KR101632346B1 - 메시 형태의 도전성 필름 및 이의 제조 방법 - Google Patents

메시 형태의 도전성 필름 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

메시(Mesh) 형태의 도전성 필름 및 이의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 필름은, 기판; 및 상기 기판 상에 배치되고, 복수의 개구부를 가지며, 교차부의 선폭이 서로 인접하는 상기 교차부 사이의 선폭보다 좁은 메시 형태의 도전층을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 메시 형태를 갖는 도전층의 교차부의 선폭을 다른 부분의 선폭보다 좁게 형성함으로써 도전성 필름의 투명도를 향상시킬 수 있으며, 이때 도전층을 불규칙한 곡선 형태로 형성함으로써 빛의 난반사도 감소시킬 수 있다.

Description

메시 형태의 도전성 필름 및 이의 제조 방법{MESH TYPE CONDUCTIVE FILM AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
본 발명은 메시 형태의 도전성 필름 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 부위별로 선폭이 다른 메시 형태의 도전성 필름 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
투명 전극은 전기 전도성을 가지면서 가시광선을 투과시킬 수 있는 기능성 박막 전극으로서 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), OLED(Organic Light Emitting Diode), FED(Field Emission Display) 등과 같은 평판 디스플레이 장치나 터치 스크린 패널(Touch Screen Panel; TSP) 등에 주로 사용되고 있다. 이러한 투명 전극은 인듐산화물(In2O3)에 5~10중량(wt)%의 주석산화물(SnO2)이 혼합된 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 인듐산화물(In2O3)에 5~10중량(wt)%의 아연산화물(ZnO)이 혼합된 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 금속 산화물계 박막으로 구성될 수 있다.
그런데 ITO, IZO 등의 금속 산화물계 박막은 비저항이 높아서 이들로 구성된 투명 전극을 대면적화하면 RC 지연 등의 문제가 발생하며, 최근 인듐(In)의 가격이 대폭 상승하여 이들의 제조 비용 또한 증가하고 있다. 이에 따라 ITO, IZO 등의 금속 산화물계 박막을 대체할 수 있는 투명 전극 소재로 메탈 메시(Metal Mesh)와 같은 도전성 필름이 제안되었다.
도 1a 및 도 1b는 종래기술에 따른 도전성 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 서로 교차하는 방향으로 연장되는 라인들로 이루어진 메시 형태의 마스크 패턴(M1)을 이용하여 금속층을 패터닝(Patterning)함으로써 금속층 패턴(M2)을 형성할 수 있다. 그런데 마스크 패턴(M1)과 이를 통해 형성된 금속층 패턴(M2)의 형태는 정확하게 일치하지 않으며, 특히 마스크 패턴(M1)의 선폭은 일정하더라도 금속층 패턴(M2)의 교차부(C)는 다른 부분보다 두껍게 형성될 수 있다. 이에 따라 교차부(C)가 육안으로 시인되기도 하며, 전체적으로 도전성 필름의 투명도가 저하된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 메시(Mesh) 형태를 갖는 도전층의 교차부의 선폭을 다른 부분의 선폭보다 좁게 형성하되, 도전층을 불규칙한 곡선 형태로 형성함으로써 투명도가 향상됨과 동시에 빛의 난반사가 감소된 도전성 필름 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 필름은, 기판; 및 상기 기판 상에 배치되고, 복수의 개구부를 가지며, 교차부의 선폭이 서로 인접하는 상기 교차부 사이의 선폭보다 좁은 메시(Mesh) 형태의 도전층을 포함할 수 있다.
상기 교차부의 선폭은 서로 인접하는 상기 교차부 사이의 선폭의 1/3배 내지 2/3배일 수 있다.
상기 교차부의 길이는 상기 개구부의 길이의 1/30배 내지 1/3배일 수 있다.
상기 도전층은 불규칙한 곡선 형태를 가질 수 있다.
상기 도전층은 금속 또는 금속 합금 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 기판은 가시광선이 투과되는 투명 기판일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 필름의 제조 방법은, 기판 상에 도전층 및 감광막을 순차로 형성하는 단계; 상기 감광막 상에 교차부의 선폭이 서로 인접하는 상기 교차부 사이의 선폭보다 좁은 메시(Mesh) 형태의 마스크 패턴을 배치하는 단계; 상기 마스크 패턴의 개구부를 통해 상기 감광막을 노광시키는 단계; 노광된 상기 감광막을 현상하여 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 상기 도전층을 식각하여 도전층 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 감광막 패턴 형성 단계에서, 상기 감광막의 현상 시간을 조절하여 상기 감광막 패턴을 변형시킬 수 있다.
상기 감광막 패턴 형성 단계에서, 상기 감광막 패턴에 공기를 분사하여 상기 감광막 패턴을 변형시킬 수 있다.
상기 도전층은 물리 증착, 화학 증착 또는 도금 방식으로 형성할 수 있다.
상기 감광막은 드라이 필름 레지스트 또는 액상 포토레지스트일 수 있다.
상기 도전층 패턴 형성 단계 후에, 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 메시(Mesh) 형태를 갖는 도전층의 교차부의 선폭을 다른 부분의 선폭보다 좁게 형성함으로써 도전성 필름의 투명도를 향상시킬 수 있으며, 이때 도전층을 불규칙한 곡선 형태로 형성함으로써 빛의 난반사도 감소시킬 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 종래기술에 따른 도전성 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2a 내지 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 필름 및 이의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명은 다양한 실시예들을 가질 수 있는바 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 실시 형태로 한정하려는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변형예들을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용한 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어는 관련 기술의 문맥상 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않아야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 접속되어 있을 수 있지만 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 한다. 반면에 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로서 본 발명을 한정하려는 의도로 사용된 것은 아니며, 단수 표현은 문맥상 명백하게 다른 의미가 아니라면 복수 표현을 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 특히, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하려는 것은 아니다.
이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하되, 본 발명의 요지와 무관한 공지의 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다. 한편, 각 도면의 구성요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 부가하였음에 유의하여야 한다.
도 2a 내지 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 필름 및 이의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 특히, 도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 필름을 나타내는 도면이고, 도 2a 내지 도 6b는 도 7a 및 도 7b의 도전성 필름을 제조하기 위한 공정 중간 단계의 일례를 나타내는 도면이다. 여기서, 도 Na(N=2~7)는 기판의 주면에 평행한 방향의 평면도이고, 도 Nb(N=2~7)는 기판의 주면에 수직인 방향의 단면도이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 기판(100) 상에 도전층(110)을 형성한다.
기판(100)은 가시광선을 투과시킬 수 있는 투명 기판, 예컨대 유리 기판, 석영(Quartz) 기판, 플라스틱 기판 등일 수 있으며, 특히 가요성이 있는 플렉서블(Flexible) 기판일 수 있다. 여기서, 상기 플라스틱 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate; PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene Naphthalate; PEN), 폴리에틸렌(Polyethylene; PE), 폴리프로필렌(Polypropylene; PP), 폴리스티렌(Polystyrene; PS), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC), 폴리아미드(Polyamide; PA), 폴리이미드(Polyimide; PI), 아크릴(Acrylic), 트리아세틸 셀룰로오스(Triacetyl Cellulose; TAC), 에틸렌 비닐 아세테이트(Ethylene Vinyl Acetate; EVA) 중 어느 하나 이상의 합성수지를 포함할 수 있다.
도전층(110)은 도전성이 있는 물질, 예컨대 금속 또는 금속 합금 중 어느 하나 이상을 물리 증착(Physical Vapor Deposition; PVD), 화학 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 또는 도금(Plating) 방식으로 증착 또는 코팅하여 형성할 수 있으며, 이때 롤투롤(Roll-to-Roll) 또는 인라인(In-line) 코팅 장비를 이용할 수 있다. 예를 들어, 도전층(110)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti) 또는 이들의 합금 중 어느 하나 이상을 포함하는 단일막이거나 이들의 조합으로 이루어진 다중막일 수 있다.
여기서, 도전층(110)은 전기 전도도가 높고 식각이 용이한 금속으로 구성하는 것이 바람직하나, 일반적으로 전기 전도도가 높은 금속은 반사율 또한 높아서 난반사를 일으킬 수 있다. 그러므로 이를 방지하기 위해 도전층(110)에 전자와 같은 캐리어(Carrier)의 터널링이 가능하면서도 반사율이 낮은 금속산화물, 금속질화물 또는 금속화합물 중 어느 하나 이상을 첨가할 수 있다. 예를 들어, 도전층(110)에는 산화구리(CuOx, 0<x≤1), 질화알루미늄(AlN), 니오븀(Nb) 합금, 산화니오븀(NbOx, 0<x≤1) 또는 흑니켈 등 흑색을 띠는 박막 물질이 첨가될 수 있다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 도전층(110) 상에 감광막(120)을 형성한다.
감광막(120)은 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist; DFR)일 수 있으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 침적, 분무 또는 스핀 코팅(Spin Coating) 방식으로 도포되는 액상 포토레지스트(Photoresist)일 수도 있다. 한편, 감광막(120)을 형성하기 전에 도전층(110)이 형성된 기판(100)을 세정하는 공정이 추가로 진행될 수 있으며, 감광막(120)이 도전층(110)에 밀착되도록 하기 위해 도전층(110)을 50℃ 내지 100℃로 예열할 수도 있다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 감광막(120) 상에 교차부(C)의 선폭(W1)이 서로 인접하는 교차부(C) 사이의 선폭(W2)보다 좁은 메시(Mesh) 형태의 마스크 패턴(130)을 배치한 후, 광원(L)을 이용하여 마스크 패턴(130)의 개구부에 의해 노출된 감광막(120)을 노광시킨다.
마스크 패턴(130)은 빛을 차폐할 수 있는 물질, 예컨대 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 백금(Pt), 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 구리(Cu) 등의 금속을 포함할 수 있으며, 광원(L)은 자외선(Ultraviolet; UV) 램프 등과 같이 특정 파장의 광을 조사하는 장치일 수 있다.
여기서, 마스크 패턴(130)의 교차부(C)의 선폭(W1)은 서로 인접하는 교차부(C) 사이의 선폭(W2)의 1/3배 내지 2/3배일 수 있고, 교차부(C)의 길이(W3)는 개구부의 길이(W4)의 1/30배 내지 1/3배일 수 있다. 예를 들어, 마스크 패턴(130)의 교차부(C)의 선폭(W1)은 4㎛ 내지 6㎛, 서로 인접하는 교차부(C) 사이의 선폭(W2)은 8㎛ 내지 10㎛, 교차부(C)의 길이(W3)는 20㎛ 내지 200㎛, 개구부의 길이(W4)는 500㎛ 내지 800㎛일 수 있으나 본 발명이 이러한 수치에 한정되는 것은 아니다.
한편, 도 4a에는 교차부(C)에서 선폭이 급격히 변하는 마스크 패턴(130)의 형태가 도시되어 있으나 이는 예시에 불과하며, 마스크 패턴(130)의 선폭은 교차부(C)에서 점진적으로 변할 수도 있다. 이에 따라 마스크 패턴(130)의 개구부의 모서리에는 사각형 외에도 삼각형, 원형, 타원형 등 다양한 형태의 돌기가 구비될 수 있다. 또한, 도 4b에서는 마스크 패턴(130)이 감광막(120)에 접하도록 배치되어 있으나 이는 예시에 불과하며, 마스크 패턴(130)은 감광막(120)으로부터 이격되도록 배치될 수도 있다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 노광된 감광막(120)을 현상한다.
본 공정 결과, 마스크 패턴(130)의 개구부에 의해 노출된 영역의 감광막(120)은 제거될 수 있으며, 잔류하는 감광막(120)을 감광막 패턴(120A)이라 한다. 이때 감광막(120)의 현상 시간을 조절하거나 감광막 패턴(120A)이 완전히 고형화되기 전에 감광막 패턴(120A)에 공기를 분사하여 감광막 패턴(120A)을 변형시킬 수 있다. 이에 따라 감광막 패턴(120A)은 휘어지거나 뒤틀릴 수 있으며, 전체적으로 불규칙한 비정형 패턴으로 구성될 수 있다. 한편, 다른 실시예에서는 마스크 패턴(130)의 개구부에 의해 노출된 영역의 감광막(120)이 잔류하고, 노출되지 않은 영역의 감광막(120)이 제거될 수도 있다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 감광막 패턴(120A)을 식각 마스크로 이용하여 도전층(110)을 식각한다.
본 공정 결과, 감광막 패턴(120A)과 실질적으로 동일한 형태를 갖는 도전층 패턴(110A)이 형성될 수 있다. 즉, 도전층 패턴(110A)은 교차부(C)의 선폭(W1)이 서로 인접하는 교차부(C) 사이의 선폭(W2)보다 좁은 메시(Mesh) 형태일 수 있으며, 이와 같이 교차부(C)의 선폭(W1)을 다른 부분의 선폭(W2)보다 좁게 형성함으로써 일 실시예에 따른 도전성 필름의 투명도를 향상시킬 수 있다. 또한, 도전층 패턴(110A)은 불규칙한 곡선 형태를 가질 수 있으며, 이와 같이 도전층 패턴(110A)을 곡선 형태로 형성함으로써 직선 형태로 형성하는 것에 비해 빛의 난반사를 감소시킬 수 있다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 감광막 패턴(120A)을 제거한다.
본 공정 결과, 도전층 패턴(110A)의 상면이 드러날 수 있으며, 도전층 패턴(110A)이 형성된 기판(100)을 세정하는 공정이 추가로 진행될 수 있다. 이어서, 도 7a 및 도 7b에는 도시되지 않았으나 도전층 패턴(110A) 상에 흑색과 같은 암색 계열의 광흡수층을 형성하는 공정 또는 도전층 패턴(110A)을 사이에 두고 기판(100)과 대향하는 투명 기판을 추가하는 공정이 후속으로 진행될 수 있다. 즉, 일 실시예에 따른 도전성 필름은 '투명 기판/도전층 패턴/투명 기판'의 적층 구조를 가질 수 있다.
이상에서 설명한 제조 방법에 의하여, 도 7a 및 도 7b에 도시된 것과 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 필름이 제조될 수 있다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 필름은 기판(100), 및 기판(100) 상에 배치되고, 복수의 개구부를 가지며, 교차부(C)의 선폭(W1)이 서로 인접하는 교차부(C) 사이의 선폭(W2)보다 좁은 메시(Mesh) 형태의 도전층 패턴(110A)을 포함할 수 있다.
여기서, 기판(100)은 가시광선이 투과되는 투명 기판일 수 있으며, 도전층 패턴(110A)은 금속 또는 금속 합금 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 또한, 도전층 패턴(110A)의 교차부(C)의 선폭(W1)은 서로 인접하는 교차부(C) 사이의 선폭(W2)의 1/3배 내지 2/3배일 수 있고, 교차부(C)의 길이(W3)는 개구부의 길이(W4)의 1/30배 내지 1/3배일 수 있다. 특히, 도전층 패턴(110A)의 선폭은 교차부(C)에서 점진적으로 변할 수 있으며, 도전층 패턴(110A)은 불규칙한 곡선 형태를 가질 수 있다. 한편, 도 7a 및 도 7b에는 도시되지 않았으나 기판(100)과 도전층 패턴(110A) 사이에는 기판(100)과 도전층 패턴(110A) 간의 접착력을 증진시킬 수 있는 기초층(Seed Layer)이 개재될 수 있으며, 상대적으로 선폭이 좁은 교차부(C)에서는 전기 저항이 증가될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 필름은 투명도와 전도성이 높으므로 기존에 투명 전극으로 주로 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 금속 산화물계 박막을 대체하여 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), OLED(Organic Light Emitting Diode), FED(Field Emission Display) 등과 같은 평판 디스플레이 장치나 터치 스크린 패널(Touch Screen Panel; TSP), 차량용 열선, 태양 전지, 조명 장치 등에 적용될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 필름 및 이의 제조 방법에 의하면, 메시(Mesh) 형태를 갖는 도전층의 교차부의 선폭을 다른 부분의 선폭보다 좁게 형성함으로써 도전성 필름의 투명도를 향상시킬 수 있으며, 이때 도전층을 불규칙한 곡선 형태로 형성함으로써 빛의 난반사도 감소시킬 수 있다.
전술한 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 본 발명을 설명하였지만 본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 특허청구의 범위에 기재된 본 발명의 기술 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 수정 또는 변경이 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 기판
110 : 도전층
120 : 감광막
130 : 마스크 패턴
C : 교차부
L : 광원

Claims (12)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 기판 상에 도전층 및 감광막을 순차로 형성하는 단계;
    상기 감광막 상에 교차부의 선폭이 서로 인접하는 상기 교차부 사이의 선폭보다 좁은 메시(Mesh) 형태의 마스크 패턴을 배치하는 단계;
    상기 마스크 패턴의 개구부를 통해 상기 감광막을 노광시키는 단계;
    노광된 상기 감광막을 현상하여 상기 감광막에 공기를 분사하여 불규칙한 비정형 패턴의 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 상기 도전층을 식각하여 도전층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는
    도전성 필름의 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 도전층은 물리 증착, 화학 증착 또는 도금 방식으로 형성하는
    도전성 필름의 제조 방법.
  11. 제7 항에 있어서,
    상기 감광막은 드라이 필름 레지스트 또는 액상 포토레지스트인
    도전성 필름의 제조 방법.
  12. 제7 항에 있어서,
    상기 도전층 패턴 형성 단계 후에,
    상기 감광막 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는
    도전성 필름의 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106920583A (zh) * 2017-02-10 2017-07-04 中国科学院化学研究所 一种透明导电膜及其制备方法和应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100490029B1 (ko) 2003-05-13 2005-05-17 엘지마이크론 주식회사 전자파 차폐필터용 메시형 금속박막을 형성하기 위한 포토마스크의 설계방법
JP2009302035A (ja) 2008-05-16 2009-12-24 Fujifilm Corp 導電性フイルム及び透明発熱体

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10112216A (ja) * 1996-08-09 1998-04-28 Toray Ind Inc 感光性導電ペースト、それを用いた電極およびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100490029B1 (ko) 2003-05-13 2005-05-17 엘지마이크론 주식회사 전자파 차폐필터용 메시형 금속박막을 형성하기 위한 포토마스크의 설계방법
JP2009302035A (ja) 2008-05-16 2009-12-24 Fujifilm Corp 導電性フイルム及び透明発熱体

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106920583A (zh) * 2017-02-10 2017-07-04 中国科学院化学研究所 一种透明导电膜及其制备方法和应用
CN106920583B (zh) * 2017-02-10 2018-07-13 中国科学院化学研究所 一种透明导电膜及其制备方法和应用

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