JPH0924574A

JPH0924574A - 透明導電性積層体

Info

Publication number: JPH0924574A
Application number: JP7175855A
Authority: JP
Inventors: Fumiharu Yamazaki; 文晴山崎; Shin Fukuda; 福田　　伸; Nobuhiro Fukuda; 信弘福田
Original assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority date: 1995-07-12
Filing date: 1995-07-12
Publication date: 1997-01-28
Anticipated expiration: 2015-07-12
Also published as: JP3466001B2

Abstract

(57)【要約】【解決手段】透明高分子基体１０の一方の主面上に、
第１層として少なくともチタン、タンタル、ニッケル、
パラジウム、バナジウム、クロム、ニオブのいずれかを
含む第一の薄膜層（Ｂ）２０と、主として酸化インジウ
ムからなる透明導電層（Ｃ）３０と、スパッタリング法
によって形成した銅を主体とする第二の薄膜層（Ｄ）４
０と、をＡＢＣＤなる構成で形成した透明導電性積層
体。【効果】低シート抵抗、高可視光透過性を有し、さら
にこれを用いてエレクトロルミネッセンスディスプレイ
を作製すると、光継続時の輝度低下を抑制し、さらに耐
屈曲性をも改善した耐久性に優れたものが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は透明導電性積層体に
関し、より詳しくはエレクトロルミネッセンスディスプ
レイの透明電極として好適に使用できる、発光輝度の経
時劣化を抑制し、耐屈曲性にも優れた透明導電性積層体
に関する。

【０００２】

【従来の技術】透明導電性積層体は従来、液晶ディスプ
レイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、エレク
トロクロミックディスプレイなどの表示素子の電極、太
陽電池などの光電変換素子の窓電極、電磁波シールドの
電磁波遮蔽膜、あるいは透明タッチパネルなどの入力装
置の電極として利用されている。従来公知の透明導電層
としては金、銀、白金、パラジウムなどの貴金属薄膜
と、酸化インジウム、酸化第二スズ、酸化亜鉛などの酸
化物半導体薄膜とが知られている。前者の貴金属薄膜は
抵抗値の低いものは容易に得られるが透明性に劣る。後
者の酸化物半導体薄膜は抵抗値は貴金属薄膜に若干劣る
が、透明性に優れているため広く利用されている。その
中でも酸化スズを含有した酸化インジウム薄膜は低抵抗
で透明性に優れているため広く利用されている。スズを
ドープした酸化インジウム薄膜の抵抗率は通常５×１０
^-5〜１×１０^-3Ω・ｃｍ程度、透過率は一般に８０〜９
０％である。

【０００３】エレクトロルミネッセンスディスプレイは
透明基体上に透明導電膜を形成した透明導電性基体をベ
ースにし、上記透明導電膜上に発光体層、絶縁層及び背
面電極を順次形成し、さらに全体を透明防湿層で被覆し
た構造のものが知られている。透明導電膜には酸化ス
ズ、酸化インジウム等が、発光体層には硫化亜鉛、硫化
カドミウム、セレン化亜鉛等が、絶縁層には誘電率の高
い酸化イットリウム、窒化シリコン、酸化タリウム等
が、背面電極にはアルミニウムが用いられている。従来
エレクトロルミネッセンス用透明導電性基体には、ガラ
スを基体にしたものが用いられてきた。上記透明導電性
基体には、発光層で発光した可視光を効率的に外部に放
出させるために透明性に優れていること、駆動電圧の点
からシート抵抗がある程度低いことに加え、長時間の使
用に耐えることが要求されるが、ガラスを基体とした場
合には基体温度を４００℃程度にまで加熱できるため、
化学的に安定な結晶性透明導電層が形成でき、透明性、
及び耐環境性に優れた透明導電性基体が容易に得られる
ためである。しかしながら、ガラスを基体とした場合に
は、割れやすい、重い、薄型化に限度がある、といった
問題があった。そのため、割れにくく、薄くて軽い透明
高分子基体を用いた透明電極が強く求められている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】透明高分子基体をエレ
クトロルミネッセンスディスプレイ用透明電極に使用す
る場合、透明導電層を形成する際の基体の加熱温度は、
高分子基体の耐熱温度に制限されるため通常２００℃以
下にしなければならない。そのため耐環境性に優れた結
晶性酸化インジウムを形成するのは容易ではない。エレ
クトロルミネッセンス用透明導電性基体として使用する
ためには、少なくとも可視光透過率８０％以上、シート
抵抗１０００Ω／□以下が要求される。透明高分子フィ
ルムの一方の主面に、主として酸化インジウムからなる
透明導電層を１０ｎｍ以上形成すれば、可視光透過率８
０％以上、シート抵抗１０００Ω／□以下の透明導電性
フィルムを作製できるが、これをエレクトロルミネッセ
ンスディスプレイ用透明電極としてそのまま使用する
と、発光層である硫化亜鉛あるいは硫化カドミウム等
と、主として酸化インジウムからなる透明導電層とが直
接接触するため、電圧を印加し長時間発光を継続させる
と発光層と透明導電層との界面が劣化し発光輝度が比較
的早期に減衰してしまうという問題があった。

【０００５】また、該透明導電性積層体をそのままエレ
クトロルミネッセンス用透明電極として使用すると、高
分子フィルムとの密着強度が不足するために発光ムラが
起こり易い。特に、これを屈曲させた状態で使用する場
合には、その傾向が顕著に現れるため屈曲状態での使用
が制限されてしまう。透明導電性積層体を透明電極とし
て使用したエレクトロルミネッセンスディスプレイは、
屈曲可能な発光体が得られることが利点の一つに挙げら
れるが、密着強度不足による発光ムラの発生はこの利点
を十分に活かせない重大な問題点となっているため、そ
の改善が強く求められていた。具体的には従来公知の透
明導電性積層体を透明電極として使用したエレクトロル
ミネッセンスディスプレイは、直径１０ｍｍの屈曲状態
で使用すると発光ムラ及び発光輝度の低下が発生してい
たため、１０ｍｍより小さい径での屈曲にも耐えるもの
が要望されている。本発明は、エレクトロルミネッセン
スディスプレイの発光輝度の経時劣化を抑制させて長寿
命化を計り、さらに耐屈曲性をも改善し、なおかつ可視
光透過率８０％以上でシート抵抗が１０００Ω／□以下
の透明導電性積層体を提供することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題を
解決するために鋭意研究を重ねた結果、発光層と透明導
電層との間に、界面の劣化を抑制することのできる薄膜
層を設けることにより発光を継続させた時の劣化を抑
え、また透明高分子基体と透明導電層と間に、その密着
性を増強し耐屈曲性を改善するための層を積層させるこ
とにより、発光輝度の経時劣化の抑制と、耐屈曲性の改
善とが同時に達成できることを見いだし本発明を完成す
るにいたった。

【０００７】すなわち、本発明は、（１）透明高分子基
体（Ａ）の一方の主面に、少なくともチタン、タンタ
ル、ニッケル、パラジウム、バナジウム、クロム、ニオ
ブのいずれかを含む第一の薄膜層（Ｂ）と、主として酸
化インジウムからなる透明導電層（Ｃ）と、スパッタリ
ング法によって形成した銅を主体とする第二の薄膜層
（Ｄ）と、をＡＢＣＤなる構成で形成した透明導電性積
層体であり、また、（２）少なくともチタン、タンタ
ル、パラジウム、バナジウム、クロム、ニオブのいずれ
かを含む第一の薄膜層（Ｂ）の厚さが０．２〜１０ｎ
ｍ、主として酸化インジウムからなる透明導電層（Ｃ）
の厚さが１０〜２００ｎｍ、スパッタリング法によって
形成した銅を主体とする第二の薄膜層（Ｄ）の厚さが１
〜２０ｎｍ、であることを特徴とする（１）記載の透明
導電性積層体であり、また、（３）（１）及び（２）記
載の銅を主体とする薄膜層（Ｄ）が、実質的に銅のみか
らなる薄膜層であることを特徴とする透明導電性積層体
であり、また、（４）エレクトロルミネッセンスディス
プレイの透明電極として好適に使用しうる（１）〜
（３）のいずれかに記載の透明導電性積層体に関するも
のである。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明は、添付図面の［図１］を
もって説明するに、透明高分子基体（Ａ）（１０）の一
方の主面に、少なくともチタン、タンタル、ニッケル、
パラジウム、バナジウム、クロム、ニオブのいずれかを
含む第一の薄膜層である第１層（Ｂ）（２０）、主とし
て酸化インジウムからなる透明導電層である第２層
（Ｃ）（３０）と、スパッタリング法により形成した銅
を主体とする第二の薄膜層である第３層（Ｄ）（４０）
と、を順次形成した透明導電性積層体である。そして好
ましくは、該少なくともチタン、タンタル、ニッケル、
パラジウム、バナジウム、クロム、ニオブのいずれかを
含む第一の薄膜層（Ｂ）の厚さが０．２〜１０ｎｍ、主
として酸化インジウムからなる透明導電膜（Ｃ）の厚さ
が１０〜２００ｎｍ、少なくともスパッタリング法によ
り形成した銅を含む第二の薄膜層（Ｄ）の厚さが１〜２
０ｎｍ、である透明導電性積層体にかかるものである。

【０００９】本発明において使用する透明高分子基体と
しては、透明性を有するプラスチック成形体が使用でき
る。具体的にはポリエチレンテレフタレート、ポリエー
テルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカ
ーボネート、ポリプロピレン、ポリイミドなどが挙げら
れる。これら透明高分子基体は、透明導電層を形成する
主面が平滑であれば、板状であってもフィルム状であっ
てもよい。板状の高分子基体は寸法安定性と機械的強度
に優れているため、特にそれが要求される場合には好適
に使用できる。また高分子フィルムは可撓性を有してお
り透明導電層をロールツロール法で連続的に形成するこ
とができるため、これを使用した場合には効率よく透明
導電性基体を生産できる故にこれもまた好適に使用でき
る。この場合フィルムの厚さは通常１０〜２５０μｍ程
度のものが用いられる。フィルムの厚さが１０μｍより
薄いと、基材としての機械的強度に不足し、２５０μｍ
より厚いと、可撓性が不足するためフィルムをロールで
巻きとって利用するのに適さない。

【００１０】上記透明高分子基体のなかでもポリエチレ
ンテレフタレートは透明性及び加工性に優れているため
より好適に利用できる。また、ポリエーテルサルフォン
は耐熱性に優れているため、透明導電性積層体作製後に
熱処理を必要とする場合、また該透明導電性積層体を使
用してエレクトロルミネッセンスディスプレイを組み立
てる際に加熱処理を必要とする場合に、より好適に利用
できる。

【００１１】この透明高分子基体はその表面に予めスパ
ッタリング処理、コロナ処理、火炎処理、紫外線照射、
電子線照射などのエッチング処理や、下塗り処理を施し
てこの上に形成される主として酸化インジウムからなる
透明導電層の上記フィルムに対する密着性を向上させる
処理を施してもよい。また、主として酸化インジウムか
らなる透明導電層を成膜する前に、必要に応じて溶剤洗
浄や超音波洗浄などの防塵処理を施してもよい。

【００１２】本発明においては、かかる透明高分子基体
の一方の主面に、少なくともチタン、タンタル、ニッケ
ル、パラジウム、バナジウム、クロム、ニオブのいずれ
かを含む第一の薄膜層を第１層として形成する。該少な
くともチタン、タンタル、ニッケル、パラジウム、バナ
ジウム、クロム、ニオブのいずれかを含む第一の薄膜層
は、透明高分子基体と、この上に積層する主として酸化
インジウムからなる透明導電層との間の密着力を増強さ
せる効果がある。密着力の増強によりエレクトロルミネ
ッセンスディスプレイを屈曲させて使用する際に生じる
剥がれを防止し、耐屈曲性に優れた発光体を得ることが
できるのである。

【００１３】該薄膜層の材料としては、チタン、タンタ
ル、ニッケル、パラジウム、バナジウム、クロム、ニオ
ブのいずれかの単体であってもよいし、あるいはこれら
の２種類以上の材料を混合して用いてもよい。少なくと
もチタン、タンタル、ニッケル、パラジウム、バナジウ
ム、クロム、ニオブのいずれかを含んだものであれば、
該薄膜層を形成する目的である、密着力増強による耐屈
曲性向上の効果は得られる。例えば、上記材料の酸化物
や窒化物であっても同様な効果が得られる。また、該薄
膜層として使用できる２種類以上の材料を混合したもの
としては代表的なものにニッケルとクロムの合金である
ニクロムがあげられる。

【００１４】少なくともチタン、タンタル、ニッケル、
パラジウム、バナジウム、クロム、ニオブのいずれかを
含む第一の薄膜層の厚さは０．２〜１０ｎｍ程度が好ま
しい。該薄膜層があまり薄いと密着力増強の効果が得ら
れず、これを透明電極としてエレクトロルミネッセンス
ディスプレイを作製しても耐屈曲性は改善されないた
め、密着力増強による耐屈曲性改善の効果を得るために
は該薄膜層の厚さは０．２ｎｍ以上が好ましいのであ
る。しかしながら、該薄膜層があまり厚いと透明性が損
なわれるのに加え、密着力増強の効果は厚さ１０ｎｍで
十分得られるので、いたずらに成膜時間をかけ該薄膜層
を１０ｎｍより厚くするのは好ましくない。

【００１５】本発明においては、かかる透明高分子基体
の一方の主面に主として酸化インジウムからなる透明導
電層を第２層として形成する。該透明導電層は抵抗率を
低くするためにスズを混合しても良い。通常３〜２０重
量％程度のスズを含有させることにより抵抗率を低下さ
せることができ、より薄い膜厚で必要とされるシート抵
抗値を有する透明導電層が形成できる。

【００１６】主として酸化インジウムからなる透明導電
層の厚さは通常１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度が好ましい。
透明導電層の厚さは、そのシート抵抗値及び可視光透過
率に影響する。シート抵抗値を小さくするためには、該
透明導電層の厚さをできる限り厚くすればよいが、厚く
すると可視光透過率が低下してしまう。そのため、要求
されるシート抵抗値及び可視光透過率によって該透明導
電層の厚さが決定される。該透明導電層の厚さが１０ｎ
ｍより薄いとシート抵抗値が高くなってしまうため、エ
レクトロルミネッセンスディスプレイの透明電極として
使用するには不適である。シート抵抗値を下げるために
は膜厚を厚くすればよいが、２００ｎｍよりあまりに厚
いと可視光透過率が低くなってしまうためこれもまた好
ましくない。

【００１７】透明高分子基体の一方の主面に、少なくと
もチタン、タンタル、ニッケル、パラジウム、バナジウ
ム、クロム、ニオブのいずれかを含む第一の薄膜層を形
成し、その上に厚さが１０〜２００ｎｍ程度の主として
酸化インジウムからなる透明導電層を形成することで、
エレクトロルミネッセンスディスプレイの透明電極に要
求されるシート抵抗値及び可視光透過率を有する透明導
電性積層体が得られるわけであるが、該透明導電層は発
光継続時の耐久性に劣っていて、これをそのまま透明電
極に使用してエレクトロルミネッセンスディスプレイを
形成し、電圧を印加して発光を継続させると比較的早期
に発光強度が減衰してしまう。

【００１８】そのため本発明においては、上記の如く主
として酸化インジウムからなる透明導電層を形成した
後、さらにこの上に、銅を主体とする薄膜層をスパッタ
リング法により成膜する。該薄膜層を設けるのは、酸化
インジウムと発光層である硫化亜鉛あるいは硫化カドミ
ウム等とが直接接触することによる主として酸化インジ
ウムからなる透明導電層の発光時の劣化を防ぐためであ
る。該薄膜層はまた、発光させるための通電に対する耐
久性にも優れているため、発光を継続した際に生じる発
光輝度の低下を著しく抑制することができるのである。
本発明において銅を主体とする薄膜層とは、実質的に銅
のみからなる薄膜層であっても、銅以外の不純物が少量
含まれていてもよい。通常、該薄膜層の成膜に使用する
スパッタリング用銅ターゲットには、０．０１〜１重量
％程度の金属不純物（銀、クロム等）が含まれている
が、該薄膜層を積層する目的である発光継続時の輝度低
下抑制効果には影響はないのである。また、該薄膜層は
透明導電性積層体の表面を覆っているため直接大気に曝
されるが、そのため自然に酸化されることが予想され
る。しかしながら、自然酸化されて酸化銅等の酸化物層
になっていても、該薄膜層を積層する目的である発光継
続時の輝度低下抑制効果には影響ないことをつけ加えて
おく。

【００１９】なおここで肝要なのは、銅を主体とする薄
膜層の形成はスパッタリング法によらなければならない
点である。銅を主体とする薄膜層の形成方法としては、
一般的にメッキ法、あるいは蒸着法といったスパッタ法
よりも簡便な方法がある。しかしながら、それらの方法
で作製した銅を含む薄膜層では、発光継続時の輝度低下
を抑制させる効果はなく、スパッタリング法によって形
成した場合にのみ、その効果が現れるのである。すなわ
ち、発光継続時の輝度低下を抑制させるための銅を含む
薄膜層を得るために、形成方法はスパッタリング法によ
らなければならないのである。

【００２０】本発明において、スパッタリング法により
形成した銅を主体とする薄膜層の厚さは１〜２０ｎｍ程
度が好ましい。さらに好ましくは１〜１０ｎｍ程度であ
る。この厚さがあまり薄いと発光継続時の輝度低下抑制
の効果が得られないため１ｎｍ以上を有することが好ま
しい。すなわち、エレクトロルミネッセンスディスプレ
イの透明電極として発光継続時の輝度低下効果を付与さ
せるためには、スパッタリング法により形成した銅を含
む薄膜層は少なくとも１ｎｍ以上の厚さが好ましいので
ある。また、この厚さがあまり厚いと透明性が損なわれ
る。該薄膜層の積層による発光継続時の輝度低下の抑制
は２０ｎｍ以下の厚さで十分なされているため、いたず
らに成膜時間をかけ厚い層を形成するのは好ましくな
い。経済的には該薄膜層の厚さは発光継続時の輝度低下
効果を損なわない範囲内でなるべく薄い方が好ましく、
１０ｎｍの厚さでその効果は十分得られるため該薄膜層
の厚さは、１〜１０ｎｍがより好ましい。

【００２１】少なくともチタン、タンタル、ニッケル、
パラジウム、バナジウム、クロム、ニオブのいずれかを
を含む第一の薄膜層の形成方法としては、スパッタリン
グ法や真空蒸着法といった従来公知の物理的気相成長法
が利用できる。なかでも、スパッタリング法は、成膜方
法がスパッタリング法に限定される銅を含む薄膜層と同
方法であるため、これと連続的に生産できるため生産性
の観点から好んで使用できる。スパッタリング法におい
ては、例えば第一の薄膜層にニッケル・クロム合金を選
択した場合には、ターゲットに所定の組成のニッケル・
クロム合金、スパッタガスにアルゴン等の不活性ガスを
用い、通常スパッタガス圧力：１〜１０ｍＴｏｒｒ、高
分子基体温度：２０〜１５０℃の条件下で、直流あるい
は高周波スパッタリング法が利用できる。真空蒸着法に
よる場合は、蒸着材料に所定の組成のニッケル・クロム
合金を用い、抵抗加熱法や電子ビーム加熱法といった方
法でニッケル・クロム合金からなる薄膜層を蒸着するこ
とができる。

【００２２】主として酸化インジウムからなる透明導電
層の成膜方法としては、スパッタリング法、真空蒸着
法、イオンプレーティング法といった従来公知の物理的
気相成長法のいずれも採用できる。スパッタリング法に
おいては、ターゲットに酸化インジウムあるいはスズを
含有した酸化インジウムを、スパッタガスにアルゴン等
の不活性ガスを用い、通常スパッタガス圧力：１〜１０
ｍＴｏｒｒ、高分子基体温度：２０〜１５０℃の条件下
で、直流（ＤＣ）あるいは高周波（ＲＦ）マグネトロン
スパッタ法が利用できる。また、透明導電層の透明性お
よび導電性を高くするためにスパッタガス中に０．１〜
２０流量％の酸素ガスを混合しても良い。また、ターゲ
ットにインジウムあるいはスズ・インジウム合金を、ス
パッタガスにアルゴン等の不活性ガスを、反応性ガスに
酸素ガスを用いた直流あるいは高周波スパッタリング法
も好適に利用できる。この方法では透明導電層の透過率
および導電性が、反応性ガスである酸素ガスの分圧に敏
感に影響するので、その制御を厳密に行う必要がある。
上記のスパッタリング法はいずれも、透明性及び導電性
に優れた透明導電層が容易に得られるため、好適に利用
できる。

【００２３】銅を主体とする薄膜層の成膜方法は、前述
したように、それを透明電極に使用したエレクトロルミ
ネッセンス発光素子の発光継続時の輝度低下を抑制させ
る効果を得るためにスパッタリング法によらなければな
らない。それは、ターゲットに銅を、スパッタガスにア
ルゴン等の不活性ガスを用い、通常スパッタガス圧力：
１〜１０ｍＴｏｒｒ、高分子基体温度：２０〜１５０℃
の条件下で、直流あるいは高周波スパッタリング法が利
用できる。

【００２４】上記の方法により得られた透明導電性積層
体を、耐環境性を向上させるために、熱処理（アニーリ
ング）を施してもよい。熱処理温度は通常、１００〜２
００℃程度である。なお、本発明にいう「ＡＢＣＤなる
構成」とは、ＡＢＣＤの層構成の間に他の層をさらに介
入させる構成を排除する趣旨ではない。また、いずれか
の表面に、表面保護等の目的で他の層をさらに形成して
もよい。

【００２５】上記の方法により形成した透明導電層の原
子組成は、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、誘導結合プ
ラズマ法（ＩＣＰ）、ラザフォード後方散乱法（ＲＢ
Ｓ）等により測定できる。またこれらの膜厚は、オージ
ェ電子分光の深さ方向観察、透過型電子顕微鏡による断
面観察等により測定できる。

【００２６】なお、本発明の透明導電性積層体を用いて
エレクトロルミネッセンスディスプレイを作製する方法
は、例えば、背面電極となるアルミニウム箔の一方の面
にチタン酸バリウム粉末をアセトン溶液中に分散させた
液を塗布し乾燥させることで誘電体層を形成した後、さ
らにその上に硫化亜鉛粉末等をアセトン等の適当な溶液
中に分散させた液を塗布することで発光層を形成し、こ
の塗布面と、本発明の透明導電性積層体の第二の薄膜層
とを密着させた上で加熱処理することにより貼り合わせ
て得ることができる。湿気に対する発光層の耐久性を向
上させるために、さらにエレクトロルミネッセンスディ
スプレイ全体を防湿フィルム２枚で挟み込んでもよい。

【００２７】

【実施例】つぎに、本発明を実施例により具体的に説明
する。（実施例１）ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚
さ１８８μｍ）の一方の面に、第１層として、ターゲッ
トにニッケル・クロム合金（クロム含有量：２０重量
％）を、スパッタリングガスにアルゴンガスを用いて、
３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で、ＤＣマグネトロンスパッタ
リング法により、厚さ１ｎｍの第一の薄膜層（Ｂ）を形
成し、その上に第２層として、ターゲットに酸化スズを
５重量％含有した酸化インジウムを、スパッタリングガ
スにアルゴンガス、反応性ガスに酸素ガス（流量比、ア
ルゴン：酸素＝１０：０．１）を用いて、３ｍＴｏｒｒ
の雰囲気の下で、ＤＣマグネトロン反応性スパッタリン
グ法により厚さ５０ｎｍの透明導電層（Ｃ）を形成し
た。さらにその上に、第３層として、ターゲットに銅
を、スパッタリングガスにアルゴンガスを用いて、３ｍ
Ｔｏｒｒの雰囲気下で、ＤＣマグネトロンスパッタリン
グ法により厚さ５ｎｍの第二の薄膜層（Ｄ）を形成し、
ＢＣＤの３層構成の透明導電性積層体を作製した。

【００２８】（実施例２）第１層を形成する際、ターゲ
ットにチタンを用いて、チタンからなる第一の薄膜層を
形成したこと以外は、実施例１と同じ手法で３層構成の
透明導電性積層体を作製した。（実施例３）第１層を形成する際、ターゲットにタンタ
ルを用いて、タンタルからなる第一の薄膜層を形成した
こと以外は、実施例１と同じ手法で３層構成の透明導電
性積層体を作製した。

【００２９】（実施例４）第１層を形成する際、ターゲ
ットにニッケルを用いて、ニッケルからなる第一の薄膜
層を形成したこと以外は、実施例１と同じ手法で３層構
成の透明導電性積層体を作製した。（実施例５）第１層を形成する際、ターゲットにパラジ
ウムを用いて、パラジウムからなる第一の薄膜層を形成
したこと以外は、実施例１と同じ手法で３層構成の透明
導電性積層体を作製した。

【００３０】（実施例６）第１層を形成する際、ターゲ
ットにバナジウムを用いて、バナジウムからなる第一の
薄膜層を形成したこと以外は、実施例１と同じ手法で３
層構成の透明導電性積層体を作製した。（実施例７）第１層を形成する際、ターゲットにクロム
を用いて、クロムからなる第一の薄膜層を形成したこと
以外は、実施例１と同じ手法で３層構成の透明導電性積
層体を作製した。

【００３１】（実施例８）第１層を形成する際、ターゲ
ットにニオブを用いて、ニオブからなる第一の薄膜層を
形成したこと以外は、実施例１と同じ手法で３層構成の
透明導電性積層体を作製した。（実施例９〜実施例１１）第３層の薄膜層の厚さを１ｎ
ｍ（実施例９）、１０ｎｍ（実施例１０）、２０ｎｍ
（実施例１１）とした以外は実施例１と同じ手法で３層
構成の透明導電性積層体を作製した。

【００３２】（実施例１２〜実施例１４）第１層の薄膜
層の厚さを０．２ｎｍ（実施例１２）、５ｎｍ（実施例
１３）、１０ｎｍ（実施例１４）とした以外は実施例１
と同じ手法で３層構成の透明導電性積層体を作製した。（実施例１５〜実施例１６）第２層の透明導電層の厚さ
を１０ｎｍ（実施例１５）、２００ｎｍ（実施例１６）
とした以外は実施例１と同じ手法で３層構成の透明導電
性積層体を作製した。

【００３３】（比較例１）第１層、及び第３層の薄膜層
を形成しなかったこと以外は実施例１と同じ手法で１層
構成の透明導電性積層体を作製した。（比較例２）第３層の薄膜層を形成しなかったこと以外
は、実施例１と同じ手法で２層構成の透明導電性積層体
を作製した。

【００３４】（比較例３）第３層を形成する際、ターゲ
ットにパラジウムを用いて、パラジウムからなる薄膜層
を形成したこと以外は、実施例１と同じ手法で３層構成
の透明導電性積層体を作製した。（比較例４）第３層を形成する際、ターゲットにインジ
ウムを用いて、インジウムからなる薄膜層を形成したこ
と以外は、実施例１と同じ手法で３層構成の透明導電性
積層体を作製した。

【００３５】（比較例５）第３層を形成する際、ターゲ
ットにスズを用いて、スズからなる薄膜層を形成したこ
と以外は、実施例１と同じ手法で３層構成の透明導電性
積層体を作製した。（比較例６）第３層を形成する際、ターゲットにクロム
を用いて、クロムからなる薄膜層を形成したこと以外
は、実施例１と同じ手法で３層構成の透明導電性積層体
を作製した。

【００３６】（比較例７）第３層を形成する際、ターゲ
ットにアルミニウムを用いて、アルミニウムからなる薄
膜層を形成したこと以外は、実施例１と同じ手法で３層
構成の透明導電性積層体を作製した。（比較例８）第３層を形成する際、ターゲットに銀を用
いて、銀からなる薄膜層を形成したこと以外は、実施例
１と同じ手法で３層構成の透明導電性積層体を作製し
た。

【００３７】（比較例９）ポリエチレンテレフタレート
フィルム（厚さ１８８μｍ）の一方の面に、第１層とし
て、ターゲットにニッケル・クロム合金（クロム含有
量：２０重量％）を、スパッタリングガスにアルゴンガ
スを用いて、３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で、ＤＣマグネト
ロンスパッタリング法により、厚さ１ｎｍの第一の薄膜
層を形成し、その上に第２層としてターゲットに酸化ス
ズを５重量％含有した酸化インジウムを、スパッタリン
グガスにアルゴンガス、反応性ガスに酸素ガス（流量
比、アルゴン：酸素＝１０：０．１）を用いて、３ｍＴ
ｏｒｒの雰囲気の下で、ＤＣマグネトロン反応性スパッ
タリング法により厚さ５０ｎｍの透明導電層を形成し
た。さらにその上に、第３層として、蒸着源に銅を用い
て、５×１０^-5Ｔｏｒｒの雰囲気下で、電子ビーム蒸着
法により厚さ５ｎｍの第二の薄膜層を形成し、３層構成
の透明導電性積層体を作製した。

【００３８】（比較例１０）第１層の薄膜層を形成しな
かったこと以外は、実施例１と同じ手法で２層構成の透
明導電性積層体を作製した。（比較例１１）第３層の薄膜層の厚さを５０ｎｍとした
以外は実施例１と同じ手法で３層構成の透明導電性積層
体を作製した。

【００３９】（比較例１２）第１層の薄膜層の厚さを２
０ｎｍとした以外は実施例１と同じ手法で３層構成の透
明導電性積層体を作製した。（比較例１３〜比較例１４）第２層の透明導電層の厚さ
を５ｎｍ（比較例１３）、４００ｎｍ（比較例１４）と
した以外は実施例１と同じ手法で３層構成の透明導電性
積層体を作製した。

【００４０】以上のようにして作製した透明導電性フィ
ルムの、透明導電層及び薄膜層の厚さ、シート抵抗、可
視光透過率、耐環境性は以下の手法で評価した。第一の薄膜層（第１層）の厚さ［Ｔ₁（ｎｍ）］及
び、透明導電層（第２層）の厚さ［Ｔ₂（ｎｍ）］、第
二の薄膜層（第３層）の厚さ［Ｔ₃（ｎｍ）］：前もっ
て成膜速度ｒ（ｎｍ／ｍｉｎ）を測定しておき、膜厚は
成膜時間ｔ（ｍｉｎ）を制御することで変化させた。膜
厚Ｔ（ｎｍ）は以下の式より求められる。Ｔ＝ｒ×ｔシート抵抗［Ｒ( Ω／□) ］：４端子法により測定し
た。可視光透過率［Ｔｖｉｓ（％）］：日立製作所（株）
製、分光光度計Ｕ−３４００により測定した。発光継続試験［Ｉ／Ｉ₀］：後述する工程でエレクト
ロルミネッセンスディスプレイを作製し、温度５０℃、
湿度６０％の雰囲気下で、交流１００Ｖ（周波数：１ｋ
Ｈｚ）の電圧を印加し発光させ、その時の初期発光輝度
Ｉ₀（カンデラ／ｍ²）と、そのまま３０００時間発光
を継続させた後の発光輝度Ｉ（カンデラ／ｍ²）とをミ
ノルタ（株）製の輝度計：ＬＳ−１１０を用いて測定
し、その変化率Ｉ／Ｉ₀で評価した。耐屈曲性［ｍｍ］：後述する工程でエレクトロルミネ
ッセンスディスプレイを作製し、それを直径２０ｍｍの
円柱に巻き付けた状態で、温度：室温、湿度６０％の雰
囲気下で、交流１００Ｖ（周波数：１ｋＨｚ）の電圧を
印加して発光させ、発光状態を観察しながら円柱の直径
を１ｍｍづつ小さいものに変えていった時、輝度低下や
発光ムラといった異常の発生しない最低の直径値を、屈
曲可能な径として耐屈曲性の評価値とした。

【００４１】エレクトロルミネッセンスディスプレイ
は、背面電極となるアルミニウム箔の一方の面にチタン
酸バリウム粉末をアセトン溶液中に分散させた液を塗布
し乾燥させることで誘電体層を形成した後、さらにその
上に硫化亜鉛粉末等をアセトン等の適当な溶液中に分散
させた液を塗布することで発光層を形成し、この塗布面
と、実施例１〜実施例１６及び比較例１〜比較例１４に
より得た透明導電性積層体の積層面とを密着させ、その
後６０℃で１２０分間、さらに１２０℃で２分間加熱処
理することにより貼り合わせることで作製した。以上の
測定結果を［表１］〜［表６］に掲げる。

【００４２】

【表１】

【００４３】

【表２】

【００４４】

【表３】

【００４５】

【表４】

【００４６】

【表５】

【００４７】

【表６】

【００４８】上記［表１］〜［表６］から明らかなよう
に、本発明の透明導電性積層体は、低シート抵抗、高可
視光透過率を有し、さらにこれを用いてエレクトロルミ
ネッセンスディスプレイを形成すると発光継続時の輝度
低下を著しく抑制し、さらに耐屈曲性にも優れた、耐久
性に優れたものが得られるのが分かる。

【００４９】

【発明の効果】以上のごとく、本発明においては、高分
子透明基体の一方の主面に、第１層として少なくともチ
タン、タンタル、ニッケル、パラジウム、バナジウム、
クロム、ニオブのいずれかを含む第一の薄膜層を形成
し、その上に第２層として主として酸化インジウムから
なる透明導電層を形成し、さらにその上に第３層として
スパッタリング法により形成した銅を主体とする薄膜層
を形成することで、発光継続時の輝度低下を抑制し、耐
屈曲性にも優れた、エレクトロルミネッセンスディスプ
レイの透明電極に適した透明導電性積層体を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の透明導電性積層体の一例を示す断面図

【符号の説明】

１０透明高分子基体２０少なくともチタン、タンタル、ニッケル、パラジ
ウム、バナジウム、クロム、ニオブのいずれかを含む第
一の薄膜層３０主として酸化インジウムからなる透明導電層４０スパッタリング法によって形成された銅を主体と
する第二の薄膜層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明高分子基体（Ａ）の一方の主面に、
少なくともチタン、タンタル、ニッケル、パラジウム、
バナジウム、クロム、ニオブのいずれかを含む第一の薄
膜層（Ｂ）と、主として酸化インジウムからなる透明導
電層（Ｃ）と、スパッタリング法によって形成した銅を
主体とする第二の薄膜層（Ｄ）と、をＡＢＣＤなる構成
で形成した透明導電性積層体。
【請求項２】請求項１記載の、少なくともチタン、タ
ンタル、パラジウム、バナジウム、クロム、ニオブのい
ずれかを含む第一の薄膜層（Ｂ）の厚さが０．２〜１０
ｎｍ、主として酸化インジウムからなる透明導電層
（Ｃ）の厚さが１０〜２００ｎｍ、スパッタリング法に
よって形成した銅を主体とする第二の薄膜層（Ｄ）の厚
さが１〜２０ｎｍ、であることを特徴とする透明導電性
積層体。
【請求項３】請求項１及び請求項２記載の、銅を主体
とする薄膜層（Ｄ）が、実質的に銅のみからなる薄膜層
であることを特徴とする透明導電性積層体。
【請求項４】エレクトロルミネッセンスディスプレイ
の透明電極として好適に使用しうる請求項１〜３のいず
れかに記載の透明導電性積層体。