TWI475442B - Input device and manufacturing method thereof - Google Patents

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TWI475442B
TWI475442B TW101144841A TW101144841A TWI475442B TW I475442 B TWI475442 B TW I475442B TW 101144841 A TW101144841 A TW 101144841A TW 101144841 A TW101144841 A TW 101144841A TW I475442 B TWI475442 B TW I475442B
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Masayoshi Takeuchi
Daigo Aoki
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Alps Electric Co Ltd
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Description

輸入裝置及其製造方法
本發明係關於一種能夠檢測操作面之操作位置之輸入裝置,尤其係關於一種配置於加飾區域之配線層之構造。
於靜電電容型之輸入裝置(觸控面板)中,於透明基材之顯示區域內配置有複數個透明電極,自各透明電極引出之各第1配線層延伸至位於顯示區域之周圍之加飾區域。
於專利文獻1之圖1C、圖2B、圖5中,設有與第1配線層不同之第2配線層,第1配線層與第2配線層係經由介於其間之絕緣層中所形成之接觸孔而電連接。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]:日本專利特開2010-541109號公報
然而,近年來,加飾區域之寬度越發變小,其結果為,各配線層之寬度尺寸亦必需形成為較小。
但是,存在藉由減小配線寬度會使配線電阻變高而檢測響應性降低之問題。於專利文獻1中,於接觸孔之位置,仿照接觸孔之側壁而形成有大致固定厚度之配線圖案,而未成為能夠抑制配線電阻之上升之構成。又,薄配線圖案之密接性較低,電連接可靠性較低。
又,存在如下問題:若藉由絲網印刷形成具備接觸孔之 絕緣層,則成為較厚之膜厚,且接觸孔之深度較深,故無法適當地經由接觸孔而將上下之配線層之間電連接。進而,亦存在如先前技術般於由Ag絲網印刷等形成配線層之構成中,無法以窄間距形成配線層之問題。
因此,本發明係用以解決上述先前之課題者,其目的尤其在於提供一種能夠確保充分之電連接可靠性,且與先前技術相比能夠抑制配線電阻之上升之輸入裝置。
又,除上述以外,本發明之目的在於,提供一種能夠實現配線層之窄間距化之輸入裝置及其製造方法。
本發明之輸入裝置之特徵在於:包括:透明基材;複數個透明電極,其形成於上述透明基材之第1面側且於顯示區域內;第1配線層,其自各透明電極延伸至位於上述顯示區域之側部之加飾區域內而形成;絕緣層,其於與上述第1配線層之表面對向之位置具備接觸孔且形成於上述透明基材之第1面側;導電部,其形成於上述接觸孔內;及第2配線層,其與上述導電部成為一體且延伸形成至上述絕緣層之表面,並與上述第1配線層電連接;且上述接觸孔之側壁面係以上述接觸孔之寬度尺寸自上述第1配線層之表面側朝向上述絕緣層之表面側逐漸增大地形成之方式形成為傾斜面;上述導電部被填充於上述接觸孔內。
又,本發明之輸入裝置之製造方法之特徵在於包括如下 步驟:於透明基材之第1面側且於顯示區域內形成複數個透明電極及自各透明電極延伸至位於上述顯示區域之側部之加飾區域內之第1配線層;於上述透明基材之第1面側形成絕緣層,該絕緣層在與上述第1配線層之表面對向之位置具備接觸孔,此時以上述接觸孔之寬度尺寸自上述第1配線層之表面側朝向上述絕緣層之表面側逐漸增大地形成之方式將上述接觸孔之側壁面形成為傾斜面;及於上述接觸孔內填充導電部,進而使與上述導電部一體之第2配線層延伸形成至上述絕緣層之表面。
根據本發明之輸入裝置之構成,與先前技術相比,能夠將配線電阻抑制得較低。
於本發明中,較佳為,上述導電部及上述第2配線層由感光性導電糊形成。由此,能夠實現窄間距化。
又,於本發明中,亦可構成為於上述第1配線層之表面上形成金屬層,且經由上述金屬層而將上述第1配線層與上述導電部電連接。由此,能夠提高第1配線層與導電部間之密接性。
又,於本發明中,較佳為,上述金屬層形成於延伸至上述加飾區域內之上述第1配線層之表面。由此,能夠有效地降低配線電阻,並且能夠減小各第1配線層之配線電阻之差異。
又,於本發明中,較佳為,上述導電部之表面較上述絕 緣層之表面更突出。由此,能夠更有效地將配線電阻抑制得較低。
又,若使上述導電部之表面較絕緣層之表面更突出且對蔓延至絕緣層之表面上之固定膜厚部之感光性糊進行曝光,則圖案精度得以提高。由此,能夠實現基於窄圖案化之窄配線化、窄間距化,並且能夠於接觸孔內形成厚導電部。又,藉由在接觸孔中填充形成厚導電部,能夠使與第1配線層之密接性與專利文獻1之構成相比得以提高。又,藉由使導電部蔓延至絕緣層表面上,能夠進一步地提高與第1配線層之密接性。
又,於本發明中,較佳為,上述絕緣層由酚醛清漆樹脂形成。由此,能夠使絕緣層之膜厚變薄,且可由導電部適當地填充接觸孔內,從而能夠抑制配線電阻之上升。
又,此時,較佳為,藉由對酚醛清漆樹脂熱硬化而形成上述傾斜面。由此,能夠將接觸孔之側壁面形成為平滑之傾斜面,從而能夠由導電部適當地填充接觸孔內。
又,於本發明中,亦可構成為上述第2配線層將複數個上述透明電極之上述第1配線層之間電連接,於上述加飾區域中排列有複數個上述第2配線層,且各第2配線層之端部構成外部連接部。
根據本發明之輸入裝置,與先前技術相比能夠確保充分之電連接可靠性,且能夠將配線電阻抑制得較低。又,根據本發明之輸入裝置之製造方法,能夠實現窄配線化、窄 間距化。
圖1(a)係本實施形態中之輸入裝置(觸控面板)之平面圖,圖1(b)係將圖1(a)沿著A-A線切斷且自箭頭方向觀察時之部分縱向剖面圖,圖1(c)係與圖1(b)不同之實施形態之部分縱向剖面圖。
再者,於該說明書中,「透明」、「透光性」係指可見光線透過率為50%以上(較佳為80%以上)之狀態。進而,霧度值為6以下為宜。
再者,於圖1中,圖示有在構成輸入裝置1之透明基材2之表面(第1面)2a形成之各透明電極4、5及配線部6,但實際如圖1(b)般於透明基材2之表面側設有透明之面板3,且於配線部6之位置存在加飾層,因此無法自面板3之表面側觀察配線部6。再者,透明電極為透明,故無法視認,但於圖1中表示出透明電極之外形。
透明基材2係由聚對苯二甲酸乙二酯(PET,Polyethylene Terephthalate)等膜狀之透明基材或玻璃基材等形成。又,各透明電極4、5係由ITO(Indium Tin Oxide:氧化銦錫)等透明導電材料且藉由濺鍍或蒸鍍等成膜。
如圖1所示,於顯示區域11(能夠藉由手指等操作體進行操作之顯示器所對向之顯示畫面)內形成複數個第1透明電極(感應電極)4。
複數個第1透明電極4沿著X1-X2方向及Y1-Y2方向配置成矩陣狀。又,於本實施形態中,並不對第1透明電極4之 形狀進行限定。
如圖1(b)所示,複數個第1透明電極4形成於透明基材2之表面2a。如圖1(a)所示,第1配線層8與各第1透明電極4電連接。各第1配線層8與第1透明電極4一體地以細寬度之形狀形成。因而,第1配線層8可由與第1透明電極4相同之ITO形成。各第1配線層8形成於透明基材2之表面2a。
各第1配線層8係自顯示區域11引出至位於顯示區域11之周圍之邊框狀之加飾區域(非顯示區域)25內。
各第1透明電極4中之配置於最靠X1側之複數個第1透明電極4之各第1配線層8與共用之第2配線層15a電連接。又,各第1透明電極4中之配置於自X1側向X2方向第二位之複數個第1透明電極4之各第1配線層8與共用之第2配線層15b電連接。又,各第1透明電極4中之配置於自X1側向X2方向第三位之複數個第1透明電極4之各第1配線層8與共用之第2配線層15c電連接。進而,各第1透明電極4中之配置於最靠X2側之複數個第1透明電極4之各第1配線層8與共用之第2配線層15d電連接。
又,如圖1(a)所示,於顯示區域11形成有與第1透明電極4不同之複數個第2透明電極(驅動電極)5。各第2透明電極5與第1透明電極4於Y方向上交替配置。
配線層9自第2透明電極5之端部引出至加飾區域(非顯示區域)25。配線層9亦與第2透明電極5一體地形成,例如由與第2透明電極5相同之ITO形成。
各第2配線層15a~15d及配線層9之各前端(端部)構成與軟 性印刷基板(未圖示)電連接之外部連接部27。
如圖1所示,顯示區域11之周圍成為邊框狀之加飾區域(非顯示區域)25。顯示區域11為透明、透光性,而加飾區域25為不透明、非透光性。因而,設於加飾區域25之各配線層或外部連接部27無法自輸入裝置1之表面(面板3之表面)觀察到。
如圖1(b)所示,透明基材2之表面2a側與面板3之間係經由光學透明黏著層(OCA:Optical Clear Adhesive)30而接合。面板3之材質並無特別限定,但較佳為應用玻璃基材或塑膠基材。光學透明黏著層(OCA)30為丙烯酸系黏著劑或雙面黏著膠帶等。
於圖1所示之靜電電容式之輸入裝置1中,如圖1(b)所示,當使手指F接觸於面板3之操作面3a上時,於手指F與接近手指F之第1透明電極4之間及與第2透明電極5之間產生靜電電容。根據此時之靜電電容變化,能夠算出手指F之接觸位置。於圖1之實施形態中,對作為驅動電極之各第2透明電極5依次賦予脈衝狀之電壓,此時對第1透明電極4瞬間地流通電流。當作為導電體之手指F(操作體)與操作面3a接觸時,於手指F之附近之透明電極中,於與手指F之間產生靜電電容,在接觸手指F時和未接觸時會產生電容變化。因而,於對作為驅動用電極之第2透明電極5賦予了脈衝狀之電壓之狀態下,依次對第1透明電極4之時間常數之變化進行檢測,並且一面對各第1透明電極5依次賦予電壓一面進行該時間常數變化之連續檢測,由此能夠算出 操作面3a中之手指F所接觸之位置。於圖1(a)中,對在Y1-Y2方向上並列設置之各第2透明電極5依次賦予脈衝狀之電壓,由將配置於最靠X1側之各第1透明電極4彙集成一個之第2配線層15a、將配置於自X1側向X2方向第二位之各第1透明電極4彙集成一個之第2配線層15b、將配置於自X1側向X2方向第三位之各第1透明電極4彙集成一個之第2配線層15c、將配置於最靠X2側之各第1透明電極4彙集成一個之第2配線層15d,來檢測時間常數之變化(相互電容檢測型)。但,操作點之XY座標之檢測方法並不侷限於上述。手指F之位置亦可根據與第1透明電極4之間之靜電電容變化來檢測X座標,並根據與第2透明電極5之間之靜電電容變化來檢測Y座標(自體電容檢測型)。
於本實施形態中,自各第1配線層8至各第2配線層15a~15d之積層構造中存在具特徵性之部分。
圖2(a)係加飾區域25中之自複數個第1配線層8至第2配線層15a之積層構造之部分縱向剖面圖。又,於圖2(b)中,圖示有與第2配線層15a連通之第1配線層8(圖示左側)、及與第2配線層15b連通之第1配線層8(圖示右側)。
如圖2(a)、(b)所示,於透明基材2之表面2a及第1配線層8之表面形成絕緣層20。於本實施形態中,絕緣層20較佳為酚醛清漆樹脂(抗蝕劑)。
如圖2(a)所示,於絕緣層20之與第1配線層8之端部表面在厚度方向上對向之位置形成有高度方向上貫通之接觸孔20a。
如圖2(a)、(b)所示,接觸孔20a之側壁面20c係以各接觸孔20a之寬度尺寸T1自第1配線層8之表面8a側至絕緣層20之表面20b逐漸變大之方式形成為傾斜面。
又,接觸孔20a之寬度尺寸T1(與第1配線層8之表面8a相接一側之寬度尺寸)形成為較第1配線層8之寬度尺寸T2小。因而,於俯視情況下,成為接觸孔20a收納於第1配線層8之表面內,絕緣層20之一部分蔓延至第1配線層8之表面8a之一部分之狀態。
並且,如圖2(a)、(b)所示,接觸孔20a內被導電部21完全地填埋,與該導電部21成為一體之第2配線層15a延伸至絕緣層20之表面20b而形成。
於本實施形態中,所謂導電部21係指設置於接觸孔20a之位置且與第1配線層8電連接之部分。
如圖2(a)所示,絕緣層20之膜厚由H1表示,膜厚H1為1~4 μm左右,第1配線層8之膜厚由H3表示,膜厚H3為20~40 nm左右。又,接觸孔20a之寬度尺寸T1(最小值)為50~200 μm左右。又,第1配線層8之寬度尺寸T2為70~300 μm左右。如此,絕緣層20相對於接觸孔20a之寬度尺寸T1非常薄,但於圖2中,為了在圖式中容易理解地圖示接觸孔20a之傾斜之側壁面20c等,而使尺寸比與實際之尺寸比稍不同。
如圖2(b)所示,絕緣層20之表面20b除了接觸孔20a附近以外,形成為大致平坦化面。即,即便於絕緣層20下存在第1配線層8,亦能夠使絕緣層20之表面20b形成為大致平 坦化面。
又,如圖2(b)所示,導電部21之表面(上表面)21a成為大致平坦化面。但亦可稍微凹凸。又,於本實施形態中,至少為導電部21填充接觸孔20a內之狀態即可,但較佳為如圖2(b)所示般導電部21之表面21a較絕緣層20之表面20b更突出之狀態。此時,導電部21之自絕緣層20之表面20b之突出量為H2,突出量H2為2~10 μm左右。又,該突出量H2與圖2(a)所示之形成於絕緣層20之表面20b之第2配線層15a之膜厚H4大致一致。
接觸孔20a中之導電部21之膜厚成為大致絕緣層20之膜厚H1+突出量H2。
圖2(a)所示之第2配線層15a如圖1(a)所示般,將自配置於最靠圖示X1側之各第1透明電極4延伸之各第1配線層8經由接觸孔20a而電連接。於其他第2配線層15b~15d中亦具有與圖2相同之構造而形成。
於本實施形態中,使接觸孔20a之側壁面20c傾斜,使接觸孔20a之正面寬度較寬地形成。其結果為,於接觸孔20a內不會形成空隙等而容易地填充導電部21。並且,能夠將導電部21於接觸孔20a內整體且均勻地填充,從而能夠使導電部21之膜厚形成為較厚。
如圖1(a)所示,位於顯示區域11之周圍之加飾區域25之寬度較窄,於該較窄之加飾區域25內排列有複數個配線層。由此,配線層之寬度尺寸形成為較小,且相鄰之配線層間之間隔亦變窄(窄間距化)。
於本實施形態中,根據窄邊框化之要求,即便將各第2配線層15a~15d儘可能較細地形成,亦能夠由導電部21適當地填埋接觸孔20a內而確保較厚之導電部21之膜厚,因此,能夠將第2配線層15a~15d(包括導電部21之一部分在內)之配線電阻抑制為較低。又,能夠由導電部21將接觸孔20a內無間隙地填埋,因此,能夠將第1配線層8與導電部21間之接觸電阻抑制為較低,從而能夠有效地將第1配線層8至第2配線層15a~15d之配線部6之配線電阻抑制為較低。
並且,能夠將配線電阻抑制為較低,結果能夠使檢測響應性提高。
於本實施形態中,較佳為,導電部21及第2配線層15a~15d係由感光性導電糊形成。感光性導電糊例如可採用感光性Ag糊或感光性Cu糊。於感光性導電糊中,存在Ag或Cu等之金屬粉混合於感光性樹脂而成之糊狀之導電糊等。
感光性導電糊係經由光阻印刷‧乾燥、曝光、顯影、硬化而形成為配線圖案者,且較如先前技術般使用Ag糊等進行絲網印刷而言為更窄寬度且能夠將各配線層間之間隔形成為較窄(窄間距化)。
又,若使導電部21之表面21a較絕緣層20之表面20b更突出且對以寬度T3蔓延至絕緣層20之表面20b之固定膜厚部之感光性糊進行曝光,則圖案精度得以提高。由此,能夠實現導電部21之窄間距化,並且能夠於接觸孔20a內形成 較厚之導電部21。又,藉由在接觸孔20a中填充形成較厚之導電部21,能夠使與第1配線層8之密接性提高。又,藉由使導電部21蔓延至絕緣層表面,能夠進一步地提高與第1配線層8之密接性。
又,於本實施形態中,絕緣層20中使用酚醛清漆樹脂(抗蝕劑)。由此,能夠將絕緣層20之膜厚形成為較薄。進而藉由熱硬化,能夠使形成於絕緣層20之接觸孔20a之側壁面20c平滑地形成。由此,能夠由導電部21適當且容易地填充接觸孔20a內,且能夠有效地降低配線電阻。
又,於本實施形態中,如圖2(c)所示,亦可於第1配線層8之表面8a形成用於提高與導電部21之間之密接性之金屬層24,且經由金屬層24而將第1配線層8與導電部21電連接。
對於金屬層24,可選擇Cu、CuNi、Cu/CuNi、CuNi/Cu/CuNi、Ti/Au等。金屬層24之膜厚為2~100 nm左右。
金屬層24可僅形成於接觸孔20a下之第1配線層8之端部表面,或者亦可形成於延伸至圖1(a)所示之加飾區域25內之第1配線層8之整個表面。金屬層24較ITO而言為低電阻,因此,藉由在延伸至加飾區域25內之第1配線層8之整個表面形成金屬層24,能夠更有效地謀求配線電阻之降低。又,能夠進一步減小因延伸至加飾區域25內之第1配線層8之長度之差異所引起之配線電阻之差異。
再者,於本實施形態中,如圖1(b)所示,於透明基材2之朝向面板3側之表面2a設有各透明電極4、5及配線層, 但亦可如圖1(c)所示於透明基材2之背面2b(第1面)側設有各透明電極4、5及配線層。
圖3係表示本實施形態中之輸入裝置1之製造方法之步驟圖。圖3之各圖係製造步驟中之部分放大縱向剖面圖,尤其表示與圖2(b)相同之位置處之切斷面。
於圖3(a)之步驟中,如圖1所示於透明基材2之表面(第1面)2a之顯示區域11內由ITO形成複數個透明電極4、5及自顯示區域11延伸至加飾區域25內之各第1配線層8及配線層9。
繼而,於圖3(b)之步驟中,於透明基材2之表面2a形成絕緣層20。此時,於絕緣層20中,於各第1配線層8之端部表面之位置形成接觸孔20a。藉由對絕緣層20進行曝光顯影處理,能夠適當地形成接觸孔20a。又,本實施形態之絕緣層20為酚醛清漆樹脂,且較佳為以接觸孔20a之側壁面20c成為平滑之傾斜面之方式實施熱硬化處理。
又,於本實施形態中,能夠將絕緣層20之表面20b形成為大致平坦化面。藉由如上所述由酚醛清漆樹脂形成絕緣層20,能夠將絕緣層20之膜厚較薄地形成為2 μm左右。又,能夠將接觸孔20a之寬度尺寸T1(最小值)較寬地形成為50~200 μm左右。再者,此時,必需設為接觸孔20a之寬度尺寸T1較第1配線層8之寬度尺寸T2窄,且於第1配線層8之寬度尺寸T2內收納接觸孔20a之寬度尺寸T1之狀態。
繼而,於圖3(c)之步驟中,將感光性導電糊自各接觸孔20a內抗蝕劑印刷於絕緣層20之表面整個區域,進而使其 乾燥。繼而,藉由曝光(負性)、顯影,而自各接觸孔20a內至絕緣層20之表面20b圖案形成導電部21及與導電部21成為一體之第2配線層15a~15d。之後,進行硬化處理。
於本實施形態中,藉由使用感光性導電糊,能夠將第2配線層15a~15d形成為窄寬度。具體而言,能夠將第2配線層15a~15d之寬度尺寸較細地形成為10~100 μm左右。又,亦能夠將各第2配線層15a~15d間之間隔減小至與第2配線層15a~15d之寬度尺寸相同程度,從而能夠實現窄間距化。
於本實施形態中,能夠由導電部21適當地填充各接觸孔20a內。尤其如圖3(c)所示,能夠使導電部21之表面21a較絕緣層20之表面20b更突出,且能夠使導電部21之膜厚形成為較厚。
又,若使導電部21之表面21a較絕緣層20之表面20b更突出且對以寬度T3蔓延至絕緣層20之表面20b之固定膜厚部之感光性糊進行曝光,則圖案精度得以提高。由此,能夠實現導電部21之窄間距化,並且能夠於接觸孔20a內形成較厚之導電部21。又,藉由在接觸孔20a中填充形成較厚之導電部21,能夠使與第1配線層8之密接性提高。又,藉由使導電部21蔓延至絕緣層表面,能夠進一步地提高與第1配線層8之密接性。
又,於本實施形態中,能夠將接觸孔20a之正面寬度較寬地形成,又,能夠使接觸孔20a之側壁面20c形成為平滑之傾斜面,因此,能夠由導電部21適當地填埋接觸孔20a 內,能夠降低第1配線層8與導電部21間之接觸電阻,從而能夠有效地減小自第1配線層8至第2配線層15a~15d之配線電阻。
又,根據本實施形態,藉由對絕緣層20使用酚醛清漆樹脂,對導電部21及第2配線層15a~15d使用感光性導電糊,能夠謀求薄型且窄間距化,能夠使輸入裝置1變薄且實現加飾區域25之窄邊框化。
又,於本實施形態中,如圖2(c)所說明般,亦可於第1配線層8之端部表面或者佔據加飾區域25內之第1配線層8之整體形成用於提高與導電部21之密接性之金屬層24。金屬層24於圖3(a)之步驟時重疊形成於第1配線層8上。再者,對於金屬層24可選擇Cu、CuNi、Cu/CuNi、CuNi/Cu/CuNi、Ti/Au等。
之後,如圖1(b)所示,將透明基材2之表面2a側與表面成為操作面3a之面板3間經由光學透明黏著層30來接合。
本實施形態中之輸入裝置可使用於行動電話、數位相機、PDA(Personal Digital Assistant,個人數位助理)、遊戲機、汽車導航等。
1‧‧‧輸入裝置
2‧‧‧透明基材
2a‧‧‧透明基材之表面
3‧‧‧面板
3a‧‧‧操作面
4‧‧‧透明電極
5‧‧‧透明電極
6‧‧‧配線部
8‧‧‧第1配線層
8a‧‧‧第1配線層之表面
9‧‧‧配線層
11‧‧‧顯示區域
15a~15d‧‧‧第2配線層
20‧‧‧絕緣層
20a‧‧‧接觸孔
20b‧‧‧絕緣層之表面
20c‧‧‧側壁面
21‧‧‧導電部
21a‧‧‧導電部之表面
24‧‧‧金屬層
25‧‧‧加飾區域
27‧‧‧外部連接部
30‧‧‧光學透明黏著層
H1‧‧‧絕緣層之膜厚
H2‧‧‧突出量
H3‧‧‧第1配線層之膜厚
H4‧‧‧第2配線層之膜厚
F‧‧‧手指
T1‧‧‧接觸孔之寬度尺寸
T2‧‧‧第1配線層之寬度尺寸
T3‧‧‧寬度
圖1(a)係本實施形態中之輸入裝置(觸控面板)之平面圖,圖1(b)係將圖1(a)沿著A-A線切斷且自箭頭方向觀察時之部分縱向剖面圖,圖1(c)係與圖1(b)不同之實施形態之部分縱向剖面圖。
圖2(a)係將圖1(a)所示之輸入裝置沿著B-B線切斷之部分 放大縱向剖面圖,圖2(b)係將圖1(a)所示之輸入裝置沿著C-C線切斷之部分放大縱向剖面圖,圖2(c)係與圖2(b)不同之實施形態之部分縱向剖面圖。
圖3(a)~(c)係表示本實施形態中之輸入裝置之製造方法之步驟圖(部分縱向剖面圖)。
2‧‧‧透明基材
2a‧‧‧透明基材之表面
8‧‧‧第1配線層
8a‧‧‧第1配線層之表面
15a‧‧‧第2配線層
20‧‧‧絕緣層
20a‧‧‧接觸孔
20b‧‧‧絕緣層之表面
20c‧‧‧側壁面
21‧‧‧導電部
21a‧‧‧導電部之表面
24‧‧‧金屬層
25‧‧‧加飾區域
H1‧‧‧絕緣層之膜厚
H2‧‧‧突出量
H3‧‧‧第1配線層之膜厚
H4‧‧‧第2配線層之膜厚
T1‧‧‧接觸孔之寬度尺寸
T2‧‧‧第1配線層之寬度尺寸
T3‧‧‧寬度

Claims (9)

  1. 一種輸入裝置,其特徵在於包括:透明基材;複數個透明電極,其形成於上述透明基材之第1面側且於顯示區域內;第1配線層,其自各透明電極延伸至位於上述顯示區域之側部之加飾區域內而形成;絕緣層,其於與上述第1配線層之表面對向之位置具備接觸孔且形成於上述透明基材之第1面側;導電部,其形成於上述接觸孔內;及第2配線層,其與上述導電部成為一體且延伸形成至上述絕緣層之表面,並與上述第1配線層電連接;且上述接觸孔之側壁面係以使上述接觸孔之寬度尺寸自上述第1配線層之表面側朝向上述絕緣層之表面側逐漸增大地形成之方式形成為包含曲面之傾斜面;上述導電部填充於上述接觸孔內;位於上述加飾區域之上述第2配線層將複數個上述透明電極之上述第1配線層間電連接,於上述加飾區域中排列有複數個上述第2配線層,各第2配線層之端部構成外部連接部;上述第2配線層包含金屬,上述第2配線層之膜厚係厚於上述第1配線層之膜厚;上述接觸孔之寬度尺寸係大於上述絕緣膜之膜厚且小於上述第1配線層之寬度尺寸。
  2. 如請求項1之輸入裝置,其中上述導電部及上述第2配線 層係由感光性導電糊形成。
  3. 如請求項1或2之輸入裝置,其中於上述第1配線層之表面形成金屬層,且經由上述金屬層而將上述第1配線層與上述導電部電連接。
  4. 如請求項3之輸入裝置,其中上述金屬層形成於延伸至上述加飾區域內之上述第1配線層之表面。
  5. 如請求項1或2之輸入裝置,其中上述導電部之表面較上述絕緣層之表面更突出。
  6. 如請求項1或2之輸入裝置,其中上述絕緣層係由酚醛清漆樹脂形成。
  7. 一種輸入裝置之製造方法,其特徵在於包括如下步驟:於透明基材之第1面側且於顯示區域內形成複數個透明電極、及自各透明電極延伸至位於上述顯示區域之側部之加飾區域內之第1配線層;於上述透明基材之第1面側形成絕緣層,該絕緣層在與上述第1配線層之表面對向之位置具備接觸孔,此時以使上述接觸孔之寬度尺寸自上述第1配線層之表面側朝向上述絕緣層之表面側逐漸增大地形成之方式將上述接觸孔之側壁面形成為包含曲面之傾斜面;及於上述接觸孔內填充導電部,進而使與上述導電部為一體之第2配線層延伸形成至上述絕緣層之表面;位於上述加飾區域之上述第2配線層將複數個上述透明電極之上述第1配線層間電連接,於上述加飾區域中排列有複數個上述第2配線層,各第2配線層之端部構成 外部連接部;使上述第2配線層包含金屬,且將上述第2配線層之膜厚形成為厚於上述第1配線層之膜厚;將上述接觸孔之寬度尺寸形成為大於上述絕緣膜之膜厚且小於上述第1配線層之寬度尺寸。
  8. 如請求項7之輸入裝置之製造方法,其中由酚醛清漆樹脂形成上述絕緣層,且藉由熱硬化形成上述傾斜面。
  9. 如請求項7或8之輸入裝置之製造方法,其中由感光性導電糊形成上述導電部及上述第2配線層。
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