DE69015100T2 - Elektroden auf einem Montagesubstrat und Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die dieses enthält. - Google Patents

Elektroden auf einem Montagesubstrat und Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die dieses enthält.

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DE69015100T2
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Description

    HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft allgemein eine Verdrahtungsanordnung und spezieller betrifft sie eine Substratanordnung mit einem Muster aus einer auf einem Substrat ausgebildeten Elektrodenverdrahtung, die Abschnitte beinhaltet, an die erhöhte Kontaktierungsflecke einer integrierten Schaltung wie eines LSIs angeschlossen werden. Die Erfindung betrifft auch eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit einer solchen Substratanordnung.
    • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • Als ein Verfahren zum Montieren einer integrierten Schaltung (IC) oder dergleichen auf einem Substrat ist ein direkter Bondvorgang wohlbekannt, bei dem IC-Chips mit dem Gesicht nach unten auf einem Substrat angeschlossen werden. Bei diesem Verfahren werden winzige an den IC-Chips ausgebildete Elektroden über eine leitende Paste usw. mit Elektroden auf dem Montagesubstrat verbunden. Dieses Verfahren ist insbesondere dann geeignet, wenn ein Bauteil mit hoher Integration (LSI = large scale integration) auf dem Montagesubstrat angebracht wird.
  • Zur Bequemlichkeit bei der Verbindungsherstellung stehen die Elektroden von ICs über, und sie werden dann allgemein als erhöhte Kontaktflecke bezeichnet, und diejenigen, die vom Montagesubstrat hochstehen und mit den erhöhten Kontaktflekken verbunden werden, werden wegen ihrer kissenähnlichen Art als Kontaktkissen bezeichnet. An die Kontaktkissen auf dem Montagesubstrat ist eine Anzahl Schaltungsmusterverdrahtungen elektrisch angeschlossen.
  • Die japanische Patentoffenlegungsschrift Nr. 60-238817 offenbart ein Verfahren zum Montieren von ICs oder dergleichen zum Ansteuern eines Flüssigkristalls unter Verwendung eines Glassubstrats einer Flüssigkristall-Anzeigetafel als Montagesubstrat bei der vorstehend beschriebenen Vorgehensweise. Dieses Verfahren ermöglicht eine direkte Montage eines ICs, eines LSIs oder dergleichen auf der Anzeigetafel zum Ansteuern eines Flüssigkristalls, wobei eine zunehmende Anzahl von Stiften verwendet wird, abhängig von der Vergrößerung, hoher Auflösung und einer Minimierung der Bildelementabstände bei einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung. Dieses Verfahren verwendet Kontaktkissen aus Au oder ITO (Indiumzinnoxid).
  • Jedoch treten beim vorstehend genannten bekannten Verfahren die folgenden Schwierigkeiten auf.
  • Wenn das Kontaktkissen aus Au besteht, ist der Verbindungswiderstand im Verbindungsabschnitt zwischen den Kontaktflekken und den Kontaktkissen niedrig und stabil. Die Ausbildung eines solchen Kontaktkissens erfordert einen Vergoldungsprozeß, was den Schritt verkompliziert. Darüber hinaus ist Au teuer und die Herstellkosten werden hoch.
  • Wenn Kontaktkissen aus ITO hergestellt werden, ist dies dahingehend vorteilhaft, daß der Prozeß zum Herstellen derselben gemeinsam mit dem Prozeß des Herstellens der transparenten ITO-Elektroden während der Herstellung einer Flüssigkristall-Anzeigetafel erfolgen kann, was die Anzahl der Schritte im Prozeß verringert. Jedoch besteht die Schwierigkeit, daß der Verbindungswiderstand in den Verbindungspunkten zwischen den Kontaktkissen aus ITO und den Kontaktflecken hoch ist (5 - 10 Ω). Wenn der Verbindungswiderstand zunimmt, nimmt die an den Flüssigkristall-Anzeigeabschnitt angelegte Spannung aufgrund eines Spannungsabfalls an den Verbindungspunkten wesentlich ab, so daß die Qualität der sich ergebenden Anzeige schlecht wird. Dies fällt insbesondere bei großen oder hochauflösenden Flüssigkristall-Anzeigegeräten auf Diese Anzeigegeräte erzeugen eine Anzahl von Ausgangssignalen pro IC, um einen Flüssigkristall mit hoher Taktfrequenz und einem größeren Energieverbrauch in den ICs und dem Flüssigkristall selbst anzusteuern, so daß das unmittelbare Hindurchleiten von Strom durch die Schaltungsmuster schwierig ist. Dies führt zu einem weiteren Abfall der an den Flüssigkristall-Anzeigeabschnitt angelegten Spannung.
  • US-A-4,853,296 betrifft eine Elektrodenplatte für eine Farbanzeigevorrichtung und diese Schrift lehrt die Verwendung von Nickel als wesentlichem Element in einem metallischen Dünnfilmleiter, der auf einer transparenten Elektrode ausgebildet ist, wobei der Leiter Mehrschichtstruktur einschließlich einer Schicht aus Molybdän aufweisen kann.
    • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Gemäß einer Erscheinungsform schafft die Erfindung eine Substratanordnung mit einem Elektrodenverdrahtungsmuster, das direkt auf einem Montagesubstrat ausgebildet ist, wobei die Elektrodenverdrahtung des Musters zumindest teilweise aus zwei Schichten besteht, wobei die eine Schicht Abschnitte beinhaltet, die nur aus Mo-Metall bestehen, an die ausschließlich Kontaktflecke einer integrierten Schaltung wie eines LSTs angeschlossen werden.
  • Gemäß einer anderen Erscheinungsform schafft die Erfindung eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit der vorstehend genannten Substratanordnung und einem weiteren Substrat, die eine Flüssigkristallschicht in einem Anzeigebereich der Vorrichtung zwischen sich einbetten, wobei die integrierte Schaltung in einem Bereich des Montagesubstrats außerhalb des Anzeigebereichs vorliegt, um die Flüssigkristallschicht anzusteuern.
  • Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Abschnitte aus Mo-Metall über eine leitende Paste mit den Kontakt flecken der integrierten Schaltung verbunden, wobei die Elektrodenverdrahtung des Musters durch ein isolierendes Material abgedeckt ist, mit Ausnahme mindestens derjenigen Abschnitte, die mit den Kontaktflecken der integrierten Schaltung verbunden sind.
  • Die hier beschriebene Erfindung ermöglicht das Erreichen folgender Ziele: (1) Schaffen einer Elektrodenverdrahtung, die an eine integrierte Schaltung angeschlossen werden kann ohne daß die Möglichkeit eines erhöhten Verbindungswiderstandes an den Verbindungsteilen zur integrierten Schaltung besteht und (2) Schaffen einer Elektrodenverdrahtung, die leicht und wirtschaftlich an eine integrierte Schaltung angeschlossen werden kann.
    • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die Erfindung kann besser verstanden werden und ihre zahlreichen Aufgaben und Vorteile werden dem Fachmann besser deutlich werden, wenn auf die beigefügten Zeichnungen wie folgt Bezug genommen wird:
  • Fig. 1 ist ein Querschnitt, der ein Beispiel der Erfindung zeigt;
  • Fig. 2, 3 und 4 sind Querschnitte, die jeweils andere Beispiele zeigen und
  • Fig. 5, 6 und 7 sind Querschnitte, die Modifizierungen der in den Fig. 1, 2 und 3 dargestellten Ausführungsbeispiele zeigen.
    • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Fig. 1 zeigt den Hauptteil einer Flüssigkristall-Anzeigetafel 20, auf der Elektrodenkontaktkissen 10 ausgebildet sind. Ein Flüssigkristall 3 ist flüssigkeitsdicht zwischen Glassubstrate 1 und 2 der Flüssigkristall-Anzeigetafel 20 eingebettet, Auf dem Glassubstrat 1 sind eine Eingangsschaltungsmuster-Verdrahtung 5 und eine Ausgangsschaltungmuster-Verdrahtung 4 jeweils für ein den Flüssigkristall ansteuerndes LSI. Die Eingangsschaltungsmuster-Verdrahtung 5 ist mit einer (nicht dargestellten) externen Steuerschaltung verbunden. Die Ausgangsschaltungsmuster-Verdrahtung 4 ist mit einer Verdrahtung oder einer Elektrode in einer Flüssigkristallzelle eines Anzeigeabschnitts der Flüssigkristall-Anzeigetafel 20 verbunden. Die Schaltungsmuster-Verdrahtungen 4 und 5 können aus einem durchsichtigen, leitenden Film wie einem solchen aus ITO, Ni, Cu/Ni, Ti, Ta, W oder Al bestehen.
  • Die Kontaktkissen 10 sind an vorgegebenen Stellen auf den Schaltungsmuster-Verdrahtungen 4 und 5 so angeordnet, daß sie eine Verbindung zwischen den Musterverdrahtungen 4, 5 und den Kontaktflecken 7 des den Flüssigkristall ansteuernden LSIs 6 bewirken. Die Kontaktkissen 10 bestehen aus Mo.
  • Das den Flüssigkristall ansteuernde LSI 6 wird mit dem Glassubstrat 1 der Flüssigkristall-Anzeigetafel durch ein Bondverfahren mit dem Gesicht nach unten verbunden. Die Kontaktflecke 7 des LSIs 6 werden vorzugsweise mit einer leitenden Paste mit den Kontaktkissen 10 verbunden und sie werden über die Kissen 10 mit der Eingangsschaltungsmuster-Verdrahtung 5 und der Ausgangsschaltungsmuster-Verdrahtung 4 verbunden. Eine leitende Paste 8 aus Silber oder irgendeiner anderen leitenden Substanz wird unter Verwendung eines Spenders oder einer Übertragungseinrichtung zumindest auf die oberen Enden der Kontaktflecke 7 aufgetragen, bevor das LSI 6 auf dem Glassubstrat 1 montiert wird. Um die Kontaktkissen 10 davor zu schützen, daß sie durch ein Lösungsmittel oder dergleichen, wie bei den anschließenden Prozessen nach dem Montieren der LSIs 6 verwendet, aufgelöst oder angeätzt werden, kann die leitende Paste 8 die Kontaktkissen 10 vollständig überdecken, wie in den Fig. 1 bis 4 dargestellt, wo benachbarte leitende Pasten 8 elektrisch voneinander getrennt sind, wie durch das Einfügen eines bekannten elektrisch isolierenden Films, der in den Fig. 1 bis 3 weggelassen ist. Alternativ kann die leitende Paste 8 nur die oberen Abschnitte der Kontaktkissen 10 bedecken, wie in den Fig. 5 bis 7 dargestellt, d.h., daß benachbarte leitende Pasten 8 beabstandet ausgebildet sind, wodurch das Erfordernis umgangen ist, daß elektrisch isolierende Filme dazwischen angeordnet werden. Der Abstand zwischen einem Kontaktkisser 10 und dem nächsten beträgt vorzugsweise 50 um, kann jedoch größer als 50 um sein, z.B. 100 um. Statt Silberpaste kann für die leitende Paste 8 Goldpaste, Kupferpaste oder Kohlen stoffpaste verwendet werden.
  • Um ein Anätzen der Kontaktkissen 10 zu verhindern, wird in die Räume zwischen dem LSI 6 und dem Glassubstrat 1 ein Feuchtigkeit abstoßendes Harz 9 eingefüllt und dieses kann aushärten.
  • Wie vorstehend angegeben, haben Kontaktkissen 10 aus Mo die folgenden Vorteile.
  • Kontaktkissen 10 aus Mo sind in allen anschließenden Prozessen zum Herstellen einer Flüssigkristall-Anzeigetafel stabil. Z.B. wird verhindert, daß sich eine isolierende Schicht, die wahrscheinlich den Verbindungswiderstand erhöht, an der Oberfläche der Kontaktkissen 10 bildet, selbst wenn der anschließende Prozeß einen Schritt beinhaltet, bei dem eine Oxidationsreaktion auftritt. Im Ergebnis wird der Verbindungswiderstand in den Verbindungsabschnitten zwischen den Kontaktkissen 10 und den Kontaktflecken 7 konstant niedrig gehalten. Beim vorliegenden Beispiel beträgt der Verbindungswiderstand einige 100 mΩ. Im Gegensatz hierzu beträgt bei einem Vergleichsbeispiel unter Verwendung von Kontakt kissen aus Ti, Ta, W oder Al der Verbindungswiderstand zwischen den Kontaktkissen 10 und den Kontaktflecken 7 einige Ω bis einige 100 Ω. Ti, Ta, W oder Al sind metallische Materialien, deren spezifische Widerstände so gering wie der von Mo sind, die jedoch dahingehend nachteilig sind, daß sie leicht eine unerwünschte Isolierschicht auf der Oberfläche der Kontaktflecke aufgrund einer Oxidationsreaktion während der Herstellung der Anzeigetafel bilden. Beim Vergleichsbeispiel ist der Verbindungswiderstand in den Verbindungspunkten zu den Kontaktflecken 7 erhöht, da eine solche Isolierschicht vorliegt.
  • Beim veranschaulichten Ausführungsbeispiel bestehen die Kontaktkissen 10 aus Mo, das keiner Oxidationsreaktion unter liegt, und sie sind über eine leitende Paste 8 mit den Kontaktflecken 7 des ICs verbunden, so daß der Verbindungswiderstand dazwischen niedrig ist. So wird verhindert, daß die an den Flüssigkristall-Anzeigeteil angelegte Spannung abfällt. Auch sind die von der leitenden Paste 8 bedeckten Kontaktflecke 10 im Verlauf des anschließenden Prozesses zum Herstellen der Anzeigetafel gegen eine Beeinträchtigung durch ein Lösungsmittel geschützt. Im Ergebnis werden gewünschte Anzeigebedingungen und hohe Ausbeute unabhängig davon erzielt, ob es sich um eine große Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung oder eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit hoher Auflösung handelt.
  • Mo ist ein relativ billiges Material, was die Herstellkosten verringert. Darüber hinaus wird Mo zum Herstellen von Verdrahtungen und Elektroden in den Anzeigeteilen einer Flüssigkristall-Anzeigetafel 20 verwendet. Daher können dann, wenn die Verdrahtungen und die Elektroden aus Mo herzustellen sind, die Kontaktkissen 10 im selben Prozeß hergestellt werden. Im Ergebnis verringern sich die Schritte zum Herstellen der Kontaktkissen 10, was Zeit und Geld bei der Herstellung spart.
  • Fig. 2 zeigt ein anderes Beispiel. Bei diesem Beispiel ist die aus Mo bestehende Verdrahtung 12 einstückig mit dem Kontaktkissen 10 auf den Schaltungsmusterverdrahtungen 4 und 5 ausgebildet. Ein Strom fließt gleichzeitig durch die Schaltungsmusterverdrahtungen 4 und 5 und die Verdrahtung 12, wodurch sich der Verdrahtungswiderstand insgesamt verringert.
  • Fig. 3 zeigt ein weiteres Beispiel. Bei diesem Beispiel bestehen die Eingangsschaltungsmuster-Verdrahtung 15 und die Ausgangsschaltungsmuster-Verdrahtung 14 aus Mo, und zwar einstückig mit Kontaktkissen 10 aus Mo. Die Kontaktkissen 10 und die Schaltungsmusterverdrahtungen 14 und 15 werden in einem einzigen Prozeß ausgebildet, wodurch die Herstellschritte verringert werden. Eine andere Verdrahtung 13 aus einem anderen leitenden Material als Mo ist auf den Schaltungsmusterverdrahtungen 14 und 15 aus Mo aufgebracht. Die Verdrahtung 13 liegt an anderen Positionen als an denen, an denen die Kontaktflecke 7 des LSIs 6 mit den Schaltungsmusterverdrahtungen 14 und 15 verbunden werden, und an den vorgegebenen Stellen werden die Kontaktkissen 10 aus Mo mit leitender Paste 8 mit den Kontaktflecken 7 des LSIs 6 verbunden. Der Verdrahtungswiderstand ist verringert.
  • Fig. 4 zeigt ein anderes Beispiel, bei dem ein Schutzfilm 16 aus SiO&sub2;, SiN oder dergleichen auf den Schaltungsmusterverdrahtungen 4 und 5 ausgebildet ist, um eine Beeinträchtigung der Schaltungsmusterverdrahtungen 4 und 5 nicht nur während der Herstellung der Anzeigetafel sondern auch nach deren Herstellung zu verhindern. So sind die Herstellausbeute und die Zuverlässigkeit der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung verbessert.
  • Bei den veranschaulichten Beispielen sind die Schaltungsmusterverdrahtungen 4 und 5 als einzelne Schichten aus ITO, Ni, Cu/Ni, Ti, Ta, W oder Al hergestellt. Selbstverständlich ist es möglich, die Verdrahtungen mehrschichtig herzustellen.
  • Die Kontaktkissen 10 bestehen aus einer einzigen Schicht aus Mo, jedoch können, solange die Abschnitte der Kontaktkissen 10, die mit den Kontaktflecken 7 des den Flüssigkristall an steuernden LSIs 6 verbunden sind, aus Mo bestehen, die Kontaktkissen 10 mehrschichtig sein, wenn die obere Schicht aus Mo besteht.
  • Das Glassubstrat 1 der Flüssigkristall-Anzeigetafel 10 wird als Montagesubstrat verwendet, jedoch besteht für das Material des Montagesubstrats keine Beschränkung auf Glas. Es können verschiedene Materialien verwendet werden. Da eine Vielzahl von Materialien verwendbar ist, sind die Elektroden gemäß der Erfindung auf Computer und andere elektronische Geräte anwendbar.
  • Wie es aus dem Vorstehenden ersichtlich ist, verringert die Erfindung die Herstellschritte, wodurch Zeit und Geld bei der Herstellung gespart werden. Der Verbindungswiderstand in den Verbindungsabschnitten zwischen den Elektroden auf dem Montagesubstrat und den Kontaktflecken einer integrierten Schaltung wird niedrig, wodurch verhindert ist, daß die zum Ansteuern des Flüssigkristalls angelegte Spannung abfällt.
  • Da die Elektrodenverdrahtung auf dem Substrat einer Flüssigkristall-Anzeigetafel über Mo-Schichten mit den Kontaktflekken einer integrierten Schaltung wie eines LSIs zum Ansteuern eines Flüssigkristalls verbunden ist, ist der Verbindungswiderstand zwischen diesen vorteilhafterweise verringert, was verhindert, daß die an den Flüssigkristall-Anzeigeabschnitt angelegte Spannung in unerwünschter Weise abfällt. Wegen dieses Vorteils können unabhängig davon, ob es sich um eine große Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung oder eine solche mit hoher Auflösung handelt, zufriedenstellende Anzeigebedingungen und Herstellausbeuten erzielt werden. Darüber hinaus vereinfacht sich der Herstellprozeß mit einer verringerten Anzahl von Schritten, wenn Verdrahtungen und Elektroden für den Flüssigkristall-Anzeigeabschnitt aus Mo hergestellt werden. Dies verringert die Herstellkosten.

Claims (4)

1. Substratanordnung mit einem Elektrodenverdrahtungsmuster, das direkt auf einem Montagesubstrat (1) ausgebildet ist, wobei die Elektrodenverdrahtung des Musters zumindest teilweise aus zwei Schichten besteht, wobei die eine Schicht Abschnitte (10) beinhaltet, die nur aus Mo-Metall bestehen, an die ausschließlich Kontaktflecke (7) einer integrierten Schaltung (6) wie eines LSIs angeschlossen werden.
2. Substratanordnung nach Anspruch 1, bei der die Abschnitte (10) aus Mo-Metall über eine leitende Paste (8) mit den Kontaktflecken (7) der integrierten Schaltung (6) verbunden sind, wobei die Elektrodenverdrahtung des Musters durch ein isolierendes Material (9) mit Ausnahme zumindest derjenigen Abschnitte (10) abgedeckt ist, die mit den Kontaktflecken der integrierten Schaltung verbunden sind.
3. Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung (20) mit einer Substratanordnung nach Anspruch 1 und einem weiteren Substrat (2), die eine Flüssigkristallschicht (3) in einem Anzeigebereich der Vorrichtung zwischen sich einbetten, wobei die integrierte Schaltung (6) in einem Bereich des Montagesubstrats (1) außerhalb des Anzeigebereichs vorliegt, um die Flüssigkristallschicht (3) anzusteuern.
4. Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3, bei der die Abschnitte (10) aus Mo-Metall über eine leitende Paste (8) mit den Kontaktflecken (7) der integrierten Schaltung (6) verbunden sind, wobei die Elektrodenverdrahtung des Musters durch ein isolierendes Material (9) mit Ausnahme zumindest derjenigen Abschnitte (10) abgedeckt ist, die mit den Kontaktflecken der integrierten Schaltung verbunden sind.
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0540274A (ja) * 1990-09-13 1993-02-19 Canon Inc 液晶装置
DE9217429U1 (de) * 1992-12-19 1994-01-27 Schauer, Gernot, Dr., 89518 Heidenheim Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
US7081938B1 (en) * 1993-12-03 2006-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
WO1996017335A1 (en) * 1994-12-01 1996-06-06 Philips Electronics N.V. Display device with dummy electrode
JP2900229B2 (ja) 1994-12-27 1999-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法および電気光学装置
US5818562A (en) * 1995-01-12 1998-10-06 Goldstar Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5757456A (en) * 1995-03-10 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other
US5834327A (en) 1995-03-18 1998-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing display device
KR0163937B1 (ko) * 1996-02-28 1999-01-15 김광호 액정 표시 장치의 패널
US5699073A (en) * 1996-03-04 1997-12-16 Motorola Integrated electro-optical package with carrier ring and method of fabrication
JPH1032221A (ja) * 1996-07-12 1998-02-03 Nec Corp プリント配線基板
US5864377A (en) * 1996-11-18 1999-01-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display
JP3328157B2 (ja) * 1997-03-06 2002-09-24 シャープ株式会社 液晶表示装置
US5953094A (en) * 1997-04-04 1999-09-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR100472355B1 (ko) * 1997-11-01 2005-08-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 글래스콘넥터및그제조방법
US6037005A (en) * 1998-05-12 2000-03-14 3M Innovative Properties Company Display substrate electrodes with auxiliary metal layers for enhanced conductivity
JP4237325B2 (ja) * 1999-03-11 2009-03-11 株式会社東芝 半導体素子およびその製造方法
JP3441412B2 (ja) * 1999-10-29 2003-09-02 シャープ株式会社 樹脂封止型半導体装置およびこれを用いた液晶表示モジュール
US6921975B2 (en) * 2003-04-18 2005-07-26 Freescale Semiconductor, Inc. Circuit device with at least partial packaging, exposed active surface and a voltage reference plane
JP2005353208A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Nec Corp 対物レンズ駆動装置及び光学ヘッド装置
US7312142B2 (en) * 2005-04-13 2007-12-25 Mutual Pak Technology Co., Ltd. Method for making cable with a conductive bump array, and method for connecting the cable to a task object
US8138027B2 (en) * 2008-03-07 2012-03-20 Stats Chippac, Ltd. Optical semiconductor device having pre-molded leadframe with window and method therefor

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3716907A (en) * 1970-11-20 1973-02-20 Harris Intertype Corp Method of fabrication of semiconductor device package
JPS5237744A (en) * 1975-09-19 1977-03-23 Seiko Epson Corp Electronic desk computer with liquid crystal display
US4109377A (en) * 1976-02-03 1978-08-29 International Business Machines Corporation Method for preparing a multilayer ceramic
DE2807350C2 (de) * 1977-03-02 1983-01-13 Sharp K.K., Osaka Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung in Baueinheit mit einem integrierten Schaltkreis
FR2492164B1 (fr) * 1980-10-15 1987-01-23 Radiotechnique Compelec Procede de realisation simultanee de liaisons electriques multiples, notamment pour le raccordement electrique d'une micro-plaquette de semiconducteurs
JPS57161882A (en) * 1981-03-31 1982-10-05 Hitachi Ltd Display body panel
US4426773A (en) * 1981-05-15 1984-01-24 General Electric Ceramics, Inc. Array of electronic packaging substrates
JPS59129833A (ja) * 1983-01-17 1984-07-26 Hitachi Ltd 液晶表示素子
US4649417A (en) * 1983-09-22 1987-03-10 International Business Machines Corporation Multiple voltage integrated circuit packaging substrate
AU572615B2 (en) * 1983-12-27 1988-05-12 Sony Corporation Electrically conductive adhesive sheet circuit board and electrical connection structure
JPS60111068U (ja) * 1983-12-28 1985-07-27 アルプス電気株式会社 フレキシブルプリント基板
JPS60238817A (ja) * 1984-05-12 1985-11-27 Citizen Watch Co Ltd 液晶表示装置
US4719152A (en) * 1984-09-21 1988-01-12 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Transparent conductive layer built-up material
US4600935A (en) * 1984-11-14 1986-07-15 Rca Corporation Back-to-back diodes
JPS61123818A (ja) * 1984-11-21 1986-06-11 Hitachi Ltd 液晶表示素子
US4755631A (en) * 1985-04-11 1988-07-05 International Business Machines Corporation Apparatus for providing an electrical connection to a metallic pad situated on a brittle dielectric substrate
JPS61295639A (ja) * 1985-06-25 1986-12-26 Fujitsu Ltd 集積回路接続方法
JPH0682765B2 (ja) * 1985-12-25 1994-10-19 株式会社日立製作所 液晶表示素子
JPS62218939A (ja) * 1986-03-20 1987-09-26 Seiko Instr & Electronics Ltd 液晶表示装置の製造方法
JPS62299819A (ja) * 1986-06-19 1987-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示体の製造方法
EP0260490A1 (de) * 1986-08-27 1988-03-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Verbindungsschicht für ein elektronisches Bauelement und Verfahren zum Verbinden eines elektronischen Bauelementes mit einer solchen Schicht
US4772820A (en) * 1986-09-11 1988-09-20 Copytele, Inc. Monolithic flat panel display apparatus
NL8702508A (nl) * 1986-10-22 1988-05-16 Toppan Printing Co Ltd Electrodeplaat voor kleurenweergeefinrichting.
US4859036A (en) * 1987-05-15 1989-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Device plate having conductive films selected to prevent pin-holes
US4917466A (en) * 1987-08-13 1990-04-17 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Method for electrically connecting IC chips, a resinous bump-forming composition used therein and a liquid-crystal display unit electrically connected thereby
JPS6463929A (en) * 1987-09-04 1989-03-09 Toshiba Corp Matrix array substrate
JP2596960B2 (ja) * 1988-03-07 1997-04-02 シャープ株式会社 接続構造
JPH02231737A (ja) * 1989-03-03 1990-09-13 Sharp Corp 電極の接続方法
US5162933A (en) * 1990-05-16 1992-11-10 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Active matrix structure for liquid crystal display elements wherein each of the gate/data lines includes at least a molybdenum-base alloy layer containing 0.5 to 10 wt. % of chromium

Also Published As

Publication number Publication date
EP0422906B1 (de) 1994-12-14
US5576869A (en) 1996-11-19
EP0422906A1 (de) 1991-04-17
JPH03125443A (ja) 1991-05-28
US5500787A (en) 1996-03-19
DE69015100D1 (de) 1995-01-26

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