KR102032630B1 - 입력 장치 - Google Patents

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알프스 알파인 가부시키가이샤
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Abstract

투광성 및 도전성을 저해시키지 않고 기재와 함께 배선을 굴곡시킬 수 있는 입력 장치로서, 투광성 및 가요성을 갖는 기재와, 투광성을 갖고, 기재 상의 검출 영역에 형성된 복수의 제 1 전극부 및 복수의 제 2 전극부와, 복수의 제 1 전극부 및 복수의 제 2 전극부의 각각과 도통하고, 기재 상의 검출 영역으로부터 주변 영역까지 연장되는 복수의 인출 배선을 구비하고, 기재의 주변 영역에는 굴곡부가 형성되고, 인출 배선은, 굴곡부 상에 형성된 가요성 적층체를 갖고, 가요성 적층체는, 기재 상에 형성된 제 1 아모르퍼스 ITO 층과, 제 1 아모르퍼스 ITO 층 상에 형성된 도전층과, 도전층 상에 형성된 제 2 아모르퍼스 ITO 층을 갖는 입력 장치가 제공된다.

Description

입력 장치{INPUT DEVICE}
본 발명은, 투광성 및 가요성을 갖는 기재에 검출용의 복수의 전극부가 형성된 입력 장치에 관한 것이다.
휴대 단말이나 각종 전자 기기 등에 사용되는 입력 장치로서, 정전 용량을 검지하는 터치 패널이 많이 사용되고 있다. 특허문헌 1 에는, 프레임 협소화 및 박형화를 도모하기 위하여, 하층 배선부와 상층 배선부를 형성함과 함께, 투명 기판을 굴곡시킨 투명 도전막이 기재되어 있다.
또, 특허문헌 2 에는, 제 1 검지 영역 및 제 2 검지 영역을 갖는 기판과, 제 1 검지 영역에 형성된 위치를 검출하는 제 1 검지 전극과, 제 2 검지 영역에 형성된 위치를 검출하는 제 2 검지 전극을 구비하는 터치 윈도가 기재되어 있다. 이 터치 윈도에 있어서, 제 1 검지 전극의 재료는 제 2 검지 전극의 재료와는 상이하다. 또, 제 2 검지 전극은, 제 1 검지 전극으로부터 굽혀지는 구성이 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 2013-186633호 미국 특허출원공개공보 2015/0070312호
그러나, 투광성 전극이나 인출 (引出) 배선으로서 사용되는 ITO (Indium Tin Oxide) 나 금속에서는, 굽힌 경우에 균열이나 도통 불량이 발생하기 쉽기 때문에, 굴곡 부분에는 사용하기 어렵다는 문제가 있다. 이 때문에, 기재의 굴곡 부분에 배선을 형성하는 경우에는, 굽히기 쉬운 재료 (예를 들어, 도전성 폴리머 (PEDOT/PSS 등), 금속 나노 와이어) 로 배선을 형성할 필요가 있다. 그러나, 이와 같은 굽히기 쉬운 재료를 사용하면, 투광성이나 도전성의 저하, 세선화가 곤란해진다는 과제가 발생한다.
본 발명은, 투광성 및 도전성을 저해시키지 않고 기재와 함께 배선을 굴곡시킬 수 있는 입력 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 입력 장치는, 투광성 및 가요성을 갖는 기재와, 투광성을 갖고, 기재 상의 검출 영역에 있어서 제 1 방향으로 나열되는 복수의 제 1 전극부와, 투광성을 갖고, 기재 상의 검출 영역에 있어서 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 나열되는 복수의 제 2 전극부와, 복수의 제 1 전극부 및 복수의 제 2 전극부의 각각과 도통하고, 기재 상의 검출 영역으로부터 검출 영역의 외측의 주변 영역까지 연장되는 복수의 인출 배선을 구비한다. 기재의 주변 영역에는 굴곡부가 형성된다. 인출 배선은, 굴곡부 상에 형성된 가요성 적층체를 갖는다. 가요성 적층체는, 기재 상에 형성된 제 1 아모르퍼스 ITO 층과, 제 1 아모르퍼스 ITO 층 상에 형성된 도전층과, 도전층 상에 형성된 제 2 아모르퍼스 ITO 층을 갖는다.
이와 같은 구성에 의하면, 기재의 굴곡부에 형성된 가요성 적층체로서, 제 1 아모르퍼스 ITO 층, 도전층 및 제 2 아모르퍼스 ITO 층을 갖는 적층 구조를 사용하고 있기 때문에, 굴곡된 경우에도 투광성과 함께 충분한 전기적 특성을 유지할 수 있다.
본 발명의 입력 장치에 있어서, 인출 배선은, 굴곡부보다 검출 영역측에 형성된 제 1 배선부와, 굴곡부보다 검출 영역과는 반대측에 형성된 제 2 배선부를 갖고, 가요성 적층체가, 제 1 배선부와 제 2 배선부 사이에 위치하고 있어도 된다. 이로써, 제 1 배선부 및 제 2 배선부를 구성하는 재료는 굴곡 용이성이 요구되지 않게 되어, 재료의 설계 자유도를 높일 수 있다.
본 발명의 입력 장치에 있어서, 제 1 배선부 및 제 2 배선부는, 가요성 적층체의 단부 (端部) 와 접속되는 접속부를 갖고, 접속부의 가요성 적층체에 대향하는 면은 결정화 ITO 의 면을 구비하는 것이 바람직하다. 이로써, 인출 배선의 높은 투광성 및 낮은 비저항을 실현할 수 있음과 함께, 가요성 적층체와 접속부의 밀착성을 높일 수 있다.
본 발명의 입력 장치에 있어서, 제 1 배선부는 결정화 ITO 층을 포함하고 있어도 된다. 또, 제 2 배선부는 결정화 ITO 층을 포함하고 있어도 된다. 이로써, 제 1 배선부 및 제 2 배선부의 투광성 및 도전성이 높아진다.
본 발명의 입력 장치에 있어서, 제 1 아모르퍼스 ITO 층은 기재와 접하고 있어도 된다. 이로써, 가요성 적층체의 굴곡에 대한 내성을 보다 안정적으로 향상시킬 수 있다. 또, 본 발명의 입력 장치에 있어서, 도전층은 귀금속을 포함하고 있어도 된다. 이로써, 가요성 적층체의 저전기 저항화를 도모할 수 있다.
본 발명의 입력 장치에 있어서는, 굴곡부의 곡률 반경이 5 밀리미터 (㎜) 이하여도 충분한 전기적 특성을 얻을 수 있다.
본 발명의 입력 장치에 있어서, 복수의 제 1 전극부 사이를 연결하는 연결부와, 복수의 제 2 전극부 사이에 형성되고, 절연층을 개재하여 연결부와 교차하는 브리지 접속부를 추가로 구비하고, 브리지 접속부는, 가요성 적층체와 동일한 재료에 의해 형성되어 있어도 된다. 이로써, 가요성 적층체를 브리지 접속부와 동일한 공정으로 형성할 수 있다.
본 발명에 의하면, 투광성 및 도전성을 저해시키지 않고 기재와 함께 배선을 굴곡시킬 수 있는 입력 장치를 제공하는 것이 가능해진다.
도 1 은 본 실시형태에 관련된 입력 장치가 적용된 전자 기기를 예시하는 분해 사시도이다.
도 2 는 도 1 의 A-A 선 단면도이다.
도 3(a) 및 (b) 는, 가요성 적층체를 예시하는 모식 단면도이다.
도 4 는 전극의 배치를 나타내는 모식 평면도이다.
도 5(a) 및 (b) 는 브리지 배선 부분의 모식 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 기초하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는, 동일한 부재에는 동일한 부호를 붙여, 한 번 설명한 부재에 대해서는 적절히 그 설명을 생략한다.
(입력 장치를 적용한 전자 기기)
도 1 은, 본 실시형태에 관련된 입력 장치가 적용된 전자 기기를 예시하는 분해 사시도이다.
도 2 는, 도 1 의 A-A 선 단면도이다.
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 전자 기기 (1) 는 케이스 (3) 를 갖고 있다. 케이스 (3) 는, 본체 케이스부 (3a) 와 패널부 (3b) 의 조합에 의해 구성된다. 또한, 설명의 형편상, 본체 케이스부 (3a) 는 도 2 에만 파선으로 나타낸다. 본체 케이스부 (3a) 는, 예를 들어 합성 수지 재료로 형성된다. 본체 케이스부 (3a) 는, 상방이 개구되는 상자 형상으로 형성된다. 패널부 (3b) 는, 본체 케이스부 (3a) 의 개구부를 덮도록 배치된다.
패널부 (3b) 는, 유리나 폴리카보네이트 수지나 아크릴 수지 등의 투광성 수지 재료로 형성된다. 또한, 본 명세서에 있어서 「투광성」및 「투명」이란, 가시광선 투과율이 50 ％ 이상 (바람직하게는 80 ％ 이상) 인 상태를 말한다.
패널부 (3b) 의 내측에는 투광성 및 가요성을 갖는 기재 (11) 가 배치된다. 또, 케이스 (3) 의 내부에는, 기재 (11) 의 단부와 접합되는 배선 기판 (8) 이 수납된다. 배선 기판 (8) 은, 예를 들어 플렉시블 배선 기판이다. 또, 케이스 (3) 의 내부에는, 액정 표시 패널 또는 일렉트로루미네선스 표시 패널 등의 표시 패널 (7) 이 수납된다. 표시 패널 (7) 의 표시 화상은, 기재 (11) 와 패널부 (3b) 를 투과하여 외측으로부터 육안으로 보는 것이 가능하다.
기재 (11) 의 일부는, 패널부 (3b) 의 내면에 예를 들어 고투명성 접착제 (OCA : Optically Clear Adhesive) 를 개재하여 접착되어 있다. 기재 (11) 는, 가요성을 갖는 PET (폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름이나 PC (폴리카보네이트) 필름 등의 투광성을 갖는 수지 필름에 의해 형성된다. 기재 (11) 는, PET 필름 등의 표면에 형성된 광학 조정층 (SiO2 등) 이나 하드 코트층을 포함하고 있어도 된다. 기재 (11) 의 표면에는, 복수의 제 1 전극부 (21) 와 복수의 제 2 전극부 (31) 가 형성된다.
복수의 제 1 전극부 (21) 는, 기재 (11) 상의 검출 영역 (SR) 에 있어서 제 1 방향으로 규칙적으로 나열되어 있다. 또, 복수의 제 2 전극부 (31) 는, 기재 (11) 상의 검출 영역 (SR) 에 있어서 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 규칙적으로 나열되어 있다. 또한, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 전자 기기 (1) 에서는, 제 1 방향과 제 2 방향은 직교하고 있다. 기재 (11) 에는, 이들 제 1 전극부 (21) 및 제 2 전극부 (31) 의 각각과 도통하는 복수의 인출 배선 (14) 이 형성된다. 인출 배선 (14) 은, 기재 (11) 의 검출 영역 (SR) 으로부터, 검출 영역 (SR) 의 외측의 주변 영역 (OR) 까지 연장된다. 정전 용량형의 입력 장치 (10) 는, 이들 기재 (11), 제 1 전극부 (21), 제 2 전극부 (31) 및 인출 배선 (14) 을 포함한다. 제 1 전극부 (21), 제 2 전극부 (31) 및 인출 배선 (14) 의 상세에 대해서는 후술한다.
본 실시형태에 있어서, 기재 (11) 의 주변 영역 (OR) 에는 굴곡부 (BR) 가 형성된다. 기재 (11) 는, 굴곡부 (BR) 에서 예를 들어 90 도 정도 굽혀진다. 인출 배선 (14) 은, 굴곡부 (BR) 보다 검출 영역 (SR) 측에 형성된 제 1 배선부 (141) 와, 굴곡부 (BR) 보다 검출 영역 (SR) 과는 반대측에 형성된 제 2 배선부 (142) 와, 제 1 배선부 (141) 와 제 2 배선부 (142) 사이에 위치하고, 굴곡부 (BR) 상에 형성된 가요성 적층체 (15) 를 갖는다.
도 3(a) 및 (b) 는, 가요성 적층체 (15) 를 예시하는 모식 단면도이다.
도 3(a) 에는 기재 (11) 가 굴곡되어 있지 않은 상태가 나타나고, 도 3(b) 에는 기재 (11) 가 굴곡되어 있는 상태가 나타난다.
굴곡부 (BR) 상에 형성된 가요성 적층체 (15) 는, 기재 (11) 상에 형성된 제 1 아모르퍼스 ITO 층 (151) 과, 제 1 아모르퍼스 ITO 층 (151) 상에 형성된 도전층 (152) 과, 도전층 (152) 상에 형성된 제 2 아모르퍼스 ITO 층 (153) 을 갖는다.
제 1 아모르퍼스 ITO 층 (151) 은, 기재 (11) 와 접하는 부분을 갖는 것이 바람직하다. 이로써, 가요성 적층체 (15) 의 굴곡에 대한 내성을 보다 안정적으로 향상시킬 수 있다. 도전층 (152) 에는, 제 1 아모르퍼스 ITO 층 (151) 보다 비저항이 낮은 도전성 재료가 사용된다. 도전층 (152) 에는, 예를 들어 Au, Ag, Cu, Pt, Pd 등의 귀금속, Ni, 이들 중 적어도 어느 것을 포함하는 합금 (구체예로서 CuNi 합금을 들 수 있다.) 이 사용된다. 본 실시형태에서는, 도전층 (152) 으로서 Au 가 사용된다. 도전층 (152) 은 적층 구조를 갖고 있어도 된다.
제 2 아모르퍼스 ITO 층 (153) 은, 도전층 (152) 상에 형성됨으로써, 외측으로부터 도전층 (152) 이 시인되는 것을 억제하는 역할을 한다. 제 1 배선부 (141) 의 단부에는 접속부 (141a) 가 형성되고, 제 2 배선부 (142) 의 단부에는 접속부 (142a) 가 형성된다. 가요성 적층체 (15) 의 양단은, 이들 접속부 (141a, 142a) 에 접속된다. 또한, 제 2 배선부 (142) 의 접속부 (142a) 와는 반대측의 단부 (142b) 에는 금속층 (142c) 이 형성된다. 이 금속층 (142c) 은, 배선 기판 (8) 에 형성된 금속 단자 (8a) 와 접속하는 단자부의 일부를 구성한다.
접속부 (141a, 142a) 의 가요성 적층체 (15) 에 대향하는 면은, 결정화 ITO 의 면을 구비하는 것이 바람직하고, 결정화 ITO 의 면으로 이루어지는 것이 보다 바람직하다. 이로써, 가요성 적층체 (15) 의 제 1 아모르퍼스 ITO 층 (151) 과 접속부 (141a, 142a) 의 밀착성 (접속 강도) 이 향상된다.
인출 배선 (14) 의 제 1 배선부 (141) 는 결정화 ITO 층을 포함하고 있어도 된다. 또한, 인출 배선 (14) 의 제 2 배선부 (142) 도 결정화 ITO 층을 포함하고 있어도 된다. 이로써, 제 1 배선부 (141) 및 제 2 배선부 (142) 의 투광성의 향상 및 저저항화를 도모할 수 있음과 함께, 제 1 배선부 (141) 및 제 2 배선부 (142) 의 형성과 동일 공정으로, 결정화 ITO 층으로 이루어지는 접속부 (141a, 142a) 를 형성할 수 있다.
구체예로서, 제 1 배선부 (141) 는 결정화 ITO 에 의해 형성된다. 제 2 배선부 (142) 는, 접속부 (142a) 측이 결정화 ITO 에 의해 형성되고, 접속부 (142a) 와는 반대측의 단부 (142b) 측이 결정화 ITO 층 및 그 위에 형성된 금속층 (142c) (예를 들어, CuNi/Cu/CuNi 의 적층 구조) 에 의해 형성된다.
가요성 적층체 (15) 로서, 제 1 아모르퍼스 ITO 층 (151), 도전층 (152) 및 제 2 아모르퍼스 ITO 층 (153) 의 적층 구조로 함으로써, 아모르퍼스 ITO 에 의한 투명성 및 가요성과, 도전층 (152) 에 의한 저저항화의 양립을 도모할 수 있다. 예를 들어, 기재 (11) 의 굴곡부 (BR) 의 곡률 반경을 5 ㎜ 이하로 한 경우에도, 기계적인 파단이나 전기적인 절단에 대한 충분한 내성을 얻을 수 있다. 요컨대, 굴곡부 (BR) 에 가요성 적층체 (15) 를 형성함으로써, 투광성 및 도전성을 유지한 상태로 기재 (11) 를 굽히는 것이 가능해진다.
(전극 및 배선)
다음으로, 제 1 전극부 (21), 제 2 전극부 (31) 및 인출 배선 (14) 의 상세에 대하여 설명한다.
도 4 는, 전극의 배치를 나타내는 모식 평면도이다.
도 5(a) 및 (b) 는 브리지 배선 부분의 모식 단면도이다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 기재 (11) 에는, 기재 (11) 의 표면에 있어서의 제 1 방향 (Y 방향) 으로 연장되는 제 1 전극 열 (20) 과, 제 2 방향 (X 방향) 으로 연장되는 제 2 전극 열 (30) 이 형성된다. 제 1 전극 열 (20) 에서는, 복수의 제 1 전극부 (21) 와, 제 1 전극부 (21) 를 Y 방향으로 연결하는 연결부 (22) 가 일체로 형성된다. 제 1 전극 열 (20) 은, y1, y2, y3 의 3 열 형성되어 있는데, 이 수는 입력 장치 (10) 의 면적에 따라 선택된다.
제 1 전극부 (21) 는, 대략 정방형 (또는 대략 마름모꼴) 이고, 대략 정방형의 모서리부가 X 방향과 Y 방향을 향하고 있다. 연결부 (22) 는, Y 방향으로 이웃하는 제 1 전극부 (21) 의 Y 방향의 모서리부끼리를 연결한다.
제 2 전극 열 (30) 은, x1, x2, x3, x4 의 4 열을 따라 X 방향을 향하여 균등한 피치로 규칙적으로 배열됨과 함께, ya, yb, yc, yd 의 각 열을 따라 Y 방향으로 균등한 피치로 규칙적으로 배열되어 있다. X 방향 및 Y 방향의 각 열의 수는, 입력 장치 (10) 의 면적에 따라 선택된다. 제 2 전극부 (31) 는 대략 정방형 (또는 대략 마름모꼴) 이고, 각 모서리부가 X 방향과 Y 방향을 향하고 있다. 제 1 전극부 (21) 및 제 2 전극부 (31) 의 사각형의 각 변의 크기는 서로 일치하고 있다.
제 2 전극부 (31) 에는, 그 중앙부에 배선 통로 (32) 가 형성되어 있는 것이 있다. 배선 통로 (32) 가 형성되어 있는 제 2 전극부에는 부호 31A 를 붙여, 배선 통로 (32) 를 갖지 않는 제 2 전극부 (31) 와 구별하고 있다.
제 2 전극부 (31A) 에서는, 배선 통로 (32) 가 Y 방향으로 직선적으로 연장되어 형성되어 있다. 배선 통로 (32) 는, 제 2 전극부 (31A) 를 X 방향으로 균등하게 분할할 수 있도록, X 방향에서의 중앙부에 형성되어 있다. 제 2 전극부 (31A) 는, 배선 통로 (32) 에 의해 2 개의 구분 전극층 (33, 33) 으로 분할되어 있다.
제 1 전극부 (21) 와 연결부 (22) 및 제 2 전극부 (31, 31A) 는, 동일한 투광성의 도전 재료로 형성되어 있다. 투광성의 도전 재료는, ITO, 은 나노 와이어로 대표되는 금속 나노 와이어, 메시상으로 형성된 얇은 금속, 혹은 도전성 폴리머 등이다.
도 5(a) 에는, 도 4 의 y1 열의 제 1 전극 열 (20) 과, x2 열의 제 2 전극 열 (30) 의 교차부 (B-B 선) 의 적층 구조의 단면도가 나타난다. 이 교차부에서는, 제 1 전극 열 (20) 의 연결부 (22) 를 덮는 투광성의 제 1 절연층 (41) 이 형성되어 있다. 제 1 절연층 (41) 상에는 제 1 브리지 접속층 (42) 이 형성되어 있다. 제 1 브리지 접속층 (42) 에 의해, 연결부 (22) 의 X 방향의 양측에 이웃하는 제 2 전극부 (31) 끼리가 접속되어 도통된다.
제 1 전극 열 (20) 과 제 2 전극 열 (30) 의 모든 교차부에, 제 1 절연층 (41) 및 제 1 브리지 접속층 (42) 이 형성되어 있고, x1 열에 나열되어 있는 제 2 전극부 (31, 31A) 가 X 방향으로 연결된다. 동일하게, x2, x3, x4 열에 있어서, 제 2 전극부 (31, 31A) 가 X 방향으로 연결된다.
투광성의 제 1 절연층 (41) 은 노볼락 수지 또는 노볼락 수지와 아크릴 수지로 구성된다. 제 1 브리지 접속층 (42) 은, 가요성 적층체 (15) 와 동일한 층 구조로 되어 있다. 즉, 제 1 브리지 접속층 (42) 은, 제 1 아모르퍼스 ITO 층 (151), 도전층 (152) 및 제 2 아모르퍼스 ITO 층 (153) 의 적층 구조를 갖는다.
제 1 전극부 (21), 연결부 (22) 및 제 2 전극부 (31) 가 ITO 층으로 형성되는 경우에는, 이것들을 결정화 ITO 로 형성함으로써, 제 1 전극부 (21), 연결부 (22) 및 제 2 전극부 (31) 를 구성하는 결정화 ITO 층과, 제 1 절연층 (41) 을 구성하는 재료를 선택하여 에칭하는 것이 가능해진다. 또, 제 1 배선부 (141) 및 제 2 배선부 (142) 는 가요성 적층체 (15) 와의 접속부 (141a, 142a) 에 있어서의 가요성 적층체 (15) 에 대향하는 면은 결정화 ITO 의 면으로 이루어지는 것이 바람직하기 때문에, 제 1 전극부 (21), 연결부 (22) 및 제 2 전극부 (31) 를 결정화 ITO 에 의해 구성함으로써, 제 1 전극부 (21), 연결부 (22) 및 제 2 전극부 (31) 그리고 제 1 배선부 (141) 및 제 2 배선부 (142) 의 접속부 (141a, 142a) 를 포함하는 부분을 결정화 ITO 에 의해 일체로 형성하는 것이 가능해진다.
또한, 제 1 전극 열 (20) 과 제 2 전극 열 (30) 의 교차부에 있어서, X 방향으로 인접하는 제 2 전극부 (31, 31A) 끼리를 연결하는 연결부가 제 2 전극부 (31, 31A) 와 일체로 형성되어, 복수의 제 2 전극부 (31, 31A) 가 X 방향으로 연속하여 형성되어 있어도 된다. 이 경우에는, 서로 독립되는 제 1 전극부 (21) 가 상기 연결부를 사이에 두고 Y 방향의 양측에 배치되고, 제 2 전극부 (31, 31A) 를 연결하는 연결부 상에 제 1 절연층 (41) 과 제 1 브리지 접속층 (42) 이 형성되어, 제 1 브리지 접속층 (42) 에 의해, Y 방향으로 인접하는 제 1 전극부 (21) 끼리가 접속된다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 기재 (11) 의 Y 방향의 일단에 형성된 주변 영역 (OR) 에는, y1 열의 제 1 전극부 (21) 와 일체로 형성된 제 1 배선층 (25a) 과, y2, y3 열의 제 1 전극부 (21) 의 각각과 일체로 형성된 제 1 배선층 (25b, 25c) 이 형성되어 있다. 또, 주변 영역 (OR) 에는, 제 2 전극 열 (30) 의 각각에 도통하는 제 2 배선층 (35a, 35b, 35c, 35d) 이 형성되어 있다. 제 1 배선층 (25a, 25b, 25c) 및 제 2 배선층 (35a, 35b, 35c, 35d) 의 각각은 인출 배선 (14) 이다.
제 1 배선층 (25a, 25b, 25c) 과 제 2 배선층 (35a, 35b, 35c, 35d) 은, 주변 영역 (OR) 에서 주회되고, 주변 영역 (OR) 에 형성된 제 2 배선부 (142) 의 금속층 (142c) 에 도통하고 있다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 제 2 배선층 (35a) 은, x1 열과 ya 열의 교점에 위치하는 제 2 전극부 (31) 와 일체로 형성되어 있다. 제 2 배선층 (35b) 은, x2 열과 yb 열의 교점에 위치하는 제 2 전극부 (31) 와 일체로 형성되어 있다. 이 제 2 배선층 (35b) 은, x1 열과 yb 열의 교점에 위치하는 제 2 전극부 (31A) 에 형성된 배선 통로 (32) 의 내부를 통과하여 Y 방향으로 직선적으로 연장되어 주변 영역 (OR) 에 이르고 있다.
제 2 배선층 (35c) 은, x3 열과 yc 열의 교점에 위치하는 제 2 전극부 (31) 와 일체로 형성되어 있다. 이 제 2 배선층 (35c) 은, x2 열과 yc 열의 교점에 위치하는 제 2 전극부 (31A) 에 형성된 배선 통로 (32) 와, x1 열과 yc 열의 교점에 위치하는 제 2 전극부 (31A) 에 형성된 배선 통로 (32) 의 내부를 통과하여 Y 방향으로 직선적으로 연장되어 주변 영역 (OR) 에 이르고 있다.
제 2 배선층 (35d) 은, x4 열과 yd 열의 교점에 위치하는 제 2 전극부 (31) 와 일체로 형성되어 있다. 이 제 2 배선층 (35d) 은, x3 열과 yd 열의 교점에 위치하는 제 2 전극부 (31A) 에 형성된 배선 통로 (32) 와, x2 열과 yd 열의 교점에 위치하는 제 2 전극부 (31A) 에 형성된 배선 통로 (32), 및 x1 열과 yd 열의 교점에 위치하는 제 2 전극부 (31A) 에 형성된 배선 통로 (32) 의 내부를 통과하여 Y 방향으로 직선적으로 연장되어 주변 영역 (OR) 에 이르고 있다.
제 2 배선층 (35a) 은, x1 열에 위치하는 제 2 전극 열 (30) 을 구성하는 각 제 2 전극부 (31, 31A) 와 도통하고 있고, 제 2 배선층 (35b, 35c, 35d) 은, x2, x3, x4 열에 위치하는 제 2 전극 열 (30) 을 구성하는 각 제 2 전극부 (31, 31A) 와 각각이 도통하고 있다. 제 2 배선층 (35a, 35b, 35c, 35d) 은, 모두 제 2 전극부 (31) 를 구성하는 투광성의 도전 재료에 의해, 제 2 전극부 (31) 와 일체로 형성되어 있다.
도 5(b) 는, 도 4 의 x3 열의 제 1 전극 열 (20) 과 yd 열의 제 2 전극 열 (30) 의 교차부 (C-C 선) 의 적층 구조의 단면도가 나타난다.
제 2 전극부 (31A) 는, 배선 통로 (32) 에 의해 구분 전극층 (33, 33) 으로 이분되어 있다. 배선 통로 (32) 와 제 2 배선층 (35d) 상에 제 2 절연층 (43) 이 형성되고, 그 위에 제 2 브리지 접속층 (44) 이 형성되어 있다. 배선 통로 (32) 로 분할되어 있는 구분 전극층 (33, 33) 은 제 2 브리지 접속층 (44) 에 의해 접속되어 있고, 이로써 제 2 전극부 (31A) 는 전체가 1 개의 전극층으로서 기능할 수 있도록 되어 있다. 이것은, 다른 장소에 형성된 제 2 전극부 (31A) 모두에 있어서 동일하다.
도 5(b) 에 나타내는 제 2 절연층 (43) 은, 도 5(a) 에 나타내는 제 1 절연층 (41) 과 동일한 재료로 동일한 공정으로 형성되어 있다. 도 5(b) 에 나타내는 제 2 브리지 접속층 (44) 은, 도 5(a) 에 나타내는 제 1 브리지 접속층 (42) 과 동일한 재료로 동일한 공정으로 형성되어 있다.
입력 장치 (10) 의 제조 공정은, 기재 (11) 의 표면에 ITO 등의 투광성의 도전 재료로 이루어지는 층이 형성된 소재가 사용된다. 바람직한 투광성의 도전 재료는 결정화 ITO 이다. 이 도전 재료를 에칭함으로써, 제 1 전극 열 (20), 제 2 전극 열 (30), 제 1 배선층 (25a, 25b, 25c) 및 제 2 배선층 (35a, 35b, 35c, 35d) 이 형성된다. 또, 제 1 배선부 (141) 및 제 2 배선부 (142) 의 일부도 형성된다.
그 후에, 기재 (11) 상에 노볼락 수지와 아크릴 수지의 수지층이 형성되고, 포토리소그래피 공정에 의해, 제 1 절연층 (41) 및 제 2 절연층 (43) 이 동시에 패터닝된다. 또한, 브리지 접속층용의 적층체가 형성되고, 에칭 공정에 의해, 제 1 브리지 접속층 (42) 및 제 2 브리지 접속층 (44) 이 동시에 형성된다. 브리지 접속층용의 적층체는 주변 영역 (OR) 에도 형성된다. 그리고, 제 1 브리지 접속층 (42) 및 제 2 브리지 접속층 (44) 을 에칭에 의해 형성하는 공정과 동일한 공정으로, 제 1 배선부 (141) 의 접속부 (141a) 및 제 2 배선부 (142) 의 접속부 (142a) 를 연결하도록 가요성 적층체 (15) 가 형성된다.
입력 장치 (10) 에서는, 기재 (11) 와 패널부 (3b) 를 투과하여 외부로부터, 표시 패널 (7) 의 표시 화상을 육안으로 볼 수 있다. 이 표시를 보면서 패널부 (3b) 에 손가락을 접촉시킴으로써 입력 장치 (10) 를 조작할 수 있다.
이 입력 장치 (10) 는, 제 1 전극 열 (20) 과 제 2 전극 열 (30) 사이에 정전 용량이 형성된다. 제 1 전극 열 (20) 과 제 2 전극 열 (30) 의 어느 일방의 전극 열에 차례로 펄스상의 구동 전력이 부여되고, 구동 전력이 부여되었을 때에 타방의 전극 열에 흐르는 검지 전류가 검출된다. 손가락이 접근하면, 손가락과 전극층 사이에 정전 용량이 형성된다. 이로써, 검출 전류가 변화된다. 이 검출 전류의 변화를 검지함으로써, 패널부 (3b) 의 어느 지점에 손가락이 접근하고 있는지를 검출할 수 있다.
제 2 전극부 (31A) 에는, Y 방향으로 관통하는 배선 통로 (32) 가 형성되어 있기 때문에, 배선 통로 (32) 를 갖지 않는 전극부보다 실질적으로 면적이 작아지고, 검지 동작에 있어서, 전극층마다 감도에 편차가 발생할 우려가 있다. 그래서, 배선 통로 (32) 가 형성되어 있지 않은 제 2 전극부 (31) 에 개구부 (31b) 가 형성되어, 배선 통로 (32) 를 갖는 제 2 전극부 (31A) 와 배선 통로 (32) 를 갖고 있지 않은 제 2 전극부 (31) 에서 면적의 차이가 그다지 발생하지 않도록 하고 있다.
또한, 제 1 전극부 (21) 에도 개구부 (21b) 가 형성되어, 제 1 전극부 (21) 와 제 2 전극부 (31A) 에서 면적의 차이가 크게 상이하지 않도록 하고 있다.
입력 장치 (10) 에 있어서는, 제 2 배선층 (35b, 35c, 35d) 이, 제 2 전극부 (31A) 에 형성된 배선 통로 (32) 의 내부를 통과하여 Y 방향으로 연장되어 있다. 제 2 배선층 (35b, 35c, 35d) 은, X 방향의 양측에 제 2 전극부 (31A) 의 구분 전극층 (33, 33) 으로 끼워져 있기 때문에, 제 2 배선층 (35b, 35c, 35d) 과 제 1 전극부 (21) 가 인접하는 영역을 감소시킬 수 있다. 이로써, 제 2 배선층 (35b, 35c, 35d) 과 제 1 전극부 (21) 의 정전 결합을 저하시킬 수 있다. 그 때문에, 제 2 배선층 (35b, 35c, 35d) 의 주회 부분이 여분의 감도를 갖는 것을 억제할 수 있어, 제 1 전극 열 (20) 과 제 2 전극 열 (30) 사이에서 검지되는 본래의 검지 출력에 노이즈가 중첩되기 어려워진다. 이로써, 검지 정밀도를 높이는 것이 가능해진다.
또, 제 2 배선층 (35b, 35c, 35d) 은, 제 2 전극부 (31A) 의 내부를 통과하고 있기 때문에, 이웃하는 전극층 사이에 제 2 배선층을 통과시키기 위한 통로를 형성할 필요가 없다. 따라서, 제 1 전극부 (21) 및 제 2 전극부 (31) 의 배치가, 제 2 배선층의 주회 때문에 제약되는 경우가 없다. 예를 들어, 제 1 전극부 (21) 및 제 2 전극부 (31) 를 서로 접근하여 배치할 수 있고, 검지 동작의 분해능을 높이는 것이 가능해진다.
(실시예)
다음으로, 기재 (11) 의 굴곡부 (BR) 에 형성한 배선의 절곡 시험의 결과에 대하여 설명한다.
시험을 실시한 배선 패턴은 다음과 같다.
공통된 기재 (11) 상에 이하의 배선 패턴을 형성하였다. 또한, 기재 (11) 는, 두께 50 ㎛ 의 PET 필름이다.
(1) 배선 패턴 P1 : 결정화 ITO 층 (폭 40 ㎛)
(2) 배선 패턴 P2 : 결정화 ITO 층 (폭 100 ㎛)
(3) 배선 패턴 P3 : 결정화 ITO 층 ＋ 금속층 (폭 30 ㎛)
(4) 배선 패턴 P4 : 결정화 ITO 층 ＋ 금속층 (폭 40 ㎛)
(5) 배선 패턴 P5 : 결정화 ITO 층 ＋ 금속층 (폭 100 ㎛)
(6) 배선 패턴 P6 : 가요성 적층체 (15) (폭 15 ㎛)
(7) 배선 패턴 P7 : 가요성 적층체 (15) (폭 40 ㎛)
(8) 배선 패턴 P8 : 가요성 적층체 (15) (폭 100 ㎛)
상기 배선 패턴에 있어서, 결정화 ITO 층의 두께는 25 ㎚ 이다. 금속층은, 결정화 ITO 층에 근위 (近位) 한 쪽으로부터, CuNi (두께 40 ㎚)/Cu (두께 120 ㎚)/CuNi (두께 10 ㎚) 의 적층체이다. 가요성 적층체 (15) 는, 기재 (11) 에 근위한 쪽으로부터, 아모르퍼스 ITO 층 (두께 12 ㎚)/Au (두께 13 ㎚)/아모르퍼스 ITO 층 (두께 35 ㎚) 의 적층체이다.
본 실시예에서는, 공통된 기재 (11) 에 상기 배선 패턴 P1 ∼ P8 을 형성한 샘플을 3 개 형성하였다. 3 개의 샘플은, 제 1 샘플, 제 2 샘플 및 제 3 샘플이다. 제 3 샘플만, 각 배선 패턴 P6 ∼ P8 의 하지로서 절연막을 형성하였다. 즉, 제 1 및 제 2 샘플에서는, 각 배선 패턴 P1 ∼ P8 이 기재 (11) 와 접하고, 제 3 샘플에서는, 배선 패턴 P1 ∼ P5 가 기재 (11) 와 접하고, 각 배선 패턴 P6 ∼ P8 과 기재 (11) 사이에 절연막이 개재되어 있다.
상기 제 1, 제 2 및 제 3 샘플에 대하여, JIS K5600-5-1 : 1999 에 준거하여 맨드릴 시험을 실시하였다.
맨드릴 시험은, φ 32 ㎜, φ 25 ㎜, φ 20 ㎜, φ 19 ㎜, φ 16 ㎜, φ 13 ㎜, φ 12 ㎜, φ 10 ㎜, φ 8 ㎜, φ 6 ㎜, φ 5 ㎜, φ 4 ㎜, φ 3 ㎜, φ 2 ㎜ 의 각 직경의 맨드릴로 절곡 시험을 실시하고, 각각의 샘플에 대하여 저항값 변화율 ([{(절곡 시험 후의 저항값/절곡 시험 전의 저항값) － 1} × 100] 에 의해 산출한 백분율) 을 조사하였다. 또한, 본 실시예에서는, 저항값 변화율이 10 ％ 이하인 경우를 「양호」, 10 ％ 를 초과하는 경우를 「불량」이라고 판정하고 있다.
제 1 샘플에 대한 맨드릴 시험의 결과를 표 1 에 나타내고, 제 2 샘플에 대한 맨드릴 시험의 결과를 표 2 에 나타내고, 제 3 샘플에 대한 맨드릴 시험의 결과를 표 3 에 나타낸다. 표 1, 표 2 및 표 3 에 있어서, 「○」는 「양호」를 의미하고, 「×」는 「불량」을 의미한다.
Figure 112017126118922-pct00001
Figure 112017126118922-pct00002
Figure 112017126118922-pct00003
상기 맨드릴 시험에 있어서, 배선 패턴 P3 ∼ P8 에서는, 제 1 ∼ 제 3 샘플의 어느 것에 대해서도, φ 32 ㎜ 에서 φ 2 ㎜ 의 모든 직경의 맨드릴에 대하여 「양호」가 되었다. 한편, 배선 패턴 P1 에서는, 제 1 ∼ 제 3 샘플의 어느 것에 대해서도, φ 4 ㎜ 이하가 되면 「불량」이 되었다. 배선 패턴 P2 에서는, 제 1 ∼ 제 3 샘플의 어느 것에 대해서도, φ 4 ㎜ 이하가 되면 「불량」이 되었다.
상기 제 1, 제 2 및 제 3 샘플에 대하여 반복 절곡 시험을 실시하였다.
반복 절곡 시험은, φ 약 10 ㎜ 의 곡면을 갖는 스테이지 단부를 따라 샘플을 약 180 도 절곡하고, 펴는 것을 반복하고, 반복 횟수와 저항값 변화율 ([{(소정 횟수의 반복 굽힘 시험 후의 저항값/반복 굽힘 시험 전의 저항값) － 1} × 100] 에 의해 산출한 백분율) 의 관계를 조사하였다. 또한, 본 실시예에서는, 저항값 변화율이 10 ％ 이하인 경우를 「양호」, 10 ％ 를 초과하는 경우를 「불량」으로 판정하고 있다.
제 1 샘플에 대한 반복 절곡 시험의 결과를 표 4 에 나타내고, 제 2 샘플에 대한 반복 절곡 시험의 결과를 표 5 에 나타내고, 제 3 샘플에 대한 반복 절곡 시험의 결과를 표 6 에 나타낸다. 표 4, 표 5 및 표 6 에 있어서, 「○」는 「양호」를 의미하고, 「×」는 「불량」을 의미한다. 「공란」은 측정 데이터가 없는 것을 의미한다.
Figure 112017126118922-pct00004
Figure 112017126118922-pct00005
Figure 112017126118922-pct00006
상기 반복 절곡 시험에 있어서, 표 4 및 표 5 에 나타내는 제 1 및 제 2 샘플 (기재 (11) 와 각 배선 패턴 P1 ∼ P8 이 접하는 경우) 에 대하여, 배선 패턴 P6 ∼ P8 에서는, 제 1 및 제 2 샘플에 대하여, 30000 회의 절곡을 실시해도 「양호」판정, 즉 저항값 변화율이 10 ％ 를 넘지 않았다. 한편, 배선 패턴 P1 에서는, 제 1 샘플에 대하여 10 회 미만의 절곡에서 「불량」, 제 2 샘플에 대하여 1000 회 미만의 절곡에서 「불량」이 되었다. 배선 패턴 P2 에서는, 제 1 샘플에 대하여 100 회 미만의 절곡에서 「불량」, 제 2 샘플에 대하여 1000 회 미만의 절곡에서 「불량」이 되었다.
배선 패턴 P3 에서는, 제 1 샘플에 대하여 1000 회 미만의 절곡에서 「불량」, 제 2 샘플에 대하여 100 회 미만의 절곡에서 「불량」이 되었다. 배선 패턴 P4 에서는, 제 1 샘플에 대하여 1000 회 미만의 절곡에서 「불량」, 제 2 샘플에 대하여 10000 회 미만의 절곡에서 「불량」이 되었다. 배선 패턴 P5 에서는, 제 1 및 제 2 샘플에 대하여 10000 회 미만의 절곡에서 「불량」이 되었다.
표 6 에 나타내는 제 3 샘플 (각 배선 패턴 P6 ∼ P8 과 기재 (11) 사이에 절연층이 개재되는 경우) 에 대하여, 배선 패턴 P6 ∼ P8 에서는, 1000 회의 절곡을 실시해도 「양호」판정이 되었다. 또한, 배선 패턴 P7 및 P8 은, 20000 회의 절곡에서도 「양호」판정이 되었다. 한편, 배선 패턴 P1 에서는, 10 회 미만의 절곡에서 「불량」, 배선 패턴 P2 에서, 100 회 미만의 절곡에서 「불량」, 배선 패턴 P3 및 P4 에서는 1000 회 미만의 절곡에서 「불량」, 배선 패턴 P5 는, 10000 회 미만의 절곡에서 「불량」이 되었다.
이와 같이, 제 1, 제 2 및 제 3 샘플의 어느 경우에도, 배선 패턴 P6 ∼ P8 과 같은 가요성 적층체 (15) 를 기재 (11) 의 굴곡부 (BR) 에 형성함으로써, 기재 (11) 를 곡률 반경 2 ㎜ 정도까지 절곡하거나, 반복해서 절곡하거나 하는 경우에도, 양호한 도통성을 유지하는 것이 가능해진다. 또, 제 1 및 제 2 샘플과 제 3 샘플의 측정 결과로부터, 기재 (11) 와 가요성 적층체 (15) 가 접하고 있음으로써, 보다 굴곡에 대한 내성이 높아지는 것을 알 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 실시형태에 의하면, 투광성 및 도전성을 저해시키지 않고 기재와 함께 배선을 굴곡시킬 수 있는 입력 장치를 제공하는 것이 가능해진다.
또한, 상기에 본 실시형태 및 실시예를 설명했지만, 본 발명은 이들 예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 전술한 실시형태 또는 실시예에 대하여, 당업자가 적절히 구성 요소의 추가, 삭제, 설계 변경을 실시한 것이나, 실시형태 또는 실시예의 구성예의 특징을 적절히 조합한 것도, 본 발명의 요지를 구비하고 있는 한 본 발명의 범위에 함유된다.
1 : 전자 기기
3 : 케이스
3a : 본체 케이스부
3b : 패널부
7 : 표시 패널
8 : 배선 기판
8a : 금속 단자
10 : 입력 장치
11 : 기재
14 : 인출 배선
15 : 가요성 적층체
20 : 제 1 전극 열
21 : 제 1 전극부
21b : 개구부
22 : 연결부
25a, 25b, 25c : 제 1 배선층
30 : 제 2 전극 열
31 : 제 2 전극부
31A : 제 2 전극부
31b : 개구부
32 : 배선 통로
33 : 구분 전극층
35a, 35b, 35c, 35d : 제 2 배선층
41 : 제 1 절연층
42 : 제 1 브리지 접속층
43 : 제 2 절연층
44 : 제 2 브리지 접속층
141 : 제 1 배선부
141a, 142a : 접속부
142 : 제 2 배선부
142c : 금속층
152 : 도전층
BR : 굴곡부
151 : 제 1 아모르퍼스 ITO 층
153 : 제 2 아모르퍼스 ITO 층
OR : 주변 영역
SR : 검출 영역

Claims (9)

  1. 투광성 및 가요성을 갖는 기재와,
    투광성을 갖고, 상기 기재 상의 검출 영역에 있어서 제 1 방향으로 나열되는 복수의 제 1 전극부와,
    투광성을 갖고, 상기 기재 상의 상기 검출 영역에 있어서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 나열되는 복수의 제 2 전극부와,
    상기 복수의 제 1 전극부 및 상기 복수의 제 2 전극부의 각각과 도통하고, 상기 기재 상의 상기 검출 영역으로부터 상기 검출 영역의 외측의 주변 영역까지 연장되는 복수의 인출 배선을 구비하고,
    상기 기재의 상기 주변 영역에는 굴곡부가 형성되고,
    상기 인출 배선은, 상기 굴곡부 상에 형성된 가요성 적층체를 갖고,
    상기 가요성 적층체는,
    상기 기재 상에 형성된 제 1 아모르퍼스 ITO 층과,
    상기 제 1 아모르퍼스 ITO 층 상에 형성된 도전층과,
    상기 도전층 상에 형성된 제 2 아모르퍼스 ITO 층을 갖고,
    상기 인출 배선은, 상기 굴곡부보다 상기 검출 영역 측에 형성된 제 1 배선부와, 상기 굴곡부보다 상기 검출 영역과는 반대측에 형성된 제 2 배선부를 갖고,
    상기 가요성 적층체는, 상기 제 1 배선부와 상기 제 2 배선부 사이에 위치하는, 입력 장치.
  2. 투광성 및 가요성을 갖는 기재와,
    투광성을 갖고, 상기 기재 상의 검출 영역에 있어서 제 1 방향으로 나열되는 복수의 제 1 전극부와,
    투광성을 갖고, 상기 기재 상의 상기 검출 영역에 있어서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 나열되는 복수의 제 2 전극부와,
    상기 복수의 제 1 전극부 및 상기 복수의 제 2 전극부의 각각과 도통하고, 상기 기재 상의 상기 검출 영역으로부터 상기 검출 영역의 외측의 주변 영역까지 연장되는 복수의 인출 배선을 구비하고,
    상기 기재의 상기 주변 영역에는 굴곡부가 형성되고,
    상기 인출 배선은, 상기 굴곡부 상에 형성된 가요성 적층체를 갖고,
    상기 가요성 적층체는,
    상기 기재 상에 형성된 제 1 아모르퍼스 ITO 층과,
    상기 제 1 아모르퍼스 ITO 층 상에 형성된 도전층과,
    상기 도전층 상에 형성된 제 2 아모르퍼스 ITO 층을 갖고,
    상기 굴곡부의 곡률 반경은 5 밀리미터 이하인, 입력 장치.
  3. 투광성 및 가요성을 갖는 기재와,
    투광성을 갖고, 상기 기재 상의 검출 영역에 있어서 제 1 방향으로 나열되는 복수의 제 1 전극부와,
    투광성을 갖고, 상기 기재 상의 상기 검출 영역에 있어서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 나열되는 복수의 제 2 전극부와,
    상기 복수의 제 1 전극부 및 상기 복수의 제 2 전극부의 각각과 도통하고, 상기 기재 상의 상기 검출 영역으로부터 상기 검출 영역의 외측의 주변 영역까지 연장되는 복수의 인출 배선을 구비하고,
    상기 기재의 상기 주변 영역에는 굴곡부가 형성되고,
    상기 인출 배선은, 상기 굴곡부 상에 형성된 가요성 적층체를 갖고,
    상기 가요성 적층체는,
    상기 기재 상에 형성된 제 1 아모르퍼스 ITO 층과,
    상기 제 1 아모르퍼스 ITO 층 상에 형성된 도전층과,
    상기 도전층 상에 형성된 제 2 아모르퍼스 ITO 층을 갖고,
    상기 복수의 제 1 전극부 사이를 연결하는 연결부와,
    상기 복수의 제 2 전극부 사이에 형성되고, 절연층을 개재하여 상기 연결부와 교차하는 브리지 접속부를 추가로 구비하고,
    상기 브리지 접속부는, 상기 가요성 적층체와 동일한 재료에 의해 형성되는, 입력 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 배선부 및 상기 제 2 배선부는, 각각, 상기 가요성 적층체의 단부와 접속되는 접속부를 갖고, 상기 접속부의 상기 가요성 적층체에 대향하는 면은 결정화 ITO 의 면을 구비하는, 입력 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 배선부는 결정화 ITO 층을 포함하는, 입력 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 배선부는 결정화 ITO 층을 포함하는, 입력 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 아모르퍼스 ITO 층은 상기 기재와 접하는, 입력 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전층은 귀금속을 포함하는, 입력 장치.
  9. 삭제
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