JP5865819B2 - 入力装置 - Google Patents
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前記透明電極は、複数の第1の透明電極と、複数のITOからなる第2の透明電極とを備え、各第1の透明電極が第1の方向に連結されており、前記第1の透明電極の連結部の表面に前記絶縁層が形成され、前記絶縁層の絶縁表面を通って形成された前記ブリッジ配線により各第2の透明電極が、前記第1の方向と交叉する第2の方向に連結されており、
前記絶縁層は、ノボラック樹脂で形成されており、
前記絶縁層は、前記第1の透明電極の連結部と前記第2の透明電極との間の空間を埋めるとともに前記第2の透明電極の表面にまで乗り上げて形成されており、
前記ブリッジ配線は、前記絶縁層の表面から前記第2の透明電極の表面にかけて接して形成されたアモルファスITOからなる下地層と、前記下地層の表面のみに形成されたCu、Cu合金あるいはAg合金からなる金属層と、前記金属層の表面のみに形成されたアモルファスITOからなる導電性酸化物保護層との積層構造を備えることを特徴とするものである。
また前記金属層の膜厚は、6〜10nmであることが好ましい。
また前記絶縁層には、ブリーチングが施されていることが好ましい。
なおこの明細書において、「透明」「透光性」とは可視光線透過率が50%以上(好ましくは80%以上)の状態を指す。更にヘイズ値が6以下であることが好適である。
2 透明基材
3 パネル
4 第1の透明電極
5 第2の透明電極
6 配線部
7 連結部
10 ブリッジ配線
11 表示領域
20 絶縁層
25 加飾領域
30 光学透明粘着層(OCA)
34 CuNi層
35 下地層
37 導電性酸化物保護層
40 金属層
Claims (10)
- 透明基材と、前記透明基材の第1の面に形成された複数の透明電極と、前記透明電極間を電気的に接続するブリッジ配線と、前記透明基材と前記ブリッジ配線との間に形成された絶縁層とを有し、
前記透明電極は、複数の第1の透明電極と、複数のITOからなる第2の透明電極とを備え、各第1の透明電極が第1の方向に連結されており、前記第1の透明電極の連結部の表面に前記絶縁層が形成され、前記絶縁層の絶縁表面を通って形成された前記ブリッジ配線により各第2の透明電極が、前記第1の方向と交叉する第2の方向に連結されており、
前記絶縁層は、ノボラック樹脂で形成されており、
前記絶縁層は、前記第1の透明電極の連結部と前記第2の透明電極との間の空間を埋めるとともに前記第2の透明電極の表面にまで乗り上げて形成されており、
前記ブリッジ配線は、前記絶縁層の表面から前記第2の透明電極の表面にかけて接して形成されたアモルファスITOからなる下地層と、前記下地層の表面のみに形成されたCu、Cu合金あるいはAg合金からなる金属層と、前記金属層の表面のみに形成されたアモルファスITOからなる導電性酸化物保護層との積層構造を備えることを特徴とする入力装置。 - 前記ブリッジ配線は、3.5kV以上のESD特性を備える請求項1記載の入力装置。
- 前記ブリッジ配線のシート抵抗値Rsは、55Ω/□以下である請求項1又は2に記載の入力装置。
- 前記金属層の膜厚は、6〜10nmである請求項1ないし3のいずれか1項に記載の入力装置。
- 前記ブリッジ配線は、各透明電極の表面、前記絶縁層の表面及び前記透明基材の表面に、前記下地層、前記金属層及び前記導電性酸化物保護層を重ねて積層した後、フォトリソグラフィ技術により前記絶縁層の表面から前記第2の透明電極層の表面にかけて細長い形状に残したものである請求項1ないし4のいずれか1項に記載の入力装置。
- 前記絶縁層には、ブリーチングが施されている請求項1ないし5のいずれか1項に記載の入力装置。
- 前記ブリッジ配線の表面には、光学透明粘着層が接している請求項1ないし6のいずれか1項に記載の入力装置。
- 前記透明基材の第1の面側と、表面が操作面であるパネル間が前記光学透明粘着層により接合されている請求項7記載の入力装置。
- Cu合金からなる前記金属層は、CuNi層である請求項1ないし8のいずれか1項に記載の入力装置。
- Ag合金からなる前記金属層は、AgPdCu層である請求項1ないし8のいずれか1項に記載の入力装置。
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