KR101482780B1 - 전도성 나노와이어필름 제조 방법 및 상기 제조방법으로 제조된 전도성 나노와이어 필름을 포함하는 터치패널 - Google Patents
전도성 나노와이어필름 제조 방법 및 상기 제조방법으로 제조된 전도성 나노와이어 필름을 포함하는 터치패널 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101482780B1 KR101482780B1 KR1020130103511A KR20130103511A KR101482780B1 KR 101482780 B1 KR101482780 B1 KR 101482780B1 KR 1020130103511 A KR1020130103511 A KR 1020130103511A KR 20130103511 A KR20130103511 A KR 20130103511A KR 101482780 B1 KR101482780 B1 KR 101482780B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- nanowire
- layer
- forming
- metal
- film
- Prior art date
Links
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 130
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 71
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 58
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 26
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 18
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 14
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 14
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N cobalt(II,III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Co+2].[Co+3].[Co+3] UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L manganese oxide Inorganic materials [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- -1 AZO Chemical compound 0.000 claims description 4
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 4
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N CuO Inorganic materials [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(II) oxide Inorganic materials [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 10
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001074085 Scophthalmus aquosus Species 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
본 발명은, 투과성 및 전도성이 우수함과 동시에, 헤이즈 및 빛 굴절률이 전체적으로 균일한 전도성 나노와이어 필름 제조 방법 및 상기 제조 방법으로 제조된 디스플레이용 터치 패널을 제공하는 것을 목적으로 하며, 따라서 본 발명의 전도성 나노와이어 필름 제조 방법은, 베어(bare) 필름 상에, 전도성을 가진 금속 나노와이어를포함하는 나노와이어층을 코팅하는 단계와,나노와이어층상에, 절연성을 가지는탑 코팅층을 형성하는 단계와, 비패턴 영역의 탑 코팅층은 잔존시키면서 금속 나노와이어를 제거하여서, 전극 패턴을 형성시키는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 전도성 나노와이어필름 제조 방법에관한 것으로서, 보다 구체적으로는 대전분야, 디스플레이분야, 광학분야, 조명분야 등 여러 분야에 적용할 수 있는 전도성 나노와이어 필름의 제조방법 및 상기 제조방법에 의하여 제조된 터치패널에 관한 것이다.
일반적으로 투명전도성 필름은 높은 전도성 (예를 들면, 1x10^3Ω/sq 이하의 면저항)과 가시영역에서 높은 투과율(80%이상)을 가진다. 이에 따라서 상기 투명전도성 필름은 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD)소자, 발광다이오드(Light Emitting Diode, LED), 유기 전계 발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED), 터치패널 또는 태양전지 등에서 각종 수광소자와 발광소자의 전극으로 이용되는 것 이외에 자동차 창유리나 건축물의 창유리 등에 쓰이는 대전 방지막, 전자파 차폐막 등의 투명전자파 차폐제 및 열선 반사막, 냉동 쇼케이스 등의 투명 발열체로 사용되고 있다.
최근에는 은 나노와이어(Ag nanowire)를 도전층으로 하는 투명도전필름이 제조되고 있다. 상기 은 나노와이어는 높은 전도성을 가지면서, 우수한 투과도를 가지고 있다는 장점이 있다.
그런데, 은 나노와이어층이 디스플레이 전극으로 사용되는 경우, 은 나노와이어층이 존재하는 부분과, 상기 은 나노와이어층이 제거된 부분 사이의 굴절률의 차이로 인하여 도전 패턴 경계가 보인다는 문제점이 있다.
또한, 헤이즈(haze) 또한 은 나노와이어층이 존재하는 부분 및 은 나노와이어층이 존재하지 않는 부분이 차이가 나서, 도전 패턴 경계가 보인다는 문제점이 있다.
본 발명은, 은 나노와이어를 도전층으로 하면서도, 도전 패턴이 형성된 부분과 도전 패턴이 형성되지 않는 부분 사이에 빛 굴절률 및 헤이즈가 유사한 전도성 나노와이어 필름 제조 방법 및 상기 제조 방법으로 제조된 디스플레이용 터치 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
따라서, 본 발명의 전도성 나노와이어 필름 제조 방법은, 베어(bare) 필름 상에, 전도성을 가진 금속 나노와이어를 포함하는 나노와이어층을 코팅하는 단계를 포함한다. 상기 나노와이어층상에, 절연성을 가지는 탑 코팅층을 형성하는 단계를 포함한다. 비패턴 영역의 상기 탑 코팅층은 잔존시키면서 금속 나노와이어를 제거하여서, 전극 패턴을 형성시키는 단계를 포함한다.
상기 전극 패턴을 형성시키는 단계는, 상기 비패턴 영역을 금속 에천트(etchant)를 통하여 에칭함으로써 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 전극 패턴을 형성시키는 단계는, 상기 비패턴 영역을 경계로 양측 나노와이어층 사이가 전기적으로 단락되는 동시에, 상기 비패턴 영역에서 상기 금속 나노와이어가 일부 잔존하도록 에칭할 수 있다.
상기 탑 코팅층은 나노입자를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 나노입자는, TiO2, SiO2, SiON, SiNx계, ZnO, SnO, Al2O3, ZrO2, Y2O3, WO3, V2O5, NiO, Mn3O4, MgO, La2O3, Fe2O3, Cr2O3, Co3O4, CuO, CeO2, ITO, ATO, AZO, FTO, GZO, Sb2O3및 ITO, ATO중 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 전극 패턴을 형성시키는 단계 이후에, 상기 탑 코팅층 상에 OCA 필름을 적층시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 금속은 은(Ag)일 수 있다.
또한, 상기 나노와이어층은, 사이즈가 1nm 내지 500nm인 나노 입자를 더 포함하고, 상기 나노 입자는 TiO2, SiO2, SiON, SiNx계, ZnO, SnO, Al2O3, ZrO2, Y2O3, WO3, V2O5, NiO, Mn3O4, MgO, La2O3, Fe2O3, Cr2O3, Co3O4, CuO, CeO2, ITO, ATO, AZO, FTO, GZO, Sb2O3, ITO, 및 ATO중 선택된 적어도 하나일 수 있다.
또한, 상기 나노와이어층은 탄소나노튜브를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 측면에서 상기 방법으로 제조된 전도성 나노와이어 필름을 포함하는 디스플레이용 터치패널을 제공한다.
한편, 본 발명의 다른 측면에서의 전도성 나노와이어 필름 제조 방법은, 베어(bare) 필름 상에, 전도성을 가진 금속 나노와이어를 포함하는 나노와이어층을 코팅하는 단계와, 비패턴 영역의 금속 나노와이어의 형태를 잔존시킨 채 통전성을 제거하여서, 전극 패턴을 형성시키는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 탑 코팅층이 잔존한 상태로 도전 패턴이 형성되므로, 도전 패턴이 형성된 위치와 상기 도전 패턴이 형성되지 않은 위치에서의 헤이즈 및 굴절률 차이가 크지 않게 되어서, 도전 패턴 경계가 보이지 않게 된다. 이에 따라서도전성이 우수한 동시에 인덱스 매칭(index matching)이 가능해진다. 이는 결과적으로, 디스플레이용 터치 패널에 적용되는 경우, 그 성능이 우수하게 된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전도성 나노와이어 필름 제조 방법을 도시한 흐름도이다.
도 2a 내지 도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전도성 나노와이어 필름 제조 방법의 각 단계를 도시한 단면도로서, 도 2a는 베어(bare) 필름 상에, 금속 나노와이어를 포함하는 나노와이어층을 코팅하는 단계를 도시한다.
도 2b는 도 2a의 변형예이다.
도 3은 상기 나노와이어층상에, 절연성을 가지는 탑 코팅층을 형성하는 단계를 도시한다.
도 4a는 식각 대상 위치의 상기 탑 코팅층은 잔존시키면서 금속 나노와이어를 제거하여서, 전극 패턴을 형성시키는 단계를 도시한다.
도 4b는 도 4a의 변형예이다.
도 5는 탑 코팅층 상에 OCA를 도포하는 단계를 도시한 단면도이다.
도 2a 내지 도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전도성 나노와이어 필름 제조 방법의 각 단계를 도시한 단면도로서, 도 2a는 베어(bare) 필름 상에, 금속 나노와이어를 포함하는 나노와이어층을 코팅하는 단계를 도시한다.
도 2b는 도 2a의 변형예이다.
도 3은 상기 나노와이어층상에, 절연성을 가지는 탑 코팅층을 형성하는 단계를 도시한다.
도 4a는 식각 대상 위치의 상기 탑 코팅층은 잔존시키면서 금속 나노와이어를 제거하여서, 전극 패턴을 형성시키는 단계를 도시한다.
도 4b는 도 4a의 변형예이다.
도 5는 탑 코팅층 상에 OCA를 도포하는 단계를 도시한 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전도성 나노와이어 필름 제조 방법을 도시한 흐름도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전도성 나노와이어 필름 제조 방법은, 베어(bare) 필름 상에, 금속나노와이어를 포함하는 나노와이어층을 코팅하는 단계(S1)를 포함한다. 상기 나노와이어층상에, 절연성을 가지는탑 코팅층을 형성하는 단계(S2)를 포함한다. 비패턴 영역의 상기 탑 코팅층은 잔존시키면서 금속나노와이어를 제거하여서, 전극 패턴을 형성시키는 단계(S3)를 포함한다.
이하, 도 2a 내지 도 5를 참조하여서, 본 발명의 전도성 나노와이어 필름 제조 방법의 각 단계에 대하여 상세히 설명한다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 베어(bare) 필름(10)상에, 금속나노와이어(22)를 포함하는 나노와이어층(20)을 코팅하는 단계를 포함한다. 베어 필름(10)은 투명재질일 수 있으며, 유리, PET, PC, PI, PEN, COC등의 투명 폴리머 등의 소재로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 베어 필름(10)은고투명 무기물 기판 또는 투명 폴리머 기판으로 이루어져서 유연성을 가지는 것이 바람직하다.
나노와이어층(20)은 금속 나노와이어(22)를 포함한다. 금속 나노와이어(22)는 금속, 금속합금, 도금 금속 또는 금속 산화물로 제조된 나노와이어로서, 전도성이 우수한 소재이다. 상기 금속 나노와이어(22)의 일예로서는 은 나노와이어, 구리 나노와이어, 백금 나노와이어, 금 나노와이어, 금 도금된 은 나노와이어, 및 팔라듐 나노와이어일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 금속 나노와이어로서 전도성이 우수한 은(Ag) 나노와이어일 수 있다.
금속 나노와이어(22)는 나노미터 단위의 직경을 가지는 와이어 구조체를 말한다. 상기 금속 나노와이어(22)의 지름은 10 nm 미만의 지름을 가지는 것에서부터 수백 nm 지름을 가질 수 있으며, 종횡비가 10보다 크다. 상기 금속 나노와이어(22)는 우수한 전도성 및 투과성을 가지고 있다.
이 경우, 상기 금속 나노와이어(20)의 직경이 30nm이하인 것이 보다 바람직한데, 이는 상기 직경 이하인 경우가 빛 반사율이 낮게 되어서 휘도의 향상을 가져올 수 있기 때문이다.
상기 나노와이어층(20)은 도시되지는 않으나, 세라믹 바인더를 포함 할 수 있다. 상기 세라믹 바인더는 TiO2 sol, Al2O3 sol, SiO2 sol, ZnO sol, ZrO2 sol, Y2O3 sol, MgO sol, Mn3O4 sol, Sm2O3 sol, SnO2 sol, NiO sol, La2O3 sol, Cr2O3 sol, CeO2 sol, CuO sol, 및 Co3O4 sol 중 적어도 하나 이상 선택될 수 있다. 상기 세라믹 바인더는 금속 나노와이어(22)를 바인딩 시키는 기능을 한다. 상기 세라믹 바인더는 금속 나노와이어 100중량부 대비 50 내지 10000 중량부의 함량을 가지는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 나노와이어층(20)의 두께(D)는 5nm 내지 500nm 인 것이 바람직하다. 이는 상기 두께(D)가5nm 미만인 경우에는 나노와이어층의 도전성이 낮아지게되고, 500nm를 초과하는 경우에는 투과성이 떨어지고, 헤이즈(Haze)가 높아지기 때문이다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 나노와이어층(20)은 탄소나노튜브(24)를 포함할 수 있다. 상기 탄소나노튜브(24)는 하나의 탄소가 다른 탄소원자와 육각형 벌집무늬로 결합되어 튜브형태를 이루고 있고, 튜브의 직경이 나노미터 수준으로 극히 작아서 특유의 전기 화학적 특성을 나타낸다.
이 경우, 도면에 도시된 바와 같이, 나노와이어층(20)은 금속 나노와이어(22)와탄소나노튜브(24)를 혼합한 1액형 용액을 코팅하여 이루어진 1층의 1액형 코팅층일 수 있다. 이 경우 탄소나노튜브(24)를 소량으로 사용하여 이룰 수 있고, 금속 나노와이어(22)와 탄소나노튜브(24) 간의 망상구조를 이루어, 이웃하는 금속 나노와이어(22)와 금속 나노와이어(22) 간을 탄소나노튜브(24)가 연결해줌으로써 전도성 및 유연성이 향상 된다.
상기 1액형 코팅층에는 습식에칭 가능한 세라믹 바인더 및 나노입자 중 적어도 하나가 포함될 수 있다. 상기 세라믹 바인더는 TiO2 sol, Al2O3 sol, SiO2 sol, ZnO sol, ZrO2 sol, Y2O3 sol, MgO sol, Mn3O4 sol, Sm2O3 sol, SnO2 sol, NiO sol, La2O3 sol, Cr2O3 sol, CeO2 sol, CuO sol, Co3O4 sol 중 적어도 하나 이상 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
나노 입자는 TiO2, SiO2, SiON, SiNx계, ZnO, SnO, Al2O3, ZrO2, Y2O3, WO3, V2O5, NiO, Mn3O4, MgO, La2O3, Fe2O3, Cr2O3, Co3O4, CuO, CeO2, ITO, ATO, AZO, FTO, GZO, Sb2O3및 ITO, ATO중 선택된 적어도 하나일 수 있다.
한편, 상기 탄소나노튜브는 금속 나노와이어의전도성 및 유연성을 향상시키는 정도로 첨가되며, 필요이상의 많은 양은 포함되지 않는 것이 바람직하다. 상기 탄소나노튜브들만으로 네트워크를 연결하여서 도전되도록 하면, 후술하는 금속 에천트를 투입하더라도 탄소나노튜브의 존재로 인하여 비패턴 영역이 불필요하게 통전될 가능성이 있기 때문이다.
한편 나노와이어층은, 금속 나노와이어 상에 탄소나노튜브를 코팅하여서도 이루어질 수 있다.
그 후에, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 나노와이어층(20)상에, 절연성을 가지는 탑 코팅층(30)을 형성하는 단계를 거친다.
탑 코팅층(30)은 투명한 소재로 이루어질 수 있다. 상기 탑 코팅층(30)은 나노와이어층(20) 상에 경도를 향상시키고, 스크래치를 방지하는 등 주변환경에 대한 내구성을 향상시키는 기능을 행한다. 또한, 휘도 향상, 난반사 방지 등 광학적 특성을 향상시킬 수도 있다.
상기 탑 코팅층(30)은 세라믹 바인더로 이루어질 수 있다. 일반적으로 세라믹 바인더는 광투과도가 높은 코팅막의 제조가 가능하고, 접착력이 우수하여 미세균열보강에 유리하고, 내열, 내화특성이 우수하며, 코팅 적용이 유용하다.
상기 세라믹 바인더의 일예로서는 TiO2sol, Al2O3 sol, SiO2 sol, ZnO sol, ZrO2 sol, Y2O3 sol, MgO sol, Mn3O4 sol, Sm2O3 sol, SnO2 sol, NiO sol, La2O3 sol, Cr2O3 sol, CeO2 sol, CuO sol, Co3O4 sol일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 이중 적어도 하나 이상 선택될 수 있다.
한편, 상기 탑 코팅층(30)에는 나노입자(32)가 첨가되어 있을 수 있다. 이에 대해서는 후에 보다 상세히 설명한다.
그 후에, 도 4a에 도시된 바와 같이, 비패턴영역(e)에서의 상기 탑 코팅층(30)은 잔존시키면서 상기 비패턴영역(e)의 금속 나노와이어(22)를 제거하여서, 전극 패턴을 형성시키는 단계를 거친다. 상기 비패턴 영역(e)이란 금속 나노와이어(22)가 존재하지 않아서 절연성을 가진 영역을 의미한다.
이에 따르면, 금속 나노와이어(22)가 제거됨으로써, 상기 비패턴 영역(e)을 경계로 양측에 배치된 나노와이어층(20_a, 20_b)은 서로 통전하지 않는다. 반면, 비패턴 영역(e)의 탑 코팅층(30)은 잔존하여 있으므로, 금속 나노와이어층이 있는 부분과 금속 나노와이어층이 없는 부분의 굴절률이 거의 차이가 없게 된다.
상기 금속 나노와이어를 제거하는 단계는, 전도성 금속을 에칭하는 금속 에천트(etchant)를 투입함으로써 이루어질 수 있다.
상기 금속 에천트는 상기 금속나노와이어(22)를 에칭한다. 이에 따라서 에칭된 부분, 즉 비패턴 영역(e)에는 절연되며, 상기 에칭된 부분을 중심으로 양측의 패턴 영역(p)에서의 나노와이어층은 서로 통전되지 않는다.
반면, 상기 금속 에천트는 탑 코팅층(30)을 에칭하지 않는다. 따라서, 탑 코팅층은 잔존하게 되어서, 에칭 영역에서의 빛 굴절률과 에칭 영역 외의 영역에서의 빛 굴절률이 거의 차이가 없게 된다. 이를 통하여 인덱스 매칭이 가능하게 된다.
특히, 저항막 방식 또는 정전용량 방식의 경우는 멀티터치를 인식하기 위해 나노와이어층에 패턴이 들어가며, 나노와이어층의 에칭 영역과 비에칭 영역 간의 굴절률 차이가 커서, 패터닝의 흔적이 보이게 되는데, 본 발명에서는 탑 코팅층(30)이 잔존해 있으므로 상기의 문제점을 크게 해결할 수 있다.
이 경우, 상기 금속나노와이어(22)는 전도성이 우수한 은(Ag)나노와이어일 수 있으며, 이 경우 상기 금속 에천트는 은 나노와이어를 에칭할 수 있는 은 에천트일 수 있다.
한편, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 금속 에천트를 투입하는 공정에서 불완전한 에칭을 행할 수 있다. 상기 불완전 에칭이란 상기 비패턴 영역(e)을 경계로 양측 나노와이어층(20_a, 20_b) 사이가 전기적으로 단락되는 동시에, 상기 비패턴 영역(e)에서 상기 금속 나노와이어(22)가 일부 잔존하도록 에칭하는 것을 의미한다.
상기 불완전 에칭을 통하여, 비패턴 영역(e)에서 금속 나노와이어(22) 일부가 잔존하여 있으므로, 비패턴 영역(e)과 패턴 영역(p) 사이의 굴절률이 보다 더 유사하게 되며, 이에 따라서 인덱스 매칭이 가능하게 된다. 또한, 헤이즈 또한 상기 패턴 영역과 비패턴 영역이 거의 비슷하게 되도록 할 수 있다.
상기 불완전 에칭시에는 상기 비패턴 영역(e)의 금속 나노와이어와, 패턴 영역(p)의 금속 나노와이어는 서로 네트워크를 가지지 않도록 분리되어 있는 것이 바람직하다.
상기 불완전 에칭은 에칭 시간을 단축시킴으로써 이루어질 수 있다. 완전에칭되는 시간보다 에칭 시간을 단축하게 되면, 상기 금속 나노와이어(22)가 완전히 에칭되지 않아서, 일부가 제거 되지 않음으로써 본 발명의 효과를 가질 수 있게 된다.
한편, 도 3 내지 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 탑 코팅층(30)에는 나노입자(32)가 첨가되어 있을 수 있다. 상기 탑 코팅층(30)에 나노입자(32)가 첨가되면, 패턴 영역(p)과 비패턴 영역(e) 사이에서의 굴절률 차이를 보다 확실히 감소시킬 수 있다.
이 경우, 상기 나노입자(32)는, TiO2, SiO2, SiON, SiNx계, ZnO, SnO, Al2O3, ZrO2, Y2O3, WO3, V2O5, NiO, Mn3O4, MgO, La2O3, Fe2O3, Cr2O3, Co3O4, CuO, CeO2, ITO, ATO, AZO, FTO, GZO, Sb2O3및 ITO, ATO중 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 탑 코팅층(30)에 나노입자(32)가 첨가되는 경우는 특히, 도 5에 도시된바와 같이, 상기 탑 코팅층(30) 상에 OCA(Optically Clear Adhesive)(40)를 도포 또는 접착하는 경우 보다 유리하다. 이는 나노입자(32)가 포함되지 않은 탑 코팅층(30) 상에 OCA(40)가 도포 또는 접착되면, 금속 나노와이어(22)가 에칭된 부분과 금속 나노와이어(22)가 에칭되지 않은 부분 간의 굴절률이 보다 크게 되고, 이에 따라서 인덱스 매칭이 어렵게 된다.
탑 코팅층(30)에 나노입자(32)가 첨가되면, 상기 탑 코팅층(30) 상에 OCA(40)가 도포되더라도, 빛 굴절률을 금속 나노와이어(22)가 에칭된 부분과 에칭되지 않은 부분에 유사하게 조절할 수 있음으로써, 인덱스 매칭이 가능하게 된다.
상기 제조 방법으로 제조된 전도성 나노와이어 필름은 디스플레이용 터치 패널로 적용 가능하다. 상기 전도성 나노와이어 필름을 디스플레이용 터치 패널로 적용하면, 헤이즈가 패턴 영역 및 비패턴 영역에서 유사하게 측정됨으로써, 후방으로부터 빛이 통과하더라도, 전방에서 패턴 영역과 비패턴 영역 사이의 경계가 나타나지 않아서, 금속 나노와이어를 전도체로 사용하더라도 심미감이 우수하게 된다.
또한, 외부로부터의 빛의 굴절률 또한 패턴 영역과 비패턴 영역 사이가 유사하게 됨으로써, 전방에서 패턴 영역과 비패턴 영역 사이의 경계가 나타나지 않게 된다.
본 발명의 다른 측면에서의 전도성 나노와이어 필름 제조 방법은, 나노와이어층을 O2 플라즈마에칭 처리한다. 즉, 베어(bare) 필름 상에, 전도성을 가진 금속 나노와이어를 포함하는 나노와이어층을 코팅하는 단계를 가진다. 비패턴 영역의 금속 나노와이어의 통전성을 제거하여서, 전극 패턴을 형성시키는 단계를 거친다.
은 나노와이어 등 금속 나노와이어가 플라즈마 에칭되면, 그 형태는 유지하면서 산화되어 통전성을 잃게 된다. 즉, 비패턴 영역에 플라즈마에칭을 행하게 되면, 패턴 영역 및 비패턴 영역에 금속 나노와이어는 남아있게 되어서, 에칭이 된 부분과, 되지 않은 부분 사이의 경계가 뚜렷하지 않아서 눈으로 패턴을 식별하기 어려워진다. 이에 따라서 인덱스 매칭이 가능해진다.
한편, 금속 나노와이어가 단독으로 코팅되어 있으면, 플라즈마에 노출이 되는 경우 스파크가 튀어서 필름이 손상되거나 타는 현상이 발생할 수 있다.
따라서, 상기 나노와이어층 상면에, 두께가 1nm 내지 700nm의보호층을 형성시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 보호층은 세라믹 바인더 또는 세라믹성분을 포함한 폴리머로 이루어지는 것이 바람직한데, 이는 일반적으로 세라믹 바인더는 광투과도가 높은 코팅막의 제조가 가능하고, 접착력이 우수하여 미세균열보강에 유리하고, 내열, 내화특성이 우수하며, 코팅 적용이 유용하기 때문이다.
상기 세라믹 바인더의 일예로서는 TiO2sol, Al2O3 sol, SiO2 sol, ZnO sol, ZrO2 sol, Y2O3 sol, MgO sol, Mn3O4 sol, Sm2O3 sol, SnO2 sol, NiO sol, La2O3 sol, Cr2O3 sol, CeO2 sol, CuO sol, Co3O4 sol일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 이중 적어도 하나 이상 선택될 수 있다.
이와 더불어, 상기 나노와이어층은, 세라믹 바인더를 더 포함할 수도 있다. 상기 보호층 및 바인더는 필름이 스파크가 튀는 것을 방지함으로써 필름이 손상되거나 타는 것을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10: 베어 필름
20: 나노와이어층
22: 금속 나노와이어
24: 탄소나노튜브
30: 탑 코팅층
32: 나노입자
40: OCA
20: 나노와이어층
22: 금속 나노와이어
24: 탄소나노튜브
30: 탑 코팅층
32: 나노입자
40: OCA
Claims (16)
- 베어(bare) 필름 상에, 전도성을 가진 금속 나노와이어 및 상기 금속 나노와이어를 바인딩하는 바인더를 포함하는 나노와이어층을 코팅하는 단계;
상기 나노와이어층상에, 절연성을 가지는 탑 코팅층을 형성하는 단계; 및
비패턴 영역의 상기 탑 코팅층은 잔존시키면서 금속 나노와이어를 제거하여서, 전극 패턴을 형성시키는 단계;
를 포함하는 전도성 나노와이어 필름 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 전극 패턴을 형성시키는 단계는,
상기 비패턴 영역을 금속 에천트(etchant)를 통하여 에칭함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어 필름 제조 방법. - 제2항에 있어서,
상기 전극 패턴을 형성시키는 단계는,
상기 비패턴 영역을 경계로 양측 나노와이어층 사이가 전기적으로 단락되는 동시에, 상기 비패턴 영역에서 상기 금속 나노와이어가 일부 잔존하도록 에칭하는 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어 필름 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 탑 코팅층은 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어 필름 제조 방법. - 제4항에 있어서,
상기 나노입자는, TiO2, SiO2, SiON, SiNx계, ZnO, SnO, Al2O3, ZrO2, Y2O3, WO3, V2O5, NiO, Mn3O4, MgO, La2O3, Fe2O3, Cr2O3, Co3O4, CuO, CeO2, ITO, ATO, AZO, FTO, GZO, Sb2O3및 ITO, ATO중 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어 필름 제조 방법. - 제5항에 있어서,
상기 전극 패턴을 형성시키는 단계 이후에,
상기 탑 코팅층 상에 OCA 필름을 접착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어 필름 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 금속은 은(Ag)인 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어 필름 제조 방법. - 제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 나노와이어층은, 사이즈가 1nm 내지 500nm인 나노 입자를 더 포함하고,
상기 나노 입자는 TiO2, SiO2, SiON, SiNx계, ZnO, SnO, Al2O3, ZrO2, Y2O3, WO3, V2O5, NiO, Mn3O4, MgO, La2O3, Fe2O3, Cr2O3, Co3O4, CuO, CeO2, ITO, ATO, AZO, FTO, GZO, Sb2O3, ITO, 및 ATO중 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어 필름 제조 방법. - 제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 나노와이어층은 탄소나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어 필름 제조 방법. - 제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 항으로 제조된 전도성 나노와이어 필름을 포함하는 디스플레이용 터치패널.
- 베어(bare) 필름 상에, 전도성을 가진 금속 나노와이어를 포함하는 나노와이어층을 코팅하는 단계; 및
비패턴 영역의 금속 나노와이어의 형태를 잔존시킨 채 통전성을 제거하여서, 전극 패턴을 형성시키는 단계;
를 포함하고,
상기 나노와이어층은, 사이즈가 1nm 내지 500nm인 나노 입자를 더 포함하고,
상기 나노 입자는 TiO2, SiO2, SiON, SiNx계, ZnO, SnO, Al2O3, ZrO2, Y2O3, WO3, V2O5, NiO, Mn3O4, MgO, La2O3, Fe2O3, Cr2O3, Co3O4, CuO, CeO2, ITO, ATO, AZO, FTO, GZO, Sb2O3, ITO, 및 ATO중 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어 필름 제조 방법. - 제11항에 있어서,
상기 전극 패턴을 형성시키는 단계는,
비패턴 영역을 O2 플라즈마에칭을 통하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어 필름 제조 방법. - 삭제
- 제11항에 있어서,
상기 나노와이어층을 코팅하는 단계 및 전극 패턴을 형성시키는 단계 이전에,
상기 나노와이어층 상면에, 세라믹 바인더 또는 세라믹성분을 포함한 폴리머로 이루어지며 두께가 1nm 내지 700nm의 보호층을 형성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어 필름 제조 방법. - 제11항에 있어서,
상기 나노와이어층은, 세라믹 또는 세라믹을 포함하는 폴리머로 이루어진 바인드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어 필름 제조 방법. - 제11항, 제12항, 제14항,및 제15항 중 어느 하나의 항으로 제조된 전도성 나노와이어 필름을 포함하는 디스플레이용 터치패널.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130103511A KR101482780B1 (ko) | 2013-08-29 | 2013-08-29 | 전도성 나노와이어필름 제조 방법 및 상기 제조방법으로 제조된 전도성 나노와이어 필름을 포함하는 터치패널 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130103511A KR101482780B1 (ko) | 2013-08-29 | 2013-08-29 | 전도성 나노와이어필름 제조 방법 및 상기 제조방법으로 제조된 전도성 나노와이어 필름을 포함하는 터치패널 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101482780B1 true KR101482780B1 (ko) | 2015-01-15 |
Family
ID=52589047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130103511A KR101482780B1 (ko) | 2013-08-29 | 2013-08-29 | 전도성 나노와이어필름 제조 방법 및 상기 제조방법으로 제조된 전도성 나노와이어 필름을 포함하는 터치패널 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101482780B1 (ko) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180076633A (ko) | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 자동차부품연구원 | 자동차 터치 패널용 전도성 복합소재 |
| US10070515B2 (en) | 2015-08-10 | 2018-09-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transparent electrode using amorphous alloy and method of manufacturing the same |
| KR20190035120A (ko) | 2017-09-26 | 2019-04-03 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속 나노 와이어를 포함하는 투명 도전성 접착제 필름 및 그 제조방법 |
| KR20210128759A (ko) * | 2020-04-17 | 2021-10-27 | 율촌화학 주식회사 | 지문인식 일체형 정적용량 터치스크린 센서 및 그 제조방법 |
| CN116631676A (zh) * | 2023-05-25 | 2023-08-22 | 江苏纳美达光电科技有限公司 | 一种导电膜及其制备方法以及触控功能片 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110104226A (ko) * | 2010-03-16 | 2011-09-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 터치 스크린 패널 및 그 제조방법 |
| KR20120110885A (ko) * | 2011-03-30 | 2012-10-10 | 주식회사 엘지화학 | 편광판 일체형 터치 센서 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
| KR20130000487A (ko) * | 2011-06-23 | 2013-01-03 | (주)탑나노시스 | 탄소나노튜브필름 제조 방법 |
| KR20130053403A (ko) * | 2010-03-23 | 2013-05-23 | 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 | 나노구조 투광 전도체들의 에칭 패터닝 |
-
2013
- 2013-08-29 KR KR1020130103511A patent/KR101482780B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110104226A (ko) * | 2010-03-16 | 2011-09-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 터치 스크린 패널 및 그 제조방법 |
| KR20130053403A (ko) * | 2010-03-23 | 2013-05-23 | 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 | 나노구조 투광 전도체들의 에칭 패터닝 |
| KR20120110885A (ko) * | 2011-03-30 | 2012-10-10 | 주식회사 엘지화학 | 편광판 일체형 터치 센서 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
| KR20130000487A (ko) * | 2011-06-23 | 2013-01-03 | (주)탑나노시스 | 탄소나노튜브필름 제조 방법 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10070515B2 (en) | 2015-08-10 | 2018-09-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transparent electrode using amorphous alloy and method of manufacturing the same |
| KR20180076633A (ko) | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 자동차부품연구원 | 자동차 터치 패널용 전도성 복합소재 |
| KR20190035120A (ko) | 2017-09-26 | 2019-04-03 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속 나노 와이어를 포함하는 투명 도전성 접착제 필름 및 그 제조방법 |
| KR20210128759A (ko) * | 2020-04-17 | 2021-10-27 | 율촌화학 주식회사 | 지문인식 일체형 정적용량 터치스크린 센서 및 그 제조방법 |
| KR102348562B1 (ko) * | 2020-04-17 | 2022-01-07 | 율촌화학 주식회사 | 지문인식 일체형 정적용량 터치스크린 센서 및 그 제조방법 |
| CN116631676A (zh) * | 2023-05-25 | 2023-08-22 | 江苏纳美达光电科技有限公司 | 一种导电膜及其制备方法以及触控功能片 |
| CN116631676B (zh) * | 2023-05-25 | 2024-04-26 | 江苏纳美达光电科技有限公司 | 一种导电膜及其制备方法以及触控功能片 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103765359B (zh) | 触摸面板和用于制造该触摸面板的方法 | |
| KR101482780B1 (ko) | 전도성 나노와이어필름 제조 방법 및 상기 제조방법으로 제조된 전도성 나노와이어 필름을 포함하는 터치패널 | |
| TWI480897B (zh) | Transparent conductive film and touch panel | |
| KR101879220B1 (ko) | 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널 | |
| CN203930769U (zh) | 电容式触控面板 | |
| KR101243725B1 (ko) | 투명 도전성 필름, 이를 이용한 터치 패널 및 디스플레이 장치 | |
| KR101865685B1 (ko) | 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널 | |
| KR20140042318A (ko) | 투명 도전성 기재 및 이를 포함하는 터치 패널 | |
| CN102194540A (zh) | 具反射光调整层的透明导电叠层体 | |
| KR101407877B1 (ko) | 전기적 특성이 우수한 투명 도전성 필름 및 이를 이용한 터치 패널 | |
| CN109791458B (zh) | 静电电容式传感器 | |
| TW201904763A (zh) | 透明導電膜 | |
| CN109799935A (zh) | 触控感应单元 | |
| JP6292225B2 (ja) | 透明導電体 | |
| CN103632752B (zh) | 金属纳米线膜及其制造方法 | |
| KR101431705B1 (ko) | 나노와이어-탄소나노튜브 하이브리드 필름 및 이의 제조 방법 | |
| KR20150028647A (ko) | 커버 윈도우, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 터치 패널 | |
| US9715289B2 (en) | Method for manufacturing a conducting substrate | |
| CN203930770U (zh) | 触控面板 | |
| KR102077548B1 (ko) | 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널 | |
| TW201629728A (zh) | 觸控螢幕面板及含此之影像顯示 | |
| TWI288699B (en) | Touch panel with high transmittance | |
| CN102789826A (zh) | 导电薄膜 | |
| CN104731398A (zh) | 触控面板 | |
| CN207458611U (zh) | 透明导电性薄膜及触控屏 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20130829 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20140731 Patent event code: PE09021S01D |
|
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20141010 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20150108 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20150108 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20181019 |