KR20190044671A - 정전 용량식 센서 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 정전 용량식 센서 (1) 는, 기재 (2) 와, 기재 (2) 의 일방의 주면 (2a) 에 있어서 제 1 방향을 따라서 나란히 배치된 복수의 제 1 투명 전극 (4) 과, 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향을 따라서 나란히 배치되고, 도전성 나노와이어를 포함하는 복수의 제 2 투명 전극 (5) 과, 이웃하는 2 개의 제 1 투명 전극 (4) 을 서로 전기적으로 접속하는 연결부 (7) 와, 연결부 (7) 와 교차하는 부분에 형성되어, 이웃하는 2 개의 제 2 투명 전극 (5) 을 서로 전기적으로 접속하고, 아모르퍼스 산화물계 재료를 포함하는 브릿지 배선부 (10) 와, 제 2 투명 전극 (5) 의 굴절률보다 높고 브릿지 배선부 (10) 의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 반사 저감층 (3) 을 구비하기 때문에, 브릿지 배선부의 불가시성을 확보하면서, 도통 안정성 및 ESD 내성이 저하되는 것을 억제하는 것과 동시에, 절곡시의 저항이 상승하는 것을 억제할 수 있다.

Description

정전 용량식 센서
본 발명은 정전 용량식 센서에 관한 것으로, 특히 도전성 나노와이어를 포함하는 투명 전극이 형성된 정전 용량식 센서에 관한 것이다.
특허문헌 1 에는, 투명 유리 기판 상에 인듐 주석 산화물 (ITO) 층의 X 전극 및 Y 전극이 형성된 손가락 터치식 검출 패널이 개시되어 있다. 특허문헌 1 에 기재된 손가락 터치식 검출 패널에는, X 전극 및 Y 전극이 서로 크로스되는 부분이 형성되어 있다. Y 전극은, 개공부 (開孔部) 를 통하여 도전체막에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 이와 같이, 기판 상에 있어서 X 전극 및 Y 전극을 서로 크로스시키고, Y 전극을 전기적으로 접속하는 브릿지 배선부를 형성함으로써, 검출 패널을 박형화할 수 있다.
여기서, 시장의 동향으로서, 정전 용량식 센서의 형상을 곡면으로 하거나, 혹은 정전 용량식 센서를 절곡 (折曲) 가능하게 하거나 하는 것이 요망되고 있다. 그 때문에, 정전 용량식 센서의 투명 전극의 재료로서, 예를 들어 금 나노와이어, 은 나노와이어 및 구리 나노와이어 등의 도전성 나노와이어를 포함하는 재료가 사용되는 경우가 있다.
일본 공개특허공보 소58-166437호
그러나, 투명 전극의 재료에 도전성 나노와이어를 포함하는 재료를 사용하면, 투명 전극과, 전극의 교차 부분에 형성된 브릿지 배선부의 접촉 면적이 비교적 좁아진다는 문제가 있다. 즉, 도전성 나노와이어는, 투명 전극의 표면에 노출된 도전성 나노와이어에 의해 브릿지 배선 재료와의 도전성을 확보하고, 도전성 나노와이어간의 간극에 의해 투명성을 확보하고 있다. 그 때문에, 브릿지 배선부의 재료가 도전성 나노와이어를 포함하는 재료인 경우에는, 투명 전극과 브릿지 배선부의 접촉은, 와이어와 와이어의 점 (點) 접촉이 된다. 혹은, 브릿지 배선부의 재료가 예를 들어 ITO 등의 산화물계 재료인 경우에는, 투명 전극과 브릿지 배선부의 접촉은, 와이어의 선 혹은 점과 면의 접촉이 된다. 이로써, 투명 전극의 재료에 도전성 나노와이어를 포함하는 재료를 사용하면, 투명 전극과 브릿지 배선부의 접촉 면적이 비교적 좁아진다.
그러면, 도통 안정성이 저하될 우려가 있다. 또, 정전기 방전 (ESD ; Electro Static Discharge) 이 발생하여, 대전류가 투명 전극과 브릿지 배선부의 접촉 부분에 흐르면, 그 접촉 부분이 국소적으로 발열하여 용단될 우려가 있다. 요컨대, 투명 전극의 재료에 도전성 나노와이어를 포함하는 재료를 사용하면, 정전 용량식 센서의 변형 성능이 향상되는 한편, 도통 안정성 및 ESD 내성이 저하될 우려가 있다. 또, 브릿지 배선부의 재료에 결정성의 산화물계 재료나 금속계 재료를 사용하면, 절곡시의 저항이 상승하거나, 브릿지 배선부가 단선되거나 할 우려가 있다.
이와 같은 문제에 대해, 브릿지 배선부의 사이즈를 크게 함으로써, 투명 전극과 브릿지 배선부의 접촉 면적을 넓게 하는 것이 고려된다. 그러나, 브릿지 배선부의 사이즈를 크게 하면, 브릿지 배선부가 시인되기 쉬워진다는 문제가 있다.
본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하기 위한 것으로, 브릿지 배선부의 불가시성을 확보하면서, 도통 안정성 및 ESD 내성이 저하되는 것을 억제함과 함께, 절곡시의 저항이 상승하는 것을 억제할 수 있는 정전 용량식 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 정전 용량식 센서는, 일 양태에 있어서, 투광성을 갖는 기재와, 상기 기재의 일방의 주면 (主面) 의 검출 영역에 있어서 제 1 방향을 따라서 나란히 배치되고, 투광성을 갖는 복수의 제 1 투명 전극과, 상기 검출 영역에 있어서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향을 따라서 나란히 배치되고, 투광성을 가지며, 도전성 나노와이어를 포함하는 복수의 제 2 투명 전극과, 상기 제 1 투명 전극에 일체로서 형성되어, 이웃하는 2 개의 상기 제 1 투명 전극을 서로 전기적으로 접속하는 연결부와, 상기 제 2 투명 전극과는 별체로서 형성되어, 이웃하는 2 개의 상기 제 2 투명 전극을 서로 전기적으로 접속하고, 아모르퍼스 산화물계 재료를 포함하는 브릿지 배선부와, 상기 제 2 투명 전극 및 상기 브릿지 배선부를 덮도록 하여 형성된 반사 저감층을 갖고, 그 반사 저감층이, 상기 제 2 투명 전극의 굴절률보다 높고, 상기 브릿지 배선부의 굴절률보다 낮은 것을 특징으로 한다.
제 2 투명 전극은, 도전성 나노와이어를 포함하고 있다. 또, 제 2 투명 전극과는 별체로서 연결부와 교차하는 부분에 형성된 브릿지 배선부로서, 이웃하는 2 개의 제 2 투명 전극을 서로 전기적으로 접속하는 브릿지 배선부는, 아모르퍼스 산화물계 재료를 포함하고 있다. 그 때문에, 브릿지 배선부의 재료에 결정성의 산화물계 재료나 금속계 재료를 사용한 경우와 비교하여, 정전 용량식 센서의 변형 성능을 향상시킬 수 있음과 함께, 제 2 투명 전극과 브릿지 배선부의 밀착성을 확보할 수 있다. 또, 절곡시의 저항이 상승하는 것을 억제할 수 있다.
또한 브릿지 배선부로부터 보아 기재와는 반대측에는, 반사 저감층이 형성되어 있다. 반사 저감층의 굴절률은, 제 2 투명 전극의 굴절률보다 높고, 브릿지 배선부의 굴절률보다 낮다. 이로써, 브릿지 배선부의 사이즈를 크게 하여, 제 2 투명 전극과 브릿지 배선부의 접촉 면적을 넓게 한 경우라도, 반사 저감층이 브릿지 배선부의 표면에 있어서의 광의 반사를 저감함으로써, 브릿지 배선부의 불가시성을 확보할 수 있다. 그 때문에, 브릿지 배선부의 사이즈를 크게 할 수 있어, 도통 안정성을 높일 수 있음과 함께, ESD 내성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
상기 정전 용량식 센서에 있어서, 상기 도전성 나노와이어는, 금 나노와이어, 은 나노와이어, 및 구리 나노와이어로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개여도 된다. 이것에 의하면, 투명 전극의 재료에 예를 들어 ITO 등의 산화물계 재료를 사용한 경우와 비교하여, 정전 용량식 센서의 변형 성능을 향상시킬 수 있음과 함께, 절곡시의 저항이 상승하는 것을 더욱 억제할 수 있다.
상기 정전 용량식 센서에 있어서, 상기 아모르퍼스 산화물계 재료는, 아모르퍼스 ITO, 아모르퍼스 IZO, 아모르퍼스 GZO, 아모르퍼스 AZO, 및 아모르퍼스 FTO 로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개여도 된다. 이것에 의하면, 브릿지 배선부의 재료에 예를 들어 결정성 ITO 등을 사용한 경우와 비교하여, 정전 용량식 센서의 변형 성능을 향상시킬 수 있음과 함께, 절곡시의 저항이 상승하는 것을 억제할 수 있다. 또, 브릿지 배선부의 재료에 예를 들어 금속 나노와이어 등을 사용한 경우와 비교하여, 브릿지 배선부의 불가시성을 보다 높일 수 있다.
상기 정전 용량식 센서에 있어서, 상기 제 2 투명 전극과 상기 브릿지 배선부의 접촉 영역을 포함하는 사각형의 면적은, 10000 ㎛2 이상이어도 된다. 이것에 의하면, 제 2 투명 전극과 브릿지 배선부의 접촉 면적이 넓어지기 때문에, 그 접촉 부분이 ESD 에 의해 용단되는 것을 억제할 수 있다. 요컨대, ESD 내성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
상기 정전 용량식 센서에 있어서, 상기 제 2 투명 전극과 상기 브릿지 배선부의 접촉 영역을 포함하는 사각형의 면적은, 12000 ㎛2 이상이어도 된다. 이것에 의하면, 제 2 투명 전극과 브릿지 배선부의 접촉 면적이 넓어지기 때문에, ESD 내성이 저하되는 것을 억제할 수 있음과 함께, 85 ℃ 85 ％ 고온 고습 신뢰성 시험에 있어서, 투명 전극과 브릿지 배선부의 접촉 부분의 전기 저항치의 상승을 안정화시킬 수 있다.
상기 정전 용량식 센서에 있어서, 상기 제 2 방향에 대해 직교하는 방향에 있어서의 상기 브릿지 배선부의 치수 (브릿지 배선부의 폭) 는, 100 ㎛ 이상이어도 된다. 제 2 투명 전극과 브릿지 배선부의 접촉부에서는, 제 2 투명 전극에 포함되는 도전성 나노와이어와 브릿지 배선부에 포함되는 아모르퍼스 산화물계 재료가 전기적으로 접속되어 있다. 그리고, 브릿지 배선부는 이웃하는 2 개의 제 2 투명 전극 (일방의 제 2 투명 전극, 타방의 제 2 투명 전극) 을 전기적으로 접속하는 것이기 때문에, 브릿지 배선부에서는 제 2 방향으로 전류가 흐르고, 브릿지 배선부와 제 2 투명 전극의 접촉부에 있어서도 동일하게 브릿지 배선부 안을 제 2 방향을 따라서 전류가 흐른다. 따라서, 일방의 제 2 투명 전극으로부터 브릿지 배선부를 흘러 타방의 제 2 투명 전극에 도달한 전류는, 타방의 제 2 투명 전극에 있어서의 브릿지 배선부에 접하는 복수의 도전성 나노와이어로 분산되어 흘러 들어갈 때, 이들 복수의 도전성 나노와이어의 각각에 균등하게 전류가 흐르지 않고, 일방의 제 2 투명 전극에 가까운 위치의 도전성 나노와이어일수록 전류가 흘러 들어가기 쉽다. 그러므로, 브릿지 배선부의 폭이 좁고, 브릿지 배선부와 제 2 투명 전극의 접촉부에 있어서도 제 2 방향과 직교하는 방향의 길이가 작은 (폭이 좁은) 경우에는, 일방의 제 2 투명 전극에 가까운 위치의 도전성 나노와이어에 큰 전류가 흐르기 쉬워, 도전성 나노와이어의 용단이 발생하기 쉽다. 이에 반해, 브릿지 배선부의 폭이 넓고, 브릿지 배선부와 제 2 투명 전극의 접촉부의 폭이 넓은 경우에는, 브릿지 배선부를 흘러 온 전류는, 신속하게 많은 도전성 나노와이어로 분기되어 흐를 수 있다. 이 경우에는, 도전성 나노와이어 개개에 과전류가 흐를 가능성은 낮아지기 때문에, 도전성 나노와이어의 용단은 발생하기 어렵다. 이와 같이, 제 2 투명 전극이 도전성 나노와이어를 포함하는 경우에는, 브릿지 배선부를 벌크적으로 흘러 온 전류가 도전성 나노와이어와의 접촉부에 있어서 분기되기 때문에, 접촉부에 있어서의 전류의 흐름이 최초로 발생하는 부분에 있어서 특히 도전성 나노와이어의 용단이 발생하기 쉽다. 따라서, 브릿지 배선부의 폭을 어느 정도 넓게 하는 것, 구체적으로는 100 ㎛ 이상으로 함으로써, 브릿지 배선부와 제 2 투명 전극의 접촉부에 있어서 도전성 나노와이어가 용단될 가능성을 보다 저감시킬 수 있다. 요컨대, ESD 내성이 저하되는 것을 보다 안정적으로 억제할 수 있다.
상기 정전 용량식 센서에 있어서, 상기 반사 저감층의 굴절률은, 1.75 이상이어도 된다. 이것에 의하면, 제 2 방향에 대해 직교하는 방향에 있어서의 브릿지 배선부의 치수가 100 ㎛ (마이크로미터) 이상이어도, 브릿지 배선부의 불가시성을 확보할 수 있는 경우가 있다.
상기 정전 용량식 센서에 있어서, 상기 주면의 법선을 따른 방향에 있어서의 상기 반사 저감층의 치수는, 2 ㎛ 이상이어도 된다. 이것에 의하면, 제 2 방향에 대해 직교하는 방향에 있어서의 브릿지 배선부의 치수가 100 ㎛ 이상이어도, 브릿지 배선부의 불가시성을 확보할 수 있는 경우가 있다.
상기 정전 용량식 센서에 있어서, 상기 주면의 법선을 따른 방향에 있어서의 상기 반사 저감층의 치수가 50 ㎚ 내지 150 ㎚ 인 것과 함께, 상기 반사 저감층의 굴절률이 1.6 내지 1.8 인 것이 바람직한 경우가 있다. 그러한 경우로서, 정전 용량식 센서의 기재측에 흑색계의 반사체가 위치하는 경우를 들 수 있다.
본 발명에 의하면, 브릿지 배선부의 불가시성을 확보하면서, 도통 안정성 및 ESD 내성이 저하되는 것을 억제함과 함께, 절곡시의 저항이 상승하는 것을 억제할 수 있는 정전 용량식 센서를 제공하는 것이 가능해진다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서를 나타내는 평면도이다.
도 2 는 도 1 에 나타낸 영역 (A1) 을 확대한 평면도이다.
도 3 은 도 2 에 나타낸 절단면 C1-C1 에 있어서의 단면도이다.
도 4 는 도 2 에 나타낸 절단면 C2-C2 에 있어서의 단면도이다.
도 5 는 접촉 면적과 ESD 내성의 관계를 예시하는 그래프이다.
도 6 은 켈빈 패턴을 모식적으로 예시하는 평면도이다.
도 7 은 접촉 면적과 ESD 내성의 다른 관계를 예시하는 그래프이다.
도 8 은 접촉 면적과 전기 저항치의 관계를 예시하는 그래프이다.
도 9 는 반사 저감층의 유무에 관한 비교를 예시하는 사진이다.
도 10 은 반사 저감층의 굴절률과, 브릿지 배선부의 폭과, 브릿지 배선부의 불가시성의 관계를 예시하는 표이다.
도 11 은 반사 저감층의 두께와, 브릿지 배선부의 폭과, 브릿지 배선부의 불가시성의 관계를 예시하는 표이다.
도 12 는 본 발명의 제 1 실시형태의 다른 예에 관련된 정전 용량식 센서의 구조를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 13 은 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서의 구조를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 14 는 본 발명의 제 3 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서의 구조를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 15 는 비교예에 관련된 정전 용량식 센서의 구조를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 16 은 실시예에 있어서 제작한 시험 부재의 구성을 나타내는 표이다.
도 17 은 실시예에 있어서 제작한 시험 부재의 불가시성의 평가 결과를 나타내는 표이다.
도 18 은 실시예에 있어서 제작한 시험 부재의 투명 전극 영역에 대해 광학 특성을 측정한 결과를 나타내는 표이다.
도 19 는 실시예에 있어서 제작한 시험 부재의 색공간의 측정 결과를 나타내는 표이다.
(제 1 실시형태)
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 각 도면 중, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 부여하고 상세한 설명은 적절히 생략한다.
도 1 은, 본 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1) 를 나타내는 평면도이다.
도 2 는, 도 1 에 나타낸 영역 (A1) 을 확대한 평면도이다.
도 3 은, 도 2 에 나타낸 절단면 C1-C1 에 있어서의 단면도이다.
도 4 는, 도 2 에 나타낸 절단면 C2-C2 에 있어서의 단면도이다.
또한, 투명 전극은 투명하기 때문에 본래는 시인할 수 없지만, 도 1 및 도 2 에서는 이해를 쉽게 하기 위해 투명 전극의 외형을 나타내고 있다.
본원 명세서에 있어서 「투명」 및 「투광성」이란, 가시광선 투과율이 50 ％ 이상 (바람직하게는 80 ％ 이상) 인 상태를 가리킨다. 또한, 헤이즈값이 6 ％ 이하인 것이 바람직하다. 본원 명세서에 있어서 「차광」 및 「차광성」이란, 가시광선 투과율이 50 ％ 미만 (바람직하게는 20 ％ 미만) 인 상태를 가리킨다.
도 1 ∼ 도 4 에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1) 는, 기재 (2) 와, 제 1 투명 전극 (4) 과, 제 2 투명 전극 (5) 과, 연결부 (7) 와, 브릿지 배선부 (10) 와, 반사 저감층 (3) 을 구비한다. 브릿지 배선부 (10) 에서 보아 기재 (2) 와 반대측에 반사 저감층 (3) 이 형성되어 있다. 기재 (2) 와 반사 저감층 (3) 의 사이에는, 광학 투명 점착층 (OCA ; Optical Clear Adhesive) (30) 이 형성되어 있다. 기재 (2) 와 브릿지 배선부 (10) 의 사이에는, 절연층 (20) 이 형성되어 있다. 도 3 에 나타낸 바와 같이, 브릿지 배선부 (10) 가 형성된 부분에 있어서는, 광학 투명 점착층 (30) 은, 브릿지 배선부 (10) 와 반사 저감층 (3) 의 사이에 형성되어 있다.
기재 (2) 는, 투광성을 갖고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 등의 필름상의 투명 기재나 유리 기재 등으로 형성된다. 기재 (2) 의 일방의 주면 (기재 (2) 에 있어서의 Z1-Z2 방향을 따른 방향을 법선으로 하는 주면 중 Z1 측에 위치하는 주면으로, 이하 「표면 (2a)」이라고 한다) 에는, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 이 형성되어 있다. 이 상세에 대해서는 후술한다. 도 3 에 나타낸 바와 같이, 반사 저감층 (3) 은, 브릿지 배선부 (10) 에서 보아 기재 (2) 와는 반대측에 형성되고, 투광성을 갖는다. 반사 저감층 (3) 의 재료로는, 예를 들어 플라스틱 기재 등을 들 수 있다. 후술하는 바와 같이, 반사 저감층 (3) 은 굴절률이 소정의 조건을 만족할 것이 요구되기 때문에, 지르코니아나 티타니아와 같은 굴절률이 큰 물질을 포함하는 입자가 유기계 재료로 이루어지는 매트릭스에 분산된 복합 재료로 반사 저감층 (3) 은 구성되어 있어도 된다.
도 1 에 나타낸 바와 같이, 정전 용량식 센서 (1) 는, 반사 저감층 (3) 측의 면의 법선을 따른 방향 (Z1-Z2 방향) 에서 보아, 검출 영역 (11) 과 비검출 영역 (25) 으로 이루어진다. 검출 영역 (11) 은, 손가락 등의 조작체에 의해 조작을 실시할 수 있는 영역이고, 비검출 영역 (25) 은, 검출 영역 (11) 의 외주측에 위치하는 액자상의 영역이다. 비검출 영역 (25) 은, 도시하지 않은 가식층에 의해 차광되어, 정전 용량식 센서 (1) 에 있어서의 반사 저감층 (3) 측의 면으로부터 기재 (2) 측의 면에 대한 광 (외광이 예시된다) 및 기재 (2) 측의 면으로부터 반사 저감층 (3) 측의 면에 대한 광 (정전 용량식 센서 (1) 와 조합하여 사용되는 표시 장치의 백라이트로부터의 광이 예시된다) 은, 비검출 영역 (25) 을 투과하기 어렵게 되어 있다.
도 1 에 나타낸 바와 같이, 기재 (2) 의 표면 (2a) 에는, 제 1 전극 연결체 (8) 와, 제 2 전극 연결체 (12) 가 형성되어 있다. 제 1 전극 연결체 (8) 는, 검출 영역 (11) 에 배치되고, 복수의 제 1 투명 전극 (4) 을 갖는다. 도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 복수의 제 1 투명 전극 (4) 은 표면 (2a) 에 형성되어 있다. 각 제 1 투명 전극 (4) 은, 가늘고 긴 연결부 (7) 를 개재하여 Y1-Y2 방향 (제 1 방향) 으로 연결되어 있다. 그리고, Y1-Y2 방향으로 연결된 복수의 제 1 투명 전극 (4) 을 갖는 제 1 전극 연결체 (8) 가, X1-X2 방향으로 간격을 두고 배열되어 있다. 연결부 (7) 는, 제 1 투명 전극 (4) 에 일체로서 형성되어 있다. 연결부 (7) 는, 이웃하는 2 개의 제 1 투명 전극 (4) 을 서로 전기적으로 접속하고 있다.
제 1 투명 전극 (4) 및 연결부 (7) 는, 투광성을 갖고, 도전성 나노와이어를 포함하는 재료에 의해 형성된다. 도전성 나노와이어로는, 금 나노와이어, 은 나노와이어, 및 구리 나노와이어로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개가 사용된다. 도전성 나노와이어를 포함하는 재료를 사용함으로써, 제 1 투명 전극 (4) 의 높은 투광성과 함께 저전기 저항화를 꾀할 수 있다. 또, 도전성 나노와이어를 포함하는 재료를 사용함으로써, 정전 용량식 센서 (1) 의 변형 성능을 향상시킬 수 있다.
도전성 나노와이어를 포함하는 재료는, 도전성 나노와이어와 투명한 수지층을 갖는다. 도전성 나노와이어는, 수지층 중에 있어서 분산되어 있다. 도전성 나노와이어의 분산성은, 수지층에 의해 확보되어 있다. 투명한 수지층의 재료로는, 예를 들어, 폴리에스테르 수지, 아크릴 수지, 및 폴리우레탄 수지 등을 들 수 있다. 복수의 도전성 나노와이어가 적어도 일부에 있어서 서로 접촉함으로써, 도전성 나노와이어를 포함하는 재료의 면내에 있어서의 도전성이 유지되어 있다.
제 2 전극 연결체 (12) 는, 검출 영역 (11) 에 배치되고, 복수의 제 2 투명 전극 (5) 을 갖는다. 도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 복수의 제 2 투명 전극 (5) 은, 기재 (2) 의 표면 (2a) 에 형성되어 있다. 이와 같이, 제 2 투명 전극 (5) 은, 제 1 투명 전극 (4) 과 동일면 (기재 (2) 의 표면 (2a)) 에 형성되어 있다. 각 제 2 투명 전극 (5) 은, 가늘고 긴 브릿지 배선부 (10) 를 개재하여 X1-X2 방향 (제 2 방향) 으로 연결되어 있다. 그리고, X1-X2 방향으로 연결된 복수의 제 2 투명 전극 (5) 을 갖는 제 2 전극 연결체 (12) 가, Y1-Y2 방향으로 간격을 두고 배열되어 있다. 브릿지 배선부 (10) 는, 제 2 투명 전극 (5) 과는 별체로서 형성되어 있다. 또한, X1-X2 방향은, Y1-Y2 방향과 교차하고 있다. 예를 들어, X1-X2 방향은, Y1-Y2 방향과 수직으로 교차하고 있다.
제 2 투명 전극 (5) 은, 투광성을 갖고, 도전성 나노와이어를 포함하는 재료에 의해 형성된다. 도전성 나노와이어는, 제 1 투명 전극 (4) 의 재료에 관해서 전술한 바와 같다.
브릿지 배선부 (10) 는, 투광성을 갖고, 아모르퍼스 산화물계 재료를 포함하는 재료에 의해 형성된다. 아모르퍼스 산화물계 재료로는, 아모르퍼스 ITO (Indium Tin Oxide), 아모르퍼스 IZO (Indium Zinc Oxide), 아모르퍼스 GZO (Gallium-doped Zinc Oxide), 아모르퍼스 AZO (Aluminum-doped Zinc Oxide) 및 아모르퍼스 FTO (Fluorine-doped Zinc Oxide) 로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개가 사용된다.
혹은, 브릿지 배선부 (10) 는, 아모르퍼스 ITO 등의 아모르퍼스 산화물계 재료를 포함하는 제 1 층과, 제 1 층보다 저저항이며 투명한 금속으로 이루어지는 제 2 층을 가지고 있어도 된다. 또, 브릿지 배선부 (10) 는, 아모르퍼스 ITO 등의 아모르퍼스 산화물계 재료를 포함하는 제 3 층을 추가로 가지고 있어도 된다. 브릿지 배선부 (10) 가 제 1 층과 제 2 층의 적층 구조, 혹은 제 1 층과 제 2 층과 제 3 층의 적층 구조를 갖는 경우에는, 브릿지 배선부 (10) 와, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 사이에 있어서 에칭 선택성을 갖는 것이 바람직하다.
도 2 ∼ 도 4 에 나타내는 바와 같이, 각 제 1 투명 전극 (4) 간을 연결하는 연결부 (7) 의 표면에는, 절연층 (20) 이 형성되어 있다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 절연층 (20) 은, 연결부 (7) 와 제 2 투명 전극 (5) 사이의 공간을 메우고, 제 2 투명 전극 (5) 의 표면에도 다소 얹혀져 있다. 절연층 (20) 으로는, 예를 들어 노볼락 수지 (레지스트) 가 사용된다.
도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 브릿지 배선부 (10) 는, 절연층 (20) 의 표면 (20a) 으로부터 절연층 (20) 의 X1-X2 방향의 양측에 위치하는 각 제 2 투명 전극 (5) 의 표면에 걸쳐서 형성되어 있다. 브릿지 배선부 (10) 는, 이웃하는 2 개의 제 2 투명 전극 (5) 을 서로 전기적으로 접속하고 있다.
도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 각 제 1 투명 전극 (4) 간을 접속하는 연결부 (7) 의 표면에는 절연층 (20) 이 형성되어 있고, 절연층 (20) 의 표면에 각 제 2 투명 전극 (5) 간을 접속하는 브릿지 배선부 (10) 가 형성되어 있다. 이와 같이, 연결부 (7) 와 브릿지 배선부 (10) 의 사이에는 절연층 (20) 이 개재되어, 제 1 투명 전극 (4) 과 제 2 투명 전극 (5) 은 전기적으로 절연된 상태로 되어 있다. 본 실시형태에서는, 제 1 투명 전극 (4) 과 제 2 투명 전극 (5) 이 동일면 (기재 (2) 의 표면 (2a)) 에 형성되어 있기 때문에, 정전 용량식 센서 (1) 의 박형화를 실현할 수 있다.
또한, 도 2 ∼ 도 4 에 나타낸 연결부 (7) 는, 제 1 투명 전극 (4) 에 일체로서 형성되고, Y1-Y2 방향으로 연장되어 있다. 또, 도 2 ∼ 도 4 에 나타낸 브릿지 배선부 (10) 는, 연결부 (7) 를 덮는 절연층 (20) 의 표면 (20a) 에 제 2 투명 전극 (5) 과는 별체로서 형성되고, X1-X2 방향으로 연장되어 있다. 단, 연결부 (7) 및 브릿지 배선부 (10) 의 배치 형태는, 이것만으로는 한정되지 않는다. 예를 들어, 연결부 (7) 는, 제 1 투명 전극 (4) 에 일체로서 형성되고, X1-X2 방향으로 연장되어 있어도 된다. 이 경우에는, 연결부 (7) 는, 이웃하는 2 개의 제 2 투명 전극 (5) 을 서로 전기적으로 접속한다. 브릿지 배선부 (10) 는, 연결부 (7) 를 덮는 절연층 (20) 의 표면 (20a) 에 제 1 투명 전극 (4) 과는 별체로서 형성되고, Y1-Y2 방향으로 연장되어 있어도 된다. 이 경우에는, 브릿지 배선부 (10) 는, 이웃하는 2 개의 제 1 투명 전극 (4) 을 서로 전기적으로 접속한다. 본 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1) 의 설명에서는, 브릿지 배선부 (10) 가, 연결부 (7) 를 덮는 절연층 (20) 의 표면 (20a) 에 제 2 투명 전극 (5) 과는 별체로서 형성되고, X1-X2 방향으로 연장된 경우를 예로 든다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 비검출 영역 (25) 에는, 각 제 1 전극 연결체 (8) 및 각 제 2 전극 연결체 (12) 로부터 끌어낸 복수 개의 배선부 (6) 가 형성되어 있다. 제 1 전극 연결체 (8) 및 제 2 전극 연결체 (12) 의 각각은, 접속 배선 (16) 을 개재하여 배선부 (6) 와 전기적으로 접속되어 있다. 각 배선부 (6) 는, 도시하지 않은 플렉시블 프린트 기판과 전기적으로 접속되는 외부 접속부 (27) 에 접속되어 있다. 즉, 각 배선부 (6) 는, 제 1 전극 연결체 (8) 및 제 2 전극 연결체 (12) 와, 외부 접속부 (27) 를 전기적으로 접속하고 있다. 외부 접속부 (27) 는, 예를 들어 도전 페이스트, Cu, Cu 합금, CuNi 합금, Ni, Ag, Au 등의 금속을 갖는 재료를 개재하여, 도시하지 않은 플렉시블 프린트 기판과 전기적으로 접속되어 있다.
각 배선부 (6) 는, Cu, Cu 합금, CuNi 합금, Ni, Ag, Au 등의 금속을 갖는 재료에 의해 형성된다. 접속 배선 (16) 은, ITO, 금속 나노와이어 등의 투명 도전성 재료로 형성되고, 검출 영역 (11) 으로부터 비검출 영역 (25) 으로 연장되어 있다. 배선부 (6) 는, 접속 배선 (16) 상에 비검출 영역 (25) 내에서 적층되고, 접속 배선 (16) 과 전기적으로 접속되어 있다.
배선부 (6) 는, 기재 (2) 의 표면 (2a) 에 있어서의 비검출 영역 (25) 에 위치하는 부분에 형성되어 있다. 외부 접속부 (27) 도, 배선부 (6) 와 마찬가지로, 기재 (2) 의 표면 (2a) 에 있어서의 비검출 영역 (25) 에 위치하는 부분에 형성되어 있다.
도 1 에서는, 이해를 쉽게 하기 위해서 배선부 (6) 나 외부 접속부 (27) 가 시인되도록 표시하고 있지만, 실제로는, 비검출 영역 (25) 에 위치하는 부분에는, 차광성을 갖는 가식층 (도시 생략) 이 형성되어 있다. 이 때문에, 정전 용량식 센서 (1) 를 반사 저감층 (3) 측의 면에서 보면, 배선부 (6) 및 외부 접속부 (27) 는 가식층에 의해 은폐되어, 시인되지 않는다. 가식층을 구성하는 재료는, 차광성을 갖는 한 임의이다. 가식층은 절연성을 가지고 있어도 된다.
본 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1) 에서는, 도 3 에 나타내는 바와 같이 예를 들어 반사 저감층 (3) 의 면 (3a) 상에 조작체의 일례로서 손가락을 접촉시키면, 손가락과 손가락에 가까운 제 1 투명 전극 (4) 의 사이, 및 손가락과 손가락에 가까운 제 2 투명 전극 (5) 의 사이에서 정전 용량이 생긴다. 정전 용량식 센서 (1) 는, 이 때의 정전 용량 변화에 기초하여, 손가락의 접촉 위치를 산출하는 것이 가능하다. 정전 용량식 센서 (1) 는, 손가락과 제 1 전극 연결체 (8) 사이의 정전 용량 변화에 기초하여 손가락의 위치의 X 좌표를 검지하고, 손가락과 제 2 전극 연결체 (12) 사이의 정전 용량 변화에 기초하여 손가락의 위치의 Y 좌표를 검지한다 (자기 용량 검출형).
혹은, 정전 용량식 센서 (1) 는, 상호 용량 검출형이어도 된다. 즉, 정전 용량식 센서 (1) 는, 제 1 전극 연결체 (8) 및 제 2 전극 연결체 (12) 의 어느 일방의 전극의 일렬에 구동 전압을 인가하여, 제 1 전극 연결체 (8) 및 제 2 전극 연결체 (12) 의 어느 타방의 전극과 손가락 사이의 정전 용량의 변화를 검지해도 된다. 이로써, 정전 용량식 센서 (1) 는, 타방의 전극에 의해 손가락의 위치의 Y 좌표를 검지하고, 일방의 전극에 의해 손가락의 위치의 X 좌표를 검지한다.
여기서, 투명 전극이 도전성 나노와이어를 포함하는 재료에 의해 형성된 경우에는, 투명 전극과 브릿지 배선부의 접촉 면적이 비교적 좁아지는 경우가 있다. 즉, 도전성 나노와이어는, 투명 전극의 표면에 노출된 도전성 와이어에 의해 브릿지 배선부와의 도전성을 확보하고 있다. 그 때문에, 브릿지 배선부의 재료가 도전성 나노와이어를 포함하는 재료인 경우에는, 투명 전극과 브릿지 배선부의 접촉은, 와이어와 와이어의 점 접촉이 된다. 혹은, 브릿지 배선부의 재료가 예를 들어 ITO 등의 산화물계 재료인 경우에는, 투명 전극과 브릿지 배선부의 접촉은, 와이어의 선 혹은 점과 면의 접촉이 된다. 이로써, 투명 전극의 재료에 도전성 나노와이어를 포함하는 재료를 사용하면, 투명 전극과 브릿지 배선부의 접촉 면적이 비교적 좁아지는 경우가 있다.
그러면, 도통 안정성이 저하되는 경우가 있다. 또, 정전기 방전 (ESD ; Electro Static Discharge) 이 발생하여, 대전류가 투명 전극과 브릿지 배선부의 접촉 부분에 흐르면, 그 접촉 부분이 국소적으로 발열하여 용단되는 경우가 있다. 요컨대, 투명 전극의 재료에 도전성 나노와이어를 포함하는 재료를 사용하면, 정전 용량식 센서의 변형 성능이 향상되는 한편, 도통 안정성 및 ESD 내성이 저하되는 경우가 있다. 또, 브릿지 배선부의 재료에 결정성의 산화물계 재료나 금속계 재료를 사용하면, 절곡시의 저항이 상승하거나, 브릿지 배선부가 단선되거나 하는 경우가 있다.
그래서, 브릿지 배선부의 사이즈를 크게 함으로써, 투명 전극과 브릿지 배선부의 접촉 면적을 넓게 하는 것이 고려된다. 그러나, 브릿지 배선부의 사이즈를 크게 하면, 브릿지 배선부가 시인되기 쉬워진다는 문제가 있다.
이에 대하여, 본 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1) 에서는, 제 2 투명 전극 (5) 은 도전성 나노와이어를 포함하고, 브릿지 배선부 (10) 는 아모르퍼스 산화물계 재료를 포함하고 있다. 그 때문에, 브릿지 배선부 (10) 의 재료에 결정성의 산화물계 재료나 금속계 재료를 사용한 경우와 비교하여, 정전 용량식 센서 (1) 의 변형 성능을 향상시킬 수 있음과 함께, 제 2 투명 전극 (5) 과 브릿지 배선부 (10) 의 밀착성을 확보할 수 있다. 또, 절곡시의 저항이 상승하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 브릿지 배선부 (10) 에서 보아 기재 (2) 와는 반대측에는, 반사 저감층 (3) 이 형성되어 있다. 반사 저감층 (3) 의 굴절률은, 제 2 투명 전극 (5) 의 굴절률보다 높고, 브릿지 배선부 (10) 의 굴절률보다 낮다. 이로써, 브릿지 배선부 (10) 의 사이즈를 크게 하여, 제 2 투명 전극 (5) 과 브릿지 배선부 (10) 의 접촉 면적을 넓게 한 경우라도, 반사 저감층 (3) 이 브릿지 배선부 (10) 의 표면에 있어서의 광의 반사를 저감시킴으로써, 브릿지 배선부 (10) 의 불가시성을 확보할 수 있다. 그 때문에, 브릿지 배선부 (10) 의 사이즈를 크게 할 수 있어, 도통 안정성 및 ESD 내성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
도전성 나노와이어가 금 나노와이어, 은 나노와이어, 및 구리 나노와이어로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개인 경우에는, 제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극 (5) 의 재료로 예를 들어 ITO 등의 산화물계 재료를 사용한 경우와 비교하여, 정전 용량식 센서 (1) 의 변형 성능을 향상시킬 수 있음과 함께, 절곡시의 저항이 상승하는 것을 보다 억제할 수 있다.
아모르퍼스 산화물계 재료가 아모르퍼스 ITO, 아모르퍼스 IZO, 아모르퍼스 GZO, 아모르퍼스 AZO, 및 아모르퍼스 FTO 로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개인 경우에는, 브릿지 배선부 (10) 의 재료로 예를 들어 결정성 ITO 등을 사용한 경우와 비교하여, 정전 용량식 센서 (1) 의 변형 성능을 향상시킬 수 있음과 함께, 절곡시의 저항이 상승하는 것을 억제할 수 있다. 또, 브릿지 배선부 (10) 의 재료에 예를 들어 금속 나노와이어 등을 사용한 경우와 비교하여, 브릿지 배선부 (10) 의 불가시성을 보다 높일 수 있다.
다음으로, 본 발명자가 실시한 검토의 결과에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다.
도 5 는, 접촉 면적과 ESD 내성의 관계를 예시하는 그래프이다.
도 6 은, 켈빈 패턴을 모식적으로 예시하는 평면도이다.
본 발명자는, 도 6 에 나타낸 켈빈 패턴을 사용하여, 접촉 부분 (P1) 의 ESD 내압을 측정하였다. ESD 내압 시험은, 직접 인가 방식이다. 그 때문에, ESD 내압 시험에 대해서는, 인체 모델 (HBM : Human Body Model) 시험을 실시하였다. 이 인체 모델 시험은, JEITA 규격 : EIAJ ED-4701/300 시험 방법 304 에 기초하였다.
도 6 에 나타낸 바와 같이, 본 시험에서는, 은 나노와이어를 포함하는 제 1 시료 (5A) 와, 아모르퍼스 ITO 를 포함하는 제 2 시료 (10A) 를 서로 교차시키고 있다. 제 1 시료 (5A) 는, 제 2 투명 전극 (5) 에 상당한다. 제 2 시료 (10A) 는, 브릿지 배선부 (10) 에 상당한다. 본 시험에서는, 접촉 부분 (P1) 의 X1-X2 방향의 치수 (L11) 및 접촉 부분 (P1) 의 Y1-Y2 방향의 치수 (L12) 중 어느 일방을 100 ㎛ 로 고정시키고, 치수 (L11) 및 치수 (L12) 중 어느 타방을 변화시킴으로써, 접촉 부분 (P1) 의 접촉 면적을 변화시켰다. 제 1 시료 (5A) 와 제 2 시료 (10A) 의 접촉 부분 (P1) 의 접촉 면적과 ESD 내성 사이의 관계는, 도 5 에 나타낸 바와 같다.
도 5 에 나타낸 그래프의 가로축은, 접촉 부분 (P1) 의 접촉 면적 (단위 : ㎛2) 을 나타낸다. 도 5 에 나타낸 그래프의 세로축은, ESD 내압 (단위 : ㎸) 을 나타낸다. 본원 명세서에 있어서 「ESD 내압」이란, ESD 에 의한 파괴 (용단) 가 발생했을 때의 전압을 말하는 것으로 한다.
본 발명자가 본 시험에 의해 얻은 지견에 의하면, 접촉 부분 (P1) 의 접촉 면적이 10000 ㎛2 미만인 경우에는, 접촉 부분 (P1) 에 있어서 ESD 에 의한 파괴가 발생하였다. 한편, 접촉 부분 (P1) 의 접촉 면적이 10000 ㎛2 이상인 경우에는, 접촉 부분 (P1) 이 아니라 브릿지 배선부 (10) 에 상당하는 제 2 시료 (10A) 자체에 있어서 ESD 에 의한 파괴가 발생하였다.
이로써, 접촉 부분 (P1) 의 접촉 면적이 10000 ㎛2 이상인 경우에는, 제 2 투명 전극 (5) 에 상당하는 제 1 시료 (5A) 와 브릿지 배선부 (10) 에 상당하는 제 2 시료 (10A) 의 접촉 부분 (P1) 의 접촉 면적을 넓게 하여, 접촉 부분 (P1) 이 ESD 에 의해 파괴되는 것을 억제할 수 있다. 요컨대, ESD 내성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
도 7 은, 접촉 면적과 ESD 내성의 다른 관계를 예시하는 그래프이다.
본 발명자는, 다른 시료를 사용하여, 접촉 부분 (P1) 의 ESD 내압을 측정하였다. 즉, 도 6 에 나타낸 바와 같이, 본 시험에서는, 은 나노와이어를 포함하는 제 1 시료 (5A) 와, 아모르퍼스 ITO 와 구리 (Cu) 와 아모르퍼스 ITO 의 적층 구조를 갖는 제 2 시료 (10B) 를 서로 교차시키고 있다. 제 2 시료 (10B) 에 있어서, 구리 (Cu) 는, 2 개의 아모르퍼스 ITO 의 사이에 형성되어 있다.
제 1 시료 (5A) 는, 제 2 투명 전극 (5) 에 상당한다. 제 2 시료 (10B) 는, 브릿지 배선부 (10) 에 상당한다. 본 시험의 방법은, 도 5 및 도 6 에 관해서 전술한 바와 같다. 제 1 시료 (5A) 와 제 2 시료 (10B) 의 접촉 부분 (P1) 의 접촉 면적과 ESD 내성 사이의 관계는, 도 7 에 나타낸 바와 같다.
본 발명자가 본 시험에 의해 얻은 지견에 의하면, 접촉 부분 (P1) 의 접촉 면적이 10000 ㎛2 미만인 경우에는, 접촉 부분 (P1) 에 있어서 ESD 에 의한 파괴가 발생하였다. 한편, 접촉 부분 (P1) 의 접촉 면적이 10000 ㎛2 이상인 경우에는, 접촉 부분 (P1) 이 아니라 브릿지 배선부 (10) 에 상당하는 제 2 시료 (10B) 자체에 있어서 ESD 에 의한 파괴가 발생하였다.
이로써, 브릿지 배선부 (10) 가 적층 구조를 갖는 경우에 있어서도, 접촉 부분 (P1) 의 접촉 면적이 10000 ㎛2 이상인 경우에는, 제 2 투명 전극 (5) 에 상당하는 제 1 시료 (5A) 와 브릿지 배선부 (10) 에 상당하는 제 2 시료 (10B) 의 접촉 부분 (P1) 의 접촉 면적을 넓게 하여, 접촉 부분 (P1) 이 ESD 에 의해 파괴되는 것을 억제할 수 있다. 요컨대, ESD 내성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
도 8 은, 접촉 면적과 전기 저항치의 관계를 예시하는 그래프이다.
본 발명자가 얻은 지견에 의하면, 온도 85 ℃, 습도 85 ％ 의 환경에 240 시간 방치하는 환경 시험 (85 ℃ 85 ％ 고온 고습 신뢰성 시험) 의 전후에 있어서, 접촉 부분 (P1) 의 전기 저항치가 상승한다. 그래서, 본 발명자는, 도 6 에 관해서 전술한 켈빈 패턴을 사용하여, 85 ℃ 85 ％ 고온 고습 신뢰성 시험을 실시한 후의 접촉 부분 (P1) 의 전기 저항치를 측정하였다. 본 환경 시험은, JEITA 규격 : EIAJED-4701/100 시험 방법 103 에 기초하였다.
본 시험에서 사용한 시료는, 은 나노와이어를 포함하는 제 1 시료 (5A), 및 아모르퍼스 ITO 를 포함하는 제 2 시료 (10A) 이다. 그 밖의 시험 방법은, 도 5 및 도 6 에 관해서 전술한 바와 같다. 제 1 시료 (5A) 와 제 2 시료 (10A) 의 접촉 부분 (P1) 의 접촉 면적과 전기 저항치 사이의 관계는, 도 8 에 나타낸 바와 같다.
도 8 에 나타낸 그래프의 가로축은, 도 5 에 나타낸 그래프의 가로축과 동일하다. 도 8 에 나타낸 그래프의 세로축은, 접촉 부분 (P1) 의 전기 저항치 (단위 : Ω) 를 나타낸다.
본 발명자가 본 시험에 의해 얻은 지견에 의하면, 접촉 부분 (P1) 의 접촉 면적이 12000 ㎛2 미만인 경우에는, 접촉 면적에 따른 전기 저항치의 상승이 비교적 크다. 한편, 접촉 부분 (P1) 의 접촉 면적이 12000 ㎛2 이상인 경우에는, 접촉 면적에 따른 전기 저항치의 상승이 비교적 작고, 또 비교적 안정적이다.
이로써, 접촉 부분 (P1) 의 접촉 면적이 12000 ㎛2 이상인 경우에는, 85 ℃ 85 ％ 고온 고습 신뢰성 시험에 있어서, 제 2 투명 전극 (5) 에 상당하는 제 1 시료 (5A) 와 브릿지 배선부 (10) 에 상당하는 제 2 시료 (10A) 의 접촉 부분 (P1) 의 전기 저항치의 상승을 안정화시킬 수 있다.
도 9 는, 반사 저감층의 유무에 관한 비교를 예시하는 사진이다.
도 9(a) 는, 반사 저감층 (3) 이 형성되어 있지 않은 비교예를 나타내는 사진이다. 도 9(b) 는, 본 실시형태의 반사 저감층 (3) 이 형성된 예를 나타내는 사진이다. 도 9(b) 에 나타낸 사진에 있어서의 반사 저감층 (3) 의 굴절률은, 1.79 이다.
도 9(a) 에 나타낸 바와 같이, 반사 저감층 (3) 이 형성되어 있지 않은 경우에는, 절연층 (20) 의 가장자리를 명확하게 시인할 수 있다. 또, 브릿지 배선부 (10) 에 있어서 반사된 광의 밝기가 제 2 투명 전극 (5) 에 있어서 반사된 광의 밝기와는 상이하여, 브릿지 배선부 (10) 를 명확하게 시인할 수 있다.
이에 반해, 도 9(b) 에 나타낸 바와 같이, 반사 저감층 (3) 이 형성된 경우에는, 도 9(a) 에 나타낸 비교예와 비교하면 절연층 (20) 의 가장자리는 시인되기 어렵게 되어 있다. 또, 브릿지 배선부 (10) 에 있어서 반사된 광의 밝기가 제 2 투명 전극 (5) 에 있어서 반사된 광의 밝기와 대략 동일하여, 브릿지 배선부 (10) 를 거의 시인할 수 없다. 도 9(a) 및 도 9(b) 에 나타낸 바와 같이, 반사 저감층 (3) 은, 브릿지 배선부 (10) 의 표면에 있어서의 광의 반사를 저감시켜, 브릿지 배선부 (10) 의 불가시성을 높일 수 있다. 또한, 도 9 에서는, 정전 용량식 센서 (1) 의 관찰측과 반대측의 면에는 특단의 부재가 형성되어 있지 않다. 이하, 이와 같이 관찰측으로부터 입사된 광이 이면측으로 투과할 수 있는 상태에서 관찰하는 것을 「명시야」에서 관찰한다고 한다.
도 10 은, 은 나노와이어를 포함하는 층과 브릿지 배선부를 구비하는 구조체 위에 형성된 반사 저감층의 굴절률과, 브릿지 배선부의 폭과, 브릿지 배선부의 불가시성의 관계를 예시하는 표이다. 은 나노와이어를 포함하는 층의 굴절률은 1.5 이고, 브릿지 배선부의 굴절률은 2.0 이었다.
도 10 에 나타낸 표 중의 둥근 표시 (○) 는, 브릿지 배선부 (10) 가 불가시성인 경우 (브릿지 배선부 (10) 를 시인할 수 없었던 경우) 를 나타내고 있다. 한편, 도 10 에 나타낸 표의 X 자 표시 (×) 는, 브릿지 배선부 (10) 가 시인되었을 경우를 나타내고 있다.
본 발명자가 도 5 ∼ 도 8 에 관해서 전술한 시험에 의해 얻은 지견에 의하면, 접촉 부분 (P1) 의 X1-X2 방향의 치수 (L11) 및 접촉 부분 (P1) 의 Y1-Y2 방향의 치수 (L12) 중 적어도 어느 하나가 100 ㎛ 이상일 필요가 있다. 치수 (L11) 및 치수 (L12) 중 적어도 어느 하나는, 도 2 에 나타낸 바와 같이, 제 2 방향에 대해 직교하는 방향에 있어서의 브릿지 배선부 (10) 의 치수 (폭) (L1) 에 상당한다.
제 2 투명 전극 (5) 과 브릿지 배선부 (10) 의 접촉부에서는, 제 2 투명 전극 (5) 에 포함되는 도전성 나노와이어와 브릿지 배선부 (10) 에 포함되는 아모르퍼스 산화물계 재료가 전기적으로 접속되어 있다. 그리고, 브릿지 배선부 (10) 는 이웃하는 2 개의 제 2 투명 전극 (일방의 제 2 투명 전극, 타방의 제 2 투명 전극) 을 전기적으로 접속하는 것이기 때문에, 브릿지 배선부 (10) 에서는 제 2 방향으로 전류가 흐르고, 브릿지 배선부 (10) 와 제 2 투명 전극 (5) 의 접촉부에 있어서도 동일하게 브릿지 배선부 (10) 안을 제 2 방향을 따라서 전류는 흐른다.
따라서, 일방의 제 2 투명 전극 (5) 으로부터 브릿지 배선부 (10) 를 흘러 타방의 제 2 투명 전극 (5) 에 도달한 전류는, 타방의 제 2 투명 전극 (5) 에 있어서의 브릿지 배선부 (10) 에 접하는 복수의 도전성 나노와이어로 분산되어 흘러들어갈 때, 이들 복수의 도전성 나노와이어의 각각에 균등하게 전류가 흐르지 않고, 일방의 제 2 투명 전극 (5) 에 가까운 위치의 도전성 나노와이어일수록 전류가 흘러 들어가기 쉽다. 그러므로, 브릿지 배선부 (10) 의 폭 (치수 (L1)) 이 좁고, 브릿지 배선부 (10) 와 제 2 투명 전극 (5) 의 접촉부에 있어서도 제 2 방향과 직교하는 방향의 길이가 작은 (폭이 좁은) 경우에는, 일방의 제 2 투명 전극 (5) 에 가까운 위치의 도전성 나노와이어에 큰 전류가 흐르기 쉬워, 도전성 나노와이어의 용단이 발생하기 쉽다.
이에 반해, 브릿지 배선부 (10) 의 폭이 넓고, 브릿지 배선부 (10) 와 제 2 투명 전극 (5) 의 접촉부의 폭이 넓은 경우에는, 브릿지 배선부 (10) 를 흘러 온 전류는, 신속하게 많은 도전성 나노와이어로 분기되어 흐를 수 있다. 이 경우에는, 도전성 나노와이어 개개에 과전류가 흐를 가능성이 낮아지기 때문에, 도전성 나노와이어의 용단은 발생하기 어렵다.
이와 같이, 제 2 투명 전극 (5) 이 도전성 나노와이어를 포함하는 경우에는, 브릿지 배선부 (10) 를 벌크적으로 흘러 온 전류가 도전성 나노와이어와의 접촉부에 있어서 분기되기 때문에, 접촉부에 있어서의 전류의 흐름이 최초로 발생하는 부분에 있어서 특히 도전성 나노와이어의 용단이 발생하기 쉽다. 따라서, 브릿지 배선부 (10) 의 폭을 어느 정도 넓게 하는 것, 구체적으로는 100 ㎛ 이상으로 함으로써, 브릿지 배선부 (10) 와 제 2 투명 전극 (5) 의 접촉부에 있어서 도전성 나노와이어가 용단될 가능성을 보다 저감시킬 수 있다.
여기서, 도 10 에 나타낸 바와 같이, 치수 (L1) 가 100 ㎛ 이상인 경우에 있어서, 반사 저감층 (3) 의 굴절률이 1.75 이상일 때에는, 브릿지 배선부 (10) 의 불가시성을 확보할 수 있는 경우가 있다. 구체적으로는, 반사 저감층 (3) 의 굴절률이 1.75 인 경우에는, 치수 (L1) 가 100 ㎛ 이상, 120 ㎛ 이하일 때, 브릿지 배선부 (10) 의 불가시성을 확보할 수 있다. 반사 저감층 (3) 의 굴절률이 1.79 이상, 1.82 이하인 경우에는, 치수 (L1) 가 100 ㎛ 이상, 150 ㎛ 이하일 때, 브릿지 배선부 (10) 의 불가시성을 확보할 수 있다.
도 11 은, 반사 저감층의 두께와, 브릿지 배선부의 폭과, 브릿지 배선부의 불가시성의 관계를 예시하는 표이다.
도 11 에 나타낸 표 중의 둥근 표시 (○) 및 X 자 표시 (×) 는, 도 10 에 관해서 전술한 바와 같다.
도 10 에 관해서 전술한 바와 같이, 제 2 방향에 대해 직교하는 방향에 있어서의 브릿지 배선부 (10) 의 치수 (폭) (L1) 는, 100 ㎛ 이상일 필요가 있다. 여기서, 도 11 에 나타낸 바와 같이, 치수 (L1) 가 100 ㎛ 이상인 경우에 있어서, 기재 (2) 의 표면 (2a) 의 법선을 따른 방향에 있어서의 반사 저감층 (3) 의 치수 (두께) (L2) (도 3 참조) 가 2 ㎛ 이상일 때는, 브릿지 배선부 (10) 의 불가시성을 확보할 수 있는 경우가 있다. 구체적으로는, 치수 (L2) 가 2 ㎛ 인 경우에는, 치수 (L1) 가 100 ㎛ 이상, 150 ㎛ 이하일 때, 브릿지 배선부 (10) 의 불가시성을 확보할 수 있다.
이상, 본 발명의 제 1 실시형태 및 그 적용예를 설명했지만, 본 발명은 이들 예로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제 1 실시형태 또는 그 적용예에 대해, 당업자가 적절히, 구성 요소의 추가, 삭제, 설계 변경을 실시한 것이나, 각 실시형태의 특징을 적절히 조합한 것도 본 발명의 요지를 구비하고 있는 한, 본 발명의 범위에 함유된다.
일 양태로서, 상기한 설명에서는, 기재 (2) 상에 형성된 제 1 전극 연결체 (8) 및 제 2 전극 연결체 (12) 를 구비하는 구조체와 반사 저감층 (3) 의 사이에는 광학 투명 점착층 (30) 이 배치되어 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 기재 (2) 상에 형성된 제 1 전극 연결체 (8) 및 제 2 전극 연결체 (12) 를 구비하는 구조체를 덮도록 반사 저감층 (3) 이 형성되어 있어도 된다. 이와 같은 구성은, 반사 저감층 (3) 을 형성하기 위한 조성물을 상기한 구조체 상에 도포하고, 이 도막을 경화하여 반사 저감층 (3) 을 형성하는 방법에 의해 얻을 수 있다.
또, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 반사 저감층 (3) 상에는, 광학 투명 점착층 (30) 을 개재하여 커버재 (40) 가 형성되어 있어도 된다. 커버재 (40) 를 구성하는 재료는 한정되지 않고, 폴리카보네이트 (PC) 등의 수지계 재료로 구성되어 있어도 되고, 유리 등의 무기계 재료로 구성되어 있어도 되며, 상이한 재료의 층으로 이루어지는 적층 구조를 가지고 있어도 된다. 또한, 도 5 에서 도 11 에 나타내는 결과는, 도 12 에 나타내는 구조를 사용하여 얻어진 것이다.
상기 서술한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1) 에 있어서, 기재 (2) 상에 형성된 제 1 전극 연결체 (8) 및 제 2 전극 연결체 (12) 를 구비하는 구조체를 덮도록 형성된 반사 저감층 (3) 은, 명시야에서 관찰했을 때에 브릿지 배선부 (10) 의 불가시성을 높이는 것에 기여한다.
(제 2 실시형태)
계속해서, 도 13 을 사용하여, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1A) 에 대해 설명한다. 또한, 제 1 실시형태와 동일 구성에 대해서는, 동일 부호를 부여하고 상세한 설명은 생략한다.
최근, 정전 용량식 센서의 조작측 (관찰측) 과는 반대측의 면 (이면) 에는, 유기 EL 소자 (OLED) 와 같이 국소적으로 발광할 수 있는 발광 소자가 배치되는 경우가 있다. 이 경우에는, 발광 소자가 발광하고 있지 않은 부분에서는, 정전 용량식 센서의 이면측에 검은 반사체가 위치하게 된다. 여기서, 정전 용량식 센서의 이면측을 투과할 수 있는 상태에 있지 않고, 정전 용량식 센서의 이면측에 흑색계의 반사체가 위치하는 상태에서 관찰하는 것을, 본 명세서에 있어서 「암시야」에서 관찰한다고 한다.
명시야과 암시야에서는, 정전 용량식 센서의 이면측으로부터의 광의 영향이 상이하기 때문에, 정전 용량식 센서를 암시야에서 관찰하면, 명시야에서 관찰하는 경우와는 불가시성이 상이한 경우가 있다. 특히, 제 1 실시형태의 구성에 의해, 명시야이면 불가시성을 향상시킬 수 있었던 브릿지 배선부 (10) 의 불가시성이, 암시야에서는 더욱 향상시키는 것이 바람직한 경우가 있다. 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1A) 에 의하면, 암시야에서의 불가시성을 향상시킬 수 있다.
도 13 은, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1A) 의 구조를 개념적으로 나타내는 단면도로, 도 3 및 도 12 와 마찬가지로, 제 2 투명 전극 (5) 이 나란히 정렬하는 방향 (X1-X2 방향) 을 포함하는 면을 절단면으로 하는 단면도이다. 제 2 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1A) 의 기본적인 구조는, 제 1 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1) 와 공통된다. 특히, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 반사 저감층 (3) 은, 기재 (2) 상에 형성된 제 1 전극 연결체 (8) 및 제 2 전극 연결체 (12) 를 구비하는 구조체를 직접적으로 덮도록 형성되어 있다. 제 2 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1A) 에 있어서의 도 12 에 나타나는 구성과의 상이점은, 반사 저감층 (3) 의 두께가 상대적으로 얇은 점이다.
도 11 을 사용하여 설명한 바와 같이, 제 1 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1) 의 반사 저감층 (3) 은, 두께가 2 ㎛ 이상인 것이 바람직하다. 이에 반해, 제 2 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1A) 의 반사 저감층 (3) 은, 제 2 투명 전극 (5) 의 굴절률보다 높고 브릿지 배선부 (10) 의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖고, 그 두께가 50 ㎚ 이상 150 ㎚ 이하인 것이 바람직하다. 이러한 굴절률의 범위의 구체예로서 1.6 내지 1.8 의 범위를 들 수 있다. 이와 같은 굴절률과 두께를 갖는 반사 저감층 (3) 을 구비함으로써, 정전 용량식 센서 (1A) 는, 암시야에 있어서도 브릿지 배선부 (10) 의 불가시성을 확보하는 것이 용이해진다. 암시야에 있어서의 브릿지 배선부 (10) 의 불가시성을 보다 안정적으로 확보하는 관점에서, 상기한 범위의 굴절률을 갖는 반사 저감층 (3) 의 두께는 50 ㎚ 이상 110 ㎚ 이하인 것이 보다 바람직한 경우가 있다. 이와 같이 반사 저감층 (3) 이 상대적으로 얇아짐으로써, 정전 용량식 센서 (1A) 는, 제 1 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1) 보다 굴곡성이 우수한 경우가 있다. 구체적으로는, 제 1 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1) 와 같이, 반사 저감층 (3) 이 ㎛ 단위의 두께를 가지고 있는 경우에는, 반사 저감층 (3) 은 드라이 필름 레지스트와 같은 비교적 경질의 재료로 구성되는 경우가 있고, 그러한 경우에는, 반사 저감층 (3) 의 두께가 2 ㎛ 정도 또는 그 이상인 것으로 인해, 정전 용량식 센서 (1) 의 굴곡성을 높이기 어려워지는 경우도 있다.
또한, 상기한 내용을 다른 관점에서 설명하면, 제 2 투명 전극 (5) 의 굴절률이 1.5 ∼ 1.7 이고, 브릿지 배선부 (10) 의 굴절률이 1.9 ∼ 2.1 인 경우에는, 반사 저감층 (3) 의 굴절률과 두께의 곱은, 80 ㎚ 이상 250 ㎚ 이하인 것이 바람직하고, 85 ㎚ 이상 180 ㎚ 이하인 것이 보다 바람직하며, 90 ㎚ 이상 150 ㎚ 이하인 것이 특히 바람직하다.
(제 3 실시형태)
계속해서, 도 14 를 사용하여, 본 발명의 제 3 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1B) 에 대해 설명한다. 또한, 제 1 실시형태와 동일 구성에 대해서는, 동일 부호를 부여하고 상세한 설명은 생략한다.
제 2 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1A) 에 의하면, 반사 저감층 (3) 의 굴절률 및 두께를 적절히 제어함으로써, 암시야에 있어서도 불가시성, 특히 브릿지 배선부 (10) 의 불가시성을 안정적으로 확보할 수 있다. 상기와 같이, 암시야의 경우에는, 명시야에 비해 불가시성을 확보하기가 쉽지 않고, 각 요소의 색조도 명시야의 경우에 비해 강조되기 쉽다. 다음에 설명하는 바와 같이, 제 3 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1B) 에서는, 암시야에 있어서 관찰했을 때의 불가시성을 보다 높이는 관점에서, 제 2 투명 전극 (5) 의 굴절률과 절연층 (20) 의 굴절률의 차의 절대값을 0.05 이하로 한다.
도 14 는, 본 발명의 제 3 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1B) 의 구조를 개념적으로 나타내는 단면도로, 도 3, 도 12 및 도 13 과 마찬가지로, 제 2 투명 전극 (5) 이 나란히 정렬하는 방향 (X1-X2 방향) 을 포함하는 면을 절단면으로 하는 단면도이다.
도 14 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1B) 의 기본적인 구조는, 제 2 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1A) 와 공통된다. 제 3 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1B) 는, 제 2 투명 전극 (5) 의 굴절률과 절연층 (20) 의 굴절률의 차의 절대값이 0.05 이하인 점에서, 제 2 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1A) 와 상이하다. 제 2 투명 전극 (5) 의 굴절률과 절연층 (20) 의 굴절률의 차의 절대값이 0.05 이하임으로써, 암시야에서 관찰했을 경우라도, 제 2 투명 전극 (5) 이 위치하는 영역의 색과 절연층 (20) 이 위치하는 영역의 색의 차가 적어져, 절연층 (20) 의 불가시성을 확보하는 것이 용이해진다. 제 2 투명 전극 (5) 의 굴절률과 절연층 (20) 의 굴절률의 차의 절대값을 작게 하기 위한 구체적인 방법은 임의이다. 제 2 투명 전극 (5) 이 도전성 나노와이어가 분산되는 수지층에 추가로 오버코트층을 구비하는 것으로 하고, 이 오버코트층의 조성이나 두께를 조정함으로써, 제 2 투명 전극 (5) 의 굴절률을 변경하는 것을 일례로 들 수 있다.
<실시예>
이하의 실시예에 의해 본 발명에 대해서 추가로 설명한다. 설명에 있어서는, 도 15 에 나타내는 바와 같은 구성을 가진 비교예 1 을 사용하여 실시한다. 도 15 에 나타내는 비교예 1 의 정전 용량식 센서는, 본 발명의 실시형태에 관련된 정전 용량식 센서 (1, 1A, 1B) 와 비교하여, 반사 저감층 (3) 이 형성되어 있지 않은 점이 주로 상이하다. 또한, 본 발명은 이 실시예로 한정되지 않는다.
먼저, 도 12 에서 도 15 에 나타내는 구성을 갖고, 도 16 에 나타내는 각 층의 굴절률 (반사 저감층 (3) 에 대해서는 두께 (t) 도 나타내었다) 을 갖는 시험 부재를 제작하였다. 이 시험 부재를, 실시예 1 (도 12 의 구성), 실시예 2 (도 13 의 구성), 실시예 3 (도 14 의 구성), 비교예 1 (도 15 의 구성) 로 하고, 각 시험 부재에 대해, 다음의 평가나 측정을 실시하였다.
(1) 불가시성의 평가
시험 부재를 명시야 또는 암시야에서 육안으로 보아 관찰하고, 브릿지 배선부의 시인성을 다음의 4 단계로 평가하였다. 결과를 도 17 에 나타낸다.
A : 브릿지 배선부를 시인할 수 없다
B : 브릿지 배선부를 대체로 시인할 수 없다
C : 브릿지 배선부를 시인 가능하다
계속해서, 시험 부재의 명시야 및 암시야에 있어서의 외관의 색미 (色味) 의 품위를 평가하였다. 결과를 도 17 에 나타낸다. 도 17 에 있어서의 각 란의 기호는 다음의 의미를 갖는다.
A : 균일하고 무색의 색미를 나타낸다
B1 : 전체적으로 황색기를 띤다
B2 : 번쩍거림을 갖는다
B3 : 투명 전극의 영역이 붉은기를 띤다
상기한 시인성 및 색미의 평가에 근거한 종합 평가 (토탈 판정) 를 다음의 4 단계로 평가하였다. 결과를 도 17 에 나타낸다.
A : 불가시성이 특히 우수하다
B : 불가시성이 양호하다
C : 불가시성을 갖는다
D : 불가시성을 갖지 않는다
(2) 투명 전극 영역의 광학 특성의 측정
투명 전극 (제 1 투명 전극 (4) 및 제 2 투명 전극) 이 위치하는 영역은, 도전성 나노와이어가 수지층에 분산되어 도전성을 갖는 부분 (도전부) 과, 도전성 나노와이어가 에칭 등에 의해 제거되어 도전성이 저하된 부분 (절연부) 으로 이루어진다. 이들 도전부 및 절연부의 각각에 대해, JIS K7375 : 2008 에 규정되는 전광선 투과율 및 JIS K7136 : 2000 에 규정되는 헤이즈 (Haze) 를 측정하였다. 또, 이들 결과에 대해, 도전부와 절연부의 차의 절대값 (Δ) 을 구했다. 결과를 도 18 에 나타낸다.
(3) 색공간의 측정
시험 부재를 명시야 및 암시야에서 관찰하여, 투명 전극이 위치하는 영역, 브릿지 배선부가 위치하는 영역, 및 절연층이 위치하는 영역의 각각에 대해, CIE1976 L*a*b* 색공간에 규정되는 L* 값, a* 값 및 b* 값을 측정하였다. 또, 각 영역의 투명 전극 영역에 대한 차분 (ΔL*, Δa* 및 Δb*) 을 구했다. 측정 결과 및 산출 결과를 도 19 에 나타낸다.
도 17 에서 도 19 에 나타내는 바와 같이, 비교예 1 에서는, 브릿지 배선부의 색미차가 크기 때문에, 명시야에 있어서도 암시야에 있어서도 브릿지 배선부가 시인되기 쉽다. 이에 반해, 실시예 1 에서는, 전체적으로 색공간값의 차분 (ΔL*, Δa* 및 Δb*) 이 작아졌기 때문에, 불가시성이 향상되었다. 그러나, 암시야에서는 Δb* 가 비교적 크기 때문에, 황색기가 약간 강했다. 또, 암시야에 있어서 전체적으로 L* 값이 커, 시험 부재를 암시야에서 육안으로 보아 관찰했을 때에 번쩍거림으로서 인식되기 쉬워지는 경향을 가지고 있었다. 실시예 2 에서는, 실시예 1 과의 대비에서, 암시야에서 관찰했을 때에 색공간치의 차분 (ΔL*, Δa* 및 Δb*) 의 저하가 인정되어, 암시야에서 육안으로 보아 관찰했을 때에 번쩍거림이 생기기 어려워졌다. 실시예 3 에서는, 실시예 2 와의 대비에서, 암시야에서 관찰했을 때의 투명 전극 영역의 a* 값이 현저하게 저하 (5.51→1.52) 되어, 실시예 2 의 암시야에서의 관찰에 의해 인정된 투명 전극 영역의 붉은기가 개선되었다.
1, 1A, 1B : 정전 용량식 센서
2 : 기재
2a : 표면
3 : 반사 저감층
3a : 면
4 : 제 1 투명 전극
5 : 제 2 투명 전극
5A : 제 1 시료
6 : 배선부
7 : 연결부
8 : 제 1 전극 연결체
10 : 브릿지 배선부
10A, 10B : 제 2 시료
11 : 검출 영역
12 : 제 2 전극 연결체
16 : 접속 배선
20 : 절연층
20a : 표면
25 : 비검출 영역
27 : 외부 접속부
30 : 광학 투명 점착층
40 : 커버재
A1 : 영역
C1 : 절단면
C2 : 절단면
L1 : 치수
L11 : 치수
L12 : 치수
L2 : 치수
P1 : 접촉 부분

Claims (9)

  1. 투광성을 갖는 기재와,
    상기 기재의 일방의 주면의 검출 영역에 있어서 제 1 방향을 따라서 나란히 배치되고, 투광성을 갖는 복수의 제 1 투명 전극과,
    상기 검출 영역에 있어서 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향을 따라서 나란히 배치되고, 투광성을 가지며, 도전성 나노와이어를 포함하는 복수의 제 2 투명 전극과,
    상기 제 1 투명 전극에 일체로서 형성되어, 이웃하는 2 개의 상기 제 1 투명 전극을 서로 전기적으로 접속하는 연결부와,
    상기 제 2 투명 전극과는 별체로서 형성되어, 이웃하는 2 개의 상기 제 2 투명 전극을 서로 전기적으로 접속하고, 아모르퍼스 산화물계 재료를 포함하는 브릿지 배선부와,
    상기 제 2 투명 전극 및 상기 브릿지 배선부를 덮도록 하여 형성된 반사 저감층을 갖고,
    그 반사 저감층이, 상기 제 2 투명 전극의 굴절률보다 높고, 상기 브릿지 배선부의 굴절률보다 낮은 것을 특징으로 하는 정전 용량식 센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 나노와이어는, 금 나노와이어, 은 나노와이어, 및 구리 나노와이어로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개인 것을 특징으로 하는 정전 용량식 센서.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 아모르퍼스 산화물계 재료는, 아모르퍼스 ITO, 아모르퍼스 IZO, 아모르퍼스 GZO, 아모르퍼스 AZO, 및 아모르퍼스 FTO 로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개인 것을 특징으로 하는 정전 용량식 센서.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 투명 전극과 상기 브릿지 배선부의 접촉 영역을 포함하는 사각형의 면적은, 10000 ㎛2 이상인 것을 특징으로 하는 정전 용량식 센서.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 투명 전극과 상기 브릿지 배선부의 접촉 영역을 포함하는 사각형의 면적은, 12000 ㎛2 이상인 것을 특징으로 하는 정전 용량식 센서.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 방향에 대해 직교하는 방향에 있어서의 상기 브릿지 배선부의 치수는, 100 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 정전 용량식 센서.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반사 저감층의 굴절률은, 1.75 이상인 것을 특징으로 하는 정전 용량식 센서.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주면의 법선을 따른 방향에 있어서의 상기 반사 저감층의 치수는, 2 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 정전 용량식 센서.
  9. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주면의 법선을 따른 방향에 있어서의 상기 반사 저감층의 치수가 50 ㎚ 내지 150 ㎚ 인 것과 함께, 상기 반사 저감층의 굴절률이 1.6 내지 1.8 인 것을 특징으로 하는 정전 용량식 센서.
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