CN103246385B

CN103246385B - 输入装置

Info

Publication number: CN103246385B
Application number: CN201210575093.1A
Authority: CN
Inventors: 竹内正宜; 佐藤清; 矢泽学; 铃木彻也; 牛肠英纪; 青木大悟
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2012-02-10
Filing date: 2012-12-26
Publication date: 2016-05-25
Anticipated expiration: 2032-12-26
Also published as: KR20130092438A; CN103246385A; KR101476026B1

Abstract

本发明的目的在于，提供一种尤其是在作为低电阻金属采用Cu、Cu合金或者Ag合金之际，能够确保良好的不可见特性，并且能够使电桥配线的耐环境性或静电破坏耐受性提高的输入装置。具有：透明基材(2)；形成于透明基材(2)的第一面的多个透明电极(5)；将所述透明电极(5)间电连接的电桥配线(10)；形成在所述透明基材(2)与所述电桥配线(10)之间的绝缘层(20)，所述电桥配线(10)形成为从所述绝缘层的表面侧按由非结晶ITO构成的基底层35/Cu、由Cu合金或者Ag合金构成的金属层40/由非结晶ITO构成的导电性氧化物保护层37依次层叠的结构。

Description

输入装置

技术领域

本发明涉及一种能够检测操作面的操作位置的输入装置，尤其是涉及一种将形成于透明基材表面的透明电极间连接的电桥配线的结构。

背景技术

在专利文献1中公开了一种将多个透明电极间电连接的电桥配线(专利文献1中记载为交叉部分、中继电极)由ITO形成的输入装置。

另外，在专利文献2中公开了一种将多个透明电极间电连接的电桥配线(专利文献2中记载为电桥配线)由Mo、Al、Au等形成的输入装置。

另外，在专利文献3中记载有：将多个透明电极间电连接的电桥配线(专利文献3中记载为导电部材)由具备金属层的单层或者至少包括一层以上的金属层的多层的导电体膜来形成。作为金属层的材料，可以选择金、银、铜、钼等。另外，在专利文献3中，由于在目视确认侧形成金属氧化物层，从而难以对导电体膜进行目视确认。

另外，在专利文献4中，作为将多个透明电极间电连接的电桥配线(专利文献4中记载为第二透光性导电膜)的一例，记载有由ITO层、银系金属层及ITO层层叠而成的透光性导电膜。

需要说明的是，在构成透明电极的形成面的透明基材与电桥配线之间夹有绝缘层。即，电桥配线在绝缘层的表面通过而将各透明电极间电连接。

【在先技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】：日本特开2008-310550号公报

【专利文献2】：日本特开2010-271796号公报

【专利文献3】：WO2010/150668号

【专利文献4】：日本特开2011-128674号公报

【发明的概要】

【发明所要解决的课题】

在专利文献1中，电桥配线由ITO形成，则存在电桥配线的配线电阻变大的问题。

另外，如专利文献2那样，通过由金属材料来形成电桥配线，能够使电桥配线的配线电阻低于ITO，但没有良好的不可见特性，即无法观察到电桥配线，进而，需要使电桥配线的耐环境性(耐湿性或耐热性)提高。此外，需要确保构成电桥配线的形成面的绝缘层之间的良好的密接性。

在专利文献3中记载有能够对电桥配线的不可见性加以改善的方面。另外，在专利文献4中记载有能够使电桥配线的片电阻变低的方面。需要说明的是，在专利文献3、4中虽然记载了将电桥配线形成为层叠结构的内容，但关于从绝缘层的表面到透明电极的表面上将各层如何形成，在剖视图等当中均没有表示出。

这样，电桥配线为ITO或金属层，进而将这些层层叠的结构为公知的结构，不过，在专利文献1～4记载的发明中，在作为构成电桥配线的金属层而采用了Cu、Cu合金或者Ag合金的情况下，关于具有能够实现良好的不可见性、与绝缘层的密接性的确保、耐环境性(高温环境、高温·高湿环境)的提高及静电破坏耐受性的提高的电桥配线的输入装置的结构没有任何的公开。

发明内容

对此，本发明就是用于解决上述现有的课题而作为的，其目的在于，尤其是在作为低电阻金属而采用Cu、Cu合金或者Ag合金之际，能够确保良好的不可见特性，并且能够提高电桥配线的耐环境性或静电破坏耐受性等的输入装置。

【用于解决课题的手段】

本发明提供一种输入装置，其特征在于，该输入装置具有：透明基材；形成在所述透明基材的第一面上的多个透明电极；将所述透明电极之间电连接的电桥配线；形成在所述透明基材与所述电桥配线之间的绝缘层，

所述透明电极具备多个第一透明电极和多个由ITO构成的第二透明电极，各第一透明电极沿着第一方向被连结，在所述第一透明电极的连结部的表面上形成有所述绝缘层，利用穿过所述绝缘层的绝缘表面而形成的所述电桥配线将各第二透明电极沿着与所述第一方向交叉的第二方向连结，

所述绝缘层由酚醛清漆树脂形成，

所述绝缘层将所述第一透明电极的连结部与所述第二透明电极之间的空间填埋，并且蔓延形成至所述第二透明电极的表面，

所述电桥配线具备层叠结构，该层叠结构包括：从所述绝缘层的表面到所述第二透明电极的表面相接地形成的由非结晶ITO构成的基底层；仅形成在所述基底层的表面上的由Cu、Cu合金或Ag合金构成的金属层；仅形成在所述金属层的表面上的由非结晶ITO构成的导电性氧化物保护层。

由此，能够确保良好的不可见特性，并且能够实现电桥配线的低电阻化及静电破坏耐受性的提高，进而能够良好地实现电桥配线与绝缘层之间的密接性。另外，非结晶ITO构成的基底层作为对于因由酚醛清漆树脂构成的绝缘层的吸水性所引起的水分的屏障层来发挥功能。进而，由非结晶ITO构成的基底层能够适当地追随伴随着环境变化的由酚醛清漆树脂构成的绝缘层的收缩。另外，由非结晶ITO构成的导电性氧化物保护层能够作为对于从电桥配线的表面侧流入的水分的屏障层来发挥功能。这样，还能够确保良好的耐环境性(耐湿性、耐热性)。

另外，在本发明中，所述电桥配线具备3.5kV以上的ESD特性为最佳。另外，优选的是，所述电桥配线的片电阻值Rs为55Ω/□以下。

另外，优选的是，所述金属层的膜厚为6～10nm。

另外，在本发明中，优选的是，所述电桥配线通过在各透明电极的表面、所述绝缘层的表面及所述透明基材的表面上重叠层叠所述基底层、所述金属层及所述导电性氧化物保护层之后，采用光刻技术从所述绝缘层的表面到所述第二透明电极层的表面残留为细长的形状而成。

另外，优选的是，对所述绝缘层实施漂白。

另外，本发明优选适用于光学透明粘合层与所述电桥配线的表面相接的结构中。另外，优选适用于所述透明基材的第一面侧与表面为操作面的面板之间通过所述光学透明粘合层来接合的结构中。

在本发明中，由Cu合金构成的所述金属层为CuNi层为最佳。另外，由Ag合金构成的所述金属层为AgPdCu层为最佳。

【发明效果】

根据本发明的输入装置，能够确保良好的不可见特性，并且能够实现电桥配线的低电阻化及静电破坏耐受性的提高，进而能够良好地实现电桥配线与绝缘层之间的密接性。另外，非结晶ITO构成的基底层作为因由酚醛清漆树脂构成的绝缘层的吸水性所引起的水分的屏障层来发挥功能。进而，由非结晶ITO构成的基底层能够适当地追随伴随着环境变化的由酚醛清漆树脂构成的绝缘层的收缩。另外，由非结晶ITO构成的导电性氧化物保护层能够作为对于从电桥配线的表面侧流入的水分的屏障层来发挥功能。这样，还能够确保良好的耐环境性(耐湿性、耐热性)。

附图说明

图1是表示在构成本实施方式中的输入装置(触摸板)的透明基材的表面上形成的各透明电极及配线部的俯视图。

图2(a)是图1所示的输入装置的放大俯视图，图2(b)是将图2(a)沿着A-A切断而从箭头方向观察时的输入装置的局部放大纵向剖视图，图2(c)是与图2(b)局部不同的输入装置的局部放大纵向剖视图。

图3(a)是第一实施方式中的电桥配线的放大纵向剖视图，图3(b)是第二实施方式中的电桥配线的放大纵向剖视图。

图4是表示本实施方式中的输入装置的制造方法的工序图，图4的右图是局部纵向剖视图，图4的左图是俯视图。

符号说明

1输入装置

2透明基材

3面板

4第一透明电极

5第二透明电极

6配线部

7连结部

10电桥配线

11显示区域

20绝缘层

25装饰区域

30光学透明粘合层(OCA)

34CuNi层

35基底层

37导电性氧化物保护层

40金属层

具体实施方式

图1是表示在构成本实施方式中的输入装置(触摸板)的透明基材的表面上形成的各透明电极及配线部的俯视图，图2(a)是图1所示的输入装置的放大俯视图，图2(b)是将图2(a)沿着A-A切断而从箭头方向观察时的输入装置的局部放大纵向剖视图，图2(c)是与图2(b)局部不同的输入装置的局部放大纵向剖视图。

需要说明的是，在该说明书中，“透明”、“透光性”是指可见光透过率为50％以上(优选80％以上)的状态。进而，雾度值在6以下为最佳。

需要说明的是，在图1中，图示出了在构成输入装置1的透明基材2的表面(第一面)2a上形成的各透明电极4、5及配线部6，但实际如图2(b)那样，在透明基材2的表面侧设有透明的面板3，且在配线部6的位置处存在装饰层，因此，无法从面板3的表面侧观察配线部6。需要说明的是，透明电极为透明的构件，故无法目视确认，不过，在图1中示出了透明电极的外形。

透明基材2为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等的薄膜状的透明基材或玻璃基材等形成。另外，各透明电极4、5由ITO(IndiumTinOxide：铟锡氧化物)等的透明导电材料通过溅射或蒸镀等成膜。此处的ITO为结晶ITO。

如图1所示，在显示区域11(能够通过手指等的操作体来进行操作的、显示器所对置的显示画面)内形成有多个第一透明电极4与多个第二透明电极5。

如图1、图2(a)所示，多个第一透明电极4形成在透明基材2的表面2a上，各第一透明电极4经由细长的连结部7而沿着Y1-Y2方向(第一方向)连结。并且，由沿着Y1-Y2方向连结的多个第一透明电极4构成的第一电极8沿着X1-X2方向空开间隔地排列。

另外，如图1、图2(a)所示，多个第二透明电极5形成在透明基材2的表面2a上。这样，第二透明电极5形成在与第一透明电极4相同的表面(透明基材2的表面2a)上。如图1、图2(a)所示，各第二透明电极5经由细长的电桥配线10而沿着X1-X2方向(第二方向)连结。并且，由沿着X1-X2方向连结的多个第二透明电极5构成的第二电极12沿着Y1-Y2方向空开间隔地排列。

如图2(a)(b)所示，在将第一透明电极4间连结的连结部7的表面上形成有绝缘层20。如图2(b)所示，绝缘层20将连结部7与第二透明电极5之间的空间填埋，且还稍稍蔓延至第二透明电极5的表面。

绝缘层20由酚醛清漆树脂形成。由此，能够将第二透明电极5与连结部7之间的间隙适当地填埋。另外，能够平滑地形成绝缘层20的表面20a，从而能够减小凹凸。

并且，如图2(a)(b)所示，电桥配线10从绝缘层20的表面20a形成至位于绝缘层20的X1-X2方向的两侧的各第二透明电极5的表面上。电桥配线10将各第二透明电极5间电连接。

如图2(a)(b)所示，在将各第一透明电极4间连接的连结部7的表面上设有绝缘层20，在该绝缘层20的表面上设有将各第二透明电极5间连接的电桥配线10。这样，在连结部7与电桥配线10之间夹有绝缘层20，第一透明电极4与第二透明电极5成为电绝缘的状态。并且，在本实施方式中，能够将第一透明电极4与第二透明电极5形成在相同的表面(透明基材2的表面2a)上，从而能够实现输入装置1的薄型化。

需要说明的是，连结部7、绝缘层20及电桥配线10均位于显示区域11内，与透明电极4、5同样地，由透明、透光性构成。

如图1所示，显示区域11的周围成为镜框状的装饰区域(非显示区域)25。显示区域11为透明、透光性，装饰区域25为不透明、非透光性。因而，设于装饰区域25的配线部6或外部连接部27无法从输入装置1的表面(面板3的表面)观察到。

如图1所示，在装饰区域25形成有从各第一电极8及各第二电极12引出的多个配线部6。各配线部6具有Cu、Cu合金、CuNi合金、Ni、Ag、Au等的金属材料而形成。

如图1所示，各配线部6的前端构成与柔性印制电路基板(未图示)电连接的外部连接部27。

如图2(b)所示，透明基材2的表面2a侧与面板3之间经由光学透明粘合层(OCA；OpticalClearAdhesive：光学透明粘合剂)30而接合。面板3对材质无特别限定，但优选应用玻璃基材或塑料基材。光学透明粘合层(OCA)30为丙烯系粘合剂或双面粘合胶带等。

在图1所示的静电电容式的输入装置1中，如图2(b)所示，当与面板3的操作面3a上接触时，在手指F与接近手指F的第一透明电极4之间及第二透明电极5之间产生静电电容。根据此时的静电电容变化，能够算出手指F的接触位置。手指F的位置根据与第一电极8之间的静电电容变化来检测X坐标，并根据与第二电极12之间的静电电容变化来检测Y坐标(自电容检测型)。另外，也可以为，对第一电极8和第二电极12的一方的第一电极的一列施加驱动电压，通过另一方的第二电极来检测与手指F之间的静电电容的变化，从而由第二电极来检测Y位置，并由第一电极来检测X位置的相互电容检测型。

在本实施方式中，在将第二透明电极5间连结的电桥配线10的结构中存在特征的部分。

如图3(a)所示，第一实施方式的电桥配线10形成为层叠结构，该层叠结构包括：从绝缘层20的表面20a形成至第二透明电极5的表面5a的、由非结晶ITO构成的基底层35；仅形成在基底层35的表面上的金属层40；仅形成在金属层40的表面上的、由非结晶ITO构成的导电性氧化物保护层37。

在本实施方式中，作为金属层40可以选择Cu、Cu合金或者Ag合金。

Cu合金中可以选择CuNi合金。另外，Ag合金中可以选择AgPdCu合金。CuNi合金的组成比例如为，Cu约85～75wt％，Ni约15～25wt％，将Cu与Ni的各组成比相加为100wt％。另外，AgPdCu合金的组成比例如为，Ag约98wt％，Pd约1～1.5wt％，Cu约0.5～1wt％，将Ag、Pd及Cu的各组成比相加为100wt％。

选择Cu、Cu合金、Ag合金的理由在于，为即便将电桥配线形成为能够不可见化的膜厚，也能够实现低电阻化，另外，在耐热、耐湿、环境试验中，也可减小电阻变化且可维持低电阻的材料。进而，能够抑制材料费用，从而实现低成本化。

根据本实施方式的电桥配线10的结构，能够良好的不可见特性，并且能够实现电桥配线10的低电阻化及静电破坏耐受性的提高，从而能够提高电桥配线10与绝缘层20之间的密接性。关于不可见性，通过将电桥配线10形成为由非结晶ITO构成的基底层35/金属层40/由非结晶ITO构成的导电性氧化物保护层37的层叠结构，从而能够抑制电桥配线10的反射率，其结果是，能够增大透过率/反射率之比，从而有效地提高不可见特性。另外，由非结晶ITO构成的基底层35也作为对于因由酚醛清漆树脂构成的绝缘层20的吸水性所引起的水分的屏障层来发挥功能，进而能够适当地追随相对于环境变化的绝缘层20的收缩。进而，由非结晶ITO构成的导电性氧化物保护层37作为对于水分的屏障层来发挥功能。这样，还能够获得良好的耐环境性(耐湿性、耐热性)。

另外，由非结晶ITO构成的基底层35能够使静电破坏电压值(耐压值)增加，从而能够使静电破坏耐受性提高。

在图3(a)中，电桥配线10与光学透明粘合层(OCA)30相接，但可以将电桥配线10的导电性氧化物保护层37作为对于因由丙烯系粘合剂等形成的光学透明粘合层(OCA)30的吸水性所引起的水分的屏障层，来有效地发挥功能。

此处，绝缘层20的最大膜厚为0.5～4μm左右，基底层35的膜厚为5～40nm左右，金属层40的膜厚为6～10nm左右，透明导电性氧化物保护层37的膜厚为5～40nm左右。另外，电桥配线的宽度尺寸(向Y1-Y2方向的长度尺寸)为5～50μm左右，长度尺寸(向X1-X2方向的长度尺寸)为150～500μm左右。

在本实施方式中，即便将具有比非结晶ITO充分低的电阻率的由Cu、Cu合金或者Ag合金构成的金属层40变薄且形成为细宽度，与由非结晶ITO的单层膜形成电桥配线的情况相比，能够将电桥配线10低电阻化，并且，在本实施方式中，通过减薄金属层40的膜厚而使宽度尺寸形成得较小，从而能够提高不可见特性。

另外，在本实施方式中，在非结晶ITO构成的基底层35和各透明电极4、5中采用ITO(结晶ITO)，此时，基底层35与第二透明电极5的表面接触，金属层40不与第二透明电极5的表面接触。由此，能够充分确保电桥配线10和由酚醛清漆树脂构成的绝缘层20的密接性，进而，能够实现耐环境性(高温环境、高温·高湿环境)的提高、及静电破坏耐受性的提高，从而能够活用金属层40的低电阻性。

图3(b)为第二实施方式，与图3(a)不同，电桥配线10形成为双层结构。

即，在图3(b)中，形成为CuNi层34和导电性氧化物保护层37的层叠结构。

如图3(b)所示，CuNi层34从由酚醛清漆树脂构成的绝缘层20的表面形成至第二透明电极5的表面5a，导电性氧化物保护层37仅形成在CuNi层34的表面上。

在该实施方式中，也能够确保良好的不可见特性，并且能够实现低电阻，进而，导电性氧化物保护层37作为对于水分的屏障层来发挥功能，从而能够提高电桥配线10的耐环境性(耐湿性、耐热性)。另外，也能够确保CuNi层34与绝缘层20之间的良好的密接性。

在本实施方式中，最优选的是，导电性氧化物保护层37为透明性高的ITO(为非结晶ITO最佳)。由此，能够更加有效地提高耐环境性。需要说明的是，除此以外，作为透明的导电性氧化物保护层的材料有ZnO、In₂O₃等。

另外，与将CuNi层34形成为单层结构相比，通过形成为CuNi层34与导电性氧化物保护层37(优选为ITO)的层叠结构，能够抑制电桥配线10的反射率，其结果是，能够增大透过率/反射率之比，从而能够使不可见特性有效地提高。另外，通过形成为上述层叠结构，能够进一步地实现低电阻化。

需要说明的是，在本实施方式中，如图2(b)所示，在透明基材2的表面2a侧设有各透明电极4、5、绝缘层20及电桥配线10，但如图2(c)所示，也可以在透明基材2的背面2b(第一面)侧设有各透明电极4、5、绝缘层20及电桥配线10。在图2(c)中，透明基材2的背面2b与作为另一透明基材26之间的接合材料的光学透明粘合层(OCA)28与电桥配线10相接。

另外，将第一透明电极4间连结的连结部7由ITO形成。即，能够将各第一透明电极4与连结部7之间一体地形成。

图4是表示本实施方式中的输入装置1的制造方法的工序图。图4的左图是局部纵向剖视图，右图是俯视图。需要说明的是，在左图和右图中，尺寸比不同。图4所示的局部纵向剖视图是与图2(b)所示的局部纵向剖视图同样地沿着X1-X2方向切断的图。需要说明的是，在图4中图示出了透明电极4、5的局部。

在图4(a)的工序中，在透明基材2的表面2a形成有由ITO构成的各透明电极4、5。此时，将第一透明电极4、4间连结的连结部7与所述第一透明电极4一体地通过ITO来形成。

接着，在图4(b)的工序中，形成将连结部7上覆盖，并且将位于连结部7的X1-X2方向的两侧的第二透明电极5之间填埋的、由酚醛清漆树脂构成的绝缘层20。此时，通过全幅面曝光而进行将绝缘层20形成为透明的漂白为最佳。

接着，在图4(c)的工序中，在各透明电极4、5的表面、绝缘层20的表面及透明基材2的表面形成有由三层结构构成的电桥配线10，该三层结构包括由非结晶ITO构成的基底层35/Cu、由Cu合金或者Ag合金构成的金属层40/由非结晶ITO构成的导电性氧化物保护层37。或者是，也可以将电桥配线10形成为CuNi层34/由非结晶ITO构成的导电性氧化物保护层37的双层结构。此时，可以通过溅射或蒸镀法来形成非结晶ITO或金属层。

并且，在图4(d)中，采用光刻技术等，将电桥配线10以沿着X1-X2方向细长的形状从由酚醛清漆树脂构成的绝缘层20的表面残留至位于绝缘层20的两侧的第二透明电极5的表面上。需要说明的是，此时，以各透明电极4、5的表面未被削除的方式来进行选择蚀刻为最佳。由此，能够将第二透明电极5、5间经由电桥配线10来电连接。

然后，如图2(b)所示，将透明基材2的表面2a侧与表面为操作面3a的面板3间经由光学透明粘合层30来接合。

本实施方式中的输入装置可用于便携式电话机、数字照相机、PDA、游戏机、车载导航等。

【实施例】

在实验中，在透明基材上形成有图2所示的结构的透明电极(ITO)、绝缘层(酚醛清漆树脂)及电桥配线。将第二透明电极间连结的电桥配线形成为以下的表1所示的实施例1的非结晶ITO(基底层)/Cu(金属层)/非结晶ITO(导电性氧化物保护层)的三层结构、实施例2所示的非结晶ITO(基底层)/CuNi(金属层)/非结晶ITO(导电性氧化物保护层)的三层结构、非结晶ITO(基底层)/AgPdCu(金属层)/非结晶ITO(导电性氧化物保护层)的三层结构、CuNi/非结晶ITO(导电性氧化物保护层)的双层结构、比较例1的CuNi单层、比较例2～比较例4的ITO单层膜。

在表1中，示出了各层的膜厚、电桥配线的宽度尺寸(图2(a)中示出的Y1-Y2方向的长度)及电桥配线的长度尺寸(图2(a)所示的X1-X2方向的长度)。需要说明的是，关于表1所示的透过率、反射率，在加工成电桥配线的形状之前，在整体形成于基材表面的状态(全面膜状态)下进行了测定。

【表1】

表1

虽然为表1所示的不可见等级，但×是以比较例2的ITO单层膜为基准的。需要说明的是，在比较例2中，发现到了由非结晶ITO构成的电桥配线。○为倾斜时电桥配线总数的10％以下可发现的状态，◎为即便倾斜也无法发现电桥配线的状态。

另外，关于电桥配线的片电阻值Rs，在比60Ω/□大时为×，在60Ω/□以下时为○。

另外，作为加速试验，关于温度为85℃、湿度为85％RH的环境试验中的电阻变化，变化率为±100％以上或者断线时为×，变化率在±30％以上且小于±100％时为△，变化率小于±30％时为○。

另外，关于在85℃下干燥气氛的环境试验中的密接性，如果有断线则为×，如果无断线则为○。

另外，关于ESD(Electro-StaticDischarge)试验(静电破坏电压试验)，1kV以上且2kV以下为△，比2kV大且小于4kV为○，4kV以上为◎。

如表1所示，在比较例1中，在温度为85℃、湿度为85％的环境试验中发现较高的电阻上升，另外，ESD特性(静电破坏电压)较低至1.5kV以下。

另外，在比较例2中，不可见性较差，进而，关于温度为85℃、湿度为85％的环境试验及ESD特性(静电破坏电压)，也无法获得良好的结果。

另外，在比较例3及比较例4中，片电阻非常变高，另外，关于ESD特性(静电破坏电压)，也无法获得良好的结果。

在表1所示的比较例1～比较例4中，不可见特性、片电阻值Rs、环境试验中的某一者为×，因而综合评价也为×。

与其相对，在实施例1～3中，在片电阻值Rs、不可见特性、环境试验中的任一者均为○以上。另外，在实施例1～3中，能够获得良好的ESD特性(静电破坏电压)。

另外，如实施例4那样，通过将电桥配线形成为CuNi/非结晶ITO，与形成为CuNi单层(比较例1)相比，能够抑制反射率，其结果是，能够增大透过率/反射率之比，从而能够获得良好的不可见特性。另外，能够实现电桥配线的低电阻化。

不过，如表1所示那样，实施例4没有如比较例那样×的评价，但与实施例1～3相比成为稍稍次之的结果。

从表1的实验结果可知，将电桥配线形成为非结晶ITO/金属层(Cu、Cu合金或者Ag合金)/非结晶ITO的实施例1～3在片电阻值Rs、不可见特性、环境试验及ESD特性(静电破坏电压)的任一者中，也可获得良好的结果，因而综合评价成为○或◎。

在此，电桥配线的金属层由Cu形成的实施例1与金属层由CuNi合金形成的实施例2或由AgPdCu合金形成的实施例3相比，反射率较低，即便使金属层的膜厚变厚，也能够获得较高的不可见性，故对于静电破坏耐受性的提高是有利的。

Claims

1.一种输入装置，其特征在于，

所述输入装置具有：透明基材；形成在所述透明基材的第一面上的多个透明电极；将所述透明电极之间电连接的电桥配线；形成在所述透明基材与所述电桥配线之间的绝缘层，

所述绝缘层由酚醛清漆树脂形成，

所述电桥配线具备层叠结构，该层叠结构包括：从所述绝缘层的表面到所述第二透明电极的表面相接地形成的由非结晶ITO构成的基底层；仅形成在所述基底层的表面上且不与所述第二透明电极接触的CuNi层；仅形成在所述CuNi层的表面上的由非结晶ITO构成的导电性氧化物保护层，

在所述电桥配线中，仅所述基底层与所述第二透明电极的表面接触，

在所述CuNi层中，Cu为85～75wt％，Ni为15～25wt％，将Cu与Ni的各组成比相加为100wt％。

2.如权利要求1所述的输入装置，其中，

所述电桥配线具备3.5kV以上的ESD特性。

3.如权利要求1或2所述的输入装置，其中，

所述电桥配线的片电阻值Rs为55Ω/□以下。

4.如权利要求1或2所述的输入装置，其中，

所述CuNi层的膜厚为6～10nm。

5.如权利要求1或2所述的输入装置，其中，

所述电桥配线通过在各第一透明电极与第二透明电极的表面、所述绝缘层的表面及所述透明基材的表面上层叠所述基底层、所述CuNi层及所述导电性氧化物保护层之后，采用光刻技术从所述绝缘层的表面到所述第二透明电极的表面残留为细长的形状而成。

6.如权利要求1或2所述的输入装置，其中，

对所述绝缘层实施了漂白。

7.如权利要求5所述的输入装置，其中，

对所述绝缘层实施了漂白。

8.如权利要求1或2所述的输入装置，其中，

所述电桥配线的表面与光学透明粘合层相接。

9.如权利要求8所述的输入装置，其中，

所述透明基材的第一面侧与表面为操作面的面板之间通过所述光学透明粘合层来接合。

10.一种输入装置，其特征在于，

所述绝缘层由酚醛清漆树脂形成，

所述电桥配线具备层叠结构，该层叠结构包括：从所述绝缘层的表面到所述第二透明电极的表面相接地形成的由非结晶ITO构成的基底层；仅形成在所述基底层的表面上且不与所述第二透明电极接触的AgPdCu层；仅形成在所述AgPdCu层的表面上的由非结晶ITO构成的导电性氧化物保护层，

在所述AgPdCu层中，Ag为98wt％，Pd为1～1.5wt％，Cu为0.5～1wt％，将Ag、Pd及Cu的各组成比相加为100wt％。

11.如权利要求10所述的输入装置，其中，

所述电桥配线具备3.5kV以上的ESD特性。

12.如权利要求10或11所述的输入装置，其中，

所述电桥配线的片电阻值Rs为55Ω/□以下。

13.如权利要求10或11所述的输入装置，其中，

所述AgPdCu层的膜厚为6～10nm。

14.如权利要求10或11所述的输入装置，其中，

所述电桥配线通过在各第一透明电极与第二透明电极的表面、所述绝缘层的表面及所述透明基材的表面上层叠所述基底层、所述AgPdCu层及所述导电性氧化物保护层之后，采用光刻技术从所述绝缘层的表面到所述第二透明电极的表面残留为细长的形状而成。

15.如权利要求10或11所述的输入装置，其中，

对所述绝缘层实施了漂白。

16.如权利要求14所述的输入装置，其中，

对所述绝缘层实施了漂白。

17.如权利要求10或11所述的输入装置，其中，

所述电桥配线的表面与光学透明粘合层相接。

18.如权利要求17所述的输入装置，其中，