DE3785720T2 - Verfahren zum herstellen eines filmtraegers. - Google Patents

Verfahren zum herstellen eines filmtraegers.

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Filmträgers zum gleichzeitigen Verbinden externer Zuleitungen mit den Elektroden von elektronischen Teilen, z.B. Halbleiterbauelementen.
  • In neuester Zeit gibt es die Herstellung von integrierten Halbleiter-Schaltkreisen mit steigender Integrationsdichte, als ein Ergebnis des Fortschritts, der durch das Verbessern der Herstellungstechnik gemacht wurde. Das hat integrierte Schaltkreise ermöglicht, von denen nun jeder mehr als 100 Anschlüsse besitzt. Der Fortschritt in der Herstellung wurde, was nicht überrascht, von der Forderung nach der Entwicklung einer sehr effizienten Technik zum Bonden der Anschlüsse von diesen hochintegrierten Schaltkreisen zu einer Platine, begleitet. Der sogenannte Filmträger, welcher dabei helfen kann, die zahlreichen Anschlüsse eines integrierten Halbleiter-Schaltkreiselements simultan an eine Platine zu bonden, zieht nun mehr Aufmerksamkeit auf sich.
  • Der Filmträger umfaßt einen Basisfilm, der aus Harz gemacht ist, auf welchem Kupferleiter aufgeformt werden. Während sie auf die Anschlüsse des Halbleiterelements gepreßt werden, werden die Kupferleiter mit den Anschlüssen eines Halbleiterelements verschmolzen. Insbesondere werden Kontakthöcker, die aus einer Laminierung von Titan, Nickel, Palladium und Gold an den Aluminiumanschlüssen des Halbleiterelements ausgeformt, und Zinnschichten werden auf den Kupferleitern abgelagert, die auf dem Basisfilm ausgeformt sind. Sowohl die Kontakthöcker als auch die Zinnschichten werden auf eine hohe Temperatur, die sich im Bereich von 450 bis 500ºC bewegt, erhitzt und die Leiter werden auf die Aluminiumanschlüsse mit einem hohen Druck gepreßt, welcher sich im Bereich von 200 bis 1000 kg/cm² (20 bis 100 g für einen 100 um x 100 um Anschluß), wodurch eine Gold-Zinn-eutektische Legierung ausgeformt wird. Diese eutektische Legierung bondet die Leiter an die Anschlüsse des Halbleiterelements.
  • Unter den verschiedenen bekannten Bondverfahren, die Filmträger verwenden, ist das bandautomatisierte Bondverfahren, welches in der Japanischen Patentveröffentlichung Sho 57-152 147 offenbart ist. Bei diesem Verfahren werden Goldkontakthöcker auf Zinnschichten auf das Kupfer des Filmträgers übertragen und diese Zuleitungen werden mit den Aluminiumanschlüssen eines Halbleiterelements verschmolzen, während sie auf die Anschlüsse gepreßt werden.
  • Die konventionellen Bondverfahren, die einen Filmträger verwenden, haben jedoch Nachteile.
  • Da die Zuleitungen auf eine hohe Temperatur erhitzt werden und auf die Anschlüsse des Halbleiterelements mit einem hohen Druck gepreßt werden, ist es möglich, daß das Halbleiterelement beschädigt wird. Ferner werden, wenn das konventionelle Verfahren verwendet wird, wenn Farbflüssigkeitskristalldisplays (d.h. a-SiTFT-Displays) hergestellt werden, die organischen Farbfilter, die in den Displays verwendet werden, auf eine Temperatur über ihre maximale Arbeitstemperatur von 150ºC erhitzt, während die Zuleitungen des Filmträgers und die Anschlüsse des Halbleiterelements, welches in dem Display verwendet wird, auf die oben erwähnte hohe Temperatur erhitzt und dem hohen Druck ausgesetzt werden. Daraus wird sich konsequenterweise eine Verschlechterung der Farbfilter ergeben.
  • Wenn das Bondverfahren, welches einen Filmträger verwendet, verwendet wird, um die Außenzuleitungen zu bonden, wie z.B. die Treiberleitungsanschlüsse des Flüssigkeitskristallgeräts, werden diese Anschlüsse und die Zuleitungen des Filmträgers mit einer Lötmittellegierung platiert, und die platierte Lötmittellegierung wird geschmolzen. Die platierten Schichten der Lötmittellegierung können von den Anschlüssen und den Zuleitungen abplatzen, oder es können sich Risse entwickeln, wenn sie von der hohen Bondtemperatur auf Raumtemperatur abgekühlt werden, infolge der thermischen Beanspruchung, die aus der Differenz in den jeweiligen thermischen Ausdehnungskoeffizienten der auf einer Glasplatte befestigten Anschlüsse des Flüssigkristallgeräts und der Zuleitungen des Filmträgers, auf dem das Gerät befestigt ist.
  • Um so mehr Anschlüsse das Halbleiterelement besitzt, um so schwieriger ist es, sie gleich groß zu machen. In den meisten Fällen werden einige Anschlüsse größer sein als andere. Folglich wird, wenn die Zuleitungen des Filmträgers auf die Kontakthöcker gepreßt werden, die auf den Anschlüssen des Halbleiterelements ausgeformt werden, der Druck auf die größeren Anschlüsse konzentriert angewendet. Das kann das Halbleiterbauelement beschädigen.
  • Wenn das bandautomatisierte Bonden angewendet wird, muß der Filmträger zum Substrat justiert werden, um die Kontakthöcker auf die Zuleitungen des Filmträgers zu übertragen. Danach muß der Filmträger mit den übertragenen Kontakthöckern zu einem Außenanschluß justiert werden. In anderen Worten sind zwei Justierapparate erforderlich, um das bandautomatisierte Bonden durchzuführen. Da ein Justierapparat sehr teuer ist, ist daher das bandautomatisierte Bondverfahren unökonomisch.
  • Das zum Stand der Technik gehörende Dokument US-A- 3 544 857 beschreibt ein Verfahren zur Produktion eines Filmträgers, das die Schritte zum Ausformen von Leitern aus Kupferfolien auf einem isolierenden Basisfilm und das Ausformen von Schichten eines Bondmetalls mit niedrigem Schmelzpunkt auf den Leitern umfaßt. Die Leiter dieses bekannten Trägers haben eine konstante Höhe.
  • Ferner offenbart das zum Stand der Technik gehörende Dokument GB-A-2 025 129 einen Filmträger zum Herstellen von Verbindungen zu Halbleitergeräten und umfaßt Leiter, die an einen isolierenden Streifen gebondet werden und sich über eine Öffnung bzw. ein Bildfenster erstrekken. Die Leiter besitzen einen Teil mit reduzierter Höhe zwischen einem inneren und einem äußeren Zuleitungsabschnitt. Die reduzierte Höhe wird durch die Verdünnung des Leiters in einem Ätzprozeß erhalten.
  • Das zum Stand der Technik gehörende Dokument US-A- 3 680 198 beschreibt ein Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterchips, das ein Zwischenverbindungsmuster auf einer Seite von ihm besitzt, und das eine gegebene Verflüssigungstemperatur hat, zu einem Substrat, welches ebenso ein Metallmuster darauf besitzt, entsprechend dem Metallmuster auf dem Chip, wobei das Substratmetallmuster einen Schmelzpunkt von wenigstens 10º weniger als dem der Verflüssigungstemperatur des Chipmetallmusters besitzt. Dieses Verfahren umfaßt folgende Schritte: Aufnehmen des Chips von seiner Rückseite mit einem beheizten Aufnahmewerkzeug; Übertragen der Wärme bzw. Hitze von dem Werkzeug zu dem Chipmuster durch die Rückseite, wobei die Wärmemenge nicht ausreicht, um das Metallmuster völlig zu schmelzen; Plazieren des Chips unmittelbar angrenzend an das Substrat, so daß das erhitzte Chipmetallmuster zu dem Substratmetallmuster ausgerichtet ist, was das Schmelzen des Substratmetallmusters verursacht; und Kühlen des Substrats und des Chips mit ihren ausgerichteten Metallmustern, die in Kontakt sind, wobei das Metall wieder erstarrt und eine feste mechanische und metallurgische Verbindung zwischen den zwei Metallmustern ausgeformt wird.
  • Ferner offenbart das zum Stand der Technik gehörende Dokument GB-A-1 371 738 ein Verfahren zum direkten Anwenden einer Lötmittellegierung auf ein schwer lötbares Material, welches eine Oxid- oder oxidierte Oberfläche besitzt. Die andere Legierung besteht hauptsächlich aus Pb, Sn, Cd, Zn, Sb, Bi und wenigstens einem seltenen Erdmetall, Al, Si, Ti und/oder Be.
  • Schließlich offenbart das zum Stand der Technik gehörende Dokument EP-A1-0 103 025 ein Pb-Legierungslötmittel für Halbleitergeräte. Diese Legierung besteht zu 1 bis 65 Gew.-% aus einem oder beiden von Sn und In, wobei der Rest aus Pb und unvermeidbaren Verschmutzungen zusammengesetzt ist, mit weniger als 50 ppb von Radioisotopen als unvermeidbare Verschmutzungen, so daß eine Zählung der Anzahl der radioaktiven Alphateilchen weniger als 0,5 CPH/cm² ergibt, wodurch eine exzellente Bondfestigkeit und Benetzbarkeit bereitgestellt wird.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen eines Filmträgers bereitzustellen, welches dazu dienen kann, elektronische Teile mit einem Schaltkreis zu verbinden, wobei ein niedriger Druck und eine niedrige Temperatur verwendet werden, ohne bei den elektronischen Teilen, wie z.B. bei Halbleiterelementen, Schaden zu verursachen.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 gelöst.
  • Diese Erfindung kann mit der folgenden ausführlichen Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Figuren vollständiger verstanden werden, in welchen:
  • Fig. 1A und 1B sind eine Draufsicht und eine Schnittansicht eines Beispiels eines Filmträgers;
  • Fig. 2A und 2B sind vergrößerte Ansichten, die zwei Bereiche eines Filmträgers und eines Halbleiterelements zeigen, die einem Bondverfahren ausgesetzt sind;
  • Fig. 3A und 3B sind eine Draufsicht und eine Schnittansicht dieses Teils eines Filmträgers, welcher zum Bonden der Außenzuleitungen abgeschnitten worden sind;
  • Fig. 4A und 4B sind eine Draufsicht und eine Schnittansicht einer gedruckten Platine mit dem Teil des Filmträgers, der an die Platine gebondet ist;
  • Fig. 5A bis 5D sind Ansichten von anderen Beispielen von einem Filmträger; und
  • Fig. 6A und 6B sind eine Draufsicht und eine Schnittansicht eines Leiters des Filmträgers, der mit dem Verfahren entsprechend dieser Erfindung ausgeformt wurde.
  • Ein Filmträger umfaßt einen Basisfilm, Leiter, welche auf dem Basisfilm ausgeformt sind, und Schichten eines Bondmetalls mit einem niedrigen Schmelzpunkt, welche auf den Leitern ausgeformt sind. Der Filmträger ist auf einem elektronischen Teil befestigt, wobei die Metallschichten mit den Anschlüssen des elektronischen Teils in Kontakt sind. Die Metallschichten werden auf eine relativ niedrige Temperatur erhitzt und so halb geschmolzen und dann auf die Anschlüsse des elektronischen Teils gepreßt. Daher können die zahlreichen Anschlüsse simultan gebondet werden. Daher genügt nur ein Justierungsapparat, um die Anschlüsse des elektronischen Teils zu bonden.
  • Der Basisfilm besitzt vorzugsweise eine Dicke von 50 bis 150 um, insbesondere 100 bis 130 um im Hinblick auf die erforderliche mechanische Festigkeit des Basisfilms (d.h. die Beständigkeit gegen Verdrehen und Biegen). Auf dem Basisfilm werden Innenzuleitungsabschnitte und Außenzuleitungsabschnitte in vorbestimmten Intervallen aufgebracht. Diese Zuleitungsabschnitte werden auf die folgende Art ausgeformt. Leiter (üblicherweise Kupferfolien) werden an den Basisfilm mittels eines Klebers gebondet. Schichten eines Bondmetalls mit niedrigem Schmelzpunkt werden gebondet, während sie auf die Leiter gepreßt werden. Die Metallschichten sind üblicherweise Folien, die eine Dicke von 50 bis 150 um besitzen. Die Metallschichten werden geätzt und dann werden die Leiter geätzt, wobei die Innenzuleitungsabschnitte und die Außenzuleitungsabschnitte ausgeformt werden. Als ein Ergebnis ist der Filmträger hergestellt.
  • Das Metall mit niedrigem Schmelzpunkt kann irgendeine Legierung sein, vorzugsweise eine klebende Legierung mit niedrigem Schmelzpunkt, die durch Thermokompression gebondet werden kann. Es ist trivial, daß es um so besser ist, je niedriger der Schmelzpunkt ist. Die klebende Legierung mit niedrigem Schmelzpunkt ist eine Kombination aus einer Lötmittellegierung mit einem niedrigen Schmelzpunkt und einem Element, welches das Bonden an der Grenzfläche zwischen den Legierungsschichten und den Anschlüssen des Halbleiterelements unterstützt. Die Lötmittellegierung ist ein Lötmittel, wie z.B. Pb-Sn-Legierung oder Sn-Zn-Legierung, welche aus zwei weiteren Metallen gemacht ist, die aus der Gruppe ausgewählt werden, die aus Pb, Sn, Zn, Cd und Bi besteht, und enthält In oder einen weiteren Anteil von Bi oder Cd, insbesondere In, welches den Schmelzpunkt des Lötmittels erniedrigt. Sb kann als das Element verwendet werden, das das Bonden an der Grenzfläche zwischen den Legierungsschichten und den Anschlüssen des Halbleiterelements oder der Anschlüsse eines Leiters unterstützt. Ein Element, wie z.B. Zn, Al, Ti, Si, Cr, Be oder ein seltenes Erdmetall, welches eine Affinität zu Sauerstoff besitzt, kann zu Sb hinzugefügt werden, wodurch das Bonden weiter unterstützt wird. Das Element, welches das Bonden unterstützt, kann andere Fremdatome enthalten, insoweit diese Fremdatome die Bondfähigkeit der Legierungsschichten nicht in großem Umfang reduzieren.
  • Die klebende Legierung mit niedrigem Schmelzpunkt kann auch sehr fest auf Glas gebondet werden, wenn eine Ultraschallkraft an sie gelegt wird, während sie im geschmolzenen Zustand ist. Darüber hinaus kann sie durch Thermokompression in einem halb geschmolzenen Stadium sehr fest an Glas oder andere Oxide und ein Metall, wie z.B. Mo, Cr oder Ta, welche mit einem Pb-Sn-Lötmittel kaum benetzt werden können, gebondet werden. Daher kann sie leicht an Metalloxide, die als transparente Elektrodenmaterialien, wie z.B. SnO&sub2;, In&sub2;O&sub3; und ITO (Indium- Zinn-Oxid) bekannt sind, gebondet werden. Der Bondmechanismus dieser Legierung kann durch das chemische Bonden von (Legierung)-(Additiv)-O-(Oxid) geprüft werden.
  • Im allgemeinen sind die Anschlüsse von Halbleiterelementen aus Aluminium gemacht. Die Oberflächen dieser Aluminiumanschlüsse unterliegen einer natürlichen Oxidation, wodurch Al&sub2;O&sub3;-Schichten ausgeformt werden, welche die herausragende Ursache für ein nicht ausreichendes Bonden zwischen den Anschlüssen und den Leitern darstellen. Dennoch kann der Filmträger die Anschlüsse an die Leiter bonden, da die Metallschichten, welche auf den Leitern ausgeformt werden, eine starke Affinität mit Sauerstoff besitzen, auch wenn die Oberflächenregionen der Anschlüsse aus Al&sub2;O&sub3; gemacht sind. Daher können die Aluminiumanschlüsse, wenn der Filmträger verwendet wird, an die Leiterplatte, ohne eine Oberflächenbehandlung (d.h. Ablagerungen auf einem Bondmetall) gebondet werden. Der Filmträger kann deshalb die Fertigung von Apparaten, die integrierte Schaltkreise besitzen, erleichtern.
  • Durch das Verwenden von Pb, Sn, Zn und Sn in einer geeigneten Kombination kann das Bondmetall einen Erweichungspunkt von ungefähr 165ºC und einen Schmelzpunkt von 195ºC besitzen. Die plastische Deformation der Bondlegierung in einem halb geschmolzenen Stadium wird dazu verwendet, die Anschlüsse eines Halbleiterelements auf die Leiter des Filmträgers zu bonden. Wenn dieses Metall über seinen Schmelzpunkt erhitzt wird, wird es fließen, wobei eventuell die klebenden Anschlüsse des Halbleiterelements kurzgeschlossen werden. Daher muß eine strenge Temperaturüberwachung beim Bonden der Anschlüsse an die Leiter des Filmträgers durchgeführt werden.
  • Das Bondmetall ist während des Anschluß-zu-Leiterbondens in einem halb geschmolzenen Zustand. Es kann mit einem niedrigen Druck plastisch deformiert werden. Da kein hoher Druck für das Bonden erforderlich ist, gibt es keine Möglichkeit zum Beschädigen des Halbleiterelements. Da das Bondmetall bei einer relativ niedrigen Temperatur halb geschmolzen werden kann, existiert zusätzlich eine nur kleine Differenz in der Temperatur, wenn sie auf Raumtemperatur gekühlt wird, und die Metallschichten haben nach dem Anschluß-zu-Leiterbonden keine Sprünge. Daher ist der Filmträger zum Gebrauch des Bondens eines Halbleiter-IC-Treibergeräts an ein Flüssigkristalldisplay geeignet, welches organische Farbfilter besitzt. Wenn dieses IC-Treibergerät auf eine transparente Platine gebondet wird, muß es transparente Anschlüsse besitzen, welche aus SnO&sub2;, In&sub2;O&sub3; oder ITO gemacht sind.
  • Da das Bondmetall in einem halb geschmolzenen Zustand ist, wenn die Leiter des Filmträgers auf die Anschlüsse des Halbleiterelements gepreßt werden, können ferner die Anschlüsse mit den Leitern verbunden werden, auch wenn die Anschlüsse verschiedene Höhen besitzen, und wenn die Zwischenräume zwischen den Anschlüssen auf der einen Seite und den Leitern auf der anderen Seite nicht gleich groß sind.
  • Fig. 1A ist eine Draufsicht eines Beispiels eines Filmträgers. Wie in dieser Figur gezeigt, umfaßt ein Filmträger 2 einen Basisfilm 21, der aus einem Polyamidharzband gemacht ist, und einen Innenzuleitungsabschnitt 122, der auf dem Basisfilm 21 ausgeformt ist, und einen Außenzuleitungsabschnitt 123, der ebenso auf dem Basisfilm 21 ausgeformt ist. Perforationslöcher 24 sind in beiden longitudinalen Rändern des Basisfilms 21 geschnitten. Die Abschnitte 122 und 123 müssen mit dem Halbleiterelement und mit den Außenanschlüssen der elektronischen Komponente verbunden werden. In Fig. 1A stellt ein Quadrat 132 die Region dar, wo das Halbleiterelement plaziert wird, und Quadrat 131 zeigt den Anteil des Filmträgers 2, welcher abgeschnitten wird, um das Außenzuleitungsbonden durchzuführen. Das Polyamidharz kann intakt bleiben, wenn bis auf eine Temperatur von ungefähr 160ºC erhitzt wird.
  • Fig. 1B ist eine Schnittansicht, die entlang der Linie X-X in Fig. 1A genommen wurde. Eine quadratische Schicht 125 aus Polyamidharz, die eine Dicke von 35 um besitzt, wird auf den Basisfilm 21 aufgeklebt, und so der Innenzuleitungsabschnitt 122 ausgeformt, welcher vom Basisfilm 21 vorsteht. Der Innenzuleitungsabschnitt 122 kann durch Pressen und Deformieren des Basisfilms 21 ausgeformt werden. Leiter 124 (d.h. Kupferstreifen), die sich parallel erstrecken, werden zur Schicht 125 mit Hilfe einer klebenden Schicht 26 verbunden. Bondmetallschichten 127, welche aus einem Metall mit einem niedrigen Schmelzpunkt gemacht sind, werden auf die Leiter 124 mittels Thermokompression gebondet.
  • Die Leiter 124 und die Bondmetallschichten 127 werden durch das Kleben einer Folie des Bondmetalls auf eine Folie aus Kupfer ausgeformt, und dann wird eine Photogravur der Bondmetallfolie durchgeführt, wobei Streifen ausgeformt werden, und schließlich wird eine Photogravur der oberen Folie durchgeführt, wodurch die Leiter 124 ausgeformt werden.
  • Das Bondmetall ist eine klebende Legierung mit niedrigem Schmelzpunkt, welche zu 20 Gew.-% aus Pb, zu 66 Gew.-% aus Sn, zu 10 Gew.-% aus In, zu 2 Gew.-% aus Sb und zu 2 Gew.-% aus Zn besteht. Diese Legierung hat einen Erweichungspunkt von 134ºC und einen Schmelzpunkt von 160ºC. Daher werden die Leiter an die Anschlüsse des Halbleiterelements bei 150ºC gebondet.
  • Die klebenden Legierungsschichten 127 können sehr einfach durch das Ätzen der Folie der oben erwähnten Legierung mit Salzsäure ausgeformt werden. Um die Kupferleiter zu schützen, wird eine Folie eines reaktionsträgen Metalls, wie z.B. Cr, Mo oder Ti zwischen die Kupferfolie und die Klebelegierungsfolie gelegt. Cr, Mo und Ti kann die Kupferfolie und die Bondlegierungsfolie sehr gut bonden.
  • Um zu verhindern, daß die Kupferleiter 124, welche durch das Ätzen ausgewählter Teile der Kupferfolie hergestellt werden, oxidiert werden, können die Leiter 124 mit Sn- oder Au-Schichten platiert werden, die eine Dicke von 0,05 bis 2 um besitzen. Da Sn oder Au thermisch in die Bondmetallschichten 127 diffundiert werden, wenn die Leiter 124 auf die Anschlüsse des Halbleiterelements gepreßt werden, beeinflussen weder Sn noch Au-Schichten die elektrische Verbindung der Leiter 124 zu den Anschlüssen des Halbleiterelements nachteilig.
  • Es müssen keine Metallschichten auf den Schichten 127 ausgeformt werden, um die Oxidation der Bondmetallschichten 127 zu verhindern, wenn die Oxidschichten unmittelbar vor dem Zeitpunkt von den Schichten 127 entfernt werden, zu dem die Kupferleiter 124 an die Anschlüsse des Halbleiterelements gebondet werden. Um die Oxidschichten von den Metallschichten 127 zu entfernen, reicht es aus, die Schichten 127 mit verdünnter Salzsäure zu ätzen, wobei der Filmträger 2 mit reinem Wasser gespült, und der Filmträger 2 mittels eines N&sub2;-Luftstroms getrocknet wird.
  • Nun wird erklärt, wie der Innenzuleitungsabschnitt 122 an die Anschlüsse des Halbleiterelements gebondet wird. Wie in Fig. 1B gezeigt, wird eine Vielzahl von Aluminiumanschlüssen 42 auf einer Oxidschicht 41 ausgeformt, welche seinerseits auf Substrat 44 eines Halbleiterelements 40 ausgeformt wird. Ein Funktionsschaltkreis 43 wird an der Oberfläche des Substrats 44 ausgeformt und mit der Oxidschicht 41 bedeckt. Die Aluminiumanschlüsse 42 werden elektrisch mit diesem Funktionsschaltkreis 43 verbunden. Um die Bondmetallschichten 127 des Filmträgers 2 je an die Anschlüsse 42 des Halbleiterelements 40 zu bonden, werden die Schichten 127 zu den Anschlüssen 42 justiert. Dann wird ein Werkzeug 32 in Richtung von Pfeil 4 abwärts bewegt, wobei der Filmträger 2 auf das Halbleiterelement 40 mit einem Druck von 1 bis 10 g für jeden 100 um x 100 um Anschluß 42 gepreßt wird, während Bondmetallschichten 172 auf 150ºC erhitzt werden, wie dies in Fig. 2A veranschaulicht ist.
  • Wie in Fig. 2A gezeigt, wird das Halbleiterelement 40 auf einer Einspannvorrichtung 130 gehalten. Diese Einspannvorrichtung 130 wird auf 100 bis 120ºC erhitzt. Die Wärme bzw. Hitze wird von der Einspanneinrichtung 130 zu den Bondmetallschichten 127 durch das Substrat 44 und die Anschlüsse 42 übertragen, wodurch die Bondmetallschichten 127 erhitzt werden. Daher steigt die Temperatur der Schichten 127 innerhalb weniger Sekunden auf 145 bis 155ºC, wenn der Heizer (nicht gezeigt), welcher im Werkzeug 32 bereitgestellt ist, eingeschaltet wird. Wenn die Bondmetallschichten auf 145 bis 155ºC erhitzt sind, wird der Heizer ausgeschaltet. Dann werden die Schichten 127 auf eine Temperatur unter dem Erweichungspunkt (134ºC) der Bondlegierung abgekühlt, während die erhaltenen Schichten 127 auf die Anschlüsse 42 mit einem Druck von 10 bis 100 kg/cm² gepreßt werden. Im Anschluß daran wird das Werkzeug 32 vom Filmträger 2 abgehoben. In dem Fall, in dem Au- oder Sn-Schichten auf den Bondmetallschichten 127 platiert sind, werden diese platierten Schichten in die Schichten 127 diffundiert, während die Schichten 127 an die Anschlüsse 42 des Halbleiterelements gebondet werden.
  • Wie in Fig. 2B veranschaulicht, wird dieser Anteil von jeder Bondmetallschicht 127 plastisch deformiert, welcher zwischen dem Anschluß 42 und diesem Anteil des Kupferleiters 127, der unterhalb der Schicht 125 gelegen ist, gelegt wurde. Die Leiter 124 können auf diese Weise an die Anschlüsse 42 einer relativ niedrigen Temperatur und unter einem relativ niedrigen Druck gebondet werden.
  • Um den Filmträger auch beim Außenbonden verwenden zu können, wird jeder Teil des Filmträgers, an den ein Halbleiterelement innengebondet worden ist, abgeschnitten. Dann wird, falls erforderlich, der Außenzuleitungsabschnitt dieses Trägerteils getrimmt, und die Anschlüsse des Halbleiterelements werden auch getrimmt; das ist der Fall, wenn die sog. "Anschlußausformung" ausgeführt wird.
  • Fig. 3A ist eine Draufsicht eines Teils des Filmträgers, wobei ein Halbleiterelement darauf gebondet ist. Fig. 3B ist eine Schnittansicht, die entlang der Linie Y-Y in Fig. 3A genommen ist.
  • Das Außenzuleitungsbonden wird in den gleichen Schritten wie das Innenzuleitungsbonden durchgeführt. Wie in Fig. 4A gezeigt, werden die Leiter 31 auf gedruckten Platinen 3 ausgeformt. Die Leiter 124, die auf dem Außenzuleitungsabschnitt 123 des Filmträgers ausgeformt sind, werden zu diesen Leitern 31 justiert, und dann mit Hilfe der Thermokompression an die Leiter 31 gebondet. Fig 4B ist eine Schnittansicht, die entlang der Linie Z-Z in Fig. 4A genommen ist. Wie diese Figur deutlich zeigt, wird das Halbleiterelement 40 in einer Vertiefung 32 bereitgestellt, welche in die bedruckte Platine 3 geschnitten ist.
  • Um die Verbindung zwischen den Anschlüssen des Halbleiterelements 40 und den Leitern 124 des Filmträgers 2 zu verhindern, und ferner die Dauerfestigkeit des Filmträgers zu steigern, kann der Filmträger 2 mit einem Überzug oder einem Film aus z.B. Polyester, mit Ausnahme des Innenzuleitungsbereichs 122 und des Außenleitungsbereichs 123, bedeckt werden. Es reicht aus, wenn dieser Überzug oder Film eine Dicke von 20 bis 50 um besitzt.
  • Die Leiter, die auf dem Basisfilm 21 ausgeformt werden, können aus dem Bondmetall mit niedrigem Schmelzpunkt gemacht werden. Wenn dies der Fall ist, werden die Bondmetallschichten direkt auf dem Basisfilm 21 ausgeformt.
  • Fig. 5A ist eine Draufsicht eines anderen Filmträgers. Wie in dieser Figur gezeigt, umfaßt der Filmträger 302 einen Basisfilm 321, der aus Polyimidharzband gemacht ist, und einen Innenzuleitungsabschnitt 322, der innerhalb des Basisfilms 321 geschnitten ist, und einen Außenzuleitungsabschnitt 323, der auch innerhalb des Basisfilms 321 geschnitten ist. Perforationslöcher 320 werden in beide löngitudinale Ränder des Basisfilms 321 geschnitten. Der Innenzuleitungsabschnitt 320 ist zu dem Halbleiterelement zu verbinden. Der Außenzuleitungsabschnitt 323 ist zu den externen Anschlüssen des Treiberschaltkreises in den Flüssigkeitskristallgerät zu verbinden. In Fig. 5A repräsentiert ein Quadrat 332 die Region, wo das Halbleiterelement plaziert wird, und ein Sechseck 331 zeigt den Bereich des Filmträgers 302, der abgeschnitten wird, um das Außenzuleitungsbonden durchzuführen.
  • Fig. 5B ist eine Schnittansicht, die entlang der Linie W-W in Fig. 5A genommen worden ist. Leiter 324 (d.h. Kupferstreifen) werden mit dem Basisfilm 321 durch eine klebende Schicht 326 verbunden. Bondmetallschichten 327, die aus einem Metall mit niedrigem Schmelzpunkt gemacht sind, werden an die Leiter 324 mittels Thermokompression gebondet.
  • Die Leiter 324 und die Bondmetallschichten 327 werden ausgeformt, wobei eine Folie des Bondmetalls auf eine Folie aus Kupfer geklebt wird, und dann die Bondmetallfolie photograviert wird und auf diese Weise Streifen ausgeformt werden, und schließlich Photogravieren der oberen Folie, wobei die Leiter 324 ausgeformt werden.
  • Das Bondmetall dieses Beispiels war das gleiche wie im ersten Beispiel.
  • Es wird nun erklärt, wie der Innenzuleitungsabschnitt 322 an die Anschlüsse des Halbleiterelements gebondet wird. Wie in Fig. 5B gezeigt, wird eine Vielzahl von Aluminiumanschlüssen 342 auf einer Oxidschicht 341 ausgeformt, welche ihrerseits auf einem Substrat 344 eines Halbleiterelements 340 ausgeformt wird. Ein Funktionsschaltkreis 343 wird in der Oberfläche des Substrats 344 ausgeformt und mit einer Oxidschicht 341 bedeckt. Die Aluminiumanschlüsse 342 werden mit diesem Funktionsschaltkreis 343 elektrisch verbunden. Um die Bondmetallschichten 327 des Filmträgers 302 an die Anschlüsse 342 des Halbleiterelements 340 zu bonden, werden die Schichten 327 zu je den Anschlüssen 342 justiert. Dann wird das Werkzeug 332 in die Richtung des Pfeils 304 abwärts bewegt, wodurch der Filmträger 302 auf ein Halbleiterelement 340 mit einem Druck von 1 bis 10 g für jeden 100 um x 100 um Anschluß 342 gepreßt wird, während die Bondmetallschichten 327 auf 150ºC erhitzt werden.
  • Um den Filmträger für das Außenbonden zu verwenden, wird jeder Teil des Filmträgers abgeschnitten, an den ein Halbleiterbauelement innengebondet worden ist. Dann wird, falls notwendig, der Außenzuleitungsabschnitt dieses Trägerteils getrimmt, und ferner werden die Anschlüsse des Halbleiterelements getrimmt; das ist der Fall, wenn die sog. "Zuleitungsausformung" ausgeführt wird.
  • Fig. 5C ist eine Draufsicht eines Teils des Filmträgers, an den ein Halbleiterelement gebondet ist.
  • Das Außenzuleitungsbonden wird in den gleichen Schritten wie das Innenzuleitungsbonden durchgeführt. Wie in Fig. 5D gezeigt, werden die Leiter 324 zu den Leitern 352 verbunden, welche auf einem Flüssigkristalldisplaygerät 353 angeordnet sind, welches einen Displayteil 355 besitzt. Die Leiter 324, welche auf dem Außenzuleitungsabschnitt 322 des Filmträgers 302 ausgeformt werden, werden zu diesen Leitern 352 justiert und dann an die Leiter 352 mittels Thermokompression gebondet.
  • Ein Eingangsanschluß des Halbleitergeräts 329 ist an eine Verdrahtung 356 auf einer Glasepoxyplatine 354 gebondet.
  • Die Form der Leiter auf dem Filmträger, die entsprechend der vorliegenden Erfindung ausgeformt werden, wird beschrieben. Fig. 6A ist eine Draufsicht von Leitern 200, welche aus Kupferfolien gemacht sind. Wie in dieser Figur gezeigt, besteht der Leiter 200 aus Teilen A, B und C. Teil A wird z.B. an einen IC-Chip gebondet. Teil B verbindet Teil A zu Teil C. Fig. 6B ist eine Schnittansicht des Leiters 200. Wie in Fig. 6B deutlich zu sehen ist, gilt hB < hC &le; hA, wobei hA, hB und hC die Höhen der Teile A, B bzw. C sind.
  • Um die Höhe hB des Teils B, wie in Fig. 6B gezeigt, geringer zu machen als hA und hC, wobei Teil B eines Streifens eine einheitliche Weite (WA = WB = WC) besitzt, wird Teil B, wie in Fig. 6A gezeigt, gepreßt. In diesem Fall wird Teil B breiter als die Teile A und C werden, nachdem er gepreßt worden ist.
  • Wie oben beschrieben, werden die Leiter des Filmträgers an die Anschlüsse des Halbleiterelements in der Atmosphäre gebondet. Anstelle dessen kann das Bonden auch in einer reaktionsträgen Gasatmosphäre durchgeführt werden. Falls das Bonden in einer reaktionsträgen Gasatmosphäre ausgeführt wird, sind die feinen und dünnen Leiter des Filmträgers und die feinen und dünnen Anschlüsse des Halbleiterelements gegen Oxidation geschützt.

Claims (8)

1. Verfahren zum Herstellen eines Filmträgers, der einen Innenzuleitungsabschnitt und einen Außenzuleitungsabschnitt besitzt, welches die folgenden Schritte umfaßt:
Bonden von Kupferfolien an einen Basisfilm mittels eines Klebstoffs;
Ausformen einer Vielzahl von Leitern (200) von den Kupferfolien, wobei jeder der Leiter einen ersten Teil (A) auf der Seite des Innenzuleitungsabschnitts, einen zweiten Teil (B) und einen dritten Teil (C) auf der Seite des Außenzuleitungsabschnitts besitzt, wobei der erste Teil (A) dafür vorgesehen ist, an die Anschlüsse eines IC-chips gebondet zu werden und der zweite Teil (B) den ersten Teil 20 Teil (A) mit dem dritten Teil (C) verbindet, wobei alle Teile von Anfang an eine einheitliche Weite besitzen;
Pressen des zweiten Teils (B), um seine Höhe so zu verringern, daß die folgenden Beziehungen festgesetzt werden:
hB< hC< hA, wA< wB, wC< wB,
wobei hA die Höhe des ersten Teils (A), ist, hB die Höhe des zweiten Teils (B) ist, hC die Höhe des dritten Teils (C) ist, wA die Endweite des ersten Teils (A) ist, wB die Endweite des zweiten Teils (B) ist, und wc die Endweite des dritten Teils (C) ist, und
Ausformen einer Vielzahl von Schichten (127) eines Bondmetalls mit niedrigem Schmelzpunkt auf den Leitern.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Bondmetall eine klebende Legierung mit einem niedrigen Schmelzpunkt ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die klebende Legierung eine Lötmittellegierung mit einem niedrigen Schmelzpunkt und ein Element umfaßt, welches das Bonden an der Grenzfläche zwischen den Legierungsschichten und den Anschlüssen des IC-Chips unterstützt.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die klebende Legierung zusätzlich ein Element umfaßt, welches eine hervortretende Affinität zu Sauerstoff besitzt.
5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Lötmittellegierung In und zwei Elemente umfaßt, ausgewählt aus der Gruppe, die aus Pb, Sn, Zn, Cd und Bi besteht.
6. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß dieses Element, welches das Bonden an der Grenzfläche unterstützt, Sb ist.
7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichent, daß dieses Element, welches eine hervortretende Affinität zu Sauerstoff besitzt, aus einem oder zwei Elementen besteht, ausgewählt aus der Gruppe, die aus Zn, Al, Ti, Si, Cr Be und einem seltenen Erdmetall besteht.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß Polyimid als Material für den Basisfilm verwendet wird, und daß eine quadratische Schicht (125) zwischen den Leitern und dem Basisfilm am Innenzuleitungsabschnitt so ausgeformt wird, daß der Innenzuleitungsabschnitt vom Basisfilm vorsteht.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5170931A (en) * 1987-03-11 1992-12-15 International Business Machines Corporation Method and apparatus for mounting a flexible film semiconductor chip carrier on a circuitized substrate
JPS642330A (en) * 1987-06-25 1989-01-06 Nippon Mining Co Ltd Film carrier and manufacture thereof
US4888665A (en) * 1988-02-19 1989-12-19 Microelectronics And Computer Technology Corporation Customizable circuitry
US5081561A (en) * 1988-02-19 1992-01-14 Microelectronics And Computer Technology Corporation Customizable circuitry
US4959278A (en) * 1988-06-16 1990-09-25 Nippon Mining Co., Ltd. Tin whisker-free tin or tin alloy plated article and coating technique thereof
DE3824865A1 (de) * 1988-07-21 1990-01-25 Productech Gmbh Herstellen von loetflaechen
DE3829538A1 (de) * 1988-08-31 1990-03-08 Siemens Ag Verfahren zum verbinden eines halbleiterchips mit einem substrat
JPH0266480A (ja) * 1988-08-31 1990-03-06 Murata Mfg Co Ltd センサ素子の組立て実装方法
JPH0267731A (ja) * 1988-09-02 1990-03-07 Toshiba Corp はんだバンプ形半導体装置とその製造方法
CA2012338A1 (en) * 1989-03-17 1990-09-17 Masaru Kamimura Chip carrier
US4979664A (en) * 1989-11-15 1990-12-25 At&T Bell Laboratories Method for manufacturing a soldered article
JP2891432B2 (ja) * 1989-12-27 1999-05-17 田中電子工業株式会社 半導体材料の接続方法，それに用いる接続材料及び半導体装置
US5010757A (en) * 1990-01-29 1991-04-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of forming dimples in a conductive substrate
JP3280394B2 (ja) * 1990-04-05 2002-05-13 ロックヒード マーティン コーポレーション 電子装置
US5355102A (en) * 1990-04-05 1994-10-11 General Electric Company HDI impedance matched microwave circuit assembly
JPH07123133B2 (ja) * 1990-08-13 1995-12-25 株式会社東芝 フィルムキャリア構造
JP2940269B2 (ja) * 1990-12-26 1999-08-25 日本電気株式会社 集積回路素子の接続方法
JPH06310839A (ja) * 1993-04-27 1994-11-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd フレキシブル印刷回路板への電子部品の実装方法
DE4316175A1 (de) * 1993-05-14 1994-11-17 Daimler Benz Ag Lötverbindung und Lötverfahren
US5596171A (en) * 1993-05-21 1997-01-21 Harris; James M. Package for a high frequency semiconductor device and methods for fabricating and connecting the same to an external circuit
US5530376A (en) * 1993-08-25 1996-06-25 Sunright Limited Reusable carrier for burn-in/testing of non packaged die
US5572140A (en) * 1993-08-25 1996-11-05 Sunright Limited Reusable carrier for burn-in/testing on non packaged die
US5373627A (en) * 1993-11-23 1994-12-20 Grebe; Kurt R. Method of forming multi-chip module with high density interconnections
US5391514A (en) * 1994-04-19 1995-02-21 International Business Machines Corporation Low temperature ternary C4 flip chip bonding method
DE69522390T2 (de) 1994-06-09 2002-02-14 Honda Motor Co Ltd Gegenstand hergestelt durch Verbinden von zwei Bauteilen und Hartlotzusatzmetall
JP2793528B2 (ja) * 1995-09-22 1998-09-03 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ハンダ付け方法、ハンダ付け装置
US6006981A (en) * 1996-11-19 1999-12-28 Texas Instruments Incorporated Wirefilm bonding for electronic component interconnection
KR100244580B1 (ko) * 1997-06-24 2000-02-15 윤종용 금속 범프를 갖는 회로 기판의 제조 방법 및 그를 이용한 반도체 칩 패키지의 제조 방법
EP1109214A1 (de) * 1999-12-16 2001-06-20 Infineon Technologies AG Anordnung und Verfahren zur Kontaktierung von Schaltkreisen
DE60109339T2 (de) * 2000-03-24 2006-01-12 Texas Instruments Incorporated, Dallas Verfahren zum Drahtbonden
US6429042B1 (en) * 2000-04-04 2002-08-06 General Electric Company Method of reducing shear stresses on IC chips and structure formed thereby
US6580165B1 (en) * 2000-11-16 2003-06-17 Fairchild Semiconductor Corporation Flip chip with solder pre-plated leadframe including locating holes
US6445069B1 (en) 2001-01-22 2002-09-03 Flip Chip Technologies, L.L.C. Electroless Ni/Pd/Au metallization structure for copper interconnect substrate and method therefor
DE10125372B4 (de) * 2001-05-23 2007-09-13 Infineon Technologies Ag Mischung zur Verwendung als Antireflexionsschicht, Substrat mit einer Antireflexionsschicht und Verfahren zur Herstellung einer Antireflexionsschicht
JP3898077B2 (ja) * 2001-11-13 2007-03-28 株式会社フジクラ フレキシブルプリント配線板の製造方法
WO2004084294A1 (en) * 2003-03-18 2004-09-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a semiconductor device, semiconductor device obtained by means of said method, and device for carrying outsuch a method
JP5159273B2 (ja) * 2007-11-28 2013-03-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電子装置の製造方法
JP5732631B2 (ja) 2009-09-18 2015-06-10 ボンドテック株式会社 接合装置および接合方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3031747A (en) * 1957-12-31 1962-05-01 Tung Sol Electric Inc Method of forming ohmic contact to silicon
US3544857A (en) * 1966-08-16 1970-12-01 Signetics Corp Integrated circuit assembly with lead structure and method
US3646670A (en) * 1968-07-19 1972-03-07 Hitachi Chemical Co Ltd Method for connecting conductors
GB1256518A (de) * 1968-11-30 1971-12-08
US3968075A (en) * 1969-02-24 1976-07-06 Doucette Edward I Molding composition and articles molded therefrom
US3744121A (en) * 1970-08-15 1973-07-10 Asahi Glass Co Ltd Process for soldering difficultly solderable metals, such as si, ge, al, ti, zr and ta
US3680198A (en) * 1970-10-07 1972-08-01 Fairchild Camera Instr Co Assembly method for attaching semiconductor devices
US3832769A (en) * 1971-05-26 1974-09-03 Minnesota Mining & Mfg Circuitry and method
GB1339660A (en) * 1971-11-20 1973-12-05 Ferranti Ltd Supports for semiconductor devices
JPS5221980B2 (de) * 1972-02-19 1977-06-14
US3781596A (en) * 1972-07-07 1973-12-25 R Galli Semiconductor chip carriers and strips thereof
US3811186A (en) * 1972-12-11 1974-05-21 Ibm Method of aligning and attaching circuit devices on a substrate
US3986255A (en) * 1974-11-29 1976-10-19 Itek Corporation Process for electrically interconnecting chips with substrates employing gold alloy bumps and magnetic materials therein
DE2554691C2 (de) * 1974-12-10 1982-11-18 Western Electric Co., Inc., 10038 New York, N.Y. Verfahren zum Herstellen elektrischer Leiter auf einem isolierenden Substrat und danach hergestellte Dünnschichtschaltung
JPS5916404B2 (ja) * 1975-09-10 1984-04-16 日本電気株式会社 半導体装置
JPS5295972A (en) * 1976-02-09 1977-08-12 Hitachi Ltd Semiconductor element
US4142662A (en) * 1978-01-27 1979-03-06 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of bonding microelectronic chips
US4209355A (en) * 1978-07-26 1980-06-24 National Semiconductor Corporation Manufacture of bumped composite tape for automatic gang bonding of semiconductor devices
US4332341A (en) * 1979-12-26 1982-06-01 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Fabrication of circuit packages using solid phase solder bonding
FR2492164B1 (fr) * 1980-10-15 1987-01-23 Radiotechnique Compelec Procede de realisation simultanee de liaisons electriques multiples, notamment pour le raccordement electrique d'une micro-plaquette de semiconducteurs
WO1982002457A1 (en) * 1980-12-30 1982-07-22 Finn John B Die attachment exhibiting enhanced quality and reliability
JPS57152147A (en) * 1981-03-16 1982-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Formation of metal projection on metal lead
JPS58151037A (ja) * 1982-03-02 1983-09-08 Mitsubishi Metal Corp 半導体装置用ｐｂ合金ろう材
US4666078A (en) * 1982-04-20 1987-05-19 Seiko Epson Kabushiki Kaisha Electroless plated terminals of display panel
FR2541044A1 (fr) * 1983-02-21 1984-08-17 Ebauchesfabrik Eta Ag Procede de montage d'une plaquette de circuit integre sur un substrat
SU1199502A1 (ru) * 1983-05-20 1985-12-23 Предприятие П/Я А-3759 Способ пайки многослойных печатных плат
US4545610A (en) * 1983-11-25 1985-10-08 International Business Machines Corporation Method for forming elongated solder connections between a semiconductor device and a supporting substrate

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Publication number Publication date
EP0264648A1 (de) 1988-04-27
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KR910002454B1 (ko) 1991-04-22

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