CN107209600A - 触摸面板用导电性层叠体及触摸面板用导电性层叠体的制造方法 - Google Patents

触摸面板用导电性层叠体及触摸面板用导电性层叠体的制造方法 Download PDF

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Abstract

触摸面板用导电性层叠体具备：具有1个面并且具有透光性的基材；位于基材的1个面并且具有透光性的基底层；位于基底层中与接触于基材的面成相反侧的面上的第1氧氮化铜层；位于第1氧氮化铜层中与接触于基底层的面成相反侧的面上的铜层；以及位于铜层中与接触于第1氧氮化铜层的面成相反侧的面上的第2氧氮化铜层。

Description

触摸面板用导电性层叠体及触摸面板用导电性层叠体的制造 方法
技术领域
本发明涉及用于形成构成触摸面板的触摸传感器用电极的导电性层叠体及触摸面板用导电性层叠体的制造方法。
背景技术
触摸面板所具备的触摸传感器具备多个电极。多个电极的形成材料出于降低各电极的电阻值的目的而使用铜等金属(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-28699号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
然而，以金属为形成材料的电极由于在电极的表面处将光反射，因此虽然相比较于以透明导电性氧化物为形成材料的电极、电阻值更低，但是易于被触摸面板的使用者识别到。因而，对于具备以金属为形成材料的多个电极的触摸面板，要求难以识别到各电极。
本发明的目的在于提供能够难以识别到使用触摸面板用导电性层叠体所形成的电极的触摸面板用导电性层叠体、以及触摸面板用导电性层叠体的制造方法。
用于解决技术问题的手段
用于解决上述技术问题的触摸面板用导电性层叠体具备：具有1个面并且具有透光性的基材；位于所述基材的所述1个面上并且具有透光性的基底层；位于所述基底层中与接触于所述基材的面成相反侧的面上的第1氧氮化铜层；位于所述第1氧氮化铜层中与接触于所述基底层的面成相反侧的面上的铜层；以及位于所述铜层中与接触于所述第1氧氮化铜层的面成相反侧的面上的第2氧氮化铜层。
用于解决上述技术问题的触摸面板用导电性层叠体的制造方法具备以下工序：在基材的至少1个面上形成基底层的工序；在所述基底层中与接触于所述基材的面成相反侧的面上使用溅射法形成第1氧氮化铜层的工序；在所述第1氧氮化铜层中与接触于所述基底层的面成相反侧的面上使用溅射法形成铜层的工序；以及在所述铜层中与接触于所述第1氧氮化铜层的面成相反侧的面上使用溅射法形成第2氧氮化铜层的工序。
根据上述构成，铜层被反射率低于铜层的2个氧氮化铜层夹持。由此，使用触摸面板用导电性层叠体形成的多个电极中，由于可在2个氧氮化铜层中抑制光的反射，因而从与第1面相向的方向难以识别到电极，且隔着基材难以识别到电极。
用于解决上述技术问题的触摸面板用导电性层叠体具备：具有第1面和与所述第1面处于相反侧的第2面的基材；分别位于所述第1面及所述第2面并且具有透光性的基底层；位于所述基底层中与接触于所述基材的面成相反侧的面上的第1氧氮化铜层；位于所述第1氧氮化铜层中与接触于所述基底层的面成相反侧的面上的铜层；以及位于所述铜层中与接触于所述第1氧氮化铜层的面成相反侧的面上的第2氧氮化铜层。
根据上述构成，铜层被反射率低于铜层的2个氧氮化铜层夹持。由此，在使用触摸面板用导电性层叠体形成的多个电极中，由于可在2个氧氮化铜层中抑制光的反射，因此从与第1面相向的方向难以识别到电极、而且从与第2面相向的方向也难以识别到电极。
上述触摸面板用导电性层叠体中，优选：所述基底层含有紫外线固化性多官能丙烯酸酯、紫外线固化性单官能丙烯酸酯、含紫外线固化性丙烯酸基的丙烯酸聚合物、及用于降低所述第2氧氮化铜层中与所述铜层成相反侧的面上的密合性的抗粘连剂，所述基底层将所述基材中形成在接触于所述基底层的面中的多个凹部填埋。
根据上述构成，由于基底层含有抗粘连剂，因此在将触摸面板用导电性层叠体卷绕或重叠时，可抑制第2氧氮化铜层密合在重叠于第2氧氮化铜层上的层上。另外，基底层由于将基材的凹部填埋且在基材上形成为层状，因而基底层中与第1氧氮化铜层接触的面的平坦性提高。进而，触摸面板用导电性层叠体的各层的平坦性提高。
上述触摸面板用导电性层叠体中，优选：所述铜层的厚度为200nm以上且500nm以下，所述第1氧氮化铜层的厚度为30nm以上且50nm以下、且为所述铜层厚度的25％以下的值。
根据上述构成，第1氧氮化铜层的厚度由于为30nm以上且50nm以下，因此第1氧氮化铜层具有足以提高基材与铜层之间的密合性的厚度。而且，由于第1氧氮化铜层的厚度为铜层厚度的25％以下的值，因此可以在保持基材与铜层之间的密合性的同时还抑制触摸面板用导电性层叠体的整体厚度和触摸面板用导电性层叠体中的铜的使用量变得过剩。
上述触摸面板用导电性层叠体中，优选：在所述第2氧氮化铜层中，作为XYZ表色系的三刺激值中的Y值且是形成了所述第2氧氮化铜层时刻的所述Y的值为20％以下。
根据上述构成，第2氧氮化铜层中，XYZ表色系中作为亮度指标的Y值为20％以下。因此，使用触摸面板用导电性层叠体形成的多个电极中，从与第2氧氮化铜层相向的方向难以识别到电极。另外，由于形成了第2氧氮化铜层时的Y值为20％以下，因此Y值难以增大至识别到第2氧氮化铜层的程度。
上述触摸面板用导电性层叠体中，优选：所述第1氧氮化铜层及所述第2氧氮化铜层的至少1方以4原子％以上且19原子％以下的比例含有氧原子。
根据上述构成，第1氧氮化铜层及第2氧氮化铜层中以4原子％以上且19原子％以下的比例含有氧原子的层中，可以提高对光学特性变化的耐久性。
上述触摸面板用导电性层叠体中，优选：所述基底层与所述第1氧氮化铜层的界面处的密合强度为8.0N/15mm以上。
根据上述构成，当对触摸面板用导电性层叠体进行布图时，通过布图所形成的电极的一部分难以从基底层上剥落，进而可以抑制电极中的断线。
上述触摸面板用导电性层叠体中，优选：由所述第1氧氮化铜层、所述铜层及所述第2氧氮化铜层构成的层叠体的表面电阻率为0.13Ω/□以下。
根据上述构成，可以使使用触摸面板用导电性层叠体形成的电极的电阻值成为低到能够无视对触摸传感器的响应速度的影响的程度的电阻值。
上述触摸面板用导电性层叠体中，优选：所述基底层中接触于所述第1氧氮化铜层的面的表面粗糙度Ra为3nm以上且20nm以下。
根据上述构成，由于表面粗糙度Ra为3nm以上，因此由基底层、第1氧氮化铜层、铜层及第2氧氮化铜层构成的层叠体更易于获得抗粘连性。另外，由于表面粗糙度Ra为20nm以下，因此可抑制使用上述层叠体所形成的电极中的光散射增大至被触摸面板的使用者识别到的程度。
发明效果
根据本发明，可以难以识别到使用触摸面板用导电性层叠体所形成的电极。
附图说明
图1为示意地表示将本发明触摸面板用导电性层叠体具体化的一个实施方式中、触摸面板用导电性层叠体之一例的截面构造的截面图。
图2为示意地表示触摸面板用导电性层叠体之一例的截面构造的截面图。
图3为用于说明触摸面板用导电性层叠体的制造方法中形成基底层的工序的工序图。
图4为放大显示基材与基底层的一部分的部分放大截面图。
图5为用于说明触摸面板用导电性层叠体的制造方法中形成下侧氧氮化铜层的工序的工序图。
图6为用于说明触摸面板用导电性层叠体的制造方法中形成铜层的工序的工序图。
图7为用于说明触摸面板用导电性层叠体的作用的作用图。
图8为用于说明触摸面板用导电性层叠体的作用的作用图。
具体实施方式
参照图1～图8，说明触摸面板用导电性层叠体及触摸面板用导电性层叠体的制造方法的一个实施方式。以下按顺序说明触摸面板用导电性层叠体的构成、触摸面板用导电性层叠体的制造方法、触摸面板用导电性层叠体的作用及实施例。
[触摸面板用导电性层叠体的构成]
参照图1及图2说明触摸面板用导电性层叠体的构成。此外，图1所示的触摸面板用导电性层叠体的截面构造是触摸面板用导电性层叠体之一例的截面构造、图2所示的触摸面板用导电性层叠体的截面构造是触摸面板用导电性层叠体的另一例的截面构造。
如图1所示，触摸面板用导电性层叠体10具备基材11、基底层12、下侧氧氮化铜层13、铜层14及上侧氧氮化铜层15。基底层12、下侧氧氮化铜层13、铜层14及上侧氧氮化铜层15构成第1层叠体16。
基材11具有透光性，具备作为1个面的第1面11a，基底层12形成在基材11的第1面11a上。下侧氧氮化铜层13形成在基底层12中与接触于基材11的面成相反侧的面上，铜层14形成在下侧氧氮化铜层13中与接触于基底层12的面成相反侧的面上。上侧氧氮化铜层15形成在铜层14中与接触于下侧氧氮化铜层13的面成相反侧的面上。
即，基底层12位于基材11的第1面11a上，下侧氧氮化铜层13位于基底层12中与接触于基材11的面成相反侧的面上，铜层14位于下侧氧氮化铜层13中与接触于基底层12的面成相反侧的面上。上侧氧氮化铜层15位于铜层14中与接触于下侧氧氮化铜层13的面成相反侧的面上。
基材11优选由具有透光性的树脂形成，基材11的形成材料例如是聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚酰胺及聚酰亚胺等即可。基材11的厚度例如为数十μm～数百μm。
基底层12是对基材11和下侧氧氮化铜层13这两者均具有密合性的层，是可抑制下侧氧氮化铜层13从基材11上剥落的层。基底层12优选是具有透光性且由多个树脂材料所构成的涂液形成的层。基底层12的厚度例如为数μm。
用于形成基底层12的涂液含有紫外线固化性多官能丙烯酸酯、紫外线固化性单官能丙烯酸酯、丙烯酸聚合物及抗粘连剂。换而言之，基底层12含有紫外线固化性多官能丙烯酸酯、紫外线固化性单官能丙烯酸酯、丙烯酸聚合物及抗粘连剂。其中，紫外线固化性多官能丙烯酸酯具有规定基底层12的形状的功能，紫外线固化性单官能丙烯酸酯是对利用紫外线进行的固化反应具有反应性的稀释剂。
丙烯酸聚合物对基材11和下侧氧氮化铜层13具有密合性，丙烯酸聚合物具有紫外线固化性的丙烯酸基和有助于密合性的官能团。抗粘连剂降低上侧氧氮化铜层15中与接触于铜层14的面成相反侧的面上的密合性。抗粘连剂例如优选是由丙烯酸树脂、有机硅树脂及二氧化硅等形成的粒子，粒子的粒径优选是数百nm左右。基底层12的厚度例如为1μm时，粒子的粒径优选为100nm以上且500nm以下。
用于形成基底层12的涂液、进而基底层12由于含有抗粘连剂，因此上侧氧氮化铜层15中与接触于铜层14成相反侧的面具有追随作为抗粘连剂的粒子的形状的凹凸。因此，当将触摸面板用导电性层叠体10卷绕或重叠时，上侧氧氮化铜层15与重叠在上侧氧氮化铜层15上的层即基材11的接触点减少。
结果是可抑制上侧氧氮化铜层15粘贴在重叠于上侧氧氮化铜层15上的基材11上、即可抑制发生粘连，同时可抑制比上侧氧氮化铜层15更软质的基材11的表面被上侧氧氮化铜层15损伤。
基底层12与下侧氧氮化铜层13的界面处的密合强度优选为8.0N/15mm以上。基底层12与下侧氧氮化铜层13的界面处的密合强度是通过基于JIS K 6854-3的方法测定的值。
密合强度为8.0N/15mm以上时，当对触摸面板用导电性层叠体10进行布图时，通过布图所形成的电极的一部分难以从基底层12剥落，进而可以抑制电极的断线。
基底层12中，接触于下侧氧氮化铜层13的面为表面，表面的表面粗糙度Ra优选为3nm以上且20nm以下、更优选为5nm以上且10nm以下。基底层12的表面粗糙度Ra是通过基于JIS B 0601的方法测定的值。
通过基底层12表面的表面粗糙度Ra为3nm以上，与表面粗糙度Ra小于3nm的构成相比，第1层叠体16更易获得抗粘连性。另外，抗粘连性是抑制上侧氧氮化铜层15与重叠于上侧氧氮化铜层15上的基材11之间的粘连的特性。
另外，通过基底层12表面的表面粗糙度Ra为20nm以下，可抑制第1层叠体16的浊度的值增大至由第1层叠体16形成的电极中的光散射被触摸面板的使用者识别到的程度。进而，通过基底层12表面的表面粗糙度Ra为20nm以下，可抑制形成于基底层12表面的下侧氧氮化铜层13上产生针孔或裂痕。
如此，从第1层叠体16具有抗粘连性、且可抑制第1层叠体16中的浊度的值增大的方面来看，优选基底层12表面的表面粗糙度Ra为3nm以上且20nm以下。
此外，在基底层12含有抗粘连剂的构成中，基底层12表面的表面粗糙度Ra可以通过基底层12中的抗粘连剂的分散程度来控制。基底层12中，当抗粘连剂均匀地分散时，基底层12表面的平滑性提高。而在基底层12中抗粘连剂过度地凝集时，则上侧氧氮化铜层15中，重叠于已经凝集的抗粘连剂上的部分作为较其他部分突出的突出部分被识别到。
因而，为了使基底层12表面的表面粗糙度Ra的值处于3nm以上且20nm以下的范围，优选抗粘连剂以不会在上侧氧氮化铜层15上形成具有可识别到的大小的突出部分的程度在基底层12中凝集。
基底层12表面的硬度优选为HB以上、更优选为H以上。其中，基底层12的硬度是基于JIS K 5600-5-4的铅笔法测定的划痕硬度。
基底层12的固化程度越小，则基底层12表面的硬度越低，因而基底层12的表面易产生伤痕。由此，位于基底层12表面的下侧氧氮化铜层13、铜层14及上侧氧氮化铜层15中也容易形成追随于基底层12所具有的伤痕的凹陷等。由下侧氧氮化铜层13、铜层14及上侧氧氮化铜层15的层叠体形成电极时，这种凹陷有时会使电极中发生断线。
另外，基底层12表面的硬度越低，则基底层12根据从外部作用于基底层12的应力而发生变形的程度越大。进而，当基底层12发生变形的程度变得过大时，则形成于基底层12表面的下侧氧氮化铜层13不会追随基底层12的变形，结果有时会在下侧氧氮化铜层13中产生龟裂、或者下侧氧氮化铜层13从基底层12上剥落。
从此方面来看，若基底层12表面的铅笔硬度为HB以上，则可以抑制电极中的断线、下侧氧氮化铜层13中产生的龟裂及下侧氧氮化铜层13的剥落。
下侧氧氮化铜层13是由氧氮化铜(CuNO)形成的层。
这里，氮化铜层在形成初始、即形成后的经过时间很短的期间内，与氧氮化铜层相比，化学不稳定，易于与空气中的氧反应。由此，氮化铜层的组成在形成初始易于发生变化，进而氮化铜层的光学特性也在形成初始易于发生变化。如此，氮化铜层中，形成时的光学特性和经过短时间后的光学特性会大大不同，因此难以达到氮化铜层的光学特性所需的光学特性。
与其相对，氧氮化铜层与氮化铜层相比，仅含有氧即可抑制在形成初始的组成变化及光学特性的变化。
下侧氧氮化铜层13中，基于JIS Z 8722的XYZ表色系的三刺激值中，优选Y值的初始值、即形成了下侧氧氮化铜层13时刻的Y的值为20％以下。其中，三刺激值中的Y值是亮度的指标，Y值越大则表示越明亮。另外，下侧氧氮化铜层13的厚度优选为30nm以上且50nm以下、且为铜层14厚度的25％以下的值。
下侧氧氮化铜层13的厚度由于为30nm以上且50nm以下，因此下侧氧氮化铜层13具有足以提高形成了基底层12的基材11与铜层14之间的密合性的厚度。而且，由于下侧氧氮化铜层13的厚度为铜层14厚度的25％以下的值，因此可在保持基材11与铜层14之间的密合性的同时还可抑制触摸面板用导电性层叠体10的整体厚度和触摸面板用导电性层叠体10中的铜的使用量变得过剩。
下侧氧氮化铜层13优选以4原子％以上且19原子％以下的比例含有氧原子，更优选以4原子％以上且12原子％以下的比例含有氧原子。根据这种下侧氧氮化铜层13，由于以下侧氧氮化铜层13的组成难以变化的程度在下侧氧氮化铜层13中含有氧原子，因而可以提高下侧氧氮化铜层13对光学特性变化的耐久性，即可以提高光学特性的经时稳定性。
在将具有使用触摸面板用导电性层叠体10形成的电极的触摸面板作为显示器表面进行应用时，下侧氧氮化铜层13的光学特性变化表现为显示器表面上的反射色的变化。因此，如果下侧氧氮化铜层13的光学特性的经时稳定性高，则可在多个显示器中抑制包括反射色的色调不均、进而可提高作为具有显示器的工业产品的商品价值。
此外，下侧氧氮化铜层13的光学特性通过规定下侧氧氮化铜层13的光学特征的多个参数来确定，多个参数由上述XYZ表色系的三刺激值中的Y值、Lab表色系中的L*值、a*值及b*值构成。其中，Lab表色系下的L*值是明亮度指数、即明亮度的指标，a*值及b*值分别是色感度指数，即色相及彩度的指标。
下侧氧氮化铜层13中的光学特性的初始值中，Y的初始值如上所述优选为20％以下。另外，L*的初始值优选为55以下。a*的初始值及b*的初始值优选是负的值，更优选a*的初始值及b*的初始值为负的值且绝对值为5以上且20以下。
下侧氧氮化铜层13所含氧原子的比例为4原子％以上且19原子％以下时，下侧氧氮化铜层13的光学特性的初始值包含在上述优选的范围内。
另外，将氯化铁液作为蚀刻剂使用时，下侧氧氮化铜层13所含氧原子的量越少，则下侧氧氮化铜层13的蚀刻速度越低，由此，下侧氧氮化铜层13的蚀刻速度与铜层14的蚀刻速度的差增大。换而言之，下侧氧氮化铜层13所含氧原子的量越大，则下侧氧氮化铜层13的蚀刻速度越高，由此，下侧氧氮化铜层13的蚀刻速度与铜层14的蚀刻速度的差减小。
进而，下侧氧氮化铜层13的蚀刻速度与铜层14的蚀刻速度的差越小，则对下侧氧氮化铜层13和铜层14进行蚀刻以形成电极时，可抑制下侧氧氮化铜层13的线宽与铜层14的线宽产生差异。由此，可抑制电极中发生断线。
因此，在含有下侧氧氮化铜层13和铜层14的层叠体中，从提高利用湿式蚀刻的加工性的方面来看，优选下侧氧氮化铜层13以12原子％以上且42原子％以下的比例含有氧原子、更优选以19原子％以上且42原子％以下的比例含有氧原子。
铜层14是由铜(Cu)形成的层，铜层14的厚度优选为200nm以上且500nm以下。
上侧氧氮化铜层15是由氧氮化铜(CuNO)形成的层。上侧氧氮化铜层15中，优选上述XYZ表色系的三刺激值中Y值的初始值、即形成上侧氧氮化铜层15时刻的Y值为20％以下。另外，上侧氧氮化铜层15中，优选L*的初始值为55以下。a*的初始值及b*的初始值优选是负的值，更优选a*的初始值及b*的初始值为负的值且绝对值为5以上且20以下。另外，上侧氧氮化铜层15的厚度优选为30nm以上且50nm以下。
上侧氧氮化铜层15中，与上述下侧氧氮化铜层13同样，从提高上侧氧氮化铜层15对光学特性变化的耐久性的方面来看，也优选以4原子％以上且19原子％以下的比例含有氧原子、更优选以4原子％以上且12原子％以下的比例含有氧原子。
另外，含有上侧氧氮化铜层15的层叠体中，从提高利用湿式蚀刻的加工性的方面来看，上侧氧氮化铜层15优选以12原子％以上且42原子％以下的比例含有氧原子、更优选以19原子％以上且42原子％以下的比例含有氧原子。
这种触摸面板用导电性层叠体10中，由于铜层14被下侧氧氮化铜层13和上侧氧氮化铜层15夹持，因此与没有2个氧氮化铜层的构成相比，铜层14更难以被氧化。
第1层叠体16中，由下侧氧氮化铜层13、铜层14及上侧氧氮化铜层15构成的层叠体的表面电阻率优选为0.13Ω/□以下。构成触摸面板用导电性层叠体10的层中，下侧氧氮化铜层13及上侧氧氮化铜层15是由电阻值高于铜层14的化合物形成的层。但是，通过氧氮化铜层，可以抑制第1层叠体16中上述层叠体的表面电阻值上升至作为触摸面板所具备的电极所无法允许的程度。
进而，触摸面板用导电性层叠体10即便是具有这种电阻值高的化合物层，只要是第1层叠体16所含的上述层叠体的表面电阻率为0.13Ω/□以下，也可获得以下效果。即，可以使使用触摸面板用导电性层叠体10形成的电极的电阻值为低至能够无视对触摸传感器的响应速度的影响的程度的电阻值。
如图2所示，基材11中与第1面11a成相反侧的面为第2面11b，第2面11b上也可以存在第2层叠体20。第2层叠体20具有相对于基材11的位置不同但在层重叠的方向上与第1层叠体16相同的层构造。即，第2层叠体20由基底层21、下侧氧氮化铜层22、铜层23及上侧氧氮化铜层24构成。
此外，下侧氧氮化铜层13、22为第1氧氮化铜层的一例，上侧氧氮化铜层15、24为第2氧氮化铜层的一例。
[触摸面板用导电性层叠体的制造方法]
参照图3～图6说明触摸面板用导电性层叠体的制造方法。其中，图4中为了方便对基材11的第1面11a的一部分进行说明，放大显示了基材11和基底层12的一部分。另外，在基材11的第2面11b上形成第2层叠体20的工序除了形成层叠体的面不同之外，与在第1面11a上形成第1层叠体16的工序相同。因此，以下对形成第1层叠体16的工序进行说明，省略形成第2层叠体20的工序的说明。
如图3所示，在形成触摸面板用导电性层叠体10时，首先在基材11的第1面11a上形成基底层12。形成基底层12的工序中，使用含有上述多个树脂材料的涂液，在基材11的第1面11a上形成涂膜。进而，通过将涂膜固化，形成基底层12。
如图4所示，基底层12将形成于基材11的第1面11a上的多个凹部11c填埋且在第1面11a上形成为层状。因此，基底层12中的接触于下侧氧氮化铜层13的面的平坦性提高。进而，触摸面板用导电性层叠体10的各层的平坦性提高。
此外，形成于基材11的第1面11a上的凹部11c的深度与上述基底层12的表面粗糙度Ra相比，显著地大。因此，利用基底层12，可以在通过将这种凹部11c填埋而提高平坦性的同时，使基底层12表面的表面粗糙度Ra为上述范围。
如图5所示，在形成下侧氧氮化铜层13的工序中，在基底层12中与接触于基材11的面成相反侧的面上使用溅射法形成下侧氧氮化铜层13。
下侧氧氮化铜层13例如通过使用含有氮气和氧气的环境气体对铜靶进行溅射来形成。供至进行靶的溅射的环境气体的氮气的流量例如为400sccm时，氧气的流量优选为10sccm以上且100sccm以下、更优选为10sccm以上且40sccm以下、进一步优选为20sccm。
如图6所示，在形成铜层14的工序中，在下侧氧氮化铜层13中与接触于基底层12的面成相反侧的面上使用溅射法形成铜层14。
进而，在铜层14中与接触于下侧氧氮化铜层13的面成相反侧的面上使用溅射法形成上侧氧氮化铜层15。由此，制造触摸面板用导电性层叠体10。
其中，上侧氧氮化铜层15与下侧氧氮化铜层13同样，例如也通过使用含有氮气和氧气的环境气体对铜靶进行溅射来形成。供至进行靶的溅射的环境气体的氮气的流量例如为400sccm时，氧气的流量优选为10sccm以上且100sccm以下、更优选为10sccm以上且40sccm以下、进一步优选为20sccm。
触摸面板用导电性层叠体10中，下侧氧氮化铜层13、铜层14及上侧氧氮化铜层15全部使用溅射法形成。因此，可以省略对由下侧氧氮化铜层13和铜层14形成的电极使用镀覆法等湿式处理来形成抑制光反射的层的工序。而且，由于下侧氧氮化铜层13和上侧氧氮化铜层15这两者均使用溅射法形成，因此例如在使用溅射法形成下侧氧氮化铜层13时，与利用镀覆法形成上侧氧氮化铜层的情况相比，可以减小下侧氧氮化铜层13与上侧氧氮化铜层15的色味差异。
另外，与下侧氧氮化铜层13、铜层14及上侧氧氮化铜层15的任一者使用不同的气相法、例如蒸镀法形成的情况相比，易于抑制用于形成多个层的环境的变化、例如真空度的变化或温度的变化。因此，可以使触摸面板用导电性层叠体10的制造装置的构成变得更为简单。
[触摸面板用导电性层叠体的作用]
参照图7及图8说明触摸面板用导电性层叠体的作用。其中，图7及图8分别显示了在第1层叠体16中通过将下侧氧氮化铜层13、铜层14及上侧氧氮化铜层15蚀刻而在基底层12上形成了多个电极的状态。
如图7所示，在基底层12中与接触于基材11的面成相反侧的面上形成有多个电极31。各电极31具备下侧氧氮化铜层13、铜层14及上侧氧氮化铜层15，在基材11的第1面11a上沿着一个方向延伸。电极31的线宽例如为数μm～数十μm左右。
从与第1面11a相向的方向识别多个电极31时，光源LS射出的光的一部分入射到电极31所具备的上侧氧氮化铜层15中，入射至上侧氧氮化铜层15的光的至少一部分从上侧氧氮化铜层15向观察者OB射出。
这里，由于上侧氧氮化铜层15上的光的反射率比铜层14上的光的反射率低，因此与铜层14为电极31的最表层的构成相比，从上侧氧氮化铜层15向观察者OB射出的光的量减小。即，上侧氧氮化铜层15作为没有铜层14那样的金属光泽、且具有褐色或黑色的明亮度低的颜色的层被识别到。
进而，如上所述，电极31由于具有数μm～数十μm左右的非常小的线宽，因此结果是电极31难以从与第1面11a相向的方向被观察者OB识别到。
另外，上侧氧氮化铜层15的Y值由于在形成了上侧氧氮化铜层15时刻为20％以下，因此在从形成了上侧氧氮化铜层15开始经过很短的时间的时刻，上侧氧氮化铜层15的明亮度低至观察者OB无法识别到的程度。
上侧氧氮化铜层15的明亮度具有伴随上侧氧氮化铜层15的经时劣化而增高的倾向。但是，由于形成了上侧氧氮化铜层15时刻的Y值为20％以下，因此即便是从形成了上侧氧氮化铜层15时经过很长时间的时刻，上侧氧氮化铜层15的明亮度也难以增大到被观察者OB识别到的程度。换而言之，与形成了上侧氧氮化铜层15时刻的Y值更大的构成相比，上侧氧氮化铜层15的明亮度增大至被观察者OB识别到的程度所需要的时间延长。
如图8所示，从与第2面11b相向的方向识别多个电极31时，即隔着基材11识别多个电极31时，出于和从与第1面11a相向的方向识别多个电极31时相同的理由，电极31难以被观察者OB识别到。即，下侧氧氮化铜层13如上所述，兼具作为基底层12与铜层14之间的密合层的功能和难以识别到多个电极31的功能。
此外，形成于基材11的第2面11b上的多个电极也可以获得与形成于上述第1面11a上的多个电极31同等的效果。
[实施例]
[实施例1]
作为基材，准备厚度为100μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯片材，在基材的第1面上使用涂液形成具有1.2μm厚度的基底层。进而，在基底层上使用溅射法形成下侧氧氮化铜层，在下侧氧氮化铜层上使用溅射法形成铜层。进而，在铜层上使用溅射法形成上侧氧氮化铜层，获得实施例1的触摸面板用导电性层叠体。其中，上侧氧氮化铜层的形成在以下的条件下进行。
[实施例2]
除了如下变更形成上侧氧氮化铜层时的条件之外，利用与实施例1相同的方法，获得实施例2的触摸面板用导电性层叠体。
[加速试验]
在以下条件下对实施例1的触摸面板用导电性层叠体和实施例2的触摸面板用导电性层叠体进行加速试验。
[试验条件1]
在温度为90℃且相对湿度为2％～3％、未进行加湿的试验环境中，将实施例1、2的触摸面板用导电性层叠体静置120小时、240小时及500小时。
[试验条件2]
在温度为60℃且相对湿度为90％的试验环境中，将实施例1、2的触摸面板用导电性层叠体静置120小时、240小时及500小时。
[测定结果]
对实施例1、2的触摸面板用导电性层叠体，分别测定形成了上侧氧氮化铜层时刻的上侧氧氮化铜层的Y值、L*值、a*值及b*值。另外，对于作为进行了加速试验后的实施例1、2的触摸面板用导电性层叠体、即进行了各经过时间的加速试验后的触摸面板用导电性层叠体，分别测定上侧氧氮化铜层的Y值、L*值、a*值及b*值。
另外，Y值使用基于JIS Z 8722的测定方法进行测定。另外，L*值、a*值及b*值使用基于JIS Z 8781-4的测定方法进行测定。各测定结果是以下表1所示的值。
表1
如表1所示可知，实施例1中，形成了上侧氧氮化铜层时刻的上侧氧氮化铜层的Y值、即Y的初始值为18.9％、为20％以下。另外可知，实施例1中，L*的初始值为50.6、a*的初始值为-15.0、b*的初始值为-4.5。
实施例2中可知，Y的初始值为18.5％、为20％以下。另外，实施例2中可知，L*的初始值为50.2、a*的初始值为-9.2、b*的初始值为-10.0。
进而可知，实施例1的上侧氧氮化铜层与实施例2的上侧氧氮化铜层相比，在加速试验后，Y值、L*值、a*值及b*值自各自初始值的变化量更小。
[实施例3]
作为基材，准备厚度为100μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯片材，在基材的第1面上使用涂液形成具有1.2μm厚度的基底层。进而，在基底层上使用溅射法形成具有38nm厚度的下侧氧氮化铜层，在下侧氧氮化铜层上使用溅射法形成具有500nm厚度的铜层。进而，在铜层上使用溅射法形成具有38nm厚度的上侧氧氮化铜层，获得实施例3的触摸面板用导电性层叠体。其中，上侧氧氮化铜层及下侧氧氮化铜层的形成在以下的条件下进行。实施例3中可知，上侧氧氮化铜层及下侧氧氮化铜层的各自成膜速度为44nm·m/min。
[实施例4]
在形成上侧氧氮化铜层及下侧氧氮化铜层时的条件中，除了如下变更氧气的流量之外，利用与实施例3相同的方法获得实施例4的触摸面板用导电性层叠体。实施例4中可知，上侧氧氮化铜层及下侧氧氮化铜层的各自成膜速度与实施例3的成膜速度相同。
·氧气流量 40sccm
[实施例5]
在形成上侧氧氮化铜层及下侧氧氮化铜层时的条件中，除了如下变更氧气的流量之外，利用与实施例3相同的方法获得实施例5的触摸面板用导电性层叠体。另外，实施例5中可知，上侧氧氮化铜层及下侧氧氮化铜层的各自成膜速度与实施例3的成膜速度相同。
·氧气流量 20sccm
[实施例6]
在形成上侧氧氮化铜层及下侧氧氮化铜层时的条件中，除了如下变更氧气的流量之外，利用与实施例3相同的方法获得实施例6的触摸面板用导电性层叠体。另外，实施例6中可知，上侧氧氮化铜层及下侧氧氮化铜层的各自成膜速度与实施例3的成膜速度相同。
·氧气流量 10sccm
[实施例7]
在形成上侧氧氮化铜层及下侧氧氮化铜层时的条件中，除了如下变更MF带高频电源的功率之外，利用与实施例5相同的方法获得实施例7的触摸面板用导电性层叠体。另外可知，实施例7中的上侧氧氮化铜层及下侧氧氮化铜层的各自成膜速度为30nm·m/min。
·MF带高频电源 6.0kW
[实施例8]
在形成上侧氧氮化铜层及下侧氧氮化铜层时的条件中，除了如下变更氧气的流量和氮气的流量之外，利用与实施例3相同的方法获得实施例8的触摸面板用导电性层叠体。另外可知，实施例8中的上侧氧氮化铜层及下侧氧氮化铜层的各自成膜速度与实施例3的成膜速度相同。
·氧气流量 20sccm
·氮气流量 200sccm
[比较例1]
在形成上侧氧氮化铜层及下侧氧氮化铜层各自时的条件中，除了如下变更氧气的流量之外，利用与实施例3相同的方法获得具有上侧氮化铜层及下侧氮化铜层的比较例1的触摸面板用导电性层叠体。另外可知，比较例1中的上侧氧氮化铜层及下侧氧氮化铜层的各自成膜速度与实施例3的成膜速度相同。
·氧气流量 0sccm
[光学特性的测定结果]
对实施例3～8的触摸面板用导电性层叠体，分别测定形成了上侧氧氮化铜层时刻的上侧氧氮化铜层的Y值、L*值、a*值及b*值。另外，对于比较例1的触摸面板用导电性层叠体，分别测定形成了上侧氮化铜层时刻的上侧氮化铜层的Y值、L*值、a*值及b*值。另外，Y值、L*值、a*值及b*值分别利用与实施例1、2相同的方法测定。各测定结果是以下表2所示的值。
表2
Y L* a* b* 评价
实施例3 15.7 46.5 5.8 -20.2 △
实施例4 16.6 47.8 -14.4 -12.4 ○
实施例5 17.9 49.4 -15.1 -9.0 ○
实施例6 18.7 50.3 -10.5 -8.3 ○
实施例7 17.0 48.3 -15.8 -10.7 ○
实施例8 19.1 50.8 -13.3 -7.0 ○
比较例1 23.5 55.6 -0.8 -3.7 ×
如表2所示可知，实施例3中，上侧氧氮化铜层的Y的初始值为15.7％、为20％以下。另外可知，实施例3中，L*的初始值为46.5、a*的初始值为5.8、b*的初始值为-20.2。
实施例4中可知，上侧氧氮化铜层的Y的初始值为16.6％、为20％以下。另外，实施例4中可知，L*的初始值为47.8、a*的初始值为-14.4、b*的初始值为-12.4。
实施例5中可知，上侧氧氮化铜层的Y的初始值为17.9％、为20％以下。另外，实施例5中可知，L*的初始值为49.4、a*的初始值为-15.1、b*的初始值为-9.0。
实施例6中可知，上侧氧氮化铜层的Y的初始值为18.7％、为20％以下。另外，实施例6中可知，L*的初始值为50.3、a*的初始值为-10.5、b*的初始值为-8.3。
实施例7中可知，上侧氧氮化铜层的Y的初始值为17.0％、为20％以下。另外，实施例7中可知，L*的初始值为48.3、a*的初始值为-15.8、b*的初始值为-10.7。
实施例8中可知，上侧氧氮化铜层的Y的初始值为19.1％、为20％以下。另外，实施例8中可知，L*的初始值为50.8、a*的初始值为-13.3、b*的初始值为-7.0。
比较例1中可知，上侧氮化铜层的Y的初始值为23.5％、大于20％。另外，比较例1中可知，L*的初始值为55.6、a*的初始值为-0.8、b*的初始值为-3.7。
[光学特性的初始值的评价]
如上所述可知，实施例3～8的各个上侧氧氮化铜层中，Y的初始值为20％以下，而比较例1的上侧氮化铜层中，Y的初始值超过20％。如此，通过氧氮化铜层，与氮化铜层相比，成膜初始的Y值减小，因此可知，氧氮化铜层从具有比氮化铜层明亮度更低的颜色的方面出发优选。
此外，实施例3的上侧氧氮化铜层的b*的绝对值是超过20的值、与其他的上侧氧氮化铜层相比、彩度更高，具有比其他上侧氧氮化铜层更强的颜色，因而易于被观察者识别到。因此可知，实施例4～实施例8的各上侧氧氮化铜层在实施例中具有更为优选的光学特性。
[组成分析的结果]
对于实施例3～8的各个上侧氧氮化铜层及比较例1的上侧氮化铜层，进行表面的组成分析。使用俄歇能谱分析装置(SAM-680、Ulvac-phi株式会社制)，测定上侧氧氮化铜层或上侧氮化铜层的组成。
在俄歇能谱分析装置中，将氩离子枪的加速电压设定为1kV、将入射角设定为45°、将试样中的氩离子入射的范围设定为1mm见方，对将试样表面蚀刻1分钟后的组成进行测定。其中，入射角为氩离子的入射方向与试样的法线方向所形成的角度，利用氩离子枪进行的蚀刻速度换算成SiO2为7nm/min。另外，在俄歇能谱分析装置中，将电子枪的加速电压设定为10kV、将电流量设定为10nA。
实施例3～8及比较例1中，氮原子(N)、氧原子(O)及铜原子(Cu)的各原子％及2个原子间的相对比为以下表3所示的值。其中，相对比中，氮原子与铜原子之比(N/Cu)的百分率为第1相对比、氧原子与铜原子之比(O/Cu)的百分率为第2相对比、氮原子与氧原子之比(N/O)的百分率为第3相对比。
表3
如表3所示可知，在实施例3的上侧氧氮化铜层中，氮原子为1原子％、氧原子为42原子％、铜原子为57原子％。另外，实施例3的上侧氧氮化铜层中可知，第1相对比为1％、第2相对比为73％、第3相对比为2％。
实施例4的上侧氧氮化铜层中可知，氮原子为9原子％、氧原子为19原子％、铜原子为72原子％。另外，实施例4的上侧氧氮化铜层中可知，第1相对比为12％、第2相对比为26％、第3相对比为47％。
实施例5的上侧氧氮化铜层中可知，氮原子为13原子％、氧原子为12原子％、铜原子为75原子％。另外，实施例5的上侧氧氮化铜层中可知，第1相对比为17％、第2相对比为16％、第3相对比为108％。
实施例6的上侧氧氮化铜层中可知，氮原子为10原子％、氧原子为4原子％、铜原子为86原子％。另外，实施例6的上侧氧氮化铜层中可知，第1相对比为11％、第2相对比为5％、第3相对比为233％。
实施例7的上侧氧氮化铜层中可知，氮原子为6原子％、氧原子为31原子％、铜原子为63原子％。另外，实施例7的上侧氧氮化铜层中可知，第1相对比为9％、第2相对比为49％、第3相对比为19％。
实施例8的上侧氧氮化铜层中可知，氮原子为12原子％、氧原子为12原子％、铜原子为76原子％。另外，实施例8的上侧氧氮化铜层中可知，第1相对比为16％、第2相对比为15％、第3相对比为103％。
比较例1的上侧氮化铜层中可知，氮原子为5原子％、氧原子为0原子％、铜原子为95原子％。另外，比较例1的上侧氮化铜层中可知，第1相对比为6％、第2相对比为0％。
[特性评价]
对实施例3～8的触摸面板用导电性层叠体及比较例1的触摸面板用导电性层叠体，评价初始稳定性、耐久性及加工性。
其中，初始稳定性是在从形成上侧氧氮化铜层或上侧氮化铜层开始经过5天的期间内的上侧氧氮化铜层或上侧氮化铜层的光学特性的稳定性。其中，光学特性包含上述Y值、L*值、a*值及b*值。
初始稳定性通过在常温且常压的环境气体中将实施例3～8的触摸面板用导电性层叠体及比较例1的触摸面板用导电性层叠体静置5天时、上侧氧氮化铜层或上侧氮化铜层的光学特性自初始值变化何种程度来评价。
耐久性是上侧氧氮化铜层或上侧氮化铜层的光学特性的耐久性，是经过了上述初始稳定性进行评价的期间以后的上侧氧氮化铜层或上侧氮化铜层的光学特性的稳定性。在对耐久性进行评价时，首先在常温且常压的环境气体下将实施例3～8的触摸面板用导电性层叠体及比较例1的触摸面板用导电性层叠体静置5天。
进而，在上述试验条件1下对实施例3～8的触摸面板用导电性层叠体及比较例1的触摸面板用导电性层叠体进行加速试验500小时。耐久性通过在上侧氧氮化铜层或上侧氮化铜层中、加速试验后的光学特性相对于加速试验前的光学特性变化了何种程度来评价。
加工性是对触摸面板用导电性层叠体进行蚀刻时的加工性。加工性通过用氯化铁液对实施例3～8的触摸面板用导电性层叠体及比较例1的触摸面板用导电性层叠体进行蚀刻时所获得的电极的形状来评价。
初始稳定性、耐久性及加工性的各评价结果如以下表4所示。其中，初始稳定性中，使稳定性高的触摸面板用导电性层叠体的评价为“○”、使稳定性低的触摸面板用导电性层叠体的评价为“×”。耐久性中，使耐久性最高的触摸面板用导电性层叠体的评价为“○”、使耐久性第二高的触摸面板用导电性层叠体的评价为“△”、使耐久性低的触摸面板用导电性层叠体的评价为“×”、使耐久性更低的触摸面板用导电性层叠体的评价为“××”。加工性中，使加工性最高的触摸面板用导电性层叠体的评价为“◎”、使加工性第二高的触摸面板用导电性层叠体的评价为“○”、使加工性第三高的触摸面板用导电性层叠体的评价为“△”、使加工性低的触摸面板用导电性层叠体的评价为“×”。
表4
初始稳定性 耐久性 加工性
实施例3 ○ ×× ◎
实施例4 ○ △ ◎
实施例5 ○ ○ ○
实施例6 ○ ○ △
实施例7 ○ × ◎
实施例8 ○ ○ ○
比较例1 × ○ ×
如表4所示可知，实施例3～实施例8的各上侧氧氮化铜层的初始稳定性高，而比较例1的上侧氮化铜层的初始稳定性低。即，氧氮化铜层与氮化铜层相比，刚形成氧氮化铜层后难以引起光学特性的急剧变化，因而在使用触摸面板用导电性层叠体形成的电极中，更容易满足所希望的光学特性。
此外，发明人们发现，评价初始稳定性的试验的期间即便是3天或4天，与试验期间为5天时为相同的倾向。
实施例3的上侧氧氮化铜层中可知，加速试验前的光学特性与加速试验后的光学特性的差异与上述实施例2为相同的程度。另外，实施例4～8的上侧氧氮化铜层及比较例1的上侧氮化铜层中可知，加速试验前的光学特性与加速试验后的光学特性的差异比实施例3小。
可知实施例3～8的各触摸面板用导电性层叠体相比较于比较例1的触摸面板用导电性层叠体，加工性更高。另外，实施例中可知，实施例3、4、7的各触摸面板用导电性层叠体的加工性最高，实施例5、8的各触摸面板用导电性层叠体的加工性第二高。
具体地说，比较例1中可知，由于氮化铜层的蚀刻速度比铜层的蚀刻速度更小，因此如果想要在氮化铜层中满足所希望的线宽，则铜层的线宽减小，多个电极的一部分中线宽小至易于导致断线的程度。
与其相对，实施例3～8中，由于铜层的蚀刻速度与氧氮化铜层的蚀刻速度的差异小于铜层的蚀刻速度与氮化铜层的蚀刻速度差异，因而各层的线宽差异小、而且多个电极中未见断线。其中，实施例3～8中，实施例3、4、7中基本未见各层的线宽差异。
[上侧氧氮化铜层的组成与特性的关系]
由表2、表3及表4可知，具备氧氮化铜层的触摸面板用导电性层叠体在与氮化铜层相比更低地抑制Y的初始值、能够在成膜后的初期稳定地保持光学特性及加工性良好这3个方面是优异的。
另外，氧氮化铜层中可知，通过含有4原子％以上且19原子％以下的氧原子的氧氮化铜层，对光学特性变化的耐久性提高。进而，氧氮化铜层中可见，通过含有12原子％以上且42原子％以下的氧原子的氧氮化铜层，利用湿式蚀刻进行的加工性提高，通过含有19原子％以上且42原子％以下的氧原子的氧氮化铜层，利用湿式蚀刻进行的加工性进一步提高。
进而可知，通过含有12原子％的氧原子的氧氮化铜层，光学特性的初始值、耐久性及加工性全部具有优选的特性。
另一方面可知，通过第1相对比为11％以上且17％以下的氧氮化铜层，对光学特性变化的耐久性提高。换而言之可知，通过在氮原子与铜原子的相对比为11％以上且17％以下的状态下含有氧，氧氮化铜层对光学特性变化的耐久性提高。
[密合强度]
对于实施例4～7，分别测定基底层与下侧氧氮化铜层的界面处的密合强度。密合强度的测定使用基于JIS K 6854-3的方法进行。其中，在各实施例4～7中测定密合强度时，为了增大触摸面板用导电性层叠体的厚度，在将上侧氧氮化铜层去除之后在铜层上形成具有15μm厚度的铜层。进而，各实施例中将试验片的宽度设定为15mm、将牵引速度设定为50mm/分钟。
可知实施例4的密合强度为8.0N/15mm、实施例5的密合强度为8.4N/15mm、实施例6的密合强度为8.3N/15mm、实施例7的密合强度为8.2N/15mm。如此可知，实施例的密合强度为8.0N/15mm以上。
此外可知，通过具有这种密合强度的触摸面板用导电性层叠体，在利用触摸面板用导电性层叠体的蚀刻形成电极时，可抑制电极中的断线。另外，实施例4～7中，在测定密合强度的试验中，可见基底层与下侧氧氮化铜层的界面处的界面破坏。
[表面电阻率]
对实施例3～7和比较例1，分别测定触摸面板用导电性层叠体所具备的层叠体的表面电阻率。即，实施例3～7中，分别测定按顺序层叠了下侧氧氮化铜层、铜层及上侧氧氮化铜层的层叠体的表面电阻率，比较例1中，测定按顺序层叠有下侧氮化铜层、铜层及上侧氮化铜层的层叠体的表面电阻率。各层叠体的表面电阻率使用基于JIS K 7194的方法进行测定。其中，表面电阻率的测定使用电阻率计(株式会社Mitsubishi Chemical Analytech制、Loresta GP)。
可知实施例3的表面电阻率为0.13Ω/□、实施例4的表面电阻率为0.13Ω/□、实施例5的表面电阻率为0.13Ω/□、实施例6的表面电阻率为0.12Ω/□、实施例7的表面电阻率为0.13Ω/□、实施例8的表面电阻率为0.13Ω/□。另外可知，比较例1的表面电阻率为0.12Ω/□。如此可知，实施例的表面电阻率为0.13Ω/□以下。
此外可知，通过具有这种表面电阻率的触摸面板用导电性层叠体，还可以使使用触摸面板用导电性层叠体形成的电极的电阻为低至能够无视对触摸传感器的响应速度的影响的程度的电阻值。
如以上说明的那样，根据触摸面板用导电性层叠体及触摸面板用导电性层叠体的制造方法的一个实施方式，可以获得以下所列举的效果。
(1)铜层14由于被反射率比铜层14低的2个氧氮化铜层夹持，因此使用触摸面板用导电性层叠体10形成的多个电极31中，难以从与第1面11a相向的方向识别到电极31且难以隔着基材11识别到电极31。
(2)使用第2层叠体20形成的多个电极中，在下侧氧氮化铜层22及上侧氧氮化铜层24中可抑制光的反射。因此，第2面11b中的多个电极中，难以从与第2面11b相向的方向识别到电极、且难以隔着基材11识别到电极。
(3)由于基底层含有抗粘连剂，因此在将触摸面板用导电性层叠体10卷绕或重叠时，可抑制上侧氧氮化铜层密合在重叠于上侧氧氮化铜层上的层上。另外，基底层由于是将基材11的凹部11c填埋且在基材11上形成为层状，因此基底层中与下侧氧氮化铜层相接触的面的平坦性提高。进而，触摸面板用导电性层叠体10的各层的平坦性提高。
(4)下侧氧氮化铜层的厚度由于是30nm以上且50nm以下，因此下侧氧氮化铜层具有足以提高形成基底层的基材11与铜层之间的密合性的厚度。进而，由于下侧氧氮化铜层的厚度为铜层厚度的25％以下的值，因此可以在保持基材11与铜层之间的密合性的同时还抑制触摸面板用导电性层叠体10的整体厚度和触摸面板用导电性层叠体10中的铜的使用量变得过剩。
(5)上侧氧氮化铜层中，XYZ表色系中作为明亮度指标的Y值为20％以下。因此，使用触摸面板用导电性层叠体10形成的多个电极中，从与上侧氧氮化铜层相向的方向难以识别到电极。另外，由于形成了上侧氧氮化铜层时的Y的值为20％以下，因此Y值难以增大至可识别到上侧氧氮化铜层的程度。
(6)下侧氧氮化铜层及上侧氧氮化铜层通过以4原子％以上且19原子％以下的比例含有氧原子，因此可以提高对光学特性变化的耐久性。
(7)若基底层与下侧氧氮化铜层的界面处的密合强度为8.0N/15mm以上，则通过布图所形成的电极的一部分难以从基底层上剥落，进而可以抑制电极上的断线。
(8)若触摸面板用导电性层叠体10的表面电阻率为0.13Ω/□以下，则可以使电极的电阻值成为低至能够无视对触摸传感器的响应速度的影响的程度的电阻值。
(9)若基底层表面的表面粗糙度Ra为3nm以上，则层叠体更易于获得抗粘连性。
(10)若基底层表面的表面粗糙度Ra为20nm以下，则可抑制使用层叠体形成的电极中的光散射增大至被触摸面板的使用者识别到的程度。
此外，上述实施方式还可如下地适当变更进行实施。
·基底层表面的表面粗糙度Ra也可以比3nm小、还可以比20nm大。即便是这种构成，只要基底层位于基材与下侧氧氮化铜层之间，则通过形成于基材中下侧氧氮化铜层所存在的面上的凹部，也可抑制在触摸面板用导电性层叠体的各层中形成比提高基底层的抗粘连性的程度的表面粗糙度更大幅度的高度差。
·触摸面板用导电性层叠体的表面电阻率也可以比0.13Ω/□大，只要是可得到使用触摸面板用导电性层叠体形成的电极所需要的电阻值、进而触摸面板所需要的检测精度的范围即可。
·基底层与下侧氧氮化铜层的界面处的密合强度也可以比8.0N/15mm小，只要是通过对触摸面板用导电性层叠体的加工、下侧氧氮化铜层不会从基底层剥落的范围即可。
·上侧氧氮化铜层及下侧氧氮化铜层的至少一者中，氧原子也可以以小于4原子％的比例含有、氧原子还可以以超过19原子％的比例含有。即便是这种构成，只要触摸面板用导电性层叠体具备上侧氧氮化铜层及下侧氧氮化铜层，则隔着基材11难以识别到电极。
·下侧氧氮化铜层的Y的初始值不限于20％以下。即使下侧氧氮化铜层的Y的初始值超过20％，只要是形成有下侧氧氮化铜层，则隔着基材11难以识别到电极。
·上侧氧氮化铜层的Y的初始值不限于20％以下。即便上侧氧氮化铜层的Y的初始值超过20％，只要形成有上侧氧氮化铜层，则从与形成有电极的面相向的方向难以识别到电极。
·铜层的厚度也可以比200nm小、还可以比500nm大。总之，铜层在使用触摸面板用导电性层叠体10形成了电极时，只要是具有仅满足作为电极所需要的导电性的厚度即可。
·下侧氧氮化铜层的厚度也可以比30nm小、还可以比50nm大。另外，下侧氧氮化铜层的厚度也可以是比铜层厚度的25％还大的值。总之，下侧氧氮化铜层只要是具有能够对形成有基底层的基材与铜层这两者表现出密合性的厚度即可，下侧氧氮化铜层的厚度并非限定于上述实施方式所记载的范围。
·用于形成基底层的涂液只要是使用涂液形成的基底层具有对基材11和下侧氧氮化铜层的密合性，则也可以不含有紫外线固化性多官能丙烯酸酯、紫外线固化性单官能丙烯酸酯、丙烯酸聚合物及抗粘连剂中的至少一个。
或者，基底层只要是具有对基材11和下侧氧氮化铜层的密合性，则也可以由热塑性树脂或热固化性树脂等形成。
·电极31的线宽也可以是数十μm以上。即便是这种构成，只要电极31具备下侧氧氮化铜层和上侧氧氮化铜层，则与电极31仅由金属层形成的构成相比，难以识别到电极31。
·下侧氧氮化铜层、铜层及上侧氧氮化铜层也可以使用溅射法以外的方法、例如蒸镀法或CVD法等气相沉积法形成。
符号说明
10触摸面板用导电性层叠体、11基材、11a第1面、11b第2面、11c凹部、12、21基底层、13、22下侧氧氮化铜层、14、23铜层、15、24上侧氧氮化铜层、16第1层叠体、20第2层叠体、31电极。

Claims (10)

1.一种触摸面板用导电性层叠体，其具备：
具有1个面并且具有透光性的基材；
位于所述基材的所述1个面上并且具有透光性的基底层；
位于所述基底层中与接触于所述基材的面成相反侧的面上的第1氧氮化铜层；
位于所述第1氧氮化铜层中与接触于所述基底层的面成相反侧的面上的铜层；以及
位于所述铜层中与接触于所述第1氧氮化铜层的面成相反侧的面上的第2氧氮化铜层。
2.一种触摸面板用导电性层叠体，其具备：
具有第1面和与所述第1面成相反侧的第2面的基材；
分别位于所述第1面上及所述第2面上并且具有透光性的基底层；
位于所述基底层中与接触于所述基材的面成相反侧的面上的第1氧氮化铜层；
位于所述第1氧氮化铜层中与接触于所述基底层的面成相反侧的面上的铜层；以及
位于所述铜层中与接触于所述第1氧氮化铜层的面成相反侧的面上的第2氧氮化铜层。
3.根据权利要求1或2所述的触摸面板用导电性层叠体，其中，
所述基底层含有紫外线固化性多官能丙烯酸酯、紫外线固化性单官能丙烯酸酯、含紫外线固化性的丙烯酸基的丙烯酸聚合物及用于降低所述第2氧氮化铜层中与所述铜层成相反侧的面上的密合性的抗粘连剂，
所述基底层将所述基材中形成在接触于所述基底层的面上的多个凹部填埋。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的触摸面板用导电性层叠体，其中，
所述铜层的厚度为200nm以上且500nm以下，
所述第1氧氮化铜层的厚度为30nm以上且50nm以下、且为所述铜层厚度的25％以下的值。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的触摸面板用导电性层叠体，其中，
所述第2氧氮化铜层中，作为XYZ表色系的三刺激值中的Y的值且是形成了所述第2氧氮化铜层时刻的所述Y值为20％以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的触摸面板用导电性层叠体，其中，
所述第1氧氮化铜层及所述第2氧氮化铜层的至少一方以4原子％以上且19原子％以下的比例含有氧原子。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的触摸面板用导电性层叠体，其中，所述基底层与所述第1氧氮化铜层的界面处的密合强度为8.0N/15mm以上。
8.根据权利要求4所述的触摸面板用导电性层叠体，其中，
由所述第1氧氮化铜层、所述铜层及所述第2氧氮化铜层构成的层叠体的表面电阻率为0.13Ω/□以下。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的触摸面板用导电性层叠体，其中，
所述基底层中接触于所述第1氧氮化铜层的面的表面粗糙度Ra为3nm以上且20nm以下。
10.一种触摸面板用导电性层叠体的制造方法，其具备以下工序：
在基材的至少1个面上形成基底层的工序；
在所述基底层中与接触于所述基材的面成相反侧的面上使用溅射法形成第1氧氮化铜层的工序；
在所述第1氧氮化铜层中与接触于所述基底层的面成相反侧的面上使用溅射法形成铜层的工序；以及
在所述铜层中与接触于所述第1氧氮化铜层的面成相反侧的面上使用溅射法形成第2氧氮化铜层的工序。
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