JP6213832B2 - タッチパネル - Google Patents

Description

本発明は、カバーシートと一体化して形成したタッチパネルに用いて好適な技術に関する。

タッチパネルは、表示画面上の透明な面を操作者が指またはペンでタッチすることにより、接触した位置を検出してデータ入力できる入力装置の構成要素となるものであって、キー入力より直接的、かつ直感的な入力を可能とする。このため、近年、携帯電話機や、携帯情報端末、カーナビゲーションシステムを始め、様々な電子機器の操作部に多用されるようになってきた。

前記タッチパネルは、入力装置として、液晶パネル等の平面型表示装置の表示画面上に貼り合わせて使用することができる。タッチパネルの検出方式には、抵抗式、静電容量式、超音波式、光学式等多種あり、その構造は多様となる。
静電容量式タッチパネルは、表面型と投影型とに大別できる。表面型は２点以上の接触点を同時に検知することは困難である。投影型は２点以上の接触点を同時に検知することが可能である。投影型は、静電容量式タッチパネル用の電極板として、透明基板に第一の透明電極パターン層と第一の絶縁層と第二の透明電極パターン層と端子電極となる金属電極パターン層と第二の絶縁層との各層が一般にこの順に形成される積層構造を有する。

また、投影型の静電容量式タッチパネルを平面型表示装置の表示画面上に重ねて使用する形態は、タッチパネル独立型とは別に、全体を薄型化することができるカバーガラス一体型もある。
すなわち、タッチパネル独立型では、平面型表示装置の表示面側にエアギャップを介して、独立型のタッチパネルを貼り合わせ、さらにその前面に額縁等の加飾パターンを有して表面を保護するためのカバーガラス（前面板）に代表される透明カバーシートを設ける（特許文献１参照）。
一方、カバーガラス一体型では、平面型表示装置の表示面側に、同様のエアギャップを介してカバーガラス一体型タッチパネルを貼り合わせる。なお、タッチパネルを構成する電極や端子、配線等のパターンの向きは、パターンを直接支持する基板の位置が、タッチパネル独立型とカバーガラス一体型とでは逆の関係になるので、視認側からの向きが反対になる。

投影型の静電容量式タッチパネルの電極構造は、カバーガラス一体型で代表される透明カバーシート一体型の例で示すと、透明カバーシートの同一平面上に２次元配置したセンサ電極である複数の透明導電膜パターンと、透明導電膜パターン間を電気的に接続するジャンパ部と、ジャンパ部での層間の電気的短絡を防ぐ絶縁部と、センサ電極から配線を導いて端子部に至る配線部とから構成される。センサ電極にはＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜を用いる。一方、ジャンパ部にはＩＴＯより導電性の良好な金属材料を用いる（特許文献２）。

このようなタッチパネルにおいては、同一平面上に規則的に配置するセンサ電極を立体的につなぐための絶縁部とジャンパ部との構造が不可欠であるが、これらは、表示領域である操作平面領域内に位置しているので、この部分の反射率を低減し、表示装置の視認性を向上したいという要求があった。特許文献３では、図６に示すように、透明カバーシート２の表面から順に、モリブデン膜７１／アルミニウム膜８１／モリブデン膜９１の３層構成からなる薄膜積層材料を使用した場合に比べて、では、モリブデン酸化膜７／アルミニウム膜８／モリブデン膜９の３層からなる場合に、反射率を小さくしたことが示される。

特開２０１２−０８４０２５号公報 特開２０１３−０２０３４７号公報

しかし、特許文献３の図６に示すとおり、ジャンパ部を、モリブデン酸化膜７／アルミニウム膜８／モリブデン膜９の３層とした場合には、厳密な意味で、可視光域の全域で反射率が小さくなっていない。特に、４００ｎｍ付近での反射率の増大は、反射特性、特に、表示装置であるタッチパネルの色味に影響してしまうため、これを改善して、可視光領域でほぼ均一な反射率を実現したいという要求が強くあった。
さらに、可視光領域の全域で反射率を１０％以下にしたいという強い要求が存在している。

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
１．可視光域の全域で反射率を１０％以下に小さくすること。
２．波長依存性を低減し、可視光域の全域で反射率を均一にすること。
３．エッチング特性、シート抵抗値、下地との密着性に関して、従来と同程度の特性を維持すること。

本発明のタッチパネルは、表示パネル上に配置され、操作面に触って操作される静電容量方式のタッチパネルであって、
透明基板と、
前記透明基板の前記操作面の裏面側に、Ｘ方向に形成された複数のＸ電極と、前記Ｘ方向と直行するＹ方向に形成された複数のＹ電極と、
を有し、
前記複数のＸ電極と、前記複数のＹ電極が、
前記裏面側の同一面に形成された複数の透明電極と、
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極が絶縁部を介して互いに交差する交差部において、隣り合う前記Ｘ電極の透明電極もしくは隣り合う前記Ｙ電極の透明電極のいずれかを立体的に接続するジャンパ線と、を有し、
前記ジャンパ線は、前記透明電極に接続する第一層と、該第一層に積層された第二層とを有し、
前記第一層が第一の金属酸化膜からなり、前記第二層が第二の金属酸化膜からなり、
前記第一層の屈折率が、前記第二層の屈折率より低いことにより上記課題を解決した。
本発明の前記第一層における酸素の含有率が前記第二層より高いことが好ましい。
本発明の前記第一層における比抵抗が前記第二層より高いことが好ましい。
本発明の前記第一層と前記第二層が、同じ金属の酸化物であることが好ましい。
本発明の前記第一層と前記第二層が、ニオブを１〜１５ａｔｍ％含有するモリブデン合金の酸化物であることが好ましい。
本発明の前記第一および第二の金属酸化膜における複素屈折率を、ｍ＝ｎ−ｉｋ（ｎは屈折率、ｋは消衰係数）と定義したとき、
前記第一層を構成する前記第一の金属酸化膜において、
２．０ ≦ｎ１≦ ２．２
０．０１５ ≦ｋ１≦ ０．１
前記第二層を構成する前記第二の金属酸化膜において、
２．５ ≦ｎ２≦ ３．８
０．３ ≦ｋ２≦ ３．０
であることが好ましい。
本発明の前記ジャンパ線が、前記第二層に積層された第三の金属膜からなる第三層を有することが好ましい。
本発明の前記第三層が、アルミニウムもしくはアルにニウム合金からなることが好ましい。
本発明の前記ジャンパ線が、前記第三層に積層された第四の金属膜からなる第四層を有することが好ましい。
本発明の前記第四層が、モリブデンもしくはモリブデン合金からなることができる。

本発明のタッチパネルは、表示パネル上に配置され、操作面に触って操作される静電容量方式のタッチパネルであって、透明基板と、前記透明基板の前記操作面の裏面側に、Ｘ方向に形成された複数のＸ電極と、前記Ｘ方向と直行するＹ方向に形成された複数のＹ電極と、を有し、
前記複数のＸ電極と前記複数のＹ電極が、前記裏面側の同一面に形成された複数の透明電極と、前記Ｘ電極と前記Ｙ電極が絶縁部を介して互いに交差する交差部において、隣り合う前記Ｘ電極の透明電極もしくは隣り合う前記Ｙ電極の透明電極のいずれかを立体的に接続するジャンパ線と、を有し、前記ジャンパ線は、前記透明電極に接続する第一層と、該第一層に積層された第二層とを有し、前記第一層が第一の金属酸化膜からなり、前記第二層が第二の金属酸化膜からなり、前記第一層の屈折率が、前記第二層の屈折率より低いことにより、可視光の波長全域に対して、視認側から見て、交差部における反射率を低減するとともに、均一におさえることが可能となる。

本発明の前記第一層における酸素の含有率が前記第二層より高いことや、前記第一層における比抵抗が前記第二層より高いことや、前記第一層と前記第二層が、同じ金属の酸化物であることや、前記第一層と前記第二層が、ニオブを１〜１５ａｔｍ％含有するモリブデン合金の酸化物であることができ、これらのいずれかにより、交差部における反射率を所望の状態にすることができる。

本発明の前記第一および第二の金属酸化膜における複素屈折率を、ｍ＝ｎ−ｉｋ（ｎは屈折率、ｋは消衰係数）と定義したとき、
前記第一層を構成する前記第一の金属酸化膜において、
２．０ ≦ｎ１≦ ２．２
０．０１５ ≦ｋ１≦ ０．１
前記第二層を構成する前記第二の金属酸化膜において、
２．５ ≦ｎ２≦ ３．８
０．３ ≦ｋ２≦ ３．０
であることが好ましい。
本発明の前記ジャンパ線が、前記第二層に積層された第三の金属膜からなる第三層を有することが好ましい。
本発明の前記第三層が、アルミニウムもしくはアルにニウム合金からなることが好ましい。
本発明の前記ジャンパ線が、前記第三層に積層された第四の金属膜からなる第四層を有することが好ましい。
本発明の前記第四層が、モリブデンもしくはモリブデン合金からなることができる。

本発明によれば、交差部を上述のように構成したことにより、可視光領域でほぼ均一な反射率を実現し視認性を向上するとともに、可視光領域の全域で反射率を１０％以下にして色味の正確性を担保することができるという効果を奏することができる。

本発明に係るタッチパネルの一実施形態の概略を示す模式平面図である。 本発明に係るタッチパネルの一実施形態を備える表示装置を示す模式図である。 本発明に係るタッチパネルの一実施形態における交差部付近を示す拡大断面図である。 本発明に係るタッチパネルの一実施形態におけるジャンパ線の膜構成例とシート抵抗評価および反射率評価とを示す概念図である。 本発明に係るタッチパネルの一実施形態における測定結果を示すグラフである。 本発明に係るタッチパネルの一実施形態における実験例を示すグラフである。 本発明に係るタッチパネルの一実施形態におけるシミュレーション結果を示すグラフである。 本発明に係るタッチパネルの一実施形態におけるシミュレーション結果を示すグラフである。

以下、本発明に係るタッチパネルの一実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態におけるタッチパネルを示す模式平面図であり、図２は、タッチパネルを備える表示装置を示す断面図、図３は、図１のＢ−Ｂ’線に沿った断面構造を示す断面図である。

本実施形態におけるタッチパネル１０は、図１，図２に示すように、液晶や有機ＥＬなどの表示パネル２上に配置され、操作面１０Ａに触って操作される静電容量方式のタッチパネルであって、透明基板１１と、透明基板１１の操作面１０Ａの裏面１１ｂ側に、Ｘ方向に形成された複数のＸ電極１２Ｘと、Ｘ方向と直行するＹ方向に形成された複数のＹ電極１２Ｙと、を有する。

本実施形態における静電容量方式のタッチパネルは、図１〜図３に示すように、透明基板１１の視認側と反対側となる裏面１１ｂにおいて、例えばＹ方向に延在し、Ｙ方向と交差するＸ方向に所定の配列ピッチで並設される複数のＸ電極と、この複数のＸ電極と交差して第Ｘ方向に延在し、Ｙ方向に所定の配列ピッチで並設される複数のＹ電極とを有する。透明基板１１としては、例えばガラスや耐熱透明プラスチック等の透明な基板が用いられている。 複数のＸ電極１２Ｘ及び複数のＹ電極１２Ｙは、高い透過性を有する材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明性導電材料で形成される。

複数のＸ電極１２Ｘと複数のＹ電極１２Ｙが、裏面１１ｂ側の同一面に形成された複数の透明電極１２と、Ｘ電極１２ＸとＹ電極１２Ｙが絶縁部１３を介して互いに交差する交差部１４において、隣り合うＸ電極１２Ｘもしくは隣り合うＹ電極１２Ｙの透明電極１２のいずれかを立体的に接続するジャンパ線１５と、を有する。

複数のＹ電極１２Ｙ及びＸ電極１２Ｘが配置された領域が有効タッチ領域１６であり、この有効タッチ領域１６の周囲には、図１に示すように、複数のＹ電極の各々と、複数のＸ電極の各々とからの配線を縦横方向の周辺部に導いて端子部（図示せず）に至る複数の配線１７が配置されている。

複数のＸ電極の各々は、細線部１２Ｘａと、この細線部１２Ｘａの幅よりも広い幅のパッド部１２Ｘｂとが、Ｙ方向に交互に複数配置された電極パターンで形成されている。複数のＹ電極の各々は、細線部１２Ｙａと、この細線部１２Ｙａの幅よりも広い幅のパッド部１２Ｙｂとが、Ｘ方向に交互に複数配置された電極パターンで形成されている。

平面的に見たとき、Ｙ電極１２Ｙのパッド部１２Ｙｂは、隣り合う２つのＸ電極１２Ｘの細線部１２Ｘａの間に配置され、Ｘ電極１２Ｘのパッド部１２Ｘｂは、隣り合う２つのＹ電極１２Ｙの細線部１２Ｙａの間に配置されている。

また、絶縁部１３は、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮもしくは樹脂からなる膜で構成される。

交差部１４において、Ｙ電極１２Ｙの細線部１２Ｙａであるジャンパ線１５と配線部（配線）１７とは、図１〜図３に示すように、同一構成の多層構造とされ、透明電極１２や絶縁部１３との界面における視認側から見た際の反射率を小さくして反射特性を最適化するとともに、ジャンパ線１５および配線部１７における導電性を大きくする。

ジャンパ線１５は、図４に示すように、透明基板１１側から順に下モリブデン−ニオブ酸化積層膜（第一層）Ｍ１、上モリブデン−ニオブ酸化積層膜（第二層）Ｍ２、アルミニウム−ネオジム膜（第三層）Ａ３、モリブデン−ニオブ膜（第四層）Ｍ４を積層した構造とされる。

第一層Ｍ１および第二層Ｍ２は、例えばモリブデンとされる同じ金属の酸化物である第一および第二の金属酸化膜からなり、第一層Ｍ１および第二層Ｍ２がニオブを１〜１５ａｔｍ％含有する。第一層Ｍ１および第二層Ｍ２においては、第一層Ｍ１の屈折率が、第二層Ｍ２より低くなるとともに、第一層Ｍ１における酸素の含有率が第二層Ｍ２より高く、第一層Ｍ１における比抵抗が第二層Ｍ２より高い。

第一層Ｍ１および第二層Ｍ２においては、複素屈折率を、ｍ＝ｎ−ｉｋ（ｎは屈折率、ｋは消衰係数）と定義したとき、第一層Ｍ１を構成する第一の金属酸化膜において、
２．０ ≦ｎ１≦ ２．２
０．０１５ ≦ｋ１≦ ０．１
第二層Ｍ２を構成する第二の金属酸化膜において、
２．５ ≦ｎ２≦ ３．８
０．３ ≦ｋ２≦ ３．０
である。

第三層Ａ３は、アルにニウム、または、ネオジムを含有するアルミニウム合金からなることができる。
第四層Ｍ４が、第一層Ｍ１および第二層Ｍ２と同じ金属である膜とされ、モリブデンもしくはモリブデン合金からなる。
ジャンパ線１５の膜構成をこのようにすることで、光の干渉効果により視認側から見た際の反射率を小さくすることを達成できる。

ここで、各膜Ｍ１，Ｍ２，Ａ３，Ｍ４の膜厚等の特性としては、一例として次に上げるように設定することができる。なお、ここでは、積層されたジャンパ線１５の電気特性として、シート抵抗Ｒｓ［Ω／ロ］を示す。なお、各層の膜厚として、図４に記載した値の±１０％の範囲とすることができる。さらに、第一層Ｍ１：２０〜４０ｎｍ、第二層Ｍ２：４０〜５０ｎｍとすることができる。
図４は、本実施形態におけるジャンパ線１５における実際の膜構成の例を示すものであり、シート抵抗評価および反射率評価を示す概念図である。

なお、本実施形態のジャンパ線１５において、使用する具体的な膜として、下上モリブデン−ニオブ酸化積層膜Ｍ１，Ｍ２、アルミニウム−ネオジム膜（導電膜）Ａ３、モリブデン−ニオブ膜Ｍ４が、表１の組成・膜厚に限定されるものではないが、金属酸化層Ｍ１，Ｍ２と保護金属層Ｍ４とは、共通の金属をベースに用いた方が製造上、好ましい。
本例において、これらの多層膜形成をスパッタリング法で行う場合は、スパッターターゲットをモリブデン−ニオブ、アルミニウム−ネオジムの２元で準備して、酸化膜の成膜時には所定量の酸素ガスとアルゴン等の不活性ガスを導入する反応性スパッタリングにより、ソース電源を増結することなく可能である。

図５は、本実施形態における金属酸化膜Ｍ１，Ｍ２のスパッタ成膜において酸素流量比の変化に対する、比抵抗および成膜速度の変化を同時に示すグラフである。
本実施形態のジャンパ線１５においては、図５に示すように、上モリブデン−ニオブ酸化積層膜Ｍ２に対して下モリブデン−ニオブ酸化積層膜Ｍ１における比抵抗が大きくなるように構成されてなる。具体的には、モリブデン−ニオブ酸化積層膜Ｍ１をスパッタリングにより成膜する際に、透明基板１１側から、下モリブデン−ニオブ酸化積層膜Ｍ１を所定膜厚まで成膜した後、図５に示すように、供給する酸素ガスの流量を小さくして成膜速度を大きくし、上モリブデン−ニオブ酸化積層膜Ｍ２を所定膜厚まで成膜する。ここで、供給する酸素ガスの流量比には閾値ＳＯが存在し、この閾値ＳＯを境にして、成膜される膜の比抵抗、および、再膜速度が変化する。
・閾値ＳＯより酸素ガス流量比が小さい場合には、成膜速度は高く、かつ、比抵抗は小さい。
・閾値ＳＯより酸素ガス流量比が大きい場合には、成膜速度は低く、かつ、比抵抗は非常に大きい。

具体的には、下モリブデン−ニオブ酸化積層膜Ｍ１の成膜において、成膜条件のうちガス流量を、アルゴン：酸素流量を、２００：１２０（ｓｃｃｍ）とし、この状態から、上モリブデン−ニオブ酸化積層膜Ｍ２の成膜において、２００：８０（ｓｃｃｍ）のように変化させることが好ましい。

さらに、本実施形態では、下モリブデン−ニオブ酸化積層膜（第一層）Ｍ１と上モリブデン−ニオブ酸化積層膜（第二層）Ｍ２との比抵抗が、透明電極１２に接続される側からアルミニウム−ネオジム膜（第三層）Ａ３側へ連続して低下するように構成されていることもでき、この場合、二つの異なる比抵抗の値を持たなくても、比抵抗が厚さに応じて連続的に変化する構成とすることもできる。

本実施形態のタッチパネルの製造方法の一例を説明する。
本実施形態のタッチパネルの製造方法は、透明基板１１に、センサ導電膜パターンである透明電極１２を形成する工程と、絶縁部１３を形成する工程と、ジャンパ線１５と配線部１７とを一括して形成する工程と、を有する。

また、本実施形態のタッチパネルの製造方法は、ジャンパ線１５と配線部１７とを一括して形成する工程、絶縁部１３を形成する工程、透明電極１２を形成する工程を、この順におこなうこともできる。

さらに、タッチパネルの製造方法の他の例としては、配線部１７をパターン形成する工程と、透明電極１２を形成する工程と、絶縁部１３を形成する工程と、ジャンパ線１５を形成する工程とを有することもできる。
なお、これらの方法では、最終工程として透明樹脂等による全面均一な保護膜１３Ａを塗布形成することができる。

本実施形態のタッチパネルの製造方法をさらに具体的に説明すると、（ａ）センサ電極である透明電極１２パターンを、例えばＩＴＯの成膜後に、前工程のパターン位置との合わせを前提として、フォトリソグラフィー法によるフォトレジストのパターニングを行い、その後のエッチングと残留レジストの除去を経て形成する。次に、（ｂ）絶縁部１３を形成するための感光性樹脂材料を塗布し、フォトリソグラフィー法により、交差部１４と位置合わせしてパターン形成する。次に、（ｃ）ジャンパ線１５と配線部１７とを構成するための前述の同一構成の多層成膜を行い、フォトレジストの塗布、露光、現像、を含むフォトリソグラフィー法とその後のエッチングと残留レジストの除去を経て一括形成することができる。

図６は、本発明の構成における多層膜の低反射率化の効果を従来例と比較するための分光反射率の測定結果のグラフである。

分光反射率の測定は、市販の分光光度計を利用して可能である。測定は、図４に示すように、光源（モノクロメータ）Ｌ１からの分光された照射光が測定試料膜に照射され、鏡面反射された光を測定器ＬＳで受光して光の強度を測定する。モノクロメータＬ１からの分光照射光の波長を連続的に変化させて分光反射率を測定する。
ここで、測定におけるリファレンスを絶対反射率が既知の所定の膜とする。すなわち、以後の各測定試料における１００％の基準を例えばアルミニウム単層膜で得られた強度を既知の絶対反射率で割った値とする。

次いで、図４に示すように、多層膜の例として、透明基板（ガラス）１１にアルミニウム−ネオジム膜、モリブデン−ニオブ膜からなる多層膜を成膜し、透明基板１１の成膜面と反対側の面側からこのアルミニウム−ネオジム膜、モリブデン−ニオブ膜からなる多層膜の分光反射率の測定をおこなう。この結果を図６に一点鎖線で示す。
次いで、透明基板１１にモリブデン酸化膜、アルミニウム膜、モリブデン膜からなる多層膜を同様に成膜し、透明基板１１の成膜されていない面側からアルミニウム膜、モリブデン膜からなる多層膜の分光反射率を測定する。この結果を図６に破線で示す。
そして、本発明を構成する多層膜の例として、透明基板１１に下モリブデン−ニオブ酸化積層膜Ｍ１、上モリブデン−ニオブ酸化積層膜Ｍ２、アルミニウム−ネオジム膜Ａ３、モリブデン−ニオブ膜Ｍ４からなる多層膜を成膜し、透明基板１１の成膜されていない面から下モリブデン−ニオブ酸化積層膜Ｍ１、上モリブデン−ニオブ酸化積層膜Ｍ２、アルミニウム−ネオジム膜Ａ３、モリブデン−ニオブ膜Ｍ４からなる多層膜の分光反射率を測定する。この結果を図６に実線で示す。

図６に示すとおり、本実施形態を構成する多層膜は、従来の多層膜と比較して、測定波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍとされる可視光域の全域で反射率を１０％以下に抑制するとともに、可視光域の全域で反射率をほぼ均一な値とすることができる。特許文献３では、波長４００ｎｍ未満の紫外域の測定結果は、本測定結果において正確な値を示さないため参照しないとしているが、本実施形態では、測定波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍとされる可視光のほぼ全域において、反射率を５〜８％の範囲にすることができた。

図７、図８は、本発明の構成における多層膜において所望の反射率を実現するための第一層および第二層の膜厚を規定するためのシミュレーション結果を示すＣＩＥＬＡＢ色空間のグラフである。

５５０ｎｍにおける反射率（Ｒ％）：６％以下、色度座標ａ*：−５〜５、ｂ*：−５〜５を満たす膜厚範囲としては、第一層が図７に示すように、ＭｏＮｂＯｘ１膜厚範囲：２０〜４０ｎｍ（標準条件：３５ｎｍ）、第二層が図８に示すように、ＭｏＮｂＯｘ２膜厚範囲：４０〜５０ｎｍ（標準条件：４５ｎｍ）とすることができる。ここで、ＣＩＥＬＡＢ色空間（正確にはＣＩＥ１９７６Ｌ*ａ*ｂ*色空間）は、Ｌ*、ａ*、ｂ*の３つの軸のうち、Ｌ*が明度を表し、ａ*とｂ*は赤緑、青黄の方向の色あいを表している。
これに対し、図６に示した従来例では、Ｌ*：３５、ａ*：０．５４、ｂ*：−１３．５、（青色）となっていた。
この結果から、色合いが従来例では、色度座標ａ*：−５〜５、ｂ*：−５〜５からずれていたのに対し、本発明の多層膜においては、色味が変調していないことがわかる。

次に、本発明を構成する多層膜を、従来の多層膜と総合的に比較した結果を、（表２）
に示す。各評価項目別に、判定基準に対しての良否判定を○×で表中に示す。本発明を構成する多層膜が、可視光の３８０〜７８０ｎｍの波長域全域において、反射率において、従来の多層膜より顕著な改善を示す一方、エッチング時間、シート抵抗値、下地との密着性の諸項目に関しては、同等であることが分かる。

本発明は、透明な基材と多層膜の配線パターンとの界面を簡単な方法で低反射率化するとともに、可視光域における反射率の均一性を向上して、視認側からの配線パターンに対する視認性を小さくすることができる。同様な方策によって、他の電子部品等の表示性能に関係する特性品質を高めることが容易に考えられる。例えば、透明導電膜をさらに低抵抗化するための金属層を含む補助配線パターンの視認性を向上することができる。また、一般に表示装置に関係する配線を始めとして、電子部品における各種配線パターンに金属層を適用できる範囲を拡大することができ、製品設計の自由度を大幅に高めることが可能になる。

１０…タッチパネル
１０Ａ…操作面
１１…透明基板
１２…透明電極
１２Ｘ…Ｘ電極
１２Ｙ…Ｙ電極
１２Ｘａ，１２Ｙａ…細線部
１２Ｘｂ，１２Ｙｂ…パッド部
１３…絶縁部
１４…交差部
１５…ジャンパ線
１７…配線部
Ｍ１…下モリブデン−ニオブ酸化積層膜（第一層）
Ｍ２…上モリブデン−ニオブ酸化積層膜（第二層）
Ａ３…アルミニウム−ネオジム膜（第三層）
Ｍ４…モリブデン−ニオブ膜（第四層）

Claims (10)

1. 表示パネル上に配置され、操作面に触って操作される静電容量方式のタッチパネルであって、
   透明基板と、
   前記透明基板の前記操作面の裏面側に、Ｘ方向に形成された複数のＸ電極と、前記Ｘ方向と直行するＹ方向に形成された複数のＹ電極と、
   を有し、
   前記複数のＸ電極と、前記複数のＹ電極が、
   前記裏面側の同一面に形成された複数の透明電極と、
   前記Ｘ電極と前記Ｙ電極が絶縁部を介して互いに交差する交差部において、隣り合う前記Ｘ電極の透明電極もしくは隣り合う前記Ｙ電極の透明電極のいずれかを立体的に接続するジャンパ線と、を有し、
   前記ジャンパ線は、前記透明電極に接続する第一層と、該第一層に積層された第二層とを有し、
   前記第一層が第一の金属酸化膜からなり、前記第二層が第二の金属酸化膜からなり、
   前記第一層の屈折率が、前記第二層の屈折率より低いことを特徴とするタッチパネル。
2. 前記第一層における酸素の含有率が前記第二層より高いことを特徴とする請求項１記載のタッチパネル。
3. 前記第一層における比抵抗が前記第二層より高いことを特徴とする請求項１または２記載のタッチパネル。
4. 前記第一層と前記第二層が、同じ金属の酸化物であることを特徴とする請求項１から３のいずれか記載のタッチパネル。
5. 前記第一層と前記第二層が、ニオブを１〜１５ａｔｍ％含有するモリブデン合金の酸化物であることを特徴とする請求項４記載のタッチパネル。
6. 前記第一および第二の金属酸化膜における複素屈折率を、ｍ＝ｎ−ｉｋ（ｎは屈折率、ｋは消衰係数）と定義したとき、
   前記第一層を構成する前記第一の金属酸化膜において、
   ２．０ ≦ｎ１≦ ２．２
   ０．０１５ ≦ｋ１≦ ０．１
   前記第二層を構成する前記第二の金属酸化膜において、
   ２．５ ≦ｎ２≦ ３．８
   ０．３ ≦ｋ２≦ ３．０
   であることを特徴とする請求項１から５のいずれか記載のタッチパネル。
7. 前記ジャンパ線が、前記第二層に積層された第三の金属膜からなる第三層を有することを特徴とする請求項１から６のいずれか記載のタッチパネル。
8. 前記第三層が、アルミニウムもしくはアルミニウム合金からなることを特徴とする請求項７記載のタッチパネル。
9. 前記ジャンパ線が、前記第三層に積層された第四の金属膜からなる第四層を有することを特徴とする請求項７または８記載のタッチパネル。
10. 前記第四層が、モリブデンもしくはモリブデン合金からなることを特徴とする請求項９記載のタッチパネル。

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