JPS63143827A - ダイオ−ドの製造方法 - Google Patents

ダイオ−ドの製造方法

Info

Publication number
JPS63143827A
JPS63143827A JP61293104A JP29310486A JPS63143827A JP S63143827 A JPS63143827 A JP S63143827A JP 61293104 A JP61293104 A JP 61293104A JP 29310486 A JP29310486 A JP 29310486A JP S63143827 A JPS63143827 A JP S63143827A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diode
heating table
wire
schottky barrier
films
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61293104A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Iwase
和夫 岩瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP61293104A priority Critical patent/JPS63143827A/ja
Publication of JPS63143827A publication Critical patent/JPS63143827A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32153—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/32175—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic
    • H01L2224/32188—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H01L2224/78302—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12032—Schottky diode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はダイオードの製造方法に関し、特に耐焼損レベ
ルの低いショットキバリアダイオードのワイヤ接続に関
するものである。
〔従来の技術〕
従来、セラミックリングの両端にアノード及びカソード
端子を有するいわゆるピル形ダイオードの組立方法は、
第４図に示す様に、ステンレス製の加熱台８上のヒート
シンク１にペレット２をソルダー付し、セラミックリン
グ４の上部に設けられた金属リング５とペレット２の電
極３とを導電性ワイヤ、例えば金線６を用いて、キャピ
ラリ７によって熱圧着し、電気的に接続している。
１゛発明が解決しようとする問題点〕 Ｅ述した従来のワイヤ接続方法は、例えば焼損レベルが
０．５ｅｒｇ以下の高周波用ショットキバリアダイオー
ドを製造する場合、金線６を金属リング５に熱圧着後、
ペレット電極３に熱圧着する際、何らかの原因で発生し
たサージ電圧が金線６に加わったとすると、サージ電流
がペレット２゜ヒートシンク１を通って加熱台８に流れ
るためサージ電流によってショットキバリアが破壊され
、ダイオードがショートあるいは電気的に劣化するとい
う欠点があった。
また、第５図に示す様に、金属リング５とヒートシンク
１とを加熱台８によって電気的に短絡させてサージ電流
を逃そうとしても、熱圧着時の加熱台が約３００℃に加
熱されている為、加熱台のステンレスの表面に数時間程
で酸化膜ができ、短絡の効果が無くなるという欠点があ
る。
本発明の目的は、上述した従来の欠点を除去し、焼損レ
ベルの低いダイオードのワイヤ接続時に発生するショー
ト不良や、電気的劣化不良を防ぎ、製造歩留りを上げる
ことが出来るダイオードの製造方法を提供することにあ
る。
（問題点を解決するための手段〕 本発明のダイオードの製造方法は、セラミックリング上
の金属リングとヒートシンク上のベレット電極とを金線
によって熱圧着する際、セラミック両端の金属リングと
ヒートシンクとが加熱台によって電気的に短絡している
ことを特徴として構成される。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は、本発明の一実施例を説明するための製造装
置およびダイオードパッケージの縦断面図である。
第１図において、加熱台８はコバーあるいは／１２合金
（主材が鉄で４２％のニッケルを含む）等の材質で作ら
れ、表面にＮｉメッキ膜９及びＡＵメッキ膜１０が施さ
れている。メッキ厚はＮｉメッキが５〜１０μｍ、Ａｕ
メッキが５〜１ｏμｒｎで必要があればＮｉメッキ後、
水素中で８００℃、１０分のシンターを実施する。この
加熱台上でダイオードのワイヤ接続を行えば金線６に加
わったサージ電流は電気抵抗の少ない矢印の方向、すな
わち金線６→金属リング５→メツキ膜９．　１０＝加熱
台８へと流れダイオードを通らない為、ショットキバリ
アを破壊しないという利点がある。
更に加熱台の表面はＮ　１−Ａｕメッキが施されている
為３００℃に加熱されていても、長期間（１〜２ケ月）
継続してショッ］・キバリアを破壊から守る効果がある
。
第２図は本発明の他の実施例を説明するための製造装置
及びダイオードパッケージの縦断面図であり、金属リン
グ５及びヒートシンクｌと、加熱台表面のメッキ膜との
接触を完全に取るため、クランパー１１が設けられ、パ
ッケージを上面より固定しているものである。また、ク
ランプは第３図に示す様な側面より固定するものでもよ
い。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は加熱台の表面にＮｉ−Ａｕ
メッキ膜を設け、更にパッケージのヒートシンクと金属
リングとをこのメッキ膜により電気的に短絡させること
により、焼損レベルの低いショットキバリアダイオード
のワイヤ接続時に発生するショート不良や電気的劣化不
良を防ぎ、製造歩留りを上げるという効果がある。また
、加熱台はＮ　１−Ａｕメッキが施されている為３００
℃に加熱されても長期間継続してショットキバリアを破
壊から守ることが出来る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図、第３図は何れも本発明の一実施例を説
明するためのダイオードのワイヤ接続方法を示す製造装
置およびダイオードパッケージの縦断面図、第４図、第
５図は従来のダイオードのワイヤ接続方法を示す製造装
置およびダイオードパッケージの縦断面図である。 １・・・ヒートシンク、２・・・ペレット、３・・・電
極。 ４・・・セラミックリング、５・・・金属リング、６・
・・金線、７・・・キャピラリ、８・・・加熱台、９・
・・Ｎｉメッキ膜、１０・・・Ａｕメッキ膜、１１・・
・クランパー。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 誘電体リングの両端にペレットを搭載するヒートシンク
    と、ペレット電極と導電性ワイヤによって電気的に接続
    される金属リングとを有する構造のダイオードの製造方
    法に於て、前記ペレット電極と金属リングとを導電性ワ
    イヤによって接続する際、パッケージを支持する加熱台
    によって前記ヒートシンクと金属リングとを電気的に短
    絡させておくことを特徴とするダイオードの製造方法。
JP61293104A 1986-12-08 1986-12-08 ダイオ−ドの製造方法 Pending JPS63143827A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61293104A JPS63143827A (ja) 1986-12-08 1986-12-08 ダイオ−ドの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61293104A JPS63143827A (ja) 1986-12-08 1986-12-08 ダイオ−ドの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63143827A true JPS63143827A (ja) 1988-06-16

Family

ID=17790476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61293104A Pending JPS63143827A (ja) 1986-12-08 1986-12-08 ダイオ−ドの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63143827A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003034861A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Bridgestone Corp 透明導電フィルム及びタッチパネル
JP2003034860A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Bridgestone Corp 透明導電フィルム及びタッチパネル
US7184027B2 (en) 2000-10-13 2007-02-27 Denso Corporation Touch panel, display device and method of producing touch panel

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7184027B2 (en) 2000-10-13 2007-02-27 Denso Corporation Touch panel, display device and method of producing touch panel
US7492347B2 (en) 2000-10-13 2009-02-17 Denso Corporation Touch panel, display device and method of producing touch panel
US7777726B2 (en) 2000-10-13 2010-08-17 Denso Corporation Touch panel, display device and method of producing touch panel
JP2003034861A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Bridgestone Corp 透明導電フィルム及びタッチパネル
JP2003034860A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Bridgestone Corp 透明導電フィルム及びタッチパネル

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3638083A (en) Fusible ceramic capacitor
US20090140414A1 (en) Semiconductor device
RU99120099A (ru) Силовой полупроводниковый модуль
EP1354350B1 (en) Plastic encapsulated semiconductor devices with improved corrosion resistance
JP2007288013A (ja) 半導体装置の製造方法
KR840004305A (ko) 전기적장치와 그 제법 및 그것에 사용하는 본딩용 와이어 및 그 제법
JP4344560B2 (ja) 半導体チップおよびこれを用いた半導体装置
JP6997690B2 (ja) パワーモジュール
JPS63143827A (ja) ダイオ−ドの製造方法
JPH06261448A (ja) 通信装置用保安器
JPS60258905A (ja) 電気装置
US3297855A (en) Method of bonding
KR102227075B1 (ko) 태양전지 및 태양전지의 제조방법
JP2015115349A (ja) 半導体装置
JPS61124071A (ja) 電気的接続装置
JP3459277B2 (ja) 固体電解コンデンサー
JP2649544B2 (ja) 酸化亜鉛型バリスタ
JPS61113224A (ja) 固体電解コンデンサ
JPS58138056A (ja) 半導体装置
JP2002321399A (ja) サーマルヘッド及びその製造法
JPH02148794A (ja) ハイブリッドモジュール
JPH08181001A (ja) 面実装用チップ抵抗器とその面実装方法
JP2019140420A (ja) 回路基板および電子装置
JPH01133314A (ja) ヒューズ付電解コンデンサ
JPH0834138B2 (ja) サ−ジ吸収器