JP2003034860A - 透明導電フィルム及びタッチパネル - Google Patents
透明導電フィルム及びタッチパネルInfo
- Publication number
- JP2003034860A JP2003034860A JP2001223326A JP2001223326A JP2003034860A JP 2003034860 A JP2003034860 A JP 2003034860A JP 2001223326 A JP2001223326 A JP 2001223326A JP 2001223326 A JP2001223326 A JP 2001223326A JP 2003034860 A JP2003034860 A JP 2003034860A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- film
- coating layer
- thin film
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Push-Button Switches (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高分子フィルム上に透明導電薄膜が形成され
た透明導電フィルムであって、透明導電薄膜の損傷、剥
離の問題がなく、信頼性、耐久性の高いタッチパネルを
提供し得る透明導電フィルムと、この透明導電フィルム
を備えるタッチパネルを提供する。 【解決手段】 高分子フィルム４上に酸化亜鉛系透明導
電薄膜５が形成されてなる透明導電フィルム。透明導電
薄膜５上に、透明導電薄膜５とは異種の材料からなる被
覆層９が形成されている。この透明導電フィルムを上部
電極６Ａ又は下部電極として備えるタッチパネル。
た透明導電フィルムであって、透明導電薄膜の損傷、剥
離の問題がなく、信頼性、耐久性の高いタッチパネルを
提供し得る透明導電フィルムと、この透明導電フィルム
を備えるタッチパネルを提供する。 【解決手段】 高分子フィルム４上に酸化亜鉛系透明導
電薄膜５が形成されてなる透明導電フィルム。透明導電
薄膜５上に、透明導電薄膜５とは異種の材料からなる被
覆層９が形成されている。この透明導電フィルムを上部
電極６Ａ又は下部電極として備えるタッチパネル。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高分子フィルム上
に透明導電薄膜が形成された透明導電フィルムであっ
て、透明導電薄膜の耐剥離、脱落性に優れ、電気特性及
びその耐久性に優れた透明導電フィルムと、この透明導
電フィルムを備えるタッチパネルに関する。
に透明導電薄膜が形成された透明導電フィルムであっ
て、透明導電薄膜の耐剥離、脱落性に優れ、電気特性及
びその耐久性に優れた透明導電フィルムと、この透明導
電フィルムを備えるタッチパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】指で押したり、専用ペンで描画すると、
その部分が対面電極と接触、通電して信号が入力される
抵抗膜式タッチパネルは、小型、軽量、薄型化に有利で
あることから、各種の家電や携帯端末の入力機器として
広く用いられている。
その部分が対面電極と接触、通電して信号が入力される
抵抗膜式タッチパネルは、小型、軽量、薄型化に有利で
あることから、各種の家電や携帯端末の入力機器として
広く用いられている。
【０００３】抵抗膜式タッチパネルは、図４に示す如
く、ガラス板１の上に透明導電薄膜２を形成してなる下
部電極３の上に、高分子フィルム４に透明導電薄膜５を
形成してなる上部電極６を、透明導電薄膜２，５が対面
するようにスペーサ（マイクロドットスペーサ）７を介
して積層したものであり、上部電極６の表示面を指やペ
ンで押すと、上部電極６と下部電極３とが接触して通電
し信号が入力される。なお、上部電極６の表面には、高
分子フィルム４の保護のためにハードコート層８が設け
られている。即ち、このようなタッチパネルでは、上部
電極６上のタッチ面を指やペンで擦るため、その際の耐
擦傷性が極めて重要な特性となる。従来のタッチパネル
では、上部電極６の耐擦傷性を向上させるためにタッチ
面側にハードコート層８が設けられている。
く、ガラス板１の上に透明導電薄膜２を形成してなる下
部電極３の上に、高分子フィルム４に透明導電薄膜５を
形成してなる上部電極６を、透明導電薄膜２，５が対面
するようにスペーサ（マイクロドットスペーサ）７を介
して積層したものであり、上部電極６の表示面を指やペ
ンで押すと、上部電極６と下部電極３とが接触して通電
し信号が入力される。なお、上部電極６の表面には、高
分子フィルム４の保護のためにハードコート層８が設け
られている。即ち、このようなタッチパネルでは、上部
電極６上のタッチ面を指やペンで擦るため、その際の耐
擦傷性が極めて重要な特性となる。従来のタッチパネル
では、上部電極６の耐擦傷性を向上させるためにタッチ
面側にハードコート層８が設けられている。
【０００４】なお、タッチパネル用途の透明導電フィル
ムの耐久性を向上させる目的で、特開平２−１９４９４
３号公報には、ＩＴＯ（スズインジウム酸化物）透明導
電薄膜を成膜した後、熱処理を施してＩＴＯを結晶化さ
せることが記載されているが、透明導電フィルムの基材
が高分子フィルムであるため、この熱処理温度にも限界
があり、例えば１５０℃で２４時間というような、比較
的低い温度で長い時間での熱処理が必要となり、生産
性、コストの面で問題があった。
ムの耐久性を向上させる目的で、特開平２−１９４９４
３号公報には、ＩＴＯ（スズインジウム酸化物）透明導
電薄膜を成膜した後、熱処理を施してＩＴＯを結晶化さ
せることが記載されているが、透明導電フィルムの基材
が高分子フィルムであるため、この熱処理温度にも限界
があり、例えば１５０℃で２４時間というような、比較
的低い温度で長い時間での熱処理が必要となり、生産
性、コストの面で問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このようなタッチパネ
ルでは、指やペンによる入力に伴って、上部電極６の透
明導電薄膜５と下部電極３の透明導電薄膜２とが接触と
非接触とを繰り返すこととなるが、透明導電薄膜５，２
の形成材料であるＩＴＯ等の透明導電性材料は、耐擦傷
性が低いために、透明導電薄膜２，５のうち、特にタッ
チパネルの入力時に繰り返し変形を受ける上部電極６の
透明導電薄膜５には亀裂が入り易く、また、同材質の透
明導電薄膜２，５同士の接触、非接触で透明導電薄膜５
が基材である高分子フィルム４から剥離して脱落し易い
という問題があった。
ルでは、指やペンによる入力に伴って、上部電極６の透
明導電薄膜５と下部電極３の透明導電薄膜２とが接触と
非接触とを繰り返すこととなるが、透明導電薄膜５，２
の形成材料であるＩＴＯ等の透明導電性材料は、耐擦傷
性が低いために、透明導電薄膜２，５のうち、特にタッ
チパネルの入力時に繰り返し変形を受ける上部電極６の
透明導電薄膜５には亀裂が入り易く、また、同材質の透
明導電薄膜２，５同士の接触、非接触で透明導電薄膜５
が基材である高分子フィルム４から剥離して脱落し易い
という問題があった。
【０００６】上部電極６の透明導電薄膜５が損傷した
り、剥離したりすると、透明導電薄膜５面の電気抵抗値
が変化し、また、その均一性が失われ、電気特性が損な
われることにより、正確な入力を行うことができなくな
り、このことがタッチパネルの信頼性を損ない、損傷、
欠陥、耐久性低下の原因となっていた。
り、剥離したりすると、透明導電薄膜５面の電気抵抗値
が変化し、また、その均一性が失われ、電気特性が損な
われることにより、正確な入力を行うことができなくな
り、このことがタッチパネルの信頼性を損ない、損傷、
欠陥、耐久性低下の原因となっていた。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決し、高分
子フィルム上に透明導電薄膜が形成された透明導電フィ
ルムであって、透明導電薄膜の損傷、剥離の問題がな
く、信頼性、耐久性の高いタッチパネルを提供し得る透
明導電フィルムと、この透明導電フィルムを備えるタッ
チパネルを提供することを目的とする。
子フィルム上に透明導電薄膜が形成された透明導電フィ
ルムであって、透明導電薄膜の損傷、剥離の問題がな
く、信頼性、耐久性の高いタッチパネルを提供し得る透
明導電フィルムと、この透明導電フィルムを備えるタッ
チパネルを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の透明導電フィル
ムは、高分子フィルム上に透明導電薄膜が形成されてな
る透明導電フィルムにおいて、該透明導電薄膜が酸化亜
鉛系透明導電薄膜であり、該透明導電薄膜上に、該透明
導電薄膜とは異種の材料からなる被覆層が形成されてい
ることを特徴とする。
ムは、高分子フィルム上に透明導電薄膜が形成されてな
る透明導電フィルムにおいて、該透明導電薄膜が酸化亜
鉛系透明導電薄膜であり、該透明導電薄膜上に、該透明
導電薄膜とは異種の材料からなる被覆層が形成されてい
ることを特徴とする。
【０００９】透明導電薄膜の表面を、透明導電薄膜とは
異種材料の被覆層で覆うことにより、タッチパネルの入
力時の物理的ないし化学的な応力が直接透明導電薄膜に
影響することがなくなり、透明導電薄膜の損傷、剥離が
防止される。
異種材料の被覆層で覆うことにより、タッチパネルの入
力時の物理的ないし化学的な応力が直接透明導電薄膜に
影響することがなくなり、透明導電薄膜の損傷、剥離が
防止される。
【００１０】また、被覆層を形成することによる透明導
電フィルムの強度向上で耐擦傷性を高めることもでき
る。
電フィルムの強度向上で耐擦傷性を高めることもでき
る。
【００１１】なお、本発明において、被覆層は主に透明
導電薄膜の耐久性の向上のために設けられるものである
が、被覆層の材料の屈折率や膜厚、積層構成等を適宜設
計することにより、透明導電フィルムの全光線透過率の
向上や色調の制御等を行うことも可能であり、透明導電
フィルムの特性ないし機能性をより一層高めることがで
きる。本発明に係る被覆層は、１層に限らず、２層以上
に積層形成されていても良い。
導電薄膜の耐久性の向上のために設けられるものである
が、被覆層の材料の屈折率や膜厚、積層構成等を適宜設
計することにより、透明導電フィルムの全光線透過率の
向上や色調の制御等を行うことも可能であり、透明導電
フィルムの特性ないし機能性をより一層高めることがで
きる。本発明に係る被覆層は、１層に限らず、２層以上
に積層形成されていても良い。
【００１２】本発明において、被覆層としては、酸化
物、窒化物、炭化物、カーボン及びこれらの複合材料
（例えば酸窒化物等）よりなる群から選ばれる１種又は
２種以上を主成分とするもの、より具体的にはＣ、ＣＮ
ｘ、ＢＮｘ、ＢｘＣ及びＳｉＣｘよりなる群から選ばれ
る１種又は２種以上を主成分とするものが好ましい。ま
た、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｍｇ及びＴａより
なる群から選ばれる１種又は２種以上の材料の酸化物、
窒化物或いは酸窒化物、より具体的には、ＳｉＯｘ、Ｔ
ｉＯｘ、ＳｎＯｘ、ＮｂＯｘ、ＩｎＯｘ、ＭｇＦｘ及び
ＴａＯｘよりなる群から選ばれる１種又は２種以上で形
成される透明薄膜であっても良い。
物、窒化物、炭化物、カーボン及びこれらの複合材料
（例えば酸窒化物等）よりなる群から選ばれる１種又は
２種以上を主成分とするもの、より具体的にはＣ、ＣＮ
ｘ、ＢＮｘ、ＢｘＣ及びＳｉＣｘよりなる群から選ばれ
る１種又は２種以上を主成分とするものが好ましい。ま
た、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｍｇ及びＴａより
なる群から選ばれる１種又は２種以上の材料の酸化物、
窒化物或いは酸窒化物、より具体的には、ＳｉＯｘ、Ｔ
ｉＯｘ、ＳｎＯｘ、ＮｂＯｘ、ＩｎＯｘ、ＭｇＦｘ及び
ＴａＯｘよりなる群から選ばれる１種又は２種以上で形
成される透明薄膜であっても良い。
【００１３】このような被覆層の膜厚は０．５〜１００
ｎｍであることが好ましい。
ｎｍであることが好ましい。
【００１４】本発明に係る被覆層は、好ましくは、真空
蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、レーザ
ーアブレーション等の物理蒸着法、又はＣＶＤ等の化学
蒸着法で形成され、特に、ＳｉＣをターゲットとするス
パッタリングにより形成されたＳｉＣｘ、ＳｉＣ
ｘＯｙ、ＳｉＣｘＮｚ、又はＳｉＣｘＯｙＮｚよりなる
薄膜であることが好ましい。この場合、ＳｉＣターゲッ
トとしては、密度２．９ｇ／ｃｍ３以上のものが好まし
く、とりわけ、炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との
混合物を焼結させることにより得られたＳｉＣターゲッ
トを用いることが好ましい。
蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、レーザ
ーアブレーション等の物理蒸着法、又はＣＶＤ等の化学
蒸着法で形成され、特に、ＳｉＣをターゲットとするス
パッタリングにより形成されたＳｉＣｘ、ＳｉＣ
ｘＯｙ、ＳｉＣｘＮｚ、又はＳｉＣｘＯｙＮｚよりなる
薄膜であることが好ましい。この場合、ＳｉＣターゲッ
トとしては、密度２．９ｇ／ｃｍ３以上のものが好まし
く、とりわけ、炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との
混合物を焼結させることにより得られたＳｉＣターゲッ
トを用いることが好ましい。
【００１５】本発明において、被覆層はまた、被覆層材
料をそのまま、或いはアルコール、ケトン、トルエン、
ヘキサン等の溶剤に溶解した液状物を透明導電薄膜上に
塗布することにより形成されていても良い。
料をそのまま、或いはアルコール、ケトン、トルエン、
ヘキサン等の溶剤に溶解した液状物を透明導電薄膜上に
塗布することにより形成されていても良い。
【００１６】本発明の透明導電フィルムは、被覆層側の
表面抵抗値が３００〜２０００Ω／Ｓｑであり、リニア
リティ値が１．５％以下であることが好ましい。
表面抵抗値が３００〜２０００Ω／Ｓｑであり、リニア
リティ値が１．５％以下であることが好ましい。
【００１７】リニアリティ値は、透明導電フィルムの抵
抗値の均一性を表す指標であり、リニアリティ値は次の
ようにして求めることができる。
抗値の均一性を表す指標であり、リニアリティ値は次の
ようにして求めることができる。
【００１８】透明導電フィルムの対向する２辺に銀ペー
スト等で電極を設け、両電極間に直流電圧を印加する。
このときの両電極間の距離をＬ、印加電圧をＶとする。
次に、透明導電フィルム上の任意の点について、マイナ
ス電極からの距離ｌとその点におけるマイナス電極との
電位差ｖを測定する。
スト等で電極を設け、両電極間に直流電圧を印加する。
このときの両電極間の距離をＬ、印加電圧をＶとする。
次に、透明導電フィルム上の任意の点について、マイナ
ス電極からの距離ｌとその点におけるマイナス電極との
電位差ｖを測定する。
【００１９】リニアリティ値は下記式で算出され、小さ
いほど抵抗値の均一性が良好であり、０％であれば抵抗
値は完全に均一である。一般に、抵抗膜式のアナログタ
ッチパネルでは、このリニアリティ値が１．５％以下で
あることが好ましい。 リニアリティ（％）＝｜ｌ／Ｌ−ｖ／Ｖ｜×１００
いほど抵抗値の均一性が良好であり、０％であれば抵抗
値は完全に均一である。一般に、抵抗膜式のアナログタ
ッチパネルでは、このリニアリティ値が１．５％以下で
あることが好ましい。 リニアリティ（％）＝｜ｌ／Ｌ−ｖ／Ｖ｜×１００
【００２０】なお、本発明に係る酸化亜鉛系透明導電薄
膜としては、ドーピングした酸化亜鉛、例えばアルミニ
ウムをドープした酸化亜鉛が挙げられる。
膜としては、ドーピングした酸化亜鉛、例えばアルミニ
ウムをドープした酸化亜鉛が挙げられる。
【００２１】本発明のタッチパネルは、このような本発
明の透明導電フィルムを備えるものである。
明の透明導電フィルムを備えるものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００２３】図１，２は本発明の透明導電フィルムを上
部電極として用いたタッチパネルの実施の形態を示す断
面図であり、図３は本発明の透明導電フィルムを上部電
極及び下部電極として用いたタッチパネルの実施の形態
を示す断面図である。図１〜３において、図４に示す部
材と同一機能を奏する部材には同一符号を付してある。
部電極として用いたタッチパネルの実施の形態を示す断
面図であり、図３は本発明の透明導電フィルムを上部電
極及び下部電極として用いたタッチパネルの実施の形態
を示す断面図である。図１〜３において、図４に示す部
材と同一機能を奏する部材には同一符号を付してある。
【００２４】本発明の透明導電フィルムは、高分子フィ
ルム４，４Ａ上に形成した透明導電薄膜５，５Ａの上
に、被覆層（保護層）９，９Ａを形成したものである。
ルム４，４Ａ上に形成した透明導電薄膜５，５Ａの上
に、被覆層（保護層）９，９Ａを形成したものである。
【００２５】本発明の透明導電フィルムにおいて、基材
となる高分子フィルムの樹脂材料としては、ポリエステ
ル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチ
レンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭ
ＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリス
チレン、トリアセテート（ＴＡＣ）、ポリビニルアルコ
ール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチ
レン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチ
ラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合
体、ポリウレタン、セロファン等が挙げられるが、特に
強度面でＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＴＡＣ、とりわけＰ
ＥＴ、ＴＡＣが好ましい。
となる高分子フィルムの樹脂材料としては、ポリエステ
ル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチ
レンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭ
ＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリス
チレン、トリアセテート（ＴＡＣ）、ポリビニルアルコ
ール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチ
レン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチ
ラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合
体、ポリウレタン、セロファン等が挙げられるが、特に
強度面でＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＴＡＣ、とりわけＰ
ＥＴ、ＴＡＣが好ましい。
【００２６】このような高分子フィルムの厚さは、透明
導電フィルムの用途等によっても異なるが、タッチパネ
ルの上部電極としての用途には、通常の場合１３μｍ〜
０．５ｍｍ程度とされる。この高分子フィルムの厚さが
１３μｍ未満では、上部電極としての十分な耐久性を得
ることができず、０．５ｍｍを超えると得られるタッチ
パネルの厚肉化を招き、また、上部電極としての柔軟性
も損なわれ、好ましくない。
導電フィルムの用途等によっても異なるが、タッチパネ
ルの上部電極としての用途には、通常の場合１３μｍ〜
０．５ｍｍ程度とされる。この高分子フィルムの厚さが
１３μｍ未満では、上部電極としての十分な耐久性を得
ることができず、０．５ｍｍを超えると得られるタッチ
パネルの厚肉化を招き、また、上部電極としての柔軟性
も損なわれ、好ましくない。
【００２７】なお、透明導電フィルムをタッチパネルの
下部電極として用いる場合、高分子フィルムの厚さは、
上記範囲よりも厚く、０．５〜２ｍｍ程度とすることも
できるが、後述の如く、プラスチック板等の基板に貼り
合わせることにより、上部電極として用いる場合と同等
の厚さを採用することもできる。
下部電極として用いる場合、高分子フィルムの厚さは、
上記範囲よりも厚く、０．５〜２ｍｍ程度とすることも
できるが、後述の如く、プラスチック板等の基板に貼り
合わせることにより、上部電極として用いる場合と同等
の厚さを採用することもできる。
【００２８】高分子フィルム４，４Ａ上に形成する透明
導電薄膜５，５Ａは、酸化亜鉛系透明導電薄膜（ドーピ
ングを含む）であり、ＺｎＯ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂ、Ａｌを
ドープしたＺｎＯ等、好ましくはＡｌをドープしたＺｎ
Ｏが挙げられる。この透明導電薄膜５の膜厚が薄過ぎる
と十分な導電性を得ることができず、過度に厚くても導
電性には差異はなく、成膜コストが高くつく上に透明導
電フィルムの厚みが厚くなって好ましくない。このた
め、透明導電薄膜５の膜厚は１〜５００ｎｍ、特に５〜
２００ｎｍであることが好ましい。
導電薄膜５，５Ａは、酸化亜鉛系透明導電薄膜（ドーピ
ングを含む）であり、ＺｎＯ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂ、Ａｌを
ドープしたＺｎＯ等、好ましくはＡｌをドープしたＺｎ
Ｏが挙げられる。この透明導電薄膜５の膜厚が薄過ぎる
と十分な導電性を得ることができず、過度に厚くても導
電性には差異はなく、成膜コストが高くつく上に透明導
電フィルムの厚みが厚くなって好ましくない。このた
め、透明導電薄膜５の膜厚は１〜５００ｎｍ、特に５〜
２００ｎｍであることが好ましい。
【００２９】本発明において、透明導電薄膜５，５Ａ上
に形成する被覆層９，９Ａとしては、透明導電薄膜５，
５Ａの導電性を損なうことのない材料であり、かつ、透
明導電フィルムに必要とされる透明性を維持できるもの
が挙げられる。
に形成する被覆層９，９Ａとしては、透明導電薄膜５，
５Ａの導電性を損なうことのない材料であり、かつ、透
明導電フィルムに必要とされる透明性を維持できるもの
が挙げられる。
【００３０】被覆層材料としては、酸化物、窒化物、炭
化物、カーボン及びこれらの複合材料（例えば酸窒化物
等）よりなる群から選ばれる１種又は２種以上を主成分
とするもの、より具体的にはＣ（カーボン）、ＣＮ
ｘ（ｘ≦１．４）、ＢＮｘ（ｘ≦１．１）、ＢｘＣ（ｘ
＝１×１０６〜２）、ＳｉＣ等が挙げられ、これらの１
種又は２種以上を主成分とするものが用いられる。
化物、カーボン及びこれらの複合材料（例えば酸窒化物
等）よりなる群から選ばれる１種又は２種以上を主成分
とするもの、より具体的にはＣ（カーボン）、ＣＮ
ｘ（ｘ≦１．４）、ＢＮｘ（ｘ≦１．１）、ＢｘＣ（ｘ
＝１×１０６〜２）、ＳｉＣ等が挙げられ、これらの１
種又は２種以上を主成分とするものが用いられる。
【００３１】また、導電性の低い材料や絶縁性の材料で
あっても、透明導電薄膜の膜面に垂直方向の導電性に影
響を及ぼすことのない極く薄い膜厚の被覆層を形成すれ
ば良く、このような被覆層材料としては、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｓｎ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｍｇ及びＴａよりなる群から選ばれ
る１種又は２種以上の材料の酸化物、窒化物或いは酸窒
化物、より具体的には、ＳｉＯｘ（ｘ＝１．６〜２．
０）、ＴｉＯｘ（ｘ＝１．６〜２．０）、ＳｎＯｘ（ｘ
＝１．６〜２．０）、ＮｂＯｘ（ｘ＝１．０〜２．
５）、ＩｎＯｘ（ｘ＝１．０〜１．５）、ＭｇＦｘ（ｘ
＝０．７〜１．０）、ＴａＯｘ（ｘ＝１．０〜２．５）
等が挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いること
ができる。この透明材料は、上記導電性保護材料の１種
又は２種以上とを併用しても良い。
あっても、透明導電薄膜の膜面に垂直方向の導電性に影
響を及ぼすことのない極く薄い膜厚の被覆層を形成すれ
ば良く、このような被覆層材料としては、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｓｎ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｍｇ及びＴａよりなる群から選ばれ
る１種又は２種以上の材料の酸化物、窒化物或いは酸窒
化物、より具体的には、ＳｉＯｘ（ｘ＝１．６〜２．
０）、ＴｉＯｘ（ｘ＝１．６〜２．０）、ＳｎＯｘ（ｘ
＝１．６〜２．０）、ＮｂＯｘ（ｘ＝１．０〜２．
５）、ＩｎＯｘ（ｘ＝１．０〜１．５）、ＭｇＦｘ（ｘ
＝０．７〜１．０）、ＴａＯｘ（ｘ＝１．０〜２．５）
等が挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いること
ができる。この透明材料は、上記導電性保護材料の１種
又は２種以上とを併用しても良い。
【００３２】被覆層９，９Ａの膜厚は、用いた材料、透
明導電フィルムに要求される光透過率、必要とされる耐
久性等に応じて適宜決定されるが、被覆層９の膜厚が過
度に薄いと被覆層を形成したことによる透明導電薄膜の
保護効果を十分に得ることができず、逆に過度に厚いと
透明性が低下したり、特に絶縁性の材料を用いた場合に
は、透明導電薄膜の導電性が低下したりする上に、透明
導電フィルム自体の厚さも厚くなり、好ましくない。従
って、被覆層９，９Ａの膜厚は０．５〜１００ｎｍ、特
に０．５〜５０ｎｍとするのが好ましい。
明導電フィルムに要求される光透過率、必要とされる耐
久性等に応じて適宜決定されるが、被覆層９の膜厚が過
度に薄いと被覆層を形成したことによる透明導電薄膜の
保護効果を十分に得ることができず、逆に過度に厚いと
透明性が低下したり、特に絶縁性の材料を用いた場合に
は、透明導電薄膜の導電性が低下したりする上に、透明
導電フィルム自体の厚さも厚くなり、好ましくない。従
って、被覆層９，９Ａの膜厚は０．５〜１００ｎｍ、特
に０．５〜５０ｎｍとするのが好ましい。
【００３３】なお、透明導電フィルムの光透過率につい
ては、通常、発光の弱いＰＤＰや液晶に用いられる透明
導電フィルムにあっては、光透過率８０％以上であるこ
とが望まれるため、このような光透過率を維持できる範
囲で被覆層の膜厚が決定される。ただし、発光の強いブ
ラウン管等の用途では、輝度調整が必要となる場合もあ
り、このような場合には、透明導電フィルムの光透過率
は８０％以下であっても良い。
ては、通常、発光の弱いＰＤＰや液晶に用いられる透明
導電フィルムにあっては、光透過率８０％以上であるこ
とが望まれるため、このような光透過率を維持できる範
囲で被覆層の膜厚が決定される。ただし、発光の強いブ
ラウン管等の用途では、輝度調整が必要となる場合もあ
り、このような場合には、透明導電フィルムの光透過率
は８０％以下であっても良い。
【００３４】また、導電性については、透明導電フィル
ムをタッチパネルとして用いる場合、被覆層９，９Ａを
形成した後の被覆層９，９Ａ側の表面抵抗値が３００〜
２０００Ω／Ｓｑ、特に４００〜１０００Ω／Ｓｑであ
ることが望まれる。
ムをタッチパネルとして用いる場合、被覆層９，９Ａを
形成した後の被覆層９，９Ａ側の表面抵抗値が３００〜
２０００Ω／Ｓｑ、特に４００〜１０００Ω／Ｓｑであ
ることが望まれる。
【００３５】なお、本発明においては、被覆層９，９Ａ
を形成することにより透明導電薄膜の耐久性を高め、長
期使用後もリニアリティ値が１．５％以下を維持するよ
うな高い耐久性を得ることが望まれる。
を形成することにより透明導電薄膜の耐久性を高め、長
期使用後もリニアリティ値が１．５％以下を維持するよ
うな高い耐久性を得ることが望まれる。
【００３６】従って、本発明においては、上記表面抵抗
値、リニアリティ値及び光透過率を得ることができるよ
うに、被覆層の材料膜厚、層構成を適宜設計する。
値、リニアリティ値及び光透過率を得ることができるよ
うに、被覆層の材料膜厚、層構成を適宜設計する。
【００３７】このような被覆層は、真空蒸着、スパッタ
リング、イオンプレーティング、レーザーアブレーショ
ン等の物理蒸着法、又はＣＶＤ等の化学蒸着法、特に好
ましくはスパッタリング法で成膜するのが、得られる被
覆層の緻密性、透明導電薄膜に対する接着性に優れ、成
膜時のコンタミが少なく、また高速での成膜が可能で、
しかも透明導電薄膜の成膜後同一の装置内で連続的に被
覆層の成膜を行うことができ、成膜効率にも優れる点で
望ましい。
リング、イオンプレーティング、レーザーアブレーショ
ン等の物理蒸着法、又はＣＶＤ等の化学蒸着法、特に好
ましくはスパッタリング法で成膜するのが、得られる被
覆層の緻密性、透明導電薄膜に対する接着性に優れ、成
膜時のコンタミが少なく、また高速での成膜が可能で、
しかも透明導電薄膜の成膜後同一の装置内で連続的に被
覆層の成膜を行うことができ、成膜効率にも優れる点で
望ましい。
【００３８】スパッタリング法によりＣ又はＣＮｘ被覆
層を形成する場合、ターゲットとしては高純度カーボン
（グラファイト）を用い、雰囲気ガスや反応性ガスの種
類及び流量を調整することにより、所望の組成の被覆層
を形成することができる。
層を形成する場合、ターゲットとしては高純度カーボン
（グラファイト）を用い、雰囲気ガスや反応性ガスの種
類及び流量を調整することにより、所望の組成の被覆層
を形成することができる。
【００３９】ＳｉＣターゲットを用い、雰囲気ガスや反
応性ガスの種類及び流量を調整することにより成膜した
ＳｉＣｘ（ｘ＝１×１０−６〜１０）、ＳｉＣｘＯ
ｙ（ｘ＝１×１０−６〜１０、ｙ＝１×１０−６〜
５）、ＳｉＣｘＮｚ（ｘ＝１×１０− ６〜１０、ｚ＝１
×１０−６〜５）、ＳｉＣｘＯｙＮｚ（ｘ＝１×１０
−６〜１０、ｙ＝１×１０−６〜５、ｚ＝１×１０−６
〜５）は、被覆層として特に好適である。
応性ガスの種類及び流量を調整することにより成膜した
ＳｉＣｘ（ｘ＝１×１０−６〜１０）、ＳｉＣｘＯ
ｙ（ｘ＝１×１０−６〜１０、ｙ＝１×１０−６〜
５）、ＳｉＣｘＮｚ（ｘ＝１×１０− ６〜１０、ｚ＝１
×１０−６〜５）、ＳｉＣｘＯｙＮｚ（ｘ＝１×１０
−６〜１０、ｙ＝１×１０−６〜５、ｚ＝１×１０−６
〜５）は、被覆層として特に好適である。
【００４０】このＳｉＣターゲットとしては、ＳｉＣ粉
末をコールタールピッチ、フェノール樹脂、フラン樹
脂、エポキシ樹脂、グルコース、蔗糖、セルロース、デ
ンプン等の非金属系焼結助剤で焼結して得られる、密度
２．９ｇ／ｃｍ３以上のＳｉＣターゲットが好ましい。
即ち、成膜速度を向上するために、スパッタリング成膜
時に高入力化すると、グロー放電がアーク放電となり、
高分子フィルム上に形成された透明導電薄膜の傷付きの
原因となるが、このような高密度かつ均一なＳｉＣター
ゲットであれば、スパッタリング成膜時に高入力で安定
放電を行うことができ、成膜速度を高めることができ
る。
末をコールタールピッチ、フェノール樹脂、フラン樹
脂、エポキシ樹脂、グルコース、蔗糖、セルロース、デ
ンプン等の非金属系焼結助剤で焼結して得られる、密度
２．９ｇ／ｃｍ３以上のＳｉＣターゲットが好ましい。
即ち、成膜速度を向上するために、スパッタリング成膜
時に高入力化すると、グロー放電がアーク放電となり、
高分子フィルム上に形成された透明導電薄膜の傷付きの
原因となるが、このような高密度かつ均一なＳｉＣター
ゲットであれば、スパッタリング成膜時に高入力で安定
放電を行うことができ、成膜速度を高めることができ
る。
【００４１】このようなＳｉＣターゲットは、ＳｉＣ粉
末に上述の非金属系焼結助剤を３〜３０重量％程度均一
に混合し、混合物を１７００〜２２００℃程度で焼結さ
せることにより製造することができる。このようなＳｉ
Ｃターゲットの密度は通常２．９ｇ／ｃｍ３以上であ
り、このような理論密度に近いＳｉＣターゲットであれ
ば、スパッタリング成膜時にガス発生の問題がなく、安
定なスパッタリング成膜を行える。
末に上述の非金属系焼結助剤を３〜３０重量％程度均一
に混合し、混合物を１７００〜２２００℃程度で焼結さ
せることにより製造することができる。このようなＳｉ
Ｃターゲットの密度は通常２．９ｇ／ｃｍ３以上であ
り、このような理論密度に近いＳｉＣターゲットであれ
ば、スパッタリング成膜時にガス発生の問題がなく、安
定なスパッタリング成膜を行える。
【００４２】被覆層成膜時のスパッタリング条件には特
に制限はなく、真空度０．０５〜１Ｐａ、投入電力密度
２〜５００ｋＷ／ｍ２程度で実施することができ、この
スパッタリング成膜時の反応性ガス流量及び成膜時間を
調整することにより、所望の組成、所望の膜厚の被覆層
を形成することができる。
に制限はなく、真空度０．０５〜１Ｐａ、投入電力密度
２〜５００ｋＷ／ｍ２程度で実施することができ、この
スパッタリング成膜時の反応性ガス流量及び成膜時間を
調整することにより、所望の組成、所望の膜厚の被覆層
を形成することができる。
【００４３】なお、透明導電薄膜は、常法に従って成膜
することができるが、一般的には、被覆層と同様にスパ
ッタリング法で成膜するのが好ましく、この場合には、
ターゲットのみを変えて、同一のスパッタリング装置内
で透明導電薄膜及び被覆層を順次連続的にスパッタリン
グ成膜することができる。
することができるが、一般的には、被覆層と同様にスパ
ッタリング法で成膜するのが好ましく、この場合には、
ターゲットのみを変えて、同一のスパッタリング装置内
で透明導電薄膜及び被覆層を順次連続的にスパッタリン
グ成膜することができる。
【００４４】なお、被覆層はまた、被覆層材料をそのま
ま、或いはアルコール、ケトン、トルエン、ヘキサン等
の溶剤に溶解した液状物を透明導電薄膜上に塗布するこ
とにより形成されていても良い。
ま、或いはアルコール、ケトン、トルエン、ヘキサン等
の溶剤に溶解した液状物を透明導電薄膜上に塗布するこ
とにより形成されていても良い。
【００４５】本発明の透明導電フィルムは、図１〜３に
示す如く、高分子フィルム４の透明導電薄膜５を成膜す
る面とは反対側の面にハードコート層８を形成しても良
い。このハードコート層８としては、アクリル層、エポ
キシ層、ウレタン層、シリコン層等が挙げられ、通常そ
の厚さは１〜５０μｍ程度である。
示す如く、高分子フィルム４の透明導電薄膜５を成膜す
る面とは反対側の面にハードコート層８を形成しても良
い。このハードコート層８としては、アクリル層、エポ
キシ層、ウレタン層、シリコン層等が挙げられ、通常そ
の厚さは１〜５０μｍ程度である。
【００４６】また、透明導電薄膜は高分子フィルムに直
接成膜しても良いが、図２，３に示す如く、高分子フィ
ルム４，４Ａと透明導電薄膜５，５Ａとの間に下地層１
０，１０Ａを介在させても良く、このような下地層１
０，１０Ａを形成することにより、高分子フィルム４，
４Ａに対する透明導電薄膜５，５Ａの密着性を高め、繰
り返し変形による透明導電薄膜５，５Ａの剥離を防止す
ることができる。即ち、高分子フィルム４，４Ａに下地
層１０，１０Ａを形成することにより、成膜時に高分子
フィルム４，４Ａからガスが発生することを防止して、
高分子フィルム４，４Ａに対して透明導電薄膜５，５Ａ
を密着性良く形成することができるようになる。また、
下地層１０，１０Ａが高分子フィルム４，４Ａと透明導
電薄膜５，５Ａとの中間層として両者の密着性を高め
る。更に、下地層１０，１０Ａを形成することによる透
明導電フィルムの強度向上で耐擦傷性を高めることもで
きる。
接成膜しても良いが、図２，３に示す如く、高分子フィ
ルム４，４Ａと透明導電薄膜５，５Ａとの間に下地層１
０，１０Ａを介在させても良く、このような下地層１
０，１０Ａを形成することにより、高分子フィルム４，
４Ａに対する透明導電薄膜５，５Ａの密着性を高め、繰
り返し変形による透明導電薄膜５，５Ａの剥離を防止す
ることができる。即ち、高分子フィルム４，４Ａに下地
層１０，１０Ａを形成することにより、成膜時に高分子
フィルム４，４Ａからガスが発生することを防止して、
高分子フィルム４，４Ａに対して透明導電薄膜５，５Ａ
を密着性良く形成することができるようになる。また、
下地層１０，１０Ａが高分子フィルム４，４Ａと透明導
電薄膜５，５Ａとの中間層として両者の密着性を高め
る。更に、下地層１０，１０Ａを形成することによる透
明導電フィルムの強度向上で耐擦傷性を高めることもで
きる。
【００４７】この場合、下地層１０，１０Ａの形成材料
としては、アクリル系、ウレタン系、エポキシ系などの
樹脂層や、有機珪素化合物の加水分解物等が挙げられ
る。
としては、アクリル系、ウレタン系、エポキシ系などの
樹脂層や、有機珪素化合物の加水分解物等が挙げられ
る。
【００４８】また、高分子フィルム４，４Ａに下地層１
０，１０Ａや透明導電薄膜５，５Ａを成膜するに先立
ち、形成される薄膜の接着強度を高めるために、高分子
フィルム４，４Ａの表面に常法に従ってプラズマ処理、
コロナ処理や溶剤洗浄等の処理を施しても良い。
０，１０Ａや透明導電薄膜５，５Ａを成膜するに先立
ち、形成される薄膜の接着強度を高めるために、高分子
フィルム４，４Ａの表面に常法に従ってプラズマ処理、
コロナ処理や溶剤洗浄等の処理を施しても良い。
【００４９】また、透明導電フィルムの光学特性の向上
を目的として、透明導電薄膜５の下地層１０を低屈折率
膜と高屈折率膜の２層膜、或いはこれらの交互積層膜と
したり、ハードコート層８の表面をアンチグレア加工し
たり、ＡＲ処理したりしても良い。
を目的として、透明導電薄膜５の下地層１０を低屈折率
膜と高屈折率膜の２層膜、或いはこれらの交互積層膜と
したり、ハードコート層８の表面をアンチグレア加工し
たり、ＡＲ処理したりしても良い。
【００５０】図１に示すタッチパネルは、上部電極６Ａ
として、高分子フィルム４の一方の面に透明導電薄膜５
と被覆層９とを積層し、他方の面にハードコート層８を
形成した本発明の透明導電フィルムを用いたものであ
り、信号入力による上部電極６Ａの透明導電薄膜５の損
傷、剥離が防止され、電気特性の耐久性、信頼性に優れ
る。
として、高分子フィルム４の一方の面に透明導電薄膜５
と被覆層９とを積層し、他方の面にハードコート層８を
形成した本発明の透明導電フィルムを用いたものであ
り、信号入力による上部電極６Ａの透明導電薄膜５の損
傷、剥離が防止され、電気特性の耐久性、信頼性に優れ
る。
【００５１】図２に示すタッチパネルは、上部電極６Ｂ
として、高分子フィルム４の一方の面に下地層１０、透
明導電薄膜５及び被覆層９を積層し、他方の面にハード
コート層８を形成した本発明の透明導電フィルムを用い
たものであり、図１のタッチパネルに比べて、更に透明
導電薄膜５の密着性が良好であり、より一層耐久性、信
頼性に優れる。
として、高分子フィルム４の一方の面に下地層１０、透
明導電薄膜５及び被覆層９を積層し、他方の面にハード
コート層８を形成した本発明の透明導電フィルムを用い
たものであり、図１のタッチパネルに比べて、更に透明
導電薄膜５の密着性が良好であり、より一層耐久性、信
頼性に優れる。
【００５２】図３に示すタッチパネルは、図２におい
て、更に下部電極としても本発明の透明導電フィルムを
用いたものである。このタッチパネルの下部電極３Ａ
は、高分子フィルム４Ａ上に下地層１０Ａを介して透明
導電薄膜５Ａを形成し、この透明導電薄膜５Ａの上に被
覆層９Ａを形成してなる本発明の透明導電フィルムの被
覆層９Ａ上に、マイクロドットスペーサ７を形成し、粘
着剤１１により、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂
等のプラスチック板１２に貼り合わせたものであり、こ
のタッチパネルであれば、上部電極６Ｂ及び下部電極３
Ａの透明導電薄膜５，５Ａが共に被覆層９，９Ａで保護
されると共に下地層１０，１０Ａで密着性が高められ、
耐久性、信頼性が著しく高いものとなる。
て、更に下部電極としても本発明の透明導電フィルムを
用いたものである。このタッチパネルの下部電極３Ａ
は、高分子フィルム４Ａ上に下地層１０Ａを介して透明
導電薄膜５Ａを形成し、この透明導電薄膜５Ａの上に被
覆層９Ａを形成してなる本発明の透明導電フィルムの被
覆層９Ａ上に、マイクロドットスペーサ７を形成し、粘
着剤１１により、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂
等のプラスチック板１２に貼り合わせたものであり、こ
のタッチパネルであれば、上部電極６Ｂ及び下部電極３
Ａの透明導電薄膜５，５Ａが共に被覆層９，９Ａで保護
されると共に下地層１０，１０Ａで密着性が高められ、
耐久性、信頼性が著しく高いものとなる。
【００５３】なお、本発明の透明導電フィルムは、タッ
チパネルの上部電極又は下部電極としての用途の他、透
明スイッチングデバイス、その他の各種の光学系透明導
電フィルム用途に有効に使用することができる。
チパネルの上部電極又は下部電極としての用途の他、透
明スイッチングデバイス、その他の各種の光学系透明導
電フィルム用途に有効に使用することができる。
【００５４】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００５５】実施例１
基材として厚み１８８μｍのＰＥＴフィルムを用い、ま
ず片面に湿式塗工によりＪＳＲ製アクリル系光硬化型ハ
ードコート剤（Ｚ７５０１：固形分濃度３５重量％、溶
剤ＭＥＫ）を用いて厚み５μｍのハードコート層を形成
した。
ず片面に湿式塗工によりＪＳＲ製アクリル系光硬化型ハ
ードコート剤（Ｚ７５０１：固形分濃度３５重量％、溶
剤ＭＥＫ）を用いて厚み５μｍのハードコート層を形成
した。
【００５６】このフィルムを、マグネトロンＲＦスパッ
タリング装置に、透明導電薄膜のターゲットとしてのＡ
ｌ２Ｏ３を２重量％含んだ純度９９．９９％のＺｎＯ−
Ａｌ焼結体ターゲットと、純度９９％のグラファイトタ
ーゲットと共にセットした。
タリング装置に、透明導電薄膜のターゲットとしてのＡ
ｌ２Ｏ３を２重量％含んだ純度９９．９９％のＺｎＯ−
Ａｌ焼結体ターゲットと、純度９９％のグラファイトタ
ーゲットと共にセットした。
【００５７】まず、装置内をターボ分子ポンプで１×１
０−４Ｐａまで排気した後、Ａｒガスを２００ｓｃｃｍ
の流量で導入して０．３Ｐａの雰囲気圧力となるように
調整した。その後、ＺｎＯ−Ａｌ焼結体ターゲットにＲ
Ｆ電圧を印加して、ＰＥＴフィルムのハードコート層形
成面と反対側の面に表面抵抗値が約５００Ω／Ｓｑとな
るように約８０ｎｍ厚さのＡｌドープＺｎＯ薄膜を成膜
した。その後、チャンバー内をＡｒガスに置換した後、
雰囲気圧力０．５Ｐａに調整し、グラファイトターゲッ
トにＤＣパルス電圧を印加して、ＡｌドープＺｎＯ薄膜
上に被覆層として約３ｎｍ厚さのカーボン薄膜を成膜し
た。
０−４Ｐａまで排気した後、Ａｒガスを２００ｓｃｃｍ
の流量で導入して０．３Ｐａの雰囲気圧力となるように
調整した。その後、ＺｎＯ−Ａｌ焼結体ターゲットにＲ
Ｆ電圧を印加して、ＰＥＴフィルムのハードコート層形
成面と反対側の面に表面抵抗値が約５００Ω／Ｓｑとな
るように約８０ｎｍ厚さのＡｌドープＺｎＯ薄膜を成膜
した。その後、チャンバー内をＡｒガスに置換した後、
雰囲気圧力０．５Ｐａに調整し、グラファイトターゲッ
トにＤＣパルス電圧を印加して、ＡｌドープＺｎＯ薄膜
上に被覆層として約３ｎｍ厚さのカーボン薄膜を成膜し
た。
【００５８】なお、スパッタリング装置のＤＣ投入電力
は２ｋＷとした。
は２ｋＷとした。
【００５９】得られた透明導電フィルムについて、表面
抵抗測定装置（三菱化学（株）製「ロレスタＡＰ」）に
より被覆層側の表面抵抗値を測定すると共に、下記方法
で摺動筆記試験を行い、結果を表１に示した。
抵抗測定装置（三菱化学（株）製「ロレスタＡＰ」）に
より被覆層側の表面抵抗値を測定すると共に、下記方法
で摺動筆記試験を行い、結果を表１に示した。
【００６０】＜摺動筆記試験＞透明導電フィルムの透明
導電薄膜（被覆層）面側をマイクロドットスペーサ付の
ＩＴＯガラス基板と対向させてこれらを張り合わせ、透
明導電フィルムのハードコート層形成面をポリアセター
ル樹脂製の入力ペン（先端部０．８Ｒ）を用い、２５０
ｇｆの荷重をかけて往復摺動筆記試験を行った。試験
後、リニアリティ値の測定を行い、リニアリティ値が
１．５％以下のものを良好、１．５％を超えるものを不
良とした。また、外観を観察した。
導電薄膜（被覆層）面側をマイクロドットスペーサ付の
ＩＴＯガラス基板と対向させてこれらを張り合わせ、透
明導電フィルムのハードコート層形成面をポリアセター
ル樹脂製の入力ペン（先端部０．８Ｒ）を用い、２５０
ｇｆの荷重をかけて往復摺動筆記試験を行った。試験
後、リニアリティ値の測定を行い、リニアリティ値が
１．５％以下のものを良好、１．５％を超えるものを不
良とした。また、外観を観察した。
【００６１】実施例２
実施例１において、グラファイトターゲットの代りにＳ
ｉＣターゲットを用い、被覆層として約３ｎｍ厚さのＳ
ｉＣ薄膜を成膜したこと以外は同様にして透明導電フィ
ルムを作製した。
ｉＣターゲットを用い、被覆層として約３ｎｍ厚さのＳ
ｉＣ薄膜を成膜したこと以外は同様にして透明導電フィ
ルムを作製した。
【００６２】この透明導電フィルムについて、実施例１
と同様にして表面抵抗値を測定すると共に摺動筆記試験
を行い、結果を表１に示した。
と同様にして表面抵抗値を測定すると共に摺動筆記試験
を行い、結果を表１に示した。
【００６３】なお、用いたＳｉＣターゲットは、ＳｉＣ
粉末に焼結助剤として２０重量％のフェノール樹脂を均
一に混合したものを２１００℃で焼結して得られた密度
２．９２ｇ／ｃｍ３のものである。
粉末に焼結助剤として２０重量％のフェノール樹脂を均
一に混合したものを２１００℃で焼結して得られた密度
２．９２ｇ／ｃｍ３のものである。
【００６４】実施例３
実施例２において、ＡｌドープＺｎＯ透明導電薄膜の成
膜後、チャンバー内にＡｒガス１７０ｓｃｃｍ，Ｏ２ガ
ス３０ｓｃｃｍの混合ガスを導入し、０．５Ｐａの雰囲
気圧力となるように調整し、その後、ＳｉＣターゲット
にＤＣパルス電圧を印加することにより、被覆層として
約３ｎｍ厚さのＳｉＣｘＯｙ（ｘ＝０．０５，ｙ＝１．
９）薄膜を成膜したこと以外は同様にして透明導電フィ
ルムを作製した。
膜後、チャンバー内にＡｒガス１７０ｓｃｃｍ，Ｏ２ガ
ス３０ｓｃｃｍの混合ガスを導入し、０．５Ｐａの雰囲
気圧力となるように調整し、その後、ＳｉＣターゲット
にＤＣパルス電圧を印加することにより、被覆層として
約３ｎｍ厚さのＳｉＣｘＯｙ（ｘ＝０．０５，ｙ＝１．
９）薄膜を成膜したこと以外は同様にして透明導電フィ
ルムを作製した。
【００６５】この透明導電フィルムについて、実施例１
と同様にして表面抵抗値を測定すると共に摺動筆記試験
を行い、結果を表１に示した。
と同様にして表面抵抗値を測定すると共に摺動筆記試験
を行い、結果を表１に示した。
【００６６】比較例１
実施例１において、被覆層を成膜しなかったこと以外は
同様にして透明導電フィルムを作製した。
同様にして透明導電フィルムを作製した。
【００６７】この透明導電フィルムについて、実施例１
と同様にして表面抵抗値を測定すると共に摺動筆記試験
を行い、結果を表１に示した。
と同様にして表面抵抗値を測定すると共に摺動筆記試験
を行い、結果を表１に示した。
【００６８】
【表１】
【００６９】表１より、本発明によれば、電気特性の劣
化の問題がなく、耐久性に優れた透明導電フィルムが提
供されることがわかる。
化の問題がなく、耐久性に優れた透明導電フィルムが提
供されることがわかる。
【００７０】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、透
明導電フィルムの酸化亜鉛系透明導電薄膜の損傷、剥離
が、透明導電薄膜上の被覆層により有効に防止され、こ
のような透明導電フィルムを用いて透明導電薄膜の損
傷、剥離による電気特性の劣化の問題がなく、耐久性、
信頼性に優れたタッチパネルが提供される。
明導電フィルムの酸化亜鉛系透明導電薄膜の損傷、剥離
が、透明導電薄膜上の被覆層により有効に防止され、こ
のような透明導電フィルムを用いて透明導電薄膜の損
傷、剥離による電気特性の劣化の問題がなく、耐久性、
信頼性に優れたタッチパネルが提供される。
【図１】本発明の透明導電フィルムを備えるタッチパネ
ルの実施の形態を示す断面図である。
ルの実施の形態を示す断面図である。
【図２】本発明の透明導電フィルムを備えるタッチパネ
ルの別の実施の形態を示す断面図である。
ルの別の実施の形態を示す断面図である。
【図３】本発明の透明導電フィルムを備えるタッチパネ
ルの他の実施の形態を示す断面図である。
ルの他の実施の形態を示す断面図である。
【図４】従来のタッチパネルを示す断面図である。
１ ガラス板
２ 透明導電薄膜
３，３Ａ 下部電極
４，４Ａ 高分子フィルム
５，５Ａ 透明導電薄膜
６，６Ａ，６Ｂ 上部電極
７ スペーサ
８ ハードコート層
９，９Ａ 被覆層
１０，１０Ａ 下地層
１１ 粘着剤
１２ プラスチック板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ２３Ｃ 14/06 Ｃ２３Ｃ 14/06 Ｐ
Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｈ０１Ｂ 5/14 Ａ
Ｆターム(参考） 4F100 AA12C AA15C AA17C AA18C
AA20C AA21C AA25B AA28C
AA37C AK01A AK42A AR00B
AR00C AR00D BA03 BA04
BA07 BA10A BA10C BA10D
EH66C GB41 JG01 JG01B
JG01C JG04 JK12D JL00
JN01 JN01B JN01C YY00
4K029 AA11 AA25 BA34 BA41 BA43
BA45 BA46 BA48 BA49 BA54
BA55 BA56 BA58 BA59 BA60
BB02 BC09 BD00 CA01 CA02
CA03 CA04 CA05 CA06 DB20
DC05 EA01
5G307 FA02 FB01 FC02
Claims (14)
- 【請求項１】 高分子フィルム上に透明導電薄膜が形成
されてなる透明導電フィルムにおいて、該透明導電薄膜
が酸化亜鉛系透明導電薄膜であり、該透明導電薄膜上
に、該透明導電薄膜とは異種の材料からなる被覆層が形
成されていることを特徴とする透明導電フィルム。 - 【請求項２】 請求項１において、該被覆層が酸化物、
窒化物、炭化物、カーボン及びこれらの複合材料よりな
る群から選ばれる１種又は２種以上を主成分として構成
されることを特徴とする透明導電フィルム。 - 【請求項３】 請求項２において、該被覆層がＣ、ＣＮ
ｘ、ＢＮｘ、ＢｘＣ及びＳｉＣｘよりなる群から選ばれ
る１種又は２種以上を主成分とすることを特徴とする透
明導電フィルム。 - 【請求項４】 請求項１において、該被覆層がＳｉ、Ｔ
ｉ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｍｇ及びＴａよりなる群から選
ばれる１種又は２種以上の材料の酸化物、窒化物或いは
酸窒化物で形成される透明薄膜であることを特徴とする
透明導電フィルム。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか１項におい
て、該被覆層の膜厚が０．５〜１００ｎｍであることを
特徴とする透明導電フィルム。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか１項におい
て、該被覆層は、真空蒸着、スパッタリング、イオンプ
レーティング、レーザーアブレーション等の物理蒸着
法、又はＣＶＤ等の化学蒸着法で形成されることを特徴
とする透明導電フィルム。 - 【請求項７】 請求項１ないし５のいずれか１項におい
て、被覆層材料をそのまま、或いはアルコール、ケト
ン、トルエン、ヘキサン等の溶剤に溶解した液状物を透
明導電薄膜上に塗布することにより該被覆層が形成され
ていることを特徴とする透明導電フィルム。 - 【請求項８】 請求項６において、該被覆層はＳｉＣを
ターゲットとするスパッタリングにより形成されたＳｉ
Ｃｘ、ＳｉＣｘＯｙ、ＳｉＣｘＮｚ、又はＳｉＣｘＯｙ
Ｎｚよりなる薄膜であることを特徴とする透明導電フィ
ルム。 - 【請求項９】 請求項８において、ＳｉＣターゲットの
密度が２．９ｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする透
明導電フィルム。 - 【請求項１０】 請求項８又は９において、ＳｉＣター
ゲットが、炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との混合
物を焼結させることにより得られたものであることを特
徴とする透明導電フィルム。 - 【請求項１１】 請求項１ないし１０のいずれか１項に
おいて、該被覆層側の表面抵抗値が３００〜２０００Ω
／Ｓｑであり、リニアリティ値が１．５％以下であるこ
とを特徴とする透明導電フィルム。 - 【請求項１２】 請求項１ないし１１のいずれか１項に
おいて、該透明導電薄膜がドーピングした酸化亜鉛より
なることを特徴とする透明導電フィルム。 - 【請求項１３】 請求項１ないし１１のいずれか１項に
おいて、該透明導電薄膜がアルミニウムをドープした酸
化亜鉛よりなることを特徴とする透明導電フィルム。 - 【請求項１４】 請求項１ないし１２のいずれか１項に
記載の透明導電フィルムを備えることを特徴とするタッ
チパネル。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001223326A JP4894103B2 (ja) | 2001-07-24 | 2001-07-24 | 透明導電フィルム及びタッチパネル |
| US10/194,963 US6896981B2 (en) | 2001-07-24 | 2002-07-15 | Transparent conductive film and touch panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001223326A JP4894103B2 (ja) | 2001-07-24 | 2001-07-24 | 透明導電フィルム及びタッチパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003034860A true JP2003034860A (ja) | 2003-02-07 |
| JP4894103B2 JP4894103B2 (ja) | 2012-03-14 |
Family
ID=19056682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001223326A Expired - Fee Related JP4894103B2 (ja) | 2001-07-24 | 2001-07-24 | 透明導電フィルム及びタッチパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4894103B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009116446A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Kaneka Corp | 透明導電膜を用いたタッチパネル |
| JP2009114478A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Kaneka Corp | 透明導電膜の製造方法 |
| WO2009069695A1 (ja) | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Kaneka Corporation | 透明導電膜およびその製造方法 |
| JP2009135003A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Kaneka Corp | 透明導電膜とその製造方法 |
| JP2009158288A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 透明導電膜及び透明導電膜を用いた太陽電池 |
| JP2009527643A (ja) * | 2006-02-23 | 2009-07-30 | ピコデオン・リミテッド・オサケユキテュア | エレメント |
| JP2009173962A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Sony Corp | スパッタリング複合ターゲット及びこれを用いた透明導電膜の製造方法 |
| JP2009211888A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Kaneka Corp | 透明導電膜 |
| CN104204271A (zh) * | 2011-09-16 | 2014-12-10 | 皮科德昂有限公司 | 涂镀材料 |
| KR20160092432A (ko) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 터치 윈도우 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107649831A (zh) * | 2017-08-29 | 2018-02-02 | 西安理工大学 | 一种铝‑铜双金属材料导电头的制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63143827A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | Nec Corp | ダイオ−ドの製造方法 |
| JPH02213006A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-24 | Nitto Denko Corp | 透明導電性積層体 |
| JPH0497837A (ja) * | 1990-08-14 | 1992-03-30 | Nitto Denko Corp | 透明導電性耐透湿フイルムとｅｌ発光装置 |
| JPH11224539A (ja) * | 1998-02-03 | 1999-08-17 | Toyobo Co Ltd | 透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネル |
| JP2003109434A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-04-11 | Bridgestone Corp | 透明導電フィルム及びタッチパネル |
-
2001
- 2001-07-24 JP JP2001223326A patent/JP4894103B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63143827A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | Nec Corp | ダイオ−ドの製造方法 |
| JPH02213006A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-24 | Nitto Denko Corp | 透明導電性積層体 |
| JPH0497837A (ja) * | 1990-08-14 | 1992-03-30 | Nitto Denko Corp | 透明導電性耐透湿フイルムとｅｌ発光装置 |
| JPH11224539A (ja) * | 1998-02-03 | 1999-08-17 | Toyobo Co Ltd | 透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネル |
| JP2003109434A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-04-11 | Bridgestone Corp | 透明導電フィルム及びタッチパネル |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009527643A (ja) * | 2006-02-23 | 2009-07-30 | ピコデオン・リミテッド・オサケユキテュア | エレメント |
| JP2009116446A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Kaneka Corp | 透明導電膜を用いたタッチパネル |
| JP2009114478A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Kaneka Corp | 透明導電膜の製造方法 |
| WO2009069695A1 (ja) | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Kaneka Corporation | 透明導電膜およびその製造方法 |
| JP2009135003A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Kaneka Corp | 透明導電膜とその製造方法 |
| JP2009158288A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 透明導電膜及び透明導電膜を用いた太陽電池 |
| JP2009173962A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Sony Corp | スパッタリング複合ターゲット及びこれを用いた透明導電膜の製造方法 |
| JP2009211888A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Kaneka Corp | 透明導電膜 |
| CN104204271A (zh) * | 2011-09-16 | 2014-12-10 | 皮科德昂有限公司 | 涂镀材料 |
| KR20160092432A (ko) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 터치 윈도우 |
| KR102275889B1 (ko) * | 2015-01-27 | 2021-07-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 터치 윈도우 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4894103B2 (ja) | 2012-03-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6896981B2 (en) | Transparent conductive film and touch panel | |
| KR100788775B1 (ko) | 투명 도전성 필름 및 터치 패널 | |
| JP4086132B2 (ja) | 透明導電性フィルムおよびタッチパネル | |
| US7153544B2 (en) | Method of manufacturing transparent electro-conductive film | |
| EP1944386B1 (en) | Transparent conductive film and method for producing the same | |
| US20060003188A1 (en) | ITO thin film, method of producing the same, transparent conductive film, and touch panel | |
| JP4917897B2 (ja) | 透明導電フィルムおよびその製造方法 | |
| JP5432501B2 (ja) | 透明導電フィルム及びその製造方法 | |
| JP2003109434A (ja) | 透明導電フィルム及びタッチパネル | |
| JP4894103B2 (ja) | 透明導電フィルム及びタッチパネル | |
| JPH11110110A (ja) | タッチパネル用透明導電性フィルム | |
| JP2004149884A (ja) | Ｉｔｏ透明導電薄膜の成膜方法とｉｔｏ透明導電薄膜、透明導電性フィルム及びタッチパネル | |
| JP4068993B2 (ja) | 透明導電性積層フィルム | |
| JP2003151366A (ja) | 透明導電フィルム及びその製造方法並びにタッチパネル | |
| JP3483355B2 (ja) | 透明導電性積層体 | |
| JP4917906B2 (ja) | 透明導電フィルムおよびその製造方法 | |
| JP4929541B2 (ja) | 透明導電フィルム及びタッチパネル | |
| JP3501820B2 (ja) | 屈曲性に優れた透明導電性フィルム | |
| JP2005071901A (ja) | 透明導電性積層フィルム | |
| JPH06349338A (ja) | 透明導電性積層体 | |
| JP2004193008A (ja) | 透明導電薄膜の成膜方法と透明導電薄膜、透明導電性フィルム及びタッチパネル | |
| JP2003109432A (ja) | 透明導電フィルム及びタッチパネル | |
| JP3654841B2 (ja) | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 | |
| JP4410846B2 (ja) | ＳｉＯ２膜を有する積層体と透明導電積層体の製造方法 | |
| JP2002197924A (ja) | 透明導電フィルム及びその製造方法並びにタッチパネル |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080611 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100517 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110719 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110915 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111129 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111212 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |