KR20180054069A - 지문 센서 및 지문 센서의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
지문 센서 및 지문 센서의 제조 방법이 개시된다. 개시된 지문 센서는 서로 교차하며 형성된 다수의 구동 전극 및 다수의 센싱 전극을 포함하는 액티브 영역과, 상기 액티브 영역 주변에 상기 다수의 구동 전극 및 상기 다수의 센싱 전극과 각각 전기적으로 연결된 트레이서 영역을 포함하며, 상기 트레이서 영역의 상기 다수의 구동 전극 및 다수의 센싱의 연장부에 형성된 쉴드층을 포함한다. 상기 쉴드층은 투명 전도성 산화물로 형성될 수 있다.
Description
본 개시에 의한 실시예들은 지문 센서에 관한 것으로, 사용자의 지문을 인식할 수 있는 지문 센서 및 지문 센서의 제조 방법에 관한 것이다.
지문, 음성, 얼굴, 손 또는 홍채와 같은 개인의 고유한 특징을 이용한 개인 인증의 필요성은 점차 확대되고 있다. 개인 인증 기능은 금융 기기, 출입 통제기, 모바일 장치, 노트북 등에서 주로 사용되며, 최근 스마트 폰과 같은 모바일 장치가 널리 보급됨에 따라 스마트 폰 내에 저장된 많은 보안 정보를 보호하기 위해 개인 인증을 위한 지문 인식 장치가 채용되고 있다.
지문 센싱의 정확도 요구 기준이 높아지면서 높은 해상도와 높은 감도를 가진 지문 센싱 장치가 요구되고 있다.
본 개시에서는 고 해상도 센싱에서 감도가 높은 지문 센서 및 지문 센서의 제조 방법을 제공한다.
서로 교차하며 형성된 다수의 구동 전극 및 다수의 센싱 전극을 포함하는 터치 패드;
상기 다수의 구동 전극 및 상기 다수의 센싱 전극과 각각 전기적으로 연결된 트레이서 영역; 및
상기 트레이서 영역의 상기 다수의 구동 전극 및 다수의 센싱의 연장부에 형성된 쉴드층;을 포함하는 지문 센서를 제공한다.
상기 트레이서 영역은 상기 다수의 센싱 전극의 연장부가 형성된 제 1트레이서 영역; 및 상기 다수의 구동 전극의 연장부가 형성된 제 2트레이서 영역;을 포함할 수 있다.
상기 제 1트레이서 영역의 상기 다수의 센싱 전극의 연장부에 형성된 제 1쉴드층; 및 상기 제 2트레이서 영역의 상기 다수의 구동 전극의 연장부에 형성된 제 2쉴드층;을 포함할 수 있다.
상기 제 1쉴드층 및 상기 제 2쉴드층은 각각 투명 전도성 산화물로 형성될 수 있다.
상기 다수의 구동 전극은 금속 물질로 형성될 수 있다.
상기 다수의 센싱 전극은 상기 지문 센서의 액티브 영역에서는 투명 전도성 산화물로 형성될 수 있다.
상기 다수의 센싱 전극은 상기 지문 센서의 액티브 영역의 단부에서 비아를 통하여 금속 물질층과 연결될 수 있다.
상기 다수의 센싱 전극과 전기적으로 연결된 상기 쉴드층은 투명 전극으로 형성되며, 상기 다수의 센싱 전극과 상기 쉴드층은 서로 분리된 것일 수 있다.
상기 다수의 구동 전극 및 상기 다수의 센싱 전극들 각각 교차하는 영역에는 캐패시턴스가 형성된 것일 수 있다.
상기 캐패시턴스가 형성된 상기 다수의 센싱 전극 영역의 폭은 상기 다수의 센싱 전극에서 상기 캐패시턴스가 형성되지 않은 영역의 폭보다 좁을 수 있다.
상기 쉴드층은 상기 다수의 구동 전극의 연장부 및 상기 다수의 센싱 전극의 연장부를 덮으며, 마름모 형상 또는 직사각형 형상으로 형성된 것일 수 있다.
다수의 센싱 전극 및 상기 쉴드층은 동일한 투명 전도성 산화물로 형성된 것일 수 있다.
또한, 기판 상에 금속 물질층을 형성하고, 다수의 구동 전극, 패드를 형성하기 위하여 상기 금속 물질층을 패터닝하여 금속 패턴층을 형성하고,
상기 기판 및 상기 금속 패턴층 상에 절연 물질층을 형성하여 패터닝하고,
상기 절연 물질층 상에 투명 전도성 산화물층을 형성하고, 다수의 센싱 전극및 쉴드층을 형성하기 위하여 패터닝하여 투명 전도성 산화물 패턴층을 형성하고,
상기 투명 전도성 산화물 패턴층 상에 절연 물질을 도포하여 패시베이션층을 형성하는 것을 포함하는 지문 센서의 제조 방법을 제공한다.
실시예들에 따르면, 지문 센서의 트레이서 영역에 다수의 구동 전극의 연장부와 다수의 센싱 전극의 연장부 상에 쉴드층을 형성함으로써, 트레이서 영역에 사용자의 지문이 닿는 경우에도 노이즈의 발생이 감소하여 측정된 사용자의 지문 이미지의 열화 현상이 감소할 수 있음을 알 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예에 따른 지문 센서의 개략적인 구성을 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 예시적인 실시예에 따른 지문 센서의 A1 영역을 확대한 것을 나타낸 도면이다.
도 3은 예시적인 실시예에 따른 지문 센서의 표면에 사용자의 지문이 접촉하는 것을 나타낸 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 다른 실시예에 따른 지문 센서의 개략적인 구성을 나타낸 평면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 예시적인 실시예에 따른 지문 센서의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 예시적인 실시예에 따른 지문 센서와 실드가 형성되지 않은 지문 센서에 대한 센서 Rx 이득에 대한 이미지의 변화량을 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 나타낸 예시적인 실시예에 따른 지문 센서의 A1 영역을 확대한 것을 나타낸 도면이다.
도 3은 예시적인 실시예에 따른 지문 센서의 표면에 사용자의 지문이 접촉하는 것을 나타낸 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 다른 실시예에 따른 지문 센서의 개략적인 구성을 나타낸 평면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 예시적인 실시예에 따른 지문 센서의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 예시적인 실시예에 따른 지문 센서와 실드가 형성되지 않은 지문 센서에 대한 센서 Rx 이득에 대한 이미지의 변화량을 나타낸 도면이다.
본 실시예들에서 사용되는 용어는 본 실시예들에서의 기능을 고려하면서 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어들을 선택하였으나, 이는 당 기술분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 판례, 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 특정한 경우는 임의로 선정된 용어도 있으며, 이 경우 해당 실시예의 설명 부분에서 상세히 그 의미를 기재할 것이다. 따라서, 본 실시예들에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌, 그 용어가 가지는 의미와 본 실시예들의 전반에 걸친 내용을 토대로 정의되어야 한다.
실시예들에 대한 설명들에서, 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 구성요소를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 포함한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 실시예들에 기재된 “...부”, “...모듈”의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어 또는 소프트웨어로 구현되거나 하드웨어와 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
본 실시예들에서 사용되는 “구성된다” 또는 “포함한다” 등의 용어는 명세서 상에 기재된 여러 구성 요소들, 도는 여러 단계들을 반드시 모두 포함하는 것으로 해석되지 않아야 하며, 그 중 일부 구성 요소들 또는 일부 단계들은 포함되지 않을 수도 있고, 또는 추가적인 구성 요소 또는 단계들을 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.
하기 실시예들에 대한 설명은 권리범위를 제한하는 것으로 해석되지 말아야 하며, 해당 기술분야의 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 것은 실시예들의 권리범위에 속하는 것으로 해석되어야 할 것이다. 이하 첨부된 도면들을 참조하면서 오로지 예시를 위한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 예시적인 실시예에 따른 지문 센서의 개략적인 구성을 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 지문 센서(100)는 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn)(여기서 n은 정수)과 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)을 포함하며, 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)은 서로 교차하는 방향으로 형성될 수 있다. 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn)은 제 1방향, 예를 들어 상부 평면을 기준으로 y 방향으로 형성될 수 있으며, 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)은 제 1방향과 교차하는 제 2방향, 예를 들어 상부 평면을 기준으로 x 방향으로 형성될 수 있다. 제 1방향과 제 2방향은 서로 직교하는 방향일 수 있다. 다만, 제 1방향과 제 2방향은 서로 반드시 90도의 각도를 이루는 것은 아니다.
구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)은 각각 다수개의 개별 전극 라인들을 포함하도록 형성되며, 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)이 교차하는 영역은 액티브 영역(active region)(10) 또는 터치 패드 영역이다.
다수의 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 다수의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)이 교차하는 영역인 액티브 영역(active region)(10)으로부터 입출력신호장치(readout IC)와 연결하는 영역으로 배선 영역인 트레이서(tracer)(11a, 11b)가 위치한다.
트레이서(11a, 11b)는 액티브 영역(10)의 다수의 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 다수의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)이 연장된 영역이며, 연장된 다수의 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 다수의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn) 상에는 쉴드층(12, 14)이 각각 형성될 수 있다. 도 1에서 부재번호 12 및 14는 연장된 다수의 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 다수의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn) 상에 형성된 쉴드층(12, 14)을 나타내며, 쉴드층(12, 14)이 형성된 영역이 트레이서 영역(11a, 11b)일 수 있다. 쉴드층(12, 14)은 다수의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)의 연장부의 제 1트레이서 영역(11a)에 형성된 제 1쉴드층(12) 및 다수의 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn)의 연장부의 제 2트레이서 영역(11b) 상에 형성된 제 2쉴드층(14)을 포함할 수 있다.
만일 트레이서 영역(11a, 11b)에 쉴드층(12, 14)이 형성되지 않는 경우, 트레이서 영역(11a, 11b)의 다수의 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 다수의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)의 연장부에 사용자의 손이 접촉하게 되며, 센싱된 지문 이미지의 열화 현상이 발생할 수 있다. 본 개시에 따른 지문 센서(100)의 경우, 트레이서 영(11a, 11b)역에 쉴드층(12, 14)을 형성함으로써, 트레이서 영역(11a, 11b)에 사용자의 손이 접촉하더라도 센싱된 지문 이미지의 질(quality)에 영향력을 감소시킬 수 있다.
본 개시에 따른 지문 센서(100)의 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn)은 금속, 합금 등의 전도성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn)은 Cu, Ag, Au, Pt, Al, W, Li, Ti, Ta, Pd 등으로 형성될 수 있다. 그리고, 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)은 전도성 물질로 형성될 수 있으며, 투명 전도성 산화물(TCMO:transparent conductive metal oxide)로 형성될 수 있다. 예를 들어, 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)은 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide) 등으로 형성될 수 있다. 다만, 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)은 액티브 영역(10)에서는 투명 전도성 산화물로 형성될 수 있으며, 액티브 영역(10)외의 배선 영역에서는 금속 또는 합금 등으로 형성될 수 있다.
트레이서 영역(11a, 11b)에서 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn) 상에 형성되는 쉴드층(12, 14)은 투명 전도성 산화물로 형성될 수 있다. 쉴드층(12, 14)은 액티브 영역(10)의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn) 형성 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide) 등으로 형성될 수 있다. 쉴드층(12, 14)을 액티브 영역(10)의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn) 형성 물질로 형성하더라도, 쉴드층(12, 14)은 액티브 영역(10)의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)과 전기적으로 분리될 수 있다.
구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)의 연장부 상에 형성되는 쉴드층(12, 14)은 트레이서 영역(11a, 11b)에 사용자의 손이 접촉하더라도 센싱된 지문 이미지의 질(quality)에 영향력을 감소시키기 위하여, 고정 바이어스(bias)로 연결할 수 있으며, 일정한 바이어스를 공급함으로써 지문 센서(100)의 외부 변화에 둔감하도록 해서 쉴드(shield) 효과를 향상시킬 수 있다.
도 2는 도 1에 나타낸 예시적인 실시예에 따른 지문 센서의 A1 영역을 확대한 것을 나타낸 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 개시에 따른 지문 센서(100)의 액티브 영역(10)에서, 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)이 교차하는 영역에는 캐패시턴스(mutual capacitance)(C11, C12)가 형성될 수 있다. 구동 전극(Tx1) 및 센싱 전극(Rx1)이 교차하는 부분 사이에는 절연층이 형성될 수 있다. 구동 전극(Tx1)은 그 폭의 변화가 없는 라인 형상으로 형성될 수 있다. 센싱 전극(Rx1)은 마름모 또는 다이아몬드 형상의 비교적 넓은 면적을 지닌 제 1패턴 영역들(22, 24)과 제 1패턴 영역들(22, 24) 사이에 형성된 제 2패턴 영역(26)을 포함할 수 있다. 센싱 전극(Rx1)의 제 1패턴 영역(22, 24)은 제 2패턴 영역(26)보다 넓은 폭을 지닐 수 있다. 구동 전극(Tx1)은 센싱 전극(Rx1)의 제 2패턴 영역(26)에서 센싱 전극(Rx1)과 교차하여 형성될 수 있다.
도 3은 예시적인 실시예에 따른 지문 센서의 표면에 사용자의 지문이 접촉하는 것을 나타낸 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 사용자의 지문 영역(30)은 주변의 다른 피부 영역보다 상대적으로 돌출된 피부 영역인 리지 영역(ridge region)(32) 및 리지 영역(32)들 사이의 영역인 밸리 영역(valley region)(34)을 포함할 수 있다. 지문(30)의 리지 영역(32)이 지문 센서(100)의 액티브 영역(10)에 접촉하는 경우, 밸리 영역(34)은 지문 센서(100)의 액티브 영역(10)과 직접 접촉하지 않을 수 있으며, 밸리 영역(34)은 지문 센서(10)와 이격될 수 있다. 본 개시에 따른 지문 센서(100)는 제 1방향으로 형성된 다수의 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn)에 드라이버로부터 구동 신호(S1)를 인가할 수 있다. 그리고, 다수의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)으로부터 사용자의 지문 영역(30)에 관한 정보를 지닌 전기 신호(S2)를 얻어 신호 측정부로 전송할 수 있다.
본 개시에 따른 지문 센서(100)의 액티브 영역(10)에서, 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)이 교차하는 영역들 사이의 간격(d1), 즉 캐패시턴스(mutual capacitance)(C11, C12)들 사이의 간격(d1)은 사용자의 지문 영역(30)의 돌출된 피부 영역인 리지 영역(32)들 사이의 간격(D1)보다 작으며, 예를 들어 d1은 D1의 1/10 내지 1/4의 크기를 지닐 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 다른 실시예에 따른 지문 센서의 개략적인 구성을 나타낸 평면도이다.
도 4a를 참조하면, 지문 센서(100)는 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn)과 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)을 포함하며, 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)은 서로 교차하는 방향으로 형성될 수 있다. 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)은 서로 직교하는 방향으로 형성될 수 있으며, 각각 다수개의 개별 전극 라인들을 포함하도록 형성될 수 있다. 그리고, 다수의 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 다수의 센싱 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)들이 교차하는 영역은 액티브 영역(10) 또는 터치 패드 영역이다.
액티브 영역(active region)(10)으로부터 입출력신호장치(readout IC)와 연결하는 영역으로 배선 영역인 트레이서(tracer)(11a, 11c)가 형성될 수 있다. 트레이서(11a, 11c)는 액티브 영역(10)의 다수의 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 다수의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)이 연장된 영역이며, 연장된 다수의 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 다수의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn) 상에는 쉴드층(12, 16)이 각각 형성될 수 있다. 쉴드층(12, 16)은 다수의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)을 모두 덮을 수 있도록 다양한 형태로 형성될 수 있다. 예를 들어, 다수의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)의 연장부의 제 1트레이서 영역(11a)에 형성된 제 1쉴드층(12)은 y 방향으로 연장된 직사각형 또는 플레이트 형상으로 형성될 수 있다. 그리고, 다수의 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn)의 연장부의 제 3트레이서 영역(11c) 상에 형성된 제 3쉴드층(16)은 상부 평면, 즉 x-y평면 기준으로 마름모꼴, 다이아몬드형상의 다각형형상으로 형성될 수 있다.
제 3쉴드층(16)을 액티브 영역(10)의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)의 형상과 유사하게 마름모꼴, 다이아몬드형상의 다각형 형상으로 형성할 수 있으며, 시인성의 변화를 최소화할 수 있다.
도 4b를 참조하면, 지문 센서(200)는 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn)과 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)을 포함하며, 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)은 서로 교차하는 방향으로 형성될 수 있다. 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)은 각각 다수개의 개별 전극 라인들을 포함하도록 형성될 수 있다. 그리고, 다수의 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 다수의 센싱 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)들이 교차하는 영역은 액티브 영역(40) 또는 터치 패드 영역일 수 있다.
도 4b의 액티브 영역(40)으로부터 입출력 신호장치로 연결하는 영역으로 배선 영역인 트레이서(42, 44, 46)가 형성될 수 있으며, 트레이서(42, 44, 46)는 도 1 및 도 4b와 달리 다수의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)의 양측에 각각 형성될 수 있다.
도 1 및 도 4a의 지문 센서(100)의 다수의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)과 연결된 트레이서(11a)는 액티브 영역(10)의 일측부에만 형성된 것을 나타내었으며, 이에 제한된 것은 아니며, 다수의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)들의 양측에 각각 트레이서(44, 46)가 형성될 수 있다. 제 1센싱 전극(Rx1) 및 제 3센싱 전극(Rx3)의 연장부는 액티브 영역(10)의 우측부의 트레이서 영역(44)을 통하여 배선이 형성될 수 있으며, 제 2센싱 전극(Rx2) 및 제 n센싱 전극(Rxn)의 연장부는 액티브 영역(10)의 좌측부의 트레이서 영역(46)을 통하여 배선이 형성될 수 있다. 트레이서 영역(42, 44, 46)에도 쉴드층이 형성될 수 있으며, 쉴드층의 형상은 다수의 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 및 다수의 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)의 연장부들을 덮을 수 있도록 형성될 수 있다.
도 5a 내지 도 5d는 예시적인 실시예에 따른 지문 센서의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 5a를 참조하면, 기판(50) 상에 금속층을 형성하고, 금속층을 패터닝하여 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 패턴과 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)과 연결되는 비아 콘택을 위한 패턴을 위한 금속 패턴층(51)과 외부 IC등의 소자 등과 콘택할 수 있는 패드(51a)를 형성할 수 있다. 여기서, 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn)(51)은 그 연장부까지 포함하여 형성될 수 있다. 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn)(51)은 금속, 합금 등의 전도성 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어, Cu, Ag, Au, Pt, Al, W, Li, Ti, Ta, Pd 등으로 형성될 수 있다.
도 1 및 도 5b를 참조하면, 구동 전극(Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn) 패턴과 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)과 연결되는 비아 콘택을 위한 패턴을 위한 금속 패턴층(51) 및 패드(51a) 상에 절연층(52)을 형성할 수 있으며, 절연층(52)의 일부를 식각하여 금속 패턴층(51) 중 일부를 노출시킬 수 있다. 절연층(52)에 의하여 노출된 금속 패턴층(51)은 추후 공정에서 형성되는 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)의 단부가 연결되는 비아 콘택 영역일 수 있다. 패드층(51a) 상의 절연층(52)은 제거되거나 추후 공정에서 제거될 수 있다. 절연층(52)은 절연 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 실리콘 산화물, 실리콘 절연물 또는 기타 일반적인 반도체 공정에 사용되는 절연 물질로 형성될 수 있다.
도 1 및 도 5c를 참조하면, 기판(50), 노출된 금속 패턴층(51) 및 절연층(52) 상에 투명 전도성 산화물을 도포하고 패터닝하여 전도성 산화물 패턴층(53, 53a)을 형성할 수 있다. 전도성 산화물 패턴층(53, 53a)은 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)을 형성하기 위한 것일 수 있으며, 금속 패턴층(51)과 직접 연결된 전도성 산화물 패턴층(53a)은 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)의 단부가 연결되어 센싱 전극(Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn)에서 사용자의 지문 정보에 관한 신호를 전송할 수 있다. 그리고, 전도성 산화물 패턴층(53a)의 우측 영역은 쉴드층으로 사용될 수 있다.
도 1 및 도 5d를 참조하면, 절연층(52) 및 전도성 산화물 패턴층(53, 53a) 상에 절연 물질을 도포하여 패시베이션층(54)을 형성할 수 있다. 그리고, 식각 공정에 의하여 패드(51a)를 노출시킬 수 있다. 패시베이션층(54)은 절연 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 기타 일반적인 반도체 공정에 사용되는 절연 물질로 형성될 수 있다.
도 6은 예시적인 실시예에 따른 지문 센서와 실드가 형성되지 않은 지문 센서에 대한 센서 Rx 이득에 대한 이미지의 변화량을 나타낸 도면이다.
도 1 및 도 6을 참조하면, 지문 센서(100)의 트레이서(11a, 11b)에 쉴드층(12, 14)이 형성된 경우(W/ shield) 및 쉴드층(12, 14)이 형성되지 않은 경우(W/o shield)를 비교하였다. 쉴드층(12, 14)이 형성된 경우(W/ shield), 트레이서(11a, 11b)에 사용자의 지문이 접촉된 경우와 접촉되지 않은 경우의 센싱 전극(Rx)으로부터 측정되는 신호의 이득(Rx gain)의 이미지 신호 변화량은 매우 낮게 측정되었다. 쉴드층(12, 14)이 형성되지 않은 경우(W/o shield), 트레이서(11a, 11b)에 사용자의 지문이 접촉된 경우와 접촉되지 않은 경우의 센싱 전극(Rx)으로부터 측정되는 신호의 이득(Rx gain)의 이미지 신호 변화량은 쉴드층(12, 14)이 형성된 경우(W/ shield)와 비교하여 매우 높게 측정되었다.
이러한 결과는 지문 센서(100)의 트레이서(11a, 11b)에 쉴드층(12, 14)이 형성된 경우(W/ shield), 노이즈의 발생이 감소하여 측정된 사용자의 지문 이미지의 열화 현상이 감소할 수 있음을 알 수 있다.
본 개시에 따른 지문 센서는 테블릿 PC, 스마트폰, 노트북 등을 비롯한 다양한 모바일 기기 등에 채용되어 사용될 수 있으며, 모바일 기기의 디스플레이의 일 영역에 액티브 영역이 형성되어 사용될 수 있다. 또한, 본 개시에 따른 지문 센서는 모바일 기기에 채용되어 모바일 기기의 디스플레이, 정보저장부 및 정보처리부를 이용하여 사용될 수 있다.
상술한 지문 센서 및 지문 센서의 구동 방법은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
10, 40: 액티브 영역
11a, 11b, 11c, 42, 44, 46: 트레이서 영역
12, 14, 16: 쉴드층
Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn: 구동 전극
Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn: 센싱 전극
C11, C12: 캐패시터
11a, 11b, 11c, 42, 44, 46: 트레이서 영역
12, 14, 16: 쉴드층
Tx: Tx1, Tx2, Tx3, Tx4... Txn: 구동 전극
Rx: Rx1, Rx2, Rx3... Rxn: 센싱 전극
C11, C12: 캐패시터
Claims (15)
- 서로 교차하며 형성된 다수의 구동 전극 및 다수의 센싱 전극을 포함하는 터치 패드;
상기 다수의 구동 전극 및 상기 다수의 센싱 전극과 각각 전기적으로 연결된 트레이서 영역; 및
상기 트레이서 영역의 상기 다수의 구동 전극 및 다수의 센싱의 연장부에 형성된 쉴드층;을 포함하는 지문 센서. - 제 1 항에 있어서,
상기 트레이서 영역은 상기 다수의 센싱 전극의 연장부가 형성된 제 1트레이서 영역; 및
상기 다수의 구동 전극의 연장부가 형성된 제 2트레이서 영역;을 포함하는 지문 센서. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1트레이서 영역의 상기 다수의 센싱 전극의 연장부에 형성된 제 1쉴드층; 및
상기 제 2트레이서 영역의 상기 다수의 구동 전극의 연장부에 형성된 제 2쉴드층;을 포함하는 지문 센서. - 제 3항에 있어서,
상기 제 1쉴드층 및 상기 제 2쉴드층은 각각 투명 전도성 산화물로 형성된 지문 센서. - 제 1항에 있어서,
상기 다수의 구동 전극은 금속 물질로 형성된 지문 센서. - 제 1항에 있어서,
상기 다수의 센싱 전극은 상기 지문 센서의 액티브 영역에서는 투명 전도성 산화물로 형성된 지문 센서. - 제 6항에 있어서,
상기 다수의 센싱 전극은 상기 지문 센서의 액티브 영역의 단부에서 비아를 통하여 금속 물질층과 연결된 지문 센서. - 제 6항에 있어서,
상기 다수의 센싱 전극과 전기적으로 연결된 상기 쉴드층은 투명 전극으로 형성되며, 상기 다수의 센싱 전극과 상기 쉴드층은 서로 분리된 지문 센서. - 제 1항에 있어서,
상기 다수의 구동 전극 및 상기 다수의 센싱 전극들 각각 교차하는 영역에는 캐패시턴스가 형성된 지문 센서. - 제 9항에 있어서,
상기 캐패시턴스가 형성된 상기 다수의 센싱 전극 영역의 폭은 상기 다수의 센싱 전극에서 상기 캐패시턴스가 형성되지 않은 영역의 폭보다 좁은 지문 센서. - 제 1항에 있어서,
상기 쉴드층은 상기 다수의 구동 전극의 연장부 및 상기 다수의 센싱 전극의 연장부를 덮으며, 마름모 형상 또는 직사각형 형상으로 형성된 지문 센서. - 제 1항에 있어서,
다수의 센싱 전극 및 상기 쉴드층은 동일한 투명 전도성 산화물로 형성된 지문 센서. - 기판 상에 금속 물질층을 형성하고, 다수의 구동 전극, 패드를 형성하기 위하여 상기 금속 물질층을 패터닝하여 금속 패턴층을 형성하고,
상기 기판 및 상기 금속 패턴층 상에 절연 물질층을 형성하여 패터닝하고,
상기 절연 물질층 상에 투명 전도성 산화물층을 형성하고, 다수의 센싱 전극및 쉴드층을 형성하기 위하여 패터닝하여 투명 전도성 산화물 패턴층을 형성하고,
상기 투명 전도성 산화물 패턴층 상에 절연 물질을 도포하여 패시베이션층을 형성하는 것을 포함하는 지문 센서의 제조 방법. - 제 12항에 있어서,
상기 다수의 센싱 전극은 상기 다수의 구동 전극과 교차하는 방향으로 형성하는 지문 센서의 제조 방법. - 제 12항에 있어서,
상기 다수의 센싱 전극은 투명 전도성 물질로 형성하는 지문 센서의 제조 방법.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190141551A (ko) | 2018-06-14 | 2019-12-24 | 박선순 | 접이식증기생성기, 접이식하이브리드증기생성기 및 이를 이용한 접이식하이브리드증기흡입기 그리고 그 접이식 증기생성기 제조방법 |
| WO2020204622A1 (ko) * | 2019-04-04 | 2020-10-08 | 동우화인켐 주식회사 | 터치 센서-안테나 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
| US10824283B2 (en) | 2017-08-04 | 2020-11-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Fingerprint recognizable touch screen apparatus and method of operating the same |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180054069A (ko) * | 2016-11-14 | 2018-05-24 | 삼성전자주식회사 | 지문 센서 및 지문 센서의 제조 방법 |
| KR102461720B1 (ko) | 2017-08-03 | 2022-11-01 | 삼성전자주식회사 | 지문인식 센서 및 이를 포함하는 지문 인식 겸용 터치 스크린 장치 |
| TWI712933B (zh) * | 2020-04-28 | 2020-12-11 | 義隆電子股份有限公司 | 具指紋感測功能的觸控顯示裝置及觸控感測裝置 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8068186B2 (en) * | 2003-10-15 | 2011-11-29 | 3M Innovative Properties Company | Patterned conductor touch screen having improved optics |
| US7439962B2 (en) * | 2005-06-01 | 2008-10-21 | Synaptics Incorporated | Touch pad with flexible substrate |
| US8552989B2 (en) * | 2006-06-09 | 2013-10-08 | Apple Inc. | Integrated display and touch screen |
| US8237068B2 (en) * | 2009-08-07 | 2012-08-07 | OpeanPeak Inc. | Projected capacitive touch-sensitive panel |
| US8730184B2 (en) * | 2009-12-16 | 2014-05-20 | 3M Innovative Properties Company | Touch sensitive device with multilayer electrode having improved optical and electrical performance |
| US9158958B2 (en) * | 2010-10-28 | 2015-10-13 | Synaptics Incorporated | Signal strength enhancement in a biometric sensor array |
| US8564314B2 (en) * | 2010-11-02 | 2013-10-22 | Atmel Corporation | Capacitive touch sensor for identifying a fingerprint |
| US20120326992A1 (en) | 2011-06-27 | 2012-12-27 | Silicon Integrated Systems Corp. | Touch Panel for Providing a Shield Against Noise |
| US8698769B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-04-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dual mode capacitive touch panel |
| CN103827791B (zh) * | 2011-09-30 | 2017-08-29 | 3M创新有限公司 | 具有精细间距互连器的柔性触摸传感器 |
| CN103049120A (zh) | 2011-10-13 | 2013-04-17 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 触控装置结构及其制造方法 |
| JP5667960B2 (ja) | 2011-10-14 | 2015-02-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、タッチ検出装置、および電子機器 |
| JP2015057678A (ja) * | 2012-01-12 | 2015-03-26 | シャープ株式会社 | タッチパネルおよびタッチパネル付き表示装置 |
| US9086768B2 (en) | 2012-04-30 | 2015-07-21 | Apple Inc. | Mitigation of parasitic capacitance |
| TW201413519A (zh) * | 2012-09-27 | 2014-04-01 | Wintek Corp | 觸控面板與觸控顯示面板 |
| KR102112090B1 (ko) * | 2013-10-23 | 2020-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 센서 일체형 표시장치 |
| US20160005352A1 (en) * | 2014-07-03 | 2016-01-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Touch sensing device |
| TWI531942B (zh) * | 2014-08-19 | 2016-05-01 | 原相科技股份有限公司 | 觸控顯示裝置及其運作方法 |
| US9436335B1 (en) * | 2014-09-30 | 2016-09-06 | Amazon Technologies, Inc. | Input transformative system |
| US9639733B2 (en) * | 2014-11-25 | 2017-05-02 | Cypress Semiconductor Corporation | Methods and sensors for multiphase scanning in the fingerprint and touch applications |
| US20160231854A1 (en) | 2015-02-06 | 2016-08-11 | Qualcomm Technologies, Inc. | Orthogonal frequency division scanning method for sensors |
| JP5981005B2 (ja) | 2015-09-02 | 2016-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102397874B1 (ko) * | 2015-09-30 | 2022-05-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 지문센서 어레이 및 그를 구비한 표시장치 |
| KR102618537B1 (ko) * | 2016-04-29 | 2023-12-27 | 삼성전자주식회사 | 온-스크린 지문 센서 및 이를 포함하는 전자 기기 |
| KR102651542B1 (ko) * | 2016-06-17 | 2024-03-28 | 삼성전자주식회사 | 터치-지문 복합 센서를 포함하는 전자 기기 |
| KR20180054069A (ko) * | 2016-11-14 | 2018-05-24 | 삼성전자주식회사 | 지문 센서 및 지문 센서의 제조 방법 |
-
2016
- 2016-11-14 KR KR1020160151423A patent/KR20180054069A/ko not_active Application Discontinuation
-
2017
- 2017-05-04 US US15/586,632 patent/US10740588B2/en active Active
- 2017-10-11 EP EP17195959.6A patent/EP3321852A1/en not_active Ceased
- 2017-11-10 CN CN201711111063.4A patent/CN108073892B/zh active Active
-
2020
- 2020-06-18 US US16/905,240 patent/US11301663B2/en active Active
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10824283B2 (en) | 2017-08-04 | 2020-11-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Fingerprint recognizable touch screen apparatus and method of operating the same |
| KR20190141551A (ko) | 2018-06-14 | 2019-12-24 | 박선순 | 접이식증기생성기, 접이식하이브리드증기생성기 및 이를 이용한 접이식하이브리드증기흡입기 그리고 그 접이식 증기생성기 제조방법 |
| WO2020204622A1 (ko) * | 2019-04-04 | 2020-10-08 | 동우화인켐 주식회사 | 터치 센서-안테나 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
| US11782564B2 (en) | 2019-04-04 | 2023-10-10 | Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. | Touch sensor-antenna module and display device including the same |
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