JP6735850B2 - 静電容量式センサおよび機器 - Google Patents

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    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material

Description

本発明は、静電容量式センサに関し、特に導電性ナノワイヤを含む透明電極が設けられた静電容量式センサおよびこの静電容量式センサを備える機器に関する。
特許文献１には、透明ガラス基板上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）層のＸ電極およびＹ電極が形成された指タッチ式検出パネルが開示されている。特許文献１に記載された指タッチ式検出パネルには、Ｘ電極およびＹ電極が互いにクロスする部分が設けられている。Ｙ電極は、開孔部を介して導電体膜により電気的に接続されている。このように、基板上においてＸ電極およびＹ電極を互いにクロスさせ、Ｙ電極を電気的に接続するブリッジ配線部を設けることで、検出パネルを薄型化することができる。
ここで、市場の動向として、静電容量式センサの形状を曲面にしたり、あるいは静電容量式センサを折り曲げ可能にしたりすることが望まれている。そのために、静電容量式センサの透明電極の材料として、例えば金ナノワイヤ、銀ナノワイヤおよび銅ナノワイヤなどの導電性ナノワイヤを含む材料が用いられることがある。
特開昭５８−１６６４３７号公報
しかし、透明電極の材料に導電性ナノワイヤを含む材料を用いると、透明電極と、電極の交差部分に設けられたブリッジ配線部との接触面積が比較的狭くなるという問題がある。すなわち、導電性ナノワイヤは、透明電極の表面に露出した導電性ワイヤによって導電性および透明性を確保している。そのため、ブリッジ配線部の材料が導電性ナノワイヤを含む材料である場合には、透明電極とブリッジ配線部との接触は、ワイヤとワイヤとの接触になる。あるいは、ブリッジ配線部の材料が例えばＩＴＯなどの酸化物系材料である場合には、透明電極とブリッジ配線部との接触は、ワイヤと面との接触になる。これにより、透明電極の材料に導電性ナノワイヤを含む材料を用いると、透明電極と、ブリッジ配線部と、の接触面積が比較的狭くなる。
すると、導通安定性が低下するおそれがある。また、静電気放電（ＥＳＤ；Electro Static Discharge）が発生した場合、大電流が透明電極とブリッジ配線部との接触部分に流れると、その接触部分が局所的に発熱して溶断するおそれがある。つまり、透明電極の材料に導電性ナノワイヤを含む材料を用いると、静電容量式センサの変形性能が向上する一方で、導通安定性およびＥＳＤ耐性が低下するおそれがある。また、ブリッジ配線部の材料に結晶性の酸化物系材料や金属系材料を用いると、折り曲げ時の抵抗が上昇したり、ブリッジ配線部が断線したりするおそれがある。
このような問題に対して、ブリッジ配線部のサイズを大きくすることにより、透明電極と、ブリッジ配線部と、の接触面積を広くすることが考えられる。しかし、ブリッジ配線部のサイズを大きくすると、ブリッジ配線部が視認されやすくなるという問題がある。
本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、ブリッジ配線部の不可視性を確保しつつ導通安定性に優れる静電容量式センサ、およびこの静電容量式センサを備える機器を提供することを目的とする。
本発明の静電容量式センサは、一態様において、透光性を有する基材と、前記基材の一方の主面の検出領域において第１の方向に沿って並んで配置され、透光性を有する複数の第１の透明電極と、前記検出領域において前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って並んで配置され、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む複数の第２の透明電極と、前記第１の透明電極に一体として設けられ、隣り合う２つの前記第１の透明電極を互いに電気的に接続する連結部と、前記第２の透明電極とは別体として前記連結部に交差する部分に設けられ、隣り合う２つの前記第２の透明電極を互いに電気的に接続するブリッジ配線部とを備え、前記ブリッジ配線部は、前記隣り合う２つの第２の透明電極のそれぞれに接する２つの接触部分と、前記接触部分に連設され前記隣り合う２つの第２の透明電極から離間するブリッジ部分とからなり、前記接触部分は積層構造を有し、前記第２の透明電極に接する部分を有する層が亜鉛酸化物系材料からなり、前記ブリッジ部分における前記基材に対して遠位側に位置する面は、アモルファス酸化物系材料からなることを特徴とする静電容量式センサを提供する。
亜鉛酸化物系材料からなる層はアモルファス酸化物系材料からなる層に比べて、導電性ナノワイヤを含む第２の透明電極との接触抵抗が低くなる傾向がある。その一方で、亜鉛酸化物系材料からなる層はアモルファス酸化物系材料からなる層に比べて視認されやすい。そこで、上記のように、ブリッジ配線部について亜鉛酸化物系材料からなる層により第２の透明電極と接触するようにしてブリッジ配線部と第２の透明電極との接触抵抗を低くするとともに、ブリッジ配線部における視認される側の面をアモルファス酸化物系材料からなるものとしてブリッジ配線部の不可視性を高めることにより、ブリッジ配線部の不可視性を確保しつつ導通安定性に優れる静電容量式センサを得ることができる。
前記接触部分における前記第２の透明電極に最遠位な層は、アモルファス酸化物系材料からなることが好ましい。
前記ブリッジ部分は前記アモルファス酸化物系材料からなる構成であってもよい。
前記ブリッジ部分は積層構造を有し、前記第２の透明電極に最近位な層から連設される亜鉛酸化物系材料からなる層が、前記アモルファス酸化物系材料からなる層よりも前記基材に対して近位に配置されてもよい。
前記亜鉛酸化物系材料は、酸化亜鉛およびインジウム酸化亜鉛の少なくとも一方を含んでいてもよい。前記導電性ナノワイヤは、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、および銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも１つであってもよい。前記アモルファス酸化物系材料は、アモルファスＩＴＯ、アモルファスＧＺＯ、アモルファスＡＺＯ、およびアモルファスＦＴＯよりなる群から選択された少なくとも１つであってもよい。
本発明は、他の一態様として、上記の静電容量式センサを備える機器を提供する。
本発明によれば、ブリッジ配線部の不可視性を確保しつつ導通安定性に優れる静電容量式センサ、およびこの静電容量式センサを備える機器を提供することが可能になる。
本実施形態に係る静電容量式センサを表す平面図である。 図１に表した領域Ａ１を拡大した平面図である。 図２に表した切断面Ｃ１−Ｃ１における断面図である。 図２に表した切断面Ｃ２−Ｃ２における断面図である。 本実施形態の変形例に係る静電容量式センサの部分断面図であり、図３に対応した図である。 （ａ）および（ｂ）は適用例について示す模式図である。 （ａ）および（ｂ）は適用例について示す模式図である。 ケルビンパターンを模式的に例示する平面図である。 接触部分Ｐ１の接触面積と電気抵抗値Ｒｃとの関係を示すグラフである。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本実施形態に係る静電容量式センサを表す平面図である。
図２は、図１に表した領域Ａ１を拡大した平面図である。
図３は、図２に表した切断面Ｃ１−Ｃ１における断面図である。
図４は、図２に表した切断面Ｃ２−Ｃ２における断面図である。
なお、透明電極は透明なので本来は視認できないが、図１および図２では理解を容易にするため透明電極の外形を示している。
本願明細書において「透明」および「透光性」とは、可視光線透過率が５０％以上（好ましくは８０％以上）の状態を指す。更に、ヘイズ値が６％以下であることが好適である。本願明細書において「遮光」および「遮光性」とは、可視光線透過率が５０％未満（好ましくは２０％未満）の状態を指す。
図１〜図４に表したように、本実施形態に係る静電容量式センサ１は、基材２と、第１の透明電極４と、第２の透明電極５と、連結部７と、ブリッジ配線部１０と、保護層３と、を備える。基材２と保護層３との間には、光学透明粘着層３０が設けられている。基材２とブリッジ配線部１０との間には、絶縁層２０が設けられている。図３に表したように、ブリッジ配線部１０が設けられた部分においては、光学透明粘着層３０は、ブリッジ配線部１０と保護層３との間に設けられている。
基材２は、透光性を有し、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフィルム状の透明基材やガラス基材等で形成される。基材２の一方の主面２ａには、第１の透明電極４および第２の透明電極５が設けられている。この詳細については、後述する。図３に表したように、保護層３は、ブリッジ配線部１０からみて基材とは反対側に設けられ、透光性を有する。保護層３の材料に例として、例えばポリカーボネート基材など透光性を有するプラスチック基材が挙げられる。保護層３は、基材２と保護層３との間に設けられた光学透明粘着層（ＯＣＡ；Optical Clear Adhesive）３０を介して基材２と接合されている。光学透明粘着層（ＯＣＡ）３０は、アクリル系粘着剤を含有する粘着層や両面粘着テープ等からなる。
図１に表したように、静電容量式センサ１は、保護層３側の面の法線に沿った方向（Ｚ１−Ｚ２方向）からみて、検出領域１１と非検出領域２５とからなる。検出領域１１は、指などの操作体により操作を行うことができる領域であり、非検出領域２５は、検出領域１１の外周側に位置する額縁状の領域である。非検出領域２５は、図示しない加飾層によって遮光され、静電容量式センサ１における保護層３側の面から基材２側の面への光（外光が例示される。）および基材２側の面から保護層３側の面への光（静電容量式センサ１と組み合わせて使用される表示装置のバックライトからの光が例示される。）は、非検出領域２５を透過しにくくなっている。
図１に表したように、基材２の一方の主面２ａには、第１の電極連結体８と、第２の電極連結体１２と、が設けられている。第１の電極連結体８は、検出領域１１に配置され、複数の第１の透明電極４を有する。図３および図４に示すように、複数の第１の透明電極４は、基材２におけるＺ１−Ｚ２方向に沿った方向を法線とする主面のうちＺ１側に位置する主面（以下、「おもて面」と略記する場合がある。）２ａに設けられている。各第１の透明電極４は、細長い連結部７を介してＹ１−Ｙ２方向（第１の方向）に連結されている。そして、Ｙ１−Ｙ２方向に連結された複数の第１の透明電極４を有する第１の電極連結体８が、Ｘ１−Ｘ２方向に間隔を空けて配列されている。連結部７は、第１の透明電極４に一体として形成されている。連結部７は、隣り合う２つの第１の透明電極４を互いに電気的に接続している。
第１の透明電極４および連結部７は、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む材料により形成される。導電性ナノワイヤとしては、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、および銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも１つが用いられる。導電性ナノワイヤを含む材料を用いることで、第１の透明電極４の高い透光性とともに低電気抵抗化を図ることができる。また、導電性ナノワイヤを含む材料を用いることで、静電容量式センサ１の変形性能を向上させることができる。
導電性ナノワイヤを含む材料は、導電性ナノワイヤと、透明な樹脂層と、を有する。導電性ナノワイヤは、樹脂層の中において分散されている。導電性ナノワイヤの分散性は、樹脂層により確保されている。透明な樹脂層の材料の例として、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、およびポリウレタン樹脂が挙げられる。複数の導電性ナノワイヤが少なくとも一部において互いに接触することにより、導電性ナノワイヤを含む材料の面内における導電性が保たれている。
第２の電極連結体１２は、検出領域１１に配置され、複数の第２の透明電極５を有する。図３および図４に示すように、複数の第２の透明電極５は、基材２のおもて面２ａに設けられている。このように、第２の透明電極５は、第１の透明電極４と同じ面（基材２のおもて面２ａ）に設けられている。各第２の透明電極５は、細長いブリッジ配線部１０を介してＸ１−Ｘ２方向（第２の方向）に連結されている。そして、Ｘ１−Ｘ２方向に連結された複数の第２の透明電極５を有する第２の電極連結体１２が、Ｙ１−Ｙ２方向に間隔を空けて配列されている。ブリッジ配線部１０は、第２の透明電極５とは別体として形成されている。なお、Ｘ１−Ｘ２方向は、Ｙ１−Ｙ２方向と交差している。例えば、Ｘ１−Ｘ２方向は、Ｙ１−Ｙ２方向と垂直に交わっている。
第２の透明電極５は、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む材料により形成される。導電性ナノワイヤは、第１の透明電極４の材料に関して前述した通りである。
図３に示されるように、ブリッジ配線部１０は、隣り合う２つの第２の透明電極５，５のそれぞれに接する２つの接触部分１０Ａ１，１０Ａ２と、これらの接触部分１０Ａ１，１０Ａ２に連設され隣り合う２つの第２の透明電極５，５から離間するブリッジ部分１０Ｂとからなる。
接触部分１０Ａ１，１０Ａ２は積層構造を有する。すなわち、少なくとも、第２の透明電極５に接する層と、この層とは異なる層が、第２の透明電極５に対して遠位側に位置する。図３に示される構造では、ブリッジ配線部１０は、その全体が、第２の透明電極５に接する部分を備える層（第１層）１０１と、第１層１０１よりも遠位に位置する第２層１０２とからなる。
第１層１０１は亜鉛酸化物系材料からなる。理由は定かでないが、亜鉛酸化物系材料からなる層は導電性ナノワイヤを含む第２の透明電極５との接触抵抗が低くなる傾向がある。特に、高温硬質（例えば８５℃、相対湿度８５％）の環境下に長時間（例えば１００時間）置かれる試験（８５８５試験）を経た後でも接触抵抗が高まりにくい。具体的には、透明導電材料として一般的なインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）に比べると、亜鉛酸化物系材料からなる層は、８５８５試験後の導電性ナノワイヤを含む第２の透明電極５との接触抵抗が低い。このため、第２の透明電極５に接する部分を備える層（第１層）１０１を構成する材料として亜鉛酸化物系材料を用いることにより、隣り合う２つの第２の透明電極５，５間の抵抗を低下させることができる。亜鉛酸化物系材料は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）およびインジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）の少なくとも一方を含んでいてもよく、酸化亜鉛（ＺｎＯ）またはインジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）から構成されていてもよい。
ブリッジ配線部１０における基材２に対して遠位側に位置する面（遠位側面）１０ａは、アモルファス酸化物系材料からなる。図３に示される構造では、遠位側面１０ａは第２層１０２の面である。したがって、第２層１０２はアモルファス酸化物系材料からなる。アモルファス酸化物系材料は、亜鉛酸化物系材料に比べて視認されにくい。このため、遠位側面１０ａがアモルファス酸化物系材料からなることにより、ブリッジ配線部１０の視認性を低下させることができる。アモルファス酸化物系材料の具体例として、アモルファスＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、アモルファスＧＺＯ（Gallium-doped Zinc Oxide）、アモルファスＡＺＯ（Aluminum-doped Zinc Oxide）およびアモルファスＦＴＯ（Fluorine-doped Zinc Oxide）が挙げられる。
図５は、本実施形態の変形例に係る静電容量式センサの部分断面図であり、図３に対応した図である。図５に示すように、本変形例に係る静電容量式センサでは、ブリッジ配線部１０は、接触部分１０Ａ１，１０Ａ２においては第１層１０１ａ，１０１ｂと第２層１０２との積層構造となっているが、ブリッジ部分１０Ｂにおいては第２層１０２の単層構造となっている。亜鉛酸化物系材料からなる第１層１０１ａ，１０１ｂは第２の透明電極５との接触抵抗を低下させることができるため接触部分１０Ａ１，１０Ａ２に存在していることが好ましいが、アモルファス酸化物系材料からなる第２層１０２に比べると視認されやすい。このため、亜鉛酸化物系材料からなる層がブリッジ部分１０Ｂに位置している必然性はなく、ブリッジ部分１０Ｂには相対的に視認されにくいアモルファス酸化物系材料からなる第２層１０２が位置していればよい。
ブリッジ配線部１０は亜鉛酸化物系材料からなる第１層１０１（１０１ａ，１０１ｂ）およびアモルファス酸化物系材料からなる第２層１０２以外の層を有していてもよい。そのような層として、第１層１０１（１０１ａ，１０１ｂ）や第２層１０２よりも低抵抗で透明な金属からなる層が例示される。
図２〜図４に示すように、各第１の透明電極４間を連結する連結部７の表面には、絶縁層２０が設けられている。図３に示すように、絶縁層２０は、連結部７と第２の透明電極５との間の空間を埋め、第２の透明電極５の表面にも多少乗り上げている。絶縁層２０としては、例えばノボラック樹脂（レジスト）が用いられる。
図３および図４に示すように、ブリッジ配線部１０は、絶縁層２０の表面２０ａから絶縁層２０のＸ１−Ｘ２方向の両側に位置する各第２の透明電極５の表面にかけて設けられている。ブリッジ配線部１０は、隣り合う２つの第２の透明電極５を互いに電気的に接続している。
図３および図４に示すように、各第１の透明電極４間を接続する連結部７の表面には絶縁層２０が設けられており、絶縁層２０の表面に各第２の透明電極５間を接続するブリッジ配線部１０が設けられている。このように、連結部７とブリッジ配線部１０との間には絶縁層２０が介在し、第１の透明電極４と第２の透明電極５とは電気的に絶縁された状態となっている。本実施形態では、第１の透明電極４と第２の透明電極５とが同じ面（基材２のおもて面２ａ）に設けられているため、静電容量式センサ１の薄型化を実現できる。
なお、図２〜図４に表した連結部７は、第１の透明電極４に一体として形成され、Ｙ１−Ｙ２方向に延びている。また、図２〜図４に表したブリッジ配線部１０は、連結部７を覆う絶縁層２０の表面２０ａに第２の透明電極５とは別体として形成され、Ｘ１−Ｘ２方向に延びている。但し、連結部７およびブリッジ配線部１０の配置形態は、これだけには限定されない。例えば、連結部７は、第１の透明電極４に一体として形成され、Ｘ１−Ｘ２方向に延びていてもよい。この場合には、連結部７は、隣り合う２つの第２の透明電極５を互いに電気的に接続する。ブリッジ配線部１０は、連結部７を覆う絶縁層２０の表面２０ａに第１の透明電極４とは別体として形成され、Ｙ１−Ｙ２方向に延びていてもよい。この場合には、ブリッジ配線部１０は、隣り合う２つの第１の透明電極４を互いに電気的に接続する。本実施形態に係る静電容量式センサ１の説明では、ブリッジ配線部１０が、連結部７を覆う絶縁層２０の表面２０ａに第２の透明電極５とは別体として形成され、Ｘ１−Ｘ２方向に延びた場合を例に挙げる。
図１に示すように、非検出領域２５には、各第１の電極連結体８および各第２の電極連結体１２から引き出された複数本の配線部６が形成されている。第１の電極連結体８および第２の電極連結体１２のそれぞれは、接続配線１６を介して配線部６と電気的に接続されている。各配線部６は、図示しないフレキシブルプリント基板と電気的に接続される外部接続部２７に接続されている。すなわち、各配線部６は、第１の電極連結体８および第２の電極連結体１２と、外部接続部２７と、を電気的に接続している。外部接続部２７は、例えば導電ペーストを介して、図示しないフレキシブルプリント基板と電気的に接続されている。
各配線部６は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＣｕＮｉ合金、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等の金属を有する材料により形成される。接続配線１６は、ＩＴＯ等の透明導電性材料で形成され、検出領域１１から非検出領域２５に延出している。配線部６は、接続配線１６の上に非検出領域２５内で積層され、接続配線１６と電気的に接続されている。
配線部６は、基材２のおもて面２ａにおける非検出領域２５に位置する部分に設けられている。外部接続部２７も、配線部６と同様に、基材２のおもて面２ａにおける非検出領域２５に位置する部分に設けられている。
図１では、理解を容易にするために配線部６や外部接続部２７が視認されるように表示しているが、実際には、非検出領域２５に位置する部分には、遮光性を有する加飾層（図示せず）が設けられている。このため、静電容量式センサ１を保護層３側の面からみると、配線部６および外部接続部２７は加飾層によって隠蔽され、視認されない。加飾層を構成する材料は、遮光性を有する限り任意である。加飾層は絶縁性を有していてもよい。
本実施形態に係る静電容量式センサ１では、図３に示すように例えば保護層３の面３ａ上に操作体の一例として指を接触させると、指と指に近い第１の透明電極４との間、および指と指に近い第２の透明電極５との間で静電容量が生じる。静電容量式センサ１は、このときの静電容量変化に基づいて、指の接触位置を算出することが可能である。静電容量式センサ１は、指と第１の電極連結体８との間の静電容量変化に基づいて指の位置のＸ座標を検知し、指と第２の電極連結体１２との間の静電容量変化に基づいて指の位置のＹ座標を検知する（自己容量検出型）。
あるいは、静電容量式センサ１は、相互容量検出型であってもよい。すなわち、静電容量式センサ１は、第１の電極連結体８および第２の電極連結体１２のいずれか一方の電極の一列に駆動電圧を印加し、第１の電極連結体８および第２の電極連結体１２のいずれか他方の電極と指との間の静電容量の変化を検知してもよい。これにより、静電容量式センサ１は、他方の電極により指の位置のＹ座標を検知し、一方の電極により指の位置のＸ座標を検知する。
次に、本実施形態に係る静電容量式センサ１の適用例について説明する。図６（ａ）〜図７（ｂ）は適用例について示す模式図である。
図６（ａ）には静電容量式センサ１をタッチパネル２００に適用した例が表される。タッチパネル２００は、表示パネル２１０と、この表示パネル２１０の上に設けられた静電容量式センサ１とを備える。表示パネル２１０としては、例えば液晶表示パネルが用いられる。液晶表示パネルからなる表示パネル２１０は、互いに対向配置された駆動基板２１１及び対向基板２１２を有し、駆動基板２１１と対向基板２１２との間に液晶層２１３が設けられる。タッチセンサ２２０は、対向基板２１２の表側に設けられる。
図６（ｂ）にはタッチパネル２００を備えた電子機器３００の例が表される。電子機器３００は、例えばテレビである。電子機器３００は、筐体３１０と表示部３２０とを備える。この表示部３２０の表面にタッチパネル２００が設けられる。なお、電子機器３００はテレビに限定されず、スマートフォン、携帯電話、タブレット型端末など他の機器であってもよい。このほか、冷蔵庫、洗濯機などの電気機器、自動車、船舶などの輸送機器などにも静電容量式センサ１が適用されてもよい。
図７（ａ）にはタッチパネル２００を備えたコンピュータ４００の例（ノート型コンピュータ）が表される。コンピュータ４００は、ディスプレイ４１０、キーボード４２０、入力パッド４３０などを備える。図７（ｂ）に表したように、コンピュータ４００は、中央演算部４０１、主記憶部４０２、副記憶部４０３、入力部４０４、出力部４０５及びインタフェース４０６を備える。キーボード４２０及び入力パッド４３０は入力部４０４の一例である。ディスプレイ４１０は出力部４０５の一例である。このディスプレイ４１０にタッチパネル２００が含まれる。タッチパネル２００は、入力部４０４及び出力部４０５の両方を兼ねた例である。
これらの機器に本実施形態の静電容量式センサ１を適用することで、精度よく接触位置を検出して機器に入力指示を与えることが可能になる。
以上説明したように、実施形態によれば、複数の電極層の交差部分にブリッジ配線を備えた静電容量式センサを生産性よく製造することができる静電容量式センサの製造方法、静電容量式センサ及び感光型導電性シートを提供することができる。
なお、上記に本実施の形態およびその適用例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、前述の各実施の形態またはその適用例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施の形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。例えば、上記の説明では、基材２上に設けられた第１の電極連結体８および第２の電極連結体１２を備える構造体と保護層３との間には光学透明粘着層３０が配置されているが、これに限定されない。基材２上に設けられた第１の電極連結体８および第２の電極連結体１２を備える構造体を覆うように保護層３が設けられていてもよい。このような構成は、例えば、保護層３を形成するための組成物を上記の構造体上に塗布し、この塗膜を硬化して保護層３を形成するような方法により得ることができる。
以下、実施例等により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例等に限定されるものではない。
（実施例１)
図８は、ケルビンパターンを模式的に例示する平面図である。図８に表したようなケルビンパターンを用いて、銀ナノワイヤを含む第１の試料５Ｓと酸化亜鉛からなる第２の試料１０Ｓとを互いに交差させた。第１の試料５Ｓは、第２の透明電極５に相当する。第２の試料１０Ｓは、ブリッジ配線部１０における第１層１０１（１０１ａ，１０１ｂ）に相当する。本試験では、接触部分Ｐ１のＹ１−Ｙ２方向の寸法Ｌ１１および接触部分Ｐ１のＸ１−Ｘ２方向の寸法Ｌ１２のいずれか一方を１００μｍに固定し、寸法Ｌ１１および寸法Ｌ１２のいずれか他方を変化させることで、接触部分Ｐ１の接触面積を変化させた。こうして、接触部分Ｐ１の接触面積が異なる複数のケルビンパターンを用意した。
（比較例１および２)
第２の試料１０Ｓに代えて、製法が異なる２種類のインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からなる比較用試料を用いて、実施例１と同様に接触部分Ｐ１の接触面積が異なる複数のケルビンパターンを用意した。
（測定例）８５８５信頼性試験後の電気抵抗値の測定
ケルビンパターンを温度８５℃、相対湿度８５％の環境に２４０時間放置する環境試験（８５８５信頼性試験）を行った。試験後のケルビンパターンにおける接触部分Ｐ１の電気抵抗値Ｒｃ（単位：Ω）を測定した。図９は、第１の試料５Ｓと第２の試料１０Ｓまたは比較用試料との接触部分Ｐ１の接触面積と、電気抵抗値Ｒｃと、の関係を示すグラフである。
図９に示されるように、接触面積に依らず、実施例１に係るケルビンパターンの電気抵抗値Ｒｃは、比較例１および２に係るケルビンパターンの電気抵抗値Ｒｃよりも低くなった。
１ 静電容量式センサ
２ 基材
２ａ 主面（おもて面）
３ 保護層
３ａ 面
４ 第１の透明電極
５ 第２の透明電極
５Ｓ 第１の試料
６ 配線部
７ 連結部
８ 第１の電極連結体
１０ ブリッジ配線部
１０Ａ１，１０Ａ２ 接触部分
１０Ｂ ブリッジ部分
１０１，１０１ａ，１０１ｂ 第１層
１０ａ 遠位側面
１０２ 第２層
１０Ｓ 第２の試料
１１ 検出領域
１２ 第２の電極連結体
１６ 接続配線
２０ 絶縁層
２０ａ 表面
２５ 非検出領域
２７ 外部接続部
３０ 光学透明粘着層
Ａ１ 領域
Ｃ１ 切断面
Ｃ２ 切断面
Ｌ１１ 寸法
Ｌ１２ 寸法
Ｐ１ 接触部分
２００ タッチパネル
２１０ 表示パネル
２１１ 駆動基板
２１２ 対向基板
２１３ 液晶層
２２０ タッチセンサ
３００ 電子機器
３１０ 筐体
３２０ 表示部
４００ コンピュータ
４１０ ディスプレイ
４２０ キーボード
４３０ 入力パッド
４０１ 中央演算部
４０２ 主記憶部
４０３ 副記憶部
４０４ 入力部
４０５ 出力部
４０６ インタフェース

Claims (5)

  1. 透光性を有する基材と、
    前記基材の一方の主面の検出領域において第１の方向に沿って並んで配置され、透光性を有する複数の第１の透明電極と、
    前記検出領域において前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って並んで配置され、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む複数の第２の透明電極と、
    前記第１の透明電極に一体として設けられ、隣り合う２つの前記第１の透明電極を互いに電気的に接続する連結部と、
    前記第２の透明電極とは別体として前記連結部に交差する部分に設けられ、隣り合う２つの前記第２の透明電極を互いに電気的に接続するブリッジ配線部とを備え、
    前記第２の透明電極に含まれる前記導電性ナノワイヤは銀ナノワイヤからなり、
    前記ブリッジ配線部は、
    インジウム酸化亜鉛の層とアモルファス酸化物系材料の層とからなり、
    前記隣り合う２つの第２の透明電極のそれぞれに接する２つの接触部分と、前記接触部分に連設され前記隣り合う２つの第２の透明電極から離間するブリッジ部分とからなり、
    前記接触部分は積層構造を有し、前記接触部分は前記インジウム酸化亜鉛からなる層が前記第２の透明電極に接する部分を有し、
    前記接触部分における前記第２の透明電極に最遠位な層は、前記アモルファス酸化物系材料からなり、
    前記ブリッジ部分における前記基材に対して遠位側に位置する面は、前記アモルファス酸化物系材料からな
    ること
    を特徴とする静電容量式センサ。
  2. 前記ブリッジ部分は前記アモルファス酸化物系材料からなる、請求項１に記載の静電容量式センサ。
  3. 前記ブリッジ部分は積層構造を有し、前記第２の透明電極に最近位な層から連設される亜鉛酸化物系材料からなる層が、前記アモルファス酸化物系材料からなる層よりも前記基材に対して近位に配置される、請求項１または２に記載の静電容量式センサ。
  4. 前記アモルファス酸化物系材料は、アモルファスＩＴＯ、アモルファスＧＺＯ、アモルファスＡＺＯ、およびアモルファスＦＴＯよりなる群から選択された少なくとも１つであることを特徴とする請求項１または２に記載の静電容量式センサ。
  5. 請求項１から４のいずれか一項に記載される静電容量式センサを備える機器。
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