JP2011192252A - タッチスクリーンパネル及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】平板表示装置の上基板に一体として形成されるタッチスクリーンパネル及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明基板上に結晶質ＩＴＯ（poly-ＩＴＯ）で実現される二重層の第１及び第２検出セルを形成し、前記第１検出セルまたは第２検出セルを接続する接続パターンを、前記第１、２検出セルの交差部上に形成された島状の絶縁層を含む領域上に形成し、前記絶縁層上に形成された接続パターンが非晶質ＩＴＯ（ａ−ＩＴＯ）で実現されるタッチスクリーンパネル及びその製造方法を提供する。
【選択図】図１ａ
【解決手段】透明基板上に結晶質ＩＴＯ（poly-ＩＴＯ）で実現される二重層の第１及び第２検出セルを形成し、前記第１検出セルまたは第２検出セルを接続する接続パターンを、前記第１、２検出セルの交差部上に形成された島状の絶縁層を含む領域上に形成し、前記絶縁層上に形成された接続パターンが非晶質ＩＴＯ（ａ−ＩＴＯ）で実現されるタッチスクリーンパネル及びその製造方法を提供する。
【選択図】図１ａ
Description
本発明は、タッチスクリーンパネルに関し、特に、平板表示装置の上基板に一体として形成されるタッチスクリーンパネル及びその製造方法に関する。
タッチスクリーンパネルは、映像表示装置などの画面に現れた指示内容を人の手または物体で選択し、ユーザの命令を入力できるようにした入力装置である。
このため、タッチスクリーンパネルは、映像表示装置の前面（ｆｒｏｎｔ ｆａｃｅ）に備えられ、人の手または物体に直接接触した接触位置を電気的信号に変換する。これにより、接触位置で選択された指示内容が入力信号として受信される。このタッチスクリーンパネルは、キーボードやマウスのように、映像表示装置に接続されて動作する別の入力装置を代替できるため、その使用範囲が次第に拡大する傾向にある。
タッチスクリーンパネルを実現する方式としては、抵抗膜方式、光検出方式、及び静電容量方式などが知られている。
このうち、静電容量方式のタッチスクリーンパネルは、人の手または物体が接触したとき、導電性の検出パターンが、周辺の他の検出パターンまたは接地電極などと形成する静電容量の変化を検出することにより、接触位置を電気的信号に変換する。
ここで、接触面における接触位置を明確に判断するために、検出パターンは、第１方向に沿って接続するように形成された第１検出パターン（Ｘパターン）と、第２方向に沿って接続するように形成された第２検出パターン（Ｙパターン）とを含んで構成される。
従来では、前記第１検出パターン及び第２検出パターンは、それぞれ異なるレイヤ（ｌａｙｅｒ）に配置される。すなわち、例えば、前記第１検出パターンは下部レイヤに位置し、第２検出パターンは上部レイヤに位置し、これらの間に絶縁層が介在する。
ただし、このように異なるレイヤに各々の検出パターンを形成した場合、前記検出パターンとして用いられる透明導電性物質（例えば、ＩＴＯ）の面抵抗が大きくなる。これを低減するために、前記同一レイヤに位置する検出パターンを接続する接続部の幅を広く実現しなければならない。しかし、これは、上下レイヤに位置する各接続部の重なり（ｏｖｅｒｌａｐ）面積が大きくなり、これに対する寄生キャパシタンスの容量が大きくなり、各検出パターンによるセンシング感度が低下するという欠点がある。
このような欠点を克服するために、前記第１検出パターン及び第２検出パターンを同一レイヤに形成し、前記第１検出パターンまたは第２検出パターン上の絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して別の接続パターンを形成してこれを接続する。このとき、前記接続パターンは、低い抵抗値を有する金属物質で実現する。
例えば、第１検出パターンは、従来と同様に、接続部が透明導電性物質で実現され、前記第１検出パターンの接続部と交差する第２検出パターンの接続部は、低抵抗の金属物質で実現される接続パターンに形成される。
すなわち、前記接続パターンが形成された領域において、前記第１検出パターンと第２検出パターンとは互いに交差し、前記接続パターンの幅を最小化することにより、前記交差領域で発生する寄生キャパシタンスの影響を低減することができるのである。
しかし、この場合も、第２検出パターンを接続する接続部は、依然として抵抗値の高い透明導電性物質で形成され、前記交差領域の重なり面積が縮小し、前記接続パターンが絶縁層の上部に位置するため、外部から印加される静電気に弱いという欠点がある。
本発明は、透明基板上に結晶質ＩＴＯ（poly-ＩＴＯ）で実現される二重層の第１及び第２検出セルを形成し、前記第１検出セルまたは第２検出セルを接続する接続パターンを前記第１及び第２検出セルの交差部上に形成された島状（ｉｓｌａｎｄ）の絶縁層を含む領域上に形成し、前記絶縁層上に形成された接続パターンが非晶質ＩＴＯ（ａ−ＩＴＯ）で実現されるタッチスクリーンパネル及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明の実施例によるタッチスクリーンパネルは、表示領域と、前記表示領域の外郭に形成された非表示領域とに区画される透明基板と、前記表示領域上にＸ座標が同じ１列に配置され、第１−１検出セル及び前記第１−１検出セルと重なる領域上に形成される第１−２検出セルの二重層構造で形成される第１検出セルと、隣接する前記第１検出セルを互いに接続する接続部と、前記表示領域上にＹ座標が同じ１行に配置され、第２−１検出セル及び前記第２−１検出セルと重なる領域上に形成される第２−２検出セルの二重層構造で形成される第２検出セルと、前記接続部と交差する領域上に形成され、隣接する前記第２検出セルを互いに接続する接続パターンと、前記交差して重なる接続部と接続パターンとの間の領域に形成された島状の絶縁層とを備えることを特徴とする。
ここで、前記第１−１検出セル及び第２−１検出セルは、結晶質インジウムスズオキサイド（poly-ＩＴＯ）で形成され、２００〜３００Åの厚さで実現され、前記第１−２検出セル及び第２−２検出セルは、結晶質インジウムスズオキサイド（poly-ＩＴＯ）で形成され、７００〜１２００Åの厚さで実現される。
また、前記接続部は、前記第１−１検出セルと一体として形成され、前記絶縁層と重なる領域上に位置する接続パターンは非晶質インジウムスズオキサイド（ａ−ＩＴＯ）、前記第２−１検出セルの端と重なる領域上に位置する接続パターンは結晶質インジウムスズオキサイド（poly-ＩＴＯ）で形成され、７００〜１２００Åの厚さで実現される。
また、前記非表示領域に形成され、前記表示領域の端に位置する第１検出セルまたは第２検出セルに電気的に接続する金属パターンと、前記接続部上に前記金属パターンと同一の低抵抗の金属で実現される補助パターンとがさらに形成される。
また、本発明の実施例によるタッチスクリーンパネルの製造方法は、透明基板の表示領域上に結晶質インジウムスズオキサイド（poly-ＩＴＯ）で実現されるＸ座標が同じ１列に配置される第１−１検出セル及び前記第１−１検出セルを接続する接続部と、Ｙ座標が同じ１行に配置される第２−１検出セルとが形成されるステップと、前記接続部を含む領域上に島状の絶縁層が形成されるステップと、前記第１−１検出セル及び第２−１検出セルと、島状の絶縁層とが形成された透明基板上に、非晶質のインジウムスズオキサイド（ａ−ＩＴＯ）が全面蒸着されるステップと、前記全面蒸着されたａ−ＩＴＯのうち、poly-ＩＴＯで実現される第１−１検出セル及び第２−１検出セルと重なる領域に形成されたａ−ＩＴＯがpoly-ＩＴＯに変化するステップと、前記絶縁層及び第２−１検出セルの端と重なる領域上に形成されたａ−ＩＴＯを除く前記ａ−ＩＴＯをエッチングし、これにより、隣接する前記第２−１検出セルを接続する接続パターンが形成されるステップとを含むことを特徴とする。
ここで、前記第１−１検出セル及び第２−１検出セルと重なる領域上に形成された poly-ＩＴＯは、それぞれ第１−２検出セル及び第２−２検出セルで実現される。
本発明の実施例によれば、隣接する第１検出セルまたは第２検出セルを互いに接続する接続パターンを厚い非晶質ＩＴＯで実現することにより、接続パターンの抵抗を低減し、前記接続パターンの静電気脆弱性を改善することにより、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）の問題を克服できるという利点がある。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例をより詳細に説明する。
図１ａは、本発明の実施例によるタッチスクリーンパネルに形成された検出パターンの配置を示す平面図であり、図１ｂは、図１ａの特定部分（Ｉ−Ｉ’、ＩＩ−ＩＩ’）に関する断面図である。
ただし、これは、表示領域上に複数配列された第１及び第２検出パターンのうち、表示領域の一側端に位置する２×２の検出パターンを例として説明する。
図１ａ及び図１ｂに示すように、本発明の実施例による検出パターンは、表示領域と、前記表示領域の外郭に形成された非表示領域とに区画される透明基板１０の表示領域に形成されるものであり、互いに交互に配置され、Ｘ座標が同じ１列またはＹ座標が同じ１行単位で互いに接続するように形成された第１検出パターン１２０及び第２検出パターン１４０を含む。
すなわち、第１検出パターン１２０は、Ｘ座標が同じ１列に配置された二重層の第１検出セル１２１、１２２と、隣接する前記第１検出セル１２１、１２２を互いに接続する接続部１２４とで構成され、第２検出パターン１４０は、Ｙ座標が同じ１行に配置された二重層の第２検出セル１４１、１４２と、隣接する前記第２検出セル１４１、１４２を互いに接続する接続パターン１４４とで構成される。
このとき、本発明の実施例の場合、前記二重層の第１検出セル１２１、１２２及び第２検出セル１４１、１４２のうち、下部に形成される第１−１検出セル１２１及び第２−１検出セル１４１は同一レイヤに形成され、透明導電性物質として結晶質インジウムスズオキサイド（以下、poly-ＩＴＯ）で実現される。
また、前記二重層の第１検出セル１２１、１２２及び第２検出セル１４１、１４２のうち、上部に形成される第１−２検出セル１２２及び第２−２検出セル１４２は、それぞれ前記第１−１検出セル１２１及び第２−１検出セル１４１と重なる領域に位置するものである。第１−２検出セル１２２及び第２−２検出セル１４２は、最初は非晶質インジウムスズオキサイド（以下、ａ−ＩＴＯ）が蒸着されて形成されるが、その後、前記第１−１検出セル１２１及び第２−１検出セル１４１と重なる領域のａ−ＩＴＯが poly-ＩＴＯ化されることにより、結局、結晶質インジウムスズオキサイド（以下、poly-ＩＴＯ）で実現される。
これは、poly-ＩＴＯ上にａ−ＩＴＯが蒸着された場合、下部に形成された poly-ＩＴＯの粒子（ｇｒａｉｎ）が上方に成長することにより、前記ａ−ＩＴＯが結晶質化されることによる。このように、同じ方向性を有する単結晶膜が成長することを、エピタキシャル成長（ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｇｒｏｗｔｈ）またはエピタクシー（ｅｐｉｔａｘｙ）という。
すなわち、本発明の実施例による第１検出セル１２１、１２２及び第２検出セル１４１、１４２は、二重層のpoly-ＩＴＯで実現されることを特徴とする。
ただし、下部に位置する第１−１検出セル１２１及び第２−１検出セル１４１は、約２００〜３００Åの厚さに形成され、上部に位置する第１−２検出セル１２２及び第２−２検出セル１４２は、約７００〜１２００Åの厚さに形成されることが好ましい。
また、前記第１検出セル１２１、１２２及び第２検出セル１４１、１４２が検出電極としての役割を果たすためには、第１方向及び第２方向に配列された各々の検出セルが電気的に接続されなければならない。
このため、前記第１検出セル１２１、１２２は、接続部１２４により互いに電気的に接続され、前記第２検出セル１４１、１４２は、接続パターン１４４により互いに電気的に接続される。
このとき、前記接続部１２４は、前記第１−１検出セル１２１と一体として形成されるものであり、隣接する第１−１検出セル１２１は、前記接続部１２４を介して全て接続される。
すなわち、前記接続部１２４は、前記第１−１検出セル１２１と同じ透明導電性物質であるpoly-ＩＴＯで実現される。したがって、前記接続部１２４は、前記第１−１検出セル１２１と同様の約２００〜３００Åの厚さに形成されることが好ましい。
これに対し、前記接続パターン１４４は、前記隣接する第２検出セル１４１、１４２を電気的に接続させる、分離された形状からなる。このとき、前記第１−１検出セル１２１、接続部１２４、及び第２−１検出セル１４１が同一レイヤに形成されるため、前記接続部１２４と交差する前記接続パターン１４４は、短絡を避けるためには、前記第１−１検出セル１２１及び第２−１検出セル１４１と同一レイヤに形成させてはならない。
このため、本発明の実施例では、前記接続パターン１４４が前記接続部１２４の上部レイヤに形成され、前記交差して重なる接続パターン１４４と接続部１２４との間の領域には、前記接続パターン１４４と接続部１２４との短絡を防止するために、島状の絶縁層１３０が形成される。ここで、前記絶縁層１３０は、透明材質の無機絶縁層であって、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）または窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）で実現されることが好ましい。
また、前記接続パターン１４４は、ａ−ＩＴＯからなり、これは、前記第１−２検出セル１２２及び第２−２検出セル１４２と同じ工程により形成される。
ただし、前述したように、前記第１−２検出セル１２２及び第２−２検出セル１４２は、それぞれpoly-ＩＴＯで実現される第１−１検出セル１２１及び第２−１検出セル１４１と重なる領域上に形成されるため、エピタキシャル成長によりpoly-ＩＴＯに変化するが、絶縁層１３０上に形成される前記接続パターン１４４は、そのままａ−ＩＴＯ状態となる。
すなわち、図示のように、前記接続パターン１４４は、第２−１検出セル１４１の端と重なる領域では結晶質化されるが、前記絶縁層１３０と重なる領域では非晶質状態が維持される。
この場合、接続パターン１４４及び第１−２検出セル１２２、並びに第２−２検出セル１４２は、同じ厚さに形成されるため、前記接続パターン１４４の厚さは、約７００〜１２００Åとなる。
すなわち、前記第２検出セル１４１、１４２を接続する接続パターン１４４の厚さを十分に厚く形成することにより、接続パターンの抵抗を低減し、前記接続パターンの静電気脆弱性を改善することにより、ＥＳＤの問題を克服することができる。
また、前記第１検出セル１２１、１２２及び第２検出セル１４１、１４２が形成される表示領域の端に隣接する非表示領域に形成され、前記検出セルにより検出された信号を駆動回路（図示せず）側に供給する金属パターン１６０が形成される。
また、前記金属パターン１６０上にも前述した島状の絶縁層１３０が形成され、前記絶縁層１３０は、透明材質の無機絶縁層であって、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）または窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）で実現されることが好ましい。
すなわち、前記複数の検出パターン１２０、１４０が形成された領域は、画像が表示され、タッチ位置を検出する表示領域であり、前記検出パターン１２０、１４０に電気的に接続する金属パターン１６０が形成された領域は、前記表示領域の外郭に備えられる非表示領域である。
また、図示のように、前記第１検出セル１２１、１２２を接続する接続部１２４上に、前記金属パターン１６０と同じ材質の補助パターン１５０を形成することができ、これは、前記接続部１２４の抵抗を低減する役割を果たす。
このとき、前記金属パターン１６０及び補助パターン１５０は、低抵抗の金属で実現され、前記低抵抗の金属は、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン／アルミニウム／モリブデン（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）などとなり得る。
このような本発明の実施例によれば、前記検出セルは、二重層構造のpoly-ＩＴＯで実現され、下部の検出セル１２１、１４１の厚さは、約２００〜３００Åであり、上部の検出セル１２２、１４２の厚さは、７００〜１２００Åの厚さに形成されるため、検出セルの全厚は、約９００〜１５００Åとなる。
図２は、poly-ＩＴＯの厚さ別透過率を測定して示すグラフである。
図２の横軸はpoly-ＩＴＯの厚さ（Å）を示し、縦軸は透過率（％）を示す。図２に示すように、poly-ＩＴＯの厚さが１５００Åで最大の透過率を有していることが分かる。
すなわち、poly-ＩＴＯは、約３５０Åから９００Åまでにおいては、厚さが増加するほど透過率が低くなるが、９００Åから１５５０Åまでにおいては、厚さが増加するほど透過率も高くなる。
したがって、本発明の実施例では、前記検出セルの全厚を約９００〜１５００Åに形成することにより、透過率の向上効果を得ることができる。
図３ａ〜図３ｅは、図１に示す本発明の実施例によるタッチスクリーンパネルの製造工程を示す平面図及び断面図である。
ただし、これは、表示領域上に複数配列された第１及び第２検出パターンのうち、表示領域の一側端に位置する２×２の検出パターンを例として説明する。
まず、図３ａに示すように、透明基板１０の表示領域上に、第１−１検出セル１２１と、前記第１−１検出セル１２１を接続する接続部１２４と、第２−１検出セル１４１とが形成される。
前記第１−１検出セル１２１及び第２−１検出セル１４１は、同じ工程により同一レイヤに形成され、前記検出セル１２１、１４１は、タッチスクリーンパネルの動作を実現するために、透明導電性物質として結晶質インジウムスズオキサイド（以下、poly-ＩＴＯ）で実現される。
また、前記第１−１検出セル１２１及び第２−１検出セル１４１が検出電極としての役割を果たすためには、Ｘ方向及びＹ方向に配列された各々の検出セルが電気的に接続されなければならない。
このため、前記第１−１検出セル１２１は、前記接続部１２４により互いに電気的に接続され、前記第２−１検出セル１４１は、後に形成される接続パターンにより互いに電気的に接続される。
このとき、前記接続部１２４は、前記第１−１検出セル１２１と一体として形成されるものであって、隣接する第１−１検出セル１２１は、前記接続部１２４を介して全て接続される。すなわち、前記接続部１２４は、前記第１−１検出セル１２１と同じ透明導電性物質を用いて同じ工程により同一レイヤに形成される。
本発明の実施例の場合、前記第１−１検出セル１２１、接続部１２４、及び第２−１検出セル１４１は、約２００〜３００Åの厚さに形成される。
次に、図３ｂに示すように、表示領域の一側端に形成された第１−１検出セル１２１または第２−１検出セル１４１に電気的に接続する金属パターン１６０が形成される。
ただし、図３ｂでは、表示領域の左側端に位置する第１−１検出セル１２１に電気的に接続する金属パターン１６０を例として示している。
ここで、前記透明基板１０は、表示領域と、前記表示領域の外郭に形成された非表示領域とに区画され、前記金属パターン１６０は、前記表示領域の左側端に位置する第１−１検出セル１２１に隣接する非表示領域に形成されるものであり、前記第１−１検出セルにより検出された信号を駆動回路（図示せず）側に供給する。
また、図示のように、前記第１−１検出セル１２１を接続する接続部１２４上に、前記金属パターン１６０と同じ材質の補助パターン１５０を形成することができ、これは、前記接続部１２４の抵抗を低減する役割を果たす。
このとき、前記金属パターン１６０及び補助パターン１５０は、低抵抗の金属で実現され、前記低抵抗の金属は、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン／アルミニウム／モリブデン（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）などとなり得る。
次に、図３ｃに示すように、金属パターン１６０及び接続部１２４上に、これらとそれぞれ重なる島状の絶縁層１３０が形成される。
ここで、前記絶縁層１３０は、透明材質の無機絶縁層であって、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）または窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）で実現されることが好ましい。
また、前記接続部１２４上に形成される島状の絶縁層１３０は、前記補助パターン１５０も完全に重なるように形成される。
すなわち、前記絶縁層１３０は、前記接続部１２４及び補助パターン１５０を完全に覆うように形成される。これは、前記絶縁層１３０上に形成される接続パターンと、前記接続部１２４及び補助パターン１５０とが互いに短絡するのを防止するためである。
次に、図３ｄに示すように、前記第１−１検出セル１２１及び第２−１検出セル１４１と、島状の絶縁層１３０とが形成された透明基板１０上に、非晶質のＩＴＯ（ａ−ＩＴＯ）２００を全面蒸着する。
本発明の実施例の場合、前記ａ−ＩＴＯ２００は、約７００〜１２００Åの厚さで蒸着される。
ただし、前記全面蒸着されたａ−ＩＴＯ２００のうち、poly-ＩＴＯで実現される第１−１検出セル１２１及び第２−１検出セル１４１と重なる領域に形成されたａ−ＩＴＯ２０２については、エピタキシャル成長またはエピタクシーによりpoly-ＩＴＯ化される。
前記エピタキシャル成長またはエピタクシーは、poly-ＩＴＯ上にａ−ＩＴＯが蒸着された場合、下部に形成された poly-ＩＴＯの粒子が上方に成長することにより、前記ａ−ＩＴＯが結晶質化されることをいう。
ただし、前記第１−１検出セル１２１及び第２−１検出セル１４１と重なる領域以外に形成されたａ−ＩＴＯ２０４、２０４’は、そのままａ−ＩＴＯで維持される。
すなわち、前記接続部１２４上に形成された絶縁層１３０上に蒸着されたａ−ＩＴＯは、そのままａ−ＩＴＯ状態となる。
また、前述したように、第２−１検出セル１４１を電気的に接続する接続パターンを形成するために、前記絶縁層１３０及び第２−１検出セル１４１の端と重なる領域に対応するようにマスク３００を位置させ、前記マスク３００以外の領域に形成されたａ−ＩＴＯ２００は全てエッチングする。
このとき、前記ａ−ＩＴＯをエッチングするためのエッチング液（ｅｔｃｈａｎｔ）、例えば、クロム（Ｃｒ）エッチング液を使用するが、前記クロムエッチング液は、ａ−ＩＴＯをエッチングするだけであって、poly-ＩＴＯはエッチングしない。
したがって、図３ｄに示すように、接続パターンが形成される領域のみを覆うマスク３００を用いてクロム（Ｃｒ）エッチング液でエッチングする場合、前記第１−１検出セル１２１及び第２−１検出セル１４１と重なる領域に形成されたＩＴＯ２０２は既に結晶化されたことからエッチングされない。
すなわち、前記第１−１検出セル１２１と第２−１検出セル１４１との間の領域２１０及び前記マスクによって覆われない絶縁層１３０上の領域に形成されたａ−ＩＴＯ２０４’は、クロム（Ｃｒ）エッチング液により全てエッチングされる。
これにより、前記クロム（Ｃｒ）エッチング液によるエッチング工程が行われると、図３ｅに示すように、前記マスク３００と重なる領域に対して接続パターン１４４が形成される。
このとき、前記接続パターン１４４は、第２−１検出セル１４１の端と重なる領域では結晶質化されるが、前記絶縁層１３０と重なる領域では非晶質状態が維持される。
この場合、前記接続パターン１４４の厚さは、先の図３ｄで説明したａ−ＩＴＯ２００の厚さと同一であるため、その厚さは、約７００〜１２００Åになる。
すなわち、前記第２−１検出セル１４１を接続する接続パターン１４４の厚さを十分に厚く形成することにより、接続パターンの抵抗を低減し、前記接続パターンの静電気脆弱性を改善することにより、ＥＳＤの問題を克服することができる。
また、図３ｅに示すように、本発明の実施例の場合、poly-ＩＴＯで実現された第１−１検出セル１２１及び第２−１検出セル１４１上には結晶化されたＩＴＯがさらに備えられるため、本発明の実施例による第１及び第２検出セルは、二重層のpoly-ＩＴＯで形成されることを特徴とする。
結果として、本発明の実施例による第１検出パターン１２０及び第２検出パターン１４０は、透明基板１０の表示領域に形成されるものであって、前記第１検出パターン１２０は、Ｘ座標が同じ１列に配置された二重層の第１検出セル１２１、１２２と、隣接する前記第１検出セル１２１、１２２を互いに接続する接続部１２４とで構成され、第２検出パターン１４０は、Ｙ座標が同じ１行に配置された二重層の第２検出セル１４１、１４２と、隣接する前記第２検出セル１４１、１４２を互いに接続する接続パターン１４４とで構成される。
このとき、本発明の実施例の場合、前記二重層の第１検出セル１２１、１２２及び第２検出セル１４１、１４２のうち、下部に形成される第１−１検出セル１２１及び第２−１検出セル１４１は、同一レイヤに形成され、透明導電性物質として結晶質インジウムスズオキサイド（以下、poly-ＩＴＯ）で実現される。
また、前記二重層の第１検出セル１２１、１２２及び第２検出セル１４１、１４２のうち、上部に形成される第１−２検出セル１２２及び第２−２検出セル１４２は、それぞれ前記第１−１検出セル１２１及び第２−１検出セル１２２と重なる領域に位置するものである。第１−２検出セル１２２及び第２−２検出セル１４２は、最初は非晶質インジウムスズオキサイド（以下、ａ−ＩＴＯ）が蒸着されて形成されるが、その後、前記第１−１検出セル１２１及び第２−１検出セル１２２と重なる領域のａ−ＩＴＯが poly-ＩＴＯ化されることにより、結局、結晶質インジウムスズオキサイド（以下、poly-ＩＴＯ）で実現される。
１０；透明基板
１２０；第１検出パターン
１２１；第１−１検出セル
１２２；第１−２検出セル
１２４；接続部
１３０；絶縁層
１４０；第２検出パターン
１４１；第２−１検出セル
１４２；第２−２検出セル
１４４；接続パターン
１５０；補助パターン
１６０；金属パターン
１２０；第１検出パターン
１２１；第１−１検出セル
１２２；第１−２検出セル
１２４；接続部
１３０；絶縁層
１４０；第２検出パターン
１４１；第２−１検出セル
１４２；第２−２検出セル
１４４；接続パターン
１５０；補助パターン
１６０；金属パターン
Claims (15)
- 表示領域と、前記表示領域の外郭に形成された非表示領域とに区画される透明基板と、
前記表示領域上にＸ座標が同じ１列に配置され、第１−１検出セル及び前記第１−１検出セルと重なる領域上に形成される第１−２検出セルの二重層構造で形成される第１検出セルと、
隣接する前記第１検出セルを互いに接続する接続部と、
前記表示領域上にＹ座標が同じ１行に配置され、第２−１検出セル及び前記第２−１検出セルと重なる領域上に形成される第２−２検出セルの二重層構造で形成される第２検出セルと、
前記接続部と交差する領域上に形成され、隣接する前記第２検出セルを互いに接続する接続パターンと、
前記交差して重なる接続部と接続パターンとの間の領域に形成された島状の絶縁層と
を備えることを特徴とするタッチスクリーンパネル。 - 前記第１−１検出セル及び第２−１検出セルは、結晶質インジウムスズオキサイド（poly-ＩＴＯ）で形成され、２００〜３００Åの厚さで実現されることを特徴とする請求項１に記載のタッチスクリーンパネル。
- 前記第１−２検出セル及び第２−２検出セルは、結晶質インジウムスズオキサイド（poly-ＩＴＯ）で形成され、７００〜１２００Åの厚さで実現されることを特徴とする請求項１に記載のタッチスクリーンパネル。
- 前記接続部は、前記第１−１検出セルと一体として形成されることを特徴とする請求項１に記載のタッチスクリーンパネル。
- 前記絶縁層と重なる領域上に位置する接続パターンは、非晶質インジウムスズオキサイド（ａ−ＩＴＯ）で形成され、７００〜１２００Åの厚さで実現されることを特徴とする請求項１に記載のタッチスクリーンパネル。
- 前記第２−１検出セルの端と重なる領域上に位置する接続パターンは、結晶質インジウムスズオキサイド（poly-ＩＴＯ）で形成されることを特徴とする請求項１に記載のタッチスクリーンパネル。
- 前記非表示領域に形成され、前記表示領域の端に位置する第１検出セルまたは第２検出セルに電気的に接続する金属パターンを含むことを特徴とする請求項１に記載のタッチスクリーンパネル。
- 前記接続部上に低抵抗の金属で実現される補助パターンがさらに形成されることを特徴とする請求項１に記載のタッチスクリーンパネル。
- 透明基板の表示領域上に結晶質インジウムスズオキサイド（poly-ＩＴＯ）で実現されるＸ座標が同じ１列に配置される第１−１検出セル及び前記第１−１検出セルを接続する接続部と、Ｙ座標が同じ１行に配置される第２−１検出セルとが形成されるステップと、
前記接続部を含む領域上に島状の絶縁層が形成されるステップと、
前記第１−１検出セル及び第２−１検出セルと、島状の絶縁層とが形成された透明基板上に、非晶質のインジウムスズオキサイド（ａ−ＩＴＯ）が全面蒸着されるステップと、
前記全面蒸着されたａ−ＩＴＯのうち、poly-ＩＴＯで実現される第１−１検出セル及び第２−１検出セルと重なる領域に形成されたａ−ＩＴＯが poly-ＩＴＯに変化するステップと、
前記絶縁層及び第２−１検出セルの端と重なる領域上に形成されたａ−ＩＴＯを除く前記ａ−ＩＴＯをエッチングし、これにより、隣接する前記第２−１検出セルを接続する接続パターンが形成されるステップと
を含むことを特徴とするタッチスクリーンパネルの製造方法。 - 前記第１−１検出セル及び第２−１検出セルと重なる領域上に形成された poly-ＩＴＯは、それぞれ第１−２検出セル及び第２−２検出セルで実現されることを特徴とする請求項９に記載のタッチスクリーンパネルの製造方法。
- 前記第１−１検出セル、接続部、及び第２−１検出セルは、２００〜３００Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項９に記載のタッチスクリーンパネルの製造方法。
- 前記透明基板の全面に蒸着されたａ−ＩＴＯは、７００〜１２００Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項９に記載のタッチスクリーンパネルの製造方法。
- 前記絶縁層と重なる領域上に位置する接続パターンは、ａ−ＩＴＯで形成され、前記第２−１検出セルの端と重なる領域上に位置する接続パターンは、poly-ＩＴＯで形成されることを特徴とする請求項９に記載のタッチスクリーンパネルの製造方法。
- 前記表示領域の端に位置する第１検出セルまたは第２検出セルに電気的に接続する金属パターンが形成されるステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載のタッチスクリーンパネルの製造方法。
- 前記接続部上に低抵抗の金属で実現される補助パターンが形成されるステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載のタッチスクリーンパネルの製造方法。
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