JP5846953B2 - 入力装置及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、操作面の操作位置を検知可能な入力装置に係り、特に、加飾領域に配置される配線層の構造に関する。
静電容量型の入力装置(タッチパネル)では、透明基材の表示領域内に複数の透明電極が配置され、各透明電極から引き出された各第1の配線層が表示領域の周囲に位置する加飾領域に引き延ばされている。
特許文献1の図1C、図2B、図5では、第1の配線層とは別の第2の配線層が設けられ、第1の配線層と第2の配線層とが、その間に介在する絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されている。
特開2010−541109号公報
ところで近年益々、加飾領域の幅は小さくなっており、その結果、各配線層の幅寸法も小さく形成しなければならない。
しかしながら配線幅を小さくすることで配線抵抗が高くなり検出応答性が低下する問題があった。特許文献1では、コンタクトホールの位置に、コンタクトホールの側壁に倣ってほぼ一定厚の配線パターンが形成されており、配線抵抗の上昇を抑制できる構成とはなっていない。また薄い配線パターンの密着性が低く、電気的な接続信頼性が低かった。
また、コンタクトホールを備える絶縁層をスクリーン印刷により形成すると厚い膜厚となり、コンタクトホールの深さが深いために適切にコンタクトホールを介して上下の配線層間を電気的に接続できない問題があった。さらに、従来のように、配線層をAgスクリーン印刷等で形成する構成では、配線層を狭ピッチで形成できない問題もあった。
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、十分な電気的接続信頼性を確保でき、配線抵抗の上昇を従来に比べて抑制可能な入力装置を提供することを目的とする。
また本発明は、上記に加えて、配線層の狭ピッチ化を実現できる入力装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明における入力装置は、
第1の面側が表示領域と前記表示領域の側部に位置する加飾領域とに区分された透明基材と、前記表示領域内で前記透明基材の第1の面形成された複数の透明電極と、前記第1の面でそれぞれの前記透明電極から引き延ばされて前記加飾領域内に形成された複数の第1の配線層と、
複数の前記第1の配線層を覆い前記第1の配線層の表面と対向するコンタクトホールを備えた絶縁層と、前記コンタクトホール内に充填されて前記第1の配線層と電気的に接続された導電部と、前記導電部と一体となって前記絶縁層の表面に延出して形成され第2の配線層と、を有し、
前記コンタクトホールの側壁面に傾斜面が形成されて前記コンタクトホールの幅寸法が前記第1の配線層の表面側から前記絶縁層の表面側に向けて徐々に大きく形成されており、
前記導電部および前記第2の配線層が導電ペーストで形成され、前記導電部が複数の前記コンタクトホール内に充填されて、それぞれが異なる前記透明電極から引き出された複数の前記第1の配線層が、前記絶縁層の上に延出する共通の前記第2の配線層に導通されており、
前記第2の配線層の膜厚が、前記第1の配線層の膜厚より大きいことを特徴とするものである。
また本発明における入力装置の製造方法は、
透明基材の第1の面側であって表示領域内に複数の透明電極、前記表示領域の側部に位置する加飾領域内に各透明電極から引き延した第1の配線層を形成する工程、
前記透明基材の第1の面側に、前記第1の配線層を覆い前記第1の配線層の表面と対向するコンタクトホールを備えた絶縁層を形成し、このとき前記コンタクトホールの側壁面に傾斜面を形成して前記コンタクトホールの幅寸法前記第1の配線層の表面側から前記絶縁層の表面側に向けて徐々に大きく形成する工程、
複数の前記コンタクトホール内に導電ペーストを充填して導電部を形成するとともに、前記絶縁層の表面に延出する第2の配線層を、前記導電ペーストで前記導電部と一体に形成し、それぞれが異なる前記透明電極から引き出された複数の前記第1の配線層を、前記絶縁層の上に延出する共通の前記第2の配線層に導通させて、前記第2の配線層の膜厚を前記第1の配線層の膜厚より大きく形成する工程、
を有することを特徴とするものである。
本発明の入力装置の構成によれば、従来に比べて配線抵抗を低く抑えることができる。また、狭ピッチ化を実現できる。
また本発明では、前記第1の配線層の表面に金属層が形成されており、前記金属層を介して前記第1の配線層と前記導電部とが電気的に接続されている構成としてもよい。これにより第1の配線層と導電部間の密着性を向上させることができる。
また本発明では、前記金属層は、前記加飾領域内に延出した前記第1の配線層の表面に形成されていることが好ましい。これにより効果的に配線抵抗を低減できるとともに、各第1の配線層の配線抵抗の差異を小さくできる。
また本発明では、前記導電部の表面が前記絶縁層の表面よりも突出していることが好ましい。これにより、より効果的に配線抵抗を低く抑えることができる。
また、前記導電部の表面を絶縁層の表面よりも突出させ、且つ絶縁層の表面に乗り上げた一定膜厚部の感光性ペーストを露光すると、パターン精度が向上する。これにより狭パターニング化による狭配線化、狭ピッチ化とともにコンタクトホール内に厚い導電部を形成することができる。また、コンタクトホールに厚い導電部を充填形成することで第1の配線層との密着性を特許文献1の構成に比べて向上させることができる。また導電部を絶縁層表面に乗り上げることで第1の配線層との密着性を更に向上させることができる。
また本発明では、前記絶縁層はノボラック樹脂で形成されることが好ましい。これにより、絶縁層の膜厚を薄くでき、コンタクトホール内を導電部で適切に充填でき、配線抵抗の上昇を抑制できる。
またこの際、ノボラック樹脂に対して、熱硬化により前記傾斜面を形成することが好ましい。これにより、コンタクトホールの側壁面をなだらかな傾斜面に形成でき、コンタクトホール内を導電部で適切に充填できる。
また本発明では、前記加飾領域には複数本の前記第2の配線層が配列されており、各第2の配線層の端部が、外部接続部を構成している構成にできる。
本発明の入力装置によれば、従来に比べて十分な電気的接続信頼性を確保でき、配線抵抗を低く抑えることができる。また本発明の入力装置の製造方法によれば、狭配線化、狭ピッチ化を実現できる。
図1(a)は、本実施形態における入力装置(タッチパネル)の平面図であり、図1(b)は、図1(a)をA−A線に沿って切断し矢印方向から見た部分縦断面図であり、図1(c)は、図1(b)とは異なる実施形態の部分縦断面図である。 図2(a)は、図1(a)に示す入力装置をB−B線に沿って切断した部分拡大縦断面図であり、図2(b)は、図1(a)に示す入力装置をC−C線に沿って切断した部分拡大縦断面図であり、図2(c)は、図2(b)とは異なる実施形態の部分縦断面図である。 図3は、本実施形態における入力装置の製造方法を示す工程図(部分縦断面図)である。
図1(a)は、本実施形態における入力装置(タッチパネル)の平面図であり、図1(b)は、図1(a)をA−A線に沿って切断し矢印方向から見た部分縦断面図であり、図1(c)は、図1(b)とは異なる実施形態の部分縦断面図である。
なおこの明細書において、「透明」「透光性」とは可視光線透過率が50%以上(好ましくは80%以上)の状態を指す。更にヘイズ値が6以下であることが好適である。
なお図1には、入力装置1を構成する透明基材2の表面(第1の面)2aに形成された各透明電極4,5及び配線部6を図示したが、実際には図1(b)のように、透明基材2の表面側に透明なパネル3が設けられ、また配線部6の位置には加飾層が存在するので、配線部6をパネル3の表面側から見ることはできない。なお透明電極は透明なので視認できないが、図1では透明電極の外形を示している。
透明基材2は、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のフィルム状の透明基材やガラス基材等で形成される。また各透明電極4,5は、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電材料でスパッタや蒸着等により成膜される。
図1に示すように、表示領域11(指などの操作体により操作を行うことができる、表示ディスプレイが対向する表示画面)内には複数の第1の透明電極(センス電極)4が形成される。
複数の第1の透明電極4は、X1−X2方向及びY1−Y2方向にマトリクス状に配置されている。また本実施形態では第1の透明電極4の形状を限定するものではない。
図1(b)に示すように複数の第1の透明電極4は、透明基材2の表面2aに形成されている。図1(a)に示すように各第1の透明電極4には第1の配線層8が電気的に接続されている。各第1の配線層8は、第1の透明電極4と一体的に幅細の形状で形成されている。したがって第1の配線層8は第1の透明電極4と同じITOで形成することができる。各第1の配線層8は透明基材2の表面2aに形成されている。
各第1の配線層8は、表示領域11から、表示領域11の周囲に位置する額縁状の加飾領域(非表示領域)25内に引き出されている。
各第1の透明電極4のうち、最もX1側に配置された複数の第1の透明電極4の各第1の配線層8が共通の第2の配線層15aに電気的に接続されている。また、各第1の透明電極4のうち、X1側からX2方向に二番目に配置された複数の第1の透明電極4の各第1の配線層8が共通の第2の配線層15bに電気的に接続されている。また、各第1の透明電極4のうち、X1側からX2方向に三番目に配置された複数の第1の透明電極4の各第1の配線層8が共通の第2の配線層15cに電気的に接続されている。さらに、各第1の透明電極4のうち、最もX2側に配置された複数の第1の透明電極4の各第1の配線層8が共通の第2の配線層15dに電気的に接続されている。
また図1(a)に示すように、表示領域11には第1の透明電極4とは別に複数の第2の透明電極(ドライブ電極)5が形成されている。各第2の透明電極5は、第1の透明電極4とY方向にて交互に配置されている。
第2の透明電極5の端部から配線層9が加飾領域(非表示領域)25にまで引き出されている。配線層9も第2の透明電極5と一体的に形成され、例えば第2の透明電極5と同じITOで形成されている。
各第2の配線層15a〜15d及び配線層9の各先端(端部)は、フレキシブルプリント基板(図示しない)と電気的に接続される外部接続部27を構成している。
図1に示すように、表示領域11の周囲は額縁状の加飾領域(非表示領域)25となっている。表示領域11は透明、透光性であるが、加飾領域25は不透明、非透光性である。よって加飾領域25に設けられた各配線層や外部接続部27は入力装置1の表面(パネル3の表面)から見ることはできない。
図1(b)に示すように、透明基材2の表面2a側とパネル3との間が光学透明粘着層(OCA;Optical Clear Adhesive)30を介して接合されている。パネル3は特に材質を限定するものではないが、ガラス基材やプラスチック基材が好ましく適用される。光学透明粘着層(OCA)30は、アクリル系粘着剤や両面粘着テープ等である。
図1に示す静電容量式の入力装置1では、図1(b)に示すように指Fをパネル3の操作面3a上に接触させると、指Fと指Fに近い第1の透明電極4との間、及び第2の透明電極5との間で静電容量が生じる。このときの静電容量変化に基づいて、指Fの接触位置を算出することが可能である。図1の実施形態では、駆動電極である各第2の透明電極5にパルス状の電圧が順番に与えられ、このとき第1の透明電極4に瞬間的に電流が流れる。導電体である指F(操作体)が、操作面3aに触れると、指Fの近傍の透明電極では、指Fとの間に静電容量が生じ、指Fを触れたときと触れていないときとで容量変化が生じる。したがって、駆動用電極である第2の透明電極5にパルス状の電圧を与えた状態で、順次、第1の透明電極4の時定数の変化を検知し、この時定数変化の連続検知を、各第1の透明電極5に電圧を順に与えながら行うことで、操作面3aにおける指Fが触れた位置を算出することができる。図1(a)では、Y1−Y2方向に並設された各第2の透明電極5に順次、パルス状の電圧を付与し、最もX1側に配置された各第1の透明電極4を一つにまとめた第2の配線層15a、X1側からX2方向に二番目に配置された各第1の透明電極4を一つにまとめた第2の配線層15b、X1側からX2方向に三番目に配置された各第1の透明電極4を一つにまとめた第2の配線層15c、最もX2側に配置された各第1の透明電極4を一つにまとめた第2の配線層15dから、時定数の変化を検知する(相互容量検出型)。ただし、操作点のXY座標の検出方法は上記に限られるものではない。指Fの位置は、第1の透明電極4との間の静電容量変化に基づいてX座標を検知し、第2の透明電極5との間の静電容量変化に基づいてY座標を検知することもできる(自己容量検出型)。
本実施形態では、各第1の配線層8から各第2の配線層15a〜15dに通じる積層構造に特徴的部分がある。
図2(a)は加飾領域25における複数の第1の配線層8から第2の配線層15aにかけての積層構造の部分縦断面図である。また図2(b)には、第2の配線層15aに通じる第1の配線層8(図示左側)と、第2の配線層15bに通じる第1の配線層8(図示右側)とを図示した。
図2(a)(b)に示すように、透明基材2の表面2a及び第1の配線層8の表面には絶縁層20が形成されている。本実施形態では絶縁層20は、ノボラック樹脂(レジスト)であることが好適である。
図2(a)に示すように絶縁層20には第1の配線層8の端部表面と厚さ方向にて対向する位置に高さ方向に貫通するコンタクトホール20aが形成されている。
図2(a)(b)に示すように各コンタクトホール20aの幅寸法T1が第1の配線層8の表面8a側から絶縁層20の表面20bにかけて徐々に大きくなるようにコンタクトホール20aの側壁面20cが傾斜面で形成されている。
またコンタクトホール20aの幅寸法T1(第1の配線層8の表面8aと接する側の幅寸法)は、第1の配線層8の幅寸法T2よりも小さく形成される。よって、平面視にて、コンタクトホール20aは、第1の配線層8の表面内に収められ、絶縁層20の一部が第1の配線層8の表面8aに一部、乗り上げた状態となっている。
そして図2(a)(b)に示すように、コンタクトホール20a内は導電部21により完全に埋められており、この導電部21と一体となった第2の配線層15aが絶縁層20の表面20bに延出して形成されている。
本実施形態において導電部21とは、コンタクトホール20aの位置に設けられて第1の配線層8と電気的に接続された部分を指す。
図2(a)に示すように、絶縁層20の膜厚はH1で示され、膜厚H1は、1〜4μm程度であり、第1の配線層8の膜厚はH3で示され、膜厚H3は、20〜40nm程度である。また、コンタクトホール20aの幅寸法T1(最小値)は、50〜200μm程度である。また第1の配線層8の幅寸法T2は、70〜300μm程度である。このように絶縁層20は、コンタクトホール20aの幅寸法T1に対してかなり薄いが、図2ではコンタクトホール20aの傾斜する側壁面20c等を図面上わかりやすく図示するために寸法比を実際の寸法比とはやや異ならせている。
図2(b)に示すように絶縁層20の表面20bはコンタクトホール20a付近を除いて略平坦化面で形成される。すなわち絶縁層20の下に第1の配線層8があっても絶縁層20の表面20bを略平坦化面で形成することができる。
また図2(b)に示すように、導電部21の表面(上面)21aは、略平坦化面となっている。ただし多少、凹凸があってもよい。また、本実施形態では少なくとも、導電部21がコンタクトホール20a内を充填した状態であればよいが、図2(b)に示すように導電部21の表面21aが、絶縁層20の表面20bよりも突出した状態であることが好ましい。このとき、絶縁層20の表面20bからの導電部21の突出量は、H2であり、突出量H2は、2〜10μm程度である。また、この突出量H2は、図2(a)に示す、絶縁層20の表面20bに形成された第2の配線層15aの膜厚H4とほぼ一致している。
コンタクトホール20aにおける導電部21の膜厚は、ほぼ絶縁層20の膜厚H1+突出量H2となっている。
図2(a)に示す第2の配線層15aは、図1(a)に示すように、最も図示X1側に配置された各第1の透明電極4から延びる各第1の配線層8をコンタクトホール20aを介して電気的に接続している。他の第2の配線層15b〜15dにおいても図2と同様の構造を有して形成されている。
本実施形態では、コンタクトホール20aの側壁面20cを傾斜させ、コンタクトホール20aの間口を広く形成した。この結果、導電部21をコンタクトホール20a内に空隙等が形成されることなく充填しやすい。そして、導電部21をコンタクトホール20a内全体に満遍なく充填でき、導電部21の膜厚を厚く形成することができる。
図1(a)に示すように表示領域11の周囲に位置する加飾領域25の幅は狭く、この狭い加飾領域25内に複数本の配線層が配列されている。このため配線層はその幅寸法が小さく形成され、且つ隣り合う配線層間の間隔も狭くされている(狭ピッチ化)。
本実施形態では、狭額縁化の要請により、各第2の配線層15a〜15dをできる限り細く形成しても、コンタクトホール20a内を適切に導電部21で埋めて厚い導電部21の膜厚を確保することができるため、第2の配線層15a〜15d(導電部21の部分を含む)の配線抵抗を低く抑えることができる。また、隙間なくコンタクトホール20a内を導電部21により埋めることができるため、第1の配線層8と導電部21間の接触抵抗を低く抑えることができ、第1の配線層8から第2の配線層15a〜15dに至る配線部6の配線抵抗を効果的に低く抑えることができる。
そして配線抵抗を低く抑えることができる結果、検出応答性を向上させることができる。
本実施形態では、導電部21及び第2の配線層15a〜15dは、感光性導電ペーストにより形成されることが好ましい。感光性導電ペーストには例えば感光性Agペーストや感光性Cuペーストを用いることができる。感光性導電ペーストには、AgやCu等の金属粉が感光性樹脂に混合されたペースト状のもの等がある。
感光性導電ペーストは、レジスト印刷・乾燥、露光、現像、硬化を経て配線パターンに形成されるものであり、従来のようにAgペーストなどを用いてスクリーン印刷するよりも幅細で且つ各配線層間の間隔を狭く形成することができる(狭ピッチ化)。
また、導電部21の表面21aを絶縁層20の表面20bよりも突出させ、且つ絶縁層20の表面20bに幅T3で乗り上げた一定膜厚部の感光性ペーストを露光すると、パターン精度が向上する。これにより導電部21の狭ピッチ化とともにコンタクトホール20a内に厚い導電部21を形成することができる。また、コンタクトホール20aに厚い導電部21を充填形成することで第1の配線層8との密着性を向上させることができる。また導電部21を絶縁層表面に乗り上げることで第1の配線層8との密着性を更に向上させることができる。
また本実施形態では、絶縁層20にノボラック樹脂(レジスト)を用いた。これにより、絶縁層20の膜厚を薄く形成できる。さらに熱硬化により、絶縁層20に形成されたコンタクトホール20aの側壁面20cをなだらかに形成できる。これによりコンタクトホール20a内を導電部21により適切且つ容易に充填でき、配線抵抗を効果的に低くできる。
また本実施形態では図2(c)に示すように、第1の配線層8の表面8aに、導電部21との間の密着性を高めるための金属層24が形成され、金属層24を介して第1の配線層8と導電部21とが電気的に接続されていてもよい。
金属層24には、Cu、CuNi、Cu/CuNi、CuNi/Cu/CuNi、Ti/Au等を選択できる。金属層24の膜厚は、2〜100nm程度である。
金属層24は、コンタクトホール20a下における第1の配線層8の端部表面だけに形成されていてもよいし、あるいは、図1(a)に示す加飾領域25内に延出した第1の配線層8の表面全体に形成されていてもよい。金属層24はITOよりも低抵抗であるため、加飾領域25内に延出した第1の配線層8の表面全体に金属層24を形成することで、より効果的に配線抵抗の低減を図ることができる。また、加飾領域25内に延出した第1の配線層8の長さの差異による配線抵抗の差異をより小さくすることができる。
なお本実施形態では図1(b)に示すように、透明基材2のパネル3側に向く表面2aに各透明電極4,5、及び配線層を設けているが、図1(c)に示すように、透明基材2の裏面2b(第1の面)側に各透明電極4,5、及び配線層を設けていることもできる。
図3は、本実施形態における入力装置1の製造方法を示す工程図である。図3の各図は、製造工程中における部分拡大縦断面図でり、特に図2(b)と同じ位置での切断面を示している。
図3(a)の工程では、図1に示すように透明基材2の表面(第1の面)2aの表示領域11内に複数の透明電極4、5及び、表示領域11から加飾領域25内に引き出した各第1の配線層8及び配線層9をITOにより形成する。
次に図3(b)の工程では、透明基材2の表面2aに絶縁層20を形成する。このとき絶縁層20には、各第1の配線層8の端部表面の位置にコンタクトホール20aを形成する。絶縁層20に対して露光現像処理を行うことで、コンタクトホール20aを適切に形成することができる。また本実施形態の絶縁層20はノボラック樹脂であり、コンタクトホール20aの側壁面20cがなだらかな傾斜面となるように熱硬化処理を施すことが好適である。
また本実施形態では、絶縁層20の表面20bを略平坦化面で形成できる。上記したように絶縁層20をノボラック樹脂で形成したことで、絶縁層20の膜厚を2μm程度に薄く形成できる。またコンタクトホール20aの幅寸法T1(最小値)を50〜200μm程度に広く形成できる。なおこのとき、コンタクトホール20aの幅寸法T1は、第1の配線層8の幅寸法T2よりも狭く、第1の配線層8の幅寸法T2内にコンタクトホール20aの幅寸法T1が収まる状態とすることが必要である。
次に図3(c)の工程では、感光性導電ペーストを各コンタクトホール20a内から絶縁層20の表面全域にレジスト印刷し、さらに乾燥させる。そして露光(ネガ)、現像により、各コンタクトホール20a内から絶縁層20の表面20bにかけて、導電部21及び導電部21と一体となった第2の配線層15a〜15dをパターン形成する。その後、硬化処理を行う。
本実施形態では感光性導電ペーストを用いることで、第2の配線層15a〜15dを幅細で形成できる。具体的には第2の配線層15a〜15dの幅寸法を、10〜100μm程度に細く形成できる。また各第2の配線層15a〜15d間の間隔も、第2の配線層15a〜15dの幅寸法と同程度に小さくでき狭ピッチ化を実現できる。
本実施形態では、導電部21により各コンタクトホール20a内を適切に充填できる。特に図3(c)に示すように、導電部21の表面21aを絶縁層20の表面20bよりも突出させることができ導電部21の膜厚を厚く形成することができる。
また、導電部21の表面21aを絶縁層20の表面20bよりも突出させ、且つ絶縁層20の表面20bに幅T3で乗り上げた一定膜厚部の感光性ペーストを露光すると、パターン精度が向上する。これにより導電部21の狭ピッチ化とともにコンタクトホール20a内に厚い導電部21を形成することができる。また、コンタクトホール20aに厚い導電部21を充填形成することで第1の配線層8との密着性を向上させることができる。また導電部21を絶縁層表面に乗り上げることで第1の配線層8との密着性を更に向上させることができる。
また本実施形態では、コンタクトホール20aの間口を広く形成でき、またコンタクトホール20aの側壁面20cをなだらかな傾斜面で形成できるため、コンタクトホール20a内を適切に導電部21により埋めることができ、第1の配線層8と導電部21間の接触抵抗を低くでき、第1の配線層8から第2の配線層15a〜15dに通じる配線抵抗を効果的に小さくすることができる。
また本実施形態によれば、絶縁層20にノボラック樹脂を使用し、導電部21及び第2の配線層15a〜15dに感光性導電ペーストを用いることで、薄型で且つ狭ピッチ化を図ることができ、入力装置1を薄く且つ加飾領域25の狭額縁化を実現することができる。
また本実施形態では図2(c)で説明したように、第1の配線層8の端部表面、あるいは、加飾領域25内に占める第1の配線層8の全体に導電部21との密着性を高めるための金属層24を形成することもできる。金属層24が、図3(a)の工程時、第1の配線層8に重ねて形成する。なお金属層24には、Cu、CuNi、Cu/CuNi、CuNi/Cu/CuNi、Ti/Au等を選択できる。
その後、図1(b)に示すように透明基材2の表面2a側と表面が操作面3aとされたパネル3間を光学透明粘着層30を介して接合する。
本実施形態における入力装置は、携帯電話機、デジタルカメラ、PDA、ゲーム機、カーナビゲーション等に使用される。
1 入力装置
2 透明基材
3 パネル
4、5 透明電極
6 配線部
8 第1の配線層
11 表示領域
15a〜15d 第2の配線層
20 絶縁層
20a コンタクトホール
20c 側壁面
21 導電部
24 金属層
25 加飾領域

Claims (10)

  1. 第1の面側が表示領域と前記表示領域の側部に位置する加飾領域とに区分された透明基材と、前記表示領域内で前記透明基材の第1の面形成された複数の透明電極と、前記第1の面でそれぞれの前記透明電極から引き延ばされて前記加飾領域内に形成された複数の第1の配線層と、
    複数の前記第1の配線層を覆い前記第1の配線層の表面と対向するコンタクトホールを備えた絶縁層と、前記コンタクトホール内に充填されて前記第1の配線層と電気的に接続された導電部と、前記導電部と一体となって前記絶縁層の表面に延出して形成され第2の配線層と、を有し、
    前記コンタクトホールの側壁面に傾斜面が形成されて前記コンタクトホールの幅寸法が前記第1の配線層の表面側から前記絶縁層の表面側に向けて徐々に大きく形成されており、
    前記導電部および前記第2の配線層が導電ペーストで形成され、前記導電部が複数の前記コンタクトホール内に充填されて、それぞれが異なる前記透明電極から引き出された複数の前記第1の配線層が、前記絶縁層の上に延出する共通の前記第2の配線層に導通されており、
    前記第2の配線層の膜厚が、前記第1の配線層の膜厚より大きいことを特徴とする入力装置。
  2. 前記透明電極と前記第1の配線層がITOで形成され、前記導電ペーストがAgまたはCuを含む請求項1記載の入力装置。
  3. 前記第1の配線層の表面に金属層が形成されており、前記金属層を介して前記第1の配線層と前記導電部とが電気的に接続されている請求項1又は2に記載の入力装置。
  4. 前記金属層は、前記加飾領域内に延出した前記第1の配線層の表面に形成されている請求項3記載の入力装置。
  5. 前記導電部の表面が前記絶縁層の表面よりも突出している請求項1ないし4のいずれか1項に記載の入力装置。
  6. 前記絶縁層はノボラック樹脂で形成される請求項1ないし5のいずれか1項に記載の入力装置。
  7. 記加飾領域には複数本の前記第2の配線層が配列されており、各第2の配線層の端部が、外部接続部を構成している請求項1ないし6のいずれか1項に記載の入力装置。
  8. 前記コンタクトホールの幅寸法T1が、その下に位置する前記第1の配線層の幅寸法T2よりも小さい請求項1ないし7のいずれか1項に記載の入力装置。
  9. 透明基材の第1の面側であって表示領域内に複数の透明電極、前記表示領域の側部に位置する加飾領域内に各透明電極から引き延した第1の配線層を形成する工程、
    前記透明基材の第1の面側に、前記第1の配線層を覆い前記第1の配線層の表面と対向するコンタクトホールを備えた絶縁層を形成し、このとき前記コンタクトホールの側壁面に傾斜面を形成して前記コンタクトホールの幅寸法前記第1の配線層の表面側から前記絶縁層の表面側に向けて徐々に大きく形成する工程、
    複数の前記コンタクトホール内に導電ペーストを充填して導電部を形成するとともに、前記絶縁層の表面に延出する第2の配線層を、前記導電ペーストで前記導電部と一体に形成し、それぞれが異なる前記透明電極から引き出された複数の前記第1の配線層を、前記絶縁層の上に延出する共通の前記第2の配線層に導通させて、前記第2の配線層の膜厚を前記第1の配線層の膜厚より大きく形成する工程、
    を有することを特徴とする入力装置の製造方法。
  10. 前記絶縁層をノボラック樹脂で形成し、熱硬化により前記傾斜面を形成する請求項9記載の入力装置の製造方法。
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