TW201730727A - 觸控面板用導電性積層體、及觸控面板用導電性積層體之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之觸控面板用導電性積層體係具備：具有一面且具有透光性之基材、形成於基材的一面且具有透光性之基底層、形成於基底層之中與基材所相接之面為相反側之面的第1氮氧化銅層、形成於第1氮氧化銅層之中與基底層所相接之面為相反側之面的銅層、形成於銅層之中與第1氮氧化銅層所相接之面為相反側之面的第2氮氧化銅層。

Description

觸控面板用導電性積層體、及觸控面板用導電性積層體之製造方法
本發明係有關構成觸控面板之觸控感測器用電極的形成所使用之導電性積層體、及觸控面板用導電性積層體之製造方法。
觸控面板具有之觸控感測器係具備複數個電極。複數個電極之形成材料中，以降低各電極之電阻值為目的而使用銅等之金屬(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2011-28699號公報
另外，由於以金屬作為形成材料之電極，係將光反射在電極之表面，故電阻率係比以透明導電性氧化物作為形成材料之電極低，而容易被觸控面板之使用者所辨識。因此，對於具備以金屬作為形成材料之複數個電極之觸控面板，要求使各電極難以被辨識。
本發明之目的係提供一種觸控面板用導電性積層體以及觸控面板用導電性積層體之製造方法，該觸控面板用導電性積層體可使得使用觸控面板用導電性積層體所形成之電極難以被辨識。
為解決上述問題之觸控面板用導電性積層體係具備：具有一面且具有透光性之基材、位於前述基材的前述一面且具有透光性之基底層、位於前述基底層之中與前述基材所相接之面為相反側之面的第1氮氧化銅層、位於前述第1氮氧化銅層之中與前述基底層所相接之面為相反側之面的銅層、位於前述銅層之中與前述第1氮氧化銅層所相接之面為相反側之面的第2氮氧化銅層。
為解決上述問題之觸控面板用導電性積層體的製造方法係具備下述步驟：在基材之至少一面形成基底層之步驟；在前述基底層之中與前述基材所相接之面為相反側之面，使用濺鍍法形成第1氮氧化銅層之步驟；在前述第1氮氧化銅層之中與前述基底層所相接之面為相反側之面，使用濺鍍法形成銅層之步驟；在前述銅層之中與前述第1氮氧化銅層所相接之面為相反側之面，使用濺鍍法形成第2氮氧化銅層之步驟。
根據上述構成，銅層係以反射率低於銅層之2個氮氧化銅層包夾著。藉此，使用觸控面板用導電性積層體所形成之複數個電極，在2個氮氧化銅層中，光的反射可受到抑制，因此得以使電極難以由與第1面相對向的方向被辨識，且得以使電極難以隔著基材被辨識。
為解決上述問題之觸控面板用導電性積層體係具備：具有第1面及與前述第1面為相反側之第2面的基材、分別位於前述第1面及前述第2面且具有透光性之基底層、位於前述基底層之中與前述基材所相接之面為相反側之面的第1氮氧化銅層、位於前述第1氮氧化銅層之中與前述基底層所相接之面為相反側之面的銅層、位於前述銅層之中與前述第1氮氧化銅層所相接之面為相反側之面的第2氮氧化銅層。
根據上述構成，銅層係以反射率低於銅層之2個氮氧化銅層包夾著。藉此，使用觸控面板用導電性積層體所形成之複數個電極，在2個氮氧化銅層中，光的反射可受到抑制，因此得以使電極難以由與第1面相對向的方向被辨識，且得以使電極難以由與第2面相對向的方向被辨識。
上述觸控面板用導電性積層體中，較佳為前述基底層係包含紫外線硬化性多官能丙烯酸酯、紫外線硬化性單官能丙烯酸酯、紫外線硬化性之含丙烯酸基的丙烯酸聚合物、及用以降低前述第2氮氧化銅層中與前述銅層為相反側之面的密接性之抗黏結劑，前述基底層係填埋前述基材中形成在前述基底層所相接之面的複數凹部。
根據上述結構，基底層包含抗黏結劑，因此觸控面板用導電性積層體在捲繞、積層時，可抑制第2氮氧化銅層密接於層積在第2氮氧化銅層上之層。而且，基底層係填埋基材的凹部且在基材上形成為層狀，因此 可提高基底層中之第1氮氧化銅層所相接之面的平坦性。甚至，可提高觸控面板用導電性積層體的各層的平坦性。
上述觸控面板用導電性積層體中，較佳為前述銅層之厚度係200nm以上500nm以下，前述第1氮氧化銅層之厚度係30nm以上50nm以下，且前述銅層之厚度的25%以下之值。
根據上述結構，第1氮氧化銅層之厚度係30nm以上50nm以下，因此第1氮氧化銅層具有足夠的厚度以提高基材與銅層間之密接性。而且，第1氮氧化銅層之厚度係銅層之厚度的25%以下之值，因此得以一面保持基材與銅層間之密接性，一面抑制觸控面板用導電性積層體整體之厚度、與觸控面板用導電性積層體中之銅使用量過大。
上述觸控面板用導電性積層體，較佳為在前述第2氮氧化銅層中，XYZ表色系之三激值中的Y值，且為在前述第2氮氧化銅層已形成之時之前述Y值，係為20%以下。
根據上述結構，在第2氮氧化銅層中，XYZ表色系之中，亮度指標之Y值係20%以下。因此，使用觸控面板用導電性積層體所形成之複數個電極，得以使電極難以由與第2氮氧化銅層相對向的方向被辨識。而且，第2氮氧化銅層已形成之時之Y值為20%以下，因此Y值難以大到可辨識第2氮氧化銅層之程度。
上述觸控面板用導電性積層體中，較佳為前 述第1氮氧化銅層及前述第2氮氧化銅層之至少1者係包含4原子%以上19原子%以下之比例的氧原子。
根據上述結構，第1氮氧化銅層及第2氮氧化銅層之中，包含4原子%以上19原子%以下之比例的氧原子之層，可提高對光學特性的變化之耐久性。
上述觸控面板用導電性積層體中，較佳為前述基底層與前述第1氮氧化銅層之界面的密接強度係以8.0N/15mm以上。
根據上述結構，觸控面板用導電性積層體在形成圖案時，經圖案化而形成的電極的一部分不易從基底層剝離，進而能夠抑制電極的斷線。
上述觸控面板用導電性積層體中，較佳為由前述第1氮氧化銅層、前述銅層及前述第2氮氧化銅層所構成的積層體之表面電阻率為0.13Ω/□以下。
根據上述結構，可將使用觸控面板用導電性積層體所形成之電極的電阻值作成可無視於對觸控感測器之響應速度的影響之程度的小電阻值。
上述觸控面板用導電性積層體中，較佳為前述基底層之中前述第1氮氧化銅層所相接之面的表面粗糙度Ra為3nm以上20nm以下。
根據上述結構，表面粗糙度Ra為3nm以上，因此，由基底層、第1氮氧化銅層、銅層及第2氮氧化銅層所構成的積層體會更容易得到抗黏結性。而且，表面粗糙度Ra為20nm以下，因此可抑制在使用上述積層體所形成之電極上的光的散射大到被觸控面板之使用者辨識 之程度。
根據本發明，即可使得使用觸控面板用導電性積層體所形成之電極難以被辨識。
10‧‧‧觸控面板用導電性積層體
11‧‧‧基材
11a‧‧‧第1面
11b‧‧‧第2面
11c‧‧‧凹部
12、21‧‧‧基底層
13、22‧‧‧下側氮氧化銅層
14、23‧‧‧銅層
15、24‧‧‧上側氮氧化銅層
16‧‧‧第1積層體
20‧‧‧第2積層體
31‧‧‧電極
第1圖係在使本發明之觸控面板用導電性積層體具體化的1個實施型態中，概略地呈示觸控面板用導電性積層體之一例的剖面構造之剖面圖。
第2圖係概略地呈示觸控面板用導電性積層體之一例的剖面構造之剖面圖。
第3圖係用以說明觸控面板用導電性積層體之製造方法之中，形成基底層之步驟的步驟圖。
第4圖係擴大基材與基底層之一部分地呈示之部分擴大剖面圖。
第5圖係用以說明觸控面板用導電性積層體之製造方法之中，形成下側氮氧化銅層之步驟的步驟圖。
第6圖係用以說明觸控面板用導電性積層體之製造方法之中，形成銅層之步驟的步驟圖。
第7圖係用以說明觸控面板用導電性積層體之作用的作用圖。
第8圖係用以說明觸控面板用導電性積層體之作用的作用圖。
[實施發明之形態]
參照第1圖至第8圖，說明觸控面板用導電性積層體、及觸控面板用導電性積層體之製造方法的1個實施形態。以下，依序說明觸控面板用導電性積層體之構成、觸控面板用導電性積層體之製造方法、觸控面板用導電性積層體之作用、以及實施例。
[觸控面板用導電性積層體之構成]
參照第1圖及第2圖，說明觸控面板用導電性積層體之構成。而且，第1圖所示之觸控面板用導電性積層體之剖面構造係觸控面板用導電性積層體之一例的剖面構造，第2圖所示之觸控面板用導電性積層體之剖面構造係觸控面板用導電性積層體之其它一例的剖面構造。
如第1圖所示，觸控面板用導電性積層體10係具備基材11、基底層12、下側氮氧化銅層13、銅層14及上側氮氧化銅層15。基底層12、下側氮氧化銅層13、銅層14及上側氮氧化銅層15係構成第1積層體16。
基材11具有透光性，具備一個面之第1面11a，基底層12係形成在基材11之第1面11a上。下側氮氧化銅層13係形成在基底層12之中與基材11所相接之面為相反側之面，銅層14係形成在下側氮氧化銅層13之中，與基底層12所相接之面為相反側之面。上側氮氧化銅層15係形成在銅層14之中與下側氮氧化銅層13所相接之面為相反側之面。
亦即，基底層12係位於基材11之第1面11a上，下側氮氧化銅層13係位於基底層12之中與基材11所相接之面為相反側之面，銅層14係位於下側氮氧化銅層13 之中與基底層12所相接之面為相反側之面。上側氮氧化銅層15係位於銅層14之中與下側氮氧化銅層13所相接之面為相反側之面。
基材11係以由具有透光性之樹脂所形成為較佳，基材11之形成材料可為例如：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醯胺及聚醯亞胺等。基材11之厚度例如為數十μm至數百μm。
基底層12係對基材11與下側氮氧化銅層13之兩者具有密接性之層，且係可抑制下側氮氧化銅層13從基材11剝離之層。基底層12較佳為具有透光性，且係由以複數之樹脂材料構成之塗布液所形成之層。基底層12之厚度例如為數μm。
用以形成基底層12之塗布液係包含：紫外線硬化性多官能丙烯酸酯、紫外線硬化性單官能丙烯酸酯、丙烯酸聚合物、及抗黏結劑。換句話說，基底層12係包含紫外線硬化性多官能丙烯酸酯、紫外線硬化性單官能丙烯酸酯、丙烯酸聚合物、及抗黏結劑。其中，紫外線硬化性多官能丙烯酸酯具有決定基底層12之形狀的功能，紫外線硬化性單官能丙烯酸酯係對利用紫外線之硬化反應具有反應性之稀釋劑。
丙烯酸聚合物係對基材11與下側氮氧化銅層13具有密接性，丙烯酸聚合物具有：紫外線硬化性之丙烯酸基、與有助於密接性之官能基。抗黏結劑可降低上側氮氧化銅層15之中與銅層14所相接之面為相反側之面 的密接性。抗黏結劑係以例如由丙烯酸樹脂、聚矽氧樹脂及氧化矽等所形成之粒子為較佳，粒子之粒徑係以數百nm左右為較佳。基底層12之厚度例如為1μm時，粒子之粒徑係以100nm以上500nm以下為較佳。
由於用以形成基底層12之塗布液，甚至基底層12包含抗黏結劑，因此上側氮氧化銅層15之中與銅層14相接之面為相反側之面具有追隨著抗黏結劑之粒子形狀的凹凸。因此，觸控面板用導電性積層體10在捲繞、積層時，得減少上側氮氧化銅層15與層積在上側氮氧化銅層15上之層的基材11的接觸點。
結果，可抑制上側氮氧化銅層15黏貼在層積於上側氮氧化銅層15上之基材11，亦即黏結，而且，可抑制相較於上側氮氧化銅層15為軟質的基材11的表面因上側氮氧化銅層15損傷。
基底層12與下側氮氧化銅層13之界面的密接強度係以8.0N/15mm以上為較佳。基底層12與下側氮氧化銅層13之界面的密接強度係由依據JIS K6854-3的方法所測定之值。
密接強度若為8.0N/15mm以上，則觸控面板用導電性積層體在被圖案化時，通過圖案化所形成之電極的一部分不易從底層12剝離，進而能夠抑制電極的斷線。
基底層12之中，相接於下側氮氧化銅層13之面為表面，表面之表面粗糙度Ra係以3nm以上20nm以下為較佳，5nm以上10nm以下為更佳。基底層12之表面粗 糙度Ra係由依據JIS B 0601的方法所測定之值。
藉由基底層12之表面的表面粗糙度Ra為3nm以上，相較於表面粗糙度Ra小於3nm以上之構成，第1積層體16更容易得到抗黏結性。另外，抗黏結性係一種抑制上側氮氧化銅層15與層積在上側氮氧化銅層15之上的基材11之間的黏結之特性。
而且，藉由基底層12之表面的表面粗糙度Ra為20nm以下，可抑制第1積層體16之霧度值，由第1積層體16所形成之電極上的光的散射，大到被觸控面板之使用者辨識之程度。此外，藉由基底層12之表面的表面粗糙度Ra為20nm以下，可抑制形成在基底層12之表面的下側氮氧化銅層13之針孔或裂縫的產生。
如此，為使第1積層體16具有抗黏結性，並且抑制第1積層體16之霧度值變大，基底層12之表面的表面粗糙度Ra係以3nm以上20nm以下為較佳。
另外，基底層12為包含抗黏結劑之構成時，基底層12之表面粗糙度Ra可通過基底層12之抗黏結劑的分散程度而控制。基底層12中，抗黏結劑呈均勻地分散時，可提高基底層12之表面的平滑性。另一方面，基底層12中，抗黏結劑過度凝聚時，上側氮氧化銅層15中，重疊在已凝聚的抗黏結劑之部分會被辨識為比其它部分突出的突出部分。
因此，為使基底層12之表面的表面粗糙度Ra之值被包含在3nm以上20nm以下之範圍，較佳為以具有可被辨識之大小之突出部分不會形成在上側氮氧化銅層 15之程度使抗黏結劑在基底層12之中凝聚。
基底層12之表面硬度係以HB以上為較佳，H以上為更佳。而且，基底層12之硬度係根據符合JIS K5600-5-4的鉛筆法測定之劃痕硬度。
基底層12之硬化程度愈小，基底層12之表面的硬度越低，因此在基底層12之表面越容易產生傷痕。據此，位於基底層12之表面的下側氮氧化銅層13、銅層14及上側氮氧化銅層15亦越容易形成追隨基底層12所具有之傷痕的凹部等。在由下側氮氧化銅層13、銅層14及上側氮氧化銅層15之積層體形成電極時，如此凹部會使電極發生斷線。
而且，基底層12之表面硬度愈低，因對基底層12之來自外部的作用之應力，基底層12的變形程度會越大。而且，基底層12的變形程度過大時，在基底層12之表面所形成的下側氮氧化銅層13會無法追隨基底層12的變形，結果將導致下側氮氧化銅層13產生裂痕，或下側氮氧化銅層13從基底層12剝離之情形。
針對此方面，若基底層12之表面的鉛筆硬度為HB以上，即可抑制電極的斷線、下側氮氧化銅層13產生的裂痕、以及下側氮氧化銅層13的剝離。
下側氮氧化銅層13係由氮氧化銅(CuNO)所形成之層。
此處，氮化銅層在形成初期，亦即在自形成起所經過時間尚短之期間，相較於氮氧化銅層，在化學上並不穩定，容易與空氣中的氧反應。據此，氮化銅層之組成 在形成初期之期間容易改變，氮化銅層之光學特性在形成初期之期間亦容易改變。如此，氮化銅層，由於形成時之光學特性、與經過短時間之後的光學特性大為不同，因此難以將氮化銅層之光學特性作成所要求的光學特性。
相對於此，相較於氮化銅層，氮氧化銅層可抑制僅包含氧之部分在形成初期之組成變化及光學特性的變化。
下側氮氧化銅層13中，依據JIS Z 8722的XYZ表色系之三激值中，Y值之初始值，亦即在下側氮氧化銅層13已形成之時之Y值係以20%以下為較佳。而且，三激值中之Y值係亮度之指標，顯示Y值愈大愈為明亮。而且，下側氮氧化銅層13之厚度係以30nm以上50nm以下且為銅層14之厚度的25%以下之值為較佳。
由於下側氮氧化銅層13之厚度為30nm以上50nm以下，故下側氮氧化銅層13在提升形成有基底層12之基材11與銅層14之間的密接性上具有足夠的厚度。此外，由於下側氮氧化銅層13之厚度為銅層14之厚度的25%以下之值，故可一面保持基材11與銅層14之間的密接性，一面抑制觸控面板用導電性積層體10之整體的厚度與觸控面板用導電性積層體10之銅的使用量不致過大。
下側氮氧化銅層13係以包含4原子%以上19原子%以下之比例的氧原子為較佳，包含4原子%以上12原子%以下之比例的氧原子為更佳。根據如此之下側氮氧化銅層13，即能夠以下側氮氧化銅層13之組成在不易改變的範圍內使下側氮氧化銅層13包含氧原子，故可提 高對下側氮氧化銅層13之光學特性的變化之耐久性，亦即提高光學特性之經時安定性。
下側氮氧化銅層13之光學特性的變化，在將具有使用觸控面板用導電性積層體所形成之電極的觸控面板適用在顯示器之表面時，會以顯示器之表面的反射顏色之變化顯現。因此，若提高下側氮氧化銅層13之光學特性的經時安定性，即可在複數之顯示器中，抑制包含反射色之色調的不均，進而提高顯示器所具有之工業製品的商品價值。
而且，下側氮氧化銅層13之光學特性係由定義下側氮氧化銅層13之光學特徵的複數參數來特定，複數參數係由上述XYZ表色系之三激值的Y值、Lab表色系之L*值、a*值、及b*值所構成。其中，Lab表色系之L*值係亮度指數，亦即亮度之指標，a*值及b*值係各為知覺色度指數，亦即色相及彩度之指標。
下側氮氧化銅層13之光學特性的初始值中，Y的初始值，如上所述，係以20%以下為較佳。而且，L*值之初始值係以55以下為較佳。a*之初始值及b*之初始值係以負值為較佳，a*之初始值及b*之初始值為負值且絕對值在5以上20以下為更佳。
下側氮氧化銅層13所包含之氧原子若為4原子%以上19原子%以下之比例，下側氮氧化銅層13之光學特性之初始值即可被包含在上述之較佳範圍。
而且，當使用氯化鐵液作為蝕刻液時，下側氮氧化銅層13所包含之氧原子的量愈小，下側氮氧化銅 層13之蝕刻速度越低，藉此，得使下側氮氧化銅層13之蝕刻速度與銅層14之蝕刻速度的差變大。換言之，下側氮氧化銅層13所包含之氧原子的量愈大，下側氮氧化銅層13之蝕刻速度越高，藉此，得使下側氮氧化銅層13之蝕刻速度與銅層14之蝕刻速度的差變小。
而且，下側氮氧化銅層13之蝕刻速度與銅層14之蝕刻速度的差愈小，在將下側氮氧化銅層13與銅層14進行蝕刻形成電極時，可抑制下側氮氧化銅層13之線寬與銅層14之線寬之差的產生。藉此，可抑制在電極發生斷線。
因此，在包含下側氮氧化銅層13與銅層14之積層體中，為了提高利用濕式蝕刻之加工性，下側氮氧化銅層13係以包含12原子%以上42原子%以下之比例的氧原子為較佳，包含19原子%以上42原子%以下之比例的氧原子為更佳。
較佳為銅層14係由銅(Cu)所形成之層，銅層14之厚度係200nm以上500nm以下。
上側氮氧化銅層15係由氮氧化銅(CuNO)所形成之層。上側氮氧化銅層15中，上述XYZ表色系之三激值之中，Y值之初始值，亦即在上側氮氧化銅層15已形成之時之Y值係以20%以下為較佳。而且，在上側氮氧化銅層15中，L*之初始值係以55以下為較佳。a*之初始值及b*之初始值係以負值為較佳，a*之初始值及b*之初始值為負值且絕對值在5以上20以下為更佳。而且，上側氮氧化銅層之厚度係以30nm以上50nm以下為較佳。
在上側氮氧化銅層15中，與上述下側氮氧化銅層13相同，為了提高對上側氮氧化銅層15之光學特性的變化之耐久性，亦以包含4原子%以上19原子%以下之比例的氧原子為較佳，包含4原子%以上12原子%以下之比例的氧原子為更佳。
而且，在包含上側氮氧化銅層15之積層體中，為了提高經濕式蝕刻之加工性，上側氮氧化銅層15係以包含12原子%以上42原子%以下之比例的氧原子為較佳，包含19原子%以上42原子%以下之比例的氧原子為更佳。
如此之觸控面板用導電性積層體10中，銅層14係被包夾在下側氮氧化銅層13與上側氮氧化銅層15之間，故相較於不具有2個氮氧化銅層之構成，銅層14不易被氧化。
第1積層體16之表面電阻率係以0.13Ω/□以下為較佳。構成觸控面板用導電性積層體10之層之中，下側氮氧化銅層13與上側氮氧化銅層15係由電阻值高於銅層14之化合物所形成之層。但是，根據氮氧化銅層，即能夠於第1積層體16中，抑制上述積層體之表面電阻率上升至作為觸控面板所具備之電極所無法容許之程度。
即使觸控面板用導電性積層體10具有如此之電阻值高的化合物層，只要第1積層體16之表面電阻率為0.13Ω/□以下，即可得到以下之效果。亦即，可將使用觸控面板用導電性積層體所形成之電極的電阻值作成可無視對觸控感測器之響應速度的影響之程度的小電阻值。
如第2圖所示，基材11之中，與第1面11a為相反側之面係為第2面11b，第2面11b中，第2積層體20可位於其中。第2積層體20雖與相對於基材11之位置不同，但在層的層積方向具有與第1積層體16相同之層構造。亦即，第2積層體20係由基底層21、下側氮氧化銅層22、銅層23及上側氮氧化銅層24所構成。
此外，下側氮氧化銅層13、22係第1氮氧化銅層之一例，上側氮氧化銅層15、24係第2氮氧化銅層之一例。
[觸控面板用導電性積層體之製造方法]
參照第3圖至第6圖，說明觸控面板用導電性積層體之製造方法。另外，第4圖中，基於方便對基材11之第1面11a的一部分進行說明，係將基材11與基底層12的一部分放大呈示。而且，對基材11之第2面11b形成第2積層體20之步驟，除了形成積層體之面不同以外，係與對第1面11a形成第1積層體16之步驟相同。因此，以下，說明形成第1積層體16之步驟，並省略形成第2積層體20之步驟的說明。
如第3圖所示，在形成觸控面板用導電性積層體10之時，首先係在基材11之第1面11a形成基底層12。在基底層12的形成步驟中，使用上述包含複數的樹脂材料之塗布液而在基材11之第1面11a形成塗膜。而且，藉由塗膜的硬化而形成基底層12。
如第4圖所示，基底層12係填埋形成於基材11之第1面11a的複數凹部11c，且在第1面11a之上形成為層狀。因此，與基底層12之下側氮氧化銅層13相接之面的 平坦性增高。進而，觸控面板用導電性積層體10之各層的平坦性增高。
而且，形成於基材11之第1面11a的凹部11c之深度，大幅地較上述基底層12之表面粗糙度Ra還大。因此，根據基底層12，即可一面藉由填埋如此之凹槽11c而提升平坦性，一面將基底層12之表面的表面粗糙度Ra設在上述範圍。
如第5圖所示，形成下側氮氧化銅層13之步驟中，係於基底層12之中與基材11所相接之面為相反側之面，使用濺鍍法形成下側氮氧化銅層13。
下側氮氧化銅層13係例如可藉由在包含氮氣與氧氣之環境下，進行濺鍍而形成銅靶。供給至銅靶濺鍍進行之環境的氮氣流量例如為400sccm時，氧氣的流量係以10sccm以上100sccm以下為較佳，10sccm以上40sccm以下為更佳，20sccm為再佳。
如第6圖所示，銅層14形成的步驟中，係於下側氮氧化銅層13之中與基底層12所相接之面為相反側之面，使用濺鍍法形成銅層14。
然後，於銅層14之中與下側氮氧化銅層13所相接之面為相反側之面，使用濺鍍法形成上側氮氧化銅層15。藉此，而製造觸控面板用導電性積層體10。
而且，上側氮氧化銅層15亦與下側氮氧化銅層13相同地，例如可藉由在包含氮氣與氧氣之環境下，進行濺鍍而形成銅靶。供給至銅靶濺鍍進行之環境的氮氣流量例如為400sccm時，氧氣的流量係以10sccm以上 100sccm以下為較佳，10sccm以上40sccm以下為更佳，20sccm為再佳。
觸控面板用導電性積層體10中，下側氮氧化銅層13、銅層14及上側氮氧化銅層15係全部使用濺鍍法而形成。因此，相對於由下側氮氧化銅層13與銅層14所形成之電極，可省略使用鍍敷法等之濕式處理而形成抑制光的反射之層的步驟。並且，下側氮氧化銅層13與上側氮氧化銅層15係兩者均使用濺鍍法而形成，因此，例如：相較於下側氮氧化銅層13係使用濺鍍法而形成但上側氮氧化銅層15係使用濺鍍法而形成之情形，可縮小下側氮氧化銅層13與上側氮氧化銅層15之間的色差。
而且，相較於下側氮氧化銅層13、銅層14及上側氮氧化銅層15之任一者係使用例如蒸鍍法之不同氣相法而形成之情形，更容易抑制用以形成複數層之環境的變化，例如真空度的變化及溫度的變化。因此，可使觸控面板用導電性積層體10之製造裝置的構成變得更簡單。
[觸控面板用導電性積層體之作用]
參照第7圖及第8圖，說明觸控面板用導電性積層體之作用。而且，第7圖及第8圖各者，係呈示第1積層體16之中，下側氮氧化銅層13、銅層14、及上側氮氧化銅層15經由蝕刻而使基底層12上形成有複數個電極之狀態。
如第7圖所示，於基底層12之中與基材11所相接之面為相反側之面，係形成有複數個電極31。各電極31係具備下側氮氧化銅層13、銅層14及上側氮氧化銅層 15，且在基材11之第1面11a沿著1個方向延伸。電極31之線寬例如為數μm至數十μm左右。
當由與第1面11a相對向的方向辨識複數個電極31時，光源LS所射出之一部分的光會射入電極31所具備之上側氮氧化銅層15，且射入至上側氮氧化銅層15之至少一部分的光會由上側氮氧化銅層15而朝觀察者OB射出。
此處，上側氮氧化銅層15之光的反射率比銅層14之光的反射率更低，因此，相較於銅層14為電極31之最表層的構成，由上側氮氧化銅層15朝觀察者OB射出之光量變小。亦即，上側氮氧化銅層15並不具有如銅層14之金屬光澤，且被辨識為具有褐色或黑色，即低亮度之色的層。
然後，如上所述，由於電極31具有數μm至數十μm左右之極小線寬，故其結果為電極31係難以由與第1面11a相對向的方向被觀察者OB辨識到。
而且，上側氮氧化銅層15之Y值在上側氮氧化銅層15已形成之時係為20%以下，因此在自上側氮氧化銅層15已形成之時起所經過時間尚短之時間點，上側氮氧化銅層15之亮度係小至無法被觀察者OB辨識到的程度。
上側氮氧化銅層15之亮度，有隨著上側氮氧化銅層15之經時劣化而增高之傾向。然而，由於在上側氮氧化銅層15已形成之時，Y值係為20%以下，故即使在自上側氮氧化銅層15已形成之時起已經過較長時間之時 間點，上側氮氧化銅層15之亮度仍難以大到被觀察者OB辨識到的程度。換言之，相較於在上側氮氧化銅層15已形成之時的Y值更大之構成，上側氮氧化銅層15之亮度變大到被觀察者OB辨識到的程度為止所耗費的時間變長。
如第8圖所示，當由與第2面11b相對向的方向辨識複數個電極31時，亦即，隔著基材11辨識複數個電極31時，基於與由與第1面11a相對向的方向辨識複數個電極31時相同的理由，觀察者OB難以辨識到電極。亦即，下側氮氧化銅層13係如上述，兼具有作為基底層12與銅層14之間的密接層之功能、與使複數個電極難以被辨識到之功能。
此外，即使是形成在基材11之第2面11b之複數個電極，亦可得到與形成在上述第1面11a之複數個電極31相同之效果。
[實施例]
[實施例1]
預備厚度100μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄片之基材，在基材之第1面以塗布液形成具有1.2μm厚度的基底層。然後在基底層上以濺鍍法形成下側氮氧化銅層，在下側氮氧化銅層上以濺鍍法形成銅層。進而，在銅層上以濺鍍法形成上側氮氧化銅層，得到實施例1之觸控面板用導電性積層體。而且，上側氮氧化銅層之形成係以下述條件進行。
‧MF波段高頻電源 6.0kW
‧氬氣流量 100sccm
‧氧氣流量 10sccm
‧氮氣流量 400sccm
[實施例2]
除了將形成上側氮氧化銅層時之條件變更如下述之外，以與實施例1相同之方法，得到實施例2之觸控面板用導電性積層體。
‧MF波段高頻電源 6.0kW
‧氬氣流量 100sccm
‧氧氣流量 100sccm
‧氮氣流量 400sccm
[加速試驗]
對實施例1之觸控面板用導電性積層體與實施例2之觸控面板用導電性積層體，以下述條件進行加速試驗。
[試驗條件1]
在溫度為90℃且相對濕度為2%至3%即未加濕的試驗環境中，將實施例1、2之觸控面板用導電性積層體靜置120小時、240小時及500小時。
[試驗條件2]
在溫度為60℃且相對濕度為90%之試驗環境中，將實施例1、2之觸控面板用導電性積層體靜置120小時、240小時及500小時。
[測定結果]
對於實施例1、2之觸控面板用導電性積層體，分別測定在已形成上側氮氧化銅層之時的上側氮氧化銅層的Y值、L*值、a*值、及b*值。而且，對於施行加速試驗 之實施例1、2之觸控面板用導電性積層體，且歷時各經過時間進行了加速試驗之觸控面板用導電性積層體，分別測定上側氮氧化銅層的Y值、L*值、a*值、及b*值。
此外，Y值係使用依據JIS Z 8722之測定方法而測定。而且，L*值、a*值、及b*值係使用依據JIS Z 8781-4之測定方法而測定。各測定結果係如下述表1所示之值。
如表1所示，實施例1中，觀察到在已形成有側氮氧化銅層之時的上側氮氧化銅層之Y值，亦即Y之初始值係18.9%，為20%以下。而且，實施例1中，觀察到L*之初始值為50.6、a*之初始值為-15.0、b*之初始值為-4.5。
實施例2中，觀察到Y之初始值係18.5%，為20%以下。而且，實施例2中，觀察到L*之初始值為50.2、a*之初始值為-9.2、b*之初始值為-10.0。
而且，觀察到相較於實施例2之上側氮氧化銅層，實施例1之上側氮氧化銅層在加速試驗後Y值、L*值、a*值、及b*值之自各初始值的變化量小。
[實施例3]
預備厚度100μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄片之基材，在基材之第1面以塗布液形成具有1.2μm厚度的基底層。然後在基底層上以濺鍍法形成具有38nm厚度之下側氮氧化銅層，在下側氮氧化銅層上以濺鍍法形成具有500nm厚度之銅層。進而，在銅層上以濺鍍法形成具有38nm厚度之上側氮氧化銅層，得到實施例3之觸控面板用導電性積層體。另外，上側氮氧化銅層及下側氮氧化銅層之形成係以下述條件進行。實施例3中，觀察到上側氮氧化銅層及下側氮氧化銅層之各成膜速度為44nm．m/min。
‧MF波段高頻電源 9.3kW
‧氬氣流量 100sccm
‧氧氣流量 80sccm
‧氮氣流量 400sccm
[實施例4]
除了將形成上側氮氧化銅層及下側氮氧化銅層時之條件中之氧氣流量變更如下之外，以與實施例3相同之方法，得到實施例4之觸控面板用導電性積層體。實施例4中，觀察到上側氮氧化銅層及下側氮氧化銅層之各成膜速度係與實施例3之成膜速度相同。
‧氧氣流量 40sccm
[實施例5]
除了將形成上側氮氧化銅層及下側氮氧化銅層時之條件中之氧氣流量變更如下之外，以與實施例3相同之方法，得到實施例5之觸控面板用導電性積層體。另外，在 實施例5中，觀察到上側氮氧化銅層及下側氮氧化銅層之各成膜速度係與實施例3之成膜速度相同。
‧氧氣流量 20sccm
[實施例6]
除了將形成上側氮氧化銅層及下側氮氧化銅層時之條件中之氧氣流量變更如下之外，以與實施例3相同之方法，得到實施例6之觸控面板用導電性積層體。在實施例6中，觀察到上側氮氧化銅層及下側氮氧化銅層之各成膜速度係與實施例3之成膜速度相同。
‧氧氣流量 10sccm
[實施例7]
除了將形成上側氮氧化銅層及下側氮氧化銅層時之條件中之MF波段高頻電源之功率變更如下之外，以與實施例5相同之方法，得到實施例7之觸控面板用導電性積層體。另外，觀察到實施例7之上側氮氧化銅層及下側氮氧化銅層之各成膜速度為30nm．m/min。
‧MF波段高頻電源 6.0kW
[實施例8]
除了將形成上側氮氧化銅層及下側氮氧化銅層時之條件中之氧氣流量與氮氣流量變更如下之外，以與實施例3相同之方法，得到實施例8之觸控面板用導電性積層體。另外，觀察到實施例8之上側氮氧化銅層及下側氮氧化銅層之各成膜速度係與實施例3之成膜速度相同。
‧氧氣流量 20sccm
‧氮氣流量 200sccm
[比較例1]
除了將分別形成上側氮氧化銅層及下側氮氧化銅層之條件中之氧氣流量變更如下之外，以與實施例3相同之方法，得到具有上側氮氧化銅層及下側氮氧化銅層之比較例1的觸控面板用導電性積層體。而且，觀察到比較例1的上側氮化銅層及下側氮化銅層之各成膜速度與實施例3之成膜速度相同。
‧氧氣流量 0sccm
[光學特性之測定結果]
對於實施例3至8之觸控面板用導電性積層體，分別測定在已形成上側氮氧化銅層之時的上側氮氧化銅層之Y值、L*值、a*值、及b*值。而且，對於比較例1之觸控面板用導電性積層體，分別測定在已形成上側氮氧化銅層之時的上側氮化銅層之Y值、L*值、a*值、及b*值。另外，Y值、L*值、a*值、及b*值分別以與實施例1、2相同之方法測定。各測定結果係如以下表2所示之值。
如表2所示，實施例3中，觀察到上側氮氧化銅層之Y的初始值係15.7%，為20%以下。而且，實施例3中，觀察到L*的初始值為46.5、a*的初始值為5.8、b*的 初始值為-20.2。
實施例4中，觀察到上側氮氧化銅層之Y的初始值係16.6%，為20%以下。而且，實施例4中，觀察到L*的初始值為47.8、a*的初始值為-14.4、b*的初始值為-12.4。
實施例5中，觀察到上側氮氧化銅層之Y的初始值係17.9%，為20%以下。而且，實施例5中，觀察到L*的初始值為49.4、a*的初始值為-15.1、b*的初始值為-9.0。
實施例6中，觀察到上側氮氧化銅層之Y的初始值係18.7%，為20%以下。而且，實施例6中，觀察到L*的初始值為50.3、a*的初始值為-10.5、b*的初始值為-8.3。
實施例7中，觀察到上側氮氧化銅層之Y的初始值係17.0%，為20%以下。而且，實施例7中，觀察到L*的初始值為48.3、a*的初始值為-15.8、b*的初始值為-10.7。
實施例8中，觀察到上側氮氧化銅層之Y的初始值係19.1%，為20%以下。而且，實施例8中，觀察到L*的初始值為50.8、a*的初始值為-13.3、b*的初始值為-7.0。
比較例1中，觀察到上側氮化銅層之Y的初始值係23.5%，為大於20%。而且，比較例1中，觀察到L*的初始值為55.6、a*的初始值為-0.8、b*的初始值為-3.7。
[光學特性之初始值的評定]
如上所述，觀察到實施例3至8之各個上側氮氧化銅層中，Y的初始值係20%以下，另一方面，比較例1之上側氮化銅層中，Y的初始值超出20%。如此，根據氮氧化銅層時，觀察到相較於氮化銅層，成膜初期之Y值變小，因此氮氧化銅層比氮化銅層在具有低亮度之顏色之點上係較佳的。
另外，實施例3之上側氮氧化銅層之b*的絕對值為超出20之值，相較於其它之上側氮氧化銅層的彩度高，比其它之上側氮氧化銅層具有更強的顏色，因此容易被觀察者辨識到。因此，在實施例3至8中，觀察到實施例4至8之各個上側氮氧化銅層在實施例中亦具有更佳之光學特性。
[組成分析之結果]
對於實施例3至8之各個上側氮氧化銅層及比較例1之上側氮化銅層，進行表面之組成分析。使用Auger光譜儀(SAM-680，ULVAC-PHI股份有限公司製造)，測定上側氮氧化銅層或上側氮化銅層之組成。
在Auger光譜儀中，將氬離子槍之加速電壓設定為1kV，入射角設定為45°，試料中之氬離子的射入範圍設定為1mm2，歷時1分鐘測定試料之表面進行蝕刻時的組成。而且，入射角係氬離子之射入方向與試料之法線方向所形成之角度，經氬離子槍之蝕刻率換算SiO2為7nm/min。而且，在Auger光譜儀中，將電子槍之加速電壓設定為10kV，電流量設定為10nA。
在實施例3至8及比較例1中，氮原子(N)、氧 原子(O)及銅原子(Cu)之各個原子%、及2個原子間之相對比係如以下表3所示之值。而且，相對比之中，相對於銅原子之氮原子之比(N/Cu)的百分率為第1相對比，相對於銅原子之氧原子之比(O/Cu)的百分率為第2相對比，相對於氧原子之氮原子之比(N/O)的百分率為第3相對比。
如表3所示，觀察到實施例3之上側氮氧化銅層中，氮原子為1原子%、氧原子為42原子%、銅原子為57原子%。而且，觀察到實施例3之上側氮氧化銅層中，第1相對比為1%、第2相對比為73%、第3相對比為2%。
觀察到實施例4之上側氮氧化銅層中，氮原子為9原子%、氧原子為19原子%、銅原子為72原子%。而且，觀察到實施例4之上側氮氧化銅層中，第1相對比為12%、第2相對比為26%、第3相對比為47%。
觀察到實施例5之上側氮氧化銅層中，氮原子為13原子%、氧原子為12原子%、銅原子為75原子%。而且，觀察到實施例5之上側氮氧化銅層中，第1相對比為17%、第2相對比為16%、第3相對比為108%。
觀察到實施例6之上側氮氧化銅層中，氮原子為10原子%、氧原子為4原子%、銅原子為86原子%。而 且，觀察到實施例6之上側氮氧化銅層中，第1相對比為11%、第2相對比為5%、第3相對比為233%。
觀察到實施例7之上側氮氧化銅層中，氮原子為6原子%、氧原子為31原子%、銅原子為63原子%。而且，觀察到實施例7之上側氮氧化銅層中，第1相對比為9%、第2相對比為49%、第3相對比為19%。
觀察到實施例8之上側氮氧化銅層中，氮原子為12原子%、氧原子為12原子%、銅原子為76原子%。而且，觀察到實施例8之上側氮氧化銅層中，第1相對比為16%、第2相對比為15%、第3相對比為103%。
觀察到比較例1之上側氮化銅層中，氮原子為5原子%、氧原子為0原子%、銅原子為95原子%。而且，觀察到比較例1之上側氮化銅層中，第1相對比為6%、第2相對比為0%。
[特性之評定]
對於實施例3至8的觸控面板用導電性積層體、及比較例1的觸控面板用導電性積層體，評定初期安定性、耐久性及加工性。
其中，初期安定性，係在自上側氮氧化銅層或上側氮化銅層已形成之時起5天之期間的上側氮氧化銅層或上側氮化銅層的光學特性之安定性。另外，光學特性係包含上述Y值、a*值、及b*值。
初期安定性，係依據將實施例3至8的觸控面板用導電性積層體、及比較例1之觸控面板用導電性積層體在常溫且常壓之環境中靜置5天時，上側氮氧化銅層或 上側氮化銅層之光學特性自初始值所變化之程度，來進行評定。
耐久性，係上側氮氧化銅層或上側氮化銅層之光學特性的耐久性，係為超過上述初期安定性之評定期間以後的上側氮氧化銅層或上側氮化銅層之光學特性的安定性。在評定耐久性時，首先，將實施例3至8的觸控面板用導電性積層體、及比較例1之觸控面板用導電性積層體在常溫且常壓之環境中靜置5天。
然後，對實施例3至8的觸控面板用導電性積層體、及比較例1之觸控面板用導電性積層體，在上述試驗條件1下歷時500小時進行加速試驗。耐久性，係依據在上側氮氧化銅層或上側氮化銅層中，加速試驗後之光學特性相對於加速試驗前之光學特性的變化程度，來進行評定。
加工性，係將觸控面板用導電性積層體進行蝕刻時之加工性。加工性，係依據實施例3至8的觸控面板用導電性積層體、及比較例1之觸控面板用導電性積層體以氯化鐵液進行蝕刻時所得的電極形狀，來進行評定。
初期安定性、耐久性及加工性之各評定結果係如以下之表4所示者。而且，初期安定性中，安定性高的觸控面板用導電性積層體評定為「○」、安定性低的觸控面板用導電性積層體評定為「×」。耐久性中，耐久性最高的觸控面板用導電性積層體評定為「○」、耐久性次高的觸控面板用導電性積層體評定為「△」，耐久性低的觸控面板用導電性積層體評定為「×」，耐久 性再低的觸控面板用導電性積層體評定為「××」。加工性中，加工性最高的觸控面板用導電性積層體評定為「◎」、加工性次高的觸控面板用導電性積層體評定為「○」、加工性再次高的觸控面板用導電性積層體評定為「△」、加工性低的觸控面板用導電性積層體評定為「×」。
如表4所示，觀察到實施例3至8之各個上側氮氧化銅層之初期安定性高，而比較例1之上側氮化銅層之初期安定性低。亦即，相較於氮化銅層，氮氧化銅層在剛形成好氮氧化銅層時，光學特性不易發生急遽變化，因此在使用觸控面板用導電性積層體形成電極中，更容易滿足所需的光學特性。此外，評定初期安定性之試驗的期間即使為3天或者4天，亦被發明人等認定為有與試驗的期間為5天時相同之傾向。
實施例3之上側氮氧化銅層中，觀察到加速試驗前之光學特性與加速試驗後之光學特性的差係與上述實施例2為相同程度。而且，實施例4至8之上側氮氧化銅層及比較例1之上側氮化銅層中，觀察到加速試驗前之光 學特性與加速試驗後之光學特性的差係小於實施例3。
觀察到實施例3至8之各個觸控面板用導電性積層體的加工性係比比較例1之各個觸控面板用導電性積層體的加工性更高。而且，在實施例中，觀察到實施例3、4、7之各個觸控面板用導電性積層體的加工性為最高，實施例5、8之各個觸控面板用導電性積層體的加工性為次高。
具體而言，比較例1中，由於相對於銅層之蝕刻速度，氮化銅層之蝕刻速度小，故若欲在氮化銅層中滿足所要的線寬，則銅層之線寬變小，在複數個電極之一部分中觀察到線寬變小至容易招致斷線之程度。
相對於此，由於相較於銅層之蝕刻速度與氮化銅層之蝕刻速度的差，實施例3至8銅層之蝕刻速度與氮氧化銅層之蝕刻速度的差較小，故在各層之線寬的差小，而且，在複數個電極中觀察不到斷線。另外，實施例3至8之中，實施例3、4、7亦幾乎觀察不到各層的線寬之差。
[上側氮氧化銅層之組成與特性之關係]
顯見如表2至表4，觀察到相較於氮化銅層，具備氮氧化銅層之觸控面板用導電性積層體，在可壓低Y的初始值、於成膜後的初期可保持安定的光學特性、以及加工性佳之3點上係優異的。
而且，根據氮氧化銅層之中，包含4原子%以上19原子%以下之氧原子的氮氧化銅層時，觀察到對光學特性之變化的耐久性提高。而且，根據氮氧化銅層之 中，包含12原子%以上42原子%以下之氧原子的氮氧化銅層時，觀察到通過濕式蝕刻之加工性增高，根據包含19原子%以上42原子%以下之氧原子的氮氧化銅層時，觀察到通過濕式蝕刻之加工性進一步增高。
更且，若為包含12原子%之氧原子的氮氧化銅層，則觀察到光學特性之初始值、耐久性及加工性之全部均具有良好的特性。
另一方面，根據第1組成比為11%以上17%以下之氮氧化銅層時，觀察到對光學特性之變化的耐久性提高。換言之，觀察到藉由在氮原子與銅原子之組成比為11%以上17%以下之狀態下包含氧，對氮氧化銅層之光學特性的耐久性會提高。
[密接強度]
對於實施例4至7各者，測定基底層與下側氮氧化銅層之界面的密接強度。密接強度之測定係使用依據JIS K6854-3之方法進行。另外，對實施例4至7各者測定密接強度時，係以增大觸控面板用導電性積層體之厚度為目的，除去上側氮氧化銅層之後，在銅層上形成具有厚度15μm之銅層。然後，在各實施例中，將試驗片之寬度設為15mm，拉伸速度設為50mm/分鐘。
觀察到實施例4之密接強度為8.0N/15mm、實施例5之密接強度為8.4N/15mm、實施例6之密接強度為8.3N/15mm、實施例7之密接強度為8.2N/15mm。如此，觀察到實施例之密接強度為8.0N/15mm以上。
此外，若根據具有如此密接強度之觸控面板 用導電性積層體，則觸控面板用導電性積層體在經蝕刻而形成電極時，亦觀察到電極之斷線受到抑制。而且，實施例4至7各者中，觀察到在測定密接強度之試驗中，基底層與下側氮氧化銅層之界面有界面毀壞。
[表面電阻率]
對於實施例3至7各者及比較例1，測定觸控面板用導電性積層體所具備之積層體的表面電阻率。亦即，實施例3至7各者係測定依序積層有下側氮氧化銅層、銅層及上側氮氧化銅層之積層體的表面電阻率，比較例1係測定依序積層有下側氮化銅層、銅層及上側氮化銅層之積層體的表面電阻率。各積層體之表面電阻率係使用依據JIS K 7194之方法測定。此外，表面電阻率之測定，係使用電阻率計(Mitsubishi Chemical Analytech Co.,Ltd.製造，Loresta-GP)。
觀察到實施例3之表面電阻率為0.13Ω/□、實施例4之表面電阻率為0.13Ω/□、實施例5之表面電阻率為0.13Ω/□、實施例6之表面電阻率為0.12Ω/□、實施例7之表面電阻率為0.13Ω/□、實施例8之表面電阻率為0.13Ω/□。而且，觀察到比較例1之表面電阻率為0.12Ω/□。如此，觀察到實施例之表面電阻率為0.13Ω/□以下。
此外，若根據具有如此表面電阻率之觸控面板用導電性積層體，則亦觀察到可將使用觸控面板用導電性積層體所形成之電極的電阻值作成可無視於對觸控感測器之響應速度的影響之程度的小電阻值。
如以上所說明，根據觸控面板用導電性積層 體及觸控面板用導電性積層體之製造方法的1個實施型態，即可得到以下所列舉之效果。
(1)銅層14係以反射率低於銅層14之2個氮氧化銅層包夾著，因此使用觸控面板用導電性積層體10所形成之複數個電極31，係難以由與第1面11a相對向的方向辨識到電極31，且難以隔著基材11辨識到電極31。
(2)使用第2積層體20所形成之複數個電極，在下側氮氧化銅層22及上側氮氧化銅層24中，光的反射可受到抑制。因此，第2面11b之複數個電極，係難以由與第2面11b相對向的方向辨識到電極，且難以隔著基材11辨識到電極。
(3)基底層包含抗黏結劑，因此觸控面板用導電性積層體在捲繞、積層時，可抑制上側氮氧化銅層密接於層積在上側氮氧化銅層上之層。而且，基底層係充埋基材11的凹部11c且在基材11上形成為層狀，因此可提高基底層中之下側氮氧化銅層所相接之面的平坦性。甚至，可提高觸控面板用導電性積層體10的各層的平坦性。
(4)下側氮氧化銅層之厚度係30nm以上50nm以下，因此下側氮氧化銅層具有足夠的厚度以提高形成有基底層之基材11與銅層間之密接性。而且，下側氮氧化銅層之厚度係銅層之厚度的25%以下之值，因此得以一面保持基材11與銅層間之密接性，一面抑制觸控面板用導電性積層體10整體之厚度、與觸控面板用導電性積層體10中之銅使用量過大。
(5)在上側氮氧化銅層中，XYZ表色系之中， 亮度指標之Y值係20%以下。因此，使用觸控面板用導電性積層體10所形成之複數個電極，得以使電極難以由與上側氮氧化銅層相對向的方向被辨識。而且，上側氮氧化銅層已形成之時之Y值為20%以下，因此Y值難以大到可辨識上側氮氧化銅層之程度。
(6)下側氮氧化銅層及上側氮氧化銅層，藉由包含4原子%以上19原子%以下之比例的氧原子，可提高對光學特性的變化之耐久性。
(7)基底層與下側氮氧化銅層之界面的密接強度若為8.0N/15mm以上，則經圖案化而形成的電極的一部分不易從基底層剝離，進而能夠抑制電極的斷線。
(8)觸控面板用導電性積層體10之表面電阻率若為0.13Ω/□以下，則可將電極之電阻值作成可無視於對觸控感測器之響應速度的影響之程度的小電阻值。
(9)基底層之表面的表面粗糙度Ra若為3nm以上，則積層體會更容易得到抗黏結性。
(10)基底層之表面的表面粗糙度Ra若為20nm以下，則可抑制在使用積層體所形成之電極上的光的散射大到被觸控面板之使用者辨識之程度。
而且，上述實施型態亦可如下適當地進行變更而實施。
˙基底層之表面的表面粗糙度Ra可小於3nm，亦可大於20nm。即使為如此之構成，只要基材層係位於基材與下側氮氧化銅層之間，仍可藉由形成在基材的下側氮氧化銅層所在之面的凹部，來抑制大幅地較可提高基底層 之抗黏結性之程度的表面粗糙度還大的落差形成在觸控面板用導電性積層體之各層。
˙觸控面板用導電性積層體之表面電阻率可大於0.13Ω/□，只要是在可得到使用觸控面板用導電性積層體所形成之電極所要求的電阻值之範圍，尤其可得到觸控面板所要求的檢測精度之範圍即可。
˙基底層與下側氮氧化銅層之界面的密接強度可小於8.0N/15mm，只要是在可藉由對觸控面板用導電性積層體的加工，使下側氮氧化銅層不從基底層剝離之範圍即可。
˙在上側氮氧化銅層與下側氮氧化銅層之至少一者中，可包含未達4原子%之比例的氧原子，而且，亦可包含超出19原子%之比例的氧原子。即使為如此之構成，只要觸控面板用導電性積層體係具備上側氮氧化銅層及下側氮氧化銅層，仍可使電極難以隔著基材11被辨識。
˙下側氮氧化銅層之Y的初始值並不限於20%以下。即使下側氮氧化銅層之Y的初始值超出20%，只要有形成下側氮氧化銅層，仍可使電極難以隔著基材11被辨識。
˙上側氮氧化銅層之Y的初始值並不限於20%以下。即使上側氮氧化銅層之Y的初始值超出20%，只要有形成上側氮氧化銅層，仍可使電極難以由與形成有電極之面相對向的方向被辨識。
˙銅層之厚度可小於200nm，亦可大於500nm 。重要的是，銅層只要具有可滿足在使用觸控面板用導電性積層體10形成電極時作為電極所需的導電性之厚度即可。
˙下側氮氧化銅層之厚度可小於30nm，亦可大於50nm。而且，下側氮氧化銅層之厚度可為大於銅層之厚度的25%之值。重要的是，下側氮氧化銅層只要具有對形成有基底層之基材與銅層兩者呈現密接性的厚度，則下側氮氧化銅層之厚度並不限於上述實施型態所記載之範圍。
˙使用塗布液所形成之基底層只要具有對基材11與下側氮氧化銅層之密接性，則用以形成基底層之塗布液亦可不包含紫外線硬化性多官能丙烯酸酯、紫外線硬化性單官能丙烯酸酯、丙烯酸聚合物及抗黏結劑之至少1者。
或者，基底層只要具有對基材11與下側氮氧化銅層之密接性，則亦可由熱塑性樹脂或熱硬化性樹脂等形成。
˙電極31之線寬可為數十μm以上。即使為如此之構成，只要電極31係具備下側氮氧化銅層及上側氮氧化銅層，則相較於僅由金屬層形成電極31之構成，仍可使電極31難以被辨識。
˙下側氮氧化銅層、銅層及上側氮氧化銅層係亦可使用濺鍍法以外之方法，例如蒸鍍法或CVD法等之氣相成長法形成。
10‧‧‧觸控面板用導電性積層體
11‧‧‧基材
11a‧‧‧第1面
12‧‧‧基底層
13‧‧‧下側氮氧化銅層
14‧‧‧銅層
15‧‧‧上側氮氧化銅層
16‧‧‧第1積層體

Claims (10)

  1. 一種觸控面板用導電性積層體，其具備：具有一面且具有透光性之基材、位於該基材的該一面且具有透光性之基底層、位於該基底層之中與該基材所相接之面為相反側之面的第1氮氧化銅層、位於該第1氮氧化銅層之中與該基底層所相接之面為相反側之面的銅層、位於該銅層之中與該第1氮氧化銅層所相接之面為相反側之面的第2氮氧化銅層。
  2. 一種觸控面板用導電性積層體，其具備：具有第1面及與該第1面為相反側之第2面的基材、分別位於該第1面及該第2面且具有透光性的基底層、位於該基底層之中與該基材所相接之面為相反側之面的第1氮氧化銅層、位於該第1氮氧化銅層之中與該基底層所相接之面為相反側之面的銅層、位於該銅層之中與該第1氮氧化銅層所相接之面為相反側之面的第2氮氧化銅層。
  3. 如請求項1或2之觸控面板用導電性積層體，其中該基底層係包含紫外線硬化性多官能丙烯酸酯、紫外線硬化性單官能丙烯酸酯、含紫外線硬化性之丙烯酸基的丙烯酸聚合物、及用以降低該第2氮氧化銅層中與該銅層為相反側之面的密接性之抗黏結劑， 該基底層係填埋該基材中形成在該基底層所相接之面的複數凹部。
  4. 如請求項1至3中任一項之觸控面板用導電性積層體，其中該銅層的厚度為200nm以上500nm以下，該第1氮氧化銅層的厚度為30nm以上50nm以下，且為該銅層的厚度之25%以下之值。
  5. 如請求項1至4中任一項之觸控面板用導電性積層體，其中在該第2氮氧化銅層中，XYZ表色系之三激值中的Y值，且為在該第2氮氧化銅層已形成時之該Y值，係為20%以下。
  6. 如請求項1至5中任一項之觸控面板用導電性積層體，其中該第1氮氧化銅層及該第2氮氧化銅層之至少一者係包含4原子%以上19原子%以下之比例的氧原子。
  7. 如請求項1至6中任一項之觸控面板用導電性積層體，其中該基底層與該第1氮氧化銅層之界面的密接強度為8.0N/15mm以上。
  8. 如請求項4之觸控面板用導電性積層體，其中由該第1氮氧化銅層、該銅層及該第2氮氧化銅層所構成之積層體的表面電阻率為0.13Ω/□以下。
  9. 如請求項1至8中任一項之觸控面板用導電性積層體，其中該基底層之中該第1氮氧化銅層所相接之面的表面粗糙度Ra為3nm以上20nm以下。
  10. 一種觸控面板用導電性積層體之製造方法，其包含下述步驟： 在基材之至少一面形成基底層之步驟；在該基底層之中與該基材所相接之面為相反側之面，使用濺鍍法形成第1氮氧化銅層之步驟；在該第1氮氧化銅層之中與該基底層所相接之面為相反側之面，使用濺鍍法形成銅層之步驟；在該銅層之中與該第1氮氧化銅層所相接之面為相反側之面，使用濺鍍法形成第2氮氧化銅層之步驟。
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