JPH0911390A

JPH0911390A - 透明導電性積層体

Info

Publication number: JPH0911390A
Application number: JP7162101A
Authority: JP
Inventors: Fumiharu Yamazaki; 文晴山崎; Shin Fukuda; 福田　　伸; Nobuhiro Fukuda; 信弘福田
Original assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority date: 1995-06-28
Filing date: 1995-06-28
Publication date: 1997-01-14
Anticipated expiration: 2019-01-06
Also published as: JP3483355B2

Abstract

(57)【要約】【構成】透明高分子基体（Ａ）の一方の主面に、主
として酸化インジウムからなる透明導電層（Ｂ）と、ス
パッタリング法によって形成した銅からなる第一の金属
薄膜層（Ｃ）と、チタン、タンタル、ニッケル、パラジ
ウム、バナジウム、クロム、ニオブのいずれか、または
それらの２種以上の合金からなる第二の金属薄膜層
（Ｄ）をＡＢＣＤなる構成で形成した透明導電性積層
体。【効果】低シート抵抗、孔可視光透過率を有し、さ
らにこれを用いてエレクトロルミネッセンスディスプレ
イを形成すると発光継続時の輝度低下を著しく抑制し、
さらに透明導電性積層体と発光層をの密着性をも増強し
た、耐久性に優れたものが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は透明導電性積層体に関
し、より詳しくはエレクトロルミネッセンスディスプレ
イの透明電極として好適に使用できる、発光層との密着
性に優れ、なおかつ発光輝度の経時劣化をも抑制した透
明導電性積層体に関する。

【０００２】

【従来の技術】透明導電性積層体は従来、液晶ディスプ
レイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、エレク
トロクロミックディスプレイなどの表示素子の電極、太
陽電池などの光電変換素子の窓電極、電磁波シールドの
電磁波遮蔽膜、あるいは透明タッチパネルなどの入力装
置の電極として利用されている。

【０００３】従来公知の透明導電層としては金、銀、白
金、パラジウムなどの貴金属薄膜や、酸化インジウム、
酸化第二スズ、酸化亜鉛などの酸化物半導体薄膜とが知
られている。前者の貴金属薄膜は抵抗値の低いものは容
易に得られるが透明性に劣る。後者の酸化物半導体薄膜
は抵抗値は貴金属薄膜に若干劣るが、透明性に優れてい
るため広く利用されている。その中でも酸化スズを含有
した酸化インジウム薄膜は低抵抗で透明性に優れている
ため広く利用されている。スズをドープした酸化インジ
ウム薄膜の抵抗率は通常５×１０^-5〜１×１０^-3Ω・ｃ
ｍ程度、透過率は一般に８０〜９０％である。

【０００４】エレクトロルミネッセンスディスプレイは
透明基体上に透明導電膜を形成した透明導電性基体をベ
ースにし、上記透明導電膜上に発光体層、絶縁層及び背
面電極を順次形成し、さらに全体を透明防湿層で被覆し
た構造のものが公知である。かかる透明導電膜には、酸
化スズ、酸化インジウム等が、発光体層には硫化亜鉛、
硫化カドミウム、セレン化亜鉛等が、絶縁層には誘電率
の高い酸化イットリウム、窒化シリコン、酸化タリウム
等が、背面電極にはアルミニウムが通常用いられてい
る。従来エレクトロルミネッセンス用透明導電性基体に
は、ガラスを基体にしたものが用いられてきた。上記透
明導電性基体には、発光層で発光した可視光を効率的に
外部に放出させるために透明性に優れていること、駆動
電圧の点からシート抵抗がある程度低いことに加え、長
時間の使用に耐えることが要求されるが、ガラスを基体
とした場合には基体温度を４００℃程度にまで加熱でき
るため、化学的に安定な結晶性透明導電層が形成でき、
透明性、及び耐環境性に優れた透明導電性基体が容易に
得られるためである。しかしながら、ガラスを基体とし
た場合には、割れやすい、重い、薄型化に限度がある、
といった問題があった。そのため、割れにくく、薄くて
軽い透明高分子基体を用いた透明電極が強く求められて
いる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】透明高分子基体をエレ
クトロルミネッセンスディスプレイ用透明電極に使用す
る場合、透明導電層を形成する際の基体の加熱温度は、
高分子基体の耐熱温度により制限され、通常２００℃以
下にしなければならない。そのため耐環境性に優れた結
晶性酸化インジウムを形成するのは容易ではない。エレ
クトロルミネッセンス用透明導電性基体として使用する
ためには、少なくとも可視光透過率８０％以上、シート
抵抗１０００Ω／□以下が要求される。透明高分子フィ
ルムの一方の主面に、主として酸化インジウムからなる
透明導電層を１０ｎｍ以上形成すれば、可視光透過率８
０％以上、シート抵抗１０００Ω／□以下の透明導電性
フィルムを作製できるが、これをエレクトロルミネッセ
ンスディスプレイ用透明電極としてそのまま使用する
と、発光層である硫化亜鉛あるいは硫化カドミウム等
と、主として酸化インジウムからなる透明導電層とが直
接接触するため、電圧を印加し長時間発光を継続させる
と、発光層と透明導電層との界面が劣化し発光輝度が比
較的早期に減衰してしまうという問題があることを見い
だした。

【０００６】また、該透明導電性積層体をそのままエレ
クトロルミネッセンス用透明電極として使用すると、発
光層との密着挙強度が不足するために発光ムラが起こり
易いことを見いだした。特に、これを屈曲させた状態で
使用する場合には、その傾向が顕著に現れるため、屈曲
状態での使用が制限されてしまう。透明導電性を透明電
極として使用したエレクトロルミネッセンス発光素子
は、屈曲可能な発光体が得られることが利点の一つに挙
げられるが、密着強度不足による発光ムラの発生はこの
利点を十分に活かせない重大な問題点となるため、その
改善が強く要請される。具体的には、密着強度が９０゜
の角度で引き剥すときの強度が２００ｋｇ／ｃｍ以上で
あれば、エレクトロルミネッセンス発光体を屈曲状態で
使用しても発光ムラ等の以上は生じないことを見いだし
た。

【０００７】本発明は、上記事情に鑑み、発光層と透明
導電層との間に、界面の劣化を抑制することのできる層
を設けることにより発光を継続させた時の劣化を抑え、
さらに発光層との密着性を改善させるための層を、上記
した界面劣化を抑制させるための層の上に積層させるこ
とにより、透明導電性積層体と発光層との密着強度を増
強させて、前述した問題点を解決した透明導電性フィル
ムを得ることを目的としている。すなわち、本発明は、
エレクトロルミネッセンスディスプレイの発光ムラを起
こり難くし、さらに発光輝度の経時劣化を抑制させて長
寿命化を計ることができ、なおかつ可視光透過率８０％
以上でシート抵抗が１０００Ω／□以下の透明導電性積
層体を提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の問
題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、透明高分子
基体の一方の主面に、主として酸化インジウムからなる
透明導電層を形成し、さらにその上に、スパッタリング
法によって銅からなる第一の金属薄膜層を形成し、さら
にその上にチタン、タンタル、ニッケル、パラジウム、
バナジウム、クロム、ニオブのいずれか、またはそれら
の２種以上の合金からなる第二の金属薄膜層を積層させ
ることにより、発光輝度の経時劣化の抑制と、透明導電
性フィルムと発光層との密着強度の増強とが同時に達成
できることを見いだし本発明を完成するにいたった。

【０００９】すなわち、本発明は、透明高分子基体
（Ａ）の一方の主面に、少なくとも、主として酸化イン
ジウムからなる透明導電層（Ｂ）と、スパッタリング法
によって形成した銅からなる第一の金属薄膜層（Ｃ）
と、チタン、タンタル、ニッケル、パラジウム、バナジ
ウム、クロム、ニオブのいずれか、またはそれらの２種
以上の合金からなる第二の金属薄膜層（Ｄ）をＡＢＣＤ
なる構成で形成した透明導電性積層体であり、また、好
ましくは、該主として酸化インジウムからなる透明導電
層（Ｂ）の厚さが１０〜２００ｎｍ、スパッタリング法
によって形成した銅からなる第一の金属薄膜層（Ｃ）の
厚さが１〜２０ｎｍ、チタン、タンタル、パラジウム、
バナジウム、クロム、ニオブのいずれか、またはそれら
の２種以上の合金からなる第二の金属薄膜層（Ｄ）の厚
さが１〜２０ｎｍである透明導電性積層体であり、ま
た、これらが、エレクトロルミネッセンスディスプレイ
の透明電極として好適に使用しうる透明導電性積層体で
ある。

【００１０】以下本発明を、添付図面の［図１］を参照
しながら説明するに、本発明は、透明高分子基体（Ａ）
（１０）の一方の主面に、主として酸化インジウムから
なる透明導電層である第１層（Ｂ）（２０）と、スパッ
タリング法により形成した銅からなる第一の金属薄膜層
である第２層（Ｃ）（３０）と、チタン、タンタル、ニ
ッケル、パラジウム、バナジウム、クロム、ニオブのい
ずれか、またはそれらの２種以上の合金からなる第二の
金属薄膜層である第３層（Ｄ）（４０）とを順次形成し
た透明導電性積層体である。そして好ましくは、該主と
して酸化インジウムからなる透明導電膜（Ｂ）の厚さが
１０〜２００ｎｍ、スパッタリング法により形成した銅
からなる第一の金属薄膜層（Ｃ）の厚さが１〜２０ｎ
ｍ、チタン等からなる第二の金属薄膜層（Ｄ）の厚さが
１〜２０ｎｍである透明導電性積層体に係るものであ
る。

【００１１】本発明において使用する透明高分子基体と
しては、透明性を有するプラスチック成形体が使用でき
る。具体的にはポリエチレンテレフタレート、ポリエー
テルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカ
ーボネート、ポリプロピレン、ポリイミドなどが挙げら
れる。これら高分子基体は透明導電層を形成する主面が
平滑であれば板状であってもフィルム状であってもよ
い。板状の高分子基体は寸法安定性と機械的強度に優れ
ているため、特にこれらの特性が要求される場合には、
好適に使用できる。また高分子フィルム状のものは、可
撓性を有しており、透明導電層をロールツロール法で連
続的に形成することができるため、これを使用した場合
には効率よく透明導電性基体を生産できる故にこれもま
た好適に使用できる。この場合、フィルムの厚さは通常
１０〜２５０μｍのものが用いられる。フィルムの厚さ
が１０μｍ以下では、基材としての機械的強度に不足
し、２５０μｍ以上では可撓性が不足するためフィルム
をロールで巻きとって利用するのに適さない。

【００１２】上記透明高分子基体のなかでもポリエチレ
ンテレフタレートは透明性及び加工性に優れているため
より好適に利用できる。また、ポリエーテルサルフォン
は耐熱性に優れているため、透明導電性積層体作製後に
熱処理を必要とする場合、また該透明導電性積層体を使
用してエレクトロルミネッセンスディスプレイを組み立
てる際に加熱処理を必要とする場合に、より好適に利用
できる。

【００１３】かかる透明高分子基体はその表面に予めス
パッタリング処理、コロナ処理、火炎処理、紫外線照
射、電子線照射などのエッチング処理や、下塗り処理を
施してこの上に形成される主として酸化インジウムから
なる透明導電層の上記フィルムに対する密着性を向上さ
せる処理を施してもよい。また、主として酸化インジウ
ムからなる透明導電層を成膜する前に、必要に応じて溶
剤洗浄や超音波洗浄などの防塵処理を施してもよい。

【００１４】本発明においては、かかる透明高分子基体
の一方の主面に主として酸化インジウムからなる透明導
電層を第１層として形成する。該透明導電層は抵抗率を
低くするためにスズを混合しても良い。通常３〜２０重
量％程度のスズを含有させることにより抵抗率を低下さ
せることができ、より薄い膜厚で必要とされるシート抵
抗値を有する透明導電層が形成できる。

【００１５】主として酸化インジウムからなる透明導電
層の厚さは、特に制限するものではないが、通常は１０
ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。透明導電層の厚さは、そ
のシート抵抗値及び可視光透過率に影響する。シート抵
抗値を小さくするためには、該透明導電層の厚さをでき
る限り厚くすればよいが、厚くすると可視光透過率が低
下してしまう。そのため、要求されるシート抵抗値及び
可視光透過率の両者を考慮して該透明導電層の厚さが決
定される。該透明導電層の厚さが１０ｎｍよりあまり薄
いとシート抵抗値が高くなってしまうため、エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイの透明電極として使用する
には不適である。シート抵抗値を下げるためには、膜厚
を厚くすればよいが、２００ｎｍよりあまり厚くなると
可視光透過率が低くなってしまうためこれもまた好まし
くない。

【００１６】すなわち、透明高分子基体の一方の主面
に、好ましくは厚さが１０〜２００ｎｍの主として酸化
インジウムからなる透明導電層を形成することで、エレ
クトロルミネッセンスディスプレイの透明電極に要求さ
れるシート抵抗値及び可視光透過率を有する透明導電性
積層体が得られる。ただしこのままでは、該透明導電層
は発光継続時の耐久性に劣っていて、これをそのまま透
明電極に使用してエレクトロルミネッセンスディスプレ
イを形成し、電圧を印加して発光を継続させると比較的
早期に発光強度が減衰してしまうのに加え、該透明導電
性積層体と発光層との密着強度が不足するために発光ム
ラが発生し易いことを、本発明者らは見いだした。

【００１７】そのため本発明においては、上記の如く主
として酸化インジウムからなる透明導電層を形成した
後、さらにこの上に、銅からなる金属薄膜層をスパッタ
リング法により成膜する。該層を設けるのは、酸化イン
ジウムと発光層である硫化亜鉛あるいは硫化カドミウム
等とが直接接触することによる主として酸化インジウム
からなる透明導電層の発光時の劣化を防ぐためである。
すなわち、銅からなる金属薄膜層を、主として酸化イン
ジウム層上にスパッタリング法によって設けることで、
主として酸化インジウムからなる透明導電層と硫化亜鉛
あるいは硫化カドミウム等の発光層とが直接接触するこ
とを防ぎ、しかも表面に積層した銅は硫化亜鉛あるいは
硫化カドミウム等の発光層に対する耐久性に優れてい
て、さらに発光させるための通電に対する耐久性にも優
れているため、発光を継続した際に生じる発光輝度の低
下を著しく抑制することができるのである。

【００１８】なおここで肝要なのは、銅からなる金属薄
膜層の形成はスパッタリング法によらなければならない
点である。銅からなる金属薄膜層の形成方法としては、
一般的にメッキ法、あるいは蒸着法といったスパッタ法
よりも簡便な方法がある。しかしながら、それらの方法
で作製した銅からなる金属薄膜層では、発光継続時の輝
度低下を抑制させる効果はなく、スパッタリング法によ
って形成した場合にのみその効果が現れることを我々は
見いだしたのである。すなわち、発光継続時の輝度低下
を抑制させるための銅からなる金属薄膜層を得るため
に、形成方法はスパッタリング法によらなければならな
いのである。

【００１９】スパッタリング法により形成した銅からな
る金属薄膜層の厚さは１〜２０ｎｍが好ましい。さらに
好ましくは１〜１０ｎｍである。この厚さが１ｎｍより
あまり薄いと、発光継続時の輝度低下抑制の効果が得ら
れないため好ましくない。すなわち、エレクトロルミネ
ッセンスディスプレイの透明電極として発光継続時の輝
度低下効果を付与させるためには、スパッタリング法に
より形成した銅からなる金属薄膜層は少なくとも１ｎｍ
以上の厚さが必要なのである。また、この厚さが２０ｎ
ｍよりあまり厚いと、透明性が損なわれるのに加え、該
層の積層による発光継続時の輝度低下の抑制は２０ｎｍ
以下の厚さですでに十分なされているため、いたずらに
成膜時間をかけ厚い層を形成するのは好ましくない。経
済的には該層の厚さは発光継続時の輝度低下効果を損な
わない範囲内でなるべく薄い方が好ましく、１０ｎｍの
厚さでその効果は十分得られるため該金属薄膜層の厚さ
は、１〜１０ｎｍがより好ましい。

【００２０】高分子基体上に、主として酸化インジウム
からなる透明導電層、スパッタリング法により銅からな
る金属薄膜層とを積層させた透明導電性積層体は、発光
継続時の輝度低下抑制には効果があるものの、密着強度
の増強に関する効果は得られないことを我々は見いだし
た。そこで、本発明では、スパッタリング法により形成
した銅からなる金属薄膜層上に、さらにチタン、タンタ
ル、ニッケル、パラジウム、バナジウム、クロム、ニオ
ブのいずれか、またはそれらの２種以上の合金からなる
第二の金属薄膜層を積層する。チタン、タンタル、ニッ
ケル、パラジウム、バナジウム、クロム、ニオブのいず
れか、またはそれらの２種以上の合金からなる第二の金
属薄膜層は、発光層と貼り合わせた際に密着力を増強さ
せる効果がある。そのため、スパッタリング法により形
成した銅からなる金属薄膜層上に積層させることによ
り、発光継続時の輝度低下を抑制する効果を維持したま
ま、透明導電性フィルムと発光層との密着強度をも増強
させることができるのである。

【００２１】チタン、タンタル、ニッケル、パラジウ
ム、バナジウム、クロム、ニオブのいずれか、またはそ
れらの２種以上の合金は、透明導電性積層体と発光層と
の密着強度増強には効果があるものの、発光継続時の輝
度低下抑制には効果がないことに注意しなければならな
い。すなわち、主として酸化インジウムからなる透明導
電層上に、直接、チタン、タンタル、ニッケル、パラジ
ウム、バナジウム、クロム、ニオブのいずれか、または
それらの２種以上の合金からなる第二の金属薄膜層のみ
を形成した透明導電性積層体を透明電極としたエレクト
ロルミネッセンス発光素子は、密着強度には優れた性能
を示すものの、発光継続時に輝度低下が生じてしまい実
用的には使用できないのである。そのため、スパッタリ
ング法により形成した銅からなる金属薄膜層は、発光継
続時の輝度低下を抑制するために必ず必要なのである。

【００２２】主として酸化インジウムからなる透明導電
層の成膜方法としては真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法といった従来公知の物理的気相
成長法のいずれも採用できる。スパッタリング法におい
ては、ターゲットに酸化インジウムあるいはスズを含有
した酸化インジウムを、スパッタガスにアルゴン等の不
活性ガスを用い、通常スパッタガス圧力：１〜１０ｍＴ
ｏｒｒ、高分子基体温度：２０〜１５０℃の条件下で、
直流（ＤＣ）あるいは高周波（ＲＦ）マグネトロンスパ
ッタ法が利用できる。また、透明導電層の透明性および
導電性を高くするためにスパッタガス中に０．１〜２０
流量％の酸素ガスを混合しても良い。また、ターゲット
にインジウムあるいはスズ・インジウム合金を、スパッ
タガスにアルゴン等の不活性ガスを、反応性ガスに酸素
ガスを用いた直流あるいは高周波反応性スパッタリング
法も好適に利用できる。この方法では透明導電層の透過
率および導電性が、反応性ガスである酸素ガスの分圧に
敏感に影響するので、その制御を厳密に行うことが好ま
しい。上記のスパッタリング法はいずれも、透明性及び
導電性に優れた透明導電層が容易に得られるため、好適
に利用できる。

【００２３】銅からなる金属薄膜層の成膜方法は、前述
したように、それを透明電極に使用したエレクトロルミ
ネッセンス発光素子の発光継続時の輝度低下を抑制させ
る効果を得るために、スパッタリング法によらなければ
ならない。その場合、ターゲットに銅を、スパッタガス
にアルゴン等の不活性ガスを用い、通常スパッタガス圧
力：１〜１０ｍＴｏｒｒ、高分子基体温度：２０〜１５
０℃の条件下で、直流あるいは高周波スパッタリング法
を利用することが好ましい。

【００２４】一方、チタン、タンタル、ニッケル、パラ
ジウム、バナジウム、クロム、ニオブのいずれか、また
はそれらの２種以上の合金からなる第二の金属薄膜層の
形成方法としては、主として酸化インジウムからなる透
明導電層の形成方法と同様、スパッタリング法や真空蒸
着法といった従来公知の物理的気相成長法がいずれも利
用できる。なかでも、スパッタリング法は、成膜方法が
スパッタリング法に限定される銅からなる金属薄膜層と
同方法であるため、これと連続的に生産できるため生産
性の観点から好ましく使用される。スパッタリング法を
使用する場合においては、例えば第二の金属薄膜層にチ
タンを選択した場合には、ターゲットに純チタン、スパ
ッタガスにアルゴン等の不活性ガスを用い、通常スパッ
タガス圧力：１〜１０ｍＴｏｒｒ、高分子基体温度：２
０〜１５０℃の条件下で、直流あるいは高周波スパッタ
リング法が利用できる。なお、真空蒸着法による場合
は、蒸着材料に純チタンを用い、抵抗加熱法や電子ビー
ム加熱法といった方法でチタンからなる金属薄膜層を蒸
着することができる。

【００２５】上記の方法により得られた透明導電性フィ
ルムを、耐環境性を向上させるために、熱処理（アニー
リング）を施してもよい。熱処理温度は通常、１００〜
２００℃程度である。上記の方法により形成した透明導
電層の原子組成は、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、誘
導結合プラズマ法（ＩＣＰ）、ラザフォード後方散乱法
（ＲＢＳ）等により測定できる。またこれらの膜厚は、
オージェ電子分光の深さ方向観察、透過型電子顕微鏡に
よる断面観察等により測定できる。

【００２６】なお、本発明の透明導電性基体を使用し
て、エレクトロルミネッセンス発光体を形成するには、
例えば、背面電極となるアルミニウム箔の一方の面にチ
タン酸バリウム粉末をアセトン溶液中に分散させた液を
塗布し乾燥させることで誘電体層を形成した後、さらに
その上に硫化亜鉛粉末等をアセトン等の適当な溶液中に
分散させた液を塗布することで発光層を形成し、この塗
布面と、本発明品である透明導電性積層体の第二の金属
薄膜層とを密着させた上で加熱処理することにより貼り
合わせて得ることができる。湿気に対する発光層の耐久
性を向上させるために、さらにエレクトロルミネッセン
ス発光体全体を防湿フィルム２枚で挟み込んでもよい。

【００２７】

【実施例】つぎに、本発明を実施例により具体的に説明
する。〔実施例１〕ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚
さ１８８μｍ）の一方の面に、第１層として、ターゲッ
トに酸化スズを５重量％含有した酸化インジウムを、ス
パッタリングガスにアルゴンガス、反応性ガスに酸素ガ
ス（流量比、アルゴン：酸素＝１０：０．１）を用い
て、３ｍＴｏｒｒの雰囲気の下で、ＤＣマグネトロン反
応性スパッタリング法により厚さ５０ｎｍの主として酸
化インジウムからなる透明導電層を形成した。さらにそ
の上に、第２層として、ターゲットに銅を、スパッタリ
ングガスにアルゴンガスを用いて、３ｍＴｏｒｒの雰囲
気下で、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により厚さ
５ｎｍの銅からなる第一の金属薄膜層を形成した。さら
にその上に第３層として、ターゲットにチタンを、スパ
ッタリングガスにアルゴンガスを用いて、３ｍＴｏｒｒ
の雰囲気下で、ＤＣマグネトロンスパッタリング法によ
り、厚さ５ｎｍの第二のチタンからなる金属薄膜層を形
成し、３層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００２８】〔実施例２〕第３層を形成する際、ターゲ
ットにタンタルを用いて、タンタルからなる第二の金属
薄膜層を形成したこと以外は、実施例１と同じ手法で３
層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００２９】〔実施例３〕第３層を形成する際、ターゲ
ットにニッケルを用いて、ニッケルからなる第二の金属
薄膜層を形成したこと以外は、実施例１と同じ手法で３
層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００３０】〔実施例４〕第３層を形成する際、ターゲ
ットにパラジウムを用いて、パラジウムからなる第二の
金属薄膜層を形成したこと以外は、実施例１と同じ手法
で３層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００３１】〔実施例５〕第３層を形成する際、ターゲ
ットにバナジウムを用いて、バナジウムからなる第二の
金属薄膜層を形成したこと以外は、実施例１と同じ手法
で３層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００３２】〔実施例６〕第３層を形成する際、ターゲ
ットにクロムを用いて、クロムからなる第二の金属薄膜
層を形成したこと以外は、実施例１と同じ手法で３層構
成の透明導電性積層体を作製した。

【００３３】〔実施例７〕第３層を形成する際、ターゲ
ットにニオブを用いて、ニオブからなる第二の金属薄膜
層を形成したこと以外は、実施例１と同じ手法で３層構
成の透明導電性積層体を作製した。

【００３４】〔実施例８〜実施例１０〕第２層の金属薄
膜層の厚さを１ｎｍ（実施例８）、１０ｎｍ（実施例
９）、２０ｎｍ（実施例１０）とした以外は実施例１と
同じ手法で３層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００３５】〔実施例１１〜実施例１３〕第３層の金属
薄膜層の厚さを１ｎｍ（実施例１１）、１０ｎｍ（実施
例１２）、２０ｎｍ（実施例１３）とした以外は実施例
１と同じ手法で３層構成の透明導電性積層体を作製し
た。

【００３６】〔実施例１４〜実施例１５〕第１層の透明
導電層の厚さを１０ｎｍ（実施例１４）、２００ｎｍ
（実施例１５）とした以外は実施例１と同じ手法で３層
構成の透明導電性積層体を作製した。

【００３７】〔比較例１〕第２層、及び第３層の金属薄
膜層を形成しなかったこと以外は実施例１と同じ手法で
１層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００３８】〔比較例２〕第２層の金属薄膜層を形成し
なかったこと以外は、実施例１と同じ手法で２層構成の
透明導電性積層体を作製した。

【００３９】〔比較例３〕第２層を形成する際、ターゲ
ットに銅の代わりにパラジウムを用いて、パラジウムか
らなる金属薄膜層を形成したこと以外は、実施例１と同
じ手法で３層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００４０】〔比較例４〕第２層を形成する際、ターゲ
ットに銅の代わりにインジウムを用いて、インジウムか
らなる金属薄膜層を形成したこと以外は、実施例１と同
じ手法で３層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００４１】〔比較例５〕第２層を形成する際、ターゲ
ットに銅の代わりにスズを用いて、スズからなる金属薄
膜層を形成したこと以外は、実施例１と同じ手法で３層
構成の透明導電性積層体を作製した。

【００４２】〔比較例６〕第２層を形成する際、ターゲ
ットに銅の代わりにクロムを用いて、クロムからなる金
属薄膜層を形成したこと以外は、実施例１と同じ手法で
３層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００４３】〔比較例７〕第２層を形成する際、ターゲ
ットに銅の代わりにアルミニウムを用いて、アルミニウ
ムからなる金属薄膜層を形成したこと以外は、実施例１
と同じ手法で３層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００４４】〔比較例８〕第２層を形成する際、ターゲ
ットに銅の代わりに銀を用いて、銀からなる金属薄膜層
を形成したこと以外は、実施例１と同じ手法で３層構成
の透明導電性積層体を作製した。

【００４５】〔比較例９〕ポリエチレンテレフタレート
フィルム（厚さ１８８μｍ）の一方の面に、第１層とし
て、ターゲットに酸化スズを５重量％含有した酸化イン
ジウムを、スパッタリングガスにアルゴンガス、反応性
ガスに酸素ガス（流量比、アルゴン：酸素＝１０：０．
１）を用いて、３ｍＴｏｒｒの雰囲気の下で、ＤＣマグ
ネトロン反応性スパッタリング法により厚さ５０ｎｍの
透明導電層を形成した。さらにその上に、第２層とし
て、蒸着源に銅を用いて、５×１０^-5Ｔｏｒｒの雰囲気
下で、電子ビーム蒸着法によりチタンからなる厚さ５ｎ
ｍの金属薄膜層を形成し、３層構成の透明導電性積層体
を作製した。

【００４６】〔比較例１０〕第３層の金属薄膜層を形成
しなかったこと以外は、実施例１と同じ手法で２層構成
の透明導電性積層体を作製した。

【００４７】〔比較例１１〕第３層を形成する際、ター
ゲットに銀を用いて、銀からなる第二の金属薄膜層を形
成したこと以外は、実施例１と同じ手法で３層構成の透
明導電性積層体を作製した。

【００４８】〔比較例１２〕第２層の金属薄膜層の厚さ
を５０ｎｍときわめて厚くした以外は実施例１と同じ手
法で３層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００４９】〔比較例１３〕第３層の金属薄膜層の厚さ
を５０ｎｍときわめて厚くした以外は実施例１と同じ手
法で３層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００５０】〔比較例１４〜比較例１５〕第１層の透明
導電層の厚さを５ｎｍときわめて薄く（比較例１４）、
また、４００ｎｍときわめて厚く（比較例１５）した以
外は、実施例１と同じ手法で３層構成の透明導電性積層
体を作製した。

【００５１】以上のようにして作製した透明導電性フィ
ルムの、透明導電層及び金属薄膜層の厚さ、シート抵
抗、可視光透過率、耐環境性は以下の手法で評価した。透明導電層の厚さ［Ｔ₁（ｎｍ）］及び金属薄膜層の
厚さ［Ｔ₂（ｎｍ）、Ｔ₃（ｎｍ）］：前もって成膜速
度ｒ（ｎｍ／ｍｉｎ）を測定しておき、膜厚は成膜時間
ｔ（ｍｉｎ）を制御することで変化させた。膜厚Ｔ（ｎ
ｍ）は以下の式より求められる。Ｔ＝ｒ×ｔシート抵抗［Ｒ( Ω／□) ］：４端子法により測定し
た。可視光透過率［Ｔｖｉｓ（％）］：日立製作所（株）
製、分光光度計Ｕ−３４００により測定した。発光継続試験［Ｉ／Ｉ₀］：以下の工程でエレクトロ
ルミネッセンス発光体を作製し、温度５０℃、湿度６０
％の雰囲気下で、交流１００Ｖ（周波数：１ｋＨｚ）の
電圧を印加し発光させ、その時の初期発光輝度Ｉ₀（カ
ンデラ／ｍ²）と、そのまま３０００時間発光を継続さ
せた後の発光輝度Ｉ（カンデラ／ｍ²）とをミノルタ
（株）製の輝度計：ＬＳ−１１０を用いて測定し、その
変化率Ｉ／Ｉ₀で評価した。密着性［ｋｇ／ｃｍ］：１ｃｍ幅に切りだしたエレク
トロルミネッセンス素子の透明導電性積層体と発光層と
を、９０゜の角度で剥す時に必要な荷重を測定した。

【００５２】エレクトロルミネッセンス発光体は、背面
電極となるアルミニウム箔の一方の面にチタン酸バリウ
ム粉末をアセトン溶液中に分散させた液を塗布し乾燥さ
せることで誘電体層を形成した後、さらにその上に硫化
亜鉛粉末等をアセトン等の適当な溶液中に分散させた液
を塗布することで発光層を形成し、この塗布面と、実施
例１〜実施例９及び比較例１〜比較例１４により得た透
明導電性積層体の積層面とを密着させ、その後６０℃で
１２０分間、さらに１２０℃で２分間加熱処理すること
により貼り合わせることで作製した。以上の測定結果を
［表１］〜［表６］に掲げる。

【００５３】

【表１】

【００５４】

【表２】

【００５５】

【表３】

【００５６】

【表４】

【００５７】

【表５】

【００５８】

【表６】

【００５９】上記［表１］〜［表６］から明らかなよう
に、本発明の透明導電性積層体は、低シート抵抗、高可
視光透過率を有し、さらにこれを用いてエレクトロルミ
ネッセンスディスプレイを形成すると発光継続時の輝度
低下を著しく抑制し、さらに透明導電性積層体と発光層
との密着性をも増強した、耐久性に優れたものが得られ
るのが分かる。

【００６０】

【発明の効果】以上のごとく、本発明においては、高分
子透明基体の一方の主面に、第１層として主として酸化
インジウムからなる透明導電層を形成し、その上に第２
層としてスパッタリング法により形成した銅からなる金
属薄膜層を形成し、さらにその上に第３層としてチタン
からなる金属薄膜層を形成することで、発光継続時の輝
度低下を抑制し、さらに発光層との密着性を高めること
ができる、エレクトロルミネッセンス発光体の透明電極
に適した透明導電性積層体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の透明導電性積層体の一例を示す断面図

【符号の説明】

１０透明高分子基体２０主として酸化インジウムからなる透明導電層３０銅からなる第一の金属薄膜層４０チタン等からなる第二の金属薄膜層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｈ０１Ｂ 5/14 Ａ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明高分子基体（Ａ）の一方の主面に、
少なくとも、主として酸化インジウムからなる透明導電
層（Ｂ）と、スパッタリング法によって形成した銅から
なる第一の金属薄膜層（Ｃ）と、チタン、タンタル、ニ
ッケル、パラジウム、バナジウム、クロム、ニオブのい
ずれか、またはそれらの２種以上の合金からなる第二の
金属薄膜層（Ｄ）をＡＢＣＤなる構成で形成したことを
特徴とする透明導電性積層体。
【請求項２】主として酸化インジウムからなる透明導
電層（Ｂ）の厚さが１０〜２００ｎｍ、スパッタリング
法によって形成した銅からなる第一の金属薄膜層（Ｃ）
の厚さが１〜２０ｎｍ、チタン、タンタル、パラジウ
ム、バナジウム、クロム、ニオブのいずれか、またはそ
れらの２種以上の合金からなる第二の金属薄膜層（Ｄ）
の厚さが１〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１
記載の透明導電性積層体。
【請求項３】エレクトロルミネッセンスディスプレイ
の透明電極として好適に使用しうる請求項１または請求
項２記載の透明導電性積層体。