JPWO2018066214A1 - 静電容量式センサ - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、本実施形態に係る静電容量式センサ1を表す平面図である。
図2は、図1に表した領域A1を拡大した平面図である。
図3は、図2に表した切断面C1−C1における断面図である。
図4は、図2に表した切断面C2−C2における断面図である。
なお、透明電極は透明なので本来は視認できないが、図1および図2では理解を容易にするため透明電極の外形を示している。
図5は、接触面積とESD耐性との関係を例示するグラフである。
図6は、ケルビンパターンを模式的に例示する平面図である。
本発明者は、他の試料を用いて、接触部分P1のESD耐圧を測定した。すなわち、図6に表したように、本試験では、銀ナノワイヤを含む第1の試料5Aと、アモルファスITOと銅(Cu)とアモルファスITOとの積層構造を有する第2の試料10Bと、を互いに交差させている。第2の試料10Bにおいて、銅(Cu)は、2つのアモルファスITOの間に設けられている。
本発明者が得た知見によれば、温度85℃、湿度85%の環境に240時間放置する環境試験(85℃85%高温高湿信頼性試験)の前後において、接触部分P1の電気抵抗値が上昇する。そこで、本発明者は、図6に関して前述したケルビンパターンを用いて、85℃85%高温高湿信頼性試験を実施した後の接触部分P1の電気抵抗値を測定した。本環境試験は、JEITA規格:EIAJED−4701/100 試験方法103に基づいている。
図9(a)は、反射低減層3が設けられていない比較例を示す写真である。図9(b)は、本実施形態の反射低減層3が設けられた例を示す写真である。図9(b)に表した写真における反射低減層3の屈折率は、1.79である。
図10に表した表の中の丸印(○)は、ブリッジ配線部10が不可視性である場合(ブリッジ配線部10を視認できなかった場合)を示している。一方で、図10に表した表のバツ印(×)は、ブリッジ配線部10が視認された場合を示している。
図11に表した表の中の丸印(○)およびバツ印(×)は、図10に関して前述した通りである。
続いて、図13を用いて、本発明の第2実施形態に係る静電容量式センサ1Aについて説明する。なお、第1実施形態と同一構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
続いて、図14を用いて、本発明の第3実施形態に係る静電容量式センサ1Bについて説明する。なお、第1実施形態と同一構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
以下の実施例により本発明についてさらに説明する。説明にあたっては、図15に示すような構成を有した比較例1を用いて行う。図15に示す比較例1の静電容量式センサは、本発明の実施形態に係る静電容量式センサ(1、1A、1B)と比較して、反射低減層3が設けられていないところが主に異なる。なお、本発明はこの実施例に限定されない。
試験部材を明視野または暗視野にて目視で観察して、ブリッジ配線部の視認性を次の4段階で評価した。結果を図17に示す。
A:ブリッジ配線部を視認できない
B:ブリッジ配線部をおおむね視認できない
C:ブリッジ配線部を視認可能である
A:均一で無色な色味を呈する
B1:全体的に黄味を帯びる
B2:ギラツキを有する
B3:透明電極の領域が赤味を帯びる
A:不可視性が特に優れる
B:不可視性が良好である
C:不可視性を有する
D:不可視性を有しない
透明電極(第1の透明電極4および第2の透明電極)が位置する領域は、導電性ナノワイヤが樹脂層に分散して導電性を有する部分(導電部)と、導電性ナノワイヤがエッチングなどにより除去されて導電性が低下した部分(絶縁部)とからなる。これらの導電部および絶縁部のそれぞれについて、JIS K7375:2008に規定される全光線透過率およびJIS K7136:2000に規定されるヘーズ(Haze)を測定した。また、これらの結果について、導電部と絶縁部との差の絶対値(Δ)を求めた。結果を図18に示す。
試験部材を明視野および暗視野で観察して、透明電極が位置する領域、ブリッジ配線部が位置する領域、および絶縁層が位置する領域のそれぞれについて、CIE1976L*a*b*色空間に規定されるL*値、a*値およびb*値を測定した。また、各領域の透明電極領域に対する差分(ΔL*、Δa*およびΔb*)を求めた。測定結果および算出結果を図19に示す。
2 基材
2a おもて面
3 反射低減層
3a 面
4 第1の透明電極
5 第2の透明電極
5A 第1の試料
6 配線部
7 連結部
8 第1の電極連結体
10 ブリッジ配線部
10A、10B 第2の試料
11 検出領域
12 第2の電極連結体
16 接続配線
20 絶縁層
20a 表面
25 非検出領域
27 外部接続部
30 光学透明粘着層
40 カバー材
A1 領域
C1 切断面
C2 切断面
L1 寸法
L11 寸法
L12 寸法
L2 寸法
P1 接触部分
Claims (9)
- 透光性を有する基材と、
前記基材の一方の主面の検出領域において第1の方向に沿って並んで配置され、透光性を有する複数の第1の透明電極と、
前記検出領域において前記第1の方向と交差する第2の方向に沿って並んで配置され、透光性を有し、導電性ナノワイヤを含む複数の第2の透明電極と、
前記第1の透明電極に一体として設けられ、隣り合う2つの前記第1の透明電極を互いに電気的に接続する連結部と、
前記第2の透明電極とは別体として設けられ、隣り合う2つの前記第2の透明電極を互いに電気的に接続し、アモルファス酸化物系材料を含むブリッジ配線部と、
前記第2の透明電極および前記ブリッジ配線部を覆うようにして設けられた反射低減層を有し、
該反射低減層が、前記第2の透明電極の屈折率よりも高く、前記ブリッジ配線部の屈折率よりも低いことを特徴とする静電容量式センサ。 - 前記導電性ナノワイヤは、金ナノワイヤ、銀ナノワイヤ、および銅ナノワイヤよりなる群から選択された少なくとも1つであることを特徴とする請求項1記載の静電容量式センサ。
- 前記アモルファス酸化物系材料は、アモルファスITO、アモルファスIZO、アモルファスGZO、アモルファスAZO、およびアモルファスFTOよりなる群から選択された少なくとも1つであることを特徴とする請求項1または2に記載の静電容量式センサ。
- 前記第2の透明電極と前記ブリッジ配線部との接触領域を包含する矩形の面積は、10000μm2以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の静電容量式センサ。
- 前記第2の透明電極と前記ブリッジ配線部との接触領域を包含する矩形の面積は、12000μm2以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の静電容量式センサ。
- 前記第2の方向に対して直交する方向における前記ブリッジ配線部の寸法は、100μm以上であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の静電容量式センサ。
- 前記反射低減層の屈折率は、1.75以上であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の静電容量式センサ。
- 前記主面の法線に沿った方向における前記反射低減層の寸法は、2μm以上であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の静電容量式センサ。
- 前記主面の法線に沿った方向における前記反射低減層の寸法が、50nmから150nmであるとともに、前記反射低減層の屈折率が、1.6から1.8であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の静電容量式センサ。
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