JP3970719B2 - 二酸化チタンを基礎とするスパッタターゲット - Google Patents
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- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 47
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 title claims description 21
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 3
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005328 architectural glass Substances 0.000 claims description 2
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004814 ceramic processing Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052861 titanite Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
- Y02T50/00—Aeronautics or air transport
- Y02T50/60—Efficient propulsion technologies, e.g. for aircraft
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、二酸化チタンからなるスパッタターゲットに関し、この場合このスパッタターゲットは、二酸化チタンからなる光学活性機能層を製造するために使用される。このような層は、例えば建築用ガラスを製造するために大面積のガラス被覆において別の物質からなる層と組み合わせて使用される。
【0002】
【従来の技術】
例えば、機能層としての銀層と誘電性反射防止層としての金属酸化物からなる少なくとも1つの他の層とからなる熱線反射層系は、例えばドイツ連邦共和国特許出願公開第4135701号明細書A1から公知である。銀層上に配置された金属酸化物層は、付加的に例えば銀層の長時間に亘る損傷を回避させるという課題を有している。金属酸化物層に対する要求は、光の可視光線波長領域で全層系の透過率をあまりに強く減少させてはならないことである(例えば、自動車のフロントガラスの場合には、少なくとも75%の透過度が必要とされる。ドイツ連邦共和国特許第19858227号明細書C1)。
【0003】
従って、このような層系に対する基本的な要求は、太陽光線のスペクトル範囲内で、即ち300〜2500nmの波長の際、殊に380〜780nmの可視光線の範囲内で透過率をできるだけ高くすることであり、他方、熱線の範囲内で、即ち4000〜50000nmの波長範囲内で、放射率のできるだけ低い値が要求されている(ドイツ連邦共和国特許出願公開第19922162号明細書A1)。このような層系は、刊行物に”low-e coating”(低熱放射率)として記載されている。例えば、(Szezyrbowski et.al 1999 Society of Vacuum Coaters 505/856-7188, 42nd Annual Technical Conference Proceedings (1999), p. 141-146)。ぞのために、実際に銀層の上方および/または下方に誘電性層が所謂”基本層”または”被覆層”として施こされる。この場合には、異なる金属酸化物ならびに幾つかの組合せが使用可能である。
【0004】
こうして製造された層の均一性および長時間安定性についての要件は、常に大きな基板(例えば、通常、3.21m×6.00mの寸法を有するガラス板、ドイツ連邦共和国特許出願公開第19922162号明細書A1)を使用し続ける場合には、よりいっそう高度になり、また、処理技術的なプロセスパラメーターは、安定性であるように際立った特徴を有していなければならない。
【0005】
例えば、この場合には、このように必要とされる高屈折性の性質を有する、記載された使用に適した金属酸化物層の場合には、金属酸化物を数多くの変態で生じさせることができることだけが指摘される。しかし、層系を製造する場合には、高屈折性の層の屈折率の再現可能性に向けての要求は、絶対に満たされなければならず、特殊な使用の場合には、2.3を上廻る屈折率を保証することが要求されている。それというのも、いずれにせよ二酸化チタン層の望ましい光学的機能は満足されていないからである。これは、全ての異なる機械的性質および光学的性質を有する、ルチル型、アナターゼ型および板チタン石型の変態で生じうる二酸化チタンの例について云えば、結晶格子構造に応じて、即ち二酸化チタンの変態に応じて、屈折率は、1.9〜2.6の間で変動しうることを意味する。従って、プロセスの実施における僅かな不安定性は、層の屈折率に対して重大な影響を及ぼしうる。
【0006】
異なる基板上に二酸化チタン層を得るために、刊行物には、数多くの方法、例えばスパッタリング、蒸発、化学蒸着および金属有機分解が記載されている。ドイツ連邦共和国特許出願公開第19845291号明細書A1には、例えばゾル−ゲル法による湿式化学的方法が記載されており、この場合には、最初に可溶性のチタン含有粉末が製造され、この粉末は、化学的プロセスの後に基板上に施こされ、引続く温度処理プロセスの後に層が形成される。
【0007】
前記方法とは異なり、PVD法(物理的蒸着)の場合には、被覆物質を気相中にもたらすようにして、基板の表面上に層が形成され、この場合には、通常、金属または金属化合物を用いて層が形成される。このPVD法の利点は、殆んど全ての金属、これらの合金および金属化合物を良好に例えば全ての物質(基板)上に付着させることができるという事実にあり、即ち、この場合、基板として適当であるのは、例えばガラス、プラスチック、セラミック、金属、金属合金である。
【0008】
スパッタリングまたは陰極スパッタリングは、PVD法に含まれ、この場合スパッタリングガス(例えば、アルゴン)は、プラズマ中でイオン化され、ガス雰囲気中でこうして生成された希ガスイオンは、物質源(ターゲット)上に転向される。この場合、イオンのエネルギーは、ターゲットから被覆物質としての原子が飛び出す程度の大きさである。ターゲットのスパッタリングされる成分は、被覆すべき物質片の表面上に望ましい層を形成させ、この場合には、スパッタリング過程の処理パラメーターによって層の性質、例えば硬度、組織構造、付着強さ、導電性、光学的性質および化学的安定性ならびに熱的安定性は、意図的に影響を及ぼされうる。
【0009】
導電性物質は、直流源を用いてスパッタリングされることができ、他方、誘電性物質をスパッタリングする際に、電圧が既にイオン性ターゲット物質上で低下しないようにするために、高周波プラズマは、ターゲットの前方で発生されなければならない。
【0010】
スパッタリング、即ち陰極スパッタリングは、”古典的な”蒸発と比較して、被覆および”蒸発”させるべき材料に関連して、物質を選択する場合には、本質的に多数の組合せが存在するという利点を有している。即ち、例えばプラズマを用いて所謂”蒸発室”中での反応を加えることができ、全処理方法において、即ち”反応性スパッタリング”と一緒に作業され、それによってさらに他の変法の可能性を開発することができることは、著しい利点である。
【0011】
ガス放電特性値の場合に望ましい処理パラメーターに相応して、主に不活性ガス、殊にアルゴンまたはヘリウムが使用される。更に、反応性ガス、例えば酸素、アセチレンまたは窒素も反応性ガススパッタリングに使用されてよい。不活性ガススパッタリングならびに反応性ガススパッタリングの場合、スパッタターゲットは、消費すべき物質溜めであり、この物質溜めから形成させることができる層は、専ら不活性ガススパッタリングの場合および反応性ガススパッタリングの場合に反応性ガスとの反応生成物の形で基板上に付着させることができる。従って、原理的な方法は、公知技術水準として記載されており、この場合には、薄層は、誘電性材料(即ち、本発明の場合には、金属酸化物、例えば二酸化チタン)は、スパッタリングによって発生させることができ、チタンからなるターゲットが使用され、このターゲットの金属成分は、プラズマ中で酸素と反応し、こうして生成された二酸化チタン層は、基板上に付着されるかまたは直接に二酸化チタンからなるターゲットが使用され、このターゲットは、スパッタリングされ、層として基板上に付着される。
【0012】
ドイツ連邦共和国特許出願公開第4211363号明細書A1およびドイツ連邦共和国特許出願公開第19520843号明細書A1には、例えば可視光線スペクトル領域で高い透過挙動を有しかつ熱線のために高い反射挙動を有する層を反応性スパッタリングを使用しながら製造するためのかかる方法および二酸化チタンからなる、層系中に組み込まれた層を有する、こうして製造された層の組合せが記載されている。公知の反応性スパッタリング処理の場合には、ターゲットは陰極である。また、選択的に、所謂二重電極が使用され、この二重電極は、交互に陽極および陰極として接続される。電気的出力は、例えばドイツ連邦共和国特許出願公開第3802852号明細書A1の記載と同様に、直流としてかまたは交流として電極に供給される。
【0013】
更に、誘電層、例えばSiO2、Al2O3、ZrO2、TiO2、ZnOを付着させるために、スパッタリングすべきターゲットは、前記化合物中に元素として存在する相応する金属成分からなり、この金属成分上には、例えばイオン化されたAr/O2混合物またはAr/N2混合物からなるプラズマ雲が衝突し、このプラズマ雲は、こうして金属ターゲット上にスパッタリングされて作用を生じる。次に、基板の表面上には、形成された酸化物化合物(または選択的に窒化物化合物)が付着される。
【0014】
ドイツ連邦共和国特許出願公開第19644752号明細書A1の記載から、高度な光学的性質を有する高い価値の金属酸化物層を達成させるための安定したスパッタリング条件が再現可能で工業的に安価な方法で費用のかかる処理制御装置を用いてのみ調節可能であることは、公知である。上記の特許明細書中で使用されたDCスパッタリングにより反応性スパッタリング処理でかかる誘電二酸化チタン層を安定して製造する場合の問題は、チタンターゲットが組み込まれている、得流電圧が供給された高出力陰極の陰極特性曲線がヒステリシスループを有することに原因がある。それによって、スパッタリング作業点は、酸素供給量に応じてプラズマ反応空間内で金属スパッタリング状態から無制御で酸化物スパッタリング状態に飛び移りうる。
【0015】
スパッタリング速度それ自体は、少なくとも2個の隣接した、それぞれ互いにプラズマ空間内に配置された電極を使用することによって高められ、このことは、特に連続装置中で被覆すべき基板の場合に重要である。更に、従来のDCスパッタリングおよび”TWIN−MAG”の使用と比較したスパッタリング速度および層成長速度についての詳細は、既に引用された刊行物から認めることができる(Szezyrbowski et.al 1999 Society of Vacuum Coaters 505/856-7188,42nd Annual Technical Conference Proceedings (1999), p. 141-146)。
【0016】
更に、例えば米国特許第6193856号明細書(WO 97/08359)の記載から、層成長の速度が反応性スパッタリングの際に極めて低いことは、公知であり、このことは、特に基板を大面積で被覆する場合には、不利に作用し、僅かな生産性を生じさせ、かつ高い費用を惹起する。この問題を回避させるための公知の方法は、上記の特許明細書の米国特許第6193856号明細書に記載されており、この場合には、反応部分処理は、不要であり、直接に誘電性金属酸化物は、スパッタリングターゲットとして使用され、次に基板上で例えば二酸化チタンからなる金属酸化物被膜が付着される。この方法の場合の欠点は、この金属酸化物が一般に導電性を全く示さないかまたは極めて僅かにのみ導電性を示すことであり、したがってこの方法それ自体は、直流電圧スパッタリングにとって不適当である。
【0017】
固有の結果によれば、直流電圧法においてスパッタリング処理に適している金属酸化物、有利に二酸化チタンからなるスパッタリングターゲットの比電気抵抗の”臨界的”値は、約1Ωcmであり、この場合には、これは異質の数学的値ではなく、それによって大きさの程度だけが記載されることを明らかに確認することができる。この”臨界的”値は、著しく装置パラメーターに依存し、また特許明細書の記載とは異なり、例えばWO 97/25450には、1Ωcmの総和が証明されているが、しかし、好ましくは、0.1Ωcmの大きさも記載されている。WO 97/25451には、10Ωcmが直流電圧スパッタリング処理にとって明らかに高すぎることが記載されており、0.5Ωcmが推奨されており、最適の値には、0.01Ωcmが記載されている。
【0018】
この場合、一般には、例えばWO 97/25450およびWO 97/25451によれば、化学量論的不足量のTiOxが使用され、この場合xは、1.55〜1.95の範囲内にある。特殊な光触媒特性を有する多重層系を製造するために、欧州特許出願公開第1068899号明細書A1の記載から、ニオブ、タンタル、バナジウム、ジルコニウム、錫、亜鉛、クロムおよび銅の群からの酸化物を主要成分の二酸化チタンに対して約1〜10質量%の割合で添加することは、公知である。この場合には、例えばガラス基板上の望ましい活性薄層が製造される。二酸化チタンと記載された別の酸化物との混合物からの層を製造するために、この混合物からなる焼結されたターゲットが利用され、この場合このターゲットは、導電性を有している。
【0019】
直流電圧法におけるスパッタリング処理のための二酸化チタンからなる、酸素含量中で化学量論的不足量のかかるスパッタリングガスのための製造方法としては、例えば特開平7−233469号公報に記載の非酸化物雰囲気中での熱間圧縮またはWO 97/08359に記載の還元性プラズマ溶射法が使用される。しかし、この最後に記載された方法は、極めて費用がかかる。
【0020】
直流電圧スパッタリングのために二酸化チタンターゲットを使用する場合には、特許文献、例えばWO 97/25450に純粋なチタンターゲットおよびプラズマ中の酸素供給管を有する従来の反応性スパッタリングと比較して、スパッタリング速度について10倍だけ改善することが可能であることが記載されている。
【0021】
しかし、この場合には、このような二酸化チタンターゲットの経済的な使用は、一般に高い製造費で失敗する。
【0022】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の課題は、二酸化チタンからなるスパッタリングターゲットを、直流電圧スパッタリングに適している、即ち比電気抵抗が5Ωcm未満である(が、しかし、好ましくは1Ωcm未満である)ように製造することである。そのために、スパッタリングターゲットの導電性を高めるために、ドーピング成分が微少量混合されるが、しかし、ドーピング成分は、他面、層の性質に不利な影響を及ぼしてはならない。基板上に付着された層の屈折率が2.3よりも大きく、さらにドーピング成分によって高められた吸収量は影響を及ぼされないことが保証されていなければならない。最後に、スパッタリングターゲットは、特に安価である、簡単で処理技術的に容易に操作することができる方法によって、大きな断片数で製造されることができなければならない。
【0023】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、この課題は、二酸化チタンからなるターゲット物質にドーピング剤を混合し、この混合物を簡単なセラミック処理技術、例えば冷間圧縮および焼結によって加工することによって解決される。ドーピング剤またはドーピング剤混合物として、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ビスマス(Bi2O3)または酸化ガリウム(Ga2O3)の群から酸化物が5モル%未満の割合で混合される。この割合を、0.05モル%〜1.0モル%の範囲内に減縮することは、特に好ましいことが判明した。特に良好な結果は、酸化インジウム(In2O3)をドーピング剤として選択する場合に達成される。
【0024】
二酸化チタン粉末と選択されたドーピング剤からの粉末との混合物の個々の成分は、例えばタンブルミキサーを用いて混合されるかまたは二重反転撹拌機を備えた回転型混合容器中で混合され、引続き圧縮成型機中に充填され、かつ圧縮される。この場合、圧縮圧力は、約0.5t/cm2〜2.0t/cm2であることができる。特に好ましいのは、均一に圧縮された圧縮成形体の製造のために、第1の圧縮工程の後に静水圧圧縮成形により後圧縮を行なうことであり、この場合圧縮圧力は、第2の圧縮工程において2.0t/cm2〜3.0t/cm2の範囲内にある。
【0025】
圧縮工程の後に、生成形体は、1300℃〜1600℃の範囲内で無圧で焼結され、こうして得られた密度は、3.4g/cm3〜4.1g/cm3の範囲内にある。
【0026】
可能な実施例は、表中に記載されている。
【0027】
【実施例】
【0028】
【表1】
Claims (5)
- 5Ωcm未満の比電気抵抗を有する二酸化チタン(TiO2)からなる導電性スパッタターゲットにおいて、TiO2からなるターゲット物質に酸化亜鉛(ZnO)、酸化ビスマス(Bi2O3 )または酸化ガリウム(Ga2O3 )の群からの少なくとも1つのドーピング剤またはドーピング剤混合物が5モル%未満の割合で混合されていることを特徴とする、二酸化チタン(TiO2)からなる導電性スパッタターゲット。
- ドーピング剤の割合が有利に0.05〜1.0モル%の範囲内にある、請求項1記載のスパッタターゲット。
- ドーピング剤として殊に酸化インジウム(In2O3)が混合されている、請求項1記載のスパッタターゲット。
- 請求項1から3までのいずれか1項に記載のスパッタターゲットを製造する方法において、二酸化チタンからなる出発物質をドーピング剤またはドーピング剤混合物と混合し、その後に冷間圧縮し、引続き焼結させることを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項に記載のスパッタターゲットを製造する方法。
- 建築用ガラスの製造を目的とするガラス被覆のための請求項1記載の二酸化チタン(TiO 2 )からなる導電性スパッタターゲットの使用。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10140514.6 | 2001-08-17 | ||
DE10140514A DE10140514A1 (de) | 2001-08-17 | 2001-08-17 | Sputtertarget auf Basis von Titandioxid |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003073820A JP2003073820A (ja) | 2003-03-12 |
JP3970719B2 true JP3970719B2 (ja) | 2007-09-05 |
Family
ID=7695839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002236064A Expired - Fee Related JP3970719B2 (ja) | 2001-08-17 | 2002-08-13 | 二酸化チタンを基礎とするスパッタターゲット |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7431808B2 (ja) |
EP (1) | EP1284302B1 (ja) |
JP (1) | JP3970719B2 (ja) |
DE (2) | DE10140514A1 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4711619B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2011-06-29 | 京セラ株式会社 | 導電性酸化チタン焼結体、スパッタリングターゲット、透光性部材、および画像表示装置 |
US7713632B2 (en) | 2004-07-12 | 2010-05-11 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings |
JP4803180B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2011-10-26 | 住友金属工業株式会社 | 酸化チタン系光触媒とその製造方法及び用途 |
KR20080071973A (ko) * | 2005-10-13 | 2008-08-05 | 엔.브이. 베카에르트 에스.에이. | 스퍼터링에 의한 코팅 증착법 |
ITRM20060181A1 (it) | 2006-03-31 | 2007-10-01 | Pilkington Italia Spa | Lastra di vetro rivestita |
KR101431230B1 (ko) * | 2006-04-11 | 2014-08-18 | 카디날 씨지 컴퍼니 | 개선된 낮은 유지 특성이 있는 광촉매성 코팅 |
US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
KR101563197B1 (ko) * | 2007-09-14 | 2015-10-26 | 카디날 씨지 컴퍼니 | 관리 용이한 코팅 및 이의 제조방법 |
JP4970550B2 (ja) * | 2007-12-18 | 2012-07-11 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化チタンを主成分とする薄膜、酸化チタンを主成分とする薄膜の製造に適した焼結体スパッタリングターゲット及び酸化チタンを主成分とする薄膜の製造方法 |
KR20150128817A (ko) * | 2007-12-21 | 2015-11-18 | 사푸라스트 리써치 엘엘씨 | 전해질 막을 위한 표적을 스퍼터링하는 방법 |
WO2009096165A1 (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Panasonic Corporation | 光学的情報記録媒体とその製造方法、及びターゲット |
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JP5266466B2 (ja) * | 2009-04-01 | 2013-08-21 | 東海光学株式会社 | 光学部材、眼鏡用プラスチックレンズ及びそれらの製造方法 |
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DE102010048089B4 (de) | 2010-10-01 | 2016-09-01 | Carl Zeiss Vision International Gmbh | Verfahren zur Erzeugung einer mehrere Schichten aufweisenden antistatischen Beschichtung für ein Linsenelement |
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ES2786348T3 (es) | 2015-12-23 | 2020-10-09 | Materion Advanced Mat Germany Gmbh | Diana de pulverización catódica basada en óxido de circonio |
EP3541762B1 (en) | 2016-11-17 | 2022-03-02 | Cardinal CG Company | Static-dissipative coating technology |
DE102018112335A1 (de) * | 2018-05-23 | 2019-11-28 | Hartmetall-Werkzeugfabrik Paul Horn Gmbh | Magnetronsputtervorrichtung |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3316548C2 (de) * | 1983-03-25 | 1985-01-17 | Flachglas AG, 8510 Fürth | Verfahren zur Beschichtung eines transparenten Substrates |
DE3802852A1 (de) | 1988-02-01 | 1989-08-03 | Leybold Ag | Einrichtung fuer die beschichtung eines substrats mit einem material, das aus einem plasma gewonnen wird |
GB8900166D0 (en) * | 1989-01-05 | 1989-03-01 | Glaverbel | Glass coating |
JPH04141577A (ja) | 1990-09-29 | 1992-05-15 | Murata Mfg Co Ltd | 酸化チタン半導体薄膜の製造方法 |
DE4135701C2 (de) | 1991-10-30 | 1995-09-28 | Leybold Ag | Scheibe mit hohem Transmissionsverhalten im sichtbaren Spektralbereich und mit hohem Reflexionsverhalten für Wärmestrahlung |
DE4211363A1 (de) | 1992-04-04 | 1993-10-07 | Leybold Ag | Verfahren zum Herstellen von Scheiben mit hohem Transmissionsverhalten im sichtbaren Spektralbereich und mit hohem Reflexionsverhalten für Wärmestrahlung sowie durch das Verfahren hergestellte Scheiben |
JPH06305888A (ja) | 1993-04-27 | 1994-11-01 | Tosoh Corp | 薄膜導波路結晶及びその製造法 |
US5403458A (en) * | 1993-08-05 | 1995-04-04 | Guardian Industries Corp. | Sputter-coating target and method of use |
JP3836163B2 (ja) * | 1994-02-22 | 2006-10-18 | 旭硝子セラミックス株式会社 | 高屈折率膜の形成方法 |
DE19520843A1 (de) | 1995-06-08 | 1996-12-12 | Leybold Ag | Scheibe aus durchscheinendem Werkstoff sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
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GB9600210D0 (en) | 1996-01-05 | 1996-03-06 | Vanderstraeten E Bvba | Improved sputtering targets and method for the preparation thereof |
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DE19958424C2 (de) * | 1999-12-03 | 2002-05-29 | Zentrum Fuer Material Und Umwe | Zerstäubungstarget für die Dünnbeschichtung großflächiger Substrate und Verfahren zu seiner Herstellung |
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-
2001
- 2001-08-17 DE DE10140514A patent/DE10140514A1/de not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-08-13 JP JP2002236064A patent/JP3970719B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-14 EP EP02018329A patent/EP1284302B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-14 DE DE50208389T patent/DE50208389D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-19 US US10/223,531 patent/US7431808B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030038028A1 (en) | 2003-02-27 |
DE10140514A1 (de) | 2003-02-27 |
DE50208389D1 (de) | 2006-11-23 |
JP2003073820A (ja) | 2003-03-12 |
US7431808B2 (en) | 2008-10-07 |
EP1284302B1 (de) | 2006-10-11 |
EP1284302A1 (de) | 2003-02-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060915 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20061213 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070315 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070523 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070606 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |