TWI773921B - 在觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法及其製成品 - Google Patents

Abstract

一種在觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，包含：在一介電基板的第一側面設置一第一觸控導電跡線圖案及一第一輔助導電跡線圖案，第一輔助導電跡線圖案具有微型輔助導電單元電性搭接在第一觸控導電跡線圖案所界定的區域範圍內，該微型輔助導電單元的遮光率在1%以下；在介電基板的第二側面設置一第二觸控導電跡線圖案及一第二輔助導電跡線圖案，第二輔助導電跡線圖案具有微型輔助導電單元電性搭接在第二觸控導電跡線圖案所界定的區域範圍內，且其遮光率在1%以下；其中，第一觸控導電跡線圖案、第一輔助導電跡線圖案、第二觸控導電跡線圖案和第二輔助導電跡線圖案共同形成至少一觸控感應器，第一觸控導電跡線圖案及第二觸控導電跡線圖案的面電阻值在80-150 ohm/sq之間，第一輔助導電跡線圖案及第二輔助導電跡線圖案的面電阻值在0.05-0.2 ohm/sq之間。

Description

在觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法及其製成品

本發明涉及觸控感應器的技術範疇，尤其是指一種在觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法及其製成品。

目前配置在顯示目前使用的觸控感應器，大都是使用透明的氧化銦錫(ITO)導電膜加工製作而成的，藉由在透明ITO導電膜上刻劃出多數觸控感應電極及信號導線以形成觸控感應結構。通常觸控感應器的設計與生產，會根據產品尺寸的不同，而對透明ITO導電膜面電阻值有不同的要求；生產不同尺寸的產品，就需要使用不同條件的ITO導電膜，因此面對市場多樣化尺寸的觸控板需求，導致業者的備料庫存成本壓力大增，且在生產製造方面臨複雜化困擾；另外，因為ITO導電膜的光學特性與導電度約略是成反比的關係，即導電度越高(面電阻值越小)光學特性越差，該特性導致在大尺寸觸控板的設計及製程開發上，面臨到難以克服的瓶頸。

本發明提供一種在觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，根據本發明製造方法即可在一基板的二個側面同時地製備觸控感應電極及信號導線，並在該觸控感應電極及信號導線上形成輔助導電單元及輔助信號導線，以達在不減損光學特性的情況下降低觸控感應電極及信號導線的面電阻率之目的。

為達上述目的，本發明之製造方法大致上包含如圖1所示的製備步驟，即：

1、製備多導電層的基板：在一介電性基板之第一側面設置一第一觸控導電層與一第一輔助導電層，在其第二側面設置一第二觸控導電層與一第二輔助導電層。

2、第一黃光製程：在所述基板之第一側面設置一第一光阻層，並在該第一光阻層顯影形成一第一光阻跡線圖案。

3、第二黃光製程：在所述基板之第二側面上設置一第二光阻層，並在該第二光阻層顯影形成一第二光阻跡線圖案。

4、第一蝕刻製程：使用一第一蝕刻劑對所述基板進行蝕刻，在所述第一觸控導電層與第一輔助導電層之上形成一第一觸控導電跡線圖案，在所述第二觸控導電層與第二輔助導電層之上形成一第二觸控導電跡線圖案。

5、第一剝膜製程：移除所述第一光阻層和所述第二光阻層。

6、第三黃光製程：在所述基板之第一側面設置一第三光阻層，並在該第三光阻層顯影形成一第三光阻跡線圖案。

7、第四黃光製程：在所述基板之第二側面設置一第四光阻層，並在該第四光阻層顯影形成一第四光阻跡線圖案。

8、第二蝕刻製程：使用一第二蝕刻劑對所述基板進行蝕刻，在所述第一輔助導電層之上形成一第一輔助導電跡線圖案，使所述第二輔助導電層之上形成一第二輔助導電跡線圖案。

9、第二剝膜製程：移除所述第三光阻層和所述第四光阻層。

通過本發明製造方法，所述第一觸控導電跡線圖案、所述第一輔助導電跡線圖案、所述第二觸控導電跡線圖案和所述第二輔助導電跡線圖案共同形成至少一觸控感應器；所述第一輔助導電跡線圖案用以降低所述第一觸控導電跡線圖案的面電阻率，所述第二輔助導電跡線圖案用以降低所述第二觸控導電跡線圖案的面電阻率。

本發明在設計應用與生產製造方面具有以下優勢：

1、單一規格化的生產原料準備：只需要擇定一最佳化規格的觸控導電層(面電阻值約在80-150ohm/sq之間)和輔助導電層(面電阻值約在0.05-0.2ohm/sq之間)，就可以應用在大部分尺寸的觸控面板產品，據此可大幅降低備料成本與庫存壓力。

2、提升觸控面板設計的靈活性與簡便性：通過對輔助導電跡線圖案的修改設計即可調整設定觸控導電跡線圖案的面電阻率，以滿足各種尺寸的觸控面板產品的阻值需要。

3、簡化生產技術並增進產品生產效率：可通過黃光製程加工形成輔助導電跡線圖案來調控觸控導電跡線圖案的面電阻率，以便產出符合各種尺寸觸控面板產品所需的阻值，黃光製程技術成熟生產效率高。

4、適用於大尺寸觸控面板產品設計與生產：當產品尺寸越大，要求迴路阻值越低，因此被用來製作觸控導電跡線圖案的ITO導電膜就必須增加厚度以增加導電性，導致光學特性越差，然而，如果ITO導電膜製作的觸控導電跡線圖案如果搭配由銅導電膜製作的輔助導電跡線圖案而使用，就可在不增加厚度的情況下提升導電率，因此應用在大尺寸觸控面板產品時沒有光學劣化的問題。

本「發明內容」係以簡化形式介紹一些選定概念，在下文之「實施方式」中將進一步對其進行描述。本「發明內容」並非意欲辨識申請專利之標的之關鍵特徵或基本特徵，亦非意欲用於限制申請專利之標的之範圍。

1:基板

1A:第一側面

1B:第二側面

2:第一觸控導電層

21:第一觸控感應電極

21A:第一觸控感應電極

21B:第二觸控感應電極

22:第一信號導線

2P:第一觸控導電跡線圖案

3:第一輔助導電層

31:第一微型輔助導電單元

32:第一輔助信號導線

3P:第一輔助導電跡線圖案

4:第二觸控導電層

41:第二觸控感應電極

41A:第三觸控感應電極

41B:第四觸控感應電極

42:第二信號導線

4P:第二觸控導電跡線圖案

5:第二輔助導電層

51:第二微型輔助導電單元

52:第二輔助信號導線

5P:第二輔助導電跡線圖案

6:第一光阻層

6P:第一光阻跡線圖案

7:第二光阻層

7P:第二光阻跡線圖案

8:第三光阻層

8P:第三光阻跡線圖案

9:第四光阻層

9P:第四光阻跡線圖案

圖1為本發明製造方法的加工流程方塊圖。

圖2為第一實施例之在基板二側分別形成二導電層與一光阻層的橫截面示意圖。

圖3為第一實施例之在實施第一黃光製程與第二黃光製程後的基板橫截面示意圖。

圖4為第一實施例之在實施第一蝕刻製程後的基板橫截面示意圖。

圖5為第一實施例之在實施第一剝膜製程後的基板橫截面示意圖。

圖6為第一實施例之在基板二側分別形成一光阻層的橫截面示意圖。

圖7為第一實施例之在實施第三黃光製程與第四黃光製程後的基板橫截面示意圖。

圖8為第一實施例之在實施第二蝕刻製程後的基板橫截面示意圖。

圖9為第一實施例之製成品的基板橫截面示意圖。

圖10為第一實施例之製成品的平面圖。

圖11為第一實施例製成品在基板第一側面上的X軸向觸控感應跡線的平面圖。

圖12為第一實施例製成品的第一觸控導電跡線圖案的平面圖。

圖13為第一實施例製成品的第一輔助導電跡線圖案的平面圖。

圖14為圖11的F部放大平面示意圖。

圖15為第一實施例製成品的另一種微細導電跡線圖案的平面示意圖。

圖16為第一實施例製成品的另一種微細導電跡線圖案的平面示意圖。

圖17為第一實施例製成品的另一種微細導電跡線圖案的平面示意圖。

圖18為第一實施例製成品在基板第二側面上的Y軸向觸控感應跡線的平面圖。

圖19為第二實施例之在基板二側分別形成二導電層與一光阻層的橫截面示意圖。

圖20為第二實施例之在實施第一黃光製程與第二黃光製程後的基板橫截面示意圖。

圖21為第二實施例之在實施第一蝕刻製程後的基板橫截面示意圖。

圖22為第二實施例之在實施第一剝膜製程後的基板橫截面示意圖。

圖23為第二實施例之在基板二側分別形成一光阻層的橫截面示意圖。

圖24為第二實施例之在實施第三黃光製程與第四黃光製程後的基板橫截面示意圖。

圖25為第二實施例之在實施第二蝕刻製程後的基板橫截面示意圖。

圖26為第二實施例之製成品的基板橫截面示意圖。

圖27為第二實施例之製成品的平面圖。

圖28為第二實施例製成品在基板第一側面上的X軸向觸控感應跡線的平面圖。

圖29為第二實施例製成品在基板第二側面上的Y軸向觸控感應跡線的平面圖。

第一實施例

在圖2至圖10中描述本發明製造方法的第一實施例，其加工步驟如後詳述：參閱圖2所示，首先，提供一高透光率的介電基板1，在該介電基板1之第一側面1A上依序疊合設置一第一觸控導電層2與一第一輔助導電層3，在第二側面1B上依序疊合設置一第二觸控導電層4與一第二輔助導電層5，所述第一側面1A隔著所述基板1與所述第二側面1B相對。

其中，所述基板1的材料是選自於玻璃、聚碳酸酯脂(PC)、聚脂(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或環烯烴共聚合物(COC)…等，但實施的材料範圍不以前述材料為限，各類軟性、硬性或可撓性的透明基板均適用。

所述第一觸控導電層2和所述第二觸控導電層4是由相同材料形成的透明的導電薄膜，該透明的導電薄膜的材料是選自於氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁、氧化錫銻、聚乙撐二氧噻吩等金屬氧化物或石墨烯，但不限定於此；較佳的，所述第一觸控導電層2和所述第二觸控導電層4的面電阻率介於80~150ohm/sq之間。

而所述第一輔助導電層3和所述第二輔助導電層5也是由相同材料形成的不透光的導電薄膜，該不透光的導電薄膜的材料是選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金等，但不限定於此；較佳的，所述第一輔助導電層3和所述第二輔助導電層5的面電阻率介於0.05~0.2ohm/sq之間。如前所述，選用的所述第一輔助導電層3的面電阻率低於所述第一觸控導電層2，且所述第一輔助導電層3被電性疊接在所述第一觸控導電層2之上；同樣的，選用的所述第二輔助導電層5的面電阻率低於所述第二觸控導電層4，且所述第二輔助導電層5電性疊接在所述第二觸控導電層4之上。

在本實施例中，所述第一觸控導電層2和所述第二觸控導電層4是選用目前已廣泛被使用在觸控面板範疇使用的氧化銦錫(ITO)材質的導電薄膜，而所述第一輔助導電層3和所述第二輔助導電層5是選用面電阻率低(導電性佳)且價格較平實的銅(Cu)材質的導電薄膜。

如圖2及圖3所示，對所述基板1的第一側面1A實施第一黃光製程，所述第一黃光製程包含以下步驟：(1)設置光阻層：在所述基板1的第一側面1A上，亦即最外層的第一輔助導電層3的外表面上塗佈設置一第一光阻層6；(2)預烤固化光阻層：對該基板進行預烤，提供約60℃~90℃熱風對該基板上的第一光阻層6薄膜實施約100~140秒(Sec.)的烘烤時程，然後徐徐降溫至常溫；(3)光阻層的曝光：對該第一光阻層6進行曝光，提供照射能量約150~250MJ/cm2的紫外線光源，以及將具有預設導電跡線圖案之光罩(未圖示)設於該第 一光阻層6與一光源間，與該第一光阻層6間保持間隙約30μm~80μm的距離並曝光該第一光阻層6，以將在該光罩上的預設導電跡線圖案轉移到該第一光阻層6上；以及(4)光阻層的顯影：對該第一光阻層6進行顯影，以噴壓約0.5Kg/cm2的顯影劑對該第一光阻層6噴洗，再以噴壓約0.5Kg/cm2的洗滌液對之噴洗，將不要的光阻材料部分去除。

通過所述第一黃光製程可在該第一光阻層6上顯影形成一第一光阻跡線圖案6P。

另外，也在所述基板1的第二側面1B實施第二黃光製程，所述第二黃光製程的實施技術手段與前述第一黃光製程雷同，所以不再重複贅述；因此可在所述第二側面1B的第二光阻層7上顯影形成一第二光阻跡線圖案7P。

在前述第一、二黃光製程中，由於該第一光阻層6是被塗佈設置在該第一輔助導電層3的外表面上，以及該第二光阻層7是被塗佈設置在該二輔助導電層5的外表面上，換言之，該第一光阻層6與該第二光阻層7之間隔著該第一輔助導電層3和該二輔助導電層5而相對設置，但因該第一輔助導電層3和該二輔助導電層5是一種不透光的導電薄膜(銅薄膜)，所以在該基板1的二側面1A、1B同時地或分別地進行前述第一黃光製程與第二黃光製程時，該第一光阻層6與該第二光阻層7的曝光和顯影操作都不會彼此互相干涉影響，具有提升加工效率的優勢。

再請參閱圖4所示，接續，對所述基板1的第一側面1A和第二側面1B同時實施一第一蝕刻製程，使用一第一蝕刻劑對在所述基板1的各導電層進行蝕刻，以去除掉那些沒有被所述第一光阻層6和所述第二光阻層7保護的材料部份；在本實施例中是採用濕式蝕刻(wet etching)手段為例，其實施方式為：將所述基板1置於蝕刻槽中，以噴壓約0.6Kg/cm²將該第一蝕刻劑噴灑至所述基板1的第一側面1A及第二側面1B上，在第一側面1A，將所述第一觸控導電層2與所述第一輔助導電層3上沒有被所述第一光阻層6保護的材料部份蝕刻去除，在第二側面1B，將所述第二觸控導電層4和所述第二輔助導電層5上沒有被所述第二光阻層7保護的材料部份蝕刻去除；完成蝕刻後再以噴壓約1.5Kg/cm2的洗滌/中和液(例如：純水)對所述基板1的二側表面施予清洗。

其中，所述第一蝕刻劑為一種複合型蝕刻劑，可對所述第一觸控導電層2與所述第二觸控導電層4的氧化銦錫(ITO)材料，以及所述第一輔助導電層3與所述第二輔助導電層5的銅(Cu)材料均可產生蝕刻作用；在本實施例中，所述第一蝕刻劑的成分中至少包含有硝酸鐵Fe(NO₃)₃與鹽酸HCl。

再進行第一剝膜製程以將所述基板1上的所述第一光阻層6和所述第二光阻層7剝除，其實施方式為：以噴壓約0.6Kg/cm²的剝膜劑(例如：氫氧化鉀KOH)噴灑至所述第一光阻層6和所述第二光阻層7，使其自導電層的表面被剝離去除，再以噴壓約1.5Kg/cm²的洗滌液(例如：清水)對所述基板1的二側表面施予清洗。

如圖5所示，當完成第一剝膜製程後，在所述第一側面1A上的所述第一觸控導電層2及所述第一輔助導電層3之上皆被蝕刻形成一與所述第一光阻跡線圖案6P相應的第一觸控導電跡線圖案2P(請同時參閱圖12)，其中，所述第一觸控導電跡線圖案2P中至少包含有一第一觸控感應電極21的圖案部份及一第一信號導線22的圖案部份；在本實施例中，所述第一觸控感應電極21是沿第一方向(亦即X軸向)的串列狀設置，所述第一信號導線22是電性連接所述第一觸控感應電極21。另外，在所述第二側面1B上的所述第二觸控導電層4及所述第二輔助導電層5之上皆被蝕刻形成一與所述第二光阻跡線圖案7P相應的第二觸控導電跡線圖案4P，其中，所述第二觸控導電跡線圖案4P中至少包含有一第二觸控感應電極41的圖案部份及一第二信號導線42的圖案部份；在本實施例中，所述第二觸控感應電極41是沿第二方向(亦即Y軸向)的串列狀設置，所述第二信號導線42是電性連接所述第一觸控感應電極41。

請參閱如圖6及圖7所示，接續，在所述基板1的第一側面1A實施第三黃光製程，其實施技術手段與前述第一黃光製程雷同，所以不再重複贅述，因此可在第一側面1A上的第三光阻層8上顯影形成一第三光阻跡線圖案8P。另外，也在所述基板1的第二側面1B實施第四黃光製程，其實施技術手段與前述第一黃光製程雷同，所以不再重複贅述，因此可在所述第二側面1B的第四光阻層9上顯影形成一第四光阻跡線圖案9P。

在前述第三及第四黃光製程中，由於第三光阻跡線圖案8P被設置在所述第一輔助導電層3的第一觸控導電跡線圖案2P的區域範圍內，以及第四光阻跡線圖案9P被設置在所述第二輔助導電層5的第二觸控導電跡線圖案4P的區域範圍內，且因該第一輔助導電層3和該二輔助導電層5是一種不透光的導電薄膜(銅薄膜)，所以在該基板1的二側面1A、1B同時地或分別地進行前述第三黃光製程與第四黃光製程時，該第三光阻層8與該第四光阻層9的曝光和顯影操作都不會彼此互相干涉影響。

再請參閱圖8所示，接續，對所述基板1的第一側面1A和第二側面1B同時實施一第二蝕刻製程，使用一第二蝕刻劑對在所述基板1的第一輔助導電層3和所述第二輔助導電層5進行蝕刻，以去除掉那些沒有被所述第三光阻層8和所述第四光阻層9保護的材料部份；其中，所述第二蝕刻劑不會對所述第一觸控導電層2與所述第二觸控導電層4的氧化銦錫(ITO)材料產生蝕刻作用；在本實施例中，所述第二蝕刻劑的成分中至少包含有硝酸鐵Fe(NO₃)₃。所述第二蝕刻製程的具體實施技術手段與前述第一蝕刻製程雷同，所以不再重複贅述。

最後，進行第二剝膜製程以將所述基板1上的所述第三光阻層8和所述第四光阻層9剝除，所述第二剝膜製程的具體實施技術手段與前述第一剝膜製程雷同，所以不再重複贅述。

如圖9及圖10所示，當完成第二剝膜製程後，在所述第一側面1A的所述第一輔助導電層3上被蝕刻形成一與所述第三光阻跡 線圖案8P相應的第一輔助導電跡線圖案3P(請同時參閱圖13)，而所述第一觸控導電層2上仍然保持有原先該第一蝕刻製程形成的所述第一觸控導電跡線圖案2P；其中，所述第一輔助導電跡線圖案3P中包含至少一第一微型輔助導電單元31的圖案部份及一第一輔助信號導線32的圖案部份；特別是，所述第一微型輔助導電單元31被設置在所述第一觸控感應電極21的區域範圍內，且其遮光率(Shading rate)在1%以下，而所述第一輔助信號導線32的至少一部份是重疊的形成在所述第一信號導線22的區域範圍內。

另外，在所述第二側面1B上的所述第二輔助導電層5上被蝕刻形成一與所述第四光阻跡線圖案9P相應的第二輔助導電跡線圖案5P，而所述第二觸控導電層4上仍然保持有原先該第一蝕刻製程形成的所述第二觸控導電跡線圖案4P；其中，所述第二輔助導電跡線圖案5P中包含至少一第二微型輔助導電單元51的圖案部份及一第二輔助信號導線52的圖案部份；特別是，所述第二微型輔助導電單元51被設置在所述第二觸控感應電極41的區域範圍內，且其遮光率在1%以下，而所述第二輔助信號導線52的至少一部份是重疊的形成在所述第二信號導線42的區域範圍內。在本實施例中所述第一觸控導電跡線圖案2P、所述第一輔助導電跡線圖案3P、所述第二觸控導電跡線圖案4P和所述第二輔助導電跡線圖案5P共同形成一電容式觸控感應器。

根據上述說明，本發明主要是通過在觸控導電跡線圖案2P、4P上設置輔助導電跡線圖案3P、5P，以達降低其面電阻率的目的，而且在該觸控感應器的可瞻區域範圍(約略等同於觸控工作區 域)內，該等觸控感應電極21、41上所設置的微型輔助導電單元31、51雖然是由不透光的導電薄膜所形成的，但因其具有極低的遮光率(在1%以下)，所以對該等觸控感應電極21、41可瞻性的影響是微乎其微。

如圖9至圖18所示者為一種根據本發明前述第一實施例的製造方法所製備而成的觸控感應器，其主要特徵是在觸控感應電極上設有高電性的微型輔助導電單元，以及在信號導線上電性搭接一高電性的輔助導電線，藉此來減降觸控感應電極及導電線的面電阻值，以便在不降低光學特性條件下使觸控感應器具備符合所需的阻值規格。

在下述實施例中是以一電容式觸控感應器為例進行說明；該觸控感應器其至少包含：一基板1、一第一觸控導電層2、一第二觸控導電層3、一第一輔助導電層4及一第二輔助導電層5，其中，在該基板1的二側面分別設有第一觸控導電跡線圖案2P和所述第二觸控導電跡線圖案4P，並在所述所述第一觸控導電跡線圖案2P上電性搭接第一輔助導電跡圖案3P，在第二觸控導電跡線圖案4P上電性搭接第二輔助導電跡圖案5P。

該基板1為一具備介電性、高透光率的板材，其材料是選自於玻璃、聚碳酸酯脂(PC)、聚脂(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或環烯烴共聚合物(COC)…等，但實施的材料範圍不以前述材料為限，各類軟性、硬性或可撓性的透明基板均適用。該第一觸控導電層2和所述第二觸控導電層4是由相同材料形成的透明的導電薄 膜，該透明的導電薄膜的材料是選自於氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁、氧化錫銻、聚乙撐二氧噻吩等金屬氧化物或石墨烯，但不限定於此；較佳的，第一觸控導電層2和第二觸控導電層4的面電阻率介於80~150ohm/sq之間。而第一輔助導電層3和第二輔助導電層5也是由相同材料形成的不透光的導電薄膜，該不透光的導電薄膜的材料是選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金等，但不限定於此；較佳的，第一輔助導電層3和第二輔助導電層5的面電阻率介於0.05~0.2ohm/sq之間。根據前述說明，選用的第一輔助導電層3的面電阻率低於第一觸控導電層2，同樣的，選用的第二輔助導電層5的面電阻率低於第二觸控導電層4。在本實施例中，該基板1是選用玻璃板材，第一觸控導電層2和第二觸控導電層4是選用目前已廣泛被使用在觸控面板範疇使用的氧化銦錫(ITO)材質的導電薄膜，而第一輔助導電層3和第二輔助導電層5是選用面電阻率低(導電性佳)且價格較平實的銅(Cu)材質的導電薄膜。

在該基板1上被劃分出一觸控工作區域及非觸控工作區域，觸控工作區域位於該基板1的中央部位，非觸控工作區域位於該基板1的四周邊緣部位。

如圖11及圖12所示，該第一觸控導電層2被設置在該基板1之第一側面1A上，第一觸控導電層2具有第一觸控導電跡線圖案2P，在該第一觸控導電跡線圖案2P中包含複數第一觸控感應電極21以及複數第一信號導線22，其中，複數第一觸控感應電極21被布置在所述觸控工作區域內，個別第一觸控感應電極21是沿第一方向(亦即X軸 向)呈複數菱形面的串列狀設置，並在其至少一端緣電性連接至複數第一信號導線22之一，複數第一信號導線22被布置在非觸控工作區域內。

參閱圖11及圖13所示，該第一輔助導電層3電性搭接在第一觸控導電層2之上，第一輔助導電層3具有第一輔助導電跡線圖案3P，第一輔助導電跡線圖案3P是形成在前述第一觸控導電跡線圖案2P所界定的區域範圍內，其中，該第一輔助導電跡線圖案3P包含複數第一微型輔助導電單元31及複數第一輔助信號導線32，第一微型輔助導電單元31被重疊的形成在該第一觸控感應電極21上之至少一部份，第一輔助信號導線32是被重疊的形成在該第一信號導線22上之至少一部份；前述第一微型輔助導電單元31乃為一微細導電跡線圖案，該微細導電跡線圖案是由奈米級尺寸的點、線或面的圖形元素之一或多數組合而成的，在圖14至圖17展示了數個前述微細導電跡線圖案的具體實施範例；而且為了避免妨礙第一觸控感應電極21的透光率，前述第一微型輔助導電單元31是被均勻分布設置在第一觸控感應電極21的表面上，且其遮光率最好是在1%以下，更佳的是在0.05%至0.2%之間；在本發明實施例中該第一微型輔助導電單元31為一條(或複數條)金屬細線，該金屬細線的線徑寬度約在8μm以下，較佳的為5μm以下，且該第一微型輔助導電單元31不連接於第一輔助信號導線32。

請參閱圖18所示，該第二觸控導電層4被設置在該基板1之第二側面1B上，第二觸控導電層4具有第二觸控導電跡線圖案4P，在該第二觸控導電跡線圖案4P中包含複數第二觸控感應電極41以 及複數第二信號導線42，其中，複數第二觸控感應電極41被布置在所述觸控工作區域內，個別第二觸控感應電極41是沿第二方向(亦即Y軸向)呈複數菱形面的串列狀設置，該第二方向正交於前述第一方向，並在其至少一端緣電性連接至複數第二信號導線42之一，複數第二信號導線42被布置在非觸控工作區域內。

該第二輔助導電層5電性搭接在第二觸控導電層4之上，第二輔助導電層5具有第二輔助導電跡線圖案5P，第二輔助導電跡線圖案5P是形成在前述第二觸控導電跡線圖案4P所界定的區域範圍內，其中，該第二輔助導電跡線圖案5P包含複數第二微型輔助導電單元51及複數第二輔助信號導線52，第二微型輔助導電單元51被重疊的形成在該第二觸控感應電極41上之至少一部份，第二輔助信號導線52是被重疊的形成在該第二信號導線42上之至少一部份；第二微型輔助導電單元51乃為一微細導電跡線圖案，該微細導電跡線圖案與前述第一微型輔助導電單元31的微細導電跡線圖案具有相同的設置(請參閱圖14至圖17)；而且為了避免妨礙第二觸控感應電極41的透光率，前述第二微型輔助導電單元51是被均勻分布設置在第二觸控感應電極41的表面上，且其遮光率最好是在1%以下，更佳的是在0.05%至0.2%之間；圖18中顯示，在本發明實施例中該第二微型輔助導電單元51為一條(或複數條)金屬細線，該金屬細線的線徑寬度在8μm以下，較佳的為5μm以下，且該第二微型輔助導電單元51不連接於第二輔助信號導線52。

前述第一觸控導電跡線圖案2P、第一輔助導電跡線圖案3P、第二觸控導電跡線圖案4P和第二輔助導電跡線圖案5P共同形成一電容式觸控感應器。第二輔助導電跡線圖案3P用以降低第一觸控導電跡線圖案2P的面電阻率，第二輔助導電跡線圖案5P用以降低所述第二觸控導電跡線圖案4P的面電阻率。

第二實施例

在圖19至圖27中描述本發明製造方法的第二實施例，其加工步驟如後詳述：參閱圖19所示，首先，提供一高透光率的介電基板1，在該介電基板1之第一側面1A上依序疊合設置一第一觸控導電層2與一第一輔助導電層3，在第二側面1B上依序疊合設置一第二觸控導電層4與一第二輔助導電層5，所述第一側面1A隔著所述基板1與所述第二側面1B相對。

其中，所述基板1的材料是選自於玻璃、聚碳酸酯脂(PC)、聚脂(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或環烯烴共聚合物(COC)…等，但實施的材料範圍不以前述材料為限，各類軟性、硬性或可撓性的透明基板均適用。所述第一觸控導電層2和所述第二觸控導電層4是由相同材料形成的透明的導電薄膜，該透明的導電薄膜的材料是選自於氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁、氧化錫銻、聚乙撐二氧噻吩等金屬氧化物或石墨烯，但不限定於此；較佳的，所述第一觸控導電層2和所述第二觸控導電層4的面電阻率介於80~150ohm/sq之 間。而所述第一輔助導電層3和所述第二輔助導電層5也是由相同材料形成的不透光的導電薄膜，該不透光的導電薄膜的材料是選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金等，但不限定於此；較佳的，所述第一輔助導電層3和所述第二輔助導電層5的面電阻率介於0.05~0.2ohm/sq之間。如前所述，選用的所述第一輔助導電層3的面電阻率低於所述第一觸控導電層2，且所述第一輔助導電層3被電性疊接在所述第一觸控導電層2之上；同樣的，選用的所述第二輔助導電層5的面電阻率低於所述第二觸控導電層4，且所述第二輔助導電層5電性疊接在所述第二觸控導電層4之上。在本實施例中，所述第一觸控導電層2和所述第二觸控導電層4是選用目前已廣泛被使用在觸控面板範疇使用的氧化銦錫(ITO)材質的導電薄膜，而所述第一輔助導電層3和所述第二輔助導電層5是選用面電阻率低(導電性佳)且價格較平實的銅(Cu)材質的導電薄膜。

如圖19及圖20所示，對所述基板1的第一側面1A實施第一黃光製程，所述第一黃光製程的實施技術手段與前述第一實施例的第一黃光製程雷同，所以不再重複贅述；通過所述第一黃光製程可在該第一光阻層6上顯影形成一第一光阻跡線圖案6P。另外，也在所述基板1的第二側面1B實施第二黃光製程，所述第二黃光製程的實施技術手段與前述第一實施例的第一黃光製程雷同，所以不再重複贅述；因此可在所述第二側面1B的第二光阻層7上顯影形成一第二光阻跡線圖案7P。

再請參閱圖21所示，接續，對所述基板1的第一側面1A和第二側面1B同時實施一第一蝕刻製程，使用一第一蝕刻劑對在所述基板1的各導電層進行蝕刻，以去除掉那些沒有被所述第一光阻層6和所述第二光阻層7保護的材料部份；所述第一蝕刻劑為一種複合型蝕刻劑，可對所述第一觸控導電層2與所述第二觸控導電層4的氧化銦錫(ITO)材料，以及所述第一輔助導電層3與所述第二輔助導電層5的銅(Cu)材料均可產生蝕刻作用；所述第一蝕刻劑的成分中至少包含有硝酸鐵Fe(NO₃)₃與鹽酸HCl；所述第一蝕刻製程的實施技術手段與前述第一實施例的第一蝕刻製程雷同，所以不再重複贅述。

再進行第一剝膜製程以將所述基板1上的所述第一光阻層6和所述第二光阻層7剝除，所述第一剝膜製程的實施技術手段與前述第一實施例的第一剝膜製程雷同，所以不再重複贅述。如圖22所示，當完成第一剝膜製程後，在所述第一側面1A上的所述第一觸控導電層2及所述第一輔助導電層3之上皆被蝕刻形成一與所述第一光阻跡線圖案6P相應的第一觸控導電跡線圖案2P，其中，所述第一觸控導電跡線圖案2P中至少包含有複數第一觸控感應電極21A的圖案部份、複數第二觸控感應電極21B的圖案部份及複數第一信號導線22的圖案部份，其中，第一觸控感應電極21A與第二觸控感應電極21B是沿第一方向(亦即X軸向)呈串列狀設置，且彼此呈平行且間隔排列，並在其至少一端緣電性連接至該第一信號導線22。另外，在所述第二側面1B上的所述第二觸控導電層4及所述第二輔助導電層5之上皆被蝕刻形成一與所述第二光阻跡線圖案7P相應的第二觸控導電跡線圖案4P， 其中，所述第二觸控導電跡線圖案4P中至少包含有複數第三觸控感應電極41A的圖案部份、複數第四觸控感應電極41B的圖案部份及複數第二信號導線42的圖案部份，其中，第三觸控感應電極41A與第四觸控感應電極41B是沿第二方向(亦即Y軸向)呈串列狀設置，且彼此呈平行且間隔排列，並在其至少一端緣電性連接至該第二信號導線42。

請參閱如圖23及圖24所示，接續，在所述基板1的第一側面1A實施第三黃光製程，其實施技術手段與前述第一實施例的第一黃光製程雷同，所以不再重複贅述；通過所述第三黃光製程可在第一側面1A上的第三光阻層8上顯影形成一第三光阻跡線圖案8P。另外，也在所述基板1的第二側面1B實施第四黃光製程，其實施技術手段與前述第一實施例的第一黃光製程雷同，所以不再重複贅述，因此可在所述第二側面1B的第四光阻層9上顯影形成一第四光阻跡線圖案9P。

再如圖25所示，接續，對所述基板1的第一側面1A和第二側面1B同時實施一第二蝕刻製程，使用一第二蝕刻劑對在所述基板1的第一輔助導電層3和所述第二輔助導電層5進行蝕刻，以去除掉那些沒有被所述第三光阻層8和所述第四光阻層7保護的材料部份；其中，所述第二蝕刻劑不會對所述第一觸控導電層2與所述第二觸控導電層4的氧化銦錫(ITO)材料產生蝕刻作用；在本實施例中，所述第二蝕刻劑的成分中至少包含有硝酸鐵Fe(NO₃)₃。所述第二蝕刻製程的具體實施技術手段與前述第一實施例的第一蝕刻製程雷同，所以不再重複贅述。

最後，進行第二剝膜製程以將所述基板1上的所述第三光阻層8和所述第四光阻層9剝除，所述第二剝膜製程的具體實施技術手段與前述第一實施例的第一剝膜製程雷同，所以不再重複贅述。

如圖26及圖27所示，當完成第二剝膜製程後，在所述第一側面1A的所述第一輔助導電層3上被蝕刻形成一與所述第三光阻跡線圖案8P相應的第一輔助導電跡線圖案3P，而所述第一觸控導電層2上仍然保持有原先該第一蝕刻製程形成的所述第一觸控導電跡線圖案2P；其中，所述第一輔助導電跡線圖案3P中包含複數第一微型輔助導電單元31的圖案部份及複數第一輔助信號導線32的圖案部份；特別是，第一微型輔助導電單元31被設置在前述第一觸控感應電極21A與第二觸控感應電極21B的區域範圍內，且其遮光率在1%以下，第一輔助信號導線32的至少一部份重疊的形成在前述第一信號導線22的區域範圍內。

另外，在所述第二側面1B上的所述第二輔助導電層5上被蝕刻形成一與所述第四光阻跡線圖案9P相應的第二輔助導電跡線圖案5P，而所述第二觸控導電層4上仍然保持有原先該第一蝕刻製程形成的所述第二觸控導電跡線圖案4P；其中，所述第二輔助導電跡線圖案5P中包含複數第二微型輔助導電單元51的圖案部份及複數第二輔助信號導線52的圖案部份；特別是，所述第二微型輔助導電單元51被設置在前述第三觸控感應電極41A與第四觸控感應電極41B的區域範圍內，且其遮光率在1%以下，而第二輔助信號導線52的至少一部份是重疊的形成在前述第二信號導線42的區域範圍內。

在本實施例中，所述第一觸控導電跡線圖案2P、所述第一輔助導電跡線圖案3P、所述第二觸控導電跡線圖案4P和所述第二輔助導電跡線圖案5P共同形成二個獨立的觸控感應器，其中，第一觸控感應電極21A與第一微型輔助導電單元31共同形成為第一方向(X軸向)電容觸控感應電極，第三觸控感應電極41A與第二微型輔助導電單元51共同形成為第二方向(Y軸向)電容觸控感應電極，而複數的第一方向電容觸控感應電極與複數的第二方向電容觸控感應電極共同形成一電容式觸控感應器；第二觸控感應電極21B與第一微型輔助導電單元31共同形成為第一方向(X軸向)電磁觸控感應電極，第四觸控感應電極41A與第二微型輔助導電單元51共同形成為第二方向(Y軸向)電磁觸控感應電極，而複數的第一方向電磁觸控感應電極與複數的第二方向電磁觸控感應電極共同形成一電磁式觸控感應器。

本發明通過在觸控導電跡線圖案2P、4P上設置輔助導電跡線圖案3P、5P，以達降低其面電阻率的目的，而且在該觸控感應器的可瞻區域範圍內，該等觸控感應電極21A、21B、41a、41B上所設置的該等微型輔助導電單元31、51具有極低的遮光率(在1%以下)，對其可瞻性影響是微乎其微。

如圖26至圖29所示者為一種根據本發明前述第二實施例的製造方法所製備而成的觸控感應器，其主要特徵是在一個觸控感應器結構中同時具有二個獨立的觸控感應器，且在其觸控感應電極上設有高電性的微型輔助導電單元，以及在信號導線上電性搭接一高電 性的輔助導電線，藉此來減降觸控感應電極及導電線的面電阻值，以便在不降低光學特性條件下使觸控感應器具備符合所需的阻值規格。

在下述實施例中是以一種兼具電容式與電磁式的觸控感應器為例進行說明；該觸控感應器其至少包含：一基板1、一第一觸控導電層2、一第二觸控導電層3、一第一輔助導電層4及一第二輔助導電層5，其中，該基板1為一具備介電性、高透光率的板材，該第一觸控導電層2和所述第二觸控導電層4是由相同材料形成的透明的氧化銦錫導電薄膜，其具有面電阻率介於80~150ohm/sq之間。而該第一輔助導電層3和第二輔助導電層5也是由相同材料形成的不透光的銅導電薄膜，其具有面電阻率介於0.05~0.2ohm/sq之間。

在該基板1上被劃分出一觸控工作區域及非觸控工作區域，觸控工作區域位於該基板1的中央部位，非觸控工作區域位於該基板1的四周邊緣部位。

如圖26及圖28所示，該第一觸控導電層2被設置在該基板1之第一側面1A上，第一觸控導電層2具有第一觸控導電跡線圖案2P，在該第一觸控導電跡線圖案2P中包含複數第一觸控感應電極21A、複數第二觸控感應電極21B以及複數第一信號導線22，其中，第一觸控感應電極21A與第二觸控感應電極21B被布置在所述觸控工作區域內，第一觸控感應電極21A呈複數菱形面的串列狀與第二觸控感應電極21B呈長條狀是沿第一方向(X軸向)設置，且彼此呈平行且間隔排列，並在其至少一端緣電性連接至第一信號導線22，該等第一信號導線22被布置在非觸控工作區域內。

該第一輔助導電層3電性搭接在第一觸控導電層2之上，第一輔助導電層3具有第一輔助導電跡線圖案3P，第一輔助導電跡線圖案3P是形成在前述第一觸控導電跡線圖案2P所界定的區域範圍內，其中，該第一輔助導電跡線圖案3P包含複數第一微型輔助導電單元31及複數第一輔助信號導線32，第一微型輔助導電單元31是被重疊的形成在第一觸控感應電極21A與第二觸控感應電極21B的區域範圍內，第一輔助信號導線32是被重疊的形成在第一信號導線22的區域範圍之至少一部份；前述第一微型輔助導電單元31乃為一微細導電跡線圖案，該微細導電跡線圖案是由奈米級尺寸的點、線或面的圖形元素之一或多數組合而成的；而且為了避免妨礙第一觸控感應電極21的透光率，前述第一微型輔助導電單元31是被均勻分布設置在第一觸控感應電極21A與第二觸控感應電極21B的表面上，且其遮光率最好是在1%以下，更佳的是在0.05%至0.2%之間；在本發明實施例中該第一微型輔助導電單元31為一條(或複數條)金屬細線，該金屬細線的線徑寬度約在8μm以下，較佳的為5μm以下，且該第一微型輔助導電單元31不連接於第一輔助信號導線32。

請參閱圖26及圖29所示，該第二觸控導電層4被設置在該基板1之第二側面1B上，第二觸控導電層4具有第二觸控導電跡線圖案4P，在該第二觸控導電跡線圖案4P中包含複數第三觸控感應電極41A、複數第四觸控感應電極41B以及複數第二信號導線42，其中，複數第二觸控感應電極41被布置在所述觸控工作區域內，第三觸控感應電極41A呈複數菱形面的串列狀與第四觸控感應電極41B長條狀是 沿第二方向(Y軸向)設置，且彼此呈平行且間隔排列，並在其至少一端緣電性連接至第二信號導線42，該等第二信號導線42被布置在非觸控工作區域內。

該第二輔助導電層5電性搭接在第二觸控導電層4之上，第二輔助導電層5具有第二輔助導電跡線圖案5P，第二輔助導電跡線圖案5P是形成在前述第二觸控導電跡線圖案4P所界定的區域範圍內，其中，該第二輔助導電跡線圖案5P包含複數第二微型輔助導電單元51及複數第二輔助信號導線52，第二微型輔助導電單元51是被重疊的形成在第三觸控感應電極41A與第四觸控感應電極41B的區域範圍內，第二輔助信號導線52是被重疊的形成在該第二信號導線42的區域範圍之之至少一部份；第二微型輔助導電單元51乃為一微細導電跡線圖案，該微細導電跡線圖案與前述第一微型輔助導電單元31的微細導電跡線圖案具有相同的設置；而且為了避免妨礙第二觸控感應電極41的透光率，前述第二微型輔助導電單元51是被均勻分布設置在第二觸控感應電極41的表面上，且其遮光率最好是在1%以下，更佳的是在0.05%至0.2%之間；圖16中顯示，在本發明實施例中該第二微型輔助導電單元51為一條(或複數條)金屬細線，該金屬細線的線徑寬度約在8μm以下，較佳的為5μm以下，且該第二微型輔助導電單元51不連接於第二輔助信號導線52。

所述第一觸控導電跡線圖案2P、所述第一輔助導電跡線圖案3P、所述第二觸控導電跡線圖案4P和所述第二輔助導電跡線圖案5P共同形成二個獨立的觸控感應器，其中，第一觸控感應電極21A 與第一微型輔助導電單元31共同形成為第一方向(X軸向)電容觸控感應電極，第三觸控感應電極41A與第二微型輔助導電單元51共同形成為第二方向(Y軸向)電容觸控感應電極，而複數的第一方向電容觸控感應電極與複數的第二方向電容觸控感應電極共同形成一電容式觸控感應器；第二觸控感應電極21B與第一微型輔助導電單元31共同形成為第一方向(X軸向)電磁觸控感應電極，第四觸控感應電極41A與第二微型輔助導電單元51共同形成為第二方向(Y軸向)電磁觸控感應電極，而複數的第一方向電磁觸控感應電極與複數的第二方向電磁觸控感應電極共同形成一電磁式觸控感應器。前述第二輔助導電跡線圖案3P用以降低所述第一觸控導電跡線圖案2P的面電阻率，所述第二輔助導電跡線圖案5P用以降低所述第二觸控導電跡線圖案4P的面電阻率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技術者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之發明申請專利範圍所界定者為準。

Claims (33)

1. 一種在觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其包含下列步驟：製備導電基板：在一介電基板之第一側面上依序疊合設置一第一觸控導電層與一第一輔助導電層，在第二側面上依序疊合設置一第二觸控導電層與一第二輔助導電層，所述第一側面隔著所述基板與所述第二側面相對，其中，所述第一觸控導電層和所述第二觸控導電層是由相同材料形成的透明的導電薄膜，所述第一輔助導電層和所述第二輔助導電層是由相同材料形成的不透光的導電薄膜，所述第一輔助導電層的面電阻率低於所述第一觸控導電層，所述第一輔助導電層電性疊接在所述第一觸控導電層之上，所述第二輔助導電層的面電阻率低於所述第二觸控導電層，所述第二輔助導電層電性疊接在所述第二觸控導電層之上；第一黃光製程：在所述基板之所述第一側面上設置一第一光阻層，並在所述第一光阻層上顯影形成一第一光阻跡線圖案，所述第一光阻跡線圖案中至少包含有一第一觸控感應電極的圖案部份及一第一信號導線的圖案部份，其中，所述第一觸控感應電極是沿第一方向呈串列狀設置，所述第一信號導線是電性連接所述第一觸控感應電極；第二黃光製程：在所述基板之所述第二側面上設置一第二光阻層，並在所述第二光阻層上顯影形成一第二光阻跡線圖案，所述第二光阻跡線圖案中至少包含有一第二觸控感應電極的圖案部份及一第二信號導線的圖案部份，其中，所述第二觸控感應電極是沿第二方向呈串列狀設置，所述第二信號導線是電性連接所述第二觸控感應電極； 第一蝕刻製程：使用一第一蝕刻劑對所述第一觸控導電層、所述第一輔助導電層、所述第二觸控導電層和所述第二輔助導電層進行蝕刻，以去除掉那些沒有被所述第一光阻層和所述第二光阻層保護的材料部份；第一剝膜製程：移除所述第一光阻層和所述第二光阻層，因此在所述基板之所述第一側面上的所述第一觸控導電層及所述第一輔助導電層之上皆被蝕刻形成一與所述第一光阻跡線圖案相應的第一觸控導電跡線圖案，在所述基板之所述第二側面上的所述第二觸控導電層及所述第二輔助導電層之上皆被蝕刻形成一與所述第二光阻跡線圖案相應的第二觸控導電跡線圖案；第三黃光製程：在所述基板之所述第一側面上設置一第三光阻層，並在所述第三光阻層上顯影形成一第三光阻跡線圖案，所述第三光阻跡線圖案中包含至少一第一微型輔助導電單元的圖案部份及一第一輔助信號導線的圖案部份，其中，所述第一微型輔助導電單元是設置在所述第一觸控感應電極的區域範圍內，所述第一輔助信號導線的至少一部份重疊的形成在所述第一信號導線的區域範圍內；第四黃光製程：在所述基板之所述第二側面上設置一第四光阻層，並在所述第四光阻層上顯影形成一第四光阻跡線圖案，所述第四光阻跡線圖案中包含至少一第二微型輔助導電單元的圖案部份及一第二輔助信號導線的圖案部份，其中，所述第二微型輔助導電單元是設置在所述第二觸控感應電極的區域範圍內，所述第二輔助信號導線的至少一部份重疊的形成在所述第二信號導線的區域範圍內；第二蝕刻製程：使用一第二蝕刻劑對所述第一輔助導電層和所述第二輔助導電層進行蝕刻，以去除掉那些沒有被所述第三光阻層和所 述第四光阻層保護的材料部份，所述第二蝕刻劑不會與所述第一觸控導電層和所述第二觸控導電層的材料產生蝕刻反應；以及第二剝膜製程：移除所述第三光阻層和所述第四光阻層，因此在所述基板之所述第一側面上的所述第一輔助導電層上被蝕刻形成一與所述第三光阻跡線圖案相應的第一輔助導電跡線圖案，而所述第一觸控導電層上仍然保持所述第一觸控導電跡線圖案的圖案，在所述基板之所述第二側面上的所述第二輔助導電層上被蝕刻形成一與所述第四光阻跡線圖案相應的第二輔助導電跡線圖案，而所述第二觸控導電層上仍然保持所述第二觸控導電跡線圖案的圖案；其中，所述第一觸控導電跡線圖案、所述第一輔助導電跡線圖案、所述第二觸控導電跡線圖案和所述第二輔助導電跡線圖案共同形成一觸控感應器；所述第一輔助導電跡線圖案用以降低所述第一觸控導電跡線圖案的面電阻率，所述第二輔助導電跡線圖案用以降低所述第二觸控導電跡線圖案的面電阻率。
2. 如請求項1所述的在觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其中，所述第一觸控導電層和所述第二觸控導電層的面電阻率介於80~150ohm/sq之間，所述第一輔助導電層和所述第二輔助導電層的面電阻率介於0.05~0.2ohm/sq之間。
3. 如請求項1所述的在觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其中，所述第一觸控導電層和所述第二觸控導電層的材料選自於氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁、氧化錫銻或聚乙撐二氧噻吩之一。
4. 如請求項1所述的在觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其中，所述第一輔助導電層和所述第二輔助 導電層的材料選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金之一。
5. 如請求項1所述的在觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其中，所述第一蝕刻劑為一種複合型蝕刻劑，可對所述第一觸控導電層、所述第一輔助導電層、所述第二觸控導電層和所述第二輔助導電層的材料產生蝕刻作用。
6. 如請求項1所述的在觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其中，所述第一觸控導電層和所述第二觸控導電層是由氧化銦錫材料形成，所述第一輔助導電層和所述第二輔助導電層是由銅材料形成。
7. 如請求項6所述的在觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其中，所述第一蝕刻劑包含硝酸鐵與鹽酸，所述第二蝕刻劑為硝酸鐵。
8. 如請求項1所述的在觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其中，在所述第一光阻層上顯影形成所述第一光阻跡線圖案，以及在所述第二光阻層上顯影形成所述第二光阻跡線圖案，二者是同時進行者。
9. 如請求項1所述的在觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其中，在所述第三光阻層上顯影形成所述第三光阻跡線圖案，以及在所述第四光阻層上顯影形成所述第四光阻跡線圖案，二者是同時進行者。
10. 一種如請求項1至9中任一項所述的製造方法所製成的觸控感應器，其包含： 一基板，為一具備介電性、高透光率的板材，在所述基板上被界定出一觸控工作區域及一非觸控工作區域，所述觸控工作區域位於所述基板的中央部位，所述非觸控工作區域位於所述基板的四周邊緣部位；一第一觸控導電層，為一透明的導電薄膜，其被設置在所述基板之第一側面上，所述第一觸控導電層具有第一觸控導電跡線圖案，所述第一觸控導電跡線圖案包含複數第一觸控感應電極以及複數第一信號導線，其中，複數所述第一觸控感應電極被布置在所述觸控工作區域內，個別所述第一觸控感應電極是沿第一方向呈串列狀設置，並在其至少一端緣電性連接至複數所述第一信號導線之一，複數所述第一信號導線被布置在所述非觸控工作區域內；一第一輔助導電層，為一不透光的導電薄膜，其電性搭接在所述第一觸控導電層之上，所述第一輔助導電層的面電阻率低於所述第一觸控導電層，所述第一輔助導電層具有第一輔助導電跡線圖案，所述第一輔助導電跡線圖案是形成在所述第一觸控導電跡線圖案所界定的區域範圍內，其中，所述第一輔助導電跡線圖案包含複數第一微型輔助導電單元及複數第一輔助信號導線，所述第一微型輔助導電單元是被重疊的形成在所述第一觸控感應電極的區域範圍內，所述第一輔助信號導線是被重疊的形成在所述第一信號導線的區域範圍之至少一部份；一第二觸控導電層，為一透明的導電薄膜，其設置在所述基板之第二側面上，所述第二觸控導電層具有第二觸控導電跡線圖案，所述第二觸控導電跡線圖案包含複數第二觸控感應電極以及複數第二信號導線，其中，複數所述第二觸控感應電極被布置在所述觸控工作區域 內，個別所述第二觸控感應電極是沿第二方向呈串列狀設置，並在其至少一端緣電性連接至複數所述第二信號導線之一，複數所述第二信號導線被布置在非觸控工作區域內，所述第二方向正交於所述第一方向；以及一第二輔助導電層，為一不透光的導電薄膜，其電性搭接在所述第二觸控導電層之上，所述第二輔助導電層的面電阻率低於所述第二觸控導電層，所述第二輔助導電層具有第二輔助導電跡線圖案，所述第二輔助導電跡線圖案是形成在所述第二觸控導電跡線圖案所界定的區域範圍內，其中，所述第二輔助導電跡線圖案包含複數第二微型輔助導電單元及複數第二輔助信號導線，所述第二微型輔助導電單元是被重疊的形成在所述第二觸控感應電極的區域範圍內，所述第二輔助信號導線是被重疊的形成在所述第二信號導線的區域範圍之至少一部份；其中，所述第一觸控導電跡線圖案、所述第一輔助導電跡線圖案、所述第二觸控導電跡線圖案和所述第二輔助導電跡線圖案共同形成一觸控感應器；所述第一輔助導電跡線圖案用以降低所述第一觸控導電跡線圖案的面電阻率，所述第二輔助導電跡線圖案用以降低所述第二觸控導電跡線圖案的面電阻率。
11. 如請求項10所述的觸控感應器，其中，所述第一微型輔助導電單元和所述第二微型輔助導電單元為一微細導電跡線圖案，所述微細導電跡線圖案是由奈米級尺寸的點、線或面的圖形元素之一或多數組合而成的。
12. 如請求項11所述的觸控感應器，其中，所述第一微型輔助導電單元是被均勻分布設置在所述第一觸控感應電極的表面上，且其遮光率在1%以下，以及所述第二微型輔助導電單元是被均 勻分布設置在所述第二觸控感應電極的表面上，且其遮光率在1%以下。
13. 如請求項12所述的觸控感應器，其中，所述遮光率在0.05%至0.2%之間。
14. 如請求項11所述的觸控感應器，其中，所述第一微型輔助導電單元以及所述第二微型輔助導電單元為一條或複數條的金屬細線，所述金屬細線的線徑寬度在8μm以下。
15. 如請求項10所述的觸控感應器，其中，所述第一微型輔助導電單元不連接於所述第一輔助信號導線，所述第二微型輔助導電單元不連接於所述第二輔助信號導線。
16. 一種在多觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其包含下列步驟：製備導電基板：在一介電基板之第一側面上依序疊合設置一第一觸控導電層與一第一輔助導電層，在第二側面上依序疊合設置一第二觸控導電層與一第二輔助導電層，所述第一側面隔著所述基板與所述第二側面相對，其中，所述第一觸控導電層和所述第二觸控導電層是由相同材料形成的透明的導電薄膜，所述第一輔助導電層和所述第二輔助導電層是由相同材料形成的不透光的導電薄膜，所述第一輔助導電層的面電阻率低於所述第一觸控導電層，所述第一輔助導電層電性疊接在所述第一觸控導電層之上，所述第二輔助導電層的面電阻率低於所述第二觸控導電層，所述第二輔助導電層電性疊接在所述第二觸控導電層之上；第一黃光製程：在所述基板之所述第一側面上設置一第一光阻層，並在所述第一光阻層上顯影形成一第一光阻跡線圖案，所述第一 光阻跡線圖案中至少包含有複數第一觸控感應電極的圖案部份、複數第二觸控感應電極的圖案部份及複數第一信號導線的圖案部份，其中，所述第一觸控感應電極與所述第二觸控感應電極是沿第一方向呈串列狀設置，且彼此呈平行且間隔排列，並在其至少一端緣電性連接至複數所述第一信號導線之一；第二黃光製程：在所述基板之所述第二側面上設置一第二光阻層，並在所述第二光阻層上顯影形成一第二光阻跡線圖案，所述第二光阻跡線圖案中至少包含有複數第三觸控感應電極的圖案部份、複數第四觸控感應電極的圖案部份及複數第二信號導線的圖案部份，其中，所述第三觸控感應電極與所述第四觸控感應電極是沿第二方向呈串列狀設置，且彼此呈平行且間隔排列，並在其至少一端緣電性連接至複數所述第二信號導線之一；第一蝕刻製程：使用一第一蝕刻劑對所述第一觸控導電層、所述第一輔助導電層、所述第二觸控導電層和所述第二輔助導電層進行蝕刻，以去除掉那些沒有被所述第一光阻層和所述第二光阻層保護的材料部份；第一剝膜製程：移除所述第一光阻層和所述第二光阻層，因此在所述基板之所述第一側面上的所述第一觸控導電層及所述第一輔助導電層之上皆被蝕刻形成一與所述第一光阻跡線圖案相應的第一觸控導電跡線圖案，在所述基板之所述第二側面上的所述第二觸控導電層及所述第二輔助導電層之上皆被蝕刻形成一與所述第二光阻跡線圖案相應的第二觸控導電跡線圖案；第三黃光製程：在所述基板之所述第一側面上設置一第三光阻層，並在所述第三光阻層上顯影形成一第三光阻跡線圖案，所述第三 光阻跡線圖案中包含複數第一微型輔助導電單元的圖案部份及複數第一輔助信號導線的圖案部份，其中，所述第一微型輔助導電單元是設置在所述第一觸控感應電極與所述第二觸控感應電極的區域範圍內，所述第一輔助信號導線的至少一部份重疊的形成在所述第一信號導線的區域範圍內；第四黃光製程：在所述基板之所述第二側面上設置一第四光阻層，並在所述第四光阻層上顯影形成一第四光阻跡線圖案，所述第四光阻跡線圖案中包含複數第二微型輔助導電單元的圖案部份及複數第二輔助信號導線的圖案部份，其中，所述第二微型輔助導電單元是設置在所述第三觸控感應電極與所述第四觸控感應電極的區域範圍內，所述第二輔助信號導線的至少一部份重疊的形成在所述第二信號導線的區域範圍內；第二蝕刻製程：使用一第二蝕刻劑對所述第一輔助導電層和所述第二輔助導電層進行蝕刻，以去除掉那些沒有被所述第三光阻層和所述第四光阻層保護的材料部份，所述第二蝕刻劑不會與所述第一觸控導電層和所述第二觸控導電層的材料產生蝕刻反應；以及第二剝膜製程：移除所述第三光阻層和所述第四光阻層，因此在所述基板之所述第一側面上的所述第一輔助導電層上被蝕刻形成一與所述第三光阻跡線圖案相應的第一輔助導電跡線圖案，而所述第一觸控導電層上仍然保持所述第一觸控導電跡線圖案的圖案，在所述基板之所述第二側面上的所述第二輔助導電層上被蝕刻形成一與所述第四光阻跡線圖案相應的第二輔助導電跡線圖案，而所述第二觸控導電層上仍然保持所述第二觸控導電跡線圖案的圖案；其中，所述第一觸控導電跡線圖案、所述第一輔助導電跡線圖案、所述第二觸控導電跡線 圖案和所述第二輔助導電跡線圖案共同形成至少二個獨立的觸控感應器；所述第一輔助導電跡線圖案用以降低所述第一觸控導電跡線圖案的面電阻率，所述第二輔助導電跡線圖案用以降低所述第二觸控導電跡線圖案的面電阻率。
17. 如請求項16所述的在多觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其中，所述第一觸控導電層和所述第二觸控導電層的面電阻率介於80~150ohm/sq之間，所述第一輔助導電層和所述第二輔助導電層的面電阻率介於0.05~0.2ohm/sq之間。
18. 如請求項16所述的在多觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其中，所述第一觸控導電層和所述第二觸控導電層的材料選自於氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁、氧化錫銻或聚乙撐二氧噻吩之一。
19. 如請求項16所述的在多觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其中，所述第一輔助導電層和所述第二輔助導電層的材料選自於金、銀、銅、鋁、鉬、鎳或前述材料的合金之一。
20. 如請求項16所述的在多觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其中，所述第一蝕刻劑為一種複合型蝕刻劑，可對所述第一觸控導電層、所述第一輔助導電層、所述第二觸控導電層和所述第二輔助導電層的材料產生蝕刻作用。
21. 如請求項16所述的在多觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其中，所述第一觸控導電層和所述第二觸控導電層是由氧化銦錫材料形成，所述第一輔助導電層和所述第二輔助導電層是由銅材料形成。
22. 如請求項21所述的在多觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其中，所述第一蝕刻劑包含硝酸鐵與鹽酸，所述第二蝕刻劑為硝酸鐵。
23. 如請求項16所述的在多觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其中，在所述第一光阻層上顯影形成所述第一光阻跡線圖案，以及在所述第二光阻層上顯影形成所述第二光阻跡線圖案，二者是同時進行者。
24. 如請求項16所述的在多觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其中，在所述第三光阻層上顯影形成所述第三光阻跡線圖案，以及在所述第四光阻層上顯影形成所述第四光阻跡線圖案，二者是同時進行者。
25. 如請求項16所述的在多觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其中，所述第一觸控感應電極與所述第一微型輔助導電單元共同形成為第一方向電容觸控感應電極，所述第三觸控感應電極與所述第二微型輔助導電單元共同形成為第二方向電容觸控感應電極，而複數所述第一方向電容觸控感應電極與複數所述第二方向電容觸控感應電極共同形成一電容式觸控感應器。
26. 如請求項16所述的在觸控感應器的透明電極上形成輔助導電單元的製造方法，其中，所述第二觸控感應電極與所述第一微型輔助導電單元共同形成為第一方向電磁觸控感應電極，所述第四觸控感應電極與所述第二微型輔助導電單元共同形成為第二方向電磁觸控感應電極，所述第一方向電磁觸控感應電極與所述第二方向電磁觸控感應電極共同形成一電磁式觸控感應器。
27. 一種如請求項16至26中任一項所述的製造方法所製 成的觸控感應器，其包含：一基板，為一具備介電性、高透光率的板材，在所述基板上被界定出一觸控工作區域及一非觸控工作區域，所述觸控工作區域位於所述基板的中央部位，所述非觸控工作區域位於所述基板的四周邊緣部位；一第一觸控導電層，為一透明的導電薄膜，其被設置在所述基板之第一側面上，所述第一觸控導電層具有第一觸控導電跡線圖案，所述第一觸控導電跡線圖案包含複數第一觸控感應電極、複數第二觸控感應電極以及複數第一信號導線，其中，複數所述第一觸控感應電極及複數所述第二觸控感應電極被布置在所述觸控工作區域內，所述第一觸控感應電極與所述第二觸控感應電極是沿第一方向呈串列狀設置，且彼此呈平行且間隔排列，並在其至少一端緣電性連接至複數所述第一信號導線之一，複數所述第一信號導線被布置在所述非觸控工作區域內；一第一輔助導電層，為一不透光的導電薄膜，其電性搭接在所述第一觸控導電層之上，所述第一輔助導電層的面電阻率低於所述第一觸控導電層，所述第一輔助導電層具有第一輔助導電跡線圖案，所述第一輔助導電跡線圖案是形成在所述第一觸控導電跡線圖案所界定的區域範圍內，其中，所述第一輔助導電跡線圖案包含複數第一微型輔助導電單元及複數第一輔助信號導線，所述第一微型輔助導電單元是被重疊的形成在所述第一觸控感應電極與所述第二觸控感應電極的區域範圍內，所述第一輔助信號導線是被重疊的形成在所述第一信號導線的區域範圍之至少一部份； 一第二觸控導電層，為一透明的導電薄膜，其設置在所述基板之第二側面上，所述第二觸控導電層具有第二觸控導電跡線圖案，所述第二觸控導電跡線圖案包含複數第三觸控感應電極、複數第四觸控感應電極以及複數第二信號導線，其中，複數所述第三觸控感應電極及複數所述第四觸控感應電極被布置在所述觸控工作區域內，所述第三觸控感應電極與所述第四觸控感應電極是沿第二方向呈串列狀設置，且彼此呈平行且間隔排列，並在其至少一端緣電性連接至複數所述第二信號導線之一，複數所述第二信號導線被布置在所述非觸控工作區域內，所述第二方向正交於所述第一方向；以及一第二輔助導電層，為一不透光的導電薄膜，其電性搭接在所述第二觸控導電層之上，所述第二輔助導電層的面電阻率低於所述第二觸控導電層，所述第二輔助導電層具有第二輔助導電跡線圖案，所述第二輔助導電跡線圖案是形成在所述第二觸控導電跡線圖案所界定的區域範圍內，所述第二輔助導電跡線圖案包含複數第二微型輔助導電單元及複數第二輔助信號導線，所述第二微型輔助導電單元是被重疊的形成在所述第三觸控感應電極與所述第四觸控感應電極的區域範圍內，所述第二輔助信號導線是被重疊的形成在所述第二信號導線的區域範圍之至少一部份；其中，所述第一觸控導電跡線圖案、所述第一輔助導電跡線圖案、所述第二觸控導電跡線圖案和所述第二輔助導電跡線圖案共同形成至少二個獨立的觸控感應器；所述第一輔助導電跡線圖案用以降低所述第一觸控導電跡線圖案的面電阻率，所述第二輔助導電跡線圖案用以降低所述第二觸控導電跡線圖案的面電阻率。
28. 如請求項27所述的觸控感應器，其中，所述第一觸控導電層和所述第二觸控導電層是由氧化銦錫材料形成，所述第一輔 助導電層和所述第二輔助導電層是由銅材料形成。
29. 如請求項27所述的觸控感應器，其中，所述第一微型輔助導電單元和所述第二微型輔助導電單元為一微細導電跡線圖案，所述微細導電跡線圖案是由奈米級尺寸的點、線或面的圖形元素之一或多數組合而成的。
30. 如請求項29所述的觸控感應器，其中，所述第一微型輔助導電單元是被均勻分布設置在所述第一觸控感應電極和所述第二觸控感應電極的表面上，且其遮光率在1%以下，以及所述第二微型輔助導電單元是被均勻分布設置在所述第三觸控感應電極和所述第四觸控感應電極的表面上，且其遮光率在1%以下。
31. 如請求項30所述的觸控感應器，其中，所述遮光率在0.05%至0.2%之間。
32. 如請求項29所述的觸控感應器，其中，所述第一微型輔助導電單元以及所述第二微型輔助導電單元為一條或複數條的金屬細線，所述金屬細線的線徑寬度在8μm以下。
33. 如請求項27所述的觸控感應器，其中，所述第一微型輔助導電單元不連接於所述第一輔助信號導線，所述第二微型輔助導電單元不連接於所述第二輔助信號導線。

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