一頂層403之材料所需之雷射射束的消融值。如下文將更詳細描述，選擇具有此等相對消融通量值之材料可允許第二頂層405被用作第一頂層403之蝕刻遮罩。
在一些實例中，觸控感測器結構400可視情況進一步包括安置於基板401之底部表面上的第一底層407。第一底層407可包括與第一頂層403相同或不同的材料。舉例而言，第一底層407可包括導電材料，諸如ITO、銅、其他金屬、其他氧化物或其類似者。觸控感測器結構400可視情況進一步包括安置於第一底層407之與基板401相對之表面上的第二底層409。第二底層409可包括與第二頂層405相同或不同的材料。舉例而言，第二底層409可包括銀、金、鋁、其他金屬、鈍化層或其類似者。第二底層409可由單一層形成或可包括多個層的組合，諸如多層金屬或金屬有機堆疊。在一些實例中，第二底層409之材料可具有小於第一底層407之材料之消融通量值的消融通量值。
圖5展示觸控感測器結構400之俯視圖501及仰視圖503。如可見，觸控感測器結構400之頂部表面可由第二頂層405覆蓋，且觸控感測器結構400之底部表面可由第二底層409覆蓋。
返回參看圖3，在區塊303，可使用雷射消融來圖案化觸控感測器結構之第二層。在一些實例中，諸如包括(但不限於)XeCl之準分子雷射的雷射可應用於觸控感測器結構之表面，以產生所要圖案。舉例而言，如圖6中所示，第二頂層405及第二底層409之部分可使用雷射消融移除，以形成所說明圖案。如上文所提及，第一頂層403之消融通量值可大於第二頂層405之消融通量值。因此，當將發射具有大於或等於第二頂層405之消融通量值且小於第一頂層403之消融通量值之射束的雷射應用於觸控感測器結構400時，可在不移除第一頂層403之情況下移除第二頂層405之部分。舉例而言，第一頂層403可由具有大於大約2 J/cm2 之消融通量值的ITO形成，且第二頂層405可由具有大約60 mJ/cm2 至100 mJ/cm2 之消融通量值的金屬(諸如銀或金)形成。因此，可將發射具有在60 mJ/cm2 至100 mJ/cm2 與2 J/cm2 之間的通量值之射束的雷射應用於觸控感測器結構400，以選擇性地移除第二頂層405之部分。在另一實例中，第一頂層403可由ITO形成，且第二頂層405可由Ti形成。在此實例中，可將發射具有在20 mJ/cm2 與2 J/cm2 之間(例如，在20 mJ/cm2 與300 mJ/cm2 之間)的通量值之射束的雷射應用於觸控感測器結構400，以選擇性地移除第二頂層405之部分。類似地，可使用具有大於或等於第二頂層409之消融通量值且小於第一底層407之消融通量值之通量值的雷射射束來選擇性地移除第二底層409。
圖7展示在區塊303處使用雷射消融圖案化觸控感測器結構400之後的觸控感測器結構400的俯視圖501及仰視圖503。特定言之，俯視圖501展示已移除第二頂層405之部分，藉此曝露第一頂層403。第二頂層405之保持完整之部分可在器件之中心形成行，且亦可圍繞觸控 感測器結構400之邊緣形成條帶。如下文將更詳細論述，第二頂層405之保持完整之部分可用作遮罩，且可對應於用以形成感測行103(或者，驅動列101)之導電跡線及用以將感測行103(或者，驅動列101)沿著觸控感測器結構400之邊緣佈線之跡線的位置。類似地，仰視圖503展示第二底層409之已移除之部分，藉此曝露第一底層407。第二底層409之保持完整之部分可在器件之中心形成列，且亦可圍繞觸控感測器結構400之邊緣形成條帶。在一些實例中，此等列可為與在第二頂層405中形成之行垂直的(或至少歸因於製造容限為實質上垂直的)。另外，如下文將更詳細論述，第二底層409之保持完整之部分可用作遮罩，且可對應於用以形成驅動列101(或者，感測行103)之導電跡線及用以將驅動列101(或者，感測行103)沿著觸控感測器結構400之邊緣佈線之跡線的位置。雖然第二頂層405之行及第二底層409之列展示為分別與圍繞觸控感測器結構400的第二頂層405之條帶及第二底層409之條帶分離，但應瞭解，每一列及每一行可耦接至一條帶以沿著觸控感測器結構400之邊緣佈線。
返回參看圖3，在區塊305，可蝕刻在於區塊303執行之圖案化之後曝露的觸控感測器結構之第一層的至少一部分。在一些實例中，諸如HCl：HNO3 ：H2 O或HF：H2 O2 ：H2 O之蝕刻劑可用以使用圖案化層作為遮罩來蝕刻在區塊303之後曝露的層。舉例而言，如圖8中所示，可使用第二頂層405作為遮罩來蝕刻第一頂層403之部分。所使用之蝕刻劑可為可蝕刻第一頂層403之材料但不蝕刻第二頂層405或基板401之材料的蝕刻劑。一般熟習此項技術者可基於用於第一頂層403、第二頂層405及基板401之材料而選擇適當蝕刻劑。類似地，可使用第二底層409作為遮罩來蝕刻第一底層407之部分。所使用之蝕刻劑可為可蝕刻第一底層407之材料但不蝕刻第二底層409或基板401之材料的蝕刻劑。一般熟習此項技術者可基於用於第一底層407、第二底層409及基 板401之材料而選擇適當蝕刻劑。
圖9展示在蝕刻第一頂層403及第一底層407之後的觸控感測器結構400的俯視圖501及仰視圖503。特定言之，俯視圖501展示在已移除第一頂層403之經曝露部分之後的下方基板401的部分。類似地，仰視圖503展示在已移除第一底層407之經曝露部分之後的下方基板401的部分。
返回參看圖3，在區塊307，可移除第二層之至少一部分。如圖10中所示，可使用與在區塊303使用之消融技術類似或相同的消融技術來移除第二頂層405之一部分。或者，可使用與在區塊303使用之消融技術類似或相同的消融技術來移除全部第二頂層405。用以移除第二頂層405之一些或全部的雷射射束可具有與在區塊303使用之雷射射束相同的特性。或者，用以移除第二頂層405中之一些或全部的雷射射束可具有大於或等於第二頂層405之材料之消融通量值且小於第一頂層403之材料之消融通量值的不同的通量值。在其他實例中，可使用與在區塊305使用之蝕刻技術類似或相同的蝕刻技術來移除第二頂層405中之一些或全部。舉例而言，可使用經組態以蝕刻第二頂層405而非第一頂層403及基板401之蝕刻劑來移除第二頂層405之部分。所使用之特定蝕刻劑取決於用於第一頂層403、第二頂層405及基板401之材料。舉例而言，若第一頂層403包括ITO，第二頂層405包括Ti，且基板401包括玻璃或塑膠薄膜，則可使用HCl：HNO3 ：H2 O蝕刻劑。
在一些實例中，在區塊307移除之第二頂層405之部分可對應於使用觸控感測器基板400之器件的可檢視區域。此可完成係因為在一些實例中，第一頂層403可由光學上透明之材料(諸如ITO)製成，而第二頂層405可由光學上不透明之材料(諸如銀或Ti)製成。因此，為了避免在觸敏器件之可檢視區域中產生可見線，可在此等位置中移除不透明第二頂層405。可將第二頂層405之在可檢視區域外部之部分移除或 保持完整，此係因為可使用黑色遮罩在觸敏器件之覆蓋材料上覆蓋此等部分。可對第一底層407及第二底層409執行類似或相同製程。
圖11展示在移除第二頂層405及第二底層409之部分之後的觸控感測器結構400的俯視圖501及仰視圖503。特定言之，俯視圖501展示已移除第二頂層405之朝向觸控感測器結構400之中心定位的部分(對應於可使用觸控感測器結構400之器件的可檢視區域)，藉此曝露下方第一頂層403。然而，第二頂層405之接近器件之邊緣的部分(對應於在可使用觸控感測器結構400之器件之可檢視區域外部的區域)保持完整。類似地，仰視圖503展示已移除第二底層409之朝向觸控感測器結構400之中心定位的部分(對應於可使用觸控感測器結構400之器件的可檢視區域)，藉此曝露下方第一底層407。另外，仰視圖503展示第二底層409之接近器件之邊緣的部分(對應於在可使用觸控感測器結構400之器件之可檢視區域外部的區域)保持完整。
藉由使用製程300製造觸控感測器，可製成精巧型觸控感測器。此操作歸因於雷射消融(其可用以精細地圖案化材料)及蝕刻(其不導致對下方基板之損壞)之組合為可能的。特定言之，精細圖案化蝕刻遮罩可藉由消融遮罩層(例如，第二頂層405及/或第二底層409)及使用彼遮罩來蝕刻下方導電材料(例如，第一頂層403及/或第一底層407)而產生。以此方式，在器件之可檢視區域外部的驅動線及/或感測線(例如，接近圖2中所展示之器件200的右邊緣及左邊緣)可緊密地置放在一起，藉此減小器件之大小。
圖12說明用於製造與觸控感測器100類似或相同之觸控感測器的例示性製程1200。除了區塊1201及1203可代替區塊301而使用以外，製程1200類似於製程300。特定言之，在區塊1201，第一層可沈積至基板上。舉例而言，可使用任何已知的沈積技術將與第一頂層403類似或相同之第一層沈積至與基板401類似或相同的基板上。第一層可 包括導電材料，諸如ITO、銅、銀、其他金屬或其他氧化物。
在一些實例中，額外第一層可視情況沈積於基板之相對側上。舉例而言，與第一底層407類似或相同之第一層可沈積至與基板401類似或相同之基板的底部表面上。額外第一層可包括與第一頂層403相同或不同的材料。舉例而言，額外第一層可包括導電材料，諸如ITO、銅、其他金屬或其他氧化物。
在區塊1203，可將第二層沈積至第一層上。舉例而言，可將與第二頂層405類似或相同之第二層沈積至第一層(例如，第一頂層403)上。第二層可包括銀、金、鋁、其他金屬、鈍化層或其類似者。第二頂層可由單一層形成或可包括多個層的組合，諸如多層金屬或金屬有機堆疊。在一些實例中，第二層之材料可具有小於第一層之材料之消融通量值的消融通量值。選擇具有第一層及第二層之此等相對消融通量值之材料可允許第二層之消融被用作第一層之蝕刻遮罩。
在一些實例中，可視情況將額外第二層沈積於基板之相對側上所沈積之額外第一層上。舉例而言，與第二底層409類似或相同之第二層可沈積至與第一底層407類似或相同之額外第一層上。額外第二層可包括與第二頂層405相同或不同的材料。舉例而言，額外第二層可包括銀、金、鋁、其他金屬、鈍化層或其類似者。第二頂層可由單一層形成或可包括多個層的組合，諸如多層金屬或金屬有機堆疊。在一些實例中，第二層(例如，第二底層409)之材料可具有小於第一層(例如，第一底層407)之材料之消融通量值的消融通量值。
上文所描述之與製造觸控感測器相關的功能中之一或多者可藉由與圖13中所展示之系統1300類似或相同的系統執行。系統1300可包括儲存於諸如記憶體1303或儲存器件1301之非暫時性電腦可讀儲存媒體中且藉由處理器1305執行的指令。此等指令亦可在任何非暫時性電腦可讀儲存媒體內儲存或輸送以供指令執行系統、裝置或器件使用或 結合指令執行系統、裝置或器件而使用，指令執行系統、裝置或器件係諸如基於電腦之系統、含有處理器之系統，或可自該指令執行系統、裝置或器件提取指令且執行該等指令之其他系統。在此文件之上下文中，「非暫時性電腦可讀儲存媒體」可為可含有或儲存供指令執行系統、裝置或器件使用或結合指令執行系統、裝置或器件而使用之程式的任何媒體。非暫時性電腦可讀儲存媒體可包括(但不限於)電子、磁性、光學、電磁、紅外線或半導體系統、裝置或器件，攜帶型電腦磁片(磁性)、隨機存取記憶體(RAM)(磁性)、唯讀記憶體(ROM)(磁性)、可抹除可程式化唯讀記憶體(EPROM)(磁性)、攜帶型光碟(諸如CD、CD-R、CD-RW、DVD、DVD-R或DVD-RW)，或快閃記憶體(諸如精巧型快閃卡、安全數位卡、USB記憶體器件、記憶棒及其類似者)。
此等指令亦可在任何輸送媒體內進行傳播以供指令執行系統、裝置或器件使用或結合指令執行系統、裝置或器件而使用，指令執行系統、裝置或器件係諸如基於電腦之系統、含有處理器之系統，或可自該指令執行系統、裝置或器件提取指令且執行該等指令之其他系統。在此文件之上下文中，「輸送媒體」可為可傳達、傳播或輸送供指令執行系統、裝置或器件使用或結合指令執行系統、裝置或器件而使用之程式的任何媒體。輸送媒體可包括(但不限於)電子、磁性、光學、電磁或紅外線有線或無線傳播媒體。
系統1300可進一步包括耦接至處理器1305之製造器件1307。製造器件1307可包括經組態以將觸控感測器結構之各種層(例如，第一頂層403、第二頂層405、第一底層407及第二底層409)沈積至基板上的沈積器件1311、經組態以消融該等層中之一或多者(例如，第二頂層405及/或第二底層409)之消融器件1313，及經組態以濕式蝕刻或乾式蝕刻該等層中之一或多者(例如，第一頂層403、第二頂層405、第 一底層407及第二底層409)的蝕刻器件1315。處理器1305可控制製造器件1307及其組件來以與上文關於製程300及/或1200所描述之方式類似或相同的方式沈積、消融、蝕刻(或其組合)各種層(例如，第一頂層403、第二頂層405、第一底層407及第二底層409)。
應理解，系統不限於圖13之組件及組態，而是可包括呈根據各種實施例之多個組態的其他或額外組件。另外，系統1300之組件可包括在單一器件內，或可分佈在多個器件之間。在一些實施例中，處理器1305可定位於製造器件1307內。
圖14說明根據各種實施例之可包括觸控感測器的例示性個人器件1400(諸如平板電腦)。
圖15說明根據各種實施例之可包括觸控感測器的另一例示性個人器件1500(諸如行動電話)。
因此，鑒於上述內容，本創作之一些實例係針對包含以下各項之系統：用於提供包含以下各項之觸控感測器結構的構件：基板；第一層，其安置於該基板之表面上，該第一層具有相關聯第一消融通量值；及第二層，其安置於該第一層之與該基板相對的表面上，該第二層具有小於該第一消融通量值之相關聯第二消融通量值；用於藉由發射具有大於或等於該第二消融通量值且小於該第一消融通量值之通量值的能量來消融該第二層之構件；用於在消融該第二層之後移除該第一層之經曝露之至少一部分的構件；及用於在移除該第一層之該部分之後移除該第二層之至少一部分的構件。除上文所揭示之實例中之一或多者之外或替代上文所揭示之實例中之一或多者，在一些實例中，用於在消融該第二層之後移除該第一層之經曝露之該部分的構件可包括用於蝕刻該第一層之該部分的構件。除上文所揭示之實例中之一或多者之外或替代上文所揭示之實例中之一或多者，在一些實例中，用於在移除該第一層之該部分之後移除該第二層之該部分的構件可包括 用於消融該第二層之該部分的構件。除上文所揭示之實例中之一或多者之外或替代上文所揭示之實例中之一或多者，在一些實例中，用於在移除該第一層之該部分之後移除該第二層之該部分的構件可包括用於蝕刻該第二層之該部分的構件。
本創作之一些實例係針對包含以下各項之系統：用於將第一層沈積至基板上的構件，該第一層具有相關聯第一消融通量值；用於將第二層沈積在該第一層上之構件，該第二層具有小於該第一消融通量值之相關聯第二消融通量值；用於藉由發射具有大於或等於該第二消融通量值且小於該第一消融通量值之通量值的能量來圖案化該第二層之構件；用於在圖案化該第二層之後移除該第一層之經曝露之至少一部分的構件；及用於在移除該第一層之該部分之後移除該第二層之至少一部分的構件。除上文所揭示之實例中之一或多者之外或替代上文所揭示之實例中之一或多者，在一些實例中，用於移除該第二層之該部分的構件可包括用於使用經組態以蝕刻該第二層而不蝕刻該第一層及該基板的蝕刻劑來蝕刻該第二層之該部分的構件。除上文所揭示之實例中之一或多者之外或替代上文所揭示之實例中之一或多者，在一些實例中，用於移除該第二層之該部分的構件可包括用於藉由發射具有大於或等於該第二消融通量值且小於該第一消融通量值之通量值的能量來消融該第二層之該部分的構件。除上文所揭示之實例中之一或多者之外或替代上文所揭示之實例中之一或多者，在一些實例中，該第一層可包括氧化銦錫，且該第二層可包括Ti，且其中經發射以圖案化該第二層之能量的通量值可在20 mJ/cm2 至300 mJ/cm2 之間。
本創作之一些實例係針對包含以下各項之系統：用於提供包含以下各項之觸控感測器結構的構件：基板；第一層，其安置於該基板之表面上，該第一層具有相關聯第一消融通量值；及第二層，其安置於該第一層之與該基板相對的表面上，該第二層具有小於該第一消融 通量值之相關聯第二消融通量值；用於藉由發射具有大於或等於該第二消融通量值且小於該第一消融通量值之通量值的能量來消融該第二層之構件；及用於在消融該第二層之後移除該第一層之經曝露之至少一部分的構件。除上文所揭示之實例中之一或多者之外或替代上文所揭示之實例中之一或多者，該系統可進一步包括用於在移除該第一層之該部分之後移除該第二層之至少一部分的構件。除上文所揭示之實例中之一或多者之外或替代上文所揭示之實例中之一或多者，該基板可進一步包括：第三層，其安置於該基板之與該第一層相對之表面上，該第三層具有相關聯第三消融通量值；及第四層，其安置於該第三層之與該基板相對的表面上，該第四層具有小於該第三消融通量值之相關聯第四消融通量值。除上文所揭示之實例中之一或多者之外或替代上文所揭示之實例中之一或多者，該系統可進一步包括用於藉由發射具有大於或等於該第四消融通量值且小於該第三消融通量值之通量值的能量來消融該第四層之構件；及用於在消融該第四層之後移除該第三層之經曝露之至少一部分的構件。
本創作之一些實例係針對包含以下各項之系統：用於將第一層沈積至基板之表面上的構件，該第一層具有相關聯第一消融通量值；用於將第二層沈積於該第一層之與該基板相對之表面上的構件，該第二層具有小於該第一消融通量值之相關聯第二消融通量值；用於藉由發射具有大於或等於該第二消融通量值且小於該第一消融通量值之通量值的能量來圖案化該第二層之構件；及用於在圖案化該第二層之後移除該第一層之經曝露之至少一部分的構件。除上文所揭示之實例中之一或多者之外或替代上文所揭示之實例中之一或多者，該系統可進一步包括用於在移除該第一層之該部分之後移除該第二層之至少一部分的構件。除上文所揭示之實例中之一或多者之外或替代上文所揭示之實例中之一或多者，該系統可進一步包括：用於將第三層沈積至該 基板之與該第一層相對之表面上的構件，該第三層具有相關聯第三消融通量值；用於將第四層沈積於該第三層之與該基板相對之表面上的構件，該第四層具有小於該第三消融通量值之相關聯第四消融通量值；用於使用發射具有大於或等於該第四消融通量值且小於該第三消融通量值之通量值的能量之雷射來圖案化該第四層的構件；及用於在圖案化該第四層之後移除該第三層之經曝露之至少一部分的構件。除上文所揭示之實例中之一或多者之外或替代上文所揭示之實例中之一或多者，該系統可進一步包括用於在移除該第三層之該部分之後移除該第四層之至少一部分的構件。除上文所揭示之實例中之一或多者之外或替代上文所揭示之實例中之一或多者，用於圖案化該第二層之構件可包括用於圖案化該第二層以形成複數個行之構件，且其中用於圖案化該第四層之構件可包括用於圖案化該第四層以形成至少實質上垂直於該複數個行之複數個列的構件。
本創作之一些實例係針對包含複數個導電跡線之觸敏器件，該複數個導電跡線藉由根據第一通量值消融第一層以便為該複數個導電跡線形成圖案且蝕刻第二層以匹配該圖案而形成，該經蝕刻第二層為該等導電跡線。除上文所揭示之實例中之一或多者之外或替代上文所揭示之實例中之一或多者，該第一通量值可大於或等於該第二層之消融通量值且小於該第一層之消融通量值。除上文所揭示之實例中之一或多者之外或替代上文所揭示之實例中之一或多者，該第二層可包括氧化銦錫且該第一層包含Ti，且其中該第一通量值在20 mJ/cm2 至300 mJ/cm2 之間。
雖然已參看隨附圖式全面描述了實施例，但應注意，各種改變及修改對於熟習此項技術者將變得顯而易見。此等改變及修改應被理解為包括於如由附加申請專利範圍界定之各種實施例之範疇內。
1300‧‧‧系統
1301‧‧‧儲存器件
1303‧‧‧記憶體
1305‧‧‧處理器
1307‧‧‧製造器件
1311‧‧‧沈積器件
1313‧‧‧消融器件
1315‧‧‧蝕刻器件

Claims (20)

  1. 一種系統，其包含：用於提供包含以下各項之一觸控感測器結構的構件：一基板；一第一層，其安置於該基板之一表面上，該第一層具有一相關聯第一消融通量值；及一第二層，其安置於該第一層之與該基板相對之一表面上，該第二層具有小於該第一消融通量值之一相關聯第二消融通量值；用於藉由發射具有大於或等於該第二消融通量值且小於該第一消融通量值之一通量值的能量來消融該第二層的構件；用於在消融該第二層之後移除該第一層之經曝露之至少一部分的構件；及用於在移除該第一層之該部分之後移除該第二層之至少一部分的構件。
  2. 如請求項1之系統，其中該用於在消融該第二層之後移除該第一層之經曝露之該部分的構件包含：用於蝕刻該第一層之該部分的構件。
  3. 如請求項1之系統，其中該用於在移除該第一層之該部分之後移除該第二層之該部分的構件包含：用於消融該第二層之該部分的構件。
  4. 如請求項1之系統，其中該用於在移除該第一層之該部分之後移除該第二層之該部分的構件包含：用於蝕刻該第二層之該部分的構件。
  5. 一種系統，其包含： 用於將一第一層沈積至一基板上的構件，該第一層具有一相關聯第一消融通量值；用於將一第二層沈積於該第一層上之構件，該第二層具有小於該第一消融通量值之一相關聯第二消融通量值；用於藉由發射具有大於或等於該第二消融通量值且小於該第一消融通量值之一通量值的能量來圖案化該第二層的構件；用於在圖案化該第二層之後移除該第一層之經曝露之至少一部分的構件；及用於在移除該第一層之該部分之後移除該第二層之至少一部分的構件。
  6. 如請求項5之系統，其中該用於移除該第二層之該部分的構件包含：用於使用經組態以蝕刻該第二層而不蝕刻該第一層及該基板之一蝕刻劑來蝕刻該第二層之該部分的構件。
  7. 如請求項5之系統，其中該用於移除該第二層之該部分的構件包含：用於藉由發射具有大於或等於該第二消融通量值且小於該第一消融通量值之該通量值的能量來消融該第二層之該部分的構件。
  8. 如請求項5之系統，其中該第一層包含氧化銦錫且該第二層包含Ti，且其中經發射以圖案化該第二層之該能量的該通量值在20 mJ/cm2 至300 mJ/cm2 之間。
  9. 一種系統，其包含：用於提供包含以下各項之一觸控感測器結構的構件：一基板；一第一層，其安置於該基板之一表面上，該第一層具有一相關聯第一消融通量值；及一第二層，其安置於該第一層之與該基板相對之一表面 上，該第二層具有小於該第一消融通量值之一相關聯第二消融通量值；用於藉由發射具有大於或等於該第二消融通量值且小於該第一消融通量值之一通量值的能量來消融該第二層的構件；及用於在消融該第二層之後移除該第一層之經曝露之至少一部分的構件。
  10. 如請求項9之系統，其進一步包含用於在移除該第一層之該部分之後移除該第二層之至少一部分的構件。
  11. 如請求項9之系統，其中該基板進一步包含：一第三層，其安置於該基板之與該第一層相對之一表面上，該第三層具有一相關聯第三消融通量值；及一第四層，其安置於該第三層之與該基板相對之一表面上，該第四層具有小於該第三消融通量值之一相關聯第四消融通量值。
  12. 如請求項11之系統，其進一步包含：用於藉由發射具有大於或等於該第四消融通量值且小於該第三消融通量值之一通量值的能量來消融該第四層的構件；及用於在消融該第四層之後移除該第三層之經曝露之至少一部分的構件。
  13. 一種系統，其包含：用於將一第一層沈積至一基板之一表面上的構件，該第一層具有一相關聯第一消融通量值；用於將一第二層沈積於該第一層之與該基板相對之一表面上的構件，該第二層具有小於該第一消融通量值之一相關聯第二消融通量值；用於藉由發射具有大於或等於該第二消融通量值且小於該第 一消融通量值之一通量值的能量來圖案化該第二層的構件；及用於在圖案化該第二層之後移除該第一層之經曝露之至少一部分的構件。
  14. 如請求項13之系統，其進一步包含用於在移除該第一層之該部分之後移除該第二層之至少一部分的構件。
  15. 如請求項13之系統，其進一步包含：用於將一第三層沈積至該基板之與該第一層相對之一表面上的構件，該第三層具有一相關聯第三消融通量值；用於將一第四層沈積於該第三層之與該基板相對之一表面上的構件，該第四層具有小於該第三消融通量值之一相關聯第四消融通量值；用於使用發射具有大於或等於該第四消融通量值且小於該第三消融通量值之一通量值的能量之一雷射來圖案化該第四層的構件；及用於在圖案化該第四層之後移除該第三層之經曝露之至少一部分的構件。
  16. 如請求項15之系統，其進一步包含用於在移除該第三層之該部分之後移除該第四層之至少一部分的構件。
  17. 如請求項15之系統，其中該用於圖案化該第二層之構件包含用於圖案化該第二層以形成複數個行之構件，且其中該用於圖案化該第四層之構件包含用於圖案化該第四層以形成至少實質上垂直於該複數個行之複數個列的構件。
  18. 一種觸敏器件，其包含：複數個導電跡線，其藉由根據一第一通量值消融一第一層以便為該複數個導電跡線形成一圖案且蝕刻一第二層以匹配該圖案而形成，該經蝕刻第二層為該等導電跡線。
  19. 如請求項18之觸敏器件，其中該第一通量值大於或等於該第二層之一消融通量值且小於該第一層之一消融通量值。
  20. 如請求項18之觸敏器件，其中該第二層包含氧化銦錫且該第一層包含Ti，且其中該第一通量值在20 mJ/cm2 至300 mJ/cm2 之間。
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