CN1310066C - 制作具有低接面阻抗的透明导电板的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种制作具有低接面阻抗的透明导电板的方法，本发明利用原制程所需的黄光及蚀刻制程，在需要高透光率区域制作单层透明导电膜线路结构与外接驱动电路连接的区域，制作一双层的金属膜及透明导电膜线路结构，依据本发明即使在高分辨率产品的制程中，仍具有制程可靠度高与制造成本低等优点。
Description
技术领域
本发明涉及应用在显示器或光电元件的透明导电膜线路结构与外接驱动电路连接的区域。
背景技术
一般液晶显示器面板可利用玻璃覆晶封装技术(Chip on Glass，COG)将驱动集成电路(Driver IC)接合于透明导电基板上，由于驱动IC的端子材料(一般为高导电率的金属合金材料)与透明导电材料(一般为氧化铟锡)的接面阻抗过高，会造成电流传输严重衰减，而使得传递讯号延迟，导致液晶显示器面板显示画面时画面产生异常现象。为解决此一问题，通常都利用金属膜的镀着来提高导电度，以降低接面阻抗。
请参阅图1-1所示，是一已知的液晶显示器的横截面示意图，此案被批露于美国专利案号4826297。液晶显示单体10(cell)包含下基板100及上基板101，两基板皆有由透明玻璃及透明电极102、103所构成，在两基板之间有液晶104材料。用以驱动液晶显示单体10的芯片11利用玻璃覆晶封装技术直接接合在导电玻璃上的线路，图中显示驱动芯片11接合在部分覆盖于透明电极102的金属膜12上，此设计利用金属膜线路来与驱动IC的端子接合，将可使得接合线路间的接面阻抗降低，然后此金属膜线路再与液晶显示器面板的透明导电膜线路连接。
不过，由于该制程将液晶显示面板的下基板透明导电层线路图案完成后，再制作金属线路图案，以衔接与驱动芯片的连接线路，因此该制程有一缺点，亦即当线路尺寸愈精细时，透明导电层线路与金属线路在相衔接处会因线路重叠对准的误差，而使得线路衔接不良，易造成线路阻抗的增加。
请参阅图1-2所示，是一已知透明导电板的横截面示意图，此案为美国专利案号6037005所批露的内容。图中显示透明玻璃13上具有透明导电膜14与金属膜15的部分重叠电极结构，此设计方式虽可同时降低接面阻抗及提高线路的导电度，但却会因金属膜15会反射部分光线，而使得显示区域整体的透光度降低；另外，由于电极在显示器中的功能，是在每一个显示像素(pixel)中提供均匀的电场分布，然而此方法所提出在同一像素中含有部分金属重叠的透明电极，却会造成像素电极的表面电场不均匀，以致于显示器的显示均匀度不佳。
发明内容
鉴于上述的已知技术所产生的缺点，本发明提供了一种具有低接面阻抗的透明导电板及其制法。此透明导电板及其制法可以解决液晶显示器所存在的高接面阻抗问题，同时不会影响透明导电板的透光率与显示效果。
本发明的目的，是在端子的接触线路区段使用双层结构，其中该双层结构的上层是一金属膜，而下层是一透明导电膜，其利用金属膜与驱动IC的端子材料接触，以有效降低接面阻抗，而在显示面板线路则使用单层透明导电膜，以达到所需要的透光率与显示效果。本发明的另一目的，是可以应用以高分辨率显示器的微细线路的制作，当制作下层透明导电膜的线路图案时，上层的金属膜的线路图案可以作为遮罩(mask)，因此在相衔处不会因线路对准误差而造成线路衔接不良，进而可增进制程的可靠度与良率。
为达到上述目的，本发明提供一种制作具有低接面阻抗的透明导电板的方法，其包含下列步骤：首先在透明基板上沉积一透明导电膜；然后在透明导电膜上沉积一金属膜；接着在金属膜上涂布一第一光阻层；以带有第一线路图案的光罩，对第一光阻层进行显影制程，使得第一光阻层形成如第一线路的图案；蚀刻该金属膜，使金属膜上形成该第一线路的图案；除去光阻；在透明导电膜及形成该第一线路的图案的金属膜上均匀涂布一第二光阻层；以带有第二线路图案的光罩，对第二光阻层进行显影制程，使得第二光阻层上形成如上述第二线路的图案；蚀刻透明导电膜，在透明导电膜上形成该第二线路的图案，最后除去光阻；这样，完成了本发明的制程。
附图说明
图1-1是一已知液晶显示器的横截面示意图。
图1-2是一已知透明导电板的横截面示意图。
图2-1至图2-10是本发明的一具体实施例，制作具有低接面阻抗的透明导电板的各步骤。
具体实施方式
有关本发明的详细说明及技术内容，现配合附图说明如下：
请参阅图2-1至图2-10所示，是本发明的一具体实施例，制作具有低接面阻抗的透明导电板的各步骤。首先，利用真空蒸镀或真空溅镀(Sputtering)的方式将一透明导电膜21沉积于一透明基板20上，且对本发明而言，其中，该透明基板20可为一透明玻璃板或一透明塑料板，又，透明基板20的最适当厚度约为0.4mm，而该透明导电膜21是一透明导电氧化物，其中又以铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)为佳，且，该透明导电膜21的最适当厚度是在1000到2000埃()之间。
其次，同样以真空蒸镀或真空溅镀的方式将金属膜22沉积于透明导电膜21上，对本发明而言，金属膜22的成分是银(Ag)、铬(Cr)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、铁(Fe)、镍(Ni)、钨(W)、铂(Pt)、锡(Sn)，或上述元素的化合物或混合物，但并非限定于上述的元素，且该金属膜22的厚度是在1000到2000埃()之间。
接着以上步骤，如图2-3所示，以旋转涂布的方法将第一光阻层23(photoresist)均匀涂布于上述金属膜22上，而该第一光阻层23的厚度可介于8000到10000埃()之间；完成该第一光阻层23后，借由一带有第一线路的图案的光罩(mask)对该第一光阻层23做黄光制程，再对该第一光阻层23做显影制程，借此，使该第一光阻层23形成该第一线路的图案，如图2-4所示；此时，借由上述的第一光阻层23作为上述金属膜22蚀刻时的遮罩，对该金属膜22作蚀刻制程至上述的透明导电膜21处，如是，使该金属膜22形成如上所述的第一线路图案，如图2-5所示；再针对上述步骤所剩余的光阻，利用氧气灰化法或丙酮除去该光阻，如图2-6所示。
再接上述步骤，请参阅图2-7，在该透明导电膜21及上述形成该第一线路图案的金属膜22上，均匀涂布一第二光阻层24，而该第二光阻层24的厚度可介于8000到10000埃()之间。完成该第二光阻层24后，借由一带有第二线路图案的光罩(mask)对该第二光阻层24做黄光制程，再对该第二光阻层24做显影制程，借此，使该第二光阻层24形成该第二线路的图案，可得到如图2-8所示的结构。
借由上述的第二光阻层24作为上述透明导电膜21蚀刻时的遮罩，对该透明导电膜21作全面且单向垂直地蚀刻至上述的透明基板20处，如是，使该透明导电膜21形成如上所述的第二线路图案，如图2-9所示。最后，再针对上述步骤所剩余的光阻，利用氧气灰化法或丙酮除去该光阻，即完成本发明的具有低接面阻抗的透明导电板，如图2-10。
本发明的特点，是利用黄光及蚀刻制程，在需要高透光率的区域(如：显示区域)制作单层的透明导电膜的线路结构，而在与外接驱动电路(如：驱动芯片)连接的区域，亦即端子的连接区域，制作一双层的金属膜及透明导电膜的线路结构。借助本发明，可以有效解决已知透明导电板与外接驱动电路之间的高接面阻抗问题，同时不会影响透明导电板的透光率。
本发明的另一关键特点，是利用一种适合高分辨率显示器的制程来制造出该透明导电板，本发明利用了两次黄光及蚀刻制程，第一次将显示区域的上层金属膜去除，且同时将端子的连接区域的上层金属膜蚀刻出所要的线路图案，第二次即将显示区域的透明导电膜蚀刻出另一个线路图案，因此本发明可以同步制作透明导电板上的显示区域及端子连接区域的线路图案，与传统的繁复制程相比较，本发明具有显著的进步性及产业利用性，尤其在高分辨率产品的制程中，具有可靠度高、成本低、及适合量产等优点。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，而不能以之限定本发明实施的范围，即大凡依本发明申请专利范围所作的均等变化与修饰，皆应仍属本发明专利涵盖的范围内。
Claims (20)
1.一种制作具有低接面阻抗的透明导电板的方法，其特征在于包含下列步骤：
(A)在一透明基板(20)上沉积一透明导电膜(21)；
(B)在上述的透明导电膜(21)上沉积一金属膜(22)；
(C)在上述金属膜(22)上涂布一第一光阻层(23)；
(D)以一带有第一线路图案的光罩对所述第一光阻层做黄光制程，再对所述第一光阻层做显影制程，使得所述第一光阻层(23)上形成一第一线路的图案；
(E)蚀刻上述的金属膜(22)，借此，使所述金属膜(22)上形成所述第一线路图案；
(F)除去残余的光阻；
(G)在上述的透明导电膜(21)及形成所述第一线路图案的金属膜(22)上，均匀涂布一第二光阻层(24)；
(H)以一带有第二线路图案的光罩对所述第二光阻层做黄光制程，再对所述第二光阻层做显影制程，使得所述第二光阻层(24)上形成一第二线路的图案；
(I)蚀刻所述透明导电膜(21)，借此，使所述透明导电膜(21)上形成所述第二线路图案；以及
(j)除光残余的光阻。
2.根据权利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明导电板的方法，其特征在于，所述步骤(A)利用真空蒸镀或真空溅镀方式将所述透明导电膜(21)沉积于所述透明基板(20)上。
3.根据权利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明导电板的方法，其特征在于，所述步骤(B)是利用真空蒸镀或真空溅镀方式将所述金属膜(22)沉积于所述透明导电膜(21)上。
4.根据权利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明导电板的方法，其特征在于，所述透明基板(20)是一透明玻璃板或一透明塑料板。
5.根据权利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明导电板的方法，其特征在于，所述透明导电膜(21)是一透明导电氧化物。
6.根据权利要求5所述的制作具有低接面阻抗的透明导电板的方法，其特征在于，所述透明导电氧化物是氧化铟锡。
7.根据权利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明导电板的方法，其特征在于，所述金属膜(22)的成分是银、铬、铜、铝、金、铁、镍、钨、铂、锡，亦可为上述元素的化合物/混合物。
8.根据权利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明导电板的方法，其特征在于，所述透明基板(20)的厚度约为0.4mm。
9.根据权利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明导电板的方法，其特征在于，所述透明导电膜(21)的厚度在1000到2000埃()之间。
10.根据权利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明导电板的方法，其特征在于，所述金属膜(22)的厚度在1000到2000埃()之间。
11.根据权利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明导电板的方法，其特征在于，所述第一光阻层(23)的厚度在8000到10000埃()之间。
12.根据权利要求1所述的制作具有低接面阻抗的透明导电板的方法，其特征在于，所述第二光阻层(24)的厚度是在8000到10000埃()之间。
13.一种根据权利要求1的方法制作得到的具有低接面阻抗的透明导电板，其特征是在于包含：
一透明基板(20)；
一透明导电膜(21)，具有一第二线路图案且覆盖于所述透明基板(20)上；
一金属膜(22)，具有一第一线路图案且覆盖于所述透明导电膜(21)上
其中，在所述透明导电板的高透光率的区域上具有带有第二线路图案的单层的透明导电膜(21)的线路结构，而在与外界驱动电路连接的区域上具有带有第二线路图案的金属膜(22)及带有第一线路图案的透明导电膜(21)的双层的线路结构。
14.根据权利要求13所述的具有低接面阻抗的透明导电板，其特征在于，所述透明基板(20)是一透明玻璃板或一透明塑料板。
15.根据权利要求13所述的具有低接面阻抗的透明导电板，其特征在于，所述透明导电膜(21)是一透明导电氧化物。
16.根据权利要求15所述的具有低接面阻抗的透明导电板，其特征在于，所述透明导电氧化物是氧化铟锡。
17.根据权利要求13所述的具有低接面阻抗的透明导电板，其特征在于，所述金层膜(22)的成分是银、铬、铜、铝、金、铁、镍、钨铂、锡，也可以是上述元素的化合物/混合物。
18.根据权利要求13所述的具有低接面阻抗的透明导电板，其特征在于，所述透明基板(20)的厚度约为0.4mm。
19.根据权利要求13所述的具有低接面阻抗的透明导电板，其特征在于，所述透明导电膜(21)的厚度在1000到2000埃()之间。
20.根据权利要求13所述的具有低接面阻抗的透明导电板，其特征在于，所述金属膜(22)的厚度在1000到2000埃()之间。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001255551A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及びその製造方法 |
| US6380101B1 (en) * | 2000-04-18 | 2002-04-30 | International Business Machines Corporation | Method of forming patterned indium zinc oxide and indium tin oxide films via microcontact printing and uses thereof |
| US6476899B2 (en) * | 2000-09-28 | 2002-11-05 | Minolta Co., Ltd. | Display panel and method of producing the same |
| US6495440B2 (en) * | 2001-02-09 | 2002-12-17 | Hannstar Display Corp. | Method to prevent an ITO from opening |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001255551A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及びその製造方法 |
| US6380101B1 (en) * | 2000-04-18 | 2002-04-30 | International Business Machines Corporation | Method of forming patterned indium zinc oxide and indium tin oxide films via microcontact printing and uses thereof |
| US6476899B2 (en) * | 2000-09-28 | 2002-11-05 | Minolta Co., Ltd. | Display panel and method of producing the same |
| US6495440B2 (en) * | 2001-02-09 | 2002-12-17 | Hannstar Display Corp. | Method to prevent an ITO from opening |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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