KR20160138139A - 투명 도전성 적층체 및 투명 도전성 적층체를 구비한 터치 패널 - Google Patents

투명 도전성 적층체 및 투명 도전성 적층체를 구비한 터치 패널 Download PDF

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KR20160138139A
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레이코 이와타
유타카 이토
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도판 인사츠 가부시키가이샤
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Abstract

고온 고습 하에서 오동작이 일어나지 않는 투명 도전성 적층체 및 투명 도전성 적층체를 구비한 터치 패널을 제공한다. 투명 도전성 적층체는 투명 기재와, 투명 기재의 일면 또는 양면에 적층되고 수지를 함유하는 투명 전극층을 구비하고, 투명 전극층은 섬유형의 금속을 갖는 복수의 도전 영역과 비도전 영역을 포함하고, 투명 전극층의 두께가 30nm 이상 150nm 이하이다.

Description

투명 도전성 적층체 및 투명 도전성 적층체를 구비한 터치 패널{TRANSPARENT CONDUCTIVE LAMINATED BODY AND TOUCH PANEL PROVIDED WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE LAMINATED BODY}
본 발명은 투명 도전성 적층체 및 투명 도전성 적층체를 구비한 터치 패널에 관한 것이다.
최근 들어, 전자 기기의 입력 디바이스로서, 정전 용량 방식의 터치 패널이 널리 사용되고 있다. 투영형 정전 용량 방식의 터치 패널은 정전 용량의 변화를 검출하기 위한 2개의 전극을 구비하고 있다. 2개의 전극은 투명한 기판을 개재해서 대향하고 있다. 이들 전극은 기판에 성막된 투명한 도전막이 패터닝됨으로써 형성된다.
전극으로서 기판에 성막되는 투명한 도전막의 재료로서, 대표적인 것은 산화인듐 주석(ITO)이다. ITO를 기판에 성막하는 방법은 드라이 방식으로의 진공 성막이다. 그러나 ITO의 주성분인 인듐은 희소 금속이며 안정 공급이 염려되고, 또한 굴곡성이 부족하다는 문제도 있다. 또한, 그 제조 방식도 고가의 진공 성막기를 필요로 하여, 비용이 높아진다고 하는 문제가 발생하고 있다.
최근에 상기한 문제를 감안하여, ITO 대체 재료가 대두되고 있고, 도전성 고분자, 카본 나노 튜브, 금속을 섬유형 또는 메쉬형으로 가공해서 도전막을 형성하는 일이 행해지고 있다. 이들은 물이나 유기 용매 중에 분산시키는 것이 가능한 것도 있고, 그들을 사용하면 그 분산액을 웨트 방식으로 기재 표면에 도포하는 것이 가능하여, 대량 생산, 비용 절감도 기대된다. 그중에서도 금속을 섬유형상 또는 메쉬형으로 해서 도전막을 형성한 기재는 ITO와 동등한 저항값, 광학 특성이 얻어지는 점에서 ITO 대체로서 유력시되고 있다.
섬유형 금속을 도전막으로 하여 제작한 터치 패널은 정상적으로 동작하기는 하지만, 고온 고습의 환경에 투입하면, 터치 위치 오인식이나, 정전 용량값 저하라는 문제가 발생하고, 고온 고습의 환경에 대한 내구성이 없다는 문제가 생기고 있다. 오동작의 원인으로서는, 전극을 구성하고 있는 섬유형 금속이 마이그레이션을 일으키고 있다고 여겨진다. 마이그레이션은 고온 고습 하에서 전극에 전압을 인가하면, 수분의 존재로 인해 전극을 형성하고 있는 금속이 양극측에서 이온화해서 음극측의 전극으로 이동하고, 거기서 전자를 수취하면 금속이 석출되고, 석출된 금속은 절연물의 표면을 나무 형상, 다리 형상, 구름 형상과 같은 형상으로 성장해 가는 현상이다. 이 성장물이 양극측까지 도달하면, 단락이 일어나 불량이 된다. 터치 패널로서 사용되는 기재는 복수 개의 막대 형상 또는 마름모 형상의 전극이 병렬로 배열하고 있고, 인접하는 전극 사이는 에칭에 의해 절연되어 있다. 이 기재를 터치 패널로서 구동시키려면, 각 전극에 리드 배선을 형성하고, 플렉시블 프린트판(FPC)을 개재해서 IC 회로에 의해, 각 전극에 전압이 인가되어서 구동한다. 각 전극에 전압이 인가되기 때문에, 전위차가 발생하는 인접하는 전극끼리는, 고온 하 수분의 영향으로 전극을 구성하고 있는 섬유 상 금속에 의한 마이그레이션이 발생하고, 정전 용량의 저하나 전극의 단락이 일어나, 터치 패널로서 정상적으로 동작할 수 없다.
이 문제를 해결하기 위해서, 수분을 차단시켜 마이그레이션을 일으키지 않도록 하는 기술이 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에서는 단수층을 마련함으로써 수분이 인입하지 않도록 해서 마이그레이션을 일으키지 않도록 하고 있다. 그러나 층이 증가됨으로써 터치 패널의 두께가 증가되고, 재료가 증가되고, 공정이 증가된다는 문제를 들 수 있어, 비용 증가로 이어질 수도 있다.
또한, 정전 용량식 터치 패널의 센서부를 구성하는 드라이브 전극 및 센스 전극은, 투명 도전막(투명 전극)에 의해 구성되고, 통상은 금속 배선(배선부)과 접속되어 있다. 이러한 종류의 터치 패널이 특허문헌 2에 기재되어 있다. 특허문헌 2에 기재된 터치 패널에서는, 인출 배선의 양단에 더미 인출 배선이 설치되고, 더미 인출 배선이 비선택된 검출 배선의 소정 전위가 되게 접속되어 있다.
이러한 종류의 터치 패널에서는, 배선부나 센서부가 외부 노이즈로부터 받는 영향을 차단하기 위해서, 상방 또는 하방으로부터 배선부를 덮거나, 배선부의 외측에 접지 전극을 설치하는 것이 일반적이다. 접지 전극은 드라이브 전극과 같은 층에 배치되는 경우에는, 센스 전극의 배선과 겹치거나, 외주부에 위치하도록 형성된다. 또한, 접지 전극은 센스 전극과 같은 층에 배치되는 경우에는, 드라이브 전극의 배선과 겹치거나, 외주부에 위치하도록 형성된다.
이와 같은 경우, 접지 전극과 드라이브 전극 또는 센스 전극 사이에는 일정 방향의 전계가 생기기 때문에, 드라이브 전극 또는 센스 전극에 사용하는 투명 도전막의 재료에 따라서는 이온 마이그레이션에 의한 투명 도전막의 붕괴가 발생하거나, 또는 투명 도전막과 접지 전극 사이가 쇼트되거나 한다는 문제가 발생하고 있었다. 이온 마이그레이션은 특히 고온 고습 하에서 발생할 우려가 있었다.
일본 특허 공개 제2013-097932호 공보 일본 특허 공개 제2010-257178호 공보
본 발명에서는 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 고온 고습 하에서 오동작이 일어나지 않는 투명 도전성 적층체 및 투명 도전성 적층체를 구비한 터치 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 드라이브 전극 또는 센스 전극과 접지 전극 사이에 일정 방향의 전계를 발생하는 것을 억제할 수 있는 투명 도전성 적층체 및 투명 도전성 적층체를 구비한 터치 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 국면은 투명 기재와, 투명 기재의 일면 또는 양면에 적층되고, 수지를 함유하는 투명 전극층을 구비하고, 투명 전극층은 섬유형의 금속을 갖는 복수의 도전 영역과, 비도전 영역을 포함하고, 투명 전극층의 두께가 30nm 이상 150nm 이하인, 투명 도전성 적층체이다.
또한, 본 발명의 다른 국면은 상술한 투명 도전성 적층체를 구비하는 터치 패널이다.
본 개시의 기술에 관한 투명 도전성 적층체에 의해, 마이그레이션에 의한 전극간의 단락이 일어나기 어렵고, 고온 고습의 분위기 하에서 오동작이 일어나지 않는 내구성이 향상된 터치 패널을 제공할 수 있다.
또한, 드라이브 전극 또는 센스 전극과 접지 전극 사이에 일정 방향의 전계를 발생시키지 않도록 하는 터치 센서의 전극 구조를 채용함으로써, 드라이브 전극 또는 센스 전극과 접지 전극 간의 이온 마이그레이션을 억제하여, 신뢰성이 우수한 터치 패널을 제공할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 따른 투명 도전성 적층체를 도시하는 단면도이다.
도 2는 제2 실시 형태에 따른 투명 도전성 적층체를 도시하는 단면도이다.
도 3은 제3 실시 형태에 따른 투명 도전성 적층체를 도시하는 단면도이다.
도 4는 실시 형태에 따른 도전 영역을 그물눈 형상으로 형성했을 때의 평면도이다.
도 5는 실시 형태에 따른 도전 영역을 띠 형상으로 형성했을 때의 평면도이다.
도 6은 실시 형태에 따른 투명 전극층 2개의 인접하는 도전 영역에 전압을 인가한 모습을 나타내는 도면이다.
도 7은 실시 형태에 따른 터치 패널을 도시하는 단면도이다.
도 8은 실시 형태에 따른 투명 도전성 적층체의 제조 공정을 나타내는 도면이며, 기판의 표면측에서의 금속층의 형성 공정을 나타내는 도면이다.
도 9는 실시 형태에 따른 투명 도전성 적층체의 제조 공정을 나타내는 도면이며, 기판의 표면측에서의 투명 도전층의 형성 공정을 나타내는 도면이다.
도 10은 실시 형태에 따른 투명 도전성 적층체의 제조 공정을 나타내는 도면이며, 기판의 이면측에서의 투명 도전층의 형성 공정을 나타내는 도면이다.
도 11은 실시 형태에 따른 투명 도전성 적층체의 제조 공정을 나타내는 도면이며, 레지스트의 형성 공정을 나타내는 도면이다.
도 12는 실시 형태에 따른 투명 도전성 적층체의 제조 공정을 나타내는 도면이며, 노광 공정을 나타내는 도면이다.
도 13은 실시 형태에 따른 투명 도전성 적층체의 제조 공정을 나타내는 도면이며, 현상 공정을 나타내는 도면이다.
도 14는 실시 형태에 따른 투명 도전성 적층체의 제조 공정을 나타내는 도면이며, 에칭공정을 나타내는 도면이다.
도 15는 실시 형태에 따른 투명 도전성 적층체의 제조 공정을 나타내는 도면이며, 레지스트의 제거 공정을 나타내는 도면이다.
도 16은 실시 형태에 따른 터치 패널의 단면도이다.
도 17은 실시 형태에 따른 터치 패널의 평면도이다.
도 18은 실시 형태 및 실시예에 관한 터치 패널의 단면도이다.
도 19는 실시 형태 및 실시예에 관한 터치 패널의 평면도이다.
도 20은 비교예에 관한 터치 패널의 평면도이다.
도 21은 비교예에 관한 터치 패널의 평면도이다.
도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 따른 투명 도전성 적층체, 터치 패널, 및 투명 도전성 적층체의 제조 방법에 대해서 설명한다. 본 실시 형태에서, 투명 도전성 적층체는 터치 패널의 구성 부재의 하나이다.
[투명 도전성 적층체의 구성]
도 1에는 제1 실시 형태에 따른 투명 도전성 적층체의 단면도를 도시한다. 도 1에 도시되는 바와 같이, 투명 도전성 적층체(10)는 투명한 기판(11)(투명 기재)과, 기판(11)의 표면(도 1의 지면 상방. 이하 동일)에 형성된 투명 전극층(12a)과, 기판(11)의 이면(도 1의 지면 하방. 이하 동일)에 형성된 투명 전극층(12b)을 구비하고 있다. 2개의 투명 전극층(12a, 12b)은 기판(11)을 사이에 두고 대향하고 있다. 투명 전극층(12a)은 제1 투명 전극층의 일례이며, 투명 전극층(12b)은 제2 투명 전극층의 일례이다.
도 2에는 제2 실시 형태에 따른 투명 도전성 적층체의 단면도를 도시한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 투명 도전성 적층체(20)는 투명한 기판(11a)과, 기판(11a)의 표면에 형성된 투명 전극층(12a)과, 투명한 기판(11b)과, 기판(11b)의 표면에 형성된 투명 전극층(12b)을 구비하고, 기판(11a)과 투명 전극층(12b)을 접합하는 점착층(23)으로 구성된다.
도 3에는 제3 실시 형태에 따른 투명 도전성 적층체의 단면도를 도시한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 투명 도전성 적층체(30)는 투명한 기판(11a)과, 기판(11a)의 표면에 형성된 투명 전극층(12a)과, 투명한 기판(11b)과, 기판(11b)의 표면에 형성된 투명 전극층(12b)을 구비하고, 기판(11a)과 기판(11b)을 접합하는 점착층(23)으로 구성된다.
도 1을 참조하여, 투명 도전성 적층체의 구성에 대해서 설명한다.
기판(11)으로서는 예를 들어, 유리나 수지 필름이 사용된다. 수지 필름에 사용되는 수지는 형성된 필름이 성막 공정 및 후속 공정에서 기판에 요구되는 강도를 갖고, 표면의 평활성이 양호하면, 한정되지 않는다. 기판(11)에 사용되는 재질로서는 예를 들어, 소다석회 유리, PMMA, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리카르보네이트, 폴리에테르술폰, 폴리술폰, 폴리아릴레이트, 환상 폴리올레핀 또는 폴리이미드 등을 들 수 있다. 기판(11)은 투명 도전성 적층체(10)의 박형화를 도모함과 함께 기판(11)의 가요성을 유지하기 위해서, 유리라면 50㎛ 이상 1mm 이하, 수지 필름이라면, 부재의 박형화와 적층체의 가요성을 고려하여, 10㎛ 이상 200㎛ 이하인 것이 바람직하다. 기판(11a, 11b)도 마찬가지이다. 또한, 기판(11)을 사용해서 제조되는 터치 패널을 디스플레이의 전방면에 배치해서 사용하는 경우에, 기판(11)은 높은 투명성을 가질 필요가 있고, 전체 광투과율이 85% 이상인 것이 적합하게 사용된다.
기판(11)은 여러 가지 첨가제나 안정제를 함유해도 된다. 첨가제나 안정제로서는 예를 들어, 대전 방지제, 가소제, 활제 또는 접착 용이제 등을 들 수 있다. 기판(11)에 대해서는, 기판(11)에 적층되는 층과 기판(11)과의 밀착성을 향상시키기 위해서, 전처리로서 코로나 처리, 저온 플라즈마 처리, 이온 충격(ion bombard) 처리 또는 약품처리 등이 실시되어도 된다. 기판(11a, 11b)도 마찬가지이다.
투명 전극층(12a)은 기판(11)에 적층된 후술하는 수지에 의해 형성되고, 복수의 도전 영역(13a)과 복수의 비도전 영역(14a)을 갖고 있다. 마찬가지로, 투명 전극층(12b)은 복수의 도전 영역(13b)과 복수의 비도전 영역(14b)을 갖고 있다.
도전 영역(13a, 13b)은 투명 전극층(12a, 12b)을 형성하는 수지 중에 금속제 나노와이어 등과 같은 섬유형의 금속을 함유함으로써 형성된다. 섬유형의 금속으로서는 예를 들어, 금, 은, 구리 또는 코발트 등이 사용된다. 도전 영역(13a, 13b)에 함유되는 섬유형의 금속은 도전 영역(13a, 13b) 내에서 서로 접촉하고 있고, 이에 의해, 도전 영역(13a, 13b)은 도전성을 갖는다. 한편, 비도전 영역(14a, 14b)은 투명 전극층(12a, 12b)에 있어서, 섬유형의 금속을 함유하지 않거나, 또는 거의 함유하고 있지 않다.
투명 전극층(12a)은 예를 들어, X 방향으로 연장되는 복수의 도전 영역(13a)이 X 방향과 직교하는 Y 방향으로 사이를 두고 병설된 패턴으로 형성되어 있다. 비도전 영역(14a)은 복수의 도전 영역(13a) 사이의 영역이며, 도전 영역(13a)의 각각과 절연되어 있다. 투명 전극층(12a)과 대향하는 투명 전극층(12b)은 예를 들어, Y 방향으로 연장되는 복수의 도전 영역(13b)이 X 방향으로 사이를 두고 병설된 패턴으로 형성되어 있다. 비도전 영역(14b)은 복수의 도전 영역(13b) 사이의 영역이며, 도전 영역(13b) 각각과 절연되어 있다. 도전 영역(13a, 13b)의 각각은 예를 들어, 도 4에 도시한 바와 같은 그물눈 형상이나 도 5에 도시한 바와 같은 띠 형상으로 형성된다. 또한, 각 도면에 도시하는 단면도는, 각 도전 영역 및 각 비도전 영역의 구성을 나타내는 편의상, 기판의 양면에서 도전 영역의 병설 방향을 동일한 방향으로 해서 나타내었다.
도전 영역(13a, 13b)의 각각은 도전 영역(13a, 13b)에 형성되는 정전 용량의 변화를, 전류의 변화에 따라 검출하는 도시하지 않은 회로에 접속할 수 있다. 사람의 손가락 등이 도전 영역(13a, 13b)에 접근하면, 정전 용량이 변화한다. 이 정전 용량의 변화가 검출되는 것에 기초하여, 사람의 손가락 등의 접촉 위치가 판정되어, 2차원의 위치 정보가 얻어진다.
또한, 투명 전극층(12a)은 수지를 함유한다. 마찬가지로, 투명 전극층(12b)도 수지를 함유한다. 투명 전극층(12a, 12b)이 수지에 의해 형성됨으로써, 도전 영역(13a, 13b)으로부터의 섬유형의 금속 이탈이 억제되는 동시에, 투명 도전성 적층체(10)의 기계적 강도가 향상되고, 또한 섬유형의 금속이 보호되어서 내구성이 향상된다.
투명 전극층(12a, 12b)을 형성하는 수지로서는 특별히 한정되지 않지만, 투명성과 적당한 경도와 기계적 강도를 갖는 수지가 바람직하다. 구체적인 예로서는, 3차원 가교를 기대할 수 있는 3관능 이상의 아크릴레이트를 주성분으로 하는 단량체나 가교성 올리고머 등의 광경화성 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
3관능 이상의 아크릴레이트 단량체로서는 예를 들어, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 이소시아누르산 EO 변성 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트, 디트리메틸올프로판 테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트 또는 폴리에스테르 아크릴레이트 등이 사용되는 것이 바람직하고, 특히 이소시아누르산 EO 변성 트리아크릴레이트 및 폴리에스테르 아크릴레이트 중 어느 하나가 사용되는 것이 바람직하다. 이들 아크릴레이트 단량체는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상의 단량체를 병용해도 된다. 또한, 이들 3관능 이상의 아크릴레이트 이외에, 에폭시 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 폴리올 아크릴레이트 등의 아크릴계 수지를 병용하는 것이 가능하다.
가교성 올리고머로서는, 폴리에스테르 (메트)아크릴레이트, 폴리에테르 (메트)아크릴레이트, 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트, 에폭시 (메트)아크릴레이트 또는 , 실리콘 (메트)아크릴레이트 등의 아크릴 올리고머를 사용하는 것이 바람직하다. 구체적인 예로서는, 폴리에틸렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 비스페놀 A형 에폭시 아크릴레이트, 폴리우레탄의 디아크릴레이트, 크레졸 노볼락형 에폭시 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
투명 전극층(12a, 12b)을 형성하는 수지에는, 중합 개시제 등의 첨가제가 혼합되어 있어도 된다.
중합 개시제로서 광중합 개시제를 첨가하는 경우, 라디칼 발생형의 광중합 개시제로서, 벤조인, 벤조인 메틸에테르, 벤조인 에틸에테르, 벤조인 이소프로필에테르, 벤질메틸케탈 등의 벤조인과 그의 알킬에테르류, 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 아세토페논류, 메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논 등의 안트라퀴논류, 티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤류, 아세토페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈 등의 케탈류, 벤조페논, 4,4-비스메틸아미노벤조페논 등의 벤조페논류, 또는 아조 화합물 등을 들 수 있다. 이들 광중합 개시제는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상의 중합 개시제를 혼합하여 사용해도 된다. 또한, 이들 광중합 개시제는 트리에탄올아민, 메틸디에탄올아민 등의 제3급 아민이나, 2-디메틸아미노에틸벤조산, 4-디메틸아미노벤조산 에틸 등의 벤조산 유도체 등의 광 개시 보조제 등과 조합하여 사용할 수 있다.
투명 전극층(12a, 12b)의 두께는 섬유형의 금속 내구성이 유지되고, 또한 금속이 탈락하지 않는 두께라면 특별히 한정되지 않는다. 단, 투명 전극층(12a, 12b)이 너무 두꺼우면, 금속이 수지로 덮여서 도전성이 낮아진다. 이들 이유에서, 투명 전극층(12a, 12b)의 두께는 30nm 이상 150nm 이하인 것이 바람직하다.
또한, 투명 도전성 적층체(10)는 150℃로 해서 30분간 방치했을 경우의 열수축률이 0.5% 이하인 것이 바람직하다. 열수축률이 상기한 범위 내이면, 제조 공정에서 가해지는 열에 의해 투명 도전성 적층체(10)가 수축되는 것이 억제된다. 그 결과, 투명 전극층(12a)과 투명 전극층(12b)의 패턴 위치 어긋남이 억제된다.
또한, 투명 도전성 적층체(10)는 기판(11)과 투명 전극층(12a) 사이나, 기판(11)과 투명 전극층(12b) 사이에, 다른 층을 구비하고 있어도 된다. 다른 층으로서는 예를 들어, 기판(11)과 투명 전극층(12a, 12b)의 밀착성을 높이기 위한 층이나, 투명 도전성 적층체(10)의 기계적 강도를 보강하기 위한 층 등을 들 수 있다.
기판(11)에는 편면 또는 양면에, 수지층(2)이 형성되어 있어도 된다. 수지층(2)은 특히 기판(11)에 플라스틱 소재를 사용할 때에 형성되고, 기판(11)이나 투명 전극층(12a, 12b)에 기계적 강도를 갖게 하기 위해서 형성된다. 수지층(2)에 사용되는 수지로서는 특별히 한정은 하지 않지만, 투명성과 적당한 경도와 기계적 강도를 갖는 수지가 바람직하다. 구체적으로는, 3차원 가교를 기대할 수 있는 3관능 이상의 아크릴레이트를 주성분으로 하는 단량체 또는 가교성 올리고머와 같은 광경화성 수지가 바람직하다.
3관능 이상의 아크릴레이트 단량체로서는, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 이소시아누르산 EO 변성 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트, 디트리메틸올프로판 테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트 등을 사용하는 것이 바람직하다. 특히 바람직한 것은, 이소시아누르산 EO 변성 트리아크릴레이트 및 폴리에스테르 아크릴레이트이다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 병용해도 상관없다. 또한, 이들 3관능 이상의 아크릴레이트 이외에 에폭시 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 폴리올 아크릴레이트 등의 소위 아크릴계 수지를 병용하는 것이 가능하다. 가교성 올리고머로서는 폴리에스테르 (메트)아크릴레이트, 폴리에테르 (메트)아크릴레이트, 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트, 에폭시 (메트)아크릴레이트, 실리콘 (메트)아크릴레이트 등의 아크릴 올리고머를 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 폴리에틸렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 비스페놀 A형 에폭시 아크릴레이트, 폴리우레탄의 디아크릴레이트, 크레졸 노볼락형 에폭시 (메트)아크릴레이트 등을 사용할 수 있다.
수지층(2)은 그밖에 입자, 광중합 개시제 등의 첨가제를 함유해도 된다.
수지층(2)에 첨가하는 입자로서는, 유기 또는 무기 입자를 사용할 수 있지만, 투명성을 고려하면, 유기 입자를 사용하는 것이 바람직하다. 유기 입자로서는 아크릴 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리아미드 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지 및 불소 수지 등을 포함하는 입자를 사용할 수 있다.
입자의 평균 입경은 수지층(2)의 두께에 따라 상이하지만, 헤이즈 등의 외관상의 이유로 인해, 하한으로서 2㎛ 이상, 보다 바람직하게는 5㎛ 이상, 상한으로서는 30㎛ 이하, 바람직하게는 15㎛ 이하인 것을 사용한다. 또한, 입자의 함유량도, 마찬가지 이유에서, 수지에 대하여 0.5중량％ 이상 5중량％ 이하인 것이 바람직하다.
광중합 개시제를 첨가하는 경우, 라디칼 발생형의 광중합 개시제로서, 벤조인, 벤조인 메틸에테르, 벤조인 에틸에테르, 벤조인 이소프로필에테르, 벤질메틸케탈 등의 벤조인과 그의 알킬에테르류, 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 아세토페논류, 메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논 등의 안트라퀴논류, 티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤류, 아세토페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈 등의 케탈류, 벤조페논, 4,4-비스메틸아미노벤조페논 등의 벤조페논류 및 아조 화합물 등이 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수 있고, 나아가 트리에탄올아민, 메틸디에탄올아민 등의 제3급 아민, 2-디메틸아미노에틸벤조산, 4-디메틸아미노벤조산 에틸 등의 벤조산 유도체 등의 광 개시 보조제 등과 조합하여 사용할 수 있다.
상기 광중합 개시제의 첨가량은 주성분의 수지에 대하여 0.1중량％ 이상 5중량％ 이하이고, 바람직하게는 0.5중량％ 이상 3중량％ 이하이다. 하한값 미만이면 수지층(2)(하드 코팅층)의 경화가 불충분해져 바람직하지 않다. 또한, 상한값을 초과하는 경우에는, 수지층(2)(하드 코팅층)에 황변을 발생하거나, 내후성이 저하되거나 하기 때문에 바람직하지 않다. 광경화형 수지를 경화시키는 데 사용하는 광은 자외선, 전자선, 또는 감마선 등이며, 전자선 또는 감마선일 경우, 반드시 광중합 개시제나 광 개시 보조제를 함유할 필요는 없다. 이들 선원으로서는, 고압 수은등, 크세논 램프, 메탈 할라이드 램프나 가속 전자 등을 사용할 수 있다.
또한, 수지층(2)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 0.5㎛ 이상 15㎛ 이하의 범위가 바람직하다. 또한, 수지층(2)의 굴절률은 기판(11)의 굴절률과 같거나, 또는 근사한 것이 보다 바람직하고, 1.45 이상 1.75 이하 정도가 바람직하다.
수지층(2)의 형성 방법에는, 주성분인 수지 등을 용제에 용해시킨 도액을 도포하기 위해서, 다이 코터, 커튼 플로우 코터, 롤 코터, 리버스 롤 코터, 그라비아 코터, 나이프 코터, 바 코터, 스핀 코터, 마이크로그라비아 코터 등의 도포 시공기를 사용한 공지된 도포 방법을 사용할 수 있다.
용제에 대해서는, 상기한 주성분의 수지 등을 용해하는 것이라면 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 용제로서, 에탄올, 이소프로필알코올, 이소부틸알코올, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 아세트산에틸, 아세트산 n-부틸, 아세트산 이소아밀, 락트산 에틸, 메틸 셀로솔브, 에틸 셀로솔브, 부틸 셀로솔브, 메틸 셀로솔브 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 등을 들 수 있다. 이들 용제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여도 된다.
또한, 투명 전극층(12a, 12b)을 에칭 등의 방법으로 패터닝했을 경우, 패턴이 육안으로 인식하기 어렵게, 광학 조정층을 형성할 수 있다. 광학 조정층은 소정의 굴절률을 갖는 무기 산화물이나 유기 화합물을 재료로 해서, 박막을 단층 또는 복층으로 형성한다. 광학 조정층은 투명 도전막이 있는 영역과 없는 영역의 투과율이나 반사율, 색감 등을 조정함으로써 패턴 불가시성을 부여할 수 있다.
또한, 투명 전극층(12a, 12b)이나 광학 조정층의 하층에는, 금속이나 금속 산화물, 수지, 실란 커플링제 등의 밀착층을 형성할 수 있다.
투명 전극층(12a, 12b)을 보호하고, 또한 기계적 강도를 갖게 하기 위해서, 경화막을 형성할 수 있다. 경화막에 사용되는 수지로서는 특별히 한정되지 않지만, 투명성과 적당한 경도와 기계적 강도를 갖는 수지가 바람직하다. 구체적으로는, 3차원 가교를 기대할 수 있는 3관능 이상의 아크릴레이트를 주성분으로 하는 단량체 또는 가교성 올리고머와 같은 광경화성 수지가 바람직하고, 수지층(2)과 마찬가지 재료를 사용해서 형성할 수 있다. 경화막의 형성 방법도, 수지층(2)과 마찬가지 방법을 사용할 수 있다.
투명 전극층(12a, 12b)에 형성되는 복수의 도전 영역(13a, 13b)은 각각 절연이 유지되고 있다. 각 도전 영역은 모두, 인접하는 2개의 도전 영역에, 고온 고습의 분위기(예를 들어, 온도 60℃, 습도 90%RH) 하에서 전압을 인가한 상태로, 240시간 이상, 인접하는 2개의 도전 영역 간의 절연이 유지되어 있는 상태가 바람직하다. 이 상태를 평가하기 위해서는, 도 6에 도시한 바와 같이, 도전 영역(13a, 13b)에 은 페이스트 등으로 배선(40a)을 제작하고, 전압을 인가시키는 장치(54)에 접속하는 것이 가능하다. 인접하는 2개의 도전 영역(13a, 13b)의 절연 상태는 흐르는 전류값을 측정하고, 이것을 저항값으로 환산함으로써 판단할 수 있다. 고온 고습의 분위기 하에 전압을 인가하고, 시간마다 전류값이나 저항값을 측정하는 장치로서, 선간 절연 평가 장치 등을 사용하는 것도 바람직하게 행하여진다. 인접하는 2개의 도전 영역(13a, 13b) 간의 절연이 유지되어 있는 상태로서 240시간 이상으로 한 것은, 일반적인 목표로서, 전자 디바이스의 환경시험에서 240시간 이상의 변화가 없으면 품질이 유지되기 때문이다. 또한, 절연이 유지되어 있는 상태로서는 저항값이 109Ω 이상인 것이 바람직하다.
또한, 인접하는 2개의 도전 영역(13a, 13b)에, 고온 고습의 분위기 하에서 전압을 인가한 상태에서, 240시간 이상, 절연이 유지되어 있는 상태는, 인접하는 2개의 도전 영역(13a, 13b) 간의 비도전 영역(14a, 14b)에 잔존해 있는 섬유형의 금속 상태에 의존한다. 도전 영역(13a, 13b)과 비도전 영역(14a, 14b)은 에칭법 등으로 형성되고, 도전 영역(13a, 13b)은 섬유형의 금속끼리가 접촉함으로써 도전성을 발휘하고 있다. 한편, 비도전 영역(14a, 14b)은 섬유형의 금속이 잔존하고 있어도, 섬유형의 금속이 절단되어 있어서 접촉 개소를 갖지 않으면 도전성은 없다. 그러나 도전성은 나타내지 않아도, 비도전 영역(14a, 14b)에 잔존하고 있는 섬유형의 금속량이 많으면, 고온 고습의 분위기 하에서 도전 영역(13a, 13b)에 전압을 인가하면, 비도전 영역(14a, 14b)에 잔존하고 있는 섬유형의 금속이 금속의 성장을 촉진하기 때문에 마이그레이션이 일어나기 쉽고, 인접하는 2개의 도전 영역(13a, 13b) 간에 전류가 흘러, 절연 저항값이 저하된다. 따라서, 인접하는 2개의 도전 영역(13a, 13b)에, 고온 고습의 분위기 하에서 전압을 인가한 상태에서, 240시간 이상, 2개의 전극 간의 절연이 유지되게, 비도전 영역(14a, 14b)에 섬유형의 금속을 잔존시키지 않는 것이 바람직하고, 이것을 만족하는 에칭 조건을 실시하는 것이 바람직하다. 섬유형의 금속의 잔존 상태는 광학 현미경 등으로 확인하는 것이 가능하다.
비 도전 영역(14a, 14b)에 섬유형의 금속을 잔존시키지 않기 위해서는, 투명 전극층(12a, 12b)의 두께는 30nm 이상 150nm 이하인 것이 바람직하다. 150nm를 초과하면, 에칭의 진행이 느리고, 비도전 영역(14a, 14b)이 전기적으로 절연되어 있어도, 잔존하는 섬유형의 금속량은 많아져 버린다. 30nm보다 얇으면, 금속층의 보호라고 하는 역할을 할 수 없고, 상술한 바와 같이, 섬유형의 금속 내구성이 유지되지 않는다.
인접하는 두 도전 영역(13a, 13b)에, 고온 고습의 분위기 하에서 전압을 인가한 상태에서, 240시간 이상 절연이 유지되어 있는 상태로 하기 위해서, 인접하는 두 도전 영역(13a, 13b) 간의 거리를 확장하는 것도 가능하다. 단, 거리를 길게 취하면, 터치 패널로 했을 때의 사이즈가 커지고, 패턴의 불가시와 같은 문제도 발생한다는 점에서, 거리는 50㎛ 이상 500㎛ 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.
인접하는 2개의 도전 영역(13a, 13b)에, 고온 고습의 분위기 하에서 전압을 인가한 상태에서, 240시간 이상 절연이 유지되어 있는 상태를 평가하기 위해서, 도전 영역(13a, 13b)을 보호재 등으로 덮는 일도 바람직하게 행하여진다. 실제의 터치 패널에서는, 전극은 커버층이나 표시 패널 등으로 덮여 있으며, 드러나 있는 경우는 없다. 그 상태를 유사하게 한 상태에서 평가하기 위해서, 전극을 보호재 등으로 덮는 것이 바람직하다. 보호재로서는, 경화성 수지를 도포하거나, 또는 점착재를 개재해서 필름을 접합하는 방법을 들 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 또한 도전 영역(13a, 13b)에는 터치 패널로서 구동시키기 위한 IC 회로를 접속하기 위한 배선(40a, 40b)을 형성한다. 또한, 기판(11) 표면측의 투명 전극층(12a)에는, 접착층(41)을 개재해서 유리 등을 포함하는 커버층(50) 등이 적층되어서, 터치 패널(51)이 구성된다. 커버층(50)의 표면이 사람의 손가락 등의 접촉면이 된다. 또한, 기판(11) 이면측의 투명 전극층(12b)에는, 액정 패널 등의 표시 패널(52)이 적층되어서, 터치 패널(51)과 표시 패널(52)로부터 표시 장치(53)가 구성된다.
[투명 도전성 적층체의 제조 방법]
도 8 내지 도 15를 참조하여, 대표예로서 도 1에 도시하는 투명 도전성 적층체(10)의 제조 방법에 대해서 설명한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 먼저, 기판(11)의 표면에 금속층(16a)이 형성된다. 금속층(16a)은 섬유형의 금속이 분산된 용액이 기판(11)에 도포됨으로써 형성된다. 섬유형의 금속을 분산시키는 용제는 물, 또는 알코올계, 구체적으로는, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 등의 친수성이 높은 용제가 바람직하다. 이들 용제는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상의 용제를 병용해도 된다.
금속층(16a)의 형성 방법으로서는 스핀 코팅법, 롤러 코팅법, 바 코팅법, 딥 코팅법, 그라비아 코팅법, 커튼 코팅법, 다이 코팅법, 스프레이 코팅법, 닥터 코팅법 또는 니더 코팅법 등의 도포 방법이나, 스크린 인쇄법, 스프레이 인쇄법, 잉크젯 인쇄법, 철판 인쇄법, 요판 인쇄법, 평판 인쇄법 등과 같은 인쇄 방법 등의 공지된 방법이 사용된다.
도 9에 도시된 바와 같이, 이어서 금속층(16a) 위에 투명 전극층(12a)을 형성하는 수지의 구성 재료를 함유하는 용액이 도포되어, 금속층(16a)과 수지를 포함하는 투명 도전층(17a)이 형성된다. 수지의 구성 재료를 용해하는 용제로서는, 상술한 주성분의 아크릴레이트를 용해하는 용제라면 특별히 한정되지 않는다. 용제의 구체적인 예로서는 에탄올, 이소프로필알코올, 이소부틸알코올, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 아세트산 에틸, 아세트산 n-부틸, 아세트산 이소아밀, 락트산 에틸, 메틸 셀로솔브, 에틸 셀로솔브, 부틸 셀로솔브, 메틸 셀로솔브 아세테이트 또는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 등을 들 수 있다. 이들 용제는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상의 용제를 병용해도 된다.
금속층(16a)에 도포된 수지를 함유하는 용액은 금속층(16a)이 함유하는 섬유형의 금속 간극에도 침투한다. 도포 방법에는, 먼저 예시한 금속층(16a)의 형성 방법과 마찬가지의 공지된 방법이 사용된다. 도포 방법은 금속층(16a)의 형성 방법과 동일한 방법이어도 되고, 다른 방법이어도 된다.
도 10에 도시된 바와 같이, 이어서 기판(11)의 이면에 금속층(16b)이 형성된다. 금속층(16b)은 금속층(16a)과 마찬가지 방법으로 형성된다. 그리고 금속층(16b) 위에 투명 전극층(12b)을 형성하는 수지의 구성 재료를 함유하는 용액이 도포되어, 금속층(16b)과 수지를 포함하는 투명 도전층(17b)이 형성된다. 투명 도전층(17b)은 투명 도전층(17a)과 마찬가지 방법으로 형성된다. 또한, 금속층(16a)은 제1 금속층의 일례이며, 금속층(16b)은 제2 금속층의 일례이다. 또한, 투명 도전층(17a)은 제1 투명 도전층의 일례이며, 투명 도전층(17b)은 제2 투명 도전층의 일례이다.
다음으로, 투명 도전층(17a, 17b)에, 도전 영역(13a, 13b)과 비도전 영역(14a, 14b)을 형성하기 위해서, 패터닝을 실시한다. 패터닝 방법으로서는 포토리소그래피에 의한 습식 에칭, 레이저에 의한 건식 에칭 등과 같이 패턴 형성 가능한 방법이라면 어떤 방법을 사용해도 상관없다. 일례로서 포토리소그래피에 의한 방법을 이하에 나타내었다.
도 11에 도시된 바와 같이, 이어서 기판(11)의 표면측에 있어서, 투명 도전층(17a) 면 상에 레지스트(18a)가 형성되고, 기판(11)의 이면측에 있어서, 투명 도전층(17b) 면 상에 레지스트(18b)가 형성된다.
레지스트(18a, 18b)로서는, 네가티브형 레지스트를 사용해도 되고, 포지티브형 레지스트를 사용해도 된다. 레지스트(18a, 18b)에는 공지된 재료가 사용되고, 레지스트(18a, 18b)는 공지의 방법에 의해 형성된다.
도 12에 도시된 바와 같이, 이어서 레지스트(18a, 18b)에 광을 조사하는 2개의 광원(21a, 21b) 사이에, 레지스트(18a, 18b)가 형성된 적층체가 배치된다. 기판(11)의 표면측에 있어서, 레지스트(18a)와 광원(21a) 사이에는, 레지스트(18a)에 가까운 쪽에서, 투명 전극층(12a)의 도전 영역(13a)의 패턴에 따른 패턴을 갖는 마스크(19a)와, 특정한 파장의 광을 차단하는 광학 필터(20a)가 이 순서대로 배치된다. 기판(11)의 이면측에 있어서, 레지스트(18b)와 광원(21b) 사이에는, 레지스트(18b)에 가까운 쪽에서, 투명 전극층(12b)의 도전 영역(13b)의 패턴에 따른 패턴을 갖는 마스크(19b)와, 특정한 파장의 광을 차단하는 광학 필터(20b)가 이 순서대로 배치된다.
그리고 광원(21a)으로부터 레지스트(18a)에 대하여 광이 조사되어서 레지스트(18a)가 노광됨과 함께, 광원(21b)으로부터 레지스트(18b)에 대하여 광이 조사되어서 레지스트(18b)가 노광된다. 레지스트(18a)의 노광과 레지스트(18b)의 노광은 순차로 행하여져도 되고, 동시에 행하여져도 된다. 단, 동시에 행하는 경우에는, 한쪽 투명 전극층의 패턴이 다른 쪽 투명 전극층으로 옮아가지 않도록, 광을 흡수하는 층을 한쪽 투명 전극층과 다른 쪽 투명 전극층 사이에 삽입할 필요가 있다. 광을 흡수하는 층은 기판(11)에 광 흡수 기능을 갖게 해도 되고, 기판(11)과 투명 전극층(12a, 12b) 사이에 광 흡수층을 삽입하는 방법이 있다.
도 13에 도시된 바와 같이, 이어서 레지스트(18a, 18b)가 네가티브형일 경우에는, 레지스트(18a, 18b)의 감광하지 않은 부분이 현상액에 의해 제거된다. 또는, 레지스트(18a, 18b)가 포지티브형일 경우에는, 레지스트(18a, 18b)의 감광한 부분이 현상액에 의해 제거된다. 이에 의해, 레지스트(18a, 18b)에, 마스크(19a, 19b)에 따른 패턴이 형성된다. 즉, 레지스트(18a, 18b)에, 투명 전극층(12a, 12b)에서의 도전 영역(13a, 13b)이 패턴으로서 설정된 패턴이 형성된다.
도 14에 도시된 바와 같이, 이어서 레지스트(18a)의 패턴에 따라, 투명 도전층(17a)의 노출 부분이 에칭되고, 레지스트(18b)의 패턴에 따라, 투명 도전층(17b)의 노출 부분이 에칭된다. 에칭 방법은 산이나 알칼리에의 적층체의 침지 등, 공지된 방법이 사용된다. 이에 의해, 투명 도전층(17a, 17b) 중, 레지스트(18a, 18b)로 덮이지 않은 부분에서는, 섬유형의 금속이 부식함으로써 금속층(16a, 16b)이 제거되고, 수지가 남는다. 그 결과, 투명 도전층(17a, 17b)에서, 레지스트(18a, 18b)로 덮이지 않은 부분에 비도전 영역(14a, 14b)이 형성되고, 레지스트(18a, 18b)로 덮인 부분이 도전 영역(13a, 13b)이 된다. 이에 의해, 투명 도전층(17a)에 포함되는 금속층(16a)이 패터닝되어서 투명 전극층(12a)이 형성된다. 또한, 투명 도전층(17b)이 포함하는 금속층(16b)이 패터닝되어서 투명 전극층(12b)이 형성된다.
도 15에 도시된 바와 같이, 이어서 레지스트(18a, 18b)가 제거된다. 이에 의해, 투명 도전성 적층체(10)가 얻어진다.
도 2에 도시하는 투명 도전성 적층체(20)는 기판(11a)의 표면에 금속층(16a)이 형성되고, 금속층(16a)에 투명 전극층(12a)을 형성하는 수지의 구성 재료를 함유하는 용액이 도포되어서 투명 도전층(17a)이 형성된다. 또한, 기판(11b)의 표면에 금속층(16b)이 형성되고, 금속층(16b)에 투명 전극층(12b)을 형성하는 수지의 구성 재료를 함유하는 용액이 도포되어서 투명 도전층(17b)이 형성된다. 그리고 각각 이전의 도 8 내지 도 15에 도시되는 공정과 마찬가지 공정을 거쳐, 기판(11a, 11b)의 편측에 투명 전극층(12a, 12b)이 제작된다. 그리고 기판(11a)의 이면측과 투명 전극층(12b)이 점착층(23)을 개재해서 접합되어 투명 도전성 적층체(20)가 제조된다. 점착층(23)에 사용되는 수지로서는 아크릴계 수지, 실리콘계 수지 또는 고무계 수지 등을 들 수 있다. 점착층(23)에는 쿠션성이나 투명성이 우수한 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
도 3에 도시하는 투명 도전성 적층체(30)는 기판(11a)의 표면에 금속층(16a)이 형성되고, 금속층(16a)에 투명 전극층(12a)을 형성하는 수지의 구성 재료를 함유하는 용액이 도포되어서 투명 도전층(17a)이 형성된다. 또한, 기판(11b)의 표면에 금속층(16b)이 형성되고, 금속층(16b)에 투명 전극층(12b)을 형성하는 수지의 구성 재료를 함유하는 용액이 도포되어서 투명 도전층(17b)이 형성된다. 그리고 기판(11a)의 이면과 기판(11b)의 이면이 점착층(23)에 의해 접합된다. 이후, 도 8 내지 도 15에 도시되는 공정과 마찬가지의 공정을 거쳐서 투명 도전성 적층체(30)가 제조된다. 점착층(23)에 사용되는 수지로서는 아크릴계 수지, 실리콘계 수지 또는 고무계 수지 등을 들 수 있다. 점착층(23)에는 쿠션성이나 투명성이 우수한 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
[터치 패널의 구성]
도 16 및 도 18은 본 발명의 실시 형태에 따른 터치 패널(100, 200)의 단면에 관한 일례이다. 도 16은 터치 패널(100)의 평면도를 도시한 도 17의 선 A의 위치의 단면을 나타내고 있다. 도 18은 본 발명의 실시 형태에 따른 터치 패널(200)의 평면도를 도시한 도 19의 선 B의 위치의 단면을 나타내고 있다. 도 16 내지 도 19는 터치 패널의 일부를 도시하는 도면이다.
터치 패널(100, 200)은 기판(11, 11a, 11b)과, 패턴 형성된 도전 영역(13a)에 의해 구성된 복수의 드라이브 전극(3)과, 패턴 형성된 도전 영역(13b)에 의해 구성된 복수의 센스 전극(4)과, 도전 영역(13a, 13b)에 접속된 금속 배선(8, 9)과, 투명 점착층(7)과, 센서 커버(1)를 적어도 구비하고 있다. 드라이브 전극(3)과 센스 전극(4)은 기판(11)을 사이에 두고, 서로 다른 층에 배치되어서 교차하고 있다. 각 드라이브 전극(3)은 선 형상으로 형성되고, 동일한 층에 설치된 각 금속 배선(8)에 접속되어 있다. 각 센스 전극(4)은 선 형상으로 형성되고, 동일한 층에 설치된 각 금속 배선(9)에 접속되어 있다.
도 16에 나타내는 터치 패널(100)에서는, 드라이브 전극(3)과 센스 전극(4)이 다른 기판(11)의 같은 측(도 16에서 상측)에 형성되어 있다. 도 18에 나타내는 터치 패널(200)에서는, 드라이브 전극(3)과 센스 전극(4)이 동일한 기판(11)에 대하여 서로 다른 측에 형성되어 있다.
터치 패널(100, 200)에서는, 모든 드라이브 전극(3)이 배열된 에리어가 제1 센서 에리어가 되고, 모든 센스 전극(4)이 배열된 에리어가 제2 센서 에리어가 된다. 또한, 터치 패널(100, 200)의 두께 방향에서 보아, 제1 센서 에리어와 제2 센서 에리어가 겹치는 에리어에 드라이브 전극(3) 또는 센스 전극(4)의 배열 피치의 절반을 더한 에리어가 터치 센서 유효 에리어가 된다.
터치 패널(100, 200)은 접지 전극(6)과 보조 전극(5)을 더 구비하고 있다.
접지 전극(6)은 접지 전위를 갖는다. 접지 전극(6)은 드라이브 전극(3) 또는 센스 전극(4) 중 한쪽 전극과 같은 층에 배치되고, 한쪽 전극이 배열된 센서 에리어보다도 외측에 형성되어 있다. 도 17 및 도 19에 도시한 바와 같이, 접지 전극(6)은 기판(11)의 편면에 그 외주를 따라서 배치되어 있다.
보조 전극(5)은 선 형상으로 형성되어 있다. 보조 전극(5)은 접지 전극(6)과 같은 층에 배치된 드라이브 전극(3) 또는 센스 전극(4) 중, 접지 전극(6)에 가장 가까운 전극(최외부에 위치하는 도전 영역(13a, 13b))과 접지 전극(6) 사이에 형성되어 있다. 보조 전극(5)은 도전 재료로 구성되고, 상술한 접지 전극(6)에 가장 가까운 드라이브 전극(3) 또는 센스 전극(4)과 항상 등전위에 있다. 터치 패널(100, 200)에서는, 보조 전극(5)은 센스 전극(4)의 외측에 설치되고, 최외부의 센스 전극(4)의 선택 시와 비선택 시에 등전위가 되게 접속된다.
보조 전극(5)은 보조 전극(5)과 다른 층에 설치된 드라이브 전극(3) 또는 센스 전극(4)을 구성하는 도전 영역(13a, 13b)의 최외부보다 외측에 위치해도 된다. 또한, 보조 전극(5)은 터치 센서 유효 에리어보다 외측에 위치한다. 보조 전극(5)은 보조 전극(5)과 다른 층에 설치된 드라이브 전극(3) 또는 센스 전극(4)이 배열된 센서 에리어보다 외측에서, 보조 전극(5)과 다른 층에 설치된 드라이브 전극(3) 또는 센스 전극(4)에 접속된 금속 배선(8 또는 9)과 교차하고 있다. 보조 전극(5)과 다른 층의 보조 전극(5)과 겹치는 위치에 설치된 드라이브 전극(3), 센스 전극(4) 또는 금속 배선(8, 9)의 폭(터치 센서 유효 에리어보다 외측에 형성된 도전 영역(13a, 13b)의 폭)은 500㎛보다 작게 해도 된다. 또한, 보조 전극(5)의 폭은 1mm보다 작게 해도 된다. 또한, 보조 전극(5)이 금속 나노와이어를 적어도 포함하고 있어도 되고, 금속 나노와이어가 수지층으로 덮여 있어도 된다. 또한, 보조 전극(5)이 금속 전극을 포함하고 있어도 된다. 또한, 드라이브 전극(3) 및/또는 센스 전극(4)은 금속 배선(8, 9)과 접속되지 않은 단부가 금속 재료로 덮여 있어도 된다.
도 18에 나타내는, 터치 패널(200)과 같이 하나의 기판(11)의 편면 상에 드라이브 전극(3)을 형성하고, 다른 편면 상에 센스 전극(4)을 형성하는 경우, 기판(11) 중 센서 커버(1)측과는 반대측에 보호층(22)을 형성해도 된다. 보호층(22)은 드라이브 전극(3) 또는 센스 전극(4) 및 드라이브 전극(3)에 접속하는 금속 배선(8) 또는 센스 전극(4)에 접속하는 금속 배선(9)을 보호하기 위해서, 기계적 강도나 환경 내성을 얻는 것을 목적으로 형성한다. 보호층(22)에 사용되는 수지로서는 특별히 한정되지 않지만, 투명성을 갖는 수지가 바람직하다. 구체적으로는, 3차원 가교를 기대할 수 있는 3관능 이상의 아크릴레이트를 주성분으로 하는 단량체 또는 가교성 올리고머와 같은 광경화성 수지가 바람직하고, 수지층(2)과 마찬가지 재료를 사용해서 형성할 수 있다. 보호층(22)의 형성 방법도, 수지층(2)과 마찬가지 방법을 사용할 수 있다.
드라이브 전극(3) 및 센스 전극(4)을 구성하는 도전 영역(13a, 13b)은 터치 패널 센서로서 사용할 때, 직사각형 또는 다이아몬드형 등의 패턴 형상으로 해서 사용한다. 도전 영역(13a, 13b)은 금속 배선(8 또는 9)에 접속되어 있고, 그 금속 배선(8 또는 9)을 개재하여, 전압 변화를 검지할 수 있는 전압 변화 검지 회로에 접속되어 있다. 사람의 손가락 등이 센서 커버(1) 너머로, 검출 전극인 센스 전극(4)에 접근하면, 전체의 정전 용량이 변화하는 점에서, 회로의 전압이 변동하여, 접촉 위치의 판정을 행할 수 있다. 도전 영역(13a, 13b)의 패턴은 일련의 드라이브 전극(3)의 열, 센스 전극(4)의 열로 이루어진다. 각 드라이브 전극(3)의 열 및 각 센스 전극(4)의 열 각각을 전압 변화 검지 회로와 전기적으로 접속함으로써, 2차원의 위치 정보가 얻어진다.
금속 배선(8, 9), 보조 전극(5) 및 접지 전극(6)의 각각에는, 금속을 사용할 수 있다. 금속으로서는 철, 코발트, 니켈, 구리, 아연, 몰리브덴, 알루미늄, 티타늄, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 오스뮴, 이리듐, 백금, 금을 사용할 수 있지만, 도전성의 관점에서 구리, 은, 몰리브덴, 알루미늄, 티타늄, 또는 그들의 적층체가 적합하게 사용된다.
이 금속의 전극(5, 6) 또는 금속 배선(8, 9)의 형성 방법 및 패터닝 방법에는, 건식법으로서 진공 증착법, 스퍼터링 등의 물리적인 기상 석출법이나, CVD법과 같은 화학적인 기상 석출법을 사용할 수 있는 것 외에, 금속의 나노 입자를 도포, 소성함으로써 형성할 수도 있다. 패터닝에는 에칭이나 리프트 오프, 또는 금속 페이스트나 금속 잉크를 직접 인쇄하는 스크린 인쇄, 잉크젯, 그라비아 오프셋 인쇄, 철판 인쇄, 그라비아 인쇄, 임프린트 등의 방법을 사용할 수 있다.
어느 방법에서도, 기판(11)의 내열성이나 약품 내성 등의 프로세스 적성에 맞춘 조건을 적절히 선택한다.
터치 패널(100, 200)은 드라이브 전극(3) 또는 센스 전극(4)을 구성하는 도전 영역(13a, 13b)과, 도전 영역(13a, 13b)과 같은 층에 형성된 접지 전극(6) 사이에, 도전 재료로 구성된 보조 전극(5)을 설치한다. 보조 전극(5)은 드라이브 전극(3) 또는 센스 전극(4)보다 외측에 위치하기 때문에, 터치 센서 유효 에리어보다 외측에 배치된다. 즉, 통상의 사용 방법에서는, 보조 전극(5)은 센서 커버(1)의 프레임 아래에 배치된다. 보조 전극(5)은 투명 도전 재료 또는 금속 재료를 포함하고, 동일한 층의 드라이브 전극(3) 또는 센스 전극(4) 중, 센서 패널의 최외부에 위치하는 전극과 전기적으로 단락되어 있고, 그 최외부의 드라이브 전극(3) 또는 센스 전극(4)과 항상 등전위이다. 배선 설계로서는 도 17 및 도 19에 도시한 바와 같이, 금속 배선(9)과 보조 전극(5)을 접속하는 방법이 가장 적합하게 사용되지만, 이에 한정되지 않고, 등전위로 하고 싶은 금속 배선(8 또는 9)과 보조 전극(5)을 각각 LSI 칩에 접속하고, LSI 칩으로부터, 등전위가 되게 신호를 송신해도 된다.
도 16 및 도 18에서는, 접지 전극(6)과 보조 전극(5)은 센스 전극(4)과 같은 층에 형성되어 있다. 보조 전극(5)은 복수의 센스 전극(4) 가운데 접지 전극(6)에 가장 가까운 센스 전극(4)과, 접지 전극(6) 사이에서, 이들 전극(4, 6)과 같은 방향을 따라 이들 전극(4, 6)과는 간격을 두고 배치되어 있다.
또한, 접지 전극(6)과 보조 전극(5)을 드라이브 전극(3)과 같은 층에 형성하는 경우, 보조 전극(5)은 복수의 드라이브 전극(3) 가운데 접지 전극(6)에 가장 가까운 드라이브 전극(3)과, 접지 전극(6)과의 사이에서, 이들 전극(3, 6)과 같은 방향을 따라 이들 전극(3, 6)과는 간격을 두고 배치된다.
터치 패널(100, 200)은 보조 전극(5)이 센서 에리어의 최외부에 위치하는 드라이브 전극(3) 또는 센스 전극(4)과 항상 등전위가 됨으로써, 접지 전극(6)과 드라이브 전극(3) 또는 센스 전극(4) 사이에 일정 방향의 전계가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 드라이브 전극(3) 또는 센스 전극(4)으로부터 접지 전극(6)을 향해서 발생하고 있던 이온 마이그레이션의 발생이 억제되고, 환경 내성이 더욱 우수한 터치 패널(100, 200)을 제공할 수 있다. 특히, 이온 마이그레이션을 일으키기 쉬운 은이나 구리를 재료로 한 도전 영역(13a, 13b)을 사용한 경우에 효과가 크다.
보조 전극(5)은 도 16 및 도 18에 도시한 바와 같이, 보조 전극(5)과 다른 층에 위치하는 금속 배선(8 또는 9)과 겹쳐서 배치해도 되고, 보조 전극(5)과 다른 층에 위치하는 드라이브 전극(3) 또는 센스 전극(4)과 겹쳐서 배치해도 된다. 단, 보조 전극(5)은 다른 층에 위치하는 전극(3, 4) 또는 배선(8, 9)과 용량을 형성하므로, 그 영향을 최소로 억제하기 위해서, 가능한 한 겹치는 면적을 작게 할 필요가 있다. 따라서, 보조 전극(5)의 폭은 1mm보다 작은 것이 바람직하고, 보조 전극(5)과 겹쳐서 배치되어서 보조 전극(5)과 다른 층에 위치하는 금속 배선(8, 9), 드라이브 전극(3), 또는 센스 전극(4)의 폭은 500㎛보다 작은 것이 바람직하다.
드라이브 전극(3) 및/또는 센스 전극(4)의 단부이며, 금속 배선(8, 9)과 접속되지 않은 측의 단부에, 금속으로 피복한 단부 피복 전극(12)을 형성해도 된다. 도 19에서는, 센스 전극(4)의 금속 배선(9)과 접속되지 않은 단부가, 단부 피복 전극(12)으로 덮여 있다. 단부 피복 전극(12)에는 구리, 은, 몰리브덴, 알루미늄, 티타늄, 또는 그들의 적층체 등의 금속 재료를 사용할 수 있고, 또한 ITO 등의 투명 도전 재료를 사용할 수도 있다.
드라이브 전극(3)과 센스 전극(4)은 용량 검지 센서로서 기능한다. 도 18에 도시한 바와 같이, 드라이브 전극(3) 및 센스 전극(4)은 1매의 기판(11)의 양면에 배치해도 되고, 도 16에 도시한 바와 같이 별도의 기판(11)에 설치하여, 투명 점착층(7)을 개재해서 접합해서 상하에 배치해도 된다. 도전 영역(13a, 13b)에 의해 구성된 드라이브 전극(3) 및 센스 전극(4)은 각각 금속 배선(8, 9)과 접속되고, 도전 영역(13a, 13b)에 의한 상부 전극과 하부 전극 간의 용량 변화를 검출하는 회로에 접속됨으로써, 정전 용량식의 터치 센서로서 동작한다. 터치 센서를, 최종적으로 투명 점착층(7)을 개재해서 센서 커버(1)와 접합함으로써, 터치 패널을 제작할 수 있다. 센서 커버(1)는 유리여도 되고, 표면을 하드 코팅 가공한 수지나 플라스틱 소재의 시트여도 된다. 유리를 사용하는 경우에는, 소다유리 중의 나트륨 이온을 이온 교환함으로써 화학 강화한, 강화 유리를 사용하는 것이 바람직하다.
터치 패널(100, 200)에 있어서도, 도전 영역(13a, 13b)은 각각 절연이 유지되어 있다. 각 도전 영역은 모두, 인접하는 2개의 도전 영역에, 고온 고습의 분위기(예를 들어, 온도 60℃, 습도 90%RH) 하에 전압을 인가한 상태에서, 240시간 이상, 인접하는 2개의 도전 영역 간의 절연이 유지되어 있는 상태가 바람직하다. 절연이 유지되어 있는 상태로서는 저항값이 109Ω 이상인 것이 바람직하다.
실시예
이하에 본 발명의 실시예를 나타내지만, 본 발명의 기술적 범위는 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
PET 기판(75㎛) 상의 편측에 UV 경화 수지를 도포하고, 그 위에 다이 코팅법에 의해 섬유형의 금속을 포함하는 금속층을 형성하였다. 이어서, 아크릴 단량체를 주성분으로 하는 용액을 마이크로그라비아 코팅법으로 드라이 막 두께 70nm로 되도록 도포, UV 조사로 경화시켜 투명 도전층을 얻었다. PET 기판의 반대측에도 마찬가지 방법으로 금속층, 투명 도전층을 형성하였다. 이어서, 포토리소그래피법으로 네가티브형 레지스트를 도포하고, UV 조사에 의한 경화 후, 염산(0.1%)에 의한 에칭, 수산화나트륨 용액(1%)에 의해 레지스트 박리를 행하고, 패터닝을 행하여, 띠 형상의 도전 영역을 복수 제작하였다. 띠 형상의 도전 영역 각각에 에폭시 수지 및 은을 베이스로 한 도전성 페이스트를 사용해서 스크린 인쇄법으로 배선을 형성하고, 투명 전극층의 막 두께가 70nm인 투명 도전성 적층체를 얻었다. 얻어진 투명 도전성 적층체의 인접하는 도전 영역에 5V의 전압을 인가하고, 온도 60℃, 습도 90%의 환경 하에 투입하고, 선간 절연 평가 장치를 사용해서 시간마다의 저항값을 측정하였다. 측정은 500시간까지 실시하였다. 또한, 투명 도전성 적층체 2장을, 점착층을 개재하여 접합하고, 유리로 만든 커버재를 접착제를 사용해서 접합하고, IC 제어 회로를 접속해서 터치 패널을 제작하고, 온도 60℃, 습도 90%의 환경 하에서 동작 시험을 계속해서 행하고, 시간마다 터치 위치와 검출 위치를 확인하였다.
(비교예 1)
PET 기판(75㎛) 상의 편측에 UV 경화 수지를 도포하고, 그 위에 다이 코팅법에 의해 섬유형의 금속을 포함하는 금속층을 형성하였다. 이어서, 아크릴 단량체를 주성분으로 하는 용액을 마이크로그라비아 코팅법으로 드라이 막 두께 300nm로 되도록 도포, UV 조사로 경화시켜 투명 도전층을 얻었다. 마찬가지로, PET 기판의 반대측에도 마찬가지 방법으로 금속층, 투명 도전층을 형성하였다. 이어서, 포토리소그래피법으로 네거티브형 레지스트를 도포하고, UV 조사에 의한 경화 후, 염산(0.1%)에 의한 에칭, 수산화나트륨 용액(1%)에 의해 레지스트 박리를 행하고, 패터닝을 행하였다. 이것에 에폭시 수지 및 은을 베이스로 한 도전성 페이스트를 사용해서 스크린 인쇄법으로 배설해 배선을 형성하고, 투명 전극층의 막 두께가 300nm인 투명 도전성 적층체를 얻었다. 얻어진 투명 도전성 적층체의 인접하는 도전 영역에 5V의 전압을 인가하고, 온도 60℃, 습도 90%의 환경 하에 투입하고, 시간마다 저항값의 측정을 행하였다. 측정은 500시간까지 실시하였다. 또한 이 투명 도전성 적층체 2장을, 점착 층을 개재하여 접합하고, 또한 유리로 만든 커버재를 점착제를 사용해서 접합하고, IC 제어 회로를 접속시켜서 터치 패널을 제작하고, 온도 60℃, 습도 90% 환경 하에 동작 시험을 계속해서 행하고, 시간마다 터치 위치와 검출 위치를 확인하였다.
실시예 1과 비교예 1에서의 측정 결과를 표 1에 나타내었다.
실시예 1에서는, 온도 60℃, 습도 90% 환경에 투입하고 나서 240시간 경과 후에는 인접하는 도전 영역의 저항값이 109Ω 이상으로 절연이 유지되어 있었다. 또한, 500시간 후에도 저항값은 저하되지 않고 절연이 유지되어 있었다. 한편, 비교예 1에서는, 온도 60℃, 습도 90% 환경에 투입 후, 인접하는 도전 영역 간의 저항값은 서서히 저하되어 150시간 후의 시점에서 5.0×104Ω이 되고, 시간이 지나니 저항값은 더 저하되어 갔다. 또한, 비교예 1의 기판을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 비도전 영역에 금속의 나무 형상물이 존재하고 있었다. 또한, 실시예 1 및 비교예 1의 투명 도전성 적층체를 사용해서 터치 패널을 제작한 결과, 실시예 1에서는 정상적으로 터치를 인식했지만, 비교예 1은 터치한 곳과 다른 개소가 터치된 것으로 검출되어, 터치 오인식이 되었다. 이상의 결과로부터, 실시예 1에 관한 투명 도전성 적층체는 고온 고습 하에 장시간 투입해도 오동작이 발생하지 않는 것이 확인되었다.
Figure pct00001
(실시예 2)
도 18과 마찬가지 층 구성을 가지는 터치 패널(200)을 제작하였다. 도 19는 터치 패널(200)의 전극부를 나타낸 평면도이며, B의 선을 따라 단면을 본 모식도가 도 18이다. 기판(11)으로서 PET(125㎛)를 사용하여, 양면에 UV 흡수제를 20wt％ 첨가한 UV 경화성 투명 아크릴 수지를 마이크로그라비아 코팅한 후, 건조, UV 경화함으로써 수지층(2)을 5㎛의 두께로 기판(11)의 양면에 형성하였다. 얻어진 기재의 양면에, 투명 전극층(12a, 12b)의 재료로서 은 나노와이어를 시트 저항 100Ω/□이 되게 슬롯다이 코팅으로 도포 시공해서 투명 전극층(12a, 12b)을 형성하고, 마찬가지로 UV 경화성 투명 아크릴 수지를 130nm의 두께로 도포 시공해서 경화막을 형성하였다.
양면에 투명 전극층(12a, 12b)이 형성된 기재를, 포토리소그래피에 의해, 드라이 필름 포토레지스트로 노광·현상한 후, 에칭 및 레지스트 박리함으로써, 편면의 도전 영역(13a)을 드라이브 전극(3), 다른 한쪽 면의 도전 영역(13b)을 센스 전극(4)으로서 패턴 형성하였다. 포토리소그래피 시에, 포토레지스트의 현상은 탄산나트륨 수용액으로 행하고, 염화 제2철 용액으로 은 나노와이어를 에칭하고, 수산화나트륨 수용액으로 레지스트를 박리하였다. 또한, 금속 배선(8, 9)을 스크린 인쇄로 은 페이스트 패턴을 형성하고, 90℃, 30분간 가열함으로써 기재의 양면에 형성하였다. 이때, 센스 전극(4)과 같은 층에는, 은 페이스트로 도 19와 마찬가지로 보조 전극(5)을 형성하였다. 보조 전극(5)의 폭은 100㎛로 하였다. 또한, 센스 전극(4)과 같은 층에는 접지 전극(6)도 형성하였다. 또한, 센스 전극(4)의 단부를 덮도록 단부 피복 전극(12)을 도 19와 마찬가지로 형성하였다.
이상에서 얻어진 투명 도전성 적층체를 포함하는 기재에 75㎛ 두께의 투명 점착층(7)을 적층하고, 최표면에 0.55mm 두께의 화학 강화한 센서 커버(1)를 접합함으로써 터치 패널(200)을 얻었다.
터치 패널(200)의 동작 확인은 금속 배선(8, 9)을 플렉시블 프린트 기판 경유로 구동 LSI에 접속해 행하였다. 그 결과, 양호하게 손가락의 접촉의 검지와 좌표 위치의 검출을 할 수 있었다. 얻어진 터치 패널을 온도 60℃, 습도 90%의 환경에서 240시간 동작시킨 후, 환경시험기로부터 취출하고, 상기와 마찬가지로 동작 확인을 행한 결과, 마찬가지로 양호하게 손가락의 접촉의 검지와 좌표 위치의 검출을 할 수 있었다.
(비교예 2)
도 20과 마찬가지의 층 구성을 가지는 터치 패널(300)을 제작하였다. 도 21은 터치 패널(300)의 전극부를 나타낸 평면도이며, C의 선을 따라 단면을 본 모식도가 도 20이다.
센스 전극(4)과 같은 층에 보조 전극(5)을 설치하지 않는 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지로 터치 패널(300)을 제작하였다.
제작 직후의 터치 패널(300)은 양호하게 동작하고, 손가락 접촉의 검지와 좌표 위치의 검출을 할 수 있었다. 그러나 얻어진 터치 패널(300)을 온도 60℃, 습도 90%의 환경에서 240시간 동작시킨 후, 환경시험기로부터 취출하고, 상기와 마찬가지로 동작 확인을 행한 결과, 터치 센서 외주부의 터치 검지 성능이 현저하게 저하되었다. 센스 전극(4)과 접지 전극(6) 사이에서 센스 전극(4)을 구성하는 도전 영역(13b)의 은 나노와이어가 이온 마이그레이션을 일으키고 있었다.
이상의 평가 결과로부터, 보조 전극(5)을 설치함으로써, 드라이브 전극(3) 또는 센스 전극(4)과 접지 전극(6) 간의 이온 마이그레이션을 억제하여, 신뢰성이 우수한 터치 패널을 제공할 수 있음이 확인되었다.
본 발명의 투명 도전성 적층체 및 투명 도전성 적층체를 구비한 터치 패널은 정전 용량식 터치 패널로서 사용되고, 스마트폰이나 태블릿, 노트북 PC 등의 전방면에 배치되는 사용자 인터페이스 등으로서 이용 가능하다.
1 센서 커버
2 수지층
3 드라이브 전극
4 센스 전극
5 보조 전극
6 접지 전극
7 투명 점착층
8 금속 배선(드라이브 전극)
9 금속 배선(센스 전극)
10, 20, 30 투명 도전성 적층체
11, 11a, 11b 기판(투명 기재)
12a, 12b 투명 전극층
13a, 13b 도전 영역
14a, 14b 비도전 영역
16a, 16b 금속층
17a, 17b 투명 도전층
18a, 18b 레지스트
19a, 19b 마스크
20a, 20b 광학 필터
21a, 21b 광원
22 보호층
23 점착층
40a, 40b 배선
41 접착층
50 커버층
51 터치 패널
52 표시 패널
53 표시 장치
54 전압 인가 장치

Claims (13)

  1. 투명 기재와,
    상기 투명 기재의 일면 또는 양면에 적층되고, 수지를 함유하는 투명 전극층을 구비하고,
    상기 투명 전극층은 섬유형의 금속을 갖는 복수의 도전 영역과, 비도전 영역을 포함하고,
    상기 투명 전극층의 두께가 30nm 이상 150nm 이하인, 투명 도전성 적층체.
  2. 제1항에 따른 투명 도전성 적층체를 구비하는, 터치 패널.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 도전 영역에 접속된 금속 배선과,
    서로 다른 층에 배치된, 상기 도전 영역에 의해 구성된 드라이브 전극 및 센스 전극과,
    상기 드라이브 전극 또는 상기 센스 전극 중 한쪽 전극과 같은 층에 배치되고, 상기 한쪽 전극이 배열된 센서 에리어보다도 외측에 형성된 접지 전극과,
    상기 접지 전극과 같은 층에 배치된 드라이브 전극 또는 센스 전극 중 상기 접지 전극에 가장 가까운 전극과, 상기 접지 전극의 사이에 형성되고,
    도전 재료로 구성되고,
    상기 접지 전극에 가장 가까운 전극과 항상 등전위에 있는
    보조 전극을 더 구비하는, 터치 패널.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 보조 전극이, 해당 보조 전극과 다른 층에 설치된 드라이브 전극 또는 센스 전극을 구성하는 상기 도전 영역의 최외부보다 외측에 위치하는, 터치 패널.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 보조 전극이, 해당 보조 전극과 같은 층의 상기 센서 에리어와, 해당 보조 전극과 다른 층에 설치된 상기 센서 에리어가 겹치는 에리어에 드라이브 전극 또는 센스 전극의 배열 피치의 절반을 더한 에리어인 터치 센서 유효 에리어보다 외측에 위치하는, 터치 패널.
  6. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보조 전극이, 해당 보조 전극과 다른 층에 설치된 드라이브 전극 또는 센스 전극이 배열된 센서 에리어보다 외측에 위치하고, 해당 보조 전극과 다른 층에 설치된 드라이브 전극 또는 센스 전극에 접속된 상기 금속 배선과 교차하는, 터치 패널.
  7. 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보조 전극과 다른 층에서 해당 보조 전극과 겹치는 위치에 설치된 드라이브 전극, 센스 전극, 또는 금속 배선의 폭이 500㎛보다 작은, 터치 패널.
  8. 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보조 전극의 폭이 1mm보다 작은, 터치 패널.
  9. 제3항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보조 전극이 금속 나노 와이어를 적어도 포함하는, 터치 패널.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 금속 나노 와이어가 수지층으로 덮인, 터치 패널.
  11. 제3항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보조 전극이 금속 전극을 포함하는, 터치 패널.
  12. 제3항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 드라이브 전극 및/또는 상기 센스 전극은, 상기 금속 배선과 접속되지 않은 단부가 금속 재료로 덮인, 터치 패널.
  13. 제2항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    온도 60℃, 습도 90%의 분위기 하에 투입해서 240시간 경과 후의, 상기 비도전 영역을 개재해서 인접하는 상기 도전 영역 간의 전기 저항값이 109Ω 이상인, 터치 패널.
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