JPS58166437A - 指タツチ式座標検出パネルの製造方法 - Google Patents
指タツチ式座標検出パネルの製造方法Info
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- JPS58166437A JPS58166437A JP57049320A JP4932082A JPS58166437A JP S58166437 A JPS58166437 A JP S58166437A JP 57049320 A JP57049320 A JP 57049320A JP 4932082 A JP4932082 A JP 4932082A JP S58166437 A JPS58166437 A JP S58166437A
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- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
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- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(a)”発明の技術分野
本発明は指タツチ式座標検出パネルのIl!過方法の改
良に関するものである。
良に関するものである。
(b) 技術の背景
最近多項目情報を入力する装置としてブラウン示
管の表J面の#面に透明な!4!砿板な設置し、前記表
示面に表示された情報に対応する位置情報を繭−記J!
!標板を介して、前記表示面に表示された情報を確認し
ながら入力する指タツチ式座標検出バネlしが開発され
ているのはすでに周知である。
示面に表示された情報に対応する位置情報を繭−記J!
!標板を介して、前記表示面に表示された情報を確認し
ながら入力する指タツチ式座標検出バネlしが開発され
ているのはすでに周知である。
このような指タツチ式座標検出パネルは、第1図の平向
−に示すように透明なガラス基板l上lこ酸化インジウ
ム(In□01)4こ錫(Sn)を添加した透明なイン
ジウム錫鹸化物Q TO)層が所定のピッチめ線状のX
電+IA2として形成されている。そしてMx電−に−
電体膜な介して直父するように所定のピッチの線状のY
4@3が形成され、このY′11E価とX電極で一定さ
れた領域をニー記Y電極、X電極に連なりITO層より
なる所定パターンの検出電極4.5が形成されている。
−に示すように透明なガラス基板l上lこ酸化インジウ
ム(In□01)4こ錫(Sn)を添加した透明なイン
ジウム錫鹸化物Q TO)層が所定のピッチめ線状のX
電+IA2として形成されている。そしてMx電−に−
電体膜な介して直父するように所定のピッチの線状のY
4@3が形成され、このY′11E価とX電極で一定さ
れた領域をニー記Y電極、X電極に連なりITO層より
なる所定パターンの検出電極4.5が形成されている。
そしてこのような座標検出パネルをある一定の周波数で
動作させ、この検出1を極な指で接触したり、あるいは
非接触の状態にすると人体の有する対地容量で検出’I
K極の出力電圧が変動し、この出力電圧の変動を検知し
てS標位置を検知するよう(こしている。
動作させ、この検出1を極な指で接触したり、あるいは
非接触の状態にすると人体の有する対地容量で検出’I
K極の出力電圧が変動し、この出力電圧の変動を検知し
てS標位置を検知するよう(こしている。
(C〕 従来技術と問題点
このような指タツチ式座標検出パネルの従来の製造方法
−二ついてgj述の第1図を用いて説明する。
−二ついてgj述の第1図を用いて説明する。
まず透明なガラス基板、上に透明なITOpdを蒸着し
たのち、該170層1kX1Jt極2およびそれに連な
る検出電極4の所定の形状暑こなるよう・こホトリソグ
ラフィ法を用いてパターニングする。
たのち、該170層1kX1Jt極2およびそれに連な
る検出電極4の所定の形状暑こなるよう・こホトリソグ
ラフィ法を用いてパターニングする。
次いで、tA基基板上口アルミナ(A40*)よりなる
繍電体膜を蒸虐をこより形成する。
繍電体膜を蒸虐をこより形成する。
史(こ透明なITO層を蒸着したのち、該ITO層をY
電極3Jdよびそれ壷こ連なる検出電極5の所定の形状
暑こなるようにホトリソグラフィ法を用いてバターニン
グする。 − 次いでam板上曇こALs Osの保護膜を蒸着するこ
とで、前記検出パネルを形成していた。
電極3Jdよびそれ壷こ連なる検出電極5の所定の形状
暑こなるようにホトリソグラフィ法を用いてバターニン
グする。 − 次いでam板上曇こALs Osの保護膜を蒸着するこ
とで、前記検出パネルを形成していた。
しかしこのような方法であると、X11tt価およびY
電価を形成するために、2回の蒸着をしなければならず
、またaAlしたITO層を所定のパターンに形成する
ためのホトリソグラフイエ捏も2−あり、工程が煩雑で
ある等欠点がφい。
電価を形成するために、2回の蒸着をしなければならず
、またaAlしたITO層を所定のパターンに形成する
ためのホトリソグラフイエ捏も2−あり、工程が煩雑で
ある等欠点がφい。
そこで工程を簡単にするために、第2図に示すようGこ
前記基板上にX電−2およびそれに連なる検出14m4
とまたym礒3とそれに連なる検出電番 −5とをX11t−2とY電極との交差部において、Y
電極3をあらかじめ切断するように形成しておき、この
切断部に蒸着マスクを用いて誘電体層を局−的番こ4着
番こより形成したり、あるいは−硅酸ガラス粉末を有@
*Mに溶かしたガラスペーストをマスクを用いた印刷法
で塗布する。
前記基板上にX電−2およびそれに連なる検出14m4
とまたym礒3とそれに連なる検出電番 −5とをX11t−2とY電極との交差部において、Y
電極3をあらかじめ切断するように形成しておき、この
切断部に蒸着マスクを用いて誘電体層を局−的番こ4着
番こより形成したり、あるいは−硅酸ガラス粉末を有@
*Mに溶かしたガラスペーストをマスクを用いた印刷法
で塗布する。
その後、−m4体層襄あるいはガラス膜のY電113の
両端部A、B、に対応する箇所をホ)9ソグラフイ法を
用いて意IIきしてから、誘電体層あるいはガラス謹上
に銀等を有fIA薯剤に溶がした銀ベーストをマスクを
用いた印刷法で細い一電体練として形成し、錦記窓開鯉
した開孔部を介してYfi極30両端部に接続するよう
にしている。
両端部A、B、に対応する箇所をホ)9ソグラフイ法を
用いて意IIきしてから、誘電体層あるいはガラス謹上
に銀等を有fIA薯剤に溶がした銀ベーストをマスクを
用いた印刷法で細い一電体練として形成し、錦記窓開鯉
した開孔部を介してYfi極30両端部に接続するよう
にしている。
しかしこのような方法でも工程が煩雑で−+i紀締嵐体
膜jよびガラス膜を所定のパターンにアスク。
膜jよびガラス膜を所定のパターンにアスク。
を用いて蒸着あるいは印刷法で形成するのは困離である
。 −− (由 発明のU的・ 一 本発明は上述した欠点を除去し、前記したY11c極お
よびxlに極のクロス部を容易に形成し1楓を短縮した
指タツチ式座標検出パネルのIl造方法の提供を目的と
するものである。
。 −− (由 発明のU的・ 一 本発明は上述した欠点を除去し、前記したY11c極お
よびxlに極のクロス部を容易に形成し1楓を短縮した
指タツチ式座標検出パネルのIl造方法の提供を目的と
するものである。
(e) 発明の構成
かかる目的を達成するための本発明の指タッチ式座標検
田バネlしのII造方法は、透明絶縁性基板上に互いに
絶縁して交差する方向に配・列された所定ピッチの轍状
のY電極とxttiを設け1.2鋳紀Y電極とxl(極
により一定された領域内に回起X電物、YIIt極に連
なる分割された透明な検出電極を設けた構成の指タッ1
チ検出パヰルを製造するに際し、前記透明絶縁性基板上
にy*iiとそれに連なる検出IE極勘よびXv1極と
それに連なる検出電極のうち削紀y*極とX電極とが交
差する箇所でY電極およびxtmのいずれかを切断した
形で電極/(9−7を形成した0ち・該基板上に;tt
トt、=pxト膜を塗布後、前記切断された電極の所定
位置上のホトレジスト裏を窓開きしたのち、該切断部分
をまたぐように前記ホトレジスト膜上に導電性電。
田バネlしのII造方法は、透明絶縁性基板上に互いに
絶縁して交差する方向に配・列された所定ピッチの轍状
のY電極とxttiを設け1.2鋳紀Y電極とxl(極
により一定された領域内に回起X電物、YIIt極に連
なる分割された透明な検出電極を設けた構成の指タッ1
チ検出パヰルを製造するに際し、前記透明絶縁性基板上
にy*iiとそれに連なる検出IE極勘よびXv1極と
それに連なる検出電極のうち削紀y*極とX電極とが交
差する箇所でY電極およびxtmのいずれかを切断した
形で電極/(9−7を形成した0ち・該基板上に;tt
トt、=pxト膜を塗布後、前記切断された電極の所定
位置上のホトレジスト裏を窓開きしたのち、該切断部分
をまたぐように前記ホトレジスト膜上に導電性電。
極膜を、形感し切断した部分の電極を前記窓開きした開
孔部を介して接続するようにしたことを特徴□ とするものである。
孔部を介して接続するようにしたことを特徴□ とするものである。
(!] 発明の実施例
以下間両を用いて本発明の一実施例につき詳−に説明す
る。 、 第3図は本発明の検轡パキルの製造方法を説iす今ため
の特にX電極とYl1価とがクロス亨る部分を拡大した
断面E″第“図悸そ0平面図であ艷まず前述した12図
勘よび第、3図、第4図に示すように、透明ガラス基板
1上にITO層を一着しその後ホトリソグラフィ法を用
いてX電極23Lびそれに連なる検出電極4、およびY
電極3およびそれ昏こ連なる検出電極5を所定のパター
ンに形成する。この場合、Y電極3はX電極2とクロス
する部分をあらかじめ切断した状態で形成する。
る。 、 第3図は本発明の検轡パキルの製造方法を説iす今ため
の特にX電極とYl1価とがクロス亨る部分を拡大した
断面E″第“図悸そ0平面図であ艷まず前述した12図
勘よび第、3図、第4図に示すように、透明ガラス基板
1上にITO層を一着しその後ホトリソグラフィ法を用
いてX電極23Lびそれに連なる検出電極4、およびY
電極3およびそれ昏こ連なる検出電極5を所定のパター
ンに形成する。この場合、Y電極3はX電極2とクロス
する部分をあらかじめ切断した状態で形成する。
次いで、該基板上全面にホトレジスト膜を塗布した後、
該ホトレジストを所定のパターンにホトリソグラフィ法
を用いて意開きする。この窓開1する位置は、前述した
Y電11i3上の適当な位置上に定めるとよい。第3図
、第450で】lはこのようにして形成された開孔部で
12はこのようにして形成された開孔部を有するホトレ
ジスト族である。
該ホトレジストを所定のパターンにホトリソグラフィ法
を用いて意開きする。この窓開1する位置は、前述した
Y電11i3上の適当な位置上に定めるとよい。第3図
、第450で】lはこのようにして形成された開孔部で
12はこのようにして形成された開孔部を有するホトレ
ジスト族である。
その後該ホトレジスト模12上に金または銀粉を有機溶
剤に溶かした導電性ペーストをマスクを用いて印刷して
、鉤記開孔部11を介して下のY電極3に接続するよう
な導電体膜13を形成する。このようにすれば、X電極
、Y電極のクロス部分が容易に形成でき、検出パネルが
工程を簡略化して低コストで形成で診ること◆こなる。
剤に溶かした導電性ペーストをマスクを用いて印刷して
、鉤記開孔部11を介して下のY電極3に接続するよう
な導電体膜13を形成する。このようにすれば、X電極
、Y電極のクロス部分が容易に形成でき、検出パネルが
工程を簡略化して低コストで形成で診ること◆こなる。
またホトレジスト膜がX電極やそれに連なる検出電極、
更にY電極やそれに連なる検出電極上な被覆するよう番
こなり、表面保#l換の働鯉をするよう壷こなる。
更にY電極やそれに連なる検出電極上な被覆するよう番
こなり、表面保#l換の働鯉をするよう壷こなる。
一ノ 発明の効果
以上述べたよう番こ、本発明の方法により1松が短縮さ
れ、作業が容易となるので、指タツチ式座標検出パネル
が低コストで得られる利点が生ずる。
れ、作業が容易となるので、指タツチ式座標検出パネル
が低コストで得られる利点が生ずる。
弔1図は検出パネルの平面図、112図は検出パネルの
形成法を示す図、第3図および第4図は本@明の方法で
検出パネルを形成する際の1稈を説明するためのIlI
Ft7iwJおよび平面図である。 1g1番こおいて、1はガラス基板、2はX1jt@1
3はY電−14,5は検出lit極、11は開孔部、ル
はホトレジスト膜、口は導電体膜である。 第1図 第3図 第 4 図
形成法を示す図、第3図および第4図は本@明の方法で
検出パネルを形成する際の1稈を説明するためのIlI
Ft7iwJおよび平面図である。 1g1番こおいて、1はガラス基板、2はX1jt@1
3はY電−14,5は検出lit極、11は開孔部、ル
はホトレジスト膜、口は導電体膜である。 第1図 第3図 第 4 図
Claims (1)
- 透明絶縁性基板上に互いに絶縁して交差する方向に配列
された線状のY電極とX電極を設け、1紀Y電極とX電
極により一定された領域内に前記X電極、Y電極に連な
る分割された透明な検出電極を設けた構成の指タッチ機
出パヰA/な製造するに際し、前記透明絶縁性基板上に
Y電極とそれに連なる検出電tinよびX電極とそれに
連なる検出電極のうち前記Y電極とX電極とが交差する
箇所でY電極およびX電極のいずれかを切断した一形で
電極パターンを形成したのち、#I、1III板上にホ
トレジスト膜を塗布後、繭記切断魯れた電極の所定位置
上のホトレジスト膜を意■着したのち該切断部分をまた
ぐように鋳紀ホトレジスト膜上にsm性電極膜を形成し
切断したStO電極を前記窓開した開孔部を介して接続
するようにしたことを特徴とする指タツチ式座標検出パ
ネルのI!、11方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57049320A JPS58166437A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 指タツチ式座標検出パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57049320A JPS58166437A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 指タツチ式座標検出パネルの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58166437A true JPS58166437A (ja) | 1983-10-01 |
Family
ID=12827672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57049320A Pending JPS58166437A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 指タツチ式座標検出パネルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58166437A (ja) |
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-
1982
- 1982-03-26 JP JP57049320A patent/JPS58166437A/ja active Pending
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