TW201843424A - 靜電電容式感測器 - Google Patents

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Abstract

本發明之靜電電容式感測器(1)，係具備有：基材(2)；和複數之第1透明電極(4)，係在基材(2)之其中一方之主面(2a)處，沿著第1方向而被作並排配置；和複數之第2透明電極(5)，係沿著與第1方向相交叉之第2方向而被作並排配置，並含有導電性奈米線料；和連結部(7)，係將相鄰之2個的第1透明電極(4)相互作電性連接；和架橋配線部(10)，係被設置在與連結部(7)相交叉之部分處，並將相鄰之2個的第2透明電極(5)相互作電性連接，並且包含有非晶質氧化物系材料；和反射降低層(3)，係具備有較第2透明電極(5)之折射率而更高並較架橋配線部(10)之折射率而更低的折射率，因此，係能夠確保架橋配線部之不可視性，並能夠對於導通安定性以及ESD耐性的降低作抑制，並且能夠對於彎折時之電阻的上升作抑制。

Description

靜電電容式感測器
本發明，係有關於靜電電容式感測器，特別是有關於被設置有含有導電性奈米線料(wire)之透明電極的靜電電容式感測器。
在專利文獻1中，係揭示有一種手指觸碰式檢測面板，其係在透明玻璃基板上，被形成有銦錫氧化物(ITO)層之X電極以及Y電極。在專利文獻1所記載之手指觸碰式檢測面板中，係被設置有使X電極以及Y電極相互作交叉之部分。Y電極，係經由開孔部來藉由導電體膜而被作電性連接。如此這般，藉由在基板上使X電極以及Y電極相互作交叉，並設置將Y電極作電性連接之架橋配線部，係能夠將檢測面板薄型化。
於此，對於市場的動向而言，係期望將靜電電容式感測器之形狀設為曲面，或者是構成為能夠將靜電電容式感測器作彎折。因此，作為靜電電容式感測器之透明電極的材料，例如係會有使用含有金奈米線料、銀奈米線料以及銅奈米線料等之導電性奈米線料之材料的情形。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開昭58-166437號公報
[發明所欲解決之課題]
但是，若是在透明電極之材料中使用含有導電性奈米線料之材料，則會有使透明電極和被設置在電極之交叉部分處的架橋配線部之間之接觸面積變得較為狹窄的問題。亦即是，導電性奈米線料，係藉由露出於透明電極之表面處的導電性奈米線料來確保自身與架橋配線材料之間之導電性，並藉由自身與導電性奈米線料之間之間隙來確保透明性。因此，當架橋配線部之材料係為含有導電性奈米線料之材料的情況時，透明電極與架橋配線部之間之接觸，係成為線料與線料之間的點接觸。或者是，當架橋配線部之材料係為例如ITO等之氧化物系材料的情況時，透明電極與架橋配線部之間之接觸，係成為線料之線或點與面之間的接觸。起因於此，若是在透明電極之材料中使用含有導電性奈米線料之材料，則透明電極和架橋配線部之間之接觸面積會變得較為狹窄。
如此一來，係會有使導通安定性降低之虞。又，若是發生靜電放電(ESD；Electro Static Discharge)，而在透明電極與架橋配線部之間的接觸部分處流動大的電流，則該接觸部分係會有局部性地發熱並熔斷之虞。亦即是，若是在透明電極之材料使用含有導電性奈米線料之材料，則雖然靜電電容式感測器之變形性能係提昇，但是，另一方面，係會有使導通安定性以及ESD耐性降低之虞。又，若是在架橋配線部之材料中使用結晶性之氧化物系材料或金屬系材料，則會有使彎折時之電阻上升或者是導致架橋配線部斷線之虞。
針對此種問題，係可考慮藉由將架橋配線部之尺寸增大來使透明電極與架橋配線部之間的接觸面積擴廣。但是，若是將架橋配線部之尺寸增大，則係有著會變得容易視覺辨認出架橋配線部的問題。
本發明，係為用以對於上述先前技術之課題作解決者，其目的，係在於提供一種：能夠確保架橋配線部之不可視性，並能夠對於導通安定性以及ESD耐性之降低作抑制，並且能夠對於彎折時之電阻的上升作抑制之靜電電容式感測器。 [用以解決課題之手段]
本發明之靜電電容式感測器，在其中一個態樣中，其特徵為，係具備有：基材，係具有透光性；和複數之第1透明電極，係在前述基材之其中一方之主面的檢測區域處，沿著第1方向而被作並排配置，並具有透光性；和複數之第2透明電極，係在前述檢測區域處，沿著與前述第1方向相交叉之第2方向而被作並排配置，並具有透光性，並且含有導電性奈米線料；和連結部，係被與前述第1透明電極作一體性的設置，並將相鄰之2個的前述第1透明電極相互作電性連接；和架橋配線部，係與前述第2透明電極作為獨立個體而作設置，並將相鄰之2個的前述第2透明電極相互作電性連接，並且包含有非晶質氧化物系材料；和反射降低層，係以覆蓋前述第2透明電極以及前述架橋配線部的方式而被作設置，該反射降低層，係較前述第2透明電極之折射率而更高，並較前述架橋配線部之折射率而更低。
第2透明電極，係含有導電性奈米線材。又，架橋配線部，係與第2透明電極作為獨立個體而設置在與連結部相交叉之部分處，並將相鄰之2個的第2透明電極相互作電性連接，該架橋配線部，係包含有非晶質氧化物系材料。因此，相較於在架橋配線部之材料中使用結晶性之氧化物系材料或金屬系材料的情況，係能夠使靜電電容式感測器之變形性能提昇，並且能夠確保第2透明電極與架橋配線部之間的密著性。又，係能夠對於彎折時之電阻的上升作抑制。
進而，在對於架橋配線部而言之與基材相反側處，係被設置有反射降低層。反射降低層之折射率，係較第2透明電極之折射率而更高，並較架橋配線部之折射率而更低。藉由此，就算是在將架橋配線部之尺寸增大來使第2透明電極與架橋配線部之間的接觸面積作了擴廣的情況時，亦可藉由使反射降低層將在架橋配線部之表面處的光之反射降低，而確保架橋配線部之不可視性。因此，係能夠將架橋配線部之尺寸增大，而能夠將導通安定性提高，並且亦能夠對於ESD耐性之降低作抑制。
在上述之靜電電容式感測器中，係亦可構成為：前述導電性奈米線料，係為從由金奈米線料、銀奈米線料以及銅奈米線料而成之群之中所選擇的至少1者。若依據此，則相較於在透明電極之材料中使用例如ITO等之氧化物系材料的情況，係能夠使靜電電容式感測器之變形性能提昇，並且能夠更進一步對於彎折時之電阻的上升作抑制。
在上述之靜電電容式感測器中，係亦可構成為：前述非晶質氧化物系材料，係為從由非晶質ITO、非晶質IZO、非晶質GZO、非晶質AZO以及非晶質FTO而成之群之中所選擇的至少1者。若依據此，則相較於在架橋配線部之材料中使用例如結晶性ITO等的情況，係能夠使靜電電容式感測器之變形性能提昇，並且能夠對於彎折時之電阻的上升作抑制。又，相較於在架橋配線部之材料中使用有例如金屬奈米線材等的情況，係能夠更進一步提高架橋配線部之不可視性。
在上述之靜電電容式感測器中，係亦可構成為：包含前述第2透明電極和前述架橋配線部之間之接觸區域的矩形之面積，係為10000μm2 以上。若依據此，則由於第2透明電極與架橋配線部之間之接觸面積係變廣，因此，係能夠對於該接觸部分起因於ESD而熔斷的情形作抑制。亦即是，係能夠對於ESD耐性降低的情形作抑制。
在上述之靜電電容式感測器中，係亦可構成為：包含前述第2透明電極和前述架橋配線部之間之接觸區域的矩形之面積，係為12000μm2 以上。若依據此，則由於第2透明電極與架橋配線部之間之接觸面積係變廣，因此，係能夠對於ESD耐性降低的情形作抑制，並且，在85℃85％高溫高濕信賴性試驗中，係能夠使透明電極和架橋配線部之間之接觸部分的電阻值之上升安定化。
在上述之靜電電容式感測器中，係亦可構成為：在相對於前述第2方向而相正交的方向上之前述架橋配線部之尺寸(架橋配線部之寬幅)，係為100μm以上。在架橋配線部與第2透明電極之間之接觸部處，在第2透明電極中所包含的導電性奈米線材與在架橋配線部中所包含的非晶質氧化物系材料，係被作電性連接。又，由於架橋配線部係為將相鄰之2個的第2透明電極(其中一方之第2透明電極、另外一方之第2透明電極)作電性連接者，因此，在架橋配線部中，係於第2方向上流動有電流，在架橋配線部和第2透明電極之間之接觸部處，亦同樣的，係在架橋配線部內沿著第2方向而流動有電流。故而，從其中一方之第2透明電極而在架橋配線部中流動並到達另外一方之第2透明電極處的電流，當分散並流入至在另外一方之第2透明電極處的與架橋配線部相接之複數之導電性奈米線材中時，係不會有對於此些之複數之導電性奈米線材之各者而均等地流動電流的情況，若是越接近其中一方之第2透明電極的導電性奈米線材，則電流係越容易流入。如此一來，當架橋配線部之寬幅為窄，並且在架橋配線部與第2透明電極之間之接觸部處的與第2方向相正交之方向的長度亦為小(寬幅為窄)的情況時，在接近其中一方之第2透明電極的導電性奈米線材中，係容易流動大的電流，而容易發生導電性奈米線材之熔斷。相對於此，當架橋配線部之寬幅為廣，而架橋配線部和第2透明電極之間之接觸部之寬幅為廣的情況時，流動至架橋配線部中之電流，係能夠迅速地分歧流動至多數的導電性奈米線材中。於此情況，由於在1個1個的導電性奈米線材中而流動有過電流的可能性係變低，因此係難以發生導電性奈米線材之熔斷。如此這般，當第2透明電極為含有導電性奈米線材的情況時，由於整體性地流動至架橋配線部中之電流係在與導電性奈米線材之間之接觸部處而被分歧，因此，在接觸部中之最初發生電流之流入的部份處，係特別容易發生導電性奈米線材之熔斷。故而，藉由將架橋配線部之寬幅作某種程度的擴廣，具體而言，藉由設為100μm以上，係能夠將在架橋配線部和第2透明電極之間之接觸部處而導電性奈米線材熔斷的可能性更進一步降低。亦即是，係能夠對於ESD耐性降低的情形更安定地作抑制。
在上述之靜電電容式感測器中，係亦可構成為：前述反射降低層之折射率，係為1.75以上。若依據此，則就算是在相對於第2方向而相正交的方向上之架橋配線部之尺寸係為100μm(微米)以上，也能夠確保架橋配線部之不可視性。
在上述之靜電電容式感測器中，係亦可構成為：在沿著前述主面之法線的方向上之前述反射降低層之尺寸，係為2μm以上。若依據此，則就算是在相對於第2方向而相正交的方向上之架橋配線部之尺寸係為100μm以上，也能夠確保架橋配線部之不可視性。
在上述之靜電電容式感測器中，係亦會有以採用下述之構成為理想的情況：亦即是，在沿著前述主面之法線的方向上之前述反射降低層之尺寸，係為50nm～150nm，並且，前述反射降低層之折射率，係為1.6～1.8。作為此種情況，係可列舉出黑色系之反射體位置於靜電電容式感測器之基材側處的情況。 [發明之效果]
若依據本發明，則係能夠提供一種：能夠確保架橋配線部之不可視性，並能夠對於導通安定性以及ESD耐性之降低作抑制，並且能夠對於彎折時之電阻的上升作抑制之靜電電容式感測器。
(第1實施形態) 　　以下，針對本發明之實施形態，參考圖面而作說明。另外，在各圖中，針對相同的構成要素，係附加相同的元件符號，並適宜省略詳細說明。 　　圖1，係為對於本實施形態的靜電電容式感測器1作展示之平面圖。 　　圖2，係為將圖1中所示之區域A1作了擴大的平面圖。 　　圖3，係為在圖2中所示之切斷面C1-C1處的剖面圖。 　　圖4，係為在圖2中所示之切斷面C2-C2處的剖面圖。 　　另外，由於透明電極係為透明，因此原本應無法以視覺辨認出來，但是，在圖1以及圖2中，係為了易於理解，而對於透明電極之外形有所標示。
在本說明書中，所謂「透明」以及「透光性」，係指可視光線透射率為50％以上(較理想為80％以上)的狀態。進而，霧值係以6％以下為理想。在本說明書中，所謂「遮光」以及「遮光性」，係指可視光線透射率為未滿50％(較理想為未滿20％)的狀態。
如同圖1～圖4中所示一般，本實施形態之靜電電容式感測器1，係具備有基材2、和第1透明電極4、和第2透明電極5、和連結部7、和架橋配線部10、以及反射降低層3。在對於架橋配線部10而言之與基材2相反側處，係被設置有反射降低層3。在基材2與反射降低層3之間，係被設置有光學透明黏著層(OCA；Optical Clear Adhesive)30。在基材2和架橋配線部10之間，係被設置有絕緣層20。如同圖3中所示一般，在被設置有架橋配線部10之部分處，光學透明黏著層30，係被設置在架橋配線部10和反射降低層3之間。
基材2，係具備有透光性，並藉由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等之薄膜狀的透明基材或玻璃基材等所形成。在基材2之其中一方之主面(基材2處的以沿著Z1-Z2方向之方向作為法線的主面中之位置於Z1側之主面，以下，係稱作「表面2a」)處，係被設置有第1透明電極4以及第2透明電極5。關於其詳細內容，係於後再述。如同圖3中所示一般，反射降低層3，係被設置在對於架橋配線部10而言之與基材2相反側處，並具有透光性。作為反射降低層3之材料，例如，係可列舉出塑膠基材等。如同後述一般，反射降低層3，係亦可為了要求折射率能夠滿足特定之條件，而藉由在由有機系材料所成之母體中而分散有二氧化鋯或氧化鈦等之折射率為大之物質的粒子之複合材料，來構成反射降低層3。
如同圖1中所示一般，靜電電容式感測器1，從沿著反射降低層3側之面的法線之方向(Z1-Z2方向)來看，係由檢測區域11和非檢測區域25所成。檢測區域11，係為能夠藉由手指等之操作體來進行操作的區域，非檢測區域25，係為位置在檢測區域11之外周側處的裱框狀之區域。非檢測區域25，係藉由未圖示之裝飾層而被作遮光，在靜電電容式感測器1處之從反射降低層3側之面起而朝向基材2側之面的光(可例示有外部光)以及從基材2側之面起而朝向反射降低層3側之面的光(可例示有從被與靜電電容式感測器1作組合使用之顯示裝置的背光而來之光)，係成為難以透過非檢測區域25。
如同圖1中所示一般，在基材2之表面2a處，係被設置有第1電極連結體8、和第2電極連結體12。第1電極連結體8，係被配置在檢測區域11處，並具備有複數之第1透明電極4。如同圖3以及圖4中所示一般，複數之第1透明電極4，係被設置在表面2a處。各第1透明電極4，係經由細長的連結部7而在Y1-Y2方向(第1方向)上被作連結。而，具備有在Y1-Y2方向上而被作了連結的複數之第1透明電極4之第1電極連結體8，係在X1-X2方向上空出有間隔地而被作配列。連結部7，係被一體性地形成於第1透明電極4處。連結部7，係將相鄰之2個的第1透明電極4相互作電性連接。
第1透明電極4以及連結部7，係具備有透光性，並藉由含有導電性奈米線材之材料而形成。作為導電性奈米線料，係使用有從由金奈米線料、銀奈米線料以及銅奈米線料而成之群之中所選擇的至少1者。藉由使用含有導電性奈米線材之材料，係能夠同時謀求第1透明電極4之高透光性以及低電阻化。又，藉由使用含有導電性奈米線材之材料，係能夠使靜電電容式感測器1之變形性能提昇。
含有導電性奈米線材之材料，係具備有導電性奈米線材、和透明之樹脂層。導電性奈米線材，係在樹脂層之中而分散。導電性奈米線材之分散性，係藉由樹脂層而被確保。作為透明之樹脂層之材料，例如，係可列舉出聚酯樹脂、丙烯酸樹脂以及聚胺酯樹脂等。藉由使複數之導電性奈米線材在至少一部分處而相互作接觸，而保持有在含有導電性奈米線材之材料的面內之導電性。
第2電極連結體12，係被配置在檢測區域11處，並具備有複數之第2透明電極5。如同圖3以及圖4中所示一般，複數之第2透明電極5，係被設置在基材2之表面2a處。如此這般，第2透明電極5，係被設置在與第1透明電極4相同之面(基材2之表面2a)處。各第2透明電極5，係經由細長的架橋配線部10而在X1-X2方向(第2方向)上被作連結。而，具備有在X1-X2方向上而被作了連結的複數之第2透明電極5之第2電極連結體12，係在Y1-Y2方向上空出有間隔地而被作配列。架橋配線部10，係作為與第2透明電極5相獨立之個體而被形成。另外，X1-X2方向，係與Y1-Y2方向相交叉。例如，X1-X2方向，係與Y1-Y2方向垂直地相交。
第2透明電極5，係具備有透光性，並藉由含有導電性奈米線材之材料而形成。導電性奈米線材，係如同針對第1透明電極4之材料而於前所述一般。
架橋配線部10，係具備有透光性，並藉由含有非晶質氧化物系材料之材料而形成。作為非晶質氧化物系材料，係使用有從由非晶質ITO(Indium Tin Oxide)、非晶質IZO(Indium Zinc Oxide)、非晶質GZO(Gallium-doped Zinc Oxide)、非晶質AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide)以及非晶質FTO(Fluorine-doped Zinc Oxide)所成之群中而選擇的至少1者。
或者是，架橋配線部10，係亦可具備有含有非晶質ITO等之非晶質氧化物系材料的第1層、和相較於第1層而更為低電阻並且由透明之金屬所成之第2層。又，架橋配線部10，係亦可更進而具備有含有非晶質ITO等之非晶質氧化物系材料的第3層。當架橋配線部10為具備有第1層與第2層之層積構造或者是第1層與第2層以及第3層之層積構造的情況時，在架橋配線部10和第1透明電極4以及第2透明電極5之間，係期望具備有蝕刻選擇性。
如同圖2～圖4中所示一般，在將各第1透明電極4作連結的連結部7之表面處，係被設置有絕緣層20。如同圖3中所示一般，絕緣層20，係將連結部7和第2透明電極5之間之空間作填埋，並且亦些許地覆蓋上第2透明電極5之表面上。作為絕緣層20，例如係使用有酚醛樹脂(阻劑)。
如同圖3以及圖4中所示一般，架橋配線部10，係從絕緣層20之表面20a起一直涵蓋至位置在絕緣層20之X1-X2方向之兩側處的各第2透明電極5之表面處地而被作設置。架橋配線部10，係將相鄰之2個的第2透明電極5相互作電性連接。
如同圖3以及圖4中所示一般，在將各第1透明電極4之間作連接的連結部7之表面上，係被設置有絕緣層20，在絕緣層20之表面上，係被設置有將各第2透明電極5之間作連接的架橋配線部10。如此這般，在連結部7和架橋配線部10之間，係中介存在有絕緣層20，第1透明電極4和第2透明電極5，係成為被作了電性絕緣的狀態。在本實施形態中，由於第1透明電極4和第2透明電極5係被設置在相同之面(基材2之表面2a)處，因此係能夠實現靜電電容式感測器1之薄型化。
另外，在圖2～圖4中所示之連結部7，係被一體性地形成於第1透明電極4處，並在Y1-Y2方向上延伸。又，在圖2～圖4中所示之架橋配線部10，係在覆蓋連結部7之絕緣層20之表面20a上，與第2透明電極5作為獨立個體而被形成，並在X1-X2方向上延伸。但是，連結部7以及架橋配線部10之配置形態，係並非僅被限定於此。例如，連結部7，係亦可被一體性地形成於第1透明電極4處，並在X1-X2方向上延伸。於此情況，連結部7，係將相鄰之2個的第2透明電極5相互作電性連接。架橋配線部10，係亦可在覆蓋連結部7之絕緣層20之表面20a上，與第1透明電極4作為獨立個體而被形成，並在Y1-Y2方向上延伸。於此情況，架橋配線部10，係將相鄰之2個的第1透明電極4相互作電性連接。在本實施形態之靜電電容式感測器1的說明中，係列舉出架橋配線部10為在覆蓋連結部7之絕緣層20之表面20a上與第2透明電極5作為獨立個體而被形成並在X1-X2方向上延伸的情況作為例子。
如同圖1中所示一般，在非檢測區域25處，係被形成有從各第1電極連結體8和各第2電極連結體12所導出的複數根之配線部6。第1電極連結體8以及第2電極連結體12之各者，係經由連接配線16而被與配線部6作電性連接。各配線部6，係被與外部連接部27作連接，該外部連接部27，係被與未圖示之可撓性印刷基板作電性連接。亦即是，各配線部6，係將第1電極連結體8以及第2電極連結體12和外部連接部27作電性連接。外部連接部27，例如係經由具備有導電糊、Cu、Cu合金、CuNi合金、Ni、Ag、Au等之金屬的材料，而被與未圖示之可撓性印刷基板作電性連接。
各配線部6，係藉由具備有Cu、Cu合金、CuNi合金、Ni、Ag、Au等之金屬的材料而被形成。連接配線16，係藉由ITO、金屬奈米線材等之透明導電性材料所形成，並從檢測區域11起而延伸出至非檢測區域25處。配線部6，係在連接配線16之上，而於非檢測區域25內被作層積，並被與連接配線16作電性連接。
配線部6，係被設置在基材2之表面2a處的位置於非檢測區域25之部分處。外部連接部27，亦係與配線部6同樣的，被設置在基材2之表面2a處的位置於非檢測區域25之部分處。
在圖1中，雖係為了易於理解，而將配線部6和外部連接部27以能夠被視覺辨認出來的方式來作標示，但是，實際上，在位置於非檢測區域25處之部分處，係被設置有具有遮光性之裝飾層(未圖示)。因此，若是對於靜電電容式感測器1而從反射降低層3側之面來作觀察，則配線部6以及外部連接部27係被裝飾層所遮蔽，而無法被視覺辨認出來。構成裝飾層之材料，只要是具備有遮光性，則係為任意。裝飾層，係亦可具備有絕緣性。
在本實施形態之靜電電容式感測器1中，如同圖3中所示一般，若是例如在反射降低層3之面3a上作為操作體之其中一例而使手指作接觸，則在手指與手指附近之第1透明電極4之間、以及手指與手指附近之第2透明電極5之間，係產生有靜電電容。靜電電容式感測器1，係能夠基於此時之靜電容量之變化，而算出手指之接觸位置。靜電電容式感測器1，係基於手指與第1電極連結體8之間的靜電電容之變化，來偵測出手指之位置的X座標，並基於手指與第2電極連結體12之間的靜電電容之變化，來偵測出手指之位置的Y座標(自我電容檢測型)。
或者是，靜電電容式感測器1，係亦可為相互電容檢測型。亦即是，靜電電容式感測器1，係亦可對於第1電極連結體8以及第2電極連結體12之其中一方之電極的一列而施加驅動電壓，並偵測出第1電極連結體8以及第2電極連結體12之另外一方之電極與手指之間的靜電電容之變化。藉由此，靜電電容式感測器1，係藉由另外一方之電極而偵測出手指之位置的Y座標，並藉由其中一方之電極而偵測出手指之位置的X座標。
於此，當透明電極為藉由含有導電性奈米線料之材料而形成的情況時，透明電極和架橋配線部之間之接觸面積係會有變得較為狹窄的情況。亦即是，導電性奈米線料，係藉由露出於透明電極之表面處的導電性奈米線料，來確保自身與架橋配線材料之間之導電性。因此，當架橋配線部之材料係為含有導電性奈米線料之材料的情況時，透明電極與架橋配線部之間之接觸，係成為線料與線料之間的點接觸。或者是，當架橋配線部之材料係為例如ITO等之氧化物系材料的情況時，透明電極與架橋配線部之間之接觸，係成為線料之線或點與面之間的接觸。起因於此，若是在透明電極之材料中使用含有導電性奈米線料之材料，則透明電極和架橋配線部之間之接觸面積係會有變得較為狹窄的情況。
如此一來，係會有使導通安定性降低的情形。又，若是發生靜電放電(ESD；Electro Static Discharge)，而在透明電極與架橋配線部之間的接觸部分處流動大的電流，則該接觸部分係會有局部性地發熱並熔斷的情形。亦即是，若是在透明電極之材料使用含有導電性奈米線料之材料，則雖然靜電電容式感測器之變形性能係提昇，但是，另一方面，係會有使導通安定性以及ESD耐性降低的情形。又，若是在架橋配線部之材料中使用結晶性之氧化物系材料或金屬系材料，則會有使彎折時之電阻上升或者是導致架橋配線部斷線的情形。
因此，係考慮有藉由將架橋配線部之尺寸增大來使透明電極與架橋配線部之間的接觸面積擴廣。但是，若是將架橋配線部之尺寸增大，則係有著會變得容易視覺辨認出架橋配線部的問題。
相對於此，在本實施形態之靜電電容式感測器1中，第2透明電極5係含有導電性奈米線材，架橋配線部10係含有非晶質氧化物系材料。因此，相較於在架橋配線部10之材料中使用結晶性之氧化物系材料或金屬系材料的情況，係能夠使靜電電容式感測器1之變形性能提昇，並且能夠確保第2透明電極5與架橋配線部10之間的密著性。又，係能夠對於彎折時之電阻的上升作抑制。
進而，在對於架橋配線部10而言之與基材2相反側處，係被設置有反射降低層3。反射降低層3之折射率，係較第2透明電極5之折射率而更高，並較架橋配線部10之折射率而更低。藉由此，就算是在將架橋配線部10之尺寸增大來使第2透明電極5與架橋配線部10之間的接觸面積作了擴廣的情況時，亦可藉由使反射降低層3將在架橋配線部10之表面處的光之反射降低，而確保架橋配線部10之不可視性。因此，係能夠將架橋配線部10之尺寸增大，而能夠對於導通安定性以及ESD耐性之降低作抑制。
當導電性奈米線材為從由金奈米線材、銀奈米線材以及銅奈米線材所成之群中而選擇之至少1者的情況時，相較於在第1透明電極4以及第2透明電極5之材料中使用例如ITO等之氧化物系材料的情況，係能夠使靜電電容式感測器1之變形性能提昇，並且能夠更進一步對於彎折時之電阻的上升作抑制。
當非晶質氧化物系材料為從由非晶質ITO、非晶質IZO、非晶質GZO、非晶質AZO以及非晶質FTO所成之群中而選擇之至少1者的情況時，相較於在架橋配線部10之材料中使用例如結晶性ITO等的情況，係能夠使靜電電容式感測器1之變形性能提昇，並且能夠對於彎折時之電阻的上升作抑制。又，相較於在架橋配線部10之材料中使用有例如金屬奈米線材等的情況，係能夠更進一步提高架橋配線部10之不可視性。
以下，針對本發明者所實施的檢討之結果，參考圖面而作說明。 　　圖5，係為對於接觸面積與ESD耐性之間的關係作例示之圖表。 　　圖6，係為對於凱文圖案(Kelvin pattern)作示意性例示之平面圖。
本發明者，係使用如同在圖6中所示一般之凱文圖案，來對於接觸部分P1之ESD耐壓作了測定。ESD耐壓試驗，係為直接施加方式。因此，針對ESD耐壓試驗，係實施了人體模型(HBM：Human Body Model)試驗。此人體模型試驗，係基於JEITA規格：EIAJ ED-4701/300 試驗方法304而進行。
如同圖6中所示一般，在本試驗中，係使含有銀奈米線材之第1試料5A和含有非晶質ITO之第2試料10A相互作交叉。第1試料5A，係相當於第2透明電極5。第2試料10A，係相當於架橋配線部10。在本試驗中，係將接觸部分P1之X1-X2方向的尺寸L11以及接觸部分P1之Y1-Y2方向的尺寸L12之其中一者固定為100μm，並使尺寸L11以及尺寸L12之另外一者作改變，藉由此，來使接觸部分P1之接觸面積作了改變。第1試料5A和第2試料10A之間之接觸部分P1的接觸面積、和ESD耐性，此兩者間之關係，係如同在圖5中所示一般。
圖5中所示之圖表的横軸，係代表接觸部分P1之接觸面積(單位：μm2 )。圖5中所示之圖表的縱軸，係代表ESD耐壓(單位：kV)。在本案說明書中之所謂「ESD耐壓」，係指在發生了起因於ESD所導致之破壞(熔斷)時的電壓。
若依據本發明者基於本試驗所得到的知識，則當接觸部分P1之接觸面積為未滿10000μm2 的情況時，在接觸部分P1處係發生了起因於ESD所導致的破壞。另一方面，當接觸部分P1之接觸面積為10000μm2 以上的情況時，係並非為在接觸部分P1處，而是在相當於架橋配線部10之第2試料10A自身處發生了起因於ESD所導致的破壞。
藉由此，可以得知，當接觸部分P1之接觸面積為10000μm2 以上的情況時，係將相當於第2透明電極5之第1試料5A和相當於架橋配線部10之第2試料10A之間的接觸部分P1之接觸面積擴廣，而能夠對接觸部分P1起因於ESD而被破壞的情形作抑制。亦即是，係能夠對於ESD耐性降低的情形作抑制。
圖7，係為對於接觸面積與ESD耐性之間的其他關係作例示之圖表。 　　本發明者，係使用其他之試料，來對於接觸部分P1之ESD耐壓作了測定。亦即是，如同圖6中所示一般，在本試驗中，係使含有銀奈米線材之第1試料5A和含有非晶質ITO及銅(Cu)以及非晶質ITO之層積構造的第2試料10B相互作交叉。在第2試料10B中，銅(Cu)，係被設置在2個的非晶質ITO之間。
第1試料5A，係相當於第2透明電極5。第2試料10B，係相當於架橋配線部10。本試驗之方法，係如同針對圖5以及圖6而於前所述一般。第1試料5A和第2試料10B之間之接觸部分P1的接觸面積、和ESD耐性，此兩者間之關係，係如同在圖7中所示一般。
若依據本發明者基於本試驗所得到的知識，則當接觸部分P1之接觸面積為未滿10000μm2 的情況時，在接觸部分P1處係發生了起因於ESD所導致的破壞。另一方面，當接觸部分P1之接觸面積為10000μm2 以上的情況時，係並非為在接觸部分P1處，而是在相當於架橋配線部10之第2試料10B自身處發生了起因於ESD所導致的破壞。
藉由此，可以得知，就算是在架橋配線部10為具備有層積構造的情況時，亦同樣的，當接觸部分P1之接觸面積為10000μm2 以上的情況時，係將相當於第2透明電極5之第1試料5A和相當於架橋配線部10之第2試料10B之間的接觸部分P1之接觸面積擴廣，而能夠對接觸部分P1起因於ESD而被破壞的情形作抑制。亦即是，係能夠對於ESD耐性降低的情形作抑制。
圖8，係為對於接觸面積與電阻值之間的關係作例示之圖表。 　　若依據本發明者所得到的知識，則於在溫度85℃、濕度85％之環境中而放置240小時的環境試驗(85℃85％高溫高濕信賴性試驗)的前後，接觸部分P1之電阻值係上升。因此，本發明者，係使用如同針對圖6而於前所述的凱文圖案，來對於在實施了85℃85％高溫高濕信賴性試驗之後的接觸部分P1之電阻值作了測定。本環境試驗，係基於JEITA規格：EIAJED-4701/100試驗方法103而進行。
在本試驗中所使用的試料，係為含有銀奈米線材之第1試料5A以及含有非晶質ITO之第2試料10A。其他之試驗方法，係如同針對圖5以及圖6而於前所述一般。第1試料5A和第2試料10A之間之接觸部分P1的接觸面積、和電阻值，此兩者間之關係，係如同在圖8中所示一般。
圖8中所示之圖表的橫軸，係與圖5中所示之圖表的橫軸相同。圖8中所示之圖表的縱軸，係代表接觸部分P1之電阻值(單位：Ω)。
若依據本發明者基於本試驗所得到的知識，則當接觸部分P1之接觸面積為未滿12000μm2 的情況時，與接觸面積相對應的電阻值之上升係為較大。另一方面，當接觸部分P1之接觸面積為12000μm2 以上的情況時，與接觸面積相對應的電阻值之上升係為較小，或者是較為安定。
藉由此，可以得知，當接觸部分P1之接觸面積為12000μm2 以上的情況時，在85℃85％高溫高濕信賴性試驗中，係能夠使相當於第2透明電極5之第1試料5A和相當於架橋配線部10之第2試料10A之間的接觸部分P1之電阻值的上升安定化。
圖9，係為針對關連於反射降低層之有無的比較作例示之照片。 　　圖9(a)，係為對於並未設置有反射降低層3的比較例作展示之照片。圖9(b)，係為對於本實施形態之設置有反射降低層3之例作展示之照片。在圖9(b)所示之照片中的反射降低層3之折射率，係為1.79。
如同圖9(a)中所示一般，在並未設置有反射降低層3的情況時，係能夠明確地視覺辨認出絕緣層20之邊緣。又，在架橋配線部10處所反射之光的明亮度，係與在第2透明電極5處所反射之光的明亮度相異，而能夠明確地視覺辨認出架橋配線部10。
相對於此，如同圖9(b)中所示一般，在設置有反射降低層3的情況時，相較於在圖9(a)中所示之比較例，絕緣層20之邊緣係成為難以被視覺辨認出來。又，在架橋配線部10處所反射之光的明亮度，係與在第2透明電極5處所反射之光的明亮度略相同，而幾乎無法視覺辨認出架橋配線部10。如同在圖9(a)以及圖9(b)中所示一般，反射降低層3，係能夠將在架橋配線部10之表面處的光之反射降低，而提高架橋配線部10之不可視性。另外，在圖9中，於靜電電容式感測器1之與觀察側相反側之面上，係並未特別設置有構件。以下，將此種在能夠使從觀察側所射入之光透過至背面側處的狀態下來作觀察一事，稱作在「明亮視野」下作觀察。
圖10，係為對於被設置在具備有含有銀奈米線材之層和架橋配線部的構造體上之反射降低層之折射率、和架橋配線部之寬幅、以及架橋配線部之不可視性，此些之間的關係作例示之表。含有銀奈米線材之層的折射率，係為1.5，架橋配線部之折射率，係為2.0。 　　圖10中所示之表之中的圓圈記號(○)，係代表架橋配線部10乃身為不可視性的情況(無法對於架橋配線部10作視覺辨認的情況)。另一方面，圖10中所示之表的叉叉記號(×)，係代表架橋配線部10被視覺辨認出來的情況。
若依據本發明者針對圖5～圖8而藉由前述之試驗所得到的知識，則接觸部分P1之X1-X2方向的尺寸L11以及接觸部分P1之Y1-Y2方向的尺寸L12之至少其中一者，係需要成為100μm以上。尺寸L11以及尺寸L12之至少其中一者，係如同在圖2中所示一般，為相當於在相對於第2方向而正交之方向上的架橋配線部10之尺寸(寬幅)L1。
在第2透明電極5與架橋配線部10之間之接觸部處，在第2透明電極5中所包含的導電性奈米線材與在架橋配線部10中所包含的非晶質氧化物系材料，係被作電性連接。又，由於架橋配線部10係為將相鄰之2個的第2透明電極(其中一方之第2透明電極、另外一方之第2透明電極)作電性連接者，因此，在架橋配線部10中，係於第2方向上流動有電流，在架橋配線部10和第2透明電極5之間之接觸部處，亦同樣的，係在架橋配線部10內沿著第2方向而流動有電流。
故而，從其中一方之第2透明電極5而在架橋配線部10中流動並到達另外一方之第2透明電極5處的電流，當分散並流入至在另外一方之第2透明電極5處的與架橋配線部10相接之複數之導電性奈米線材中時，係不會有對於此些之複數之導電性奈米線材之各者而均等地流動電流的情況，若是越接近其中一方之第2透明電極5的導電性奈米線材，則電流係越容易流入。如此一來，當架橋配線部10之寬幅(尺寸L1)為窄，並且在架橋配線部10與第2透明電極5之間之接觸部處的與第2方向相正交之方向的長度亦為小(寬幅為窄)的情況時，在接近其中一方之第2透明電極5的導電性奈米線材中，係容易流動大的電流，而容易發生導電性奈米線材之熔斷。
相對於此，當架橋配線部10之寬幅為廣，而架橋配線部10和第2透明電極5之間之接觸部之寬幅為廣的情況時，流動至架橋配線部10中之電流，係能夠迅速地分歧流動至多數的導電性奈米線材中。於此情況，由於在1個1個的導電性奈米線材中而流動過電流的可能性係變低，因此係難以發生導電性奈米線材之熔斷。
如此這般，當第2透明電極5為含有導電性奈米線材的情況時，由於整體性地流動至架橋配線部10中之電流係在與導電性奈米線材之間之接觸部處而被分歧，因此，在接觸部中之最初發生電流之流入的部份處，係特別容易發生導電性奈米線材之熔斷。故而，藉由將架橋配線部10之寬幅作某種程度的擴廣，具體而言，藉由設為100μm以上，係能夠將在架橋配線部10和第2透明電極5之間之接觸部處而導電性奈米線材熔斷的可能性更進一步降低。
於此，如同在圖10中所示一般，在尺寸L1為100μm以上的情況時，當反射降低層3之折射率係為1.75以上時，係會有能夠確保架橋配線部10之不可視性的情形。具體而言，在反射降低層3之折射率為1.75的情況時，當尺寸L1為100μm以上、120μm以下時，係能夠確保架橋配線部10之不可視性。在反射降低層3之折射率為1.79以上、1.82以下的情況時，當尺寸L1為100μm以上、150μm以下時，係能夠確保架橋配線部10之不可視性。
圖11，係為對於反射降低層之厚度和架橋配線部之寬幅以及架橋配線部之不可視性之間的關係作例示之表。 　　在圖11中所示之表之中的圓形記號(○)以及叉叉記號(×)，係如同針對圖10而於前所述一般。
如同針對圖10而於前所述一般，在相對於第2方向而相正交之方向上的架橋配線部10之尺寸(寬幅)L1，係有必要成為100μm以上。於此，如同在圖11中所示一般，在尺寸L1為100μm以上的情況時，當在沿著基材2之表面2a之法線的方向上的反射降低層3之尺寸(厚度)L2(參考圖3)係為2μm以上時，係會有能夠確保架橋配線部10之不可視性的情形。具體而言，在尺寸L2為2μm的情況時，當尺寸L1為100μm以上、150μm以下時，係能夠確保架橋配線部10之不可視性。
以上，雖係針對本發明之第1實施形態及其適用例而作了說明，但是，本發明，係並非為被限定於該些之例者。例如，同業者所對於第1實施形態或其適用例而適宜進行了構成要素之追加、削除、設計變更者，或者是將各實施形態之特徵作了適宜組合者，只要是具備有本發明之要旨內容，則係亦被包含於本發明之範圍內。
作為其中一個態樣，在上述之說明中，在被設置於基材2上之具備有第1電極連結體8以及第2電極連結體12的構造體與反射降低層3之間，雖係被配置有光學透明黏著層30，但是，係並不被限定於此。例如，亦可如同在圖12中所示一般，以將被設置於基材2上之具備有第1電極連結體8以及第2電極連結體12的構造體作覆蓋的方式，來設置反射降低層3。此種構成，係可藉由像是將用以形成反射降低層3之組成物塗布於上述之構造體上，並使此塗膜硬化而形成反射降低層3一般的方法，來得到之。
又，亦可如同在圖12中所示一般，在反射降低層3之上，隔著光學透明黏著層30而設置有覆蓋材40。構成覆蓋材40之材料，係並未被作限定，而可藉由聚碳酸酯(PC)等之樹脂系材料來構成，亦可藉由玻璃等之無機系材料來構成，亦可具備有由相異材料之層所成的層積構造。另外，在圖5～圖11中所示之結果，係為使用在圖12中所示之構造所得到者。
如同上述一般，在本發明之第1實施形態之靜電電容式感測器1中，以將被設置於基材2上之具備有第1電極連結體8以及第2電極連結體12的構造體作覆蓋的方式所設置的反射降低層3，係對於在以明亮視野來作觀察時之架橋配線部10的不可視性之提昇有所助益。
(第2實施形態) 　　接著，使用圖13，對於本發明之第2實施形態的靜電電容式感測器1A作說明。另外，對於與第1實施形態相同的構成，係附加相同的元件符號，並省略其之詳細說明。
近年來，在靜電電容式感測器之與操作側(觀察側)相反側之面(背面)處，係會有被配置有如同有機EL元件(OLED)一般之能夠進行局部性發光之發光元件的情形。於此情況，在發光元件並未發光之部分處，係成為在靜電電容式感測器之背面側處而存在有黑的反射體。於此，在本說明書中，係將靜電電容式感測器之背面側並非身為能夠透過的狀態而以在靜電電容式感測器之背面側處存在有黑色系之反射體的狀態來進行觀察一事，稱作以「陰暗視野」來作觀察。
在明亮視野與陰暗視野中，由於從靜電電容式感測器之背面側而來之光的影響係有所相異，因此，若是以陰暗視野來對於靜電電容式感測器作觀察，則在不可視性上係會有與以明亮視野來觀察的情況相異的情形。特別是，依據第1實施形態之構成，在明亮視野下能夠達成不可視性之提昇的架橋配線部10之不可視性，係會有在陰暗視野下係以能夠作更進一步之提升為理想的情形。若依據本發明之第2實施形態的靜電電容式感測器1A，則係能夠使在陰暗視野下之不可視性提昇。
圖13，係為對於本發明之第2實施形態之靜電電容式感測器1A之構造作概念性展示的剖面圖，並與圖3以及圖12相同的，為以包含有第2透明電極5之並排方向(X1-X2方向)之面作為切斷面的剖面圖。第2實施形態之靜電電容式感測器1A的基本性之構造，係與第1實施形態之靜電電容式感測器1共通。特別是，如同在圖12中所示一般，反射降低層3，係以將被設置於基材2上之具備有第1電極連結體8以及第2電極連結體12的構造體直接作覆蓋的方式，而被作設置。在第2實施形態的靜電電容式感測器1A中之與圖12中所示之構成之間的差異，係在於反射降低層3之厚度相對性而言為較薄。
如同使用圖11所作了說明一般，第1實施形態的靜電電容式感測器1之反射降低層3，其厚度係以成為2μm以上為理想。相對於此，第2實施形態之靜電電容式感測器1A的反射降低層3，係具備有較第2透明電極5之折射率而更高且較架橋配線部10之折射率而更低的折射率，其厚度，係以成為50nm以上150nm以下為理想。作為該折射率之範圍的具體例，係可列舉出1.6～1.8之範圍。藉由具備有具有此種折射率以及厚度之反射降低層3，靜電電容式感測器1A，係成為就算是在陰暗視野下也易於確保架橋配線部10之不可視性。從更為安定地確保在陰暗視野下之架橋配線部10之不可視性的觀點而言，係會有以使具備有上述之範圍的折射率之反射降低層3的厚度成為50nm以上110nm以下為更加理想的情形。藉由如此這般地而使反射降低層3相對性地變薄，靜電電容式感測器1A，係會有相較於第1實施形態之靜電電容式感測器1而在彎折性上更為優良的情形。具體而言，當如同第1實施形態之靜電電容式感測器1一般地而反射降低層3為具備有μm單位之厚度的情況時，反射降低層3係會有藉由像是乾薄膜阻劑一般之較為硬質之材料而構成的情況，在此種情況中，起因於反射降低層3之厚度係成為2μm程度或者是此以上之厚度一事，也會有導致靜電電容式感測器1之彎折性變得難以提高的情形。
另外，若是從其他的觀點來對於上述之內容作說明，則在第2透明電極5之折射率係為1.5～1.7，而架橋配線部10之折射率係為1.9～2.1的情況時，反射降低層3之折射率與厚度之乘積，係以成為80nm以上250nm以下為理想，又以成為85nm以上180nm以下為更理想，又以成為90nm以上150nm以下為特別理想。
(第3實施形態) 　　接著，使用圖14，對於本發明之第3實施形態的靜電電容式感測器1B作說明。另外，對於與第1實施形態相同的構成，係附加相同的元件符號，並省略其之詳細說明。
若依據第2實施形態之靜電電容式感測器1A，則藉由對於反射降低層3之折射率以及厚度作適當的控制，就算是在陰暗視野下，也能夠安定地確保不可視性、特別是架橋配線部10之不可視性。如同上述一般，在陰暗視野的情況時，相較於明亮視野，在不可視性之確保上係並非容易，並且，相較於明亮視野的情況，各要素的色調也成為更容易被強調。如同接下來所說明一般，在第3實施形態之靜電電容式感測器1B中，係從將當以陰暗視野來作觀察時的不可視性更進一步提高的觀點來看，而將第2透明電極5之折射率和絕緣層20之折射率之間之差的絕對值，設為0.05以下。
圖14，係為對於本發明之第3實施形態之靜電電容式感測器1B之構造作概念性展示的剖面圖，並與圖3、圖12以及圖13相同的，為以包含有第2透明電極5之並排方向(X1-X2方向)之面作為切斷面的剖面圖。
如同圖14中所示一般，本發明之第3實施形態之靜電電容式感測器1B的基本性之構造，係與第2實施形態之靜電電容式感測器1A共通。第3實施形態之靜電電容式感測器1B與第2實施形態之靜電電容式感測器1A之間的差異，係在於第2透明電極5之折射率和絕緣層20之折射率之間之差的絕對值，係為0.05以下。藉由使第2透明電極5之折射率和絕緣層20之折射率之間之差的絕對值成為0.05以下，就算是在以陰暗視野來作觀察的情況時，第2透明電極5所位置的區域之顏色與絕緣層20所位置的區域之顏色之間之差異亦會變少，而成為易於確保絕緣層20之不可視性。用以使第2透明電極5之折射率和絕緣層20之折射率之間之差的絕對值縮小之具體性的方法，係為任意。作為其中一例，係可列舉出：將第2透明電極5，設為在使導電性奈米線材作了分散的樹脂層上更進而具備有被覆層者，並藉由對於此被覆層之組成或厚度作調整，來變更第2透明電極5之折射率。
〈實施例〉 　　藉由以下之實施例，針對本發明作更進一步之說明。在說明時，係使用具備有如同圖15中所示一般之構成的比較例1來進行。圖15中所示之比較例1之靜電電容式感測器，相較於本發明之實施形態之靜電電容式感測器(1、1A、1B)，主要的差異係在於並未被設置有反射降低層3。另外，本發明，係並不被限定於此實施例。
首先，製作具備有圖12～圖15中所示之構成並且具備有如同圖16中所示一般之各層之折射率(針對反射降低層3，係亦對於厚度t有所標示)的試驗構件。將此試驗構件，設為實施例1(圖12之構成)、實施例2(圖13之構成)、實施例3(圖14之構成)、比較例1(圖15之構成)，並進行了下述之評價和測定。
(1)不可視性之評價 　　對於試驗構件而在明亮視野或陰暗視野下以目視來作觀察，並以下述之4個階段來對於架橋配線部之視覺辨認性進行了評價。將結果展示於圖17中。 　　A：無法視覺辨認出架橋配線部 　　B：大略無法視覺辨認出架橋配線部 　　C：能夠視覺辨認出架橋配線部
接著，針對試驗構件之在明亮視野以及陰暗視野下的外觀之色調的質感進行了評價。將結果展示於圖17中。在圖17中之各欄的記號，係具有下述的意義。 　　A：均勻且呈現有無色的色調 　　B1：全體而言帶有泛黃色調 　　B2：存在有閃爍 　　B3：透明電極之區域帶有泛紅色調
以下述之4個階段，基於上述之視覺辨認性以及色調的評價來進行了綜合評價(整體判定)。將結果展示於圖17中。 　　A：不可視性係為特別優良 　　B：不可視性係為良好 　　C：具有不可視性 　　D：不具備不可視性
(2)透明電極區域之光學特性的測定 　　透明電極(第1透明電極4以及第2透明電極)所位置的區域，係由使導電性奈米線材分散在樹脂層中而具有導電性的部分(導電部)和將導電性奈米線材藉由蝕刻等而除去並使導電性作了降低的部分(絕緣部)所成。針對此些之導電部以及絕緣部之各者，對於在JIS K7375：2008中所規定的全光線透過率以及在JIS K7136：2000中所規定的霧值(Haze)進行了測定。又，針對此些之結果，而求取出了導電部與絶縁部之間之差的絕對值(Δ)。將結果展示於圖18中。
(3)色彩空間之測定 　　對於試驗構件而在明亮視野以及陰暗視野下作觀察，並針對透明電極所位置之區域、架橋配線部所位置之區域以及絕緣層所位置之區域的各者，而對於在CIE1976L＊ a＊ b＊ 色彩空間中所規定的L＊ 值、a＊ 值以及b＊ 值進行了測定。又，係求取出了各區域之相對於透明電極區域的差分(ΔL＊ 、Δa＊ 以及Δb＊ )。將測定結果以及算出結果展示於圖19中。
如同圖17～圖19中所示一般，在比較例1中，由於架橋配線部之色調差係為大，因此，不論是在明亮視野或者是陰暗視野下，均容易視覺辨認出架橋配線部。相對於此，在實施例1中，由於全體而言色彩空間值之差分(ΔL＊ 、Δa＊ 以及Δb＊ )係變小，因此不可視性係提昇。然而，在陰暗視野下，由於Δb＊ 係為較大，因此係有略強的泛黃情形。又，在陰暗視野下，全體而言L＊ 值係為大，在以陰暗視野而對於試驗構件作目視觀察時，係有著容易被認識為閃爍的傾向。在實施例2中，於與實施例1之間的對比下，在以陰暗視野來作觀察時，係可發現到色彩空間值之差分(ΔL＊ 、Δa＊ 以及Δb＊ )的降低，在以陰暗視野而進行目視觀察時，係成為難以產生閃爍。在實施例3中，於與實施例2之間的對比下，在以陰暗視野來作觀察時之透明電極區域的a＊ 值係顯著地降低(5.51→1.52)，於實施例2之在陰暗視野下的觀察中所發現到的透明電極區域之泛紅情形係被改善。
1、1A、1B‧‧‧靜電電容式感測器
2‧‧‧基材
2a‧‧‧表面
3‧‧‧反射降低層
3a‧‧‧面
4‧‧‧第1透明電極
5‧‧‧第2透明電極
5A‧‧‧第1試料
6‧‧‧配線部
7‧‧‧連結部
8‧‧‧第1電極連結體
10‧‧‧架橋配線部
10A、10B‧‧‧第2試料
11‧‧‧檢測區域
12‧‧‧第2電極連結體
16‧‧‧連接配線
20‧‧‧絕緣層
20a‧‧‧表面
25‧‧‧非檢測區域
27‧‧‧外部連接部
30‧‧‧光學透明黏著層
40‧‧‧覆蓋材
A1‧‧‧區域
C1‧‧‧切斷面
C2‧‧‧切斷面
L1‧‧‧尺寸
L11‧‧‧尺寸
L12‧‧‧尺寸
L2‧‧‧尺寸
P1‧‧‧接觸部分
[圖1]係為對於本發明之第1實施形態的靜電電容式感測器作展示之平面圖。 　　[圖2]係為將圖1中所示之區域A1作了擴大的平面圖。 　　[圖3]係為在圖2中所示之切斷面C1-C1處的剖面圖。 　　[圖4]係為在圖2中所示之切斷面C2-C2處的剖面圖。 　　[圖5]係為對於接觸面積與ESD耐性之間的關係作例示之圖表。 　　[圖6]係為對於凱文圖案(Kelvin pattern)作示意性例示之平面圖。 　　[圖7]係為對於接觸面積與ESD耐性之間的其他關係作例示之圖表。 　　[圖8]係為對於接觸面積與電阻值之間的關係作例示之圖表。 　　[圖9]係為針對關連於反射降低層之有無的比較作例示之照片。 　　[圖10]係為對於反射降低層之折射率和架橋配線部之寬幅以及架橋配線部之不可視性之間的關係作例示之表。 　　[圖11]係為對於反射降低層之厚度和架橋配線部之寬幅以及架橋配線部之不可視性之間的關係作例示之表。 　　[圖12]係為對於本發明之第1實施形態之其他例的靜電電容式感測器之構造作概念性展示之剖面圖。 　　[圖13]係為對於本發明之第2實施形態的靜電電容式感測器之構造作概念性展示之剖面圖。 　　[圖14]係為對於本發明之第3實施形態的靜電電容式感測器之構造作概念性展示之剖面圖。 　　[圖15]係為對於比較例的靜電電容式感測器之構造作概念性展示之剖面圖。 　　[圖16]係為對於在實施例中所製作了的試驗構件之構成作展示之表。 　　[圖17]係為對於在實施例中所製作了的試驗構件之不可視性的評價結果作展示之表。 　　[圖18]係為對於針對在實施例中所製作了的試驗構件之透明電極區域而對光學特性作了測定的結果作展示之表。 　　[圖19]係為對於在實施例中所製作了的試驗構件之色彩空間之測定結果作展示之表。

Claims (9)

  1. 一種靜電電容式感測器，其特徵為，係具備有： 　　基材，係具有透光性；和 　　複數之第1透明電極，係在前述基材之其中一方之主面的檢測區域處，沿著第1方向而被作並排配置，並具有透光性；和 　　複數之第2透明電極，係在前述檢測區域處，沿著與前述第1方向相交叉之第2方向而被作並排配置，並具有透光性，並且含有導電性奈米線料；和 　　連結部，係被與前述第1透明電極作一體性的設置，並將相鄰之2個的前述第1透明電極相互作電性連接；和 　　架橋配線部，係與前述第2透明電極作為獨立個體而作設置，並將相鄰之2個的前述第2透明電極相互作電性連接，並且包含有非晶質氧化物系材料；和 　　反射降低層，係以覆蓋前述第2透明電極以及前述架橋配線部的方式而被作設置， 　　該反射降低層，係較前述第2透明電極之折射率而更高，並較前述架橋配線部之折射率而更低。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之靜電電容式感測器，其中， 　　前述導電性奈米線料，係為從由金奈米線料、銀奈米線料以及銅奈米線料而成之群之中所選擇的至少1者。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之靜電電容式感測器，其中， 　　前述非晶質氧化物系材料，係為從由非晶質ITO、非晶質IZO、非晶質GZO、非晶質AZO以及非晶質FTO而成之群之中所選擇的至少1者。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之靜電電容式感測器，其中， 　　包含前述第2透明電極和前述架橋配線部之間之接觸區域的矩形之面積，係為10000μm2 以上。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之靜電電容式感測器，其中， 　　包含前述第2透明電極和前述架橋配線部之間之接觸區域的矩形之面積，係為12000μm2 以上。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之靜電電容式感測器，其中， 　　在相對於前述第2方向而相正交的方向上之前述架橋配線部之尺寸，係為100μm以上。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之靜電電容式感測器，其中， 　　前述反射降低層之折射率，係為1.75以上。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之靜電電容式感測器，其中， 　　在沿著前述主面之法線的方向上之前述反射降低層之尺寸，係為2μm以上。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之靜電電容式感測器，其中， 　　在沿著前述主面之法線的方向上之前述反射降低層之尺寸，係為50nm～150nm，並且，前述反射降低層之折射率，係為1.6～1.8。
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