CN116631676B - 一种导电膜及其制备方法以及触控功能片 - Google Patents
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Abstract
本说明书实施例提供一种导电膜及其制备方法以及触控功能片。该导电膜包括基膜和导电层，导电层覆盖在基膜上，其中，导电层包括纳米金属线层和保护层，导电层上包括导电网格结构，导电网格结构包括多个镂空格和导电网格线，镂空格为通过黄光蚀刻将纳米金属线层和保护层蚀刻后形成。
Description
技术领域
本说明书涉及触控技术领域，特别涉及一种导电膜及其制备方法以及触控功能片。
背景技术
随着科学技术的发展，触控交互已成为人机交互的重要方式之一，广泛应用于智慧家居、智能家电、医疗保健、自助商超、商业广告、智慧物流、智能结算、工业控制、车载显示等领域。通常要求触控交互设备的触控器件(例如，触控屏)的导电膜具有较优的光学性能(例如，较高的透光率、较低的雾度)。因此，有必要提供一种具有较优光学性能的导电膜及其制备方法。
发明内容
本说明书实施例之一提供一种导电膜。该导电膜包括：基膜和导电层，所述导电层覆盖在所述基膜上，其中，所述导电层包括纳米金属线层和保护层，所述导电层上包括导电网格结构，所述导电网格结构包括多个镂空格和导电网格线，所述镂空格为通过黄光蚀刻将所述纳米金属线层和所述保护层蚀刻后形成。
在一些实施例中，所述基膜与未经所述黄光蚀刻的所述导电层的透光率大于等于50％；和/或所述基膜与未经所述黄光蚀刻的所述导电层的方阻为0.1Ω/□-50Ω/□；和/或未经所述黄光蚀刻的所述导电层的厚度为50nm-300nm；和/或所述基膜与未经所述黄光蚀刻的所述导电层的雾度为1.0％-30％。
在一些实施例中，所述保护层包括高分子层，所述高分子层的厚度为0.5nm-10nm；或者所述保护层包括金属氧化物层，所述金属氧化物层的厚度为10nm-50nm。
在一些实施例中，所述多个镂空格的面积总和与所述导电层的面积之比大于等于60％且小于等于97％；和/或所述导电网格线的宽度为3μm-30μm。
在一些实施例中，所述基膜的材质包括聚酯、环烯烃聚合物、无色聚酰亚胺、聚丙烯、聚乙烯、三醋酸纤维、PETG、TPU、PVA、PC中的一种或多种的组合。
在一些实施例中，所述纳米金属线层包括纳米银线、纳米金线、纳米铜线、纳米铂线、纳米铝线、纳米钛线或纳米锡线中的至少一种；所述导电层还包括纳米金属层，所述纳米金属层包括纳米金、纳米银、纳米铜、纳米铂、纳米钯、纳米铝、纳米锡、纳米铅或纳米钛中的至少一种。
所述导电层中还包括着色颗粒，所述着色颗粒的粒径为0.05μm-1.0μm。
在一些实施例中，所述导电膜的透光率大于等于80％；和/或所述导电膜的方阻为5Ω/□-150Ω/□；和/或所述导电膜的雾度为0.8％-4.0％。
本说明书实施例之一还提供一种导电膜的制备方法。该方法包括：在基膜上制备导电层，其中，所述导电层包括纳米金属线层和保护层；以及通过黄光蚀刻所述导电层，制得所述导电膜，其中，经过所述黄光蚀刻后的导电层上包括导电网格结构，所述导电网格结构包括多个镂空格和导电网格线，所述镂空格为通过所述黄光蚀刻将所述纳米金属线层和所述保护层蚀刻后形成。
本说明书实施例之一还提供一种触控功能片。该触控功能片包括前述的导电膜。
在一些实施例中，所述触控功能片的透光率大于等于80％；和/或所述触控功能片的雾度为1.0％-4.0％。
附图说明
本说明书将以示例性实施例的方式进一步说明，这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例并非限制性的，在这些实施例中，相同的编号表示相同的结构，其中：
图1是根据本说明书一些实施例所示的示例性导电膜的截面的结构示意图。
图2是图1的A-A剖视图。
图3是根据本说明书一些实施例所示的示例性导电膜的显微镜照片。
图4是根据本说明书另一些实施例所示的示例性导电膜的显微镜照片。
图5是根据本说明书另一些实施例所示的示例性导电膜的显微镜照片。
图中，100为导电膜，110为基膜，120为导电层，121为纳米金属线层，122为保护层，123为镂空格，124为导电网格线。
具体实施方式
为了更清楚地说明本说明书实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本说明书应用于其它类似情景。除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作。
如本说明书和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其它的步骤或元素。
本说明书实施例之一提供一种导电膜。该导电膜包括基膜和导电层，导电层覆盖在基膜上。其中，导电层包括纳米金属线层和保护层，导电层上包括导电网格结构。该导电网格结构包括多个镂空格和导电网格线，镂空格为通过黄光蚀刻将纳米金属线层和保护层蚀刻后形成。该导电膜可以用于触控功能片。本说明书中基膜的作用是承载导电层。通过在导电层上设置导电网格结构，导电网格结构的导电网格线可以实现导电，由于纳米金属线导电层透光率大于50％，所以导电网格本身也是透明的。导电网格结构的镂空格中的纳米金属线被完全蚀刻，减少了无规则分布的纳米金属线对可见光的反射和散射，且镂空区域的占比达到60％-97％，因此可以改善纳米金属线导电层自身存在的发白、发黄或发雾的光学问题。而镂空格是通过黄光蚀刻形成的，黄光蚀刻能够将纳米金属线层和保护层更有效地蚀刻掉，这样可以使得导电膜具有优异的光学性能(例如，较高的透光率、较低的雾度)。使用该导电膜的触控功能片也能够具有优异的光学性能。
图1是根据本说明书一些实施例所示的示例性导电膜的截面的结构示意图。图2是图1的A-A剖视图。
如图1和图2所示，导电膜100可以包括基膜110和导电层120。导电层120覆盖在基膜110上，导电层120包括纳米金属线层121和保护层122。导电层120上包括导电网格结构，导电网格结构包括多个镂空格123和导电网格线124，镂空格123为通过黄光蚀刻将纳米金属线层121和保护层122蚀刻后形成。
导电层120覆盖在基膜110上可以理解为导电层120覆盖在基膜110的一侧表面上。例如，导电层120可以覆盖在基膜110的上方。在本说明书中，上方可以是指当导电膜100用于触控功能片时朝向触控功能片外侧的一方。
在一些实施例中，基膜110的材质可以包括聚酯、环烯烃聚合物(Cyclo OlefinPlymer，COP)、无色聚酰亚胺(Colorless Polyimide，CPI)、聚丙烯(Polypropylene，PP)、聚乙烯(Polyethylene，PE)、三醋酸纤维素(Tri-cellulose Acetate，TCA)、聚(对苯二甲酸乙二醇酯-1,4-环己二烯二亚甲基对苯二甲酸酯)(Poly(ethylene terephthalateco-1,4-cylclohexylenedimethylene terephthalate)，PETG)、热塑性聚氨酯(ThermoplasticUrethane，TPU)、聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，PVA)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)中的一种或多种的组合。
在一些实施例中，聚酯可以包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethyleneterephthalate，PET)。
在一些实施例中，基膜可以包括经处理后的基膜。在一些实施例中，处理可以包括增透处理、减反处理、加硬处理或防眩处理中的至少一种。在一些实施例中，增透处理、减反处理、加硬处理或防眩处理中的至少一种可以通过涂布实现。
在一些实施例中，增透处理可以增加基膜的透光性。
在一些实施例中，减反处理可以减少或消除基膜表面对光的反射，以进一步增加基膜的透光性。
在一些实施例中，加硬处理可以增加基膜的硬度。例如，加硬处理可以使基膜的表面硬度值达3H以上。
在一些实施例中，防眩处理可以使膜材表面变为哑光的漫反射表面,从而减少外界光线对人眼的干扰。
在一些实施例中，基膜的厚度可以为13μm-300μm。在一些实施例中，基膜的厚度可以为30μm-280μm。在一些实施例中，基膜的厚度可以为50μm-250μm。在一些实施例中，基膜的厚度可以为70μm-230μm。在一些实施例中，基膜的厚度可以为90μm-200μm。在一些实施例中，基膜的厚度可以为110μm-180μm。在一些实施例中，基膜的厚度可以为130μm-150μm。在一些实施例中，基膜的厚度可以为20μm、40μm、60μm、80μm、100μm、120μm、140μm、160μm、180μm、200μm、220μm、240μm、260μm、280μm或300μm等。
在一些实施例中，纳米金属线层可以包括纳米银线、纳米金线、纳米铜线、纳米铂线、纳米铝线、纳米钛线或纳米锡线中的至少一种。在一些实施例中，纳米金属线层可以包括通过涂布纳米金属线墨水制得的膜层结构。在一些实施例中，纳米金属线墨水中所含的纳米金属线可以包括纳米银线、纳米金线、纳米铜线、纳米铂线、纳米铝线、纳米钛线或纳米锡线中的至少一种。
在一些实施例中，导电层120还可以包括纳米金属层(图中未示出)。在一些实施例中，导电层120包括纳米金属层121和纳米金属线层时，纳米金属层可以位于纳米金属线层121的上方或下方。在一些实施例中，纳米金属层可以包括纳米金、纳米银、纳米铜、纳米铂、纳米钯、纳米铝、纳米锡、纳米铅或纳米钛中的至少一种。在一些实施例中，纳米金属层可以包括通过磁控溅射纳米金属(例如，纳米金、纳米银、纳米铜、纳米铂、纳米钯、纳米铝、纳米锡、纳米铅或纳米钛中的至少一种)制得的膜层结构。纳米金属或其合金对特定波段的光具有吸收作用，因此，纳米金属层不仅可以调节纳米金属线层121的色度，还可以增加制得的导电膜100的导电性。在一些实施例中，纳米金属层的厚度可以为3nm-10nm。在一些实施例中，纳米金属层的厚度可以为4nm-9nm。在一些实施例中，纳米金属层的厚度可以为5nm-8nm。在一些实施例中，纳米金属层的厚度可以为6nm-7nm。
在一些实施例中，如图1和图2所示，纳米金属线层121可以位于保护层122下方。在一些实施例中，纳米金属线层121与保护层122可以混合(也可以理解为不分层)形成导电层120。
在一些实施例中，保护层122可以包括高分子层。在一些实施例中，高分子层可以包括通过涂布含有高分子的保护液后，经干燥固化得到的膜层结构。在一些实施例中，含有高分子的保护液可以包括但不限于脂肪族聚氨酯丙烯酸酯、芳香族聚氨酯丙烯酸酯、聚氨酯甲基丙烯酸酯、邻苯二甲酸二烯丙酯、环氧丙烯酸酯和环氧甲基丙烯酸酯的一种或几种。在一些实施例中，纳米金属线层121与保护层122分层排布(例如，纳米金属线层121位于保护层122下方)时，高分子层的厚度可以为0.5nm-10nm。在一些实施例中，高分子层的厚度可以为1nm-9nm。在一些实施例中，高分子层的厚度可以为2nm-8nm。在一些实施例中，高分子层的厚度可以为3nm-7nm。在一些实施例中，高分子层的厚度可以为4nm-6nm。在一些实施例中，高分子层的厚度可以为4.5nm-5nm。在一些实施例中，高分子层的厚度可以为0.5nm、1nm、3nm、5nm、7nm、9nm或10nm。
在一些实施例中，保护层122可以包括金属氧化物层。在一些实施例中，金属氧化物层可以包括通过磁控溅射金属氧化物得到的膜层结构。在一些实施例中，金属氧化物可以包括但不限于氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)。在一些实施例中，纳米金属线层121与保护层122分层排布(例如，纳米金属线层121位于保护层122下方)时，金属氧化物层的厚度可以为10nm-50nm。在一些实施例中，金属氧化物层的厚度可以为15nm-45nm。在一些实施例中，金属氧化物层的厚度可以为20nm-40nm。在一些实施例中，金属氧化物层的厚度可以为25nm-35nm。在一些实施例中，金属氧化物层的厚度可以为28nm-30nm。在一些实施例中，金属氧化物层的厚度可以为10nm、20nm、30nm、40nm或50nm。
本说明书实施例中，针对不同类型的保护层122(例如，高分子层或金属氧化物层)，可以设置不同的保护层122的厚度，不仅可以提高制得的导电膜100的耐候性，还可以降低黄光蚀刻的难度，提高黄光蚀刻的效率。
在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层可以包括基膜110、纳米金属线层121和保护层122。可以理解，未经黄光蚀刻的导电层包括纳米金属线层121和保护层122，纳米金属线层121和保护层122作为整体可以称为导电网格线124。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的透光率可以大于等于50％。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的透光率可以大于等于55％。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的透光率可以大于等于60％。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的透光率可以大于等于65％。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的透光率可以大于等于70％。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的透光率可以大于等于75％。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的透光率可以大于等于80％。通过设置基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的透光率大于等于50％，可以使得基膜110与未经黄光蚀刻的导电层(例如，导电网格线124)也可以透过可见光，这不仅会整体提升导电膜100的透光率，也可以使得黄光蚀刻后形成的导电网格线124无需特别细，进而可以使黄光制程对设备精度和工艺要求的难度大幅降低，有利于降低制程成本和提高产品良率。此外，由于导电网格线124已经可以透过可见光且透光率大于等于50％，导电网格线124与镂空格123的透光率相差较小。
在一些实施例中，导电层120还可以包括着色颗粒。在一些实施例中，着色颗粒的粒径可以为0.05μm-1.0μm。在一些实施例中，着色颗粒的粒径可以为0.05μm-1.0μm。在一些实施例中，着色颗粒的粒径可以为0.1μm-0.9μm。在一些实施例中，着色颗粒的粒径可以为0.2μm-0.8μm。在一些实施例中，着色颗粒的粒径可以为0.3μm-0.7μm。在一些实施例中，着色颗粒的粒径可以为0.4μm-0.6μm。在一些实施例中，着色颗粒的粒径可以为0.45μm-0.55μm。在一些实施例中，粒径可以理解为当量直径。
当粒子尺寸达到纳米量级后，就会有量子尺寸效应产生，即蚀刻得到导电网格线124中的纳米金属线因局域表面等离子体共振而对特定波段的波长产生吸收，导致导电膜100宏观上产生颜色变化。通过在导电层120中加入着色颗粒，可以对纳米金属线吸收的波段进行颜色补偿，使得导电膜100整体近似透明无色，整体光学外观趋于一致，同时使得导电膜100的蚀刻痕不明显，避免上述导电膜在后期应用过程中产生莫尔纹或散点的问题。
在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的方阻可以为0.1Ω/□-50Ω/□。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的方阻可以为2Ω/□-45Ω/□。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的方阻可以为4Ω/□-40Ω/□。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的方阻可以为6Ω/□-35Ω/□。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的方阻可以为8Ω/□-30Ω/□。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的方阻可以为10Ω/□-25Ω/□。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的方阻可以为15Ω/□-20Ω/□。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的方阻可以为1Ω/□、5Ω/□、8Ω/□、10Ω/□、20Ω/□、30Ω/□、40Ω/□或50Ω/□。通过设置基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的方阻为0.1Ω/□-50Ω/□，可以保证经黄光蚀刻后得到的导电膜100的导电率满足后期触控功能片应用的需求。
基膜110上导电层120的厚度(如图1中d所示)可以理解为未经黄光蚀刻的导电层的厚度，包括纳米金属线层121与保护层122厚度的总和。在一些实施例中，导电层的厚度可以为50nm-300nm。在一些实施例中，导电层的厚度可以为80nm-270nm。在一些实施例中，导电层的厚度可以为100nm-250nm。在一些实施例中，导电层的厚度可以为120nm-230nm。在一些实施例中，导电层的厚度可以为150nm-200nm。在一些实施例中，导电层的厚度可以为160nm-180nm。在一些实施例中，导电层的厚度可以为50nm、150nm、200nm、250nm或300nm。通过设置导电层的厚度为50nm-300nm，可以降低黄光蚀刻的难度，提高黄光蚀刻的效率。
在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的雾度可以为1.0％-30％。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的雾度可以为3％-28％。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的雾度可以为5％-25％。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的雾度可以为8％-23％。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的雾度可以为10％-20％。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的雾度可以为12％-18％。在一些实施例中，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的雾度可以为14％-15％。
如图1所示，镂空格123可以为通过黄光蚀刻将纳米金属线层121和保护层122蚀刻后形成，可以理解为镂空格123处基本不包括纳米金属线层121和保护层122。在一些实施例中，黄光蚀刻可以包括但不限于氧化腐蚀、酸腐蚀中的至少一种。例如，黄光蚀刻可以包括氧化腐蚀与酸腐蚀。在一些实施例中，蚀刻液可以包括但不限于盐酸-硝酸体系、氯化铁体系、硝酸铁体系、硝酸铁-硝酸体系和磷酸-硝酸-醋酸体系。
多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S会影响导电膜100的导电性和光学性能。例如，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S太小，会导致导电膜100的光学性能较差(例如，透光率较低、雾度较高)。又例如，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S太大，会导致导电膜100的导电性较差。因此，在一些实施例中，为了提高导电膜100的光学性能和导电性，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S需满足预设要求。
在一些实施例中，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S可以大于等于60％且小于等于97％。在一些实施例中，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S可以大于等于65％且小于等于95％。在一些实施例中，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S可以大于等于70％且小于等于90％。在一些实施例中，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S可以大于等于75％且小于等于85％。在一些实施例中，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S可以大于等于80％且小于等于85％。在一些实施例中，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S可以大于等于60％且小于等于95％。在一些实施例中，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S可以大于等于60％且小于等于90％。在一些实施例中，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S可以大于等于60％且小于等于85％。在一些实施例中，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S可以大于等于60％且小于等于80％。在一些实施例中，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S可以大于等于60％且小于等于75％。在一些实施例中，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S可以大于等于60％且小于等于70％。在一些实施例中，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S可以大于等于65％且小于等于97％。在一些实施例中，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S可以大于等于70％且小于等于97％。在一些实施例中，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S可以大于等于75％且小于等于97％。在一些实施例中，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S可以大于等于80％且小于等于97％。在一些实施例中，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S可以大于等于85％且小于等于97％。在一些实施例中，多个镂空格123的面积总和与导电层120的面积之比S可以大于等于90％且小于等于97％。
图3是根据本说明书一些实施例所示的示例性导电膜的显微镜照片。图4是根据本说明书另一些实施例所示的示例性导电膜的显微镜照片。图5是根据本说明书另一些实施例所示的示例性导电膜的显微镜照片。可以理解地，如图3、图4和图5所示，多个镂空格123的面积总和与导电网格线124的面积总和之和等于导电层120的面积。
导电网格线124可以用于构建触控图形电极的超精细感应电路通道。在一些实施例中，导电网格线124可以是连续的纳米金属线。在一些实施例中，在不影响导电层120的导电通路的情况下，导电网格线124包括无规则分布且相互搭接的多根纳米金属线。在一些实施例中，导电网格线124可以呈直线形、曲线型、波浪线形等。在一些实施例中，通过导电网格线124形成的网格的形状(也可以理解为镂空格123的形状)可以为多边形。例如，三角形、菱形(如图3所示)、正方形(如图4或图5所示)、矩形等。在另一些实施例中，通过导电网格线124形成的网格的形状(也可以理解为镂空格123的形状)可以为椭圆形、圆形或不规则连续网格形状。在一些实施例中，通过导电网格线124形成的网格(也可以理解为镂空格123)可以是阵列排布的。在一些实施例中，导电网格线124可以形成一种或多种形状的网格。例如，圆形与多边形的任意组合。
在一些实施例中，导电网格线124的宽度(如图1中w所示)可以为3μm-30μm。在一些实施例中，导电网格线124的宽度可以为5μm-28μm。在一些实施例中，导电网格线124的宽度可以为8μm-27μm。在一些实施例中，导电网格线124的宽度可以为10μm-25μm。在一些实施例中，导电网格线124的宽度可以为12μm-23μm。在一些实施例中，导电网格线124的宽度可以为15μm-20μm。在一些实施例中，导电网格线124的宽度可以为3μm、5μm、10μm、15μm、20μm、25μm或30μm。由于导电网格线124处也能够透过可见光(例如，透光率大于50％)，导电网格线124的宽度为5μm-30μm范围内时，既可以构建触控图形电极的超精细感应电路通道，又可以降低黄光蚀刻的难度，提升黄光蚀刻的效率。
在一些实施例中，若基膜110的透光率为T0，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的透光率为T1，则经黄光蚀刻后得到的导电膜100的透光率T2可以表示为T2＝T0-(T0-T1)·(1S)。
在一些实施例中，导电膜100的透光率可以大于等于80％。在一些实施例中，导电膜100的透光率可以大于等于82％。在一些实施例中，导电膜100的透光率可以大于等于84％。在一些实施例中，导电膜100的透光率可以大于等于86％。在一些实施例中，导电膜100的透光率可以大于等于88％。在一些实施例中，导电膜100的透光率可以大于等于90％。在一些实施例中，导电膜100的透光率可以大于等于92％。
在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为5Ω/□-150Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为5Ω/□-140Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为5Ω/□-130Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为5Ω/□-120Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为5Ω/□-110Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为5Ω/□-100Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为5Ω/□-90Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为5Ω/□-80Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为5Ω/□-70Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为5Ω/□-60Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为5Ω/□-50Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为5Ω/□-40Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为5Ω/□-30Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为5Ω/□-20Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为5Ω/□-10Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为10Ω/□-140Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为20Ω/□-130Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为30Ω/□-120Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为40Ω/□-110Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为50Ω/□-100Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为60Ω/□-90Ω/□。在一些实施例中，导电膜100的方阻可以为70Ω/□-80Ω/□。
在一些实施例中，若基膜110的雾度为H0，基膜110与未经黄光蚀刻的导电层的雾度为H1，则经黄光蚀刻后得到的导电膜100的雾度H2可以表示为H2＝H0+(H1-H0)·(1S)。
在一些实施例中，导电膜100的雾度可以为0.8％-4.0％。在一些实施例中，导电膜100的雾度可以为1％-3.5％。在一些实施例中，导电膜100的雾度可以为1.2％-3.2％。在一些实施例中，导电膜100的雾度可以为1.5％-3.0％。在一些实施例中，导电膜100的雾度可以为1.8％-2.7％。在一些实施例中，导电膜100的雾度可以为2％-2.5％。
应当注意的是，上述有关导电膜的描述仅仅是为了示例和说明，而不限定本申请的适用范围。对于本领域技术人员来说，在本申请的指导下可以对导电膜进行各种修正和改变。然而，这些修正和改变仍在本申请的范围之内。
本说明书实施例之一提供一种导电膜的制备方法。该方法可以包括以下步骤：
步骤S1，在基膜上制备导电层，其中，导电层包括纳米金属线层和保护层。
在一些实施例中，导电层还可以包括纳米金属层。在一些实施例中，可以在基膜上涂布纳米金属线墨水以形成纳米金属线层。在一些实施例中，可以通过在纳米金属线层上磁控溅射纳米金属，以形成纳米金属层。在一些实施例中，可以采用卷对卷涂布的方式将纳米金属线墨水涂布在基膜(例如，PET基膜，CPI基膜)上，以制得纳米金属线层。纳米金属线墨水的固含量可以理解为纳米金属线墨水中纳米金属线的质量分数。在一些实施例中，纳米金属线墨水的固含量可以为0.1％-1.5％。在一些实施例中，纳米金属线的直径可以为10nm-30nm。在一些实施例中，纳米金属线的长度可以为10μm-40μm。
在一些实施例中，保护层可以包括高分子层或金属氧化物层。在一些实施例中，制备保护层可以包括在基膜或纳米金属线层上涂布含有高分子的保护液，经干燥后得到高分子层。在一些实施例中，制备保护层可以包括在基膜或纳米金属线层上通过磁控溅射金属氧化物，形成金属氧化物层。
在一些实施例中，纳米金属线层和保护层不分层时，在基膜上制备导电层可以包括将纳米金属线墨水和保护液混合后，涂布在基膜上。
在一些实施例中，纳米金属线层和保护层分层时，在基膜上制备导电层可以包括在基膜上制备纳米金属线层以及在纳米金属线层上制备保护层。
步骤S2，通过黄光蚀刻导电层，制得导电膜，其中，经过黄光蚀刻后的导电层上包括导电网格结构，导电网格结构包括多个镂空格和导电网格线，镂空格为通过黄光蚀刻将纳米金属线层和保护层蚀刻后形成。
在一些实施例中，在步骤S2中，可以在黄光环境下，在基膜与未经黄光蚀刻的导电层上方涂布光刻胶(例如，通过卷对卷涂布装置)，并使得光刻胶干燥而得到膜材。在一些实施例中，干燥后光刻胶厚度为1.2μm-1.8μm。膜材在存储、转移或运输过程中注意避光。在一些实施例中，将涂布有光刻胶的膜材通过曝光转移菲林上的图案，曝光方式包括连续式曝光和片材式曝光。其中，菲林上的图案可以为多边形网格图像(例如，正方形网格图案、菱形网格图案等)。菲林上的图案与导电网格结构所形成的图案相匹配。
在一些实施例中，可以在DES(DES是显影(developing)、蚀刻(etching)、退膜(stripping)的缩写)线上将已曝光好的膜材用显影液显影，得到光刻胶网格图案，再将显影后的膜材转移至烘箱。在一些实施例中，显影液可以为0.7wt％-1.0wt％的KOH显影液。在一些实施例中，烘箱的烘烤温度可以为80℃-120℃。在一些实施例中，烘箱的烘烤时间可以为60s-300s。
在一些实施例中，可以在DES线上进行蚀刻处理和退膜处理，得到导电膜。其中，蚀刻液可以为盐酸-硝酸体系、氯化铁体系、硝酸铁体系、硝酸铁-硝酸体系和磷酸-硝酸-醋酸体系等，退膜液为NaOH或KOH水溶液等。
在一些实施例中，通过上述方法制造的导电膜的透光率可以大于等于80％，雾度为0.8％-4.0％，方阻为5Ω/□-150Ω/□。
关于基膜、导电层、纳米金属线层、纳米金属层、保护层、高分子层、金属氧化物层、导电网格结构、镂空格、导电网格线以及导电膜的相关描述可以参见本说明书其他部分(例如，图1及其相关描述)，在此不再赘述。
通过按照上述黄光蚀刻的方式制备导电膜，可以使得导电膜具有较优异的光学性能。例如，导电膜的透光率可以达到80％以上，导电膜的雾度可以达到4.0％以下。相比于激光蚀刻而言，本说明书实施例通过黄光蚀刻制备具有上述特定结构的导电膜可以提高导电膜的生产效率，且适用于大规模批量生产。
应当注意的是，上述有关导电膜的制备方法的描述仅仅是为了示例和说明，而不限定本申请的适用范围。对于本领域技术人员来说，在本申请的指导下可以对导电膜的制备方法进行各种修正和改变。然而，这些修正和改变仍在本申请的范围之内。
本说明书实施例之一还提供一种触控功能片。该触控功能片包括前述的导电膜。触控功能片的制备方法可以包括：对导电膜通过网板进行丝印银浆，然后采用激光器激光蚀刻制作触控传感器边线和电极；将触控传感器电极通过光学胶(Optically ClearAdhesive，OCA)进行贴合，以及对贴合后的触控传感器电极进行分切可以制得触控功能片。
在一些实施例中，对导电膜进行蚀刻制备触控传感器电极可以包括对导电膜进行蚀刻(例如，黄光蚀刻、激光蚀刻等)以形成触控图形和引线。本说明书实施例中，基膜与未经黄光蚀刻的导电层的电阻较低，在制备10寸以下触控功能片时，无需进行丝印银浆及激光蚀刻引线操作，可以提高触控功能片的生产效率。
在一些实施例中，对导电膜进行蚀刻制备触控传感器电极的步骤可以与导电膜的制备(例如，黄光蚀刻导电层制得导电膜)同时进行，以节约触控功能片的制备流程，提高制备效率。例如，在对导电层进行黄光蚀刻的过程中，可以同时黄光蚀刻触控图形和引线。
将两个触控传感器电极通过光学胶进行贴合，可以使光学胶OCA填充于导电膜的多个镂空格中，以减少触控图形对可见光的反射和散射，提高触控功能片的光学性能。
在一些实施例中，触控功能片的透光率可以大于等于80％。在一些实施例中，触控功能片的透光率可以大于等于82％。在一些实施例中，触控功能片的透光率可以大于等于84％。在一些实施例中，触控功能片的透光率可以大于等于86％。在一些实施例中，触控功能片的透光率可以大于等于88％。在一些实施例中，触控功能片的透光率可以大于等于90％。在一些实施例中，触控功能片的透光率可以大于等于92％。
在一些实施例中，触控功能片的雾度可以为1.0％-4.0％。在一些实施例中，触控功能片的雾度可以为1.2％-3.7％。在一些实施例中，触控功能片的雾度可以为1.5％-3.4％。在一些实施例中，触控功能片的雾度可以为1.8％-3.1％。在一些实施例中，触控功能片的雾度可以为2.0％-2.8％。在一些实施例中，触控功能片的雾度可以为2.2％-2.5％。
应当注意的是，上述有关触控功能片的描述仅仅是为了示例和说明，而不限定本申请的适用范围。对于本领域技术人员来说，在本申请的指导下可以对触控功能片进行各种修正和改变。然而，这些修正和改变仍在本申请的范围之内。
表1为根据前述制备方法制备的导电膜及触控功能片的相关实验数据。需要说明的是，表1未列出全部的相关参数。
表1实施例1-实施例7及对比例实验比对表
表1实施例1-实施例7及对比例实验比对表(续表)
表1实施例1-实施例7及对比例实验比对表(续表)
需要说明的是，实施例1-实施例7以及对比例中触控功能片的尺寸均为7.0寸，G(Glass)盖板+触控功能片构成了GFF结构的触控模组，其中G盖板为0.4mm的玻璃盖板，包含的三层OCA厚度分别为125μm、125μm和200μm。常规的7.0寸GG-ITO触控模组，以采用最薄0.4mm的ITO玻璃计算，包含的两层OCA均为0.2mm，其模组重量约为50g以上，厚度为1.2mm以上。
如果实施例中采用P(Plastics)盖板，即PFF结构，触控模组总体厚度约为GFF厚度的60％-80％，重量约为GFF重量的45％-60％。
由表1可知，相比于实施例5-实施例7，对比例的导电网格线的宽度为120μm、多个镂空格的面积总和与导电层的面积之比为46.8％时，制备的触控功能片的雾度高于实施例5-实施例7，达4.3％。
由表1可知，按照上述实施例中的导电膜制备方法制备的导电膜的透光率可以达到80％以上，导电膜的雾度可以达到4％以下。通过使用上述导电膜生产的触控功能片的透光率也基本能达到80％以上，触控功能片的雾度可以达到3.63％以下。需要说明的是，上表中的各项参数仅为单项实验数据的参数记录，并不意味着一定需要采用上述所有参数，才能够达到提升导电膜的透光率和雾度的效果。例如，当纳米银线墨水固含量不同于下表中实施例1-7中所记录的含量时，按照上文所述的导电膜的制备方法所制备的导电膜的透光率也能够达到80％以上，雾度也能够低于4％。
本申请实施例可能带来的有益效果包括但不限于：(1)通过对导电膜中导电层镂空网格的设计，减少了无规则分布的纳米金属线对可见光的反射和散射，且镂空网格区域的占比达到60％-97％，因此可以解决纳米金属线导电薄膜在后期应用中存在发白、发雾的外观问题，光学外观及性能也可以得到极大的提升，其中，透光率大于等于80％，雾度0.8％-4.0％；(2)相比于激光蚀刻而言，本说明书实施例通过黄光蚀刻制备具有特定结构的导电膜，可以提高导电膜的生产效率，且适用于大规模批量生产；(3)将两个触控传感器电极通过光学胶OCA进行贴合，可以使光学胶填充于导电膜的多个镂空格中，以减少触控图形对可见光的反射和散射射，提高触控功能片的光学性能；(4)采用前述导电膜制得的触控功能片具有优异的光学性能，其中，透光率大于等于80％，雾度为1.0％-4.0％。需要说明的是，不同实施例可能产生的有益效果不同，在不同的实施例里，可能产生的有益效果可以是以上任意一种或几种的组合，也可以是其他任何可能获得的有益效果。
上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述详细披露仅仅作为示例，而并不构成对本说明书的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本说明书进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本说明书中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本说明书示范实施例的精神和范围。
同时，本说明书使用了特定词语来描述本说明书的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本说明书至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一个替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本说明书的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
同理，应当注意的是，为了简化本说明书披露的表述，从而帮助对一个或多个发明实施例的理解，前文对本说明书实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本说明书对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。
一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”来修饰。除非另外说明，“大约”、“近似”或“大体上”表明所述数字允许有±20％的变化。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值参数均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值参数应考虑规定的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本说明书一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和参数为近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。
针对本说明书引用的每个专利、专利申请、专利申请公开物和其他材料，如文章、书籍、说明书、出版物、文档等，特此将其全部内容并入本说明书作为参考。与本说明书内容不一致或产生冲突的申请历史文件除外，对本说明书权利要求最广范围有限制的文件(当前或之后附加于本说明书中的)也除外。需要说明的是，如果本说明书附属材料中的描述、定义、和/或术语的使用与本说明书所述内容有不一致或冲突的地方，以本说明书的描述、定义和/或术语的使用为准。
最后，应当理解的是，本说明书中所述实施例仅用以说明本说明书实施例的原则。其他的变形也可能属于本说明书的范围。因此，作为示例而非限制，本说明书实施例的替代配置可视为与本说明书的教导一致。相应地，本说明书的实施例不仅限于本说明书明确介绍和描述的实施例。
Claims (7)
1.一种导电膜，其特征在于，所述导电膜包括基膜和导电层，所述导电层覆盖在所述基膜上，其中，
所述导电层包括纳米金属线层和保护层，其中，
所述保护层包括高分子层，所述高分子层的厚度为0.5nm-10nm；或者
所述保护层包括金属氧化物层，所述金属氧化物层的厚度为10nm-50nm；
所述导电层上包括导电网格结构，所述导电网格结构包括多个镂空格和导电网格线，其中，
所述多个镂空格的面积总和与所述导电层的面积之比大于等于60％且小于等于97％；和/或所述导电网格线的宽度为3μm-30μm；
所述镂空格为通过黄光蚀刻将所述纳米金属线层和所述保护层蚀刻后形成，其中，
所述基膜与未经所述黄光蚀刻的所述导电层的透光率大于等于50％；和/或
所述基膜与未经所述黄光蚀刻的所述导电层的方阻为0.1Ω/□-50Ω/□；和/或
未经所述黄光蚀刻的所述导电层的厚度为50nm-300nm；和/或
所述基膜与未经所述黄光蚀刻的所述导电层的雾度为1.0％-30％；
所述导电膜的透光率大于等于80％；和/或
所述导电膜的方阻为5Ω/□-150Ω/□；和/或
所述导电膜的雾度为0.8％-4.0％。
2.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，
所述基膜的材质包括聚酯、环烯烃聚合物、无色聚酰亚胺、聚丙烯、聚乙烯、三醋酸纤维、PETG、TPU、PVA、PC中的一种或多种的组合。
3.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，
所述纳米金属线层包括纳米银线、纳米金线、纳米铜线、纳米铂线、纳米铝线、纳米钛线或纳米锡线中的至少一种；所述导电层还包括纳米金属层，所述纳米金属层包括纳米金、纳米银、纳米铜、纳米铂、纳米钯、纳米铝、纳米锡、纳米铅或纳米钛中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述导电层中还包括着色颗粒；所述着色颗粒的粒径为0.05μm-1.0μm。
5.一种导电膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在基膜上制备导电层，其中，
所述导电层包括纳米金属线层和保护层，其中，
所述保护层包括高分子层，所述高分子层的厚度为0.5nm-10nm；或者
所述保护层包括金属氧化物层，所述金属氧化物层的厚度为10nm-50nm；以及
通过黄光蚀刻所述导电层，制得所述导电膜，其中，
经过所述黄光蚀刻后的导电层上包括导电网格结构，所述导电网格结构包括多个镂空格和导电网格线，其中，
所述多个镂空格的面积总和与所述导电层的面积之比大于等于60％且小于等于97％；和/或所述导电网格线的宽度为3μm-30μm；
所述镂空格为通过所述黄光蚀刻将所述纳米金属线层和所述保护层蚀刻后形成，其中，
所述基膜与未经所述黄光蚀刻的所述导电层的透光率大于等于50％；和/或
所述基膜与未经所述黄光蚀刻的所述导电层的方阻为0.1Ω/□-50Ω/□；和/或
未经所述黄光蚀刻的所述导电层的厚度为50nm-300nm；和/或
所述基膜与未经所述黄光蚀刻的所述导电层的雾度为1.0％-30％；
所述导电膜的透光率大于等于80％；和/或
所述导电膜的方阻为5Ω/□-150Ω/□；和/或
所述导电膜的雾度为0.8％-4.0％。
6.一种触控功能片，其特征在于，包括如权1-4中任一项所述的导电膜。
7.根据权利要求6所述的触控功能片，其特征在于，
所述触控功能片的透光率大于等于80％；和/或
所述触控功能片的雾度为1.0％-4.0％。
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