WO2018110123A1 - 静電容量式センサおよび機器 - Google Patents

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WO2018110123A1
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transparent electrode
layer
capacitive sensor
transparent electrodes
bridge
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佐々木　真
学 矢沢
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アルプス電気株式会社
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    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material

Definitions

  • the present invention relates to a capacitance type sensor, and more particularly, to a capacitance type sensor provided with a transparent electrode including a conductive nanowire and a device including this capacitance type sensor.
  • Patent Document 1 discloses a finger touch detection panel in which an X electrode and a Y electrode of an indium tin oxide (ITO) layer are formed on a transparent glass substrate.
  • the finger touch detection panel described in Patent Document 1 includes a portion where the X electrode and the Y electrode cross each other.
  • the Y electrode is electrically connected by a conductor film through the opening. In this manner, the detection panel can be thinned by providing the bridge wiring portion that crosses the X electrode and the Y electrode and electrically connects the Y electrode on the substrate.
  • a material containing conductive nanowires such as gold nanowires, silver nanowires, and copper nanowires may be used as the transparent electrode material of the capacitive sensor.
  • the contact area between the transparent electrode and the bridge wiring portion provided at the intersection of the electrodes becomes relatively narrow. That is, the conductive nanowires ensure conductivity and transparency by the conductive wire exposed on the surface of the transparent electrode. Therefore, when the material of the bridge wiring portion is a material containing conductive nanowires, the contact between the transparent electrode and the bridge wiring portion is the contact between the wire and the wire. Alternatively, when the material of the bridge wiring portion is an oxide-based material such as ITO, the contact between the transparent electrode and the bridge wiring portion is the contact between the wire and the surface. Thus, when a material containing conductive nanowires is used as the material of the transparent electrode, the contact area between the transparent electrode and the bridge wiring portion becomes relatively narrow.
  • the conduction stability may be reduced.
  • ESD electrostatic discharge
  • the contact portion may locally generate heat and melt. That is, when a material containing conductive nanowires is used as the material for the transparent electrode, the deformation performance of the capacitive sensor is improved, while the conduction stability and ESD resistance may be reduced.
  • a crystalline oxide material or metal material is used for the material of the bridge wiring portion, there is a possibility that the resistance at the time of bending increases or the bridge wiring portion is disconnected.
  • the present invention is for solving the above-described conventional problems, and provides a capacitive sensor excellent in conduction stability while ensuring invisibility of a bridge wiring portion, and a device including the capacitive sensor.
  • the purpose is to do.
  • the capacitance type sensor of the present invention is arranged side by side along the first direction in the detection region of the one main surface of the base material having translucency, and is translucent.
  • a plurality of first transparent electrodes, and a plurality of first transparent electrodes arranged in a line along a second direction intersecting the first direction in the detection region, and having translucency and including conductive nanowires Two transparent electrodes, a connecting portion provided integrally with the first transparent electrode, and electrically connecting two adjacent first transparent electrodes to each other, and the second transparent electrode as separate bodies
  • a bridge wiring portion that is provided at a portion intersecting the connecting portion and electrically connects the two adjacent second transparent electrodes to each other, and the bridge wiring portion includes the two adjacent second transparent electrodes.
  • the capacitive sensor is characterized in that the surface of the bridge portion located on the distal side with respect to the base material of the bridge portion is made of an amorphous oxide material.
  • the layer made of a zinc oxide-based material tends to have a lower contact resistance with the second transparent electrode containing conductive nanowires than the layer made of an amorphous oxide-based material.
  • a layer made of a zinc oxide-based material is more visible than a layer made of an amorphous oxide-based material. Therefore, as described above, the bridge wiring portion is brought into contact with the second transparent electrode by the layer made of the zinc oxide-based material to reduce the contact resistance between the bridge wiring portion and the second transparent electrode, and the bridge.
  • the layer farthest from the second transparent electrode in the contact portion is preferably made of an amorphous oxide material.
  • the bridge portion may be made of the amorphous oxide material.
  • the bridge portion has a laminated structure, and the layer made of a zinc oxide material connected to the second transparent electrode from the nearest layer is more than the layer made of the amorphous oxide material. May be located proximally relative to.
  • the zinc oxide-based material may contain at least one of zinc oxide and indium zinc oxide.
  • the conductive nanowire may be at least one selected from the group consisting of a gold nanowire, a silver nanowire, and a copper nanowire.
  • the amorphous oxide material may be at least one selected from the group consisting of amorphous ITO, amorphous GZO, amorphous AZO, and amorphous FTO.
  • This invention provides the apparatus provided with said electrostatic capacitance type sensor as another one aspect
  • the present invention it is possible to provide a capacitive sensor excellent in conduction stability while ensuring invisibility of the bridge wiring portion, and a device including this capacitive sensor.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along a cutting plane C1-C1 shown in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along a cutting plane C2-C2 shown in FIG.
  • (A) And (b) is a schematic diagram shown about an application example.
  • (A) And (b) is a schematic diagram shown about an application example. It is a top view which illustrates typically a Kelvin pattern. It is a graph which shows the relationship between the contact area of the contact part P1, and the electrical resistance value Rc.
  • FIG. 1 is a plan view illustrating a capacitive sensor according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is an enlarged plan view of the area A1 shown in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the cutting plane C1-C1 shown in FIG. 4 is a cross-sectional view taken along section line C2-C2 shown in FIG.
  • the transparent electrode is transparent and cannot be visually recognized, FIGS. 1 and 2 show the outer shape of the transparent electrode for easy understanding.
  • transparent and “translucent” refer to a state where the visible light transmittance is 50% or more (preferably 80% or more). Furthermore, the haze value is preferably 6% or less. In the present specification, “light shielding” and “light shielding” refer to a state where the visible light transmittance is less than 50% (preferably less than 20%).
  • the capacitive sensor 1 includes a base material 2, a first transparent electrode 4, a second transparent electrode 5, a connecting portion 7, The bridge wiring part 10 and the protective layer 3 are provided. Between the base material 2 and the protective layer 3, an optical transparent adhesive layer 30 is provided. An insulating layer 20 is provided between the base material 2 and the bridge wiring portion 10. As shown in FIG. 3, in the portion where the bridge wiring portion 10 is provided, the optical transparent adhesive layer 30 is provided between the bridge wiring portion 10 and the protective layer 3.
  • the base material 2 has translucency and is formed of a film-like transparent base material such as polyethylene terephthalate (PET), a glass base material, or the like.
  • a first transparent electrode 4 and a second transparent electrode 5 are provided on one main surface 2 a of the substrate 2. Details of this will be described later.
  • the protective layer 3 is provided on the side opposite to the base material when viewed from the bridge wiring portion 10 and has translucency. Examples of the material of the protective layer 3 include a plastic substrate having translucency such as a polycarbonate substrate.
  • the protective layer 3 is joined to the base material 2 via an optically transparent adhesive layer (OCA) 30 provided between the base material 2 and the protective layer 3.
  • the optical transparent adhesive layer (OCA) 30 is composed of an adhesive layer containing an acrylic adhesive, a double-sided adhesive tape, and the like.
  • the capacitive sensor 1 includes a detection region 11 and a non-detection region 25 when viewed from the direction along the normal of the surface on the protective layer 3 side (Z1-Z2 direction).
  • the detection area 11 is an area where an operation body such as a finger can be operated
  • the non-detection area 25 is a frame-shaped area located on the outer peripheral side of the detection area 11.
  • the non-detection region 25 is shielded by a decorative layer (not shown), and light (external light is exemplified) from the surface on the protective layer 3 side to the surface on the base material 2 side in the electrostatic capacitance sensor 1 and the base material.
  • Light from the surface on the second side to the surface on the protective layer 3 side passes through the non-detection region 25. It has become difficult.
  • a first electrode connector 8 and a second electrode connector 12 are provided on one main surface 2 a of the substrate 2.
  • the first electrode assembly 8 is disposed in the detection region 11 and has a plurality of first transparent electrodes 4.
  • the plurality of first transparent electrodes 4 are principal surfaces (hereinafter referred to as Z1 side) located on the Z1 side of the principal surfaces having a direction along the Z1-Z2 direction in the substrate 2 as a normal line. , May be abbreviated as “front surface.”) Provided in 2a.
  • Each first transparent electrode 4 is connected in the Y1-Y2 direction (first direction) via an elongated connecting portion 7.
  • first electrode assemblies 8 having a plurality of first transparent electrodes 4 coupled in the Y1-Y2 direction are arranged at intervals in the X1-X2 direction.
  • the connecting portion 7 is formed integrally with the first transparent electrode 4. The connecting portion 7 electrically connects two adjacent first transparent electrodes 4 to each other.
  • the first transparent electrode 4 and the connecting portion 7 are translucent and are made of a material containing conductive nanowires.
  • the conductive nanowire at least one selected from the group consisting of gold nanowire, silver nanowire, and copper nanowire is used.
  • the first transparent electrode 4 can have high translucency and low electrical resistance.
  • transformation performance of the electrostatic capacitance type sensor 1 can be improved by using the material containing electroconductive nanowire.
  • the material containing conductive nanowires has conductive nanowires and a transparent resin layer. Conductive nanowires are dispersed in the resin layer. The dispersibility of the conductive nanowire is ensured by the resin layer. Examples of the material for the transparent resin layer include polyester resin, acrylic resin, and polyurethane resin. The plurality of conductive nanowires are in contact with each other at least in part, so that the conductivity in the plane of the material including the conductive nanowires is maintained.
  • the second electrode assembly 12 is arranged in the detection region 11 and has a plurality of second transparent electrodes 5. As shown in FIGS. 3 and 4, the plurality of second transparent electrodes 5 are provided on the front surface 2 a of the substrate 2. Thus, the 2nd transparent electrode 5 is provided in the same surface (front surface 2a of the base material 2) as the 1st transparent electrode 4. FIG. Each second transparent electrode 5 is connected to the X1-X2 direction (second direction) via the elongated bridge wiring portion 10. Then, second electrode assemblies 12 having a plurality of second transparent electrodes 5 coupled in the X1-X2 direction are arranged at intervals in the Y1-Y2 direction.
  • the bridge wiring portion 10 is formed as a separate body from the second transparent electrode 5. Note that the X1-X2 direction intersects the Y1-Y2 direction. For example, the X1-X2 direction intersects the Y1-Y2 direction perpendicularly.
  • the second transparent electrode 5 has translucency and is formed of a material including conductive nanowires.
  • the conductive nanowire is as described above regarding the material of the first transparent electrode 4.
  • the bridge wiring portion 10 is connected to two contact portions 10 ⁇ / b> A ⁇ b> 1 and 10 ⁇ / b> A ⁇ b> 2 that are in contact with two adjacent second transparent electrodes 5 and 5, and these contact portions 10 ⁇ / b> A ⁇ b> 1 and 10 ⁇ / b> A ⁇ b> 2.
  • the bridge portion 10 ⁇ / b> B is spaced apart from two adjacent second transparent electrodes 5 and 5.
  • Contact portions 10A1 and 10A2 have a laminated structure. That is, at least a layer in contact with the second transparent electrode 5 and a layer different from this layer are located on the distal side with respect to the second transparent electrode 5.
  • the bridge wiring portion 10 is entirely composed of a layer (first layer) 101 having a portion in contact with the second transparent electrode 5 and a first layer 101 located distal to the first layer 101. It consists of two layers 102.
  • the first layer 101 is made of a zinc oxide material.
  • the layer made of a zinc oxide-based material tends to have a low contact resistance with the second transparent electrode 5 containing conductive nanowires.
  • contact resistance hardly increases even after a test (8585 test) that is placed in a high-temperature hard environment (for example, 85 ° C. and a relative humidity of 85%) for a long time (for example, 100 hours).
  • a layer made of a zinc oxide-based material is connected to the second transparent electrode 5 including a conductive nanowire after the 8585 test. Low contact resistance.
  • the zinc oxide-based material may contain at least one of zinc oxide (ZnO) and indium zinc oxide (IZO), and may be composed of zinc oxide (ZnO) or indium zinc oxide (IZO).
  • the surface (distal side surface) 10a located on the distal side with respect to the base material 2 in the bridge wiring portion 10 is made of an amorphous oxide material.
  • the distal side surface 10 a is the surface of the second layer 102. Therefore, the second layer 102 is made of an amorphous oxide material. Amorphous oxide materials are less visible than zinc oxide materials. For this reason, the visibility of the bridge
  • amorphous oxide materials include amorphous ITO (Indium (Tin Oxide), amorphous GZO (Gallium-doped Zinc Oxide), amorphous AZO (Aluminum-doped Zinc Oxide), and amorphous FTO (Fluorine-doped Zinc Oxide).
  • FIG. 5 is a partial cross-sectional view of a capacitive sensor according to a modification of the present embodiment, and corresponds to FIG.
  • the bridge wiring portion 10 has a laminated structure of the first layers 101a and 101b and the second layer 102 in the contact portions 10A1 and 10A2.
  • the bridge portion 10B has a single-layer structure of the second layer 102.
  • the first layers 101a and 101b made of a zinc oxide-based material are preferably present in the contact portions 10A1 and 10A2 because the contact resistance with the second transparent electrode 5 can be lowered.
  • the layer made of the zinc oxide-based material is not necessarily located in the bridge portion 10B, and the second layer 102 made of the amorphous oxide-based material that is relatively difficult to visually recognize is located in the bridge portion 10B. Just do it.
  • the bridge wiring portion 10 may have a layer other than the first layer 101 (101a, 101b) made of a zinc oxide-based material and the second layer 102 made of an amorphous oxide-based material.
  • a layer made of a transparent metal having lower resistance than the first layer 101 (101a, 101b) and the second layer 102 is exemplified.
  • an insulating layer 20 is provided on the surface of the connecting portion 7 that connects the first transparent electrodes 4 to each other. As shown in FIG. 3, the insulating layer 20 fills the space between the connecting portion 7 and the second transparent electrode 5, and slightly rides on the surface of the second transparent electrode 5. As the insulating layer 20, for example, a novolac resin (resist) is used.
  • the bridge wiring portion 10 is provided from the surface 20a of the insulating layer 20 to the surface of each second transparent electrode 5 located on both sides of the insulating layer 20 in the X1-X2 direction. .
  • the bridge wiring portion 10 electrically connects two adjacent second transparent electrodes 5 to each other.
  • an insulating layer 20 is provided on the surface of the connecting portion 7 that connects the first transparent electrodes 4, and each second transparent electrode 5 is provided on the surface of the insulating layer 20.
  • a bridge wiring portion 10 is provided to connect the two.
  • the insulating layer 20 is interposed between the connecting portion 7 and the bridge wiring portion 10, and the first transparent electrode 4 and the second transparent electrode 5 are electrically insulated. .
  • the capacitive sensor 1 can be thinned. realizable.
  • the connecting portion 7 shown in FIGS. 2 to 4 is formed integrally with the first transparent electrode 4 and extends in the Y1-Y2 direction. 2 to 4 are formed separately from the second transparent electrode 5 on the surface 20a of the insulating layer 20 covering the connecting portion 7, and extend in the X1-X2 direction. .
  • the arrangement form of the connecting portion 7 and the bridge wiring portion 10 is not limited to this.
  • the connecting portion 7 may be formed integrally with the first transparent electrode 4 and extend in the X1-X2 direction. In this case, the connecting portion 7 electrically connects two adjacent second transparent electrodes 5 to each other.
  • the bridge wiring portion 10 may be formed separately from the first transparent electrode 4 on the surface 20a of the insulating layer 20 that covers the connecting portion 7, and may extend in the Y1-Y2 direction. In this case, the bridge wiring part 10 electrically connects two adjacent first transparent electrodes 4 to each other.
  • the bridge wiring portion 10 is formed separately from the second transparent electrode 5 on the surface 20a of the insulating layer 20 covering the connecting portion 7, and X1-X2 Take the case of extending in the direction as an example.
  • each wiring portion 6 led out from each first electrode coupling body 8 and each second electrode coupling body 12 are formed.
  • Each of the first electrode coupling body 8 and the second electrode coupling body 12 is electrically connected to the wiring portion 6 via the connection wiring 16.
  • Each wiring part 6 is connected to an external connection part 27 that is electrically connected to a flexible printed circuit board (not shown).
  • each wiring portion 6 electrically connects the first electrode connecting body 8 and the second electrode connecting body 12 to the external connection portion 27.
  • the external connection unit 27 is electrically connected to a flexible printed circuit board (not shown) through, for example, a conductive paste.
  • Each wiring part 6 is formed of a material having a metal such as Cu, Cu alloy, CuNi alloy, Ni, Ag, or Au.
  • the connection wiring 16 is made of a transparent conductive material such as ITO, and extends from the detection region 11 to the non-detection region 25.
  • the wiring portion 6 is stacked on the connection wiring 16 in the non-detection region 25 and is electrically connected to the connection wiring 16.
  • the wiring part 6 is provided in the part located in the non-detection area
  • the external connection portion 27 is also provided in a portion located in the non-detection region 25 on the front surface 2 a of the base material 2.
  • the wiring portion 6 and the external connection portion 27 are displayed so as to be visually recognized.
  • the portion located in the non-detection region 25 has a light shielding property.
  • a decorative layer (not shown) is provided.
  • the material which comprises a decorating layer is arbitrary as long as it has light-shielding property.
  • the decorative layer may have insulating properties.
  • the capacitive sensor 1 As shown in FIG. 3, for example, when a finger is brought into contact with the surface 3 a of the protective layer 3 as an example of the operating body, the first transparent electrode 4 close to the finger and the finger. And between the finger and the second transparent electrode 5 close to the finger.
  • the capacitive sensor 1 can calculate the contact position of the finger based on the capacitance change at this time.
  • the capacitance type sensor 1 detects the X coordinate of the position of the finger based on a change in capacitance between the finger and the first electrode coupling body 8, and between the finger and the second electrode coupling body 12.
  • the Y-coordinate of the finger position is detected based on the change in electrostatic capacitance (self-capacitance detection type).
  • the capacitance type sensor 1 may be a mutual capacitance detection type. That is, the capacitance type sensor 1 applies a driving voltage to one of the electrodes of the first electrode connection body 8 and the second electrode connection body 12, and the first electrode connection body 8 and the second electrode connection body 12. A change in capacitance between the other electrode of the electrode assembly 12 and the finger may be detected. Thereby, the capacitive sensor 1 detects the Y coordinate of the finger position by the other electrode, and detects the X coordinate of the finger position by the one electrode.
  • 6A to 7B are schematic diagrams showing application examples.
  • FIG. 6A shows an example in which the capacitive sensor 1 is applied to the touch panel 200.
  • the touch panel 200 includes a display panel 210 and a capacitive sensor 1 provided on the display panel 210.
  • the display panel 210 for example, a liquid crystal display panel is used.
  • a display panel 210 formed of a liquid crystal display panel includes a drive substrate 211 and a counter substrate 212 that are arranged to face each other, and a liquid crystal layer 213 is provided between the drive substrate 211 and the counter substrate 212.
  • the touch sensor 220 is provided on the front side of the counter substrate 212.
  • FIG. 6B illustrates an example of the electronic device 300 including the touch panel 200.
  • the electronic device 300 is a television, for example.
  • the electronic device 300 includes a housing 310 and a display unit 320.
  • a touch panel 200 is provided on the surface of the display unit 320.
  • the electronic device 300 is not limited to a television, and may be another device such as a smartphone, a mobile phone, or a tablet terminal.
  • the capacitive sensor 1 may be applied to electric devices such as refrigerators and washing machines, and transportation devices such as automobiles and ships.
  • FIG. 7A shows an example (notebook computer) of a computer 400 provided with a touch panel 200.
  • the computer 400 includes a display 410, a keyboard 420, an input pad 430, and the like.
  • the computer 400 includes a central processing unit 401, a main storage unit 402, a secondary storage unit 403, an input unit 404, an output unit 405, and an interface 406.
  • the keyboard 420 and the input pad 430 are an example of the input unit 404.
  • the display 410 is an example of the output unit 405.
  • the display 410 includes the touch panel 200.
  • the touch panel 200 is an example in which both the input unit 404 and the output unit 405 are used.
  • a capacitive sensor manufacturing method and electrostatic sensor capable of manufacturing a capacitive sensor having bridge wiring at intersections of a plurality of electrode layers with high productivity.
  • a capacitive sensor and a photosensitive conductive sheet can be provided.
  • the optical transparent adhesive layer 30 is disposed between the protective layer 3 and the structure including the first electrode connector 8 and the second electrode connector 12 provided on the substrate 2.
  • the protective layer 3 may be provided so as to cover the structure including the first electrode connector 8 and the second electrode connector 12 provided on the substrate 2. Such a configuration can be obtained, for example, by a method in which the composition for forming the protective layer 3 is applied on the above-described structure and the coating film is cured to form the protective layer 3.
  • FIG. 8 is a plan view schematically illustrating a Kelvin pattern.
  • the first sample 5S containing silver nanowires and the second sample 10S made of zinc oxide were crossed with each other.
  • the first sample 5S corresponds to the second transparent electrode 5.
  • the second sample 10S corresponds to the first layer 101 (101a, 101b) in the bridge wiring portion 10.
  • either the dimension L11 in the Y1-Y2 direction of the contact portion P1 or the dimension L12 in the X1-X2 direction of the contact portion P1 is fixed to 100 ⁇ m, and either the dimension L11 or the dimension L12 is changed.
  • the contact area of the contact portion P1 was changed.
  • a plurality of Kelvin patterns having different contact areas of the contact portion P1 were prepared.
  • FIG. 9 is a graph showing the relationship between the contact area of the contact portion P1 between the first sample 5S and the second sample 10S or the comparative sample and the electrical resistance value Rc.

Abstract

ブリッジ配線部の不可視性を確保しつつ導通安定性に優れる静電容量式センサとして、第１の方向に配置される透光性を有する複数の第１の透明電極と、第１の方向と交差する第２の方向に配置され、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む複数の第２の透明電極と、第１の透明電極に一体として設けられる連結部と、第２の透明電極とは別体として連結部に交差する部分に設けられ、隣り合う２つの第２の透明電極を互いに電気的に接続するブリッジ配線部とを備え、ブリッジ配線部は、第２の透明電極に接する接触部分と、接触部分に連設され第２の透明電極から離間するブリッジ部分とからなり、接触部分は積層構造を有し、第２の透明電極に接する部分を有する層が亜鉛酸化物系材料からなり、ブリッジ部分における基材に対して遠位側に位置する面は、アモルファス酸化物系材料からなることを特徴とする静電容量式センサが提供される。

Description

静電容量式センサおよび機器
　本発明は、静電容量式センサに関し、特に導電性ナノワイヤを含む透明電極が設けられた静電容量式センサおよびこの静電容量式センサを備える機器に関する。
　特許文献１には、透明ガラス基板上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）層のＸ電極およびＹ電極が形成された指タッチ式検出パネルが開示されている。特許文献１に記載された指タッチ式検出パネルには、Ｘ電極およびＹ電極が互いにクロスする部分が設けられている。Ｙ電極は、開孔部を介して導電体膜により電気的に接続されている。このように、基板上においてＸ電極およびＹ電極を互いにクロスさせ、Ｙ電極を電気的に接続するブリッジ配線部を設けることで、検出パネルを薄型化することができる。
　ここで、市場の動向として、静電容量式センサの形状を曲面にしたり、あるいは静電容量式センサを折り曲げ可能にしたりすることが望まれている。そのために、静電容量式センサの透明電極の材料として、例えば金ナノワイヤ、銀ナノワイヤおよび銅ナノワイヤなどの導電性ナノワイヤを含む材料が用いられることがある。
特開昭５８－１６６４３７号公報
　しかし、透明電極の材料に導電性ナノワイヤを含む材料を用いると、透明電極と、電極の交差部分に設けられたブリッジ配線部との接触面積が比較的狭くなるという問題がある。すなわち、導電性ナノワイヤは、透明電極の表面に露出した導電性ワイヤによって導電性および透明性を確保している。そのため、ブリッジ配線部の材料が導電性ナノワイヤを含む材料である場合には、透明電極とブリッジ配線部との接触は、ワイヤとワイヤとの接触になる。あるいは、ブリッジ配線部の材料が例えばＩＴＯなどの酸化物系材料である場合には、透明電極とブリッジ配線部との接触は、ワイヤと面との接触になる。これにより、透明電極の材料に導電性ナノワイヤを含む材料を用いると、透明電極と、ブリッジ配線部と、の接触面積が比較的狭くなる。
　すると、導通安定性が低下するおそれがある。また、静電気放電（ＥＳＤ；Electro Static Discharge）が発生した場合、大電流が透明電極とブリッジ配線部との接触部分に流れると、その接触部分が局所的に発熱して溶断するおそれがある。つまり、透明電極の材料に導電性ナノワイヤを含む材料を用いると、静電容量式センサの変形性能が向上する一方で、導通安定性およびＥＳＤ耐性が低下するおそれがある。また、ブリッジ配線部の材料に結晶性の酸化物系材料や金属系材料を用いると、折り曲げ時の抵抗が上昇したり、ブリッジ配線部が断線したりするおそれがある。
　このような問題に対して、ブリッジ配線部のサイズを大きくすることにより、透明電極と、ブリッジ配線部と、の接触面積を広くすることが考えられる。しかし、ブリッジ配線部のサイズを大きくすると、ブリッジ配線部が視認されやすくなるという問題がある。
　本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、ブリッジ配線部の不可視性を確保しつつ導通安定性に優れる静電容量式センサ、およびこの静電容量式センサを備える機器を提供することを目的とする。
　本発明の静電容量式センサは、一態様において、透光性を有する基材と、前記基材の一方の主面の検出領域において第１の方向に沿って並んで配置され、透光性を有する複数の第１の透明電極と、前記検出領域において前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って並んで配置され、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む複数の第２の透明電極と、前記第１の透明電極に一体として設けられ、隣り合う２つの前記第１の透明電極を互いに電気的に接続する連結部と、前記第２の透明電極とは別体として前記連結部に交差する部分に設けられ、隣り合う２つの前記第２の透明電極を互いに電気的に接続するブリッジ配線部とを備え、前記ブリッジ配線部は、前記隣り合う２つの第２の透明電極のそれぞれに接する２つの接触部分と、前記接触部分に連設され前記隣り合う２つの第２の透明電極から離間するブリッジ部分とからなり、前記接触部分は積層構造を有し、前記第２の透明電極に接する部分を有する層が亜鉛酸化物系材料からなり、前記ブリッジ部分における前記基材に対して遠位側に位置する面は、アモルファス酸化物系材料からなることを特徴とする静電容量式センサを提供する。
　亜鉛酸化物系材料からなる層はアモルファス酸化物系材料からなる層に比べて、導電性ナノワイヤを含む第２の透明電極との接触抵抗が低くなる傾向がある。その一方で、亜鉛酸化物系材料からなる層はアモルファス酸化物系材料からなる層に比べて視認されやすい。そこで、上記のように、ブリッジ配線部について亜鉛酸化物系材料からなる層により第２の透明電極と接触するようにしてブリッジ配線部と第２の透明電極との接触抵抗を低くするとともに、ブリッジ配線部における視認される側の面をアモルファス酸化物系材料からなるものとしてブリッジ配線部の不可視性を高めることにより、ブリッジ配線部の不可視性を確保しつつ導通安定性に優れる静電容量式センサを得ることができる。
　前記接触部分における前記第２の透明電極に最遠位な層は、アモルファス酸化物系材料からなることが好ましい。
　前記ブリッジ部分は前記アモルファス酸化物系材料からなる構成であってもよい。
　前記ブリッジ部分は積層構造を有し、前記第２の透明電極に最近位な層から連設される亜鉛酸化物系材料からなる層が、前記アモルファス酸化物系材料からなる層よりも前記基材に対して近位に配置されてもよい。
　前記亜鉛酸化物系材料は、酸化亜鉛およびインジウム酸化亜鉛の少なくとも一方を含んでいてもよい。前記導電性ナノワイヤは、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、および銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも１つであってもよい。前記アモルファス酸化物系材料は、アモルファスＩＴＯ、アモルファスＧＺＯ、アモルファスＡＺＯ、およびアモルファスＦＴＯよりなる群から選択された少なくとも１つであってもよい。
　本発明は、他の一態様として、上記の静電容量式センサを備える機器を提供する。
　本発明によれば、ブリッジ配線部の不可視性を確保しつつ導通安定性に優れる静電容量式センサ、およびこの静電容量式センサを備える機器を提供することが可能になる。
本実施形態に係る静電容量式センサを表す平面図である。 図１に表した領域Ａ１を拡大した平面図である。 図２に表した切断面Ｃ１－Ｃ１における断面図である。 図２に表した切断面Ｃ２－Ｃ２における断面図である。 本実施形態の変形例に係る静電容量式センサの部分断面図であり、図３に対応した図である。 （ａ）および（ｂ）は適用例について示す模式図である。 （ａ）および（ｂ）は適用例について示す模式図である。 ケルビンパターンを模式的に例示する平面図である。 接触部分Ｐ１の接触面積と電気抵抗値Ｒｃとの関係を示すグラフである。
　以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
　図１は、本実施形態に係る静電容量式センサを表す平面図である。
　図２は、図１に表した領域Ａ１を拡大した平面図である。
　図３は、図２に表した切断面Ｃ１－Ｃ１における断面図である。
　図４は、図２に表した切断面Ｃ２－Ｃ２における断面図である。
　なお、透明電極は透明なので本来は視認できないが、図１および図２では理解を容易にするため透明電極の外形を示している。
　本願明細書において「透明」および「透光性」とは、可視光線透過率が５０％以上（好ましくは８０％以上）の状態を指す。更に、ヘイズ値が６％以下であることが好適である。本願明細書において「遮光」および「遮光性」とは、可視光線透過率が５０％未満（好ましくは２０％未満）の状態を指す。
　図１～図４に表したように、本実施形態に係る静電容量式センサ１は、基材２と、第１の透明電極４と、第２の透明電極５と、連結部７と、ブリッジ配線部１０と、保護層３と、を備える。基材２と保護層３との間には、光学透明粘着層３０が設けられている。基材２とブリッジ配線部１０との間には、絶縁層２０が設けられている。図３に表したように、ブリッジ配線部１０が設けられた部分においては、光学透明粘着層３０は、ブリッジ配線部１０と保護層３との間に設けられている。
　基材２は、透光性を有し、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフィルム状の透明基材やガラス基材等で形成される。基材２の一方の主面２ａには、第１の透明電極４および第２の透明電極５が設けられている。この詳細については、後述する。図３に表したように、保護層３は、ブリッジ配線部１０からみて基材とは反対側に設けられ、透光性を有する。保護層３の材料に例として、例えばポリカーボネート基材など透光性を有するプラスチック基材が挙げられる。保護層３は、基材２と保護層３との間に設けられた光学透明粘着層（ＯＣＡ；Optical Clear Adhesive）３０を介して基材２と接合されている。光学透明粘着層（ＯＣＡ）３０は、アクリル系粘着剤を含有する粘着層や両面粘着テープ等からなる。
　図１に表したように、静電容量式センサ１は、保護層３側の面の法線に沿った方向（Ｚ１－Ｚ２方向）からみて、検出領域１１と非検出領域２５とからなる。検出領域１１は、指などの操作体により操作を行うことができる領域であり、非検出領域２５は、検出領域１１の外周側に位置する額縁状の領域である。非検出領域２５は、図示しない加飾層によって遮光され、静電容量式センサ１における保護層３側の面から基材２側の面への光（外光が例示される。）および基材２側の面から保護層３側の面への光（静電容量式センサ１と組み合わせて使用される表示装置のバックライトからの光が例示される。）は、非検出領域２５を透過しにくくなっている。
　図１に表したように、基材２の一方の主面２ａには、第１の電極連結体８と、第２の電極連結体１２と、が設けられている。第１の電極連結体８は、検出領域１１に配置され、複数の第１の透明電極４を有する。図３および図４に示すように、複数の第１の透明電極４は、基材２におけるＺ１－Ｚ２方向に沿った方向を法線とする主面のうちＺ１側に位置する主面（以下、「おもて面」と略記する場合がある。）２ａに設けられている。各第１の透明電極４は、細長い連結部７を介してＹ１－Ｙ２方向（第１の方向）に連結されている。そして、Ｙ１－Ｙ２方向に連結された複数の第１の透明電極４を有する第１の電極連結体８が、Ｘ１－Ｘ２方向に間隔を空けて配列されている。連結部７は、第１の透明電極４に一体として形成されている。連結部７は、隣り合う２つの第１の透明電極４を互いに電気的に接続している。
　第１の透明電極４および連結部７は、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む材料により形成される。導電性ナノワイヤとしては、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、および銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも１つが用いられる。導電性ナノワイヤを含む材料を用いることで、第１の透明電極４の高い透光性とともに低電気抵抗化を図ることができる。また、導電性ナノワイヤを含む材料を用いることで、静電容量式センサ１の変形性能を向上させることができる。
　導電性ナノワイヤを含む材料は、導電性ナノワイヤと、透明な樹脂層と、を有する。導電性ナノワイヤは、樹脂層の中において分散されている。導電性ナノワイヤの分散性は、樹脂層により確保されている。透明な樹脂層の材料の例として、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、およびポリウレタン樹脂が挙げられる。複数の導電性ナノワイヤが少なくとも一部において互いに接触することにより、導電性ナノワイヤを含む材料の面内における導電性が保たれている。
　第２の電極連結体１２は、検出領域１１に配置され、複数の第２の透明電極５を有する。図３および図４に示すように、複数の第２の透明電極５は、基材２のおもて面２ａに設けられている。このように、第２の透明電極５は、第１の透明電極４と同じ面（基材２のおもて面２ａ）に設けられている。各第２の透明電極５は、細長いブリッジ配線部１０を介してＸ１－Ｘ２方向（第２の方向）に連結されている。そして、Ｘ１－Ｘ２方向に連結された複数の第２の透明電極５を有する第２の電極連結体１２が、Ｙ１－Ｙ２方向に間隔を空けて配列されている。ブリッジ配線部１０は、第２の透明電極５とは別体として形成されている。なお、Ｘ１－Ｘ２方向は、Ｙ１－Ｙ２方向と交差している。例えば、Ｘ１－Ｘ２方向は、Ｙ１－Ｙ２方向と垂直に交わっている。
　第２の透明電極５は、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む材料により形成される。導電性ナノワイヤは、第１の透明電極４の材料に関して前述した通りである。
　図３に示されるように、ブリッジ配線部１０は、隣り合う２つの第２の透明電極５，５のそれぞれに接する２つの接触部分１０Ａ１，１０Ａ２と、これらの接触部分１０Ａ１，１０Ａ２に連設され隣り合う２つの第２の透明電極５，５から離間するブリッジ部分１０Ｂとからなる。
　接触部分１０Ａ１，１０Ａ２は積層構造を有する。すなわち、少なくとも、第２の透明電極５に接する層と、この層とは異なる層が、第２の透明電極５に対して遠位側に位置する。図３に示される構造では、ブリッジ配線部１０は、その全体が、第２の透明電極５に接する部分を備える層（第１層）１０１と、第１層１０１よりも遠位に位置する第２層１０２とからなる。
　第１層１０１は亜鉛酸化物系材料からなる。理由は定かでないが、亜鉛酸化物系材料からなる層は導電性ナノワイヤを含む第２の透明電極５との接触抵抗が低くなる傾向がある。特に、高温硬質（例えば８５℃、相対湿度８５％）の環境下に長時間（例えば１００時間）置かれる試験（８５８５試験）を経た後でも接触抵抗が高まりにくい。具体的には、透明導電材料として一般的なインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）に比べると、亜鉛酸化物系材料からなる層は、８５８５試験後の導電性ナノワイヤを含む第２の透明電極５との接触抵抗が低い。このため、第２の透明電極５に接する部分を備える層（第１層）１０１を構成する材料として亜鉛酸化物系材料を用いることにより、隣り合う２つの第２の透明電極５，５間の抵抗を低下させることができる。亜鉛酸化物系材料は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）およびインジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）の少なくとも一方を含んでいてもよく、酸化亜鉛（ＺｎＯ）またはインジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）から構成されていてもよい。
　ブリッジ配線部１０における基材２に対して遠位側に位置する面（遠位側面）１０ａは、アモルファス酸化物系材料からなる。図３に示される構造では、遠位側面１０ａは第２層１０２の面である。したがって、第２層１０２はアモルファス酸化物系材料からなる。アモルファス酸化物系材料は、亜鉛酸化物系材料に比べて視認されにくい。このため、遠位側面１０ａがアモルファス酸化物系材料からなることにより、ブリッジ配線部１０の視認性を低下させることができる。アモルファス酸化物系材料の具体例として、アモルファスＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、アモルファスＧＺＯ（Gallium-doped Zinc Oxide）、アモルファスＡＺＯ（Aluminum-doped Zinc Oxide）およびアモルファスＦＴＯ（Fluorine-doped Zinc Oxide）が挙げられる。
　図５は、本実施形態の変形例に係る静電容量式センサの部分断面図であり、図３に対応した図である。図５に示すように、本変形例に係る静電容量式センサでは、ブリッジ配線部１０は、接触部分１０Ａ１，１０Ａ２においては第１層１０１ａ，１０１ｂと第２層１０２との積層構造となっているが、ブリッジ部分１０Ｂにおいては第２層１０２の単層構造となっている。亜鉛酸化物系材料からなる第１層１０１ａ，１０１ｂは第２の透明電極５との接触抵抗を低下させることができるため接触部分１０Ａ１，１０Ａ２に存在していることが好ましいが、アモルファス酸化物系材料からなる第２層１０２に比べると視認されやすい。このため、亜鉛酸化物系材料からなる層がブリッジ部分１０Ｂに位置している必然性はなく、ブリッジ部分１０Ｂには相対的に視認されにくいアモルファス酸化物系材料からなる第２層１０２が位置していればよい。
　ブリッジ配線部１０は亜鉛酸化物系材料からなる第１層１０１（１０１ａ，１０１ｂ）およびアモルファス酸化物系材料からなる第２層１０２以外の層を有していてもよい。そのような層として、第１層１０１（１０１ａ，１０１ｂ）や第２層１０２よりも低抵抗で透明な金属からなる層が例示される。
　図２～図４に示すように、各第１の透明電極４間を連結する連結部７の表面には、絶縁層２０が設けられている。図３に示すように、絶縁層２０は、連結部７と第２の透明電極５との間の空間を埋め、第２の透明電極５の表面にも多少乗り上げている。絶縁層２０としては、例えばノボラック樹脂（レジスト）が用いられる。
　図３および図４に示すように、ブリッジ配線部１０は、絶縁層２０の表面２０ａから絶縁層２０のＸ１－Ｘ２方向の両側に位置する各第２の透明電極５の表面にかけて設けられている。ブリッジ配線部１０は、隣り合う２つの第２の透明電極５を互いに電気的に接続している。
　図３および図４に示すように、各第１の透明電極４間を接続する連結部７の表面には絶縁層２０が設けられており、絶縁層２０の表面に各第２の透明電極５間を接続するブリッジ配線部１０が設けられている。このように、連結部７とブリッジ配線部１０との間には絶縁層２０が介在し、第１の透明電極４と第２の透明電極５とは電気的に絶縁された状態となっている。本実施形態では、第１の透明電極４と第２の透明電極５とが同じ面（基材２のおもて面２ａ）に設けられているため、静電容量式センサ１の薄型化を実現できる。
　なお、図２～図４に表した連結部７は、第１の透明電極４に一体として形成され、Ｙ１－Ｙ２方向に延びている。また、図２～図４に表したブリッジ配線部１０は、連結部７を覆う絶縁層２０の表面２０ａに第２の透明電極５とは別体として形成され、Ｘ１－Ｘ２方向に延びている。但し、連結部７およびブリッジ配線部１０の配置形態は、これだけには限定されない。例えば、連結部７は、第１の透明電極４に一体として形成され、Ｘ１－Ｘ２方向に延びていてもよい。この場合には、連結部７は、隣り合う２つの第２の透明電極５を互いに電気的に接続する。ブリッジ配線部１０は、連結部７を覆う絶縁層２０の表面２０ａに第１の透明電極４とは別体として形成され、Ｙ１－Ｙ２方向に延びていてもよい。この場合には、ブリッジ配線部１０は、隣り合う２つの第１の透明電極４を互いに電気的に接続する。本実施形態に係る静電容量式センサ１の説明では、ブリッジ配線部１０が、連結部７を覆う絶縁層２０の表面２０ａに第２の透明電極５とは別体として形成され、Ｘ１－Ｘ２方向に延びた場合を例に挙げる。
　図１に示すように、非検出領域２５には、各第１の電極連結体８および各第２の電極連結体１２から引き出された複数本の配線部６が形成されている。第１の電極連結体８および第２の電極連結体１２のそれぞれは、接続配線１６を介して配線部６と電気的に接続されている。各配線部６は、図示しないフレキシブルプリント基板と電気的に接続される外部接続部２７に接続されている。すなわち、各配線部６は、第１の電極連結体８および第２の電極連結体１２と、外部接続部２７と、を電気的に接続している。外部接続部２７は、例えば導電ペーストを介して、図示しないフレキシブルプリント基板と電気的に接続されている。
　各配線部６は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＣｕＮｉ合金、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等の金属を有する材料により形成される。接続配線１６は、ＩＴＯ等の透明導電性材料で形成され、検出領域１１から非検出領域２５に延出している。配線部６は、接続配線１６の上に非検出領域２５内で積層され、接続配線１６と電気的に接続されている。
　配線部６は、基材２のおもて面２ａにおける非検出領域２５に位置する部分に設けられている。外部接続部２７も、配線部６と同様に、基材２のおもて面２ａにおける非検出領域２５に位置する部分に設けられている。
　図１では、理解を容易にするために配線部６や外部接続部２７が視認されるように表示しているが、実際には、非検出領域２５に位置する部分には、遮光性を有する加飾層（図示せず）が設けられている。このため、静電容量式センサ１を保護層３側の面からみると、配線部６および外部接続部２７は加飾層によって隠蔽され、視認されない。加飾層を構成する材料は、遮光性を有する限り任意である。加飾層は絶縁性を有していてもよい。
　本実施形態に係る静電容量式センサ１では、図３に示すように例えば保護層３の面３ａ上に操作体の一例として指を接触させると、指と指に近い第１の透明電極４との間、および指と指に近い第２の透明電極５との間で静電容量が生じる。静電容量式センサ１は、このときの静電容量変化に基づいて、指の接触位置を算出することが可能である。静電容量式センサ１は、指と第１の電極連結体８との間の静電容量変化に基づいて指の位置のＸ座標を検知し、指と第２の電極連結体１２との間の静電容量変化に基づいて指の位置のＹ座標を検知する（自己容量検出型）。
　あるいは、静電容量式センサ１は、相互容量検出型であってもよい。すなわち、静電容量式センサ１は、第１の電極連結体８および第２の電極連結体１２のいずれか一方の電極の一列に駆動電圧を印加し、第１の電極連結体８および第２の電極連結体１２のいずれか他方の電極と指との間の静電容量の変化を検知してもよい。これにより、静電容量式センサ１は、他方の電極により指の位置のＹ座標を検知し、一方の電極により指の位置のＸ座標を検知する。
　次に、本実施形態に係る静電容量式センサ１の適用例について説明する。図６（ａ）～図７（ｂ）は適用例について示す模式図である。
　図６（ａ）には静電容量式センサ１をタッチパネル２００に適用した例が表される。タッチパネル２００は、表示パネル２１０と、この表示パネル２１０の上に設けられた静電容量式センサ１とを備える。表示パネル２１０としては、例えば液晶表示パネルが用いられる。液晶表示パネルからなる表示パネル２１０は、互いに対向配置された駆動基板２１１及び対向基板２１２を有し、駆動基板２１１と対向基板２１２との間に液晶層２１３が設けられる。タッチセンサ２２０は、対向基板２１２の表側に設けられる。
　図６（ｂ）にはタッチパネル２００を備えた電子機器３００の例が表される。電子機器３００は、例えばテレビである。電子機器３００は、筐体３１０と表示部３２０とを備える。この表示部３２０の表面にタッチパネル２００が設けられる。なお、電子機器３００はテレビに限定されず、スマートフォン、携帯電話、タブレット型端末など他の機器であってもよい。このほか、冷蔵庫、洗濯機などの電気機器、自動車、船舶などの輸送機器などにも静電容量式センサ１が適用されてもよい。
　図７（ａ）にはタッチパネル２００を備えたコンピュータ４００の例（ノート型コンピュータ）が表される。コンピュータ４００は、ディスプレイ４１０、キーボード４２０、入力パッド４３０などを備える。図７（ｂ）に表したように、コンピュータ４００は、中央演算部４０１、主記憶部４０２、副記憶部４０３、入力部４０４、出力部４０５及びインタフェース４０６を備える。キーボード４２０及び入力パッド４３０は入力部４０４の一例である。ディスプレイ４１０は出力部４０５の一例である。このディスプレイ４１０にタッチパネル２００が含まれる。タッチパネル２００は、入力部４０４及び出力部４０５の両方を兼ねた例である。
　これらの機器に本実施形態の静電容量式センサ１を適用することで、精度よく接触位置を検出して機器に入力指示を与えることが可能になる。
　以上説明したように、実施形態によれば、複数の電極層の交差部分にブリッジ配線を備えた静電容量式センサを生産性よく製造することができる静電容量式センサの製造方法、静電容量式センサ及び感光型導電性シートを提供することができる。
　なお、上記に本実施の形態およびその適用例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、前述の各実施の形態またはその適用例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施の形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。例えば、上記の説明では、基材２上に設けられた第１の電極連結体８および第２の電極連結体１２を備える構造体と保護層３との間には光学透明粘着層３０が配置されているが、これに限定されない。基材２上に設けられた第１の電極連結体８および第２の電極連結体１２を備える構造体を覆うように保護層３が設けられていてもよい。このような構成は、例えば、保護層３を形成するための組成物を上記の構造体上に塗布し、この塗膜を硬化して保護層３を形成するような方法により得ることができる。
　以下、実施例等により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例等に限定されるものではない。
（実施例１)
　図８は、ケルビンパターンを模式的に例示する平面図である。図８に表したようなケルビンパターンを用いて、銀ナノワイヤを含む第１の試料５Ｓと酸化亜鉛からなる第２の試料１０Ｓとを互いに交差させた。第１の試料５Ｓは、第２の透明電極５に相当する。第２の試料１０Ｓは、ブリッジ配線部１０における第１層１０１（１０１ａ，１０１ｂ）に相当する。本試験では、接触部分Ｐ１のＹ１－Ｙ２方向の寸法Ｌ１１および接触部分Ｐ１のＸ１－Ｘ２方向の寸法Ｌ１２のいずれか一方を１００μｍに固定し、寸法Ｌ１１および寸法Ｌ１２のいずれか他方を変化させることで、接触部分Ｐ１の接触面積を変化させた。こうして、接触部分Ｐ１の接触面積が異なる複数のケルビンパターンを用意した。
（比較例１および２)
　第２の試料１０Ｓに代えて、製法が異なる２種類のインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からなる比較用試料を用いて、実施例１と同様に接触部分Ｐ１の接触面積が異なる複数のケルビンパターンを用意した。
（測定例）８５８５信頼性試験後の電気抵抗値の測定
　ケルビンパターンを温度８５℃、相対湿度８５％の環境に２４０時間放置する環境試験（８５８５信頼性試験）を行った。試験後のケルビンパターンにおける接触部分Ｐ１の電気抵抗値Ｒｃ（単位：Ω）を測定した。図９は、第１の試料５Ｓと第２の試料１０Ｓまたは比較用試料との接触部分Ｐ１の接触面積と、電気抵抗値Ｒｃと、の関係を示すグラフである。
　図９に示されるように、接触面積に依らず、実施例１に係るケルビンパターンの電気抵抗値Ｒｃは、比較例１および２に係るケルビンパターンの電気抵抗値Ｒｃよりも低くなった。
　１　静電容量式センサ
　２　基材
　２ａ　主面（おもて面）
　３　保護層
　３ａ　面
　４　第１の透明電極
　５　第２の透明電極
　５Ｓ　第１の試料
　６　配線部
　７　連結部
　８　第１の電極連結体
　１０　ブリッジ配線部
　１０Ａ１，１０Ａ２　接触部分
　１０Ｂ　ブリッジ部分
　１０１，１０１ａ，１０１ｂ　第１層
　１０ａ　遠位側面
　１０２　第２層
　１０Ｓ　第２の試料
　１１　検出領域
　１２　第２の電極連結体
　１６　接続配線
　２０　絶縁層
　２０ａ　表面
　２５　非検出領域
　２７　外部接続部
　３０　光学透明粘着層
　Ａ１　領域
　Ｃ１　切断面
　Ｃ２　切断面
　Ｌ１１　寸法
　Ｌ１２　寸法
　Ｐ１　接触部分
　２００　タッチパネル
　２１０　表示パネル
　２１１　駆動基板
　２１２　対向基板
　２１３　液晶層
　２２０　タッチセンサ
　３００　電子機器
　３１０　筐体
　３２０　表示部
　４００　コンピュータ
　４１０　ディスプレイ
　４２０　キーボード
　４３０　入力パッド
　４０１　中央演算部
　４０２　主記憶部
　４０３　副記憶部
　４０４　入力部
　４０５　出力部
　４０６　インタフェース

Claims (8)

  1. 　透光性を有する基材と、
    　前記基材の一方の主面の検出領域において第１の方向に沿って並んで配置され、透光性を有する複数の第１の透明電極と、
    　前記検出領域において前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って並んで配置され、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む複数の第２の透明電極と、
    　前記第１の透明電極に一体として設けられ、隣り合う２つの前記第１の透明電極を互いに電気的に接続する連結部と、
    　前記第２の透明電極とは別体として前記連結部に交差する部分に設けられ、隣り合う２つの前記第２の透明電極を互いに電気的に接続するブリッジ配線部とを備え、
    　前記ブリッジ配線部は、前記隣り合う２つの第２の透明電極のそれぞれに接する２つの接触部分と、前記接触部分に連設され前記隣り合う２つの第２の透明電極から離間するブリッジ部分とからなり、
    　前記接触部分は積層構造を有し、前記第２の透明電極に接する部分を有する層が亜鉛酸化物系材料からなり、
    　前記ブリッジ部分における前記基材に対して遠位側に位置する面は、アモルファス酸化物系材料からなること
    を特徴とする静電容量式センサ。
  2. 　前記接触部分における前記第２の透明電極に最遠位な層は、アモルファス酸化物系材料からなる、請求項１に記載の静電容量式センサ。
  3. 　前記ブリッジ部分は前記アモルファス酸化物系材料からなる、請求項１または２に記載の静電容量式センサ。
  4. 　前記ブリッジ部分は積層構造を有し、前記第２の透明電極に最近位な層から連設される亜鉛酸化物系材料からなる層が、前記アモルファス酸化物系材料からなる層よりも前記基材に対して近位に配置される、請求項１、乃至、請求項３の何れかに記載の静電容量式センサ。
  5. 　前記亜鉛酸化物系材料は、酸化亜鉛およびインジウム酸化亜鉛の少なくとも一方を含む、請求項１に記載の静電容量式センサ。
  6. 　前記導電性ナノワイヤは、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、および銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも１つであることを特徴とする請求項１記載の静電容量式センサ。
  7. 　前記アモルファス酸化物系材料は、アモルファスＩＴＯ、アモルファスＧＺＯ、アモルファスＡＺＯ、およびアモルファスＦＴＯよりなる群から選択された少なくとも１つであることを特徴とする請求項１または２に記載の静電容量式センサ。
  8. 　請求項１から７のいずれか一項に記載される静電容量式センサを備える機器。
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