CN107428127A - 导电结构体、其制造方法以及包括导电结构体的电极 - Google Patents

Abstract

本说明书涉及一种导电结构体、其制造方法以及包括所述导电结构体的电极和电子装置。

Description

导电结构体、其制造方法以及包括导电结构体的电极

技术领域

本申请要求于2015年3月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0043565和于2016年2月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0019151的优先权和权益，这两项申请的全部内容通过引用并入本文中。

本说明书涉及一种导电结构体、其制造方法以及包括所述导电结构体的电极。

背景技术

通常，液晶显示器是根据图像信息分别将数据信号提供至排列为矩阵形式的像素，并且调节像素的透光率以显示所需图像的显示器。

因此，在液晶显示器中，设置有像素被排列为矩阵形式的液晶面板，以及用于驱动像素的驱动器。

同时，液晶显示器是近来已经在多媒体社会中使用的最重要的显示器，并且已经广泛地用于便携式电话、电脑显示器、笔记本电脑和电视机。液晶显示器有TN模式，其中，具有扭曲向列液晶的液晶层设置在两个正交偏振片之间，然后在垂直于基板的方向上施加电场。在TN模式中，在显示黑色时，由于液晶在与基板垂直的方向上取向，因此，在倾斜角中，发生由液晶分子引起的双折射，并且发生漏光。

为了解决TN模式中的视角问题，引入共面转换(in-plane switching)(IPS)模式，其中，在一个基板上形成两个电极并且由这两个电极之间产生的横向电场来调节液晶的指向矢(director)。换言之，IPS模式被称为共面转换液晶显示器或横向电场液晶显示器，电极设置在配置有液晶的单元的相同平面中，然后，液晶不沿垂直方向而取向，而是沿平行于电极的侧表面而取向。

然而，在IPS模式的情况下，存在由于像素电极和公用电极的高反射率而难以表现出较高的图像质量的问题。

发明内容

技术问题

本说明书旨在提供一种导电结构体、其制造方法以及包括所述导电结构体的电极。

技术方案

本说明书的一个示例性实施方案提供一种导电结构体，包括：基板；设置在所述基板上的金属层；以及设置在所述金属层的至少一个表面上的减光反射层，其中，所述减光反射层包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物。

本说明书的另一示例性实施方案提供一种所述导电结构体的制造方法，该制造方法包括：制备基板；在所述基板上形成金属层；以及在所述金属层上形成减光反射层，其中，所述减光反射层包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物。

本说明书的又一示例性实施方案提供一种包括所述导电结构体的电极。

本说明书的再一示例性实施方案提供一种包括所述导电结构体的电子装置。

有益效果

本说明书的一个示例性实施方案提供一种导电结构体，包括：基板；设置在所述基板上的金属层；以及设置在所述金属层的至少一个表面上的减光反射层，其中，所述减光反射层包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物。

本说明书的另一示例性实施方案提供一种所述导电结构体的制造方法，该制造方法包括：制备基板；在所述基板上形成金属层；以及在所述金属层上形成减光反射层，其中，所述减光反射层包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物。

本说明书的又一示例性实施方案提供一种包括所述导电结构体的电极。

本说明书的再一示例性实施方案提供一种包括所述导电结构体的电子装置。

附图说明

图1至图3示出了根据本说明书的一个示例性实施方案的导电结构体的层压结构；

图4示出了当对根据本说明书的示例性实施方案的导电结构体进行图案化时的层压结构；

图5是示出作为本说明书的一个示例性实施方案，实施例4中的导电结构体的总反射率的图；

图6是示出作为本说明书的一个示例性实施方案，实施例5中的导电结构体的总反射率的图；

图7是示出作为本说明书的一个示例性实施方案，比较例3中的导电结构体的总反射率的图。

<附图标记说明>

100：基板

200：金属层

210：金属图案层

300：减光反射层

310：减光反射图案层

具体实施方式

在本说明书中，应当理解的是，当一个构件被称为在另一构件“之上”时，它可以直接地在另一构件之上，或者也可以存在中间构件。

在整个说明书中，除非另外明确说明，否则词语“包括”应当理解为包括所描述的元件，但是不排除任意其它元件。

在本说明书中，显示装置统指TV、电脑显示器等，并且包括形成图像的显示元件和支撑该显示元件的壳体。

作为显示元件，可以例示等离子显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、电泳显示器、阴极射线管(CRT)、OLED显示器等。在显示元件中，可以设置用于显示图像的RGB像素图案和附加滤光器。

同时，关于显示装置，随着智能手机、平板PC、IPTV等的普及的加速，对在没有单独的输入设备(如键盘或遥控器)的情况下将人手变为直接输入设备的触摸功能的需求逐渐增加。此外，已经需要能够书写的多点触摸功能和特定点识别。

目前，大多数商业化的触摸屏面板(TSP)以透明导电ITO薄膜为基础，但是在应用大面积触摸屏面板时，存在如下问题：由于由ITO透明电极本身相对较高的表面电阻(最小为150Ω/□，由Nitto Denko Corporation制造的ELECRYSTA产品)引起的RC延迟，使得触摸识别速度降低，需要引入用于克服这种问题的附加补偿芯片。

本发明人研究了用金属精细图案替代透明ITO薄膜的技术。结果，本发明人发现，在使用具有较高导电性的金属薄膜作为触摸屏面板使用的电极的情况下，当得到具有特定形状的精细电极图案时，在可视性方面，由于较高的反射率，会产生图案被人眼很好地观察到并且会出现由于对外部光的较高的反射率而引起的眩光、雾度值等问题。此外，在制造过程中，本发明人发现，在许多情况下，目标值昂贵或者过程复杂。

另外，在使用金属细线作为透明电极的情况下，最大的问题会是反射的颜色。由于金属的独特光泽，会产生诸如由外部光源引起的眩目的可视性问题，因此，需要在金属表面上形成能够减少反射的附加层。

此外，由于以预定的线宽和间距制备的金属细线具有光被传递至大部分区域同时具有较低的电阻的特性，因此，金属细线已经作为下一代透明电极和触摸传感器而被积极地研究。

因此，本说明书提供一种导电结构体，该导电结构体可以与使用常规ITO类透明导电薄膜层的触摸屏面板不同，并且应用于具有改善的金属精细图案电极的遮蔽性(concealment)以及对外部光的反射和衍射特性的触摸屏面板。

另外，在常规显示装置中，为了防止光的反射、漏光现象等，已经应用黑色矩阵。作为黑色矩阵，可以使用氧化铬、聚合物树脂等，并且由于环境问题，氧化铬趋于减少。

近来，引入了滤色器和薄膜晶体管一起形成在阵列基板上的TFT阵列上的滤色器(COT或COA)结构，因此，已经开发出不使用上述黑色矩阵的结构。通过引入不使用黑色矩阵的结构，可以得到诸如显示装置的透光率改善、亮度改善、背光效率改善等的效果。然而，在不使用黑色矩阵的结构的情况下，显示装置中包括的金属电极会暴露的区域增加，因此存在由金属电极的颜色和反射性能引起的问题。特别地，近来，由于显示装置已经大尺寸化并且分辨率提高，因此，已经需要能够降低由上述显示装置中包括的金属电极而引起的反射和颜色性能的技术。

因此，本申请提供一种技术，该技术能够在用其它材料、结构等替代黑色矩阵或者不使用黑色矩阵的结构中降低显示装置中会包括的金属电极的反射率，并且中和地减轻颜色性能。

同时，本发明人发现，当金属层上形成有包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物的减光反射层时，在用于图案化处理的蚀刻的过程中，具有蚀刻性能非常低的问题。此外，在使用一种蚀刻剂对减光反射层和金属层进行批量蚀刻处理的情况下，包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物的减光反射层的蚀刻速率与金属层的蚀刻速率极度不同，因此，本发明人发现不能良好地进行金属层和减光反射层的图案化的问题。

结果，本发明人创造了具有优异的蚀刻性能的包括包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物的减光反射层的导电结构体，并且进一步创造了包括可以与金属层一起进行批量蚀刻的包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物的减光反射层的导电结构体。

下文中，将更详细地描述本说明书。

本说明书的一个示例性实施方案提供一种导电结构体，包括：基板；设置在所述基板上的金属层；以及设置在所述金属层的至少一个表面上的减光反射层，其中，所述减光反射层包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物。

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射层是MoTi_aO_xN_y(0<a≤2，0<x≤3，0≤y≤2，x+y>0，a、x和y分别表示Ti、O和N的原子数的比例)。

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射层的O和N的元素含量满足下面的式1，并且减光反射层的O的元素含量为20原子％以上且为60原子％以下。

[式1]

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射层的N的元素含量可以为0原子％以上且为6原子％以下。特别地，根据本说明书的示例性实施方案，减光反射层的N的元素含量可以为0原子％以上且为5原子％以下。

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射层的O的元素含量可以为20原子％以上且为60原子％以下。特别地，减光反射层的O的元素含量可以为25原子％以上且为60原子％以下。更特别地，减光反射层的O的元素含量可以为40原子％以上且为60原子％以下。还更特别地，减光反射层的O的元素含量可以为40原子％以上且为55原子％以下。

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射层的Mo的元素含量可以为25原子％以上且为40原子％以下。

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射层的Ti的元素含量可以为10原子％以上且为25原子％以下。根据本说明书的示例性实施方案，减光反射层的Ti的元素含量可以为10原子％以上且为20原子％以下。

本发明人发现如下事实，在包括金属层的电子装置中，金属层的可视性对于由金属层引起的光反射和衍射特性具有重要影响，并且试图改善该问题。

根据本说明书的示例性实施方案，为了降低金属层的反射率并且改善吸收特性，可以在金属层的至少一个表面上引入减光反射层。将减光反射层设置在金属层的至少一个表面上来大大改善由金属层的高反射率引起的可视性劣化问题。

根据本说明书的示例性实施方案，由于吸光，减光反射层减少了入射到金属层本身的光和从金属层反射的光的量，从而降低由金属层引起的反射率。此外，与金属层相比，减光反射层可以具有较低的反射率。结果，与用户直接观察金属层的情况相比，光的反射率会降低，从而大大改善导电层的可视性。

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射层指由于吸光而可以减少入射到金属层本身的光和从金属层反射的光的量的层，并且减光反射层可以由暗化层、光吸收层、吸光层、黑化层、黑度层、减反射层、低反射层等术语表示。

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射层可以仅设置在金属层的上表面和下表面中的任意一个表面上，以及设置在两个表面上。

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射层设置在金属层和基板之间，并且在基板的与减光反射层接触的表面的相对表面方向上测量的总反射率可以为35％以下。特别地，所述总反射率可以为20％以下、15％以下、10％以下和5％以下。

根据本说明书的示例性实施方案，顺序地设置基板、金属层和减光反射层，并且在减光反射层的与金属层接触的表面的相对表面方向上测量的总反射率可以为35％以下。特别地，所述总反射率可以为20％以下、15％以下、10％以下和5％以下。

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射层可以设置在金属层的上表面和下表面上。换言之，根据本说明书的示例性实施方案，减光反射层可以分别设置在金属层的与基板相邻的表面上，以及金属层的与基板相邻的表面的相对表面上。

根据本说明书的示例性实施方案，总反射率指在用全黑(perfect black)处理与待测表面相对的表面之后，对于以90°入射到待测表面上的波长为300nm至800nm，特别地为380nm至780nm，更特别地为550nm的光的反射率。

根据本说明书的示例性实施方案，总反射率优选地是当入射光为100％时，基于由进行光入射的目标层或层压体所反射的反射光中波长为550nm处的值而测量的值，其原因是，通常，在波长为550nm处的总反射率与整体总反射率不会大大不同。例如，通过使用构成减光反射层的物质并且利用沉积方法，例如，诸如溅射方法、化学气相沉积(CVD)方法、热蒸发方法的方法，在基板上形成前减光反射层，然后可以测量从空气侧入射的可见光的反射率(550nm)。在这种情况下，在基板的背面，即，未形成减光反射层的表面上进行整体黑化处理，来消除基板背面的反射。基板可以使用透明基板，并且没有特别地限制，例如，基板可以使用玻璃、塑料基板、塑料膜等。

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射层可以包括与金属层接触的第一表面和面向第一表面的第二表面。当在减光反射层的第二表面侧测量导电结构体的总反射率时，导电结构体的总反射率Rt可以通过下面的等式1计算。

[等式1]

总反射率Rt＝基板的反射率+闭合率×减光反射层的反射率

此外，闭合率可以基于基板的平面，由金属层覆盖的区域所占据的面积比例，即，(1-开口比例)来表示。

根据本说明书的示例性实施方案，对减光反射层的厚度没有特别地限制，只要减光反射层具有上述总反射率即可。然而，在考虑在制造过程中对金属层的蚀刻性能的情况下，所述厚度可以选自10nm至400nm之间，但是优选厚度可以根据所使用的材料和制造工艺而变化，并且本说明书的范围不受数值范围的限制。更特别地，暗化层的厚度可以为10nm至400nm、10nm至100nm、20nm至100nm、30nm至70nm和30nm至60nm，但是不限于此。

根据本说明书的示例性实施方案，当减光反射层的厚度小于10nm时，具有不能充分降低由第一金属层引起的高反射率的问题。此外，当减光反射层的厚度大于400nm时，具有难以对减光反射层进行图案化的问题。

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射层可以由单层或两层以上的多层形成。减光反射层可以具有无色(achromatic colors)，但是不特别限制于此。在这种情况下，无色指当入射到物体表面的光没有被选择性地吸收，而是在各组分的波长处被均匀地反射和吸收时所呈现出的颜色。

图2示出了根据本说明书的一个示例性实施方案的导电结构体的层压结构。特别地，图2示出了顺序地设置基板100、减光反射层300和金属层200的导电结构体。然而，导电结构体不限于图2的结构，而是还可以包括附加层。

图1示出了根据本说明书的一个示例性实施方案的导电结构体的层压结构。特别地，图1示出了顺序地设置基板100、金属层200和减光反射层300的导电结构体。然而，导电结构体不限于图1的结构，而是还可以包括附加层。

图3示出了根据本说明书的一个示例性实施方案的导电结构体的层压结构。特别地，图3示出了顺序地设置基板100、减光反射层300、金属层200和减光反射层300的导电结构体。然而，导电结构体不限于图3的结构，而是还可以包括附加层。

根据本说明书的示例性实施方案，在导电结构体中，在可见光区域中的平均消光系数k可以为0.1至1.5，特别地为0.4至1.0。当平均消光系数k为0.1以上时，具有能够暗化的效果。平均消光系数k也被称为吸收系数，并且作为能够界定导电结构体吸收预定波长的光的强烈程度的度量，是决定导电结构体的透光率的因素。例如，在透明介电材料的情况下，k值非常小，为k<0.1。然而，随着材料中的金属成分增加，k值增大。如果金属成分进一步增加，材料变为几乎不发生透射并且仅主要发生表面反射的金属，并且消光系数k大于1.5，因此，在减光反射层的形成中不优选。

根据本说明书的示例性实施方案，在导电结构体中，可见光区域中的平均折射率可以为2至3。

根据本说明书的示例性实施方案，可见光区域指波长为360nm至820nm的区域。

根据本说明书的示例性实施方案，导电结构体中几乎没有针孔，即使存在针孔，其直径可以为3μm以下，更特别地为1μm以下。当导电结构体中针孔的直径为3μm以下时，可以防止断裂的发生。此外，由于导电结构体中几乎没有针孔，因此可以防止断裂的发生。

根据本说明书的示例性实施方案，金属层和减光反射层可以分别包括包含多个开口的金属图案层和减光反射图案层。

根据本说明书的示例性实施方案，金属图案层可以通过对金属层进行图案化来形成。

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射图案层可以通过对减光反射层进行图案化来形成。

根据本说明书的示例性实施方案，金属图案层可以包括多个开口和隔开所述开口的金属线。

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射图案层可以包括多个开口和隔开所述开口的减光反射线。

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射线可以设置在金属线的至少一个表面上。

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射图案层可以设置在金属图案层的至少一个表面上。特别地，减光反射图案层可以具有与金属图案层相同的成形图案。然而，金属图案层和减光反射图案层分别不必与相邻图案层的线宽完全相同，线宽小于或大于相邻图案层的线宽的情况也包括在本说明书的范围内。

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射图案层的线宽可以为金属图案层的线宽的80％以上且为120％以下。更特别地，减光反射图案层的线宽可以等于或大于金属图案层的线宽。

根据本说明书的示例性实施方案，当减光反射图案层的线宽大于金属层的线宽时，当用户观察时，减光反射图案层可以大大地提供遮蔽金属图案层的效果，因此，具有可以有效地防止由金属层本身的光泽或反射所引起的效应的优点。然而，即使减光反射图案层的线宽与金属图案层的线宽相同，也可以实现降低光反射的效果。

根据本说明书的示例性实施方案，金属图案层和减光反射图案层可以形成规则图案或不规则图案。特别地，可以通过图案化工艺在基板上形成图案来设置金属图案层和减光反射图案层。

根据本说明书的示例性实施方案，所述图案可以具有多边形形状，如三角形和四边形、圆形、椭圆形或不规则形状。三角形可以是等边三角形、直角三角形等，四边形可以是正方形、矩形、梯形等。

根据本说明书的示例性实施方案，作为规则图案，可以使用本领域中的图案形式，如网格图案。对不规则图案没有特别地限制，但是可以是构成泰森多边形图(voronoidiagram)的图形的边界线形式。根据本说明书的示例性实施方案，在使用不规则图案作为图案形式的情况下，可以通过不规则图案除去由定向照明引起的反射光的衍射图案，并且可以通过减光反射图案层来使光散射的影响最小化，结果，可以使可视性的问题最小化。

根据本说明书的示例性实施方案，金属图案层和减光反射图案层的线宽可以分别为0.1μm以上且为100μm以下。

根据本说明书的示例性实施方案，特别地，金属图案层和减光反射图案层的线宽可以为0.1μm以上且为50μm以下、0.1μm以上且为30μm以下或者0.1μm以上且为10μm以下，但是不限于此。金属图案层和减光反射图案层的线宽可以根据导电结构体的最终用途来设计。

根据本说明书的示例性实施方案，当金属图案层和减光反射图案层的线宽小于0.1μm时，难以形成图案，当所述线宽大于100μm时，可视性会劣化。

根据本说明书的示例性实施方案，金属图案层和减光反射图案层的相邻图案的线之间的线间距可以为0.1μm以上且为100μm以下。

根据本说明书的示例性实施方案，所述线间距可以为0.1μm以上，更特别地为10μm以上，还更特别地为20μm以上。此外，根据本说明书的示例性实施方案，所述线间距可以为100μm以下，更特别为30μm以下。

根据本说明书的示例性实施方案，金属图案层和减光反射图案层可以以精细线宽的图案呈现，因此，包括金属图案层和减光反射图案层的电极可以表现出优异的可视性。

图4示出了当对根据本说明书的示例性实施方案的导电结构体进行图案化时的层压结构。特别地，图4示出了顺序地设置基板100、金属图案层210、减光反射图案层310。然而，导电结构体不限于图4的结构，而是还可以包括附加层。在图4中，a表示金属图案层和减光反射图案层的线宽，b表示金属图案层和减光反射图案层的相邻图案线之间的线间距。

根据本说明书的示例性实施方案，导电结构体不仅指金属层和暗化层层压为单独的层的结构，而且指通过诸如溅射等的沉积工艺金属层和暗化层被顺序沉积的多层结构。换言之，根据本说明书的示例性实施方案的导电结构体可以由导电层压体、导电多层结构等术语表示。

根据本说明书的示例性实施方案，对金属层的材料没有特别地限制，但是优选为具有优异的导电性并且容易蚀刻的材料。然而，通常，具有优异导电性的材料具有高反射率的缺点。然而，在本说明书的示例性实施方案中，通过使用具有较高反射率的材料，使用暗化层来形成金属层。在本说明书的示例性实施方案中，即使在使用总反射率为70％至80％以上的材料的情况下，也可以通过减光反射层来降低反射率，降低金属层的可视性，并且保持或改善对比度特性。

根据本说明书的示例性实施方案，金属层可以包含Cu、Ag、Ar、Cr、Co、Al、Mo、Ti、Fe、V、Ni和它们的合金中的一种或多种金属。特别地，根据本说明书的示例性实施方案，金属层可以包含Cu或MoTi作为主要成分。此外，根据本说明书的示例性实施方案，金属层可以由Cu或MoTi组成。

根据本说明书的示例性实施方案，当金属层可以包含Cu或MoTi作为主要成分时，可以更容易地对减光反射层进行批量蚀刻。

根据本说明书的示例性实施方案，金属层的厚度可以为10nm以上且为10μm以下。特别地，金属层的厚度可以为10nm以上且为1μm以下。更特别地，金属层的厚度可以为100nm以上，还更特别地，金属层的厚度可以为150nm以上。此外，根据本说明书的示例性实施方案，金属层的厚度可以为500nm以下，更特别地为200nm以下。由于导电性取决于厚度，如果金属层非常薄，则不能形成连续的厚度，从而具有电阻率值增加的问题，因此，金属层的厚度可以为100nm以上。

根据本说明书的示例性实施方案，基板可以是透明基板。特别地，根据本说明书的示例性实施方案，基板可以是玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)或聚酰胺(PA)。此外，根据本说明书的示例性实施方案，基板可以是液晶显示器元件的绝缘层。特别地，基板可以是设置有金属层的任意部件。

根据本说明书的示例性实施方案，还可以在基板和金属层之间设置透明导电层。

根据本说明书的一个示例性实施方案，透明导电层可以使用透明导电氧化物层。透明导电氧化物可以使用氧化铟、氧化锌、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、非晶形透明导电聚合物等，并且可以使用它们中的一种或两种以上，但是不限于此。根据本说明书的示例性实施方案，透明导电层可以是铟锡氧化物层。

根据本说明书的示例性实施方案，透明导电层的厚度可以为15nm以上且为20nm以下，但是不限于此。透明导电层可以使用上述用于透明导电层的材料通过蒸发过程或印刷过程形成。

根据本说明书的示例性实施方案，导电结构体的表面电阻可以为1Ω/□以上且为300Ω/□以下，特别地为1Ω/□以上且为100Ω/□以下，更特别地为1Ω/□以上且为50Ω/□以下，还更特别地为1Ω/□以上且为20Ω/□以下。

根据本说明书的示例性实施方案，如果导电结构体的表面电阻为1Ω/□以上且为300Ω/□以下，则在替代现有技术中的ITO透明电极方面有效。当导电结构体的表面电阻为1Ω/□以上且为100Ω/□以下或者为1Ω/□以上且为50Ω/□以下，特别地，为1Ω/□以上且为20Ω/□以下时，与使用现有技术中的ITO透明电极的情况相比，表面电阻显著低。因此，具有的优点为，当施加信号时，RC延迟变短，结果，可以显著改善触摸识别速度，因此，可以容易地应用于具有10英寸以上的大面积的触摸屏。

根据本说明书的示例性实施方案，在导电结构体中，图案化之前的金属层或暗化层的表面电阻可以大于0Ω/□且为2Ω/□以下，特别地，大于0Ω/□且为0.7Ω/□以下。当表面电阻为2Ω/□以下，特别地，0.7Ω/□以下时，由于图案化之前的金属层或暗化层的表面电阻降低，因此，容易进行精细图案化设计和制造过程，并且在图案化之后导电结构体的表面电阻降低，因此，在提高电极的反应速度方面有效。可以根据金属层或暗化层的厚度来调节表面电阻。

根据本说明书的示例性实施方案，在用于触摸屏以外的导电结构体中，对表面电阻的范围没有很大地限制，可以为10kΩ/□以下。

本说明书的一个示例性实施方案提供一种所述导电结构体的制造方法。

根据本说明书的示例性实施方案，所述导电结构体的制造方法包括：制备基板；在所述基板上形成金属层；以及在所述金属层上形成减光反射层，其中，所述减光反射层包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物。

根据本说明书的示例性实施方案，所述导电结构体的制造方法包括在金属层上形成包含MoTi_aO_xN_y(0<a≤2，0<x≤3，0≤y≤2，x+y>0，a、x和y分别表示Ti、O和N的原子数的比例)的减光反射层。

根据本说明书的示例性实施方案，所述导电结构体的制造方法包括在金属层上形成减光反射层，其中，O和N的元素含量满足下面的式1，并且O的元素含量为20原子％以上且为60原子％以下。

[式1]

在根据本说明书的示例性实施方案的导电结构体的制造方法中，基板、金属层、减光反射层、金属图案层、减光反射图案层等的构造与上面描述的相同。

根据本说明书的示例性实施方案，在形成金属层之后，可以进行减光反射层的形成。或者，根据本说明书的示例性实施方案，在形成减光反射层之后，可以进行金属层的形成。

根据本说明书的示例性实施方案，在金属层的形成中，金属层可以在基板的一个表面上形成为整个层。

根据本说明书的示例性实施方案，在减光反射层的形成中，减光反射层可以在金属层的一个表面上形成为整个层。整个层可以指在下部构件的一个表面的80％以上的区域上由目标部件形成的一个物理连续的侧或膜。特别地，整个层可以指图案化之前的一个层。

根据本说明书的示例性实施方案，金属层的形成和减光反射层的形成可以分别使用诸如蒸发、溅射、湿式涂布、气化、电镀或化学镀、金属膜层压的方法。特别地，根据本说明书的示例性实施方案，金属层的形成和减光反射层的形成可以分别使用沉积或溅射方法。

根据本说明书的示例性实施方案，金属层可以使用印刷方法形成。特别地，印刷方法可以使用包含金属的油墨或糊料，并且除了金属之外，糊料还可以包含粘合剂树脂、溶剂、玻璃粉等。

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射层的形成可以使用溅射方法，其中，氧气分压和氮气分压满足下面的式2。

[式2]

本说明书的标准立方厘米每分钟(sccm)可以是cm³/min。

根据本说明书的示例性实施方案，溅射方法可以是DC溅射方法。

根据本说明书的示例性实施方案，氧气分压可以为3sccm以上且为10sccm以下。

根据本说明书的示例性实施方案，氮气分压可以为0sccm以上且为20sccm以下。

根据本说明书的示例性实施方案，在使用溅射方法的情况下，减光反射层的柔性特性优异。在热蒸发方法和电子束蒸发方法中，粒子简单堆叠，但是在溅射方法中，即使粒子通过碰撞形成核并且核生长和扭曲，机械性能仍然优异。此外，在使用溅射方法的情况下，减光反射层与另一层之间的界面的粘合性优异。因此，通过使用溅射方法，可以在不使用粘合剂层或接合层的情况下直接在基板或导电层上形成减光反射层，并且可以表现出理想的厚度和图案形状。

根据本说明书的示例性实施方案，减光反射层直接设置在基板或金属层上，而不插入接合层或粘合剂层。接合层或粘合剂层会对耐久性或光学性能产生影响。此外，根据本说明书的示例性实施方案的导电结构体的制造方法与使用接合层或粘合剂层的情况完全不同。此外，与使用接合层或粘合剂层的情况相比，在本说明书中，基板或金属层与减光反射层之间的界面特性优异。

根据本说明书的示例性实施方案，对形成金属层的方法没有特别地限制。金属层可以通过直接印刷形成，在形成金属层之后，金属层被图案化以制备成金属图案。

根据本说明书的示例性实施方案，当金属层通过印刷方法形成时，可以使用金属材料的油墨或糊料，并且除了金属材料之外，糊料还可以包含粘合剂树脂、溶剂或玻璃粉。

根据本说明书的示例性实施方案，金属层可以通过诸如蒸发、溅射、湿式涂布、气化、电镀或化学镀、金属膜层压等的方法形成。此外，形成金属层的方法可以使用在基板上涂布有机金属、纳米金属或它们的复合溶液，然后通过烧制和/或干燥赋予导电性的方法。作为有机金属，可以使用有机银，作为纳米金属，可以使用纳米银粒子等。

根据本说明书的示例性实施方案，还可以包括通过对金属层和减光反射层进行批量蚀刻来形成金属图案层和减光反射图案层。

根据本说明书的示例性实施方案，批量蚀刻指使用一种蚀刻剂通过一次蚀刻工艺同时对金属层和减光反射层进行图案化。

根据本说明书的示例性实施方案，蚀刻剂是本领域中通常使用的蚀刻剂，并且可以应用能够蚀刻减光反射层的任意蚀刻剂。

根据本说明书的示例性实施方案，图案化可以使用具有抗蚀剂性能的材料。通过采用印刷方法、光刻方法、摄影方法、干膜抗蚀方法、湿抗蚀方法、使用掩模的方法或激光转印，例如，热转印成像等，抗蚀剂可以形成抗蚀剂图案，特别地，可以采用干膜抗蚀方法。然而，抗蚀剂不限于此。通过使用抗蚀剂图案对金属层和/或减光反射层进行蚀刻和图案化，并且抗蚀剂图案可以通过剥离处理(strip process)容易地除去。

根据本说明书的示例性实施方案，金属图案层和减光反射图案层的形成可以包括将金属层和减光反射层暴露于蚀刻剂的时间调整为1分钟以上且为4分钟以下，或者为1分钟以上且为3分钟以下。

当暴露于蚀刻剂的时间，即，蚀刻时间在所述范围内时，金属层和减光反射层可以被精细图案化。

本说明书的一个示例性实施方案提供一种包括所述导电结构体的电极。

根据本说明书的示例性实施方案，所述电极可以是用于触摸面板的电极、用于液晶显示器的电极，或者用于OLED显示器的电极。

本说明书的一个示例性实施方案提供一种包括所述导电结构体的电子装置。

根据本说明书的示例性实施方案，所述电子装置可以包括触摸屏面板、显示装置、太阳能电池等，但是不限于此。

更特别地，例如，在电容式触摸屏面板中，根据本发明的示例性实施方案的导电结构体可以用作触摸感应电极基板。

除了上述包括基板、金属层和减光反射层的导电结构体之外，触摸屏面板还可以包括附加结构体。在这种情况下，两个结构体可以沿相同的方向设置，或者可以沿彼此相反的方向设置。可以包括在本发明的触摸屏面板中的两个以上结构体不必具有相同的结构，并且任意一个，优选地，仅离用户最近的结构体可以包括基板、金属层和减光反射层，另外的结构体不包括图案化的减光反射层。此外，两个以上结构体中的层压结构可以彼此不同。当包括两个以上结构体时，可以在它们之间设置绝缘层。在这种情况下，绝缘层可以另外具有粘合层的功能。

根据本说明书的示例性实施方案，所述触摸屏面板可以包括：下基板；上基板；以及电极层，该电极层设置在下基板的与上基板接触的表面以及上基板的与下基板接触的表面中的任意一个表面或两个表面上。电极层可以分别执行检测X轴位置和Y轴位置的功能。

在这种情况下，设置在下基板上和下基板的与上基板接触的表面上的电极层；以及设置在上基板上和上基板的与下基板接触的表面上的电极层中的一个或两个可以是根据本说明书的上述示例性实施方案的导电结构体。在电极层中仅有一个是根据本说明书的导电结构体的情况下，其余电极层可以具有本领域中已知的金属图案。

在将电极层设置在上基板和下基板两者的一个表面上以形成两层的电极层的情况下，可以在下基板与上基板之间设置绝缘层或垫片，以便在电极层之间均匀地保持距离并且电极层不彼此连接。绝缘层可以包含粘合剂或者UV或热固性树脂。

触摸屏面板还可以包括连接至上述导电结构体中的金属图案的接地部。例如，接地部可以在基板的与金属图案接触的表面的边缘处形成。此外，可以在包括导电结构体的层压体的至少一个表面上设置防反射膜、偏光膜和防指纹膜中的至少一种。根据设计规格，除了上述功能膜之外，还可以包括不同种类的功能膜。如上所述，触摸屏面板可以应用于诸如OLED显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、阴极射线管(CRT)和PDP的显示装置。

根据本说明书的示例性实施方案，触摸屏面板还可以包括在导电结构体上的电极部或衬垫(pad)部，在这种情况下，有效屏幕部、电极部和衬垫部可以由相同的导体构成。

根据本说明书的示例性实施方案，在所述触摸屏面板中，减光反射层可以设置在用户观察的一侧。

另外，所述太阳能电池可以包括阳极电极、阴极电极、光敏层、空穴迁移层和/或电子迁移层，根据本说明书的示例性实施方案的导电结构体可以用作阳极电极和/或阴极电极。

在显示装置或太阳能电池中，所述导电结构体可以替代常规的ITO，并且可以用作柔性应用。此外，所述导电结构体可以与CNT、导电聚合物、石墨烯等一起用作下一代透明电极。在本说明书的示例性实施方案中，所述导电结构体可以用作薄膜晶体管阵列基板、滤色器基板等。

根据本说明书的示例性实施方案，所述显示装置可以是滤色器和薄膜晶体管形成在阵列基板上的TFT阵列上的滤色器(COT或COA)。

根据本说明书的示例性实施方案，所述显示装置包括栅电极、源电极、漏电极、公用电极和像素电极中的一种或多种电极，并且一种或多种电极可以包括根据本说明书的导电结构体。在这种情况下，除了包括上述导电结构体之外，所述显示装置可以包括本领域中已知的结构和材料。此外，在本说明书的示例性实施方案中，当源电极和漏电极包括根据本说明书的导电结构体时，源电极和漏电极可以使用相同的蚀刻剂形成，因此，有利于容易地形成图案。

根据本说明书的示例性实施方案，所述显示装置可以是液晶显示器或有机发光装置。有机发光装置可以是底部发光型有机发光装置和顶部发光型有机发光装置。在这种情况下，在底部发光型或顶部发光型有机发光装置的情况下，上述栅电极、源电极、漏电极、公用电极和像素电极可以至少包括具有减光反射层设置在用户观察一侧的结构的导电结构体。

根据本说明书的示例性实施方案，即使在液晶显示器的情况下，上述栅电极、源电极、漏电极、公用电极和像素电极也可以包括具有暗化层设置在用户观察一侧的结构的导电结构体。在这种情况下，当导电结构体是暗化层设置在导电层的两个表面上的结构时，可以额外抑制由于底部背光单元而引起的光反射。

下文中，将参照具体描述的实施例来详细描述本说明书。然而，根据本说明书的实施例可以以各种形式进行修改，并且不应理解为本发明的范围局限于下面详细描述的实施例。将提供本发明的实施例用于向本领域技术人员更完整地说明本发明。

实施例1至3以及比较例1和2

将玻璃基板装入溅射室中，然后保持约3×10^-6托的真空。此外，利用DC电源在Cu溅射靶上形成厚度为约100nm的金属层。

通过200W和6毫托的DC溅射方法，以45sccm在金属层上注入氩气，并且如下面的表1中所示调节氧气和氮气的分压来形成减光反射层，从而制造导电结构体。

此外，利用过氧化氢类蚀刻剂，通过批量蚀刻对金属层和减光反射层进行图案化。

此外，测量上面制造的导电结构体的减光反射层的元素含量，并示于下面的表2中。

[表1]

[表2]

根据表1和表2，在根据比较例制造的导电结构体中，可以看出，存在批量蚀刻不容易形成或者减光反射层未被蚀刻的问题。相反，可以看出，根据实施例制造的减光反射层可以被批量蚀刻，并且金属层和减光反射层可以被图案化。

[实施例4]

使用Cu单一靶，通过DC溅射方法在玻璃基板上形成厚度为60nm的Cu层作为导电层，并且使用MoTi(50:50原子％)合金靶，通过反应性DC溅射方法形成厚度为35nm的包含MoTi_aN_xO_y(0<a≤2，0<x≤3，0<y≤2)的减光反射层，从而制造实施例4中的电极结构体。

[实施例5]

使用Cu单一靶，通过DC溅射方法在玻璃基板上形成厚度为60nm的Cu层作为第一导电层，使用MoTi(50:50原子％)合金靶，通过DC溅射方法形成厚度为20nm的MoTi层作为第二导电层，并且使用相同的靶，通过反应性DC溅射方法形成厚度为35nm的包含MoTi_aN_xO_y(0<a≤2，0<x≤3，0<y≤2)的减光反射层，从而制造实施例5中的电极结构体。

[比较例3]

使用Cu单一靶，通过DC溅射方法在玻璃基板上形成厚度为60nm的Cu层作为第一导电层，并且使用MoTi(50:50原子％)合金靶，通过DC溅射方法形成厚度为10nm至60nm的MoTi层作为第二导电层，从而制造比较例3中的电极结构体。

[试验例1]

利用Solidspec 3700(UV-Vis分光光度计，由Shimadzu Co.,Ltd.制造)模拟实施例4和5以及比较例3中的导电结构体的总反射率随着波长的变化，结果示于下面的图5至图7中。

Claims (23)

1.一种导电结构体，包括：

基板；

设置在所述基板上的金属层；以及

设置在所述金属层的至少一个表面上的减光反射层，

其中，所述减光反射层包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物。

2.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述减光反射层包含MoTi_aO_xN_y，0<a≤2，0<x≤3，0≤y≤2，x+y>0，a、x和y分别指Ti、O和N的原子数的比例。

3.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述减光反射层的O和N的元素含量满足下面的式1，并且所述减光反射层的O的元素含量为20原子％以上且为60原子％以下：

[式1]

4.根据权利要求3所述的导电结构体，其中，所述减光反射层的Mo的元素含量为25原子％以上且为40原子％以下。

5.根据权利要求3所述的导电结构体，其中，所述减光反射层的Ti的元素含量为10原子％以上且为25原子％以下。

6.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述减光反射层设置在所述金属层和所述基板之间，在所述基板的与所述减光反射层接触的表面的相对表面方向上测量的总反射率为35％以下。

7.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述基板、所述金属层和所述减光反射层被顺序地设置，在所述减光反射层的与所述金属层接触的表面的相对表面方向上测量的总反射率为35％以下。

8.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述减光反射层设置在所述金属层的上表面和下表面上。

9.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述减光反射层包含Cu、Ag、Ar、Cr、Co、Al、Mo、Ti、Fe、V、Ni和它们的合金中的一种或多种金属。

10.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述减光反射层的厚度为10nm以上且为400nm以下。

11.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体在可见光区域中的平均消光系数k为0.1至15。

12.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体在可见光区域中的平均折射率为2至3。

13.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述金属层和所述减光反射层分别包括包含多个开口的金属图案层和减光反射图案层。

14.根据权利要求13所述的导电结构体，其中，所述金属图案层和所述减光反射图案层的线宽为0.1μm以上且为100μm以下。

15.根据权利要求13所述的导电结构体，其中，所述金属图案层和所述减光反射图案层的相邻图案线之间的线间距为0.1μm以上且为100μm以下。

16.根据权利要求13所述的导电结构体，其中，所述减光反射图案层的线宽为所述金属图案层的线宽的80％以上且为120％以下。

17.一种权利要求1至16中的任意一项所述的导电结构体的制造方法，该制造方法包括：

制备基板；

在所述基板上形成金属层；以及

在所述金属层上形成减光反射层，

其中，所述减光反射层包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物。

18.根据权利要求17所述的制造方法，其中，所述减光反射层的形成使用溅射方法，其中，氧气的分压和氮气的分压满足下面的式2：

[式2]

<mrow> <mn>0</mn> <mo>&amp;le;</mo> <mfrac> <msub> <mi>N</mi> <msub> <mn>2</mn> <mrow> <mi>s</mi> <mi>c</mi> <mi>c</mi> <mi>m</mi> </mrow> </msub> </msub> <msub> <mi>O</mi> <msub> <mn>2</mn> <mrow> <mi>s</mi> <mi>c</mi> <mi>c</mi> <mi>m</mi> </mrow> </msub> </msub> </mfrac> <mo>&lt;</mo> <mn>10.</mn> </mrow>

19.根据权利要求18所述的制造方法，其中，氧气的分压为3sccm以上且为10sccm以下。

20.根据权利要求17所述的制造方法，还包括：

通过对所述金属层和所述减光反射层进行批量蚀刻形成金属图案层和减光反射图案层。

21.根据权利要求20所述的制造方法，其中，所述金属图案层和所述减光反射图案层的形成包括将所述金属层和所述减光反射层暴露于蚀刻剂的时间调整为1分钟以上且为4分钟以下。

22.一种电极，该电极包括权利要求1至16中的任意一项所述的导电结构体。

23.一种电子装置，该电子装置包括权利要求1至16中的任意一项所述的导电结构体。