JPH07288049A - 透明導電体の製造方法 - Google Patents
透明導電体の製造方法Info
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- JPH07288049A JPH07288049A JP8854094A JP8854094A JPH07288049A JP H07288049 A JPH07288049 A JP H07288049A JP 8854094 A JP8854094 A JP 8854094A JP 8854094 A JP8854094 A JP 8854094A JP H07288049 A JPH07288049 A JP H07288049A
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- target
- zno
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- high frequency
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高温高湿下で使用しても抵抗値の経時変化が少
なく、耐久性の優れたＺｎＯ系透明導電体を製造する方
法を提供する。 【構成】ＺｎＯターゲットとＳｉＯ2 ターゲットに別々
の高周波電力を投入して二元同時スパッタリングを行っ
て、基材上にシリコンがドープされたＺｎＯからなる透
明導電膜を形成する際に、ＺｎＯターゲットに投入する
高周波電力をターゲット１ｃｍ2 当たり３〜２０Ｗと
し、ＳｉＯ2 ターゲットに投入する高周波電力をＺｎＯ
ターゲットに投入する高周波電力の０．０５〜０．６倍
とすることを特徴とする。
なく、耐久性の優れたＺｎＯ系透明導電体を製造する方
法を提供する。 【構成】ＺｎＯターゲットとＳｉＯ2 ターゲットに別々
の高周波電力を投入して二元同時スパッタリングを行っ
て、基材上にシリコンがドープされたＺｎＯからなる透
明導電膜を形成する際に、ＺｎＯターゲットに投入する
高周波電力をターゲット１ｃｍ2 当たり３〜２０Ｗと
し、ＳｉＯ2 ターゲットに投入する高周波電力をＺｎＯ
ターゲットに投入する高周波電力の０．０５〜０．６倍
とすることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明導電体の製造方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、錫ドープ酸化インジウム（以下Ｉ
ＴＯという）に代わる透明導電膜材料として、材料コス
トが安価であるＺｎＯが注目されている。ＺｎＯ自体は
ＩＴＯに比べると高抵抗であり、ＩＴＯと同レベルの導
電性を得るためにはＺｎ（II価）よりも価数の大きい元
素（III 価、IV価）をドープすればよいことは公知であ
る（特公平４−９２９号公報、特公平３−７２０１１号
公報）。
ＴＯという）に代わる透明導電膜材料として、材料コス
トが安価であるＺｎＯが注目されている。ＺｎＯ自体は
ＩＴＯに比べると高抵抗であり、ＩＴＯと同レベルの導
電性を得るためにはＺｎ（II価）よりも価数の大きい元
素（III 価、IV価）をドープすればよいことは公知であ
る（特公平４−９２９号公報、特公平３−７２０１１号
公報）。
【０００３】さらに低抵抗率でしかも可視光線と赤外線
反射率の高い透明導電膜を、周期律表第IV族のＳｉ、Ｇ
ｅ、Ｚｒのうち少なくとも１種類をＺｎＯにドープする
ことによって得ることができる（特公平５−６７６６号
公報）。この方法では、ＳｉＯ2 、ＧｅＯ2 、ＺｒＯ2
の高純度粉末をＺｎＯ粉末に添加し加圧成形後、焼結さ
せた焼結体をターゲット（６×１０ｃｍの長方形状）に
用いており、アルゴンガス圧が６．５Ｐａ、ターゲット
に投入する高周波電力１２０Ｗ（ターゲット１ｃｍ2 当
たりの電力では２Ｗ）のスパッタリング条件によりガラ
ス上にＳｉ、Ｇｅ、ＺｒがドープされたＺｎＯ透明導電
膜を成膜する。この方法では、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒのドー
プによりＺｎＯでもＩＴＯと同等の導電性と光学特性が
得られるという特徴がある。
反射率の高い透明導電膜を、周期律表第IV族のＳｉ、Ｇ
ｅ、Ｚｒのうち少なくとも１種類をＺｎＯにドープする
ことによって得ることができる（特公平５−６７６６号
公報）。この方法では、ＳｉＯ2 、ＧｅＯ2 、ＺｒＯ2
の高純度粉末をＺｎＯ粉末に添加し加圧成形後、焼結さ
せた焼結体をターゲット（６×１０ｃｍの長方形状）に
用いており、アルゴンガス圧が６．５Ｐａ、ターゲット
に投入する高周波電力１２０Ｗ（ターゲット１ｃｍ2 当
たりの電力では２Ｗ）のスパッタリング条件によりガラ
ス上にＳｉ、Ｇｅ、ＺｒがドープされたＺｎＯ透明導電
膜を成膜する。この方法では、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒのドー
プによりＺｎＯでもＩＴＯと同等の導電性と光学特性が
得られるという特徴がある。
【０００４】しかしながら、これらのＳｉ、Ｇｅ、Ｚｒ
がドープされたＺｎＯ透明導電膜は、例えば、温度６０
℃、相対湿度９６％の高温高湿下に放置しておくと、抵
抗値が経時変化して導電性が低下するため、高温高湿下
で使用する場合耐久性が問題であった。
がドープされたＺｎＯ透明導電膜は、例えば、温度６０
℃、相対湿度９６％の高温高湿下に放置しておくと、抵
抗値が経時変化して導電性が低下するため、高温高湿下
で使用する場合耐久性が問題であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点に
鑑みてなされたものであり、その目的は、高温高湿下で
使用しても抵抗値の経時変化が少なく、耐久性の優れた
ＺｎＯ系透明導電体を製造する方法を提供することにあ
る。
鑑みてなされたものであり、その目的は、高温高湿下で
使用しても抵抗値の経時変化が少なく、耐久性の優れた
ＺｎＯ系透明導電体を製造する方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の透明導電体の製
造方法は、ＺｎＯターゲットとＳｉＯ2 ターゲットに別
々の高周波電力を投入して二元同時スパッタリングを行
って、基材上にシリコンがドープされたＺｎＯからなる
透明導電膜を形成する。
造方法は、ＺｎＯターゲットとＳｉＯ2 ターゲットに別
々の高周波電力を投入して二元同時スパッタリングを行
って、基材上にシリコンがドープされたＺｎＯからなる
透明導電膜を形成する。
【０００７】上記基材としては、ガラス、プラスチッ
ク、金属、セラミックス等が使用可能であるが、透明性
に優れたガラス、プラスチックが好ましい。プラスチッ
クとしては、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂シートが好
ましい。
ク、金属、セラミックス等が使用可能であるが、透明性
に優れたガラス、プラスチックが好ましい。プラスチッ
クとしては、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂シートが好
ましい。
【０００８】上記プラスッチクを基材として用いる場合
は、成膜中に基材表面から水分が蒸発し、これが膜内部
に混入して導電性を低下させることが予想されるため、
予めハードコート処理しておくのが好ましい。ハードコ
ート処理としては、基材上にＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 などの
金属酸化物皮膜をスパッタリングや真空蒸着などの方法
により形成してもよく、市販されているシリコン系又は
メラミン系のハードコート剤を使用してハードコート皮
膜を形成してもよい。
は、成膜中に基材表面から水分が蒸発し、これが膜内部
に混入して導電性を低下させることが予想されるため、
予めハードコート処理しておくのが好ましい。ハードコ
ート処理としては、基材上にＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 などの
金属酸化物皮膜をスパッタリングや真空蒸着などの方法
により形成してもよく、市販されているシリコン系又は
メラミン系のハードコート剤を使用してハードコート皮
膜を形成してもよい。
【０００９】上記透明導電膜は、シリコンがドープされ
たＺｎＯから形成され、高周波スパッタリング法により
基材上に形成される。透明導電膜を形成するために、Ｚ
ｎＯターゲットとＳｉＯ2 ターゲットとを別々に設け、
それぞれのターゲットに独立した高周波電力を投入して
同時にスパッタリングを行うことができる多元同時スパ
ッタリング装置が用いられる。この多元同時スパッタリ
ング装置としては、平行平板型の多元同時スパッタリン
グ装置や、カルーセル型の多元同時スパッタリング装置
が用いられる。
たＺｎＯから形成され、高周波スパッタリング法により
基材上に形成される。透明導電膜を形成するために、Ｚ
ｎＯターゲットとＳｉＯ2 ターゲットとを別々に設け、
それぞれのターゲットに独立した高周波電力を投入して
同時にスパッタリングを行うことができる多元同時スパ
ッタリング装置が用いられる。この多元同時スパッタリ
ング装置としては、平行平板型の多元同時スパッタリン
グ装置や、カルーセル型の多元同時スパッタリング装置
が用いられる。
【００１０】上記スパッタリングにおいて、ＺｎＯター
ゲットに投入する高周波電力は、小さくなると得られる
透明導電膜は高温高湿下で抵抗値の経時変化が大きくな
り、大きくなると入射イオンのターゲット内でのエネル
ギー損失が増加し、有効にスパッタ原子にエネルギーが
伝達されず、さらにターゲットにクラックが生じる等悪
影響を及ぼすので、ターゲット面積１ｃｍ2 当たり３〜
２０Ｗに限定され、好ましくは５〜１２Ｗである。
ゲットに投入する高周波電力は、小さくなると得られる
透明導電膜は高温高湿下で抵抗値の経時変化が大きくな
り、大きくなると入射イオンのターゲット内でのエネル
ギー損失が増加し、有効にスパッタ原子にエネルギーが
伝達されず、さらにターゲットにクラックが生じる等悪
影響を及ぼすので、ターゲット面積１ｃｍ2 当たり３〜
２０Ｗに限定され、好ましくは５〜１２Ｗである。
【００１１】また、ＳｉＯ2 ターゲットに投入する高周
波電力は、小さくなるとＺｎＯ膜中に含まれるＳｉの含
有量が少なくなり過ぎ十分なドーピング効果が発現しな
いため優れた導電性を有する透明導電膜が得られず、ま
た、十分な耐久性も得られず、大きくなるとＺｎＯ膜中
に含まれるＳｉの含有量が過剰になり過ぎるため抵抗値
が急増し優れた導電性を有する透明導電膜が得られない
ので、ＺｎＯターゲットに投入する高周波電力の０．０
５〜０．６倍に限定され、好ましくは０．１〜０．４倍
である。
波電力は、小さくなるとＺｎＯ膜中に含まれるＳｉの含
有量が少なくなり過ぎ十分なドーピング効果が発現しな
いため優れた導電性を有する透明導電膜が得られず、ま
た、十分な耐久性も得られず、大きくなるとＺｎＯ膜中
に含まれるＳｉの含有量が過剰になり過ぎるため抵抗値
が急増し優れた導電性を有する透明導電膜が得られない
ので、ＺｎＯターゲットに投入する高周波電力の０．０
５〜０．６倍に限定され、好ましくは０．１〜０．４倍
である。
【００１２】以下、本発明で用いられる多元同時スパッ
タリング装置につき、図１に示された概略図に基づいて
説明する。図中１は真空槽を示し、真空槽１は油回転ポ
ンプとクライオポンプとを組み合わせた排気装置（図示
せず）により、所定の圧力（具体的には、１×１０-5Ｔ
ｏｒｒ以下）に保たれる。上記真空槽１内の下部にはＡ
及びＢの２個のターゲットが設けられており、そのうち
一方がＺｎＯであり、もう一方がＳｉＯ2 である。
タリング装置につき、図１に示された概略図に基づいて
説明する。図中１は真空槽を示し、真空槽１は油回転ポ
ンプとクライオポンプとを組み合わせた排気装置（図示
せず）により、所定の圧力（具体的には、１×１０-5Ｔ
ｏｒｒ以下）に保たれる。上記真空槽１内の下部にはＡ
及びＢの２個のターゲットが設けられており、そのうち
一方がＺｎＯであり、もう一方がＳｉＯ2 である。
【００１３】ターゲットＡ及びＢは、それぞれ別々のマ
ッチングボックス２、増幅器３に接続されており、Ａ、
Ｂはそれぞれ異なった高周波電力でスパッタリングする
ことができる。また、上記スパッタリング装置は、二つ
のターゲットＡ及びＢへの投入電力を個別に制御するこ
とにより、ＺｎＯとＳｉＯ2 の成膜速度を個別に制御す
ることができるため、ドーパント（Ｓｉ）濃度の制御さ
れたＺｎＯ透明導電膜を形成することができる。
ッチングボックス２、増幅器３に接続されており、Ａ、
Ｂはそれぞれ異なった高周波電力でスパッタリングする
ことができる。また、上記スパッタリング装置は、二つ
のターゲットＡ及びＢへの投入電力を個別に制御するこ
とにより、ＺｎＯとＳｉＯ2 の成膜速度を個別に制御す
ることができるため、ドーパント（Ｓｉ）濃度の制御さ
れたＺｎＯ透明導電膜を形成することができる。
【００１４】上記真空槽１内の上部の、ターゲットＡ及
びＢと対向する位置に、透明導電膜を設ける基板Ｃを取
り付けるためのスパッターテーブル５が配置されてい
る。このスパッターテーブル５はモーター６によって、
一定の回転速度で回転可能となされている。また、スパ
ッターテーブル５と、ターゲットＡ及びＢの間にはシャ
ッター７が設けられている。
びＢと対向する位置に、透明導電膜を設ける基板Ｃを取
り付けるためのスパッターテーブル５が配置されてい
る。このスパッターテーブル５はモーター６によって、
一定の回転速度で回転可能となされている。また、スパ
ッターテーブル５と、ターゲットＡ及びＢの間にはシャ
ッター７が設けられている。
【００１５】成膜は、基材Ｃを取り付けたスパッターテ
ーブル５を回転させながら行ってもよいし、スパッター
テーブル５を回転させずに固定したままで行ってもよ
い。但し、基材Ｃを回転させずに成膜を行う場合は、タ
ーゲットＡ及びＢのスパッター粒子両方が到達しうるス
パッターテーブル５内の領域に基材Ｃを取り付けるのが
好ましい。また、得られる透明導電膜の抵抗値の面内分
布をより均一にするためには、１０〜１００ｒｐｍの回
転速度で基材Ｃを回転させながら成膜するのが好まし
い。
ーブル５を回転させながら行ってもよいし、スパッター
テーブル５を回転させずに固定したままで行ってもよ
い。但し、基材Ｃを回転させずに成膜を行う場合は、タ
ーゲットＡ及びＢのスパッター粒子両方が到達しうるス
パッターテーブル５内の領域に基材Ｃを取り付けるのが
好ましい。また、得られる透明導電膜の抵抗値の面内分
布をより均一にするためには、１０〜１００ｒｐｍの回
転速度で基材Ｃを回転させながら成膜するのが好まし
い。
【００１６】上記真空槽１内の下部には基材Ｃ加熱用の
赤外線ランプ４が設けられており、この赤外線ランプ４
に電力を供給することによって、基材Ｃを所定の温度ま
で輻射加熱することが可能である。室温で成膜を行う場
合は、赤外線ランプ４による基材Ｃ加熱の必要はない
が、透明導電膜の環境耐久性を向上させるためには、こ
の赤外線ランプ４により基材Ｃを１００〜４００℃の温
度で加熱しながら成膜するのが好ましい。但し、基材Ｃ
としてプラスチック等の低融点基材を用いる場合は、基
材Ｃの耐熱温度を考慮して基材加熱を行うのが好まし
い。
赤外線ランプ４が設けられており、この赤外線ランプ４
に電力を供給することによって、基材Ｃを所定の温度ま
で輻射加熱することが可能である。室温で成膜を行う場
合は、赤外線ランプ４による基材Ｃ加熱の必要はない
が、透明導電膜の環境耐久性を向上させるためには、こ
の赤外線ランプ４により基材Ｃを１００〜４００℃の温
度で加熱しながら成膜するのが好ましい。但し、基材Ｃ
としてプラスチック等の低融点基材を用いる場合は、基
材Ｃの耐熱温度を考慮して基材加熱を行うのが好まし
い。
【００１７】実際にスパッタリングを行うには、まず、
ターゲットＡにＺｎＯを取り付け、、ターゲットＢにＳ
ｉＯ2 をそれぞれ取り付けた後、スパッターテーブル５
に基材Ｃを取り付ける。基材Ｃを回転させる場合は、モ
ーター６によってスパッターテーブル５を１０〜１００
ｒｐｍの回転速度で回転させる。また、基材加熱を行う
場合は、赤外線ランプ４に電力を供給し、基材Ｃを１０
０〜４００℃の所定温度まで加熱する。尚、この時点で
はシャッター７は閉じたままの状態にしておく。
ターゲットＡにＺｎＯを取り付け、、ターゲットＢにＳ
ｉＯ2 をそれぞれ取り付けた後、スパッターテーブル５
に基材Ｃを取り付ける。基材Ｃを回転させる場合は、モ
ーター６によってスパッターテーブル５を１０〜１００
ｒｐｍの回転速度で回転させる。また、基材加熱を行う
場合は、赤外線ランプ４に電力を供給し、基材Ｃを１０
０〜４００℃の所定温度まで加熱する。尚、この時点で
はシャッター７は閉じたままの状態にしておく。
【００１８】次に、排気装置（図示せず）によって、真
空槽１内を１×１０-5Ｔｏｒｒ以下）に排気した後、ガ
ス導入バルブ８を開くことによって、アルゴン、ヘリウ
ム、ネオン等の不活性ガスを真空槽１内に導入する。真
空槽１内の圧力は不活性ガスの導入量をマスフローコン
トローラー９により調節することによって制御するが、
成膜時の真空槽１内の圧力は、１×１０-3〜１×１０-1
Ｔｏｒｒの範囲が好ましい。その理由は、真空槽１内の
圧力はこの範囲を越えると、不活性ガスによるターゲッ
ト材のスパッタリングが効率よく行われないため、成膜
速度が著しく低くなり成膜が困難となるからである。
空槽１内を１×１０-5Ｔｏｒｒ以下）に排気した後、ガ
ス導入バルブ８を開くことによって、アルゴン、ヘリウ
ム、ネオン等の不活性ガスを真空槽１内に導入する。真
空槽１内の圧力は不活性ガスの導入量をマスフローコン
トローラー９により調節することによって制御するが、
成膜時の真空槽１内の圧力は、１×１０-3〜１×１０-1
Ｔｏｒｒの範囲が好ましい。その理由は、真空槽１内の
圧力はこの範囲を越えると、不活性ガスによるターゲッ
ト材のスパッタリングが効率よく行われないため、成膜
速度が著しく低くなり成膜が困難となるからである。
【００１９】続いて、基材加熱を行う場合は基材温度が
設定温度に到達し安定した後に、ターゲットＡ及びＢ
に、各々独立した増幅器３により高周波電力を投入する
ことにより放電を形成させ、各ターゲットをスパッタリ
ングする。ターゲットＡ及びＢへの投入電力を各々上記
範囲の電力値に設定した後、シャッター７を開け、各タ
ーゲットＡ、Ｂをスパッタリングすることにより、基板
Ｃ上への成膜を開始する。成膜開始後、各ターゲット
Ａ、Ｂへの投入電力を制御することにより、ＳｉＯ2 と
ＺｎＯの成膜速度を制御し、基材Ｃ上にＳｉがドープさ
れたＺｎＯ透明導電膜を形成する。
設定温度に到達し安定した後に、ターゲットＡ及びＢ
に、各々独立した増幅器３により高周波電力を投入する
ことにより放電を形成させ、各ターゲットをスパッタリ
ングする。ターゲットＡ及びＢへの投入電力を各々上記
範囲の電力値に設定した後、シャッター７を開け、各タ
ーゲットＡ、Ｂをスパッタリングすることにより、基板
Ｃ上への成膜を開始する。成膜開始後、各ターゲット
Ａ、Ｂへの投入電力を制御することにより、ＳｉＯ2 と
ＺｎＯの成膜速度を制御し、基材Ｃ上にＳｉがドープさ
れたＺｎＯ透明導電膜を形成する。
【００２０】上記透明導電膜の膜厚は、薄くなると６０
℃、９６％ＲＨの高温高湿条件下で十分な耐久性を発揮
することができず、厚くなると干渉色が目立つ等の光学
特性に問題が生じるため、２００Å〜３，０００Åが好
ましい。
℃、９６％ＲＨの高温高湿条件下で十分な耐久性を発揮
することができず、厚くなると干渉色が目立つ等の光学
特性に問題が生じるため、２００Å〜３，０００Åが好
ましい。
【００２１】次に、本発明２について説明する。本発明
の透明導電体の製造方法は、ＺｎＯターゲットとＡｌ2
Ｏ3 ターゲットに別々の高周波電力を投入して二元同時
スパッタリングを行って、基材上にアルミニウムがドー
プされたＺｎＯからなる透明導電膜を形成する。
の透明導電体の製造方法は、ＺｎＯターゲットとＡｌ2
Ｏ3 ターゲットに別々の高周波電力を投入して二元同時
スパッタリングを行って、基材上にアルミニウムがドー
プされたＺｎＯからなる透明導電膜を形成する。
【００２２】上記基材としては、本発明で用いられるも
のと同一の基材が好適に使用される。
のと同一の基材が好適に使用される。
【００２３】上記透明導電膜は、アルミニウムがドープ
されたＺｎＯから形成され、高周波スパッタリング法に
より基材上に形成される。透明導電膜を形成するため
に、ＺｎＯターゲットとＡｌ2 Ｏ3 ターゲットとを別々
に設け、それぞれのターゲットに独立した高周波電力の
投入が可能である多元同時スパッタリング装置を使用し
て行われる。上記多元同時スパッタリング装置として
は、平行平板型又はカルーセル型のいずれでもよい。
されたＺｎＯから形成され、高周波スパッタリング法に
より基材上に形成される。透明導電膜を形成するため
に、ＺｎＯターゲットとＡｌ2 Ｏ3 ターゲットとを別々
に設け、それぞれのターゲットに独立した高周波電力の
投入が可能である多元同時スパッタリング装置を使用し
て行われる。上記多元同時スパッタリング装置として
は、平行平板型又はカルーセル型のいずれでもよい。
【００２４】上記スパッタリングにおいて、ＺｎＯター
ゲットに投入する高周波電力は、本発明と同様な理由に
より、ターゲット面積１ｃｍ2 当たり３〜２０Ｗに限定
され、好ましくは５〜１２Ｗである。
ゲットに投入する高周波電力は、本発明と同様な理由に
より、ターゲット面積１ｃｍ2 当たり３〜２０Ｗに限定
され、好ましくは５〜１２Ｗである。
【００２５】また、Ａｌ2 Ｏ3 ターゲットに投入する高
周波電力は、小さくなるとＺｎＯ膜中に含まれるＡｌの
含有量が少なくなり過ぎ十分なドーピング効果が発現し
ないため優れた導電性を有する透明導電膜が得られず、
また、十分な耐久性も得られず、大きくなるとＺｎＯ膜
中に含まれるＡｌの含有量が過剰になり過ぎるため抵抗
値が急増し優れた導電性を有する透明導電膜が得られな
いので、ＺｎＯターゲットに投入する高周波電力の０．
０５〜１．２倍に限定され、好ましくは０．２〜１倍で
ある。
周波電力は、小さくなるとＺｎＯ膜中に含まれるＡｌの
含有量が少なくなり過ぎ十分なドーピング効果が発現し
ないため優れた導電性を有する透明導電膜が得られず、
また、十分な耐久性も得られず、大きくなるとＺｎＯ膜
中に含まれるＡｌの含有量が過剰になり過ぎるため抵抗
値が急増し優れた導電性を有する透明導電膜が得られな
いので、ＺｎＯターゲットに投入する高周波電力の０．
０５〜１．２倍に限定され、好ましくは０．２〜１倍で
ある。
【００２６】上記スパッタリングにおいて、本発明で使
用されるものと同様な多元同時スパッタリング装置が用
いられ、ＳｉＯ2 ターゲットの代わりにＡｌ2 Ｏ3 ター
ゲットが使用される。
用されるものと同様な多元同時スパッタリング装置が用
いられ、ＳｉＯ2 ターゲットの代わりにＡｌ2 Ｏ3 ター
ゲットが使用される。
【００２７】上記透明導電膜の膜厚は、本発明と同様な
理由により、２００Å〜３，０００Åが好ましい。
理由により、２００Å〜３，０００Åが好ましい。
【００２８】次に、本発明３について説明する。本発明
の透明導電体の製造方法は、ＺｎＯターゲットとＺｒＯ
2 ターゲットに別々の高周波電力を投入して二元同時ス
パッタリングを行って、基材上にジルコニウムがドープ
されたＺｎＯからなる透明導電膜を形成する。
の透明導電体の製造方法は、ＺｎＯターゲットとＺｒＯ
2 ターゲットに別々の高周波電力を投入して二元同時ス
パッタリングを行って、基材上にジルコニウムがドープ
されたＺｎＯからなる透明導電膜を形成する。
【００２９】上記基材としては、本発明で用いられるも
のと同一の基材が好適に使用される。
のと同一の基材が好適に使用される。
【００３０】上記透明導電膜は、ジルコニウムがドープ
されたＺｎＯから形成され、高周波スパッタリング法に
より基材上に形成される。透明導電膜を形成するため
に、ＺｎＯターゲットとＺｒＯ2 ターゲットとを別々に
設け、それぞれのターゲットに独立した高周波電力の投
入が可能である多元同時スパッタリング装置を使用して
行われる。上記多元同時スパッタリング装置としては、
平行平板型又はカルーセル型のいずれでもよい。
されたＺｎＯから形成され、高周波スパッタリング法に
より基材上に形成される。透明導電膜を形成するため
に、ＺｎＯターゲットとＺｒＯ2 ターゲットとを別々に
設け、それぞれのターゲットに独立した高周波電力の投
入が可能である多元同時スパッタリング装置を使用して
行われる。上記多元同時スパッタリング装置としては、
平行平板型又はカルーセル型のいずれでもよい。
【００３１】上記スパッタリングにおいて、ＺｎＯター
ゲットに投入する高周波電力は、本発明と同様な理由に
より、ターゲット面積１ｃｍ2 当たり３〜２０Ｗに限定
され、好ましくは５〜１２Ｗである。
ゲットに投入する高周波電力は、本発明と同様な理由に
より、ターゲット面積１ｃｍ2 当たり３〜２０Ｗに限定
され、好ましくは５〜１２Ｗである。
【００３２】また、ＺｒＯ2 ターゲットに投入する高周
波電力は、小さくなるとＺｎＯ膜中に含まれるＺｒの含
有量が少なくなり過ぎ十分なドーピング効果が発現しな
いため優れた導電性を有する透明導電膜が得られず、ま
た、十分な耐久性も得られず、大きくなるとＺｎＯ膜中
に含まれるＺｒの含有量が過剰になり過ぎるため抵抗値
が急増し優れた導電性を有する透明導電膜が得られない
ので、ＺｎＯターゲットに投入する高周波電力の０．０
５〜０．８倍に限定され、好ましくは０．１〜０．５倍
である。
波電力は、小さくなるとＺｎＯ膜中に含まれるＺｒの含
有量が少なくなり過ぎ十分なドーピング効果が発現しな
いため優れた導電性を有する透明導電膜が得られず、ま
た、十分な耐久性も得られず、大きくなるとＺｎＯ膜中
に含まれるＺｒの含有量が過剰になり過ぎるため抵抗値
が急増し優れた導電性を有する透明導電膜が得られない
ので、ＺｎＯターゲットに投入する高周波電力の０．０
５〜０．８倍に限定され、好ましくは０．１〜０．５倍
である。
【００３３】上記スパッタリングにおいて、本発明で使
用されるものと同様な多元同時スパッタリング装置が用
いられ、ＳｉＯ2 ターゲットの代わりにＺｒＯ2 ターゲ
ットが使用される。
用されるものと同様な多元同時スパッタリング装置が用
いられ、ＳｉＯ2 ターゲットの代わりにＺｒＯ2 ターゲ
ットが使用される。
【００３４】上記透明導電膜の膜厚は、本発明と同様な
理由により、２００Å〜３，０００Åが好ましい。
理由により、２００Å〜３，０００Åが好ましい。
【００３５】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 （実施例１〜１２）基材Ｃとしてスライドガラス（マツ
ナミ社製「Ｓ１１１１」、８０×３０×１ｍｍ厚）を、
図１に示した多元同時スパッタリング装置（芝浦製作所
製「ＣＳＦ−８ＥＰ−５５」）のスパッターテーブル５
に、ターゲットＡ、Ｂからほぼ等距離に位置するように
取り付けた。また、ターゲットＡとしてＺｎＯ、ターゲ
ットＢとしてＳｉＯ2 をそれぞれ取り付けた。ターゲッ
トＡ及びターゲットＢの形状は直径５インチの円盤状で
あり、その表面積１２５ｃｍ2 のものを使用した。
ナミ社製「Ｓ１１１１」、８０×３０×１ｍｍ厚）を、
図１に示した多元同時スパッタリング装置（芝浦製作所
製「ＣＳＦ−８ＥＰ−５５」）のスパッターテーブル５
に、ターゲットＡ、Ｂからほぼ等距離に位置するように
取り付けた。また、ターゲットＡとしてＺｎＯ、ターゲ
ットＢとしてＳｉＯ2 をそれぞれ取り付けた。ターゲッ
トＡ及びターゲットＢの形状は直径５インチの円盤状で
あり、その表面積１２５ｃｍ2 のものを使用した。
【００３６】次いで、真空槽１内を１×１０-5Ｔｏｒｒ
以下になるまで真空排気した後、ガス導入バルブ８を開
き、スパッターガスとしてＡｒガスをマスフローコント
ローラー９を用いて真空槽１内に５０ＳＣＣＭ導入し、
槽内圧力を５×１０-3Ｔｏｒｒとした。さらに、真空槽
１内の底部に配置された赤外線ランプ４によりスライド
ガラスを所定の温度になるまで加熱した。
以下になるまで真空排気した後、ガス導入バルブ８を開
き、スパッターガスとしてＡｒガスをマスフローコント
ローラー９を用いて真空槽１内に５０ＳＣＣＭ導入し、
槽内圧力を５×１０-3Ｔｏｒｒとした。さらに、真空槽
１内の底部に配置された赤外線ランプ４によりスライド
ガラスを所定の温度になるまで加熱した。
【００３７】さらに、スパッターテーブル５をモーター
６によって回転速度２０ｒｐｍで回転させながら、ター
ゲットＡ及びＢに高周波電力（発振周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ）を投入し、シャッター７を開けることにより成膜
を開始し、スライドガラス上にＳｉを含有するＺｎＯ透
明導電膜を形成した。但し、実施例１１については、基
材Ｃとしてハードコート処理されたポリカーボネート板
（三菱ガス化学社製「ＭＲ−３」、８０×３０×１ｍ
ｍ）を使用した。尚、成膜時の各ターゲットに投入する
高周波電力、基材の加熱温度及び成膜時間を表１に示し
た。
６によって回転速度２０ｒｐｍで回転させながら、ター
ゲットＡ及びＢに高周波電力（発振周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ）を投入し、シャッター７を開けることにより成膜
を開始し、スライドガラス上にＳｉを含有するＺｎＯ透
明導電膜を形成した。但し、実施例１１については、基
材Ｃとしてハードコート処理されたポリカーボネート板
（三菱ガス化学社製「ＭＲ−３」、８０×３０×１ｍ
ｍ）を使用した。尚、成膜時の各ターゲットに投入する
高周波電力、基材の加熱温度及び成膜時間を表１に示し
た。
【００３８】
【表１】
【００３９】（比較例１〜３）各ターゲットへの投入電
力及び成膜時間を、表２に示すように変えたこと以外
は、実施例１と同様にして、基材上にＳｉを含有するＺ
ｎＯ透明導電膜を形成した。
力及び成膜時間を、表２に示すように変えたこと以外
は、実施例１と同様にして、基材上にＳｉを含有するＺ
ｎＯ透明導電膜を形成した。
【００４０】（比較例４）ターゲットＢを全く使用せ
ず、ターゲットＡとして２．５重量％のＳｉＯ2 を含有
するＺｎＯ（直径５インチの円盤状、表面積１２５ｃｍ
2 、表２中ＳｉＯ2含有ＺｎＯと記す）を使用し、表２
に示した高周波電力、基材加熱温度及び成膜時間とした
こと以外は、実施例１と同様にして、基材上にＳｉを含
有するＺｎＯ透明導電膜を形成した。
ず、ターゲットＡとして２．５重量％のＳｉＯ2 を含有
するＺｎＯ（直径５インチの円盤状、表面積１２５ｃｍ
2 、表２中ＳｉＯ2含有ＺｎＯと記す）を使用し、表２
に示した高周波電力、基材加熱温度及び成膜時間とした
こと以外は、実施例１と同様にして、基材上にＳｉを含
有するＺｎＯ透明導電膜を形成した。
【００４１】（比較例５）ターゲットＢとしてＳｉ（直
径５インチの円盤状、表面積１２５ｃｍ2 ）を使用し、
表２に示した高周波電力、基材加熱温度及び成膜時間と
したこと以外は、実施例１と同様にして、基材上にＳｉ
を含有するＺｎＯ透明導電膜を形成した。
径５インチの円盤状、表面積１２５ｃｍ2 ）を使用し、
表２に示した高周波電力、基材加熱温度及び成膜時間と
したこと以外は、実施例１と同様にして、基材上にＳｉ
を含有するＺｎＯ透明導電膜を形成した。
【００４２】
【表２】
【００４３】（実施例１３〜２４）ターゲットＢとして
Ａｌ2 Ｏ3 （直径５インチの円盤状、表面積１２５ｃｍ
2）を使用し、高周波電力、基材加熱温度及び成膜時間
を表３に示したように変えたこと以外は、実施例１と同
様にして、基材上にＡｌを含有するＺｎＯ透明導電膜を
形成した。但し、実施例２３については、基材Ｃとして
ハードコート処理されたポリカーボネート板（三菱ガス
化学社製「ＭＲ−３」、８０×３０×１ｍｍ）を使用し
た。
Ａｌ2 Ｏ3 （直径５インチの円盤状、表面積１２５ｃｍ
2）を使用し、高周波電力、基材加熱温度及び成膜時間
を表３に示したように変えたこと以外は、実施例１と同
様にして、基材上にＡｌを含有するＺｎＯ透明導電膜を
形成した。但し、実施例２３については、基材Ｃとして
ハードコート処理されたポリカーボネート板（三菱ガス
化学社製「ＭＲ−３」、８０×３０×１ｍｍ）を使用し
た。
【００４４】
【表３】
【００４５】（比較例６〜８）各ターゲットへの投入電
力及び成膜時間を、表４に示すように変えたこと以外
は、実施例１３と同様にして、基材上にＡｌを含有する
ＺｎＯ透明導電膜を形成した。
力及び成膜時間を、表４に示すように変えたこと以外
は、実施例１３と同様にして、基材上にＡｌを含有する
ＺｎＯ透明導電膜を形成した。
【００４６】（比較例９）ターゲットＢを全く使用せ
ず、ターゲットＡとして２重量％のＡｌ2 Ｏ3 を含有す
るＺｎＯ（直径５インチの円盤状、表面積１２５ｃ
ｍ2 、表４中Ａｌ2 Ｏ3含有ＺｎＯと記す）を使用し、
表４に示した高周波電力、基材加熱温度及び成膜時間と
したこと以外は、実施例１と同様にして、基材上にＡｌ
を含有するＺｎＯ透明導電膜を形成した。
ず、ターゲットＡとして２重量％のＡｌ2 Ｏ3 を含有す
るＺｎＯ（直径５インチの円盤状、表面積１２５ｃ
ｍ2 、表４中Ａｌ2 Ｏ3含有ＺｎＯと記す）を使用し、
表４に示した高周波電力、基材加熱温度及び成膜時間と
したこと以外は、実施例１と同様にして、基材上にＡｌ
を含有するＺｎＯ透明導電膜を形成した。
【００４７】（比較例１０）ターゲットＢとしてＡｌ
（直径５インチの円盤状、表面積１２５ｃｍ2 ）を使用
し、表４に示した高周波電力、基材加熱温度及び成膜時
間としたこと以外は、実施例１と同様にして、基材上に
Ａｌを含有するＺｎＯ透明導電膜を形成した。
（直径５インチの円盤状、表面積１２５ｃｍ2 ）を使用
し、表４に示した高周波電力、基材加熱温度及び成膜時
間としたこと以外は、実施例１と同様にして、基材上に
Ａｌを含有するＺｎＯ透明導電膜を形成した。
【００４８】
【表４】
【００４９】（実施例２５〜３４）ターゲットＢとして
ＺｒＯ2 （直径５インチの円盤状、表面積１２５ｃ
ｍ2 ）を使用し、高周波電力、基材加熱温度及び成膜時
間を表５に示したように変えたこと以外は、実施例１と
同様にして、基材上にＺｒを含有するＺｎＯ透明導電膜
を形成した。但し、実施例３３については、基材Ｃとし
てハードコート処理されたポリカーボネート板（三菱ガ
ス化学社製「ＭＲ−３」、８０×３０×１ｍｍ）を使用
した。
ＺｒＯ2 （直径５インチの円盤状、表面積１２５ｃ
ｍ2 ）を使用し、高周波電力、基材加熱温度及び成膜時
間を表５に示したように変えたこと以外は、実施例１と
同様にして、基材上にＺｒを含有するＺｎＯ透明導電膜
を形成した。但し、実施例３３については、基材Ｃとし
てハードコート処理されたポリカーボネート板（三菱ガ
ス化学社製「ＭＲ−３」、８０×３０×１ｍｍ）を使用
した。
【００５０】
【表５】
【００５１】（比較例１１〜１３）各ターゲットへの投
入電力及び成膜時間を、表６に示すように変えたこと以
外は、実施例２５と同様にして、基材上にＺｒを含有す
るＺｎＯ透明導電膜を形成した。
入電力及び成膜時間を、表６に示すように変えたこと以
外は、実施例２５と同様にして、基材上にＺｒを含有す
るＺｎＯ透明導電膜を形成した。
【００５２】（比較例１４）ターゲットＢを全く使用せ
ず、ターゲットＡとして２重量％のＺｒＯ2 を含有する
ＺｎＯ（直径５インチの円盤状、表面積１２５ｃｍ2 、
表６中ＺｒＯ2 含有ＺｎＯと記す）を使用し、表６に示
した高周波電力、基材加熱温度及び成膜時間としたこと
以外は、実施例１と同様にして、基材上にＺｒを含有す
るＺｎＯ透明導電膜を形成した。
ず、ターゲットＡとして２重量％のＺｒＯ2 を含有する
ＺｎＯ（直径５インチの円盤状、表面積１２５ｃｍ2 、
表６中ＺｒＯ2 含有ＺｎＯと記す）を使用し、表６に示
した高周波電力、基材加熱温度及び成膜時間としたこと
以外は、実施例１と同様にして、基材上にＺｒを含有す
るＺｎＯ透明導電膜を形成した。
【００５３】（比較例１５）ターゲットＢとしてＺｒ
（直径５インチの円盤状、表面積１２５ｃｍ2 ）を使用
し、表６に示した高周波電力、基材加熱温度及び成膜時
間としたこと以外は、実施例１と同様にして、基材上に
Ｚｒを含有するＺｎＯ透明導電膜を形成した。
（直径５インチの円盤状、表面積１２５ｃｍ2 ）を使用
し、表６に示した高周波電力、基材加熱温度及び成膜時
間としたこと以外は、実施例１と同様にして、基材上に
Ｚｒを含有するＺｎＯ透明導電膜を形成した。
【００５４】
【表６】
【００５５】透明導電体の性能評価 上記実施例及び比較例で得られた透明導電体につき下記
の測定ならびに性能評価を行い、その結果を表７、８及
び９に示した。 （１）膜厚 基材Ｃの一部をマスキングして設けた段差を触針式の膜
厚計（スローン社製「Ｄｅｋｔａｋ３０３０」）によっ
て読み取り、透明導電膜の膜厚とした。
の測定ならびに性能評価を行い、その結果を表７、８及
び９に示した。 （１）膜厚 基材Ｃの一部をマスキングして設けた段差を触針式の膜
厚計（スローン社製「Ｄｅｋｔａｋ３０３０」）によっ
て読み取り、透明導電膜の膜厚とした。
【００５６】（２）シート抵抗 成膜直後の透明導電膜のシート抵抗を抵抗率計（三菱油
化社製「ロレスタＭＣＰ−Ｔ５００」、四端子法）を用
いて測定した。尚、測定は基材上の６点で行い、その平
均値を初期のシート抵抗値とした。
化社製「ロレスタＭＣＰ−Ｔ５００」、四端子法）を用
いて測定した。尚、測定は基材上の６点で行い、その平
均値を初期のシート抵抗値とした。
【００５７】（３）光線透過率 自記分光光度計（島津製作所社製「ＵＶ−３１０１Ｐ
Ｃ」）を用いて、５５０ｎｍの波長における光線透過率
を測定した。
Ｃ」）を用いて、５５０ｎｍの波長における光線透過率
を測定した。
【００５８】（４）耐久性評価 温度６０℃、相対湿度９６％に設定した恒温恒湿槽（東
洋製作所製「アテンプターＡＧ−２型」）内に透明導電
膜を１，０００時間放置した後、透明導電膜のシート抵
抗を上記（２）と同様な方法で測定し、耐久性試験後の
シート抵抗値とした。
洋製作所製「アテンプターＡＧ−２型」）内に透明導電
膜を１，０００時間放置した後、透明導電膜のシート抵
抗を上記（２）と同様な方法で測定し、耐久性試験後の
シート抵抗値とした。
【００５９】
【表７】
【００６０】
【表８】
【００６１】
【表９】
【００６２】
【発明の効果】本発明の透明導電体の製造方法は、上述
の構成であり、ＳｉＯ2 ターゲットとＺｎＯターゲット
を個別に設け、それぞれのターゲットに異なる高周波電
力を投入して同時にスパッタリングを行って基材上に透
明導電膜を形成するので、高温高湿下において電気特性
の経時変化の少なく耐久性に優れた透明導電体が得られ
る。
の構成であり、ＳｉＯ2 ターゲットとＺｎＯターゲット
を個別に設け、それぞれのターゲットに異なる高周波電
力を投入して同時にスパッタリングを行って基材上に透
明導電膜を形成するので、高温高湿下において電気特性
の経時変化の少なく耐久性に優れた透明導電体が得られ
る。
【００６３】本発明２の透明導電体の製造方法は、上述
の構成であり、Ａｌ2 Ｏ3 ターゲットとＺｎＯターゲッ
トを個別に設け、それぞれのターゲットに異なる高周波
電力を投入して同時にスパッタリングを行って基材上に
透明導電膜を形成するので、高温高湿下において電気特
性の経時変化の少なく耐久性に優れた透明導電体が得ら
れる。
の構成であり、Ａｌ2 Ｏ3 ターゲットとＺｎＯターゲッ
トを個別に設け、それぞれのターゲットに異なる高周波
電力を投入して同時にスパッタリングを行って基材上に
透明導電膜を形成するので、高温高湿下において電気特
性の経時変化の少なく耐久性に優れた透明導電体が得ら
れる。
【００６４】本発明３の透明導電体の製造方法は、上述
の構成であり、ＺｒＯ2 ターゲットとＺｎＯターゲット
を個別に設け、それぞれのターゲットに異なる高周波電
力を投入して同時にスパッタリングを行って基材上に透
明導電膜を形成するので、高温高湿下において電気特性
の経時変化の少なく耐久性に優れた透明導電体が得られ
る。
の構成であり、ＺｒＯ2 ターゲットとＺｎＯターゲット
を個別に設け、それぞれのターゲットに異なる高周波電
力を投入して同時にスパッタリングを行って基材上に透
明導電膜を形成するので、高温高湿下において電気特性
の経時変化の少なく耐久性に優れた透明導電体が得られ
る。
【図１】本発明で用いられるスパッタリング装置を示す
概略図である。
概略図である。
１ 真空槽 ２ マッチングボックス ３ 増幅器 ４ 赤外線ランプ ５ スパッターテーブル ６ モーター ７ シャッター ８ ガス導入バルブ ９ マスフローコントローラー Ａ，Ｂ ターゲット Ｃ 基材
Claims (3)
- 【請求項１】 ＺｎＯターゲットとＳｉＯ2 ターゲット
に別々の高周波電力を投入して二元同時スパッタリング
により、基材上にシリコンがドープされたＺｎＯからな
る透明導電膜を形成する際に、ＺｎＯターゲットに投入
する高周波電力をターゲット１ｃｍ2 当たり３〜２０Ｗ
とし、ＳｉＯ2 ターゲットに投入する高周波電力をＺｎ
Ｏターゲットに投入する高周波電力の０．０５〜０．６
倍とすることを特徴とする透明導電体の製造方法。 - 【請求項２】 ＺｎＯターゲットとＡｌ2 Ｏ3 ターゲッ
トに別々の高周波電力を投入して二元同時スパッタリン
グにより、基材上にアルミニウムがドープされたＺｎＯ
からなる透明導電膜を形成する際に、ＺｎＯターゲット
に投入する高周波電力をターゲット１ｃｍ2 当たり３〜
２０Ｗとし、Ａｌ2 Ｏ3 ターゲットに投入する高周波電
力をＺｎＯターゲットに投入する高周波電力の０．０５
〜１．２倍とすることを特徴とする透明導電体の製造方
法。 - 【請求項３】 ＺｎＯターゲットとＺｒＯ2 ターゲット
に別々の高周波電力を投入して二元同時スパッタリング
により、基材上にジルコニウムがドープされたＺｎＯか
らなる透明導電膜を形成する際に、ＺｎＯターゲットに
投入する高周波電力をターゲット１ｃｍ2 当たり３〜２
０Ｗとし、ＺｒＯ2 ターゲットに投入する高周波電力を
ＺｎＯターゲットに投入する高周波電力の０．０５〜
０．８倍とすることを特徴とする透明導電体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8854094A JPH07288049A (ja) | 1994-02-25 | 1994-04-26 | 透明導電体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2832794 | 1994-02-25 | ||
| JP6-28327 | 1994-02-25 | ||
| JP8854094A JPH07288049A (ja) | 1994-02-25 | 1994-04-26 | 透明導電体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07288049A true JPH07288049A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=26366404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8854094A Pending JPH07288049A (ja) | 1994-02-25 | 1994-04-26 | 透明導電体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07288049A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010026899A1 (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-11 | 株式会社カネカ | 透明電極付き基板および透明電極付き基板の製造方法 |
| WO2010090101A1 (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-12 | 株式会社カネカ | 薄膜光電変換装置およびその製造方法 |
| WO2012077512A1 (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-14 | 東ソー株式会社 | 酸化亜鉛焼結体、スパッタリングターゲット及び酸化亜鉛薄膜 |
| US8859104B2 (en) | 2008-02-28 | 2014-10-14 | Isis Innovation Limited | Transparent conducting oxides |
| US9236157B2 (en) | 2009-09-03 | 2016-01-12 | Isis Innovation Limited | Transparent electrically conducting oxides |
-
1994
- 1994-04-26 JP JP8854094A patent/JPH07288049A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8859104B2 (en) | 2008-02-28 | 2014-10-14 | Isis Innovation Limited | Transparent conducting oxides |
| US9552902B2 (en) | 2008-02-28 | 2017-01-24 | Oxford University Innovation Limited | Transparent conducting oxides |
| WO2010026899A1 (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-11 | 株式会社カネカ | 透明電極付き基板および透明電極付き基板の製造方法 |
| US8895427B2 (en) | 2008-09-04 | 2014-11-25 | Kaneka Corporation | Substrate having a transparent electrode and method for producing the same |
| JP5697449B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2015-04-08 | 株式会社カネカ | 透明電極付き基板および透明電極付き基板の製造方法 |
| WO2010090101A1 (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-12 | 株式会社カネカ | 薄膜光電変換装置およびその製造方法 |
| JPWO2010090101A1 (ja) * | 2009-02-06 | 2012-08-09 | 株式会社カネカ | 薄膜光電変換装置およびその製造方法 |
| US9236157B2 (en) | 2009-09-03 | 2016-01-12 | Isis Innovation Limited | Transparent electrically conducting oxides |
| WO2012077512A1 (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-14 | 東ソー株式会社 | 酸化亜鉛焼結体、スパッタリングターゲット及び酸化亜鉛薄膜 |
| US9396830B2 (en) | 2010-12-06 | 2016-07-19 | Tosoh Corporation | Zinc oxide sintered compact, sputtering target, and zinc oxide thin film |
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